CN113021178A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113021178A
CN113021178A CN202011495296.0A CN202011495296A CN113021178A CN 113021178 A CN113021178 A CN 113021178A CN 202011495296 A CN202011495296 A CN 202011495296A CN 113021178 A CN113021178 A CN 113021178A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
main surface
polishing head
polishing
cleaning liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011495296.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113021178B (zh
Inventor
宫原理
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN113021178A publication Critical patent/CN113021178A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113021178B publication Critical patent/CN113021178B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/005—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents using brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02065—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being a planarization of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber

Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够遍及基板的径向整体地抑制基板的损伤并对基板进行研磨。基板处理装置具备：保持部，其保持基板；旋转部，其使所述保持部旋转，来使所述基板与所述保持部一同旋转；液供给部，其向所述基板的主表面供给清洗液；研磨头，其对所述基板的所述主表面进行研磨；移动部，其将所述研磨头按压于所述基板的所述主表面，并使所述研磨头沿所述基板的径向进行扫描；以及控制部，其控制所述旋转部、所述液供给部以及所述移动部，所述控制部设定将所述基板的所述主表面沿所述基板的径向分割为多个区域的分割线，针对每个所述区域实施所述清洗液的供给和后续在停止供给所述清洗液的状态下使所述研磨头进行的扫描。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的基板处理装置具备：保持部，其将基板水平地保持；旋转部，其使基板旋转；研磨刷，其对基板的上表面进行研磨；移动部，其将研磨刷按压于基板的上表面，并使该研磨刷沿基板的径向进行扫描；液供给部，其向基板的上表面供给清洗液；以及控制部，其控制旋转部、移动部以及液供给部。随着研磨刷从基板的径向内侧朝向径向外侧移动，研磨刷的扫描速度变小，并且基板的旋转速度变小。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-55441号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一个方式提供一种能够遍及基板的径向整体地抑制基板产生损伤并且能够对基板进行研磨的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理装置具备：
保持部，其保持基板；
旋转部，其使所述保持部旋转，来使所述基板与所述保持部一同旋转；
液供给部，其向所述基板的主表面供给清洗液；
研磨头，其对所述基板的所述主表面进行研磨；
移动部，其将所述研磨头按压于所述基板的所述主表面，并使所述研磨头沿所述基板的径向进行扫描；以及
控制部，其控制所述旋转部、所述液供给部以及所述移动部，
其中，所述控制部设定将所述基板的所述主表面沿所述基板的径向分割为多个区域的分割线，针对每个所述区域实施所述清洗液的供给和后续的在停止供给所述清洗液的供给的状态下使所述研磨头进行的扫描。
发明的效果
根据本公开的一个方式，能够遍及基板的径向整体地抑制基板产生损伤并且能够对基板进行研磨。
附图说明
图1A是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的研磨时的状态的截面图。
图1B是表示图1A的基板处理装置的清洗时的状态的截面图。
图2是表示基板的构造的一例的截面图。
图3是表示研磨头的一例的立体图。
图4是表示一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
图5是表示图4的研磨的一例的俯视图。
图6是表示将基板的第一主表面沿径向分割为多个区域的分割线的一例的俯视图。
图7是表示研磨头与基板的摩擦系数同距基板的第一主表面的中心点的距离之间的关系的图。
图8是表示在图4的研磨中使用的设定值的一例的图。
图9是表示实施例1和2以及参考例1的研磨后的雾度值与距基板的第一主表面的中心点的距离之间的关系的图。
附图标记说明
10：基板处理装置；20：保持部；25：旋转部；30：液供给部；70：研磨头；80：移动部；90：控制部。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，对相同的或对应的结构标注相同的标记，有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向为彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向为水平方向，Z轴方向为铅垂方向。
如图1A和图1B所示，基板处理装置10具备保持部20、旋转部25、液供给部30、研磨头70、移动部80以及控制部90。保持部20将基板W水平地保持。旋转部25使保持部20旋转，来使基板W与保持部20一同旋转。液供给部30向基板W的第一主表面Wa供给清洗液。研磨头70对基板W的第一主表面Wa进行研磨。移动部80将研磨头70按压于基板W的第一主表面Wa，并使该研磨头70沿基板W的径向进行扫描。控制部90控制旋转部25、液供给部30以及移动部80。基板处理装置10还具备壳体11和回收杯12。下面，对各结构进行说明。
保持部20将基板W水平地保持。在基板W被水平地保持的情况下，X轴方向和Y轴方向为与基板W的第一主表面Wa平行的方向。X轴方向为研磨头70的移动方向。
例如如图2所示，基板W包括基底基板W1和形成于基底基板W1的表面的膜W2。基底基板W1例如为半导体基板或玻璃基板。半导体基板为硅晶圆或化合物半导体晶圆等。
膜W2通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法或ALD(AtomicLayer Deposition：原子层沉积)法等形成于基底基板W1的表面。膜W2为非晶硅膜、多晶硅膜、氧化硅膜或氮化硅膜等。膜W2可以为TEOS膜。TEOS膜为使用TEOS(正硅酸乙酯)形成的氧化硅膜。膜W2可以为单层构造、多层构造中的任一种构造。
基板W具有第一主表面Wa以及与第一主表面Wa相反方向的第二主表面Wb。第一主表面Wa为被研磨头70研磨的面。另一方面，第二主表面Wb为在进行第一主表面Wa的研磨后通过光刻法和蚀刻法等进行图案加工的面。第二主表面Wb的膜W2被进行图案加工。
虽然没有图示，但曝光器在将基板W以基板W的第一主表面Wa朝下的方式载置于载置台的状态下在基板W的第二主表面Wb形成曝光图案。预先通过研磨头70对第一主表面Wa进行研磨，来使基板W以去除了附着物和损伤的状态搭载于曝光器。在向曝光器进行搭载时，第一主表面Wa的吸附变形小，因此第二主表面Wb的变形也小，能够减少散焦，从而能够提高图案加工精度。
保持部20将基板W以作为研磨对象的第一主表面Wa朝上的方式水平地保持。保持部20例如为保持基板W的外周的机械卡盘。其中，保持部20可以为真空卡盘或静电卡盘，可以保持基板W的下表面。
旋转部25为旋转马达等，以铅垂的旋转轴26为中心旋转。旋转部25使保持部20以通过保持部20保持着基板W的状态旋转。由此，使基板W旋转。
液供给部30在通过保持部20保持着基板W的状态下向基板W的第一主表面Wa供给清洗液。作为清洗液，例如使用DIW(脱离子水)。此外，清洗液可以为多个，作为清洗液可以依次使用药液和冲洗液。液供给部30例如包括第一喷嘴31和第二喷嘴41。
在基板W的旋转过程中，第一喷嘴31向基板W的第一主表面Wa的中心供给清洗液。清洗液通过离心力以润湿基板W的整个第一主表面Wa的方式扩散，并从基板W的周缘被被甩出。第一喷嘴31经由配管32而与液供给源33连接。在配管32的中途设置有开闭阀35和流量控制器36。当开闭阀35将配管32的流路打开时，从液供给源33向第一喷嘴31供给清洗液，从第一喷嘴31喷出清洗液。该喷出量由流量控制器36进行控制。另一方面，当开闭阀35将配管32的流路关闭时，停止从液供给源33向第一喷嘴31供给清洗液，停止喷出清洗液。
在基板W的旋转过程中，第二喷嘴41沿基板W的径向移动来遍及基板W的第一主表面Wa的径向整体地供给清洗液。液供给部30包括使第二喷嘴41沿基板W的径向移动的移动装置51。第二喷嘴41为双流体喷嘴，通过N2气体等气体将清洗液粉碎并微粒化后进行喷射。能够提高清洗液的清洗力。
与第一喷嘴31同样地，第二喷嘴41经由配管42而与液供给源43连接。在配管42的中途设置有开闭阀45和流量控制器46。并且，第二喷嘴41经由配管52而与气体供给源53连接。在配管52的中途设置有开闭阀55和流量控制器56。当开闭阀55将配管52的流路打开时，从气体供给源53向第二喷嘴41供给气体，从第二喷嘴41喷出气体。该喷出量由流量控制器56进行控制。另一方面，当开闭阀55将配管52的流路关闭时，停止从气体供给源53向第二喷嘴41供给气体，停止喷出气体。
从液供给部30喷出的各种流体被回收至回收杯12中。回收杯12将保持部20和呈被保持部20保持着的状态的基板W收容在其内部，以防止来自基板W的液滴的飞散。在回收杯12的底壁设置有未图示的排液管和排气管。排液管用于排出清洗液，排气管用于排出气体。
如图1A所示，研磨头70在通过保持部20保持着基板W的状态下与基板W的第一主表面Wa接触，来对第一主表面Wa进行研磨。研磨头70例如为圆柱状，研磨头70的接触基板W的研磨面水平地配置。研磨头70的研磨面比基板W的第一主表面Wa小。
研磨头70经由铅垂的旋转轴71而与旋转马达72连接。旋转马达72使研磨头70以旋转轴71为中心旋转。可以在旋转马达72与旋转轴71之间配置将旋转马达72的旋转运动传递至旋转轴71的传递构件。传递构件例如包括带和带轮等。
如图3所示，研磨头70包括以可更换的方式安装于旋转轴71的安装部701、以及被按压于基板W的研磨层702。研磨层702包括树脂制的基材和分散配置于基材中的研磨颗粒。研磨颗粒例如为金刚石颗粒或碳化硅颗粒等。研磨层702为圆柱状，研磨层702的下表面对基板W进行研磨。
在研磨层702的下表面形成排液槽703。排液槽703沿研磨层702的下表面的周向等间隔地形成有多个，所述多个排液槽703在研磨层702的下表面的中心相交。进入到研磨层702与基板W之间的清洗液沿排液槽703从研磨层702的下表面的中心朝向周缘排出。
此外，研磨头70的构造不限定为图3所示的构造。
如图1A等所示，移动部80例如包括第一移动部81和第二移动部82。第一移动部81使研磨头70沿Z轴方向移动，并将该研磨头70按压于基板W的第一主表面Wa。另外，第二移动部82使研磨头70沿X轴方向移动，并使该研磨头70沿基板W的径向进行扫描。
控制部90例如为计算机，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。在存储介质92中保存用于控制在基板处理装置10中执行的各种处理的程序。控制部90通过使CPU 91执行存储介质92中存储的程序，来控制基板处理装置10的动作。另外，控制部90具备输入接口93和输出接口94。控制部90通过输入接口93接收来自外部的信号，通过输出接口94将信号发送至外部。
上述程序例如存储在计算机可读存储介质中，并被从该存储介质安装至控制部90的存储介质92中。作为计算机可读存储介质，例如可列举硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)以及存储卡等。此外，也可以经由因特网从服务器下载程序，并且将该程序安装至控制部90的存储介质92中。
接着，参照图4等说明基板处理装置10的动作、也就是基板处理方法。如图4所示，基板处理方法包括搬入S1、研磨S2、清洗S3、干燥S4以及搬出S5。该基板处理方法在控制部90进行的控制下实施。
在搬入S1中，未图示的搬送装置将基板W搬入基板处理装置10的内部，并交接至保持部20。保持部20将基板W以基板W的第一主表面Wa朝上的方式水平地保持。搬送装置在将基板W交接至保持部20后，退出至基板处理装置10的外部。
在研磨S2中，如图1A所示，在通过保持部20保持着基板W的状态下，利用研磨头70对基板W的第一主表面Wa进行研磨。利用研磨头70对第一主表面Wa进行研磨，并将基板W以去除了附着物和损伤的状态搭载于曝光器。在向曝光器进行搭载时，第一主表面Wa的吸附变形小，因此第二主表面Wb的变形也小，能够减少散焦，从而能够提高图案加工精度。
在研磨S2中，移动部80将研磨头70按压于基板W的第一主表面Wa，并使研磨头70沿基板W的径向进行扫描。另外，在研磨S2中，旋转部25使保持部20旋转，来使基板W与保持部20一同旋转。并且，在研磨S2中，旋转马达72使研磨头70旋转。
控制部90控制移动部80，来控制研磨头70的研磨压力和研磨头70的扫描速度。另外，控制部90控制旋转部25，来控制基板W的旋转速度。并且，控制部90控制旋转马达72，来控制研磨头70的旋转速度。
如图6所示，控制部90设定将基板W的第一主表面Wa沿基板W的径向分割为三个区域A1～A3的两个分割线L1～L2。两个分割线L1～L2为以第一主表面Wa的中心点P0为中心的圆，将第一主表面Wa沿径向等间隔地分割为三个区域A1～A3。此外，分割线的数量并不限定为两个，只要为一个以上即可。另外，区域的数量只要为两个以上即可。另外，分割线也可以不将第一主表面Wa沿径向等间隔地进行分割，而是将第一主表面Wa非等间隔地进行分割。
中央的区域A1包括基板W的第一主表面Wa的中心点P0，且具有比研磨头70的下表面的直径大的半径。研磨头70的下表面在被按压于基板W的第一主表面Wa的状态下依次通过第一主表面Wa的中心点P0、分割线L1的点P1以及分割线L2的点P2，并且移动至第一主表面Wa的周缘的点P3。
如图5所示，控制部90针对每个区域A1～A3实施清洗液的供给和后续的在停止供给清洗液的状态下使研磨头70进行的扫描。在研磨头70的前端F的位置处管理清洗液的供给和研磨头的扫描。前端F为扫描方向上的前端。图5的详情如下。
首先，在基板W的旋转过程中，第一喷嘴31向基板W的第一主表面Wa的中心供给清洗液(图5的S201)。清洗液通过离心力以润湿整个第一主表面Wa的方式扩散，并形成液膜。在此期间，第二喷嘴41不向基板W供给清洗液。研磨头70从基板W向上方分离，并且在基板W的上方待机。
在形成液膜后，第一喷嘴31停止供给清洗液(图5的S202)。另外，在形成液膜后，移动部80使研磨头70下降并将研磨头70按压于基板W的第一主表面Wa。在液膜的形成过程中或形成液膜前，如图6所示，进行研磨头70的位置调整，以使得在俯视观察时研磨头70的前端F与第一主表面Wa的中心点P0一致。
接着，移动部80在将研磨头70按压于基板W的第一主表面Wa的状态下，使研磨头70的前端F从第一主表面Wa的中心点P0扫描至分割线L1的点P1(图5的S203)。在此期间，控制部90停止向基板W供给清洗液，实施基板W的旋转和研磨头70的旋转。
当研磨头70的前端F到达分割线L1的点P1时，控制部90使研磨头70的扫描中断，使研磨头70的前端F暂时停止在分割线L1的点P1处。然后，控制部90实施清洗液的供给(图5的S204)。
具体地说，在基板W的旋转过程中，第一喷嘴31向基板W的第一主表面Wa的中心供给清洗液。清洗液通过离心力以润湿整个第一主表面Wa的方式扩散，并形成液膜。在液膜的形成过程中，移动部80将研磨头70持续按压于基板W。在液膜的形成过程中，持续地供给清洗液，因此清洗液不断地流入研磨头70与基板W之间，研磨头70相对于基板W滑动，因此基板W实质上未被进行研磨。此外，在液膜的形成过程中，移动部80也可以使研磨头70离开基板W并在基板W的上方待机，以取代将研磨头70持续按压于基板W。在该情况下，移动部80在再次开始扫描前使研磨头70下降并将研磨头70再次按压于基板W。
在形成液膜后，第一喷嘴31停止供给清洗液(图5的S205)。
接着，移动部80在将研磨头70按压于基板W的第一主表面Wa的状态下，使研磨头70的前端F从分割线L1的点P1扫描至其它分割线L2的点P2(图5的S206)。在此期间，控制部90停止向基板W供给清洗液，实施基板W的旋转和研磨头70的旋转。
当研磨头70的前端F达到分割线L2的点P2时，控制部90使研磨头70的扫描中断，并使研磨头70的前端F暂时停止在分割线L2的点P2处。然后，控制部90实施清洗液的供给(图5的S207)。S207与上述S204同样地实施。之后，第一喷嘴31停止供给清洗液(图5的S208)。
接着，移动部80在将研磨头70按压于基板W的第一主表面Wa的状态下，使研磨头70的前端F从分割线L2的点P2扫描至第一主表面Wa的周缘的点P3(图5的S209)。在此期间，控制部90停止向基板W供给清洗液，实施基板W的旋转和研磨头70的旋转。
当研磨头70的前端F到达基板W的第一主表面Wa的周缘的点P3时，控制部90使研磨头70结束扫描，并使研磨头70的前端F停止在分割线L2的点P2处。在该状态下，控制部90在设定时间的期间，实施基板W的旋转和研磨头70的旋转来对基板W的周缘进行研磨(图5的S210)。这是因为在基板W的周缘容易附着脏污。根据本实施方式，能够去除固着于基板W的周缘的脏污。之后，研磨头70离开基板W的第一主表面Wa。
如上所述，控制部90如图5所示那样针对每个区域A1～A3实施清洗液的供给和后续的在停止供给清洗液的状态下使研磨头70进行的扫描。控制部90使研磨头70在扫描的中途暂时中断扫描，供给清洗液。能够防止在扫描的中途清洗液的液膜破裂，从而能够防止产生过大的摩擦。另外，控制部90禁止在扫描中供给清洗液，因此能够在研磨头70与基板W之间形成厚度适度的液膜。因而，能够抑制摩擦引发的损伤，并且能够抑制滑动，从而能够对基板W进行研磨。另外，由于残留有液膜，因此通过离心力将研磨屑与清洗液一同冲掉。其结果是，能够遍及基板W的径向整体地抑制基板W产生损伤，并且能够对基板W进行研磨。
此外，在本实施方式中，控制部90将图5所示的处理实施一次，但可以实施多次。也就是说，在本实施方式中，研磨头70的扫描次数为一次，但可以为多次。
另外，如图7所示，在基板W的旋转速度固定的情况下，随着距基板W的第一主表面Wa的中心点P0的距离增大，研磨头70与基板W的摩擦系数变小。图7所示的曲线通常被称作斯特里贝克曲线(Stribeck Curve)。
研磨头70与基板W的摩擦系数越大则越容易磨削基板W。因此，控制部90为了以同等程度磨削多个区域A1～A3，如图8所示那样针对每个区域A1～A3设定研磨头70的研磨压力、研磨头70的扫描速度以及基板W的旋转速度中的一个以上。
研磨头70的研磨压力越大，则研磨头70与基板W的摩擦力越大，基板W越容易磨削。摩擦力能够用研磨压力与摩擦系数的乘积表示。另外，在基板W的旋转速度固定的情况下，研磨头70的扫描速度越小，则旋转中的基板W上的特定点横穿扫描中的研磨头70的次数越多，更容易通过特定的点来磨削基板W。并且，在研磨头70的扫描速度固定的情况下，基板W的旋转速度越大，则旋转中的基板W上的特定的点横穿扫描中的研磨头70的次数越多，越容易通过特定的点来磨削基板W。
如上所述，控制部90针对每个区域A1～A3设定研磨头70的研磨压力、研磨头70的扫描速度以及基板W的旋转速度中的一个以上。能够同等程度地磨削多个区域A1～A3，从而能够使研磨后的区域A1～A3的表面粗糙度收敛于相同的容许范围内。
控制部90根据基板W的第一主表面Wa的状态来设定研磨头70的研磨压力、研磨头70的扫描速度以及基板W的旋转速度中的一个以上。预先通过试验等制作出表示基板W的第一主表面Wa的状态与设定值的关系的表，并且存储于存储介质92中。控制部90经由输入接口93从外部的计算机获取基板W的第一主表面Wa的状态，参照存储介质92的上述数据来决定设定值。此外，能够通过设置于基板处理装置10的摄像机、激光器等表面检查单元来获取基板W的第一主表面Wa的状态。控制部90也可以根据表面检查单元的检查结果来判断基板W的第一主表面Wa的状态，并决定设定值。
基板W的第一主表面Wa的状态包括形成于第一主表面Wa的膜W2的材质。在膜W2的材质为非晶硅的情况下，相比于膜W2的材质为氧化硅或氮化硅的情况，膜W2的硬度软，膜W2容易被磨削。
因而，膜W2的硬度越软，则将研磨头70的研磨压力设定得越小。另外，膜W2的硬度越软，则将研磨头70的扫描速度设定得越大。或者，膜W2的硬度越软，则将基板W的旋转速度设定得越小。
此外，基板W的第一主表面Wa的状态除了膜W2的材质还可以包括膜W2的厚度。膜W2的厚度越厚，则膜W2的材质的差异越容易被表现为膜W2的硬度的差异。
基板W的第一主表面Wa的状态包括研磨后的第一主表面Wa的表面粗糙度的径向分布。表面粗糙度例如用雾度(Haze)值表示。雾度值越大，则表面粗糙度越大。也可以使用光的反射率等来代替雾度值。反射率越小，则表面粗糙度越大。
表面粗糙度过小是指研磨量过少。另一方面，表面粗糙度过大是指研磨量过多。因此，将研磨头70的研磨压力设定为使表面粗糙度收敛于容许范围内等。
例如，表面粗糙度越大，则将研磨头70的研磨压力设定得越小。另外，表面粗糙度越大，则将研磨头70的扫描速度设定得越大。或者，表面粗糙度越大，则将基板W的旋转速度设定得越小。
设定的变更顺序可以为研磨头70的研磨压力、研磨头70的扫描速度以及基板W的旋转速度的顺序，也可以为相反的顺序。设定的变更对基板W的磨削难易度的影响度按照研磨头70的研磨压力、研磨头70的扫描速度以及基板W的旋转速度的顺序变大。
因而，在想要将基板W的研磨量变大的情况下，设定变更的优先度为研磨头70的研磨压力、研磨头70的扫描速度以及基板W的旋转速度的顺序。另一方面，在想要将基板W的研磨量变小的情况下，设定变更的优先度为基板W的旋转速度、研磨头70的研磨压力以及研磨头70的扫描速度的顺序。
在图4的清洗S3中，首先，第一喷嘴31向基板W的第一主表面Wa的中心供给清洗液。清洗液通过离心力以润湿整个第一主表面Wa的方式扩散，并将从基板W分离出的脏污冲到基板W的径向外方。作为清洗液，例如使用DIW等冲洗液。此外，作为清洗液可以依次使用药液和冲洗液。
在图4的清洗S3中，接下来，第二喷嘴41一边朝向基板W的第一主表面Wa喷出清洗液，一边从基板W的中心的正上方的位置逐渐移动至基板W的周缘的正上方的位置，并且在基板W的周缘的正上方的位置停止设定时间。这是因为在基板W的周缘容易附着脏污。
此外，在本实施方式中，第二喷嘴41的移动方向为基板W的径向外方，但也可以为基板W的径向内方。另外，在本实施方式中，第二喷嘴41的扫描次数为一次，但也可以为多次。
在图4的清洗S3中，第一喷嘴31进一步向基板W的第一主表面Wa的中心供给清洗液。清洗液通过离心力以润湿整个第一主表面Wa的方式扩散，并将从基板W分离出的脏污冲向基板W的径向外方。作为清洗液，例如使用DIW等冲洗液。
在图4的干燥S4中，旋转部25使保持部20高速地旋转，来将附着于基板W的清洗液甩出。此外，也可以在清洗S3的最后将冲洗液的液膜置换为表面张力比冲洗液小的干燥液的液膜，在该情况下，在干燥S4中将干燥液甩出。作为干燥液，例如使用IPA(异丙醇)等。
在图5的搬出S5中，未图示的搬送装置进入基板处理装置10的内部，从保持部20接受基板W，并将基板W搬出至基板处理装置10的外部。之后，本次的处理结束。
接着，参照表1和图9来说明实验数据。表1表示实施例1和2以及参考例1的研磨条件。
【表1】
Figure BDA0002841971620000121
在表1中，V表示研磨头70的扫描速度，N1表示基板W的旋转速度，T表示各区域A1～A3中的基板W的研磨时间，N2表示在时间T期间基板W的旋转的次数(N2＝N1×T/60)。在此，“60”为用于将时间T的单位从“秒”转换为“分”的系数。区域A1的T为图5的S203的时间，区域A2的T为图5的S206的时间，区域A3的T为图5的S209与S210的合计时间。
此外，在实施例1和2以及参考例1的任一例中，基板W均按照硅晶圆、氧化硅膜以及多晶硅膜的顺序包括它们。另外，基板W的半径为150mm。两个分割线L1、L2将基板W沿径向等间隔地分割为三个区域。研磨压力为1.5N，是固定的。
在参考例1中，与专利文献1同样地，在使研磨头70从基板W的径向内侧朝向径向外侧进行扫描的期间，使V阶段性地变小。另外，在参考例1中，与专利文献1同样地，在研磨头70的扫描期间，持续地供给清洗液。如图9中的虚线所示，在除了径向外侧的区域A3以外的区域A1和A2中，研磨后的雾度值小。因而，可知的是：在除了径向外侧的区域A3以外的区域A1和A2中，研磨量不足。
因此，在实施例1中，与参考例1不同地，如图5所示那样在研磨头70的扫描期间停止供给清洗液。另外，在实施例1中，在使研磨头70从基板W的径向内侧朝向径向外侧进行扫描的中途使V最小。如图9中的实线所示，在全部的区域A1、A2及A3中研磨后的雾度值大。因而，可知的是：在全部的区域A1、A2及A3中研磨量都足够。
另外，在实施例1中，径向内侧的区域A1的雾度值比其它区域A2和A3的雾度值大。因而，可知的是：在实施例1中，径向内侧的区域A1的研磨量比其它区域A2和A3的研磨量大。
因此，在实施例2中，为了减少径向内侧的区域A1的研磨量，除了减小区域A1的N1以外，以与实施例1相同的条件实施了基板W的研磨。如图9中的单点划线所示，在全部的区域A1、A2及A3中，研磨后的雾度值均为同等程度。因而，可知的是：在实施例2中，在全部的区域A1、A2及A3中研磨量为同等程度。
以上说明了本公开所涉及的基板处理装置和基板处理方法的实施方式，但本公开并不限定于上述实施方式等。能够在权利要求书记载的范畴内进行各种变更、修正、置换、追加、删除以及组合。这些也当然属于本公开的技术范围内。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，具备：
保持部，其保持基板；
旋转部，其使所述保持部旋转，来使所述基板与所述保持部一同旋转；
液供给部，其向所述基板的主表面供给清洗液；
研磨头，其对所述基板的所述主表面进行研磨；
移动部，其将所述研磨头按压于所述基板的所述主表面，并使所述研磨头沿所述基板的径向进行扫描；以及
控制部，其控制所述旋转部、所述液供给部以及所述移动部，
其中，所述控制部设定将所述基板的所述主表面沿所述基板的径向分割为多个区域的分割线，针对每个所述区域实施所述清洗液的供给和后续的在停止供给所述清洗液的状态下使所述研磨头进行的扫描。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部针对每个所述区域设定所述研磨头的研磨压力、所述研磨头的扫描速度以及所述基板的旋转速度中的一个以上。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部根据所述基板的所述主表面的状态来设定所述研磨头的研磨压力、所述研磨头的扫描速度以及所述基板的旋转速度中的一个以上。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板的所述主表面的所述状态包括形成于所述主表面的膜的材质。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板的所述主表面的所述状态包括研磨后的所述主表面的表面粗糙度的径向分布。
6.一种基板处理方法，包括：在基板旋转的期间，向所述基板的主表面供给清洗液，将研磨头按压于所述基板的所述主表面，并使所述研磨头沿所述基板的径向扫描，所述基板处理方法还包括：
设定将所述基板的所述主表面沿所述基板的径向分割为多个区域的分割线，针对每个所述区域实施所述清洗液的供给和后续的在停止供给所述清洗液的状态下使所述研磨头进行的扫描。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
针对每个所述区域设定所述研磨头的研磨压力、所述研磨头的扫描速度以及所述基板的旋转速度中的一个以上。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
根据所述基板的所述主表面的状态来设定所述研磨头的研磨压力、所述研磨头的扫描速度以及所述基板的旋转速度中的一个以上。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板的所述主表面的所述状态包括形成于所述主表面的膜的材质。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板的所述主表面的所述状态包括研磨后的所述主表面的表面粗糙度的径向分布。
CN202011495296.0A 2019-12-24 2020-12-17 基板处理装置和基板处理方法 Active CN113021178B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-233131 2019-12-24
JP2019233131A JP7442314B2 (ja) 2019-12-24 2019-12-24 基板処理装置、および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113021178A true CN113021178A (zh) 2021-06-25
CN113021178B CN113021178B (zh) 2023-11-28

Family

ID=76439140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011495296.0A Active CN113021178B (zh) 2019-12-24 2020-12-17 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11850697B2 (zh)
JP (1) JP7442314B2 (zh)
KR (1) KR20210082076A (zh)
CN (1) CN113021178B (zh)
TW (1) TW202138121A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1092545A2 (en) * 1999-10-13 2001-04-18 Seiko Epson Corporation Liquid jetting apparatus
CN1947227A (zh) * 2004-04-23 2007-04-11 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和程序存储介质
CN203305047U (zh) * 2013-04-27 2013-11-27 株式会社荏原制作所 研磨装置
CN103928298A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 大日本网屏制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
CN107627201A (zh) * 2016-07-14 2018-01-26 株式会社荏原制作所 研磨基板的表面的装置和方法
CN107818928A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法
CN109015343A (zh) * 2017-06-08 2018-12-18 创技股份有限公司 研磨装置
CN109531405A (zh) * 2017-09-20 2019-03-29 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
US20190118335A1 (en) * 2017-10-25 2019-04-25 Ebara Corporation Polishing apparatus

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
JP3539834B2 (ja) 1997-02-10 2004-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2000077293A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法およびその装置
US6602121B1 (en) * 1999-10-28 2003-08-05 Strasbaugh Pad support apparatus for chemical mechanical planarization
US6875086B2 (en) * 2003-01-10 2005-04-05 Intel Corporation Surface planarization
JP4926678B2 (ja) 2006-12-04 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体
US10105812B2 (en) * 2014-07-17 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Polishing pad configuration and polishing pad support
US10593554B2 (en) * 2015-04-14 2020-03-17 Jun Yang Method and apparatus for within-wafer profile localized tuning
JP2018134710A (ja) * 2017-02-22 2018-08-30 株式会社荏原製作所 基板の研磨装置および研磨方法
JP7354131B2 (ja) * 2018-03-13 2023-10-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学機械研磨中の振動のモニタリング

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1092545A2 (en) * 1999-10-13 2001-04-18 Seiko Epson Corporation Liquid jetting apparatus
CN1947227A (zh) * 2004-04-23 2007-04-11 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和程序存储介质
CN103928298A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 大日本网屏制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
CN203305047U (zh) * 2013-04-27 2013-11-27 株式会社荏原制作所 研磨装置
CN107627201A (zh) * 2016-07-14 2018-01-26 株式会社荏原制作所 研磨基板的表面的装置和方法
JP2018015890A (ja) * 2016-07-14 2018-02-01 株式会社荏原製作所 基板の表面を研磨する装置および方法
CN107818928A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法
CN109015343A (zh) * 2017-06-08 2018-12-18 创技股份有限公司 研磨装置
CN109531405A (zh) * 2017-09-20 2019-03-29 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
US20190118335A1 (en) * 2017-10-25 2019-04-25 Ebara Corporation Polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021100777A (ja) 2021-07-08
CN113021178B (zh) 2023-11-28
US20210187691A1 (en) 2021-06-24
JP7442314B2 (ja) 2024-03-04
KR20210082076A (ko) 2021-07-02
TW202138121A (zh) 2021-10-16
US11850697B2 (en) 2023-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6022807A (en) Method for fabricating an integrated circuit
US6409577B1 (en) Method for conditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
KR20190052138A (ko) 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법
US6910240B1 (en) Wafer bevel edge cleaning system and apparatus
JPWO2003071592A1 (ja) ポリッシング方法および装置
JP2002200555A (ja) 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置
KR20160024797A (ko) 버프 처리 장치 및 기판 처리 장치
JP2016058724A (ja) 処理モジュール、処理装置、及び、処理方法
US20140331440A1 (en) Substrate cleaning apparatus
CN109531405B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
US7025663B2 (en) Chemical mechanical polishing apparatus having conditioning cleaning device
EP1088337A1 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and method
US10376929B2 (en) Apparatus and method for polishing a surface of a substrate
JP2007005661A (ja) ベベル研磨方法及びベベル研磨装置
JP6345988B2 (ja) 基板処理装置
WO2001031691A1 (en) Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer
CN113021178B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
WO2019131174A1 (ja) 基板加工装置および基板加工方法
TWI611848B (zh) 基板洗淨裝置及基板洗淨方法
US7004820B1 (en) CMP method and device capable of avoiding slurry residues
KR20230047021A (ko) 세정 장치
JP6418790B2 (ja) 洗浄装置
JP6717706B2 (ja) ウェハの表面処理装置
TW559582B (en) Device and method for polishing, and method and device for manufacturing semiconductor device
US11787006B2 (en) Substrate processing apparatus, polishing head, and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant