CN113004896A - 一种近红外发光材料、制备方法以及一种发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种近红外发光材料、制备方法以及一种发光装置,近红外发光材料的化学组成为AyQaMbOq:zD,其中,A元素为Li、Na、Be、Ca、Zn中的一种或两种;Q元素为Y、La、Lu、Gd、Sc中的一种或两种;M元素为B、Ga、In、Al、Si中的一种或两种;D元素为Cr、Yb、Er、Nd、Pr、Sm、Bi、Ce中的一种或两种;1≤y≤3,0≤a≤1,1≤b≤3,5≤q≤9,0≤z≤9。该发光材料的发射谱带表现为峰值波长在700nm~1200nm的宽带发射,有效吸收的波长范围在350nm~808nm,具有发射谱带宽,光谱可调、成本低等特点,发光装置的密封性好、体积紧凑。

Description

一种近红外发光材料、制备方法以及一种发光装置
技术领域
本发明属于红外发光材料技术领域,具体涉及一种近红外发光材料,并进一步公开其制备方法与使用该发光材料的发光装置。
背景技术
近红外光可以广泛的应用在安防监控、食品检测、生物识别等领域,随着电子产品小型化、手持化发展,体积紧凑的近红外发光装置备受关注。传统的近红外光主要通过卤钨灯和近红外芯片获得,其中卤钨灯近红外发光的原理是利用钨丝在高温下的热辐射,卤钨灯由于效率低、功耗高、体积大等原因无法应用于紧凑型近红外发光装置。近红外芯片主要是利用电子空穴对复合发光,但是目前近红外芯片的工艺并不成熟,同时近红外芯片获得的近红外光谱的半波宽小于20nm,无法满足安防监控和食品检测等应用对近红外光较宽发射谱带的要求,即使通过多款近红外芯片组合的方式获得宽带近红外光也会造成制造成本的提高和最终器件体积的增大。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种近红外发光材料、制备方法以及一种发光装置,旨在解决现有近红外芯片获得的近红外发射谱带窄的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种近红外发光材料,所述近红外发光材料的化学组成为AyQaMbOq:zD,其中,所述A元素为Li、Na、Be、Ca、Zn中的一种或两种;所述Q元素为Y、La、Lu、Gd、Sc中的一种或两种;所述M元素为B、Ga、In、Al、Si中的一种或两种;所述D元素为Cr、Yb、Er、Nd、Pr、Sm、Bi、Ce中的一种或两种;所述参数y、a、b、q和z满足条件:1≤y≤3,0≤a≤1,1≤b≤3,5≤q≤9,0≤z≤9。
优选地,所述M元素必含B。
优选地,所述D元素必含Cr。
优选地,所述发光材料为无机粉体形态。
优选地,所述发光材料的发射波长范围在700~1500nm。
为实现上述目的,本发明提供一种制备如上述任一项所述近红外发光材料的方法,所述方法包括以下步骤:
(1)以选定的A、Q、M、D元素所对应的氧化物、氟化物、碳酸盐,按选定的化学计量比称量,经过研磨混合,得到均匀的混合体;
(2)将所述均匀的混合体在900-1400℃,在空气和/或还原性气氛中进行焙烧2~20h,获得烧结产物,经过破碎、洗涤、过筛和烘干处理后得到近红外发光材料,其中,所述还原性气氛为氮气和氢气混合气体,或者,氮气和一氧化碳混合气体。
优选地,所述氧化物、氟化物、碳酸盐的纯度不低于99%。
为实现上述目的,本发明提供一种发光装置,所述发光装置包括光源和发光材料,所述发光材料包含上述中任一项所述的近红外发光材料。
优选地,所述光源为半导体芯片。
优选地,所述半导体芯片的发射波长范围在350nm~700nm。
本发明所采用的技术方案与现有技术相比,至少具有下列优点:
本发明提出的发光材料的发射谱带表现为峰值波长在700nm~1200nm的宽带发射,且该发光材料有效吸收的波长范围在350nm~808nm。该发光材料具有发射谱带宽,光谱可调、成本低等特点,且该发光装置具有密封性好、体积紧凑等特点。本发明所述的发光材料合成工艺简单、易于工业操作,且不存在环境污染。本发明所述的发光材料及其发光装置适合应用于小型近红外智能设备如食品检测、安防监控等领域。
附图说明
图1为本发明实施例1中得到的发光材料的X射线粉末衍射图谱;
图2为本发明实施例1中得到的发光材料的发射、激发光谱;
图3为本发明实施例2中得到的发光材料的X射线粉末衍射图谱;
图4为本发明实施例2中得到的发光材料的发射、激发光谱;
图5为本发明实施例3中得到的发光材料的发射、激发光谱;
图6为本发明实施例4中中得到的发光材料的发射、激发光谱;
图7为本发明实施例5中得到的发光材料的X射线粉末衍射图谱;
图8为本发明实施例5中得到的发光材料的发射、激发光谱;
图9为本发明实施例6中得到的发光材料的发射、激发光谱。
具体实施方式
下面将结合本发明具体的实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
实施例1
一种近红外发光材料,其理论化学成分为Ca3Sc0.07(BO3)3:0.03Cr,按照其化学计量配比,准确称取CaCO3(分析纯),Sc2O3(分析纯),H3BO3(分析纯),Cr2O3(分析纯)原料;将上述原料研磨混合均匀后于空气气氛下1100℃烧结10h,升温速度为4℃/min,待冷却至室温后获得烧结产物;将所得烧结产物进行破碎,洗涤,过筛,烘干后得到最终样品。利用X射线粉末衍射仪对实施例1中得到的发光材料进行分析,得到样品的X射线粉末衍射图谱,如图1所示。利用荧光光谱仪对实施例1中发光材料进行分析,得到样品的激发、发射光谱,如图2所示。由图2可知,该发光材料能够被蓝光激发,发射光谱的主峰位于768nm附近。蓝光激发下其发射光谱的半高宽较宽,约有191nm。
实施例2
一种近红外发光材料,其理论化学成分为Be3Sc0.07(BO3)3:0.03Cr,按照其化学计量配比,准确称取BeO(分析纯),Sc2O3(分析纯),H3BO3(分析纯),Cr2O3(分析纯)原料;将上述原料研磨混合均匀后于空气气氛下1200℃烧结10h,升温速度为4℃/min,待冷却至室温后获得烧结产物;将所得烧结产物进行破碎,洗涤,过筛,烘干后得到最终样品。利用X射线粉末衍射仪对实施例2中得到的发光材料进行分析,得到样品的X射线粉末衍射图谱,如图3所示。利用荧光光谱仪对实施例2中发光材料进行分析,得到样品的激发、发射光谱,如图4所示。由图4可知,该发光材料能够被蓝光激发,发射光谱的主峰位于816nm附近。蓝光激发下其发射光谱的半高宽较宽,约有146nm。
实施例3
一种近红外发光材料,其理论化学成分为Ca3Sc0.07(BO3)3:0.03Cr,按照其化学计量配比,准确称取CaCO3(分析纯),Sc2O3(分析纯),H3BO3(分析纯),Cr2O3(分析纯)原料;将上述原料研磨混合均匀后于空气气氛下1100℃烧结10h,升温速度为4℃/min,待冷却至室温后获得烧结产物;将所得烧结产物进行破碎,洗涤,过筛,烘干后得到最终样品。利用荧光光谱仪对实施例3中发光材料进行分析,得到样品的激发、发射光谱,如图5所示。由图5可知,该发光材料能够被蓝光激发,发射光谱的主峰位于813nm附近。蓝光激发下其发射光谱的半高宽较宽,约有140nm。
实施例4
一种近红外发光材料,其理论化学成分为Ca2.97B2O6:0.03Cr,按照其化学计量配比,准确称取CaCO3(分析纯),H3BO3(分析纯),Cr2O3(分析纯)原料;将上述原料研磨混合均匀后于空气气氛下1100℃烧结10h,升温速度为4℃/min,待冷却至室温后获得烧结产物;将所得烧结产物进行破碎,洗涤,过筛,烘干后得到最终样品。利用荧光光谱仪对实施例4中发光材料进行分析,得到样品的激发、发射光谱,如图6所示。由图6可知,该发光材料能够被蓝光激发,发射光谱的主峰位于920nm附近。蓝光激发下其发射光谱的半高宽较宽,约有334nm。
实施例5
一种近红外发光材料,其理论化学成分为Ca1.96Li0.02BO5:0.02Cr,按照其化学计量配比,准确称取CaCO3(分析纯),Li2CO3(分析纯),H3BO3(分析纯),Cr2O3(分析纯)原料;将上述原料研磨混合均匀后于空气气氛下1100℃烧结10h,升温速度为4℃/min,待冷却至室温后获得烧结产物;将所得烧结产物进行破碎,洗涤,过筛,烘干后得到最终样品。利用X射线粉末衍射仪对实施例5中得到的发光材料进行分析,得到样品的X射线粉末衍射图谱,如图7所示。利用荧光光谱仪对实施例5中发光材料进行分析,得到样品的激发、发射光谱,如图8所示。由图8可知,该发光材料能够被蓝光激发,发射光谱的主峰位于800nm附近。蓝光激发下其发射光谱的半高宽较宽,约有154nm。
实施例6
一种近红外发光材料,其理论化学成分为Ca1.97B2O5:0.03Cr,按照其化学计量配比,准确称取CaCO3(分析纯),Sc2O3(分析纯),H3BO3(分析纯),Cr2O3(分析纯)原料;将上述原料研磨混合均匀后于空气气氛下1000℃烧结10h,升温速度为4℃/min,待冷却至室温后获得烧结产物;将所得烧结产物进行破碎,洗涤,过筛,烘干后得到最终样品。利用荧光光谱仪对实施例6中发光材料进行分析,得到样品的激发、发射光谱,如图9所示。由图9可知,该发光材料能够被蓝光激发,发射光谱的具有两个主峰,分别位于812nm和1388nm附近。
表1实施例中近红外发光材料在460nm波长激发下的峰值波长和半高宽
近红外发光材料化学式 峰值波长(nm) 半高宽(nm)
实施例1 Ca<sub>3</sub>Sc<sub>0.07</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>:0.03Cr 768 191
实施例2 Be<sub>3</sub>Sc<sub>0.07</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>:0.03Cr 816 146
实施例3 Ca<sub>3</sub>Sc<sub>0.07</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>:0.03Cr 813 140
实施例4 Ca<sub>2.97</sub>B<sub>2</sub>O<sub>6</sub>:0.03Cr 920 334
实施例5 Ca<sub>1.96</sub>Li<sub>0.02</sub>BO<sub>5</sub>:0.02Cr 800 154
实施例6 Ca<sub>1.97</sub>B<sub>2</sub>O<sub>5</sub>:0.03Cr 812/1388

Claims (10)

1.一种近红外发光材料,其特征在于,所述近红外发光材料的化学组成为AyQaMbOq:zD,其中,所述A元素为Li、Na、Be、Ca、Zn中的一种或两种;所述Q元素为Y、La、Lu、Gd、Sc中的一种或两种;所述M元素为B、Ga、In、Al、Si中的一种或两种;所述D元素为Cr、Yb、Er、Nd、Pr、Sm、Bi、Ce中的一种或两种;所述参数y、a、b、q和z满足条件:1≤y≤3,0≤a≤1,1≤b≤3,5≤q≤9,0≤z≤9。
2.如权利要求1中所述的一种近红外发光材料,其特征在于,所述M元素必含B。
3.如权利要求1中所述的一种近红外发光材料,其特征在于,所述D元素必含Cr。
4.根据权利要求1中所述的一种近红外发光材料,其特征在于,所述发光材料为无机粉体形态。
5.根据权利要求1中所述的一种近红外发光材料,其特征在于,所述发光材料的发射波长范围在700~1500nm。
6.一种制备如权利要求1-5任一项所述近红外发光材料的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)以选定的A、Q、M、D元素所对应的氧化物、氟化物、碳酸盐,按选定的化学计量比称量,经过研磨混合,得到均匀的混合体;
(2)将所述均匀的混合体在900-1400℃,在空气和/或还原性气氛中进行焙烧2~20h,获得烧结产物,经过破碎、洗涤、过筛和烘干处理后得到近红外发光材料,其中,所述还原性气氛为氮气和氢气混合气体,或者,氮气和一氧化碳混合气体。
7.根据权利要求6中所述的方法,其特征在于,所述氧化物、氟化物、碳酸盐的纯度不低于99%。
8.一种发光装置,所述发光装置包括光源和发光材料,其特征在于,所述发光材料包含权利要求1-5中任一项所述的近红外发光材料。
9.根据权利要求8中所述的发光装置,其特征在于,所述光源为半导体芯片。
10.根据权利要求9中所述的发光装置,其特征在于,所述半导体芯片的发射波长范围在350nm~700nm。
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