CN112961485A - 一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法,本发明方法通过简易的溶液旋涂法在石英片表面制备了卤族钙钛矿薄膜,相比热蒸镀法,降低了CsPb1‑xGexBr3+PEO钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
Description
技术领域
本发明属于材料技术领域,具体涉及聚合物和阳离子共同增强一种低毒(铅)、高效、稳定的光致发光量子效率(PLQY)的CsPb1-xGexBr3(x=0或者0.3)钙钛矿薄膜的制备方法,一种可应用于高性能绿光钙钛矿LED的光电材料。
背景技术
卤族钙钛矿发光二极管(PeLED)具有发光色纯度高,器件效率高和可用溶液法制备等优势,因此,具备非常可观的商业应用前景,可成为下一代显示和照明的主流技术。另外,受益于卤族钙钛矿的离子特性,钙钛矿前驱体溶液可直接旋涂在目标基底上。使用溶液法制备的钙钛矿发光层,相比于目前主流的蒸镀法,具有成本低廉的巨大优势,在商业竞争中将更有优势。因此,钙钛矿LED光电技术,相比于目前的OLED高端显示技术,不仅具有更好的发光性能,在价格上也更加低廉。
虽然卤族钙钛矿材料作为光电材料具有非常多的优势,但光电性能较好的卤族钙钛矿材料往往含重金属铅(Pb)。这对人体健康和自然环境都存在负面的影响,从而限制其产业化生产和应用。另外,目前的卤族钙钛矿还面临工作稳定性差的问题。虽然全无机卤族钙钛矿材料相比有机-无机杂化钙钛矿和准二维钙钛矿材料具有更好的稳定性,但全无机钙钛矿面临发光效率低的问题。
为了提升全无机钙钛矿CsPbBr3的发光性能和稳定性,并且降低铅的用量,从而降低体系的毒性。本专利将使用环境友好型元素Ge部分替代Pb元素,并使用有机物聚氧化乙烯(PEO)作为保护层增加钙钛矿在空气中的发光稳定性。另外,通过Ge元素和有机物PEO的双重作用,也提升了全无机钙钛矿CsPbBr3的光致发光量子效率(PLQY)。此钙钛矿薄膜的制备,为制备稳定、高效率和低毒性的钙钛矿LED奠定了良好的技术基础。
发明内容
本发明针对现有技术不足,提出了一种室温下合成具有高稳定性、高效率和低毒性的绿光钙钛矿薄膜的制备方法。
本发明使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜,使用CsBr、PbBr2、GeBr2和PEO为原料以一定的比例进行称量,使用DMSO溶剂进行溶解。待其全部溶解以后,在石英片上进行悬涂,待成膜后在高温烤台上以70℃退火10min,获得CsPb1-xGexBr3和CsPb1-xGexBr3+PEO(x=0或者0.3)钙钛矿薄膜。
本发明一种低铅、稳定、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法:合成CsPb1- XGeXBr3+PEO薄膜的方法,其中x=0或者0.3
步骤(1)、将CsBr、PbBr2、GeBr2粉体按照1:1-x:x摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.2μmol/mL,得到CsPb1- XGeXBr3前驱体溶液;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌1h;
步骤(4)、称量一定量的PEO粉体颗粒,并放入玻璃瓶中,其中PEO为聚氧化乙烯;
步骤(5)、将称量完的PEO粉体颗粒加入DMSO溶剂,使其浓度为12mg/mL;DMSO为二甲基亚砜;
步骤(6)、将搅拌子加入PEO溶液中,并将其放入磁性搅拌台上加热搅拌30min,加热温度为60℃;
步骤(7)、待PEO溶液完全溶解并冷却后,取等体积的PEO溶液加入到已溶解好的CsPb1-xGexBr3前驱体溶液中,继续搅拌30min-60min;
步骤(8)、将步骤(7)得到的溶液进行过滤,
步骤(9)、取石英片,依次置于IPA溶液、去离子水、IPA溶液中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中;使用时将石英片放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用;IPA溶液为异丙醇溶液;
步骤(10)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为3000-6000转/s,时间为90s;先点击开始按钮,待其旋转了4-5s时,滴下一滴步骤(8)得到的溶液,并在21s之后,并在一秒内滴下200μL超干C4H8O2溶液,其中C4H8O2为乙酸乙酯;
步骤(11)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火5-20min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)进行薄膜的形貌表征和结构检测。
作为优选,悬涂机的转速为5000转/min。
作为优选,滴下200μL超干C4H8O2溶液后65-75s后,悬涂机停止旋转。
作为优选,所述的成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min。
作为优选,将步骤(7)得到的溶液进行过滤,具体为:使用一次性注射器和PVDF材质13*0.22μm的过滤头过滤。
本发明的有益效果:本发明方法通过简易的溶液旋涂法在石英片表面制备了卤族钙钛矿薄膜,相比热蒸镀法,降低了CsPb1-xGexBr3和CsPb1-xGexBr3+PEO(x=0或者0.3)钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
附图说明
图1.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的光致发光效率(PLQY)与激光功率(Lightintensity)对应关系;
图2.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的光致发光效率(PLQY)与薄膜在空气中放置时间(Time)的对应关系;
图3.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的PL谱图的发射峰的位置与薄膜在空气中放置时间(Time)的对应关系;
图4.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的PL谱图的半峰宽与薄膜在空气中放置时间(Time)的对应关系;
图5.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的X射线衍射(XRD)图谱;
图6.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的扫描电子显微镜(SEM)图谱。
具体实施方式
本专利采用简单易操作、低成本的溶液旋涂法制备CsPb1-xGexBr3和CsPb1-xGexBr3+PEO(x=0或者0.3)钙钛矿发光薄膜,通过添加一定量的有机物聚氧化乙烯(PEO)进一步提升卤族钙钛矿薄膜的发光性能和表面形貌。使用X射线衍射(XRD)获得材料的晶体结构信息。使用扫描电子显微镜(SEM)获得卤族钙钛矿薄膜的表面形貌。光致发光量子效率(PLQY)和光致激发光谱(PL)在杭州电子科技大学材环学院电磁材料的量子设计与功能实验室搭建的积分球系统获得,具体的测试方法主要参考剑桥大学Richard Friend教授发表的论文(Advanced Materials 9,230-232(1997).)。其中,测试的激光波长为405nm,荧光光谱主要通过海洋光学的光谱仪(USB4000)测得。
实施例1:
合成CsPbBr3薄膜的方法
步骤(1)、将CsBr(Alfa,99.9%)、PbBr2(3A Chemicals,99.999%)按照1:1摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.1μmol/mL,得到CsPb1- XGeXBr3前驱体溶液;DMSO为二甲基亚砜;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb0.7Ge0.3Br3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌;
步骤(4)、待溶液完全溶解,使用一次性针管和过滤头将溶液过滤;
步骤(5)、取用干净的10*10mm的石英片,依次置于IPA溶液、去离子水、IPA溶液中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中;使用时将石英片放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用;IPA溶液为异丙醇溶液;
步骤(6)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为5000转/s,时间为90s;先点击开始按钮,待其旋转了5s时,滴下一滴步骤(4)得到的额CsPb1-xGexBr3钙钛矿前驱体溶液,并在21秒之后,并在一秒内滴下200μL超干C4H8O2溶液,其中C4H8O2为乙酸乙酯;
步骤(7)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)进行薄膜的形貌表征和结构检测。
合成CsPbBr3+PEO薄膜的方法
步骤(1)、将CsBr(Alfa,99.9%)、PbBr2(3A Chemicals,99.999%)按照1:1摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.2μmol/mL;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌1h;
步骤(4)、称量一定量的PEO粉体颗粒,并放入玻璃瓶中;
步骤(5)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂,使其浓度为12mg/mL;
步骤(6)、将搅拌子加入PEO溶液中,并将其放入磁性搅拌台上加热搅拌30min,加热温度为60℃;
步骤(7)、待PEO溶液完全溶解并冷却后,取等体积的PEO溶液加入到已溶解好的CsPbBr3前驱体溶液中,继续搅拌30min;
步骤(8)、待溶液完全溶解,使用一次性注射器和PVDF材质13*0.22μm的过滤头过滤,待用;
步骤(9)、取用干净的10*10mm的石英片,分别置于异丙醇溶液(IPA)、去离子水、异丙醇溶液(IPA)中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中。一段时间后将石英片正面朝上放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧(O3)清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用。
步骤(10)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为5000转/s,时间为90s;,先点击开始按钮,待其旋转了5s时,滴下一滴步骤(8)得到的溶液,并在21s之后,并在一秒内滴下200μL超干C4H8O2溶液,其中C4H8O2为乙酸乙酯;
步骤(11)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)进行薄膜的形貌表征和结构检测。
实施例二:
合成CsPb0.7Ge0.3Br3薄膜的方法
步骤(1)、CsBr(Alfa,99.9%)、PbBr2(3A Chemicals,99.999%)、GeBr2(Aldrich,97%)按照1:0.7:0.3摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.1μmol/mL,得到CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液;DMSO为二甲基亚砜;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb0.7Ge0.3Br3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌;
步骤(4)、待溶液完全溶解,使用一次性针管和过滤头将溶液过滤;
步骤(5)、取用干净的10*10mm的石英片,依次置于IPA溶液、去离子水、IPA溶液中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中;使用时将石英片放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用;IPA溶液为异丙醇溶液;
步骤(6)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为3000转/s,时间为90s;先点击开始按钮,待其旋转了4s时,滴下一滴步骤(4)得到的额CsPb0.7Ge0.3Br3钙钛矿前驱体溶液,并在21秒之后,并在一秒内滴下200μL超干C4H8O2溶液,其中C4H8O2为乙酸乙酯;
步骤(7)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)进行薄膜的形貌表征和结构检测。
二、合成CsPb0.7Ge0.3Br3+PEO薄膜
步骤(1)、将CsBr(Alfa,99.9%)、PbBr2(3A Chemicals,99.999%)、GeBr2(Aldrich,97%)按照1:0.7:0.3摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.2μmol/mL;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌1h;
步骤(4)、称量一定量的PEO粉体颗粒,并放入玻璃瓶中;
步骤(5)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂,使其浓度为12mg/mL;
步骤(6)、将搅拌子加入PEO溶液中,并将其放入磁性搅拌台上加热搅拌30min,加热温度为60℃;
步骤(7)、待PEO溶液完全溶解并冷却后,取等体积的PEO溶液加入到已溶解好的CsPb0.7Ge0.3Br3前驱体溶液中,继续搅拌50min;
步骤(8)、待溶液完全溶解,使用一次性注射器和PVDF材质13*0.22μm的过滤头过滤,待用;
步骤(9)、取用干净的10*10mm的石英片,分别置于异丙醇溶液(IPA)、去离子水、异丙醇溶液(IPA)中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中。一段时间后将石英片正面朝上放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧(O3)清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用。
步骤(10)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为6000转/s,时间为90s;,先点击开始按钮,待其旋转了4-5s时,滴下一滴步骤(8)得到的溶液,并在21s之后,并在一秒内滴下200μL超干C4H8O2溶液,其中C4H8O2为乙酸乙酯;
步骤(11)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)进行薄膜的形貌表征和结构检测。
实施例三:
合成CsPb0.7Ge0.3Br3薄膜的方法,
步骤(1)、将CsBr(Alfa,99.9%)、PbBr2(3A Chemicals,99.999%)、GeBr2(Aldrich,97%)按照1:0.7:0.3摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.1μmol/mL,得到CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液;DMSO为二甲基亚砜;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌;
步骤(4)、待溶液完全溶解,使用一次性针管和过滤头将溶液过滤;
步骤(5)、取用干净的10*10mm的石英片,依次置于IPA溶液、去离子水、IPA溶液中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中;使用时将石英片放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用;IPA溶液为异丙醇溶液;
步骤(6)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为6000转/s,时间为90s;先点击开始按钮,待其旋转了5s时,滴下一滴步骤(4)得到的额CsPb1-xGexBr3钙钛矿前驱体溶液,并在21秒之后,并在一秒内滴下200μL超干C4H8O2溶液,其中C4H8O2为乙酸乙酯;
步骤(7)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)进行薄膜的形貌表征和结构检测。
合成CsPb0.7Ge0.3Br3+PEO薄膜
步骤(1)、将CsBr(Alfa,99.9%)、PbBr2(3A Chemicals,99.999%)、GeBr2(Aldrich,97%)按照1:0.7:0.3摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.2μmol/mL;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌1h;
步骤(4)、称量一定量的PEO粉体颗粒,并放入玻璃瓶中;
步骤(5)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂,使其浓度为12mg/mL;
步骤(6)、将搅拌子加入PEO溶液中,并将其放入磁性搅拌台上加热搅拌30min,加热温度为60℃;
步骤(7)、待PEO溶液完全溶解并冷却后,取等体积的PEO溶液加入到已溶解好的CsPb0.7Ge0.3Br3前驱体溶液中,继续搅拌60min;
步骤(8)、待溶液完全溶解,使用一次性注射器和PVDF材质13*0.22μm的过滤头过滤,待用;
步骤(9)、取用干净的10*10mm的石英片,分别置于异丙醇溶液(IPA)、去离子水、异丙醇溶液(IPA)中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中。一段时间后将石英片正面朝上放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧(O3)清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用。
步骤(10)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为6000转/s,时间为90s;先点击开始按钮,待其旋转了5s时,滴下一滴CsPb0.7Ge0.3Br3钙钛矿前驱体溶液,并在21s之后,并在一秒内滴下200μL超干C4H8O2溶液,其中C4H8O2为乙酸乙酯;
步骤(11)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)进行薄膜的形貌表征和结构检测。
如图1.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的光致发光效率(PLQY)与激光功率(Lightintensity)对应关系,由图中可以发现随着激光功率的上升其光致发光效率PLQY有上升且后保持不变;
图2.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的光致发光效率(PLQY)与薄膜在空气中放置时间(Time)的对应关系,由图可以发现随着在空气中放置时间的推移其PLQY值均有明显的上升,且CsPb0.7Ge0.3Br3+PEO薄膜其PLQY值最高上升至24%左右,且在5个月的空气暴露下其效率也稳定在15%左右,这说明了其在空气中具有极好的高效率稳定性;
图3.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的PL谱图的发射峰的位置与薄膜在空气中放置时间(Time)的对应关系,由图可以发现随着在空气中放置时间的推移其发光峰的位置是逐渐蓝移的;
图4.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的PL谱图的半峰宽与薄膜在空气中放置时间(Time)的对应关系,由图可以发现随着在空气中放置时间的推移其半峰宽是越来越窄的,说明其色纯度越来越好;
图5.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的X射线衍射(XRD)图谱;
图6.CsPbBr3卤族钙钛矿薄膜的扫描电子显微谱图(SEM),a图为CsPbBr3薄膜在40℃下退火的SEM图像、b图为CsPbBr3薄膜在70℃下退火的SEM图像、c图为CsPbBr3薄膜在90℃下退火的SEM图像、d图为CsPbBr3+PEO薄膜在40℃下退火的SEM图像、e图为CsPbBr3+PEO薄膜在70℃下退火的SEM图像、f图为CsPbBr3+PEO薄膜在90℃下退火的SEM图像、g图为CsPb0.7Ge0.3Br3薄膜在40℃下退火的SEM图像、h图为CsPb0.7Ge0.3Br3薄膜在70℃下退火的SEM图像、i图为CsPb0.7Ge0.3Br3薄膜在90℃下退火的SEM图像、j图为CsPb0.7Ge0.3Br3+PEO薄膜在40℃下退火的SEM图像、k图为CsPb0.7Ge0.3Br3+PEO薄膜在70℃下退火的SEM图像、l图为CsPb0.7Ge0.3Br3+PEO薄膜在90℃下退火的SEM图像,图中标尺为2μm,发现,随着温度的身高其薄膜也较为致密。
Claims (5)
1.一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:
步骤(1)、将CsBr、PbBr2、GeBr2粉体按照1:1-x:x摩尔比称量,并放入玻璃瓶中;
步骤(2)、将称量完的粉体加入DMSO溶剂使其浓度为0.2μmol/mL,得到CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液;
步骤(3)、将搅拌子加入CsPb1-XGeXBr3前驱体溶液中,并将其放入磁性搅拌机中搅拌1h;
步骤(4)、称量一定量的PEO粉体颗粒,并放入玻璃瓶中,其中PEO为聚氧化乙烯;
步骤(5)、将称量完的PEO粉体颗粒加入DMSO溶剂,使其浓度为12mg/mL;DMSO为二甲基亚砜;
步骤(6)、将搅拌子加入PEO溶液中,并将其放入磁性搅拌台上加热搅拌30min,加热温度为60℃;
步骤(7)、待PEO溶液完全溶解并冷却后,取等体积的PEO溶液加入到已溶解好的CsPb1- xGexBr3前驱体溶液中,继续搅拌30min-60min;
步骤(8)、将步骤(7)得到的溶液进行过滤,
步骤(9)、取石英片,依次置于IPA溶液、去离子水、IPA溶液中超声清洗15min,完成后保存在IPA溶液中;使用时将石英片放入70℃下的烤胶机中烘干10min,冷却1小时至室温后,放入紫外线清洗机中臭氧清洗23min,使其上表面便于钙钛矿前驱体溶液浸润,待用;IPA溶液为异丙醇溶液;
步骤(10)、将已经处理好的清洁石英片放在悬涂机上,设置悬涂机加速度为5000转/s2,速度为3000-6000转/s,时间为90s;先点击开始按钮,待其旋转了4-5s时,滴下一滴步骤(8)得到的溶液,并在21s之后,并在一秒内滴下200μL超干乙酸乙酯溶液;
步骤(11)、将已经成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火5-20min,待其冷却后测量其PLQY,并用扫描电子显微镜以及X射线衍射进行薄膜的形貌表征和结构检测。
2.根据权利要求1所述的一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法,其特征在于:悬涂机的转速为5000转/min。
3.根据权利要求1所述的一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法,其特征在于:滴下200μL超干C4H8O2溶液后65-75s后,悬涂机停止旋转,其中C4H8O2为乙酸乙酯。
4.根据权利要求1所述的一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法,其特征在于:所述的成膜的石英片放在70℃的烤胶热台上退火10min。
5.根据权利要求1所述的一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法,其特征在于:将步骤(7)得到的溶液进行过滤,具体为:使用一次性注射器和PVDF材质13*0.22μm的过滤头过滤。
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FU YANG: "All-Inorganic CsPb1-xGexI2Br Perovskite with Enhanced Phase Stability and Photovoltaic Performance", 《ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION》 * |
YANG XIANQI: ""Improved photoelectric performance of all-inorganic perovskite through different additives for green light-emitting diodes", 《RSC ADVANCES》 * |
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