CN112941613A - 一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料及制备方法 - Google Patents

一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料，是分子式为(C6H8N2)aBibXc的单晶；其制备方法包括以下具体步骤：(1)向Bi2O3中滴加氢卤酸，混匀后，得到澄清溶液；所述氢卤酸为HX的水溶液，X为Cl、Br、I中的一种或多种；(2)将2‑氨基‑4‑甲基吡啶加入到步骤(1)所得澄清溶液中，超声处理后，得到浑浊溶液；(3)将步骤(2)所得浑浊溶液在90~250℃条件下保温5~30 h，冷却至室温，得到(C6H8N2)aBibXc晶体，即为铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料。该(C6H8N2)aBibXc单晶的光学带隙在1.60 eV~3.20 eV之间连续可调，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围，其温度稳定性最高可达400℃，在空气中可稳定存放两个月左右，稳定性较高。

Description

一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料及制备方法
技术领域
本发明涉及一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料及制备方法，属于有机-无机杂化材料领域。
背景技术
有机-无机杂化材料是一种新型材料，它同时结合了无机物质的稳定性和有机分子的多样性，与单一的有机物或无机物相比，其在力学、光学、电磁学、耐热性和功能化等方面具有明显的性能优势，并且兼具合成方法简单、结构可变等优点。目前大多数有机-无机杂化材料不太稳定，在空气中易被氧化，晶体带隙值较高，带隙值不易调节，且合成工艺较复杂，周期长。有机无机卤化铋基杂化材料因其潜在的半导体特性、较低的毒性，较高的稳定性，丰富的结构多样性和有趣的电子光学性质而受到关注，其中Bi3+的6s2孤对在各种材料性质中起着重要的作用。同时，有机基团在晶体结构中决定相邻的卤化铋八面体的连接方式方面起着关键作用，从而影响铋杂化体的电子和光学性质。卤化铋与不同的有机基团结合，可形成角、边、面共享的卤化铋离子的单核或多核无机骨架，具有广泛的结构和可调的电子或光学性能。
为此有研究报道，研究人员先用乙二胺和氢卤酸合成白色中间体，接着与氧化铋以及氢卤酸采用水热的方法，最终合成了乙二胺卤化铋基杂化材料(专利申请号：CN201811281294，CN201910258561)，该材料毒性较低，稳定较好，同时为了进一步降低带隙，扩大光吸收范围，利用锑掺杂将带隙降低至1.7eV(专利申请号：CN201910157988)。然而，其带隙值还不够低，带隙调控范围还不够宽。因此，为了进一步拓宽铋基杂化材料的应用范围，其稳定性和带隙值还需要进一步优化。而且，上述现有技术中采用的乙二胺是液体，需要先用乙二胺和氢卤酸合成中间产物，并经过干燥洗涤重结晶后，再与氧化铋以及氢卤酸(还可能添加碘化物或乙二胺)才能合成出单晶，工艺相对复杂，步骤繁琐，原料投加过程较复杂。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足而提供一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，光学带隙在1.60eV～3.20eV之间连续可调，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围，其稳定性从370℃提高至400℃，在空气中可稳定存放两个月左右，稳定性较高。
本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)aBibXc的单晶，X为Cl、Br、I中的一种或多种；当X全为Cl时，a＝1，b＝1，c＝5；当X全为Br时，a＝2，b＝1，c＝5；当X全为I时，a＝1，b＝1，c＝4。
本发明所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料的制备方法，主要包括以下步骤：
(1)向Bi2O3中滴加氢卤酸，混匀后，得到澄清溶液；所述氢卤酸为HX的水溶液，X为Cl、Br、I中的一种或多种；
(2)将2-氨基-4-甲基吡啶加入到步骤(1)所得澄清溶液中，超声处理后，得到浑浊溶液；
(3)将步骤(2)所得浑浊溶液在90～250℃条件下保温5～30h，冷却至室温，得到(C6H8N2)aBibXc晶体，即为铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料。
按上述方案，所述制备方法中，Bi2O3与2-氨基-4-甲基吡啶的摩尔比为(1～2)：(1～5)。
按上述方案，所述制备方法中，氢卤酸的浓度在35％～48％，其滴加的用量与Bi2O3的比例关系为(1～9)mL：(1～2)mmol。
按上述方案，所述制备方法中，氢卤酸的滴加速度约为0.5mL/s。
按上述方案，所述制备方法中，步骤(1)中氢卤酸滴加完成后，搅拌时间为1～4h,搅拌速率为3rpm/s。
按上述方案，所述制备方法中，步骤(2)中超声处理的功率为80w，时间为3～10min。
按上述方案，所述制备方法中，步骤(3)后还包括干燥的步骤，具体是需要用滤纸将残留的液体蘸去，将晶体转移至培养皿中让晶体在30℃真空干燥箱中干燥20～30h。
上述方法制备的铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料(C6H8N2)aBibXc单晶的光学带隙在1.60eV～3.20eV之间，且带隙连续可调，在半导体、太阳能电池等光电领域具有较好的的应用潜力。
上述方法制备得到的铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料为单斜晶系晶体，具体为(C6H8N2)BiCl5、(C6H8N2)2BiBr5和(C6H8N2)BiI4晶体都呈针状，颜色分别为：白色、黄色和红色，光学带隙在1.60eV～3.20eV之间连续可调，能够吸收更宽的可见光谱波长范围，其温度稳定性最高可达400℃，在空气中可稳定存放两个月左右，稳定性较高。
本发明中，主要涉及的化学反应如下：
Bi2O3+HX→BibXc+H2O
C6H8N2+BibXc→(C6H8N2)aBibXc
本发明中，制备新型铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化晶体的可能反应机理为：当氧化铋与卤素酸反应后，铋离子与卤素离子以共价键的形式结合生成BibXc，随后当BibXc遇到C6H8N2时，金属离子Bi3+与有机分子C6H8N2以氢键的形式结合，最终形成(C6H8N2)aBibXc分子。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
首先，本发明通过对铋基杂化材料(C6H8N2)aBibXc的X位进行卤素元素替换来调节材料的形貌、光学带隙以及稳定性，可获得不同形貌、带隙值及稳定性的低维度杂化材料。具体是通过改变X位，并改变Bi2O3粉末与2-氨基4-甲基吡啶C6H8N2的摩尔比例以及实验条件来得到不同形貌、光学带隙以及稳定性的铋基杂化材料(C6H8N2)aBibXc。
其次，本发明合成的铋基杂化材料(C6H8N2)aBibXc的带隙值较低，可达1.60eV，且在1.60eV～3.20eV之间连续可调，能够吸收更宽的可见光谱波长范围，同时温度在稳定性最高可达400℃，在空气中可稳定存放两个月左右，稳定性较高。
最后，本发明采用简单易行的一步水热合成方法，无需先合成中间产物，实验周期性短，能制备出质量较高的单晶晶体，具有合成工艺简单、反应条件温和、成本低廉、重复性好等优点。
附图说明
图1为本发明实施例1所得(C6H8N2)BiCl5的晶体结构图。
图2为本发明实施例4所得(C6H8N2)2BiBr5晶体的FE-SEM(a)和晶体结构图(b)。
图3为本发明实施例7所得(C6H8N2)BiI4晶体的数码照片(a)和晶体结构图(b)。
图4为本发明实施例1所得(C6H8N2)BiCl5的X-射线衍射谱图和拟合标准XRD谱图。
图5为本发明实施例4所得(C6H8N2)2BiBr5的X-射线衍射谱图和拟合的标准XRD谱图(a)；(C6H8N2)2BiBr5晶体的EDS测试图谱能谱测试所选区域(b)；能量谱图(c)；元素及其百分比(d)。
图6为实施例7所得(C6H8N2)BiI4的X-射线衍射谱图和拟合的标准XRD谱图(a)；(C6H8N2)BiI4晶体的EDS测试图谱(b)；元素及其百分比(c)。
图7为本发明实施例1所得(C6H8N2)BiCl5、实施例4所得(C6H8N2)2BiBr5和实施例7所得(C6H8N2)BiI4晶体的紫外可见吸收光谱及带隙图((a)、(b)和(c))和热重曲线图((d)、(e)和(f))。
图8为本发明实施例10所得(C6H8N2)aBibClcBrd晶体的数码照片(a)、紫外可见吸收光谱及带隙图(b)和热重曲线图(c)。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明不仅仅局限于下面的实施例。
下述实施例中，所述(C6H8N2)aBibXc的合成方法具体步骤为：
(1)称取2.00～10mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加5～45mL的氢卤酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌1～4h得到澄清溶液；
(3)称取5.00～25.00mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡3～10min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入样品瓶或者水热反应釜中，在90～250℃条件下保温5～30h，冷却至室温，最终在样品瓶或者反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)aBibXc晶体。
其中，步骤(4)中，冷却至室温后，先将反应釜内的反应液倒出，随后将晶体倒在滤纸上将残留的液体蘸去，接着将晶体转移至培养皿中让晶体在30℃真空干燥箱中干燥20～30h得到(C6H8N2)aBibXc晶体。
实施例1
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)BiCl5的单晶，制备步骤如下：
(1)称取2mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加6mL 37％的盐酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌1h得到澄清溶液；
(3)称取10mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡5min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在100℃条件下保温15h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)BiCl5晶体。
图1为本实施例所得(C6H8N2)BiCl5的晶体结构图，(C6H8N2)，Bi，Cl的比例为1：1：5。图4为本实施例所得(C6H8N2)BiCl5的X-射线衍射谱图和拟合标准XRD谱图，两者峰的位置一致，证明单晶解析正确。
图7中a、d分别为本实施例所得(C6H8N2)BiCl5晶体的紫外可见吸收光谱及带隙图和热重曲线图，由图可知(C6H8N2)BiCl5的带隙为3.20eV，失重点为380℃，稳定性较高。
实施例2
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)BiCl5的单晶，制备步骤如下：
(1)称取8mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加15mL 37％的盐酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌3h得到澄清溶液；
(3)称取15mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡7min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在150℃条件下保温13h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)BiCl5晶体。
本实施例得到白色针状(C6H8N2)BiCl5晶体，(C6H8N2)，Bi，Cl的比例为1：1：5，带隙为3.20eV，失重点为380℃，稳定性较高。
实施例3
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)BiCl5的单晶，制备步骤如下：
(1)称取10mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加12mL 37％的盐酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌4h得到澄清溶液；
(3)称取5mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡8min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在180℃条件下保温10h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)BiCl5晶体。
本实施例得到白色针状(C6H8N2)BiCl5晶体，(C6H8N2)，Bi，Cl的比例为1：1：5，带隙为3.20eV，失重点为380℃，稳定性较高。
实施例4
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)2BiBr5的单晶，制备步骤如下：
(1)称取5mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加9mL 48％的氢溴酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌1h得到澄清溶液；
(3)称取6mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡8min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在200℃条件下保温12h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)2BiBr5晶体。
图2为本实施例所得(C6H8N2)2BiBr5晶体的FE-SEM(a)和晶体结构图(b)。图5为本实施例所得(C6H8N2)2BiBr5的X-射线衍射谱图和拟合的标准XRD谱图(a)，(C6H8N2)2BiBr5晶体的EDS测试图谱能谱测试所选区域(b)，能量谱图(c)，元素及其百分比(d)，由图5可知(C6H8N2)2BiBr5晶体为黄色针状晶体，(C6H8N2)，Bi，Br的比例为2：1：5。X-射线衍射谱图和拟合标准XRD谱图两者峰的位置一致，证明单晶解析正确。
图7中b、e分别为本实施例所得(C6H8N2)2BiBr5晶体的紫外可见吸收光谱及带隙图和热重曲线图，由图可知(C6H8N2)BiCl5的带隙为2.54eV，失重点为390℃，稳定性较高。
实施例5
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)2BiBr5的单晶，制备步骤如下：
(1)称取9mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加17mL 48％的氢溴酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌2h得到澄清溶液；
(3)称取8mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡8min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在160℃条件下保温14h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)2BiBr5晶体。
本实施例得到黄色针状(C6H8N2)2BiBr5晶体，(C6H8N2)，Bi，Br的比例为2：1：5，带隙为2.54eV，失重点为390℃，稳定性较高。
实施例6
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)2BiBr5的单晶，制备步骤如下：
(1)称取10mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以两滴每秒的速度缓慢滴加25mL的氢溴酸溶液，常温磁力搅拌4h得到澄清溶液；
(3)称取20mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡10min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入样品瓶或者水热反应釜中，在250℃条件下保温25h，冷却至室温，最终在样品瓶或者反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)2BiBr5晶体。
本实施例得到黄色针状(C6H8N2)2BiBr5晶体，(C6H8N2)，Bi，Br的比例为2：1：5，带隙为2.54eV，失重点为390℃，稳定性较高。
实施例7
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)BiI4的单晶，制备步骤如下：
(1)称取9mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加8mL 45％的氢碘酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌1h得到澄清溶液；
(3)称取8mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡5min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在150℃条件下保温18h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)BiI4晶体。
图3为本实施例所得(C6H8N2)BiI4晶体的数码照片(a)和晶体结构图(b)。图6为本实施例所得(C6H8N2)BiI4的X-射线衍射谱图和拟合的标准XRD谱图(a)；(C6H8N2)BiI4晶体的EDS测试图谱(b)；元素及其百分比(c)。由图6可知，(C6H8N2)BiI4晶体为红色针状晶体，(C6H8N2)，Bi，I的比例为1：1：4。X-射线衍射谱图和拟合标准XRD谱图两者峰的位置一致，证明单晶解析正确。
图7中c、f分别为本实施例所得(C6H8N2)BiI4晶体的紫外可见吸收光谱及带隙图，由图可知(C6H8N2)BiI4的带隙为1.60eV，失重点为400℃，稳定性较高。
实施例8
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)BiI4的单晶，制备步骤如下：
(1)称取2mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加18mL 45％的氢碘酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌2h得到澄清溶液；
(3)称取6mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡9min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在170℃条件下保温18h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)BiI4晶体。
本实施例得到红色针状(C6H8N2)BiI4晶体，(C6H8N2)，Bi，I的比例为1：1：4，带隙为1.60eV，失重点为400℃，稳定性高。
实施例9
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)BiI4的单晶，制备步骤如下：
(1)称取7mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加22mL 45％的氢碘酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌3h得到澄清溶液；
(3)称取20mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡6min得到浑浊溶液；
(4)将步骤(3)的反应液放入水热反应釜中，在240℃条件下保温28h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)BiI4晶体。
本实施例得到红色针状(C6H8N2)BiI4晶体，(C6H8N2)，Bi，I的比例为1：1：4，带隙为1.60eV，失重点为400℃，稳定性高。
实施例10
一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，它是分子式为(C6H8N2)aBibClcBrd的单晶，制备步骤如下：
(1)称取5mmol的Bi2O3加入样品瓶中；
(2)向步骤(1)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加3mL 37％的盐酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌1h得到澄清溶液；
(3)向步骤(2)中的样品瓶以0.5mL/s的速度缓慢滴加6mL 48％的氢溴酸溶液，以3rpm/s的转速常温磁力搅拌1h得到澄清溶液；
(4)称取5mmol的2-氨基-4-甲基吡啶，加入到步骤(3)的澄清溶液中，随后以80w的功率超声震荡5min得到浑浊溶液；
(5)将步骤(4)的反应液放入水热反应釜中，在110℃条件下保温10h，冷却至室温，最终在反应釜底部会生成晶体，即为(C6H8N2)aBibClcBrd晶体。
图8为本发明实施例10所得(C6H8N2)aBibClcBrd晶体的数码照片(a)、紫外可见吸收光谱及带隙图(b)和热重曲线图(c)。由图8可知(C6H8N2)aBibClcBrd晶体为黄色针状晶体，(C6H8N2)aBibClcBrd的带隙为2.70eV，失重点为390℃，稳定性较高。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干改进和变换，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，其特征在于它是分子式为(C6H8N2)aBibXc的单晶，当X为Cl、Br、I中的一种或多种；当X全为Cl时，a=1，b=1，c=5；当X全为Br时，a=2，b=1，c=5；当X全为I时，a=1，b=1，c=4。
2.权利要求1所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化单晶材料的制备方法，其特征在于主要包括以下步骤：
(1) 向Bi2O3中滴加氢卤酸，混匀后，得到澄清溶液；所述氢卤酸为HX的水溶液，X为Cl、Br、I中的一种或多种；
(2) 将2-氨基-4-甲基吡啶加入到步骤(1)所得澄清溶液中，超声处理后，得到浑浊溶液；
(3) 将步骤(2)所得浑浊溶液在90~250 ℃条件下保温5~30 h，冷却至室温，得到分子式为(C6H8N2)aBibXc的晶体，即为铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料。
3.根据权利要求2所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化单晶材料的制备方法，其特征在于Bi2O3与2-氨基-4-甲基吡啶的摩尔比为（1~2）：（1~5）。
4.根据权利要求2所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化单晶材料的制备方法，其特征在于氢卤酸的浓度在35%~48%，其滴加的用量与Bi2O3的比例关系为（1~9）mL：（1~2）mmol。
5.根据权利要求2所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料的制备方法，其特征在于氢卤酸的滴加速度为0.4~0.8 mL/s。
6.根据权利要求2所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料的制备方法，其特征在于步骤(1) 中氢卤酸滴加完成后，搅拌时间为1~4 h，搅拌速率为1~5 rpm/s。
7.根据权利要求2所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料的制备方法，其特征在于步骤(2) 中超声处理的功率为60~100 w，时间为3~10 min。
8.根据权利要求2所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料的制备方法，其特征在于步骤(3) 后还包括干燥的步骤，具体是在20~40 ℃的条件下干燥20~30 h。
9.权利要求1所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料，其特征在于所述(C6H8N2)aBibXc单晶的光学带隙在1.60 eV~3.20 eV之间，且带隙连续可调。
10.权利要求1所述铋基2-氨基-4-甲基吡啶有机-无机杂化材料在光电领域的应用。
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