CN112921394B - 感应加热线圈及使用其的单晶制造装置 - Google Patents
感应加热线圈及使用其的单晶制造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112921394B CN112921394B CN202011406603.3A CN202011406603A CN112921394B CN 112921394 B CN112921394 B CN 112921394B CN 202011406603 A CN202011406603 A CN 202011406603A CN 112921394 B CN112921394 B CN 112921394B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- induction heating
- heating coil
- foreign matter
- main body
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 121
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 114
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供能够防止以附着于上表面的微小的异物为原因产生的单晶的有位错化的感应加热线圈及使用其的单晶硅制造装置。本发明的感应加热线圈（20）用于基于悬浮区熔法的单晶的制造，具备感应加热线圈主体（21）、设置于感应加热线圈主体（21）的上表面的异物捕获夹具（30）。
Description
技术领域
本发明涉及用于基于悬浮区熔法(FZ法，Floating Zone法)的单晶的制造的感应加热线圈及使用其的单晶制造装置。
背景技术
作为单晶硅的制造方法已知有悬浮区熔法。悬浮区熔法为如下方法：将由多晶硅构成的原料杆的一部分加热而生成熔融带，使分别位于熔融带的上方及下方的原料杆及籽晶逐渐降下，由此在籽晶的上方使较大的单晶成长。悬浮区熔法的话不像切克劳斯基法(CZ法，Czochralski法)那样地使用石英坩埚，因此能够制造氧浓度低的单晶。
悬浮区熔法中对于多晶硅原料的加热使用感应加热方式。将高频电流流过感应加热线圈时产生的磁场向硅原料施加时，硅原料中由于电磁感应而流有涡电流，产生基于涡电流的焦耳热。感应加热方式中利用该焦耳热将硅原料加热。
关于使用感应加热线圈加热硅原料的方法，例如专利文献1中记载有如下方法：通过在感应加热线圈的上表面配置绝缘板来抑制放电，并且防止冰溜状的硅原料的熔融残余与感应加热线圈的上表面接触所引起的单晶的重金属污染。
此外，专利文献2中记载有抑制由硅原料的熔融痕引起的刺状的未熔融硅的产生来减少单晶的有位错化率的方法。该方法中，控制原料棒加热用辅助加热器的输出，使得放肩工序完成时的悬浮带的长度为培养的单晶的目标直径的80%的悬浮带的长度的110%以下。
专利文献1：日本特许第4604700号公报。
专利文献2：日本特开2018-199585号公报。
基于悬浮区熔法的单晶硅的制造中，原料杆被溶解，有从单晶的锥部至直体部的培养过程中单晶的有位错化多发的问题。
为了调查单晶的有位错化的原因，调查了有位错化多发的单晶制造装置，确认在感应加热线圈的上表面附着有微小的异物。对异物进行调查，发现是固体的硅粒。本发明的多位发明人考察出，应该是发生原料杆侧的熔化物微观上弹飞那样的现象，作为微小异物向线圈上落下，由于感应加热线圈的振动等，异物向线圈的内径侧移动而从开口部落下，进入固液界面而成为单晶的有位错化的原因，关于将其消除的方法进行深入研究，结果完成本发明。
发明内容
本发明是基于上述情况而作出的，其目的在于，提供能够防止以附着于上表面的微小的异物为原因而产生的单晶的有位错化的感应加热线圈及使用其的单晶硅制造装置。
为了解决上述问题，本发明的感应加热线圈的特征在于，具备感应加热线圈主体、设置于前述感应加热线圈主体的上表面的异物捕获夹具。
根据本发明，能够将附着于感应加热线圈的上表面的微小的异物捕获，能够将异物关入一定范围内来限制其移动。因此，能够防止异物从感应加热线圈的开口部落下而进入固液界面所引起的单晶的有位错化。
本发明中，优选的是，前述异物捕获夹具是具有形成有凹部或凸部的上表面的圆环状的部件。该情况下，优选的是，前述凹部为环状的槽或多个孔，前述凸部为环状的突出部。通过在异物捕获夹具的上表面设置这样的异物捕获形状，能够阻止附着于感应加热线圈的上表面的异物向内径侧移动。
本发明中，优选的是，在前述感应加热线圈主体的上表面形成有前述异物捕获夹具嵌合的嵌合部。该情况下，优选的是，前述嵌合部形成于从前述感应加热线圈主体的内周端至线圈宽度的50%的位置的范围内。由此，能够将异物捕获夹具在感应加热线圈上简单且切实地设置。此外，能够在附着于感应加热线圈的上表面的微小的异物向内径侧区域移动时用异物捕获夹具捕获，能够将异物关入一定范围内来限制其移动。
此外，本发明的单晶制造装置的特征在于，具备将原料杆能够旋转及升降地支承的上轴、配置于前述上轴的下方而将籽晶能够旋转及升降地支承下轴、将前述原料杆加热的具有本发明的上述特征的感应加热线圈。根据本发明，能够阻止附着于感应加热线圈的上表面的微小的异物向面内方向的移动，能够防止异物从感应加热线圈的开口部落下而进入固液界面引起的单晶的有位错化。
发明效果
根据本发明，能够提供能够防止以附着于上表面的微小的异物为原因产生的单晶的有位错化的感应加热线圈及使用其的单晶制造装置。
附图说明
图1是表示基于本发明的实施方式的单晶制造装置的结构的示意图。
图2(a)及(b)是详细表示感应加热线圈的结构的图，(a)为俯视图，(b)为剖视图。
图3(a)及(b)是表示感应加热线圈主体的结构的图，(a)为俯视图，(b)为剖视图。
图4(a)及(b)是表示异物捕获夹具的结构的一例的图，(a)为俯视图，(b)为剖视图。
图5是用于说明异物捕获夹具的作用的示意图。
图6(a)及(b)是表示基于本发明的第2实施方式的感应加热线圈的结构的图，(a)为俯视图，(b)为剖视图。
图7(a)及(b)是表示基于本发明的第3实施方式的感应加热线圈的结构的图，(a)为俯视图，(b)为剖视图。
图8(a)及(b)是表示基于本发明的第4实施方式的感应加热线圈的结构的图，(a)为俯视图，(b)为剖视图。
图9是表示基于本发明的第5实施方式的感应加热线圈的结构的概略剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行详细的说明。
图1是表示基于本发明的实施方式的单晶制造装置的结构的示意图。
如图1所示，该单晶制造装置1是用于借助悬浮区熔法培养单晶硅的装置，具备容纳在原料杆2及籽晶3上成长的单晶硅4的反应炉10、将原料杆2能够旋转及升降地支承的上轴11、将籽晶3及单晶硅4能够旋转及升降地支承的下轴12、将原料杆2的下端部加热的感应加热线圈20、支承随着晶体成长进行而大型化的单晶硅4的重量的单晶重量保持件14、向原料杆2与单晶硅4之间的熔融带5(硅融液)供给掺杂气体的气体掺杂装置15。
原料杆2由将单硅烷等硅原料精炼所得到的高纯度多晶硅构成，原料杆2的上端部经由原料保持件16安装于上轴11的下端部。籽晶3的下端部经由籽晶保持件17安装于下轴12的上端部。上轴11及下轴12被图中未示出的驱动机构分别旋转及升降驱动。
感应加热线圈20具有由包围原料杆2或熔融带5的大致一圈的高频线圈构成的感应加热线圈主体21、覆盖感应加热线圈主体21的上表面的内径侧区域的异物捕获夹具30，感应加热线圈主体21与图中未示出的高频发振器连接。感应加热线圈主体21优选为主要由铜或银构成。高频电流流过感应加热线圈20，由此，原料杆2的一部分被感应加热，生成熔融带5。优选地，将原料杆2用感应加热线圈20加热前，原料杆2被预加热。这样使籽晶3与生成的熔融带5融接后，使原料杆2及单晶硅4旋转的同时下降，由此能够从熔融带5使单晶硅4成长。
单晶重量保持件14与单晶硅4的锥部4a抵接来保持单晶硅4，由此能够以单晶硅4的较大的重量不对籽晶3及下轴12施加的方式承接单晶硅4的重量的大部分。
气体掺杂装置15具备掺杂气体被以高压状态容纳的液化气瓶15a、控制掺杂气体的流量的流量控制部15b、向熔融带5喷吹掺杂气体的掺杂气体喷嘴15c。向熔融带5的掺杂剂的供给量通过改变掺杂气体流量而被调整。优选地，为了将掺杂剂的供给量稳定地控制，将掺杂气体中的掺杂剂浓度恒定地维持，仅调整掺杂气体流量。
图2(a)及(b)是详细地表示感应加热线圈20的结构的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。此外，图3(a)及(b)是表示感应加热线圈主体21的结构的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。进而，图4(a)及(b)是表示异物捕获夹具30的结构的一例的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。
如图2(a)及(b)所示，感应加热线圈20具备感应加热线圈主体21、设置于感应加热线圈主体21的上表面21a的内径侧区域21a1的异物捕获夹具30。
如图3(a)及(b)所示，感应加热线圈主体21由大致扁平圆环状的线圈导体构成，在其两端设置有用于施加高频电压的一对端子电极22。
感应加热线圈主体21具有形成于大致圆板状的导体的中心部的开口部23、从开口部23向径向延伸的狭缝24。狭缝24配置于在周向上接近的一对端子电极22之间，将一对端子电极22的连接位置沿周向分割。感应加热线圈主体21的外径比原料杆2及单晶硅4的直径(直体部4b的直径)大，感应加热线圈主体21的内径(开口部23的直径)比原料杆2及单晶硅4的直径小。
感应加热线圈主体21的上表面21a优选为从外周端向中心部(开口部23)下降的倾斜面，感应加热线圈主体21的下表面21b优选为从外周端向中心部上升的倾斜面。即，感应加热线圈主体21的截面形状优选为从外周端向内周端厚度逐渐变薄的锥形。该情况下，感应加热线圈主体21的上表面21a的倾斜角度与下表面21b的倾斜角度可以相同也可以不同。感应加热线圈主体21具有这样的形状的情况下，能够相对于熔融带5、原料杆2施加适当的电磁压力、辐射热，能够将熔融带5在单晶硅4上稳定地保持。
在感应加热线圈主体21的上表面21a设置有台阶，内径侧区域21a1比外径侧区域21a2低一级，由此，在感应加热线圈主体21的上表面21a的内径侧区域21a1形成嵌合部21c(凹部)，异物捕获夹具30以嵌合于该嵌合部21c的方式安装。
如图4(a)及(b)所示，异物捕获夹具30具有石英制的夹具主体31，在夹具主体31的上表面设置有异物捕获形状32。异物捕获夹具30与感应加热线圈主体21同样为扁平圆环状的部件，但其外径比感应加热线圈主体21的外径小。因此，设置于感应加热线圈主体21上的异物捕获夹具30仅覆盖感应加热线圈主体21的上表面21a的内径侧区域21a1。即，感应加热线圈主体21的外径侧区域21a2不被异物捕获夹具30覆盖地露出。异物捕获夹具30的内径如图所示可以与感应加热线圈主体21的内径相同，也可以比感应加热线圈主体21的内径小。进而，此外，异物捕获夹具30的内径也可以比感应加热线圈主体21的内径稍大。
如上所述，感应加热线圈主体21的上表面21a具有内径侧区域21a1比外径侧区域21a2低一级的台阶形状，由此在感应加热线圈主体21的上表面21a的内径侧区域21a1形成有嵌合部21c。内径侧区域21a1是指从感应加热线圈主体21的内周端至线圈宽度的50%的位置的范围内。这样，异物捕获夹具30的外径与感应加热线圈主体21的台阶形状的外径相等，以与设置于该感应加热线圈主体21的上表面21a的嵌合部21c嵌合的方式设置。由此，能够在不使用特别的固定机构的情况下将异物捕获夹具30简单且稳定地设置于感应加热线圈主体21上。
在构成异物捕获夹具30的扁平圆环状的夹具主体31的上表面31a设置有由凹部或凸部构成的异物捕获形状32。本实施方式的异物捕获形状32为形成于夹具主体31的上表面31a的多根环状的槽34，多根槽34被沿径向隔开恒定的间隔地同心圆状地设置。槽34的宽度、深度只要能够捕获数十~数百微米左右的微小的异物则没有特别限定，优选为1~5mm左右。槽34的根数没有特别限定，可以是一根也可以是两根以上。
图5是用于说明异物捕获夹具30的作用的示意图。
如图5所示，SiO粒等的微小的异物8附着于感应加热线圈主体21的上表面21a。附着于感应加热线圈主体21的上表面21a的多个异物8的一部分由于感应加热线圈主体21在动作中振动而向箭头所示的开口部33移动。但是，在感应加热线圈主体21的上表面21a的内径侧区域21a1设置有异物捕获夹具30，向异物捕获夹具30的上表面移动的异物8借助由多个槽34构成的异物捕获形状32限制该面内方向的移动，所以能够防止异物8从开口部23落下而进入熔融带5。
图6(a)及(b)是表示本发明的第2实施方式的感应加热线圈的结构的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。
如图6(a)及(b)所示，本实施方式的感应加热线圈20的特征在于，由形成于异物捕获夹具30的扁平圆环状的夹具主体31的上表面的多个小孔35实现异物捕获形状32。其他结构与第1实施方式相同。本实施方式中，孔35为非贯通的孔，但也可以是贯通孔。孔35的直径、深度只要能够捕获数十~数百微米左右的异物则没有特别限定，优选为1~5mm左右。多个孔35的配置也只要能够发挥其功能则没有特别限定，但多个孔35的圆环状的排列优选为同心圆状地扩展。根据本实施方式，能够与第1实施方式相同地捕获感应加热线圈20上的异物。
图7(a)及(b)是表示本发明的第3实施方式的感应加热线圈的结构的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。
如图7(a)及(b)所示，本实施方式的感应加热线圈20的特征在于，借助以包围异物捕获夹具30的扁平圆环状的夹具主体31的最内周的方式设置于夹具主体31的上表面的环状的突出部36实现异物捕获形状。其他结构与第1实施方式相同。根据这样的结构，突出部36阻止异物向开口部33的移动，所以能够防止异物从开口部23落下而进入熔融带5。
图8(a)及(b)是表示本发明的第4实施方式的感应加热线圈的结构的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。
如图8(a)及(b)所示，本实施方式的感应加热线圈20的特征在于，通过将第1实施方式所示的异物捕获夹具30的环状的槽34、第2实施方式所示的多个小孔35、第3实施方式所示的包围最内周的突出部36组合来实现异物捕获形状。环状的槽34配置于突出部36的外侧，多个孔35配置于环状的槽34的外侧。本实施方式中多个小孔35为贯通孔。根据本实施方式，能够进一步提高异物捕获率。
图9是表示本发明的第5实施方式的感应加热线圈的结构的概略剖视图。
如图9所示，本实施方式的感应加热线圈20的特征在于，异物捕获夹具30不仅覆盖感应加热线圈主体21的上表面21a的内径侧区域21a1而覆盖上表面整体，且在不与感应加热线圈主体21的上表面接触的情况下被以悬浮的状态设置。该情况下，异物捕获夹具30固定于感应加热线圈主体21以外的炉内构造物。本实施方式的异物捕获夹具30不受感应加热线圈主体21的振动的影响，所以能够进一步抑制在异物捕获夹具30的上表面捕获的异物的面内方向的移动。因此，能够进一步减少单晶的有位错化的概率。
以上对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改变，它们显然也包含于本发明的范围内。
例如，在上述实施方式中，异物捕获夹具30仅覆盖感应加热线圈主体21的上表面21a的内径侧区域21a1，但也可以覆盖感应加热线圈主体21的上表面整体。此外，如上所述，异物捕获夹具30也可以不设置成与感应加热线圈主体21的上表面接触，也可以在从感应加热线圈主体21悬浮的状态下设置。
附图标记说明
1 单晶制造装置
2 原料杆
3 籽晶
4 单晶硅
4a 锥部
4b 直体部
5 熔融带
8 异物
10 反应炉
11 上轴
12 下轴
14 单晶重量保持件
15 气体掺杂装置
15a 液化气瓶
15b 流量控制部
15c 掺杂气体喷嘴
16 原料保持件
17 籽晶保持件
20 感应加热线圈
21 感应加热线圈主体
21a 感应加热线圈主体的上表面
21a1 感应加热线圈主体的上表面的内径侧区域
21a2 感应加热线圈主体的上表面的外径侧区域
21b 感应加热线圈主体的下表面
21c 感应加热线圈主体的嵌合部
22 端子电极
23 开口部
24 狭缝
30 异物捕获夹具
31 夹具主体
31a 夹具主体的上表面
32 异物捕获形状
33 开口部
34 槽
35 孔
36 突出部。
Claims (5)
1.一种感应加热线圈，前述感应加热线圈用于基于悬浮区熔法的单晶的制造，其特征在于，
具备感应加热线圈主体、设置于前述感应加热线圈主体的上表面的异物捕获夹具，
在前述感应加热线圈主体的上表面形成有前述异物捕获夹具嵌合的嵌合部。
2.如权利要求1所述的感应加热线圈，其特征在于，
前述异物捕获夹具是具有形成有凹部或凸部的上表面的圆环状的部件。
3.如权利要求2所述的感应加热线圈，其特征在于，
前述凹部为环状的槽或多个孔，前述凸部为环状的突出部。
4.如权利要求1所述的感应加热线圈，其特征在于，
前述嵌合部形成于从前述感应加热线圈主体的内周端至线圈宽度的50%的位置的范围内。
5.一种单晶制造装置，其特征在于，
前述单晶制造装置具备将原料杆能够旋转及升降地支承的上轴、配置于前述上轴的下方而将籽晶能够旋转及升降地支承的下轴、将前述原料杆加热的权利要求1至4中任一项所述的感应加热线圈。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019-221306 | 2019-12-06 | ||
| JP2019221306A JP7255468B2 (ja) | 2019-12-06 | 2019-12-06 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112921394A CN112921394A (zh) | 2021-06-08 |
| CN112921394B true CN112921394B (zh) | 2023-10-27 |
Family
ID=76162648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011406603.3A Active CN112921394B (zh) | 2019-12-06 | 2020-12-04 | 感应加热线圈及使用其的单晶制造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7255468B2 (zh) |
| CN (1) | CN112921394B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116479523B (zh) * | 2023-06-25 | 2023-09-22 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 一种生长非圆柱状硅单晶锭的装置和方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051242A (en) * | 1989-04-26 | 1991-09-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Heating coil for use in growth of single crystal |
| JPH05132389A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｆｚ法半導体単結晶製造装置 |
| JPH05270966A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｆｚ法加熱コイルの発熱分布測定具 |
| JPH11292683A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶育成用誘導加熱コイル |
| CN102808216A (zh) * | 2012-08-22 | 2012-12-05 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场 |
| CN105154967A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种制备区熔单晶的凸台线圈 |
| CN106894083A (zh) * | 2015-12-07 | 2017-06-27 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6863240B2 (ja) | 2017-11-13 | 2021-04-21 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造装置および製造方法 |
-
2019
- 2019-12-06 JP JP2019221306A patent/JP7255468B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-04 CN CN202011406603.3A patent/CN112921394B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051242A (en) * | 1989-04-26 | 1991-09-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Heating coil for use in growth of single crystal |
| JPH05132389A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｆｚ法半導体単結晶製造装置 |
| JPH05270966A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｆｚ法加熱コイルの発熱分布測定具 |
| JPH11292683A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶育成用誘導加熱コイル |
| CN102808216A (zh) * | 2012-08-22 | 2012-12-05 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场 |
| CN105154967A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-16 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种制备区熔单晶的凸台线圈 |
| CN106894083A (zh) * | 2015-12-07 | 2017-06-27 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021091557A (ja) | 2021-06-17 |
| JP7255468B2 (ja) | 2023-04-11 |
| CN112921394A (zh) | 2021-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109196144B (zh) | 单晶硅的制造方法及装置 | |
| US10407797B2 (en) | Crystal pulling system and method including crucible and barrier | |
| CN110573661B (zh) | 单晶硅的制造方法、整流部件及单晶提拉装置 | |
| CN112921394B (zh) | 感应加热线圈及使用其的单晶制造装置 | |
| JP2000327477A (ja) | 単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置 | |
| JP5122128B2 (ja) | 単結晶棒を製造する装置および方法 | |
| JP5163386B2 (ja) | シリコン融液形成装置 | |
| JP2010024123A (ja) | シリコン融液の供給装置およびこれを備えたシリコン単結晶の育成装置 | |
| JP4844127B2 (ja) | 単結晶製造装置および製造方法 | |
| CN115369474B (zh) | 感应加热绕组及使用其的单晶制造装置及单晶的制造方法 | |
| JP2007204332A (ja) | 単結晶製造装置および単結晶製造方法 | |
| JP3911126B2 (ja) | Ｅｆｇ結晶成長装置 | |
| JP2022159501A (ja) | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコンロッドおよびその製造方法 | |
| CN114072545B (zh) | 感应加热线圈及使用了该感应加热线圈的单晶制造装置 | |
| CN107075717B (zh) | 用于防止熔体污染的拉晶机 | |
| US8691013B2 (en) | Feed tool for shielding a portion of a crystal puller | |
| JP2007031235A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JP2606046B2 (ja) | 単結晶引き上げ時における単結晶酸素濃度の制御方法 | |
| JP7428122B2 (ja) | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 | |
| JP2010030860A (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
| JP4150959B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| RU2361020C1 (ru) | Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов | |
| CN112899771A (zh) | 单晶制备装置及单晶的制备方法 | |
| JP2004217503A (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
| JPH10279399A (ja) | 単結晶製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |