CN112889145A - 升降杆固持器组件和包括升降杆固持器组件的主体 - Google Patents

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Abstract

本公开内容的实施例总体上涉及升降杆固持器、升降杆固持器组件、以及包含升降杆固持器和/或升降杆固持器组件的基板支撑件。在一个或多个实施例中，一种升降杆固持器包含：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，其中基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，其中第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，其中弹簧加载构件被设置在第二孔腔中的每一者内。

Description

升降杆固持器组件和包括升降杆固持器组件的主体
背景技术
技术领域
本公开内容的实施例总体上涉及用于制造半导体器件的工艺腔室，并且具体而言涉及用于在工艺腔室中使用的升降杆和升降杆组件。
相关技术说明
通常采用化学气相沉积(CVD)来在基板(诸如半导体晶片或用于平板显示器的透明基板)上沉积膜。CVD通常通过将工艺气体引入到真空腔室中来完成，在真空腔室处，基板定位在基板支撑件上。
CVD腔室中的基板支撑件包括升降杆。升降杆被配置为升起和降下，以便从基板支撑件升起基板或将基板降下到基板支撑件上。可以通过直接访问升降杆固持器来将在基板支撑件中插入或移除升降杆。然而，在基板支撑件的一些配置中，升降杆固持器可能不是可直接访问的，从而对于升降杆的插入产生挑战。此外，在从基板支撑组件移除升降杆时，固持器可能无意中移动，从而损伤基板支撑件。
因此，需要改善的升降杆、升降杆固持器、以及升降杆固持器组件。
发明内容
本公开内容的实施例总体上涉及升降杆固持器、升降杆固持器组件、以及包含升降杆固持器和/或升降杆固持器组件的基板支撑件。在一个或多个实施例中，一种升降杆固持器包含：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，其中基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，其中第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，其中弹簧加载(spring-loaded)构件被设置在第二孔腔中的每一者内。
在一些实施例中，一种组件包含升降杆和升降杆固持器。升降杆包含：具有细长部分长度和细长部分直径的细长部分；以及与细长部分相邻且具有锁定机构的第二部分。升降杆固持器包含：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，其中基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，其中第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，其中弹簧加载构件被设置在第二孔腔中的每一者内。
在其他的实施例中，一种基板支撑件包含升降杆固持器组件和耦接到升降杆固持器的基部的构件。升降杆固持器组件包含升降杆和升降杆固持器。升降杆包含：具有细长部分长度和细长部分直径的细长部分；以及与细长部分相邻且具有锁定机构的第二部分。升降杆固持器包含：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，其中基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，其中第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，其中弹簧加载构件被设置在第二孔腔中的每一者内。
附图说明
为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施例来获得上文所简要概述的本公开内容的更详细说明，附图中示出了所述实施例中的一些。然而，要注意，附图仅示出示例性实施例并且因此并不被视为对其范围的限制，并且可以允许其他等效的实施例。
图1A-1E描绘根据一个或多个实施例的升降杆固持器的示意图。
图2A-2D描绘根据一个或多个实施例的升降杆固持器中的保持机构的示意图。
图3描绘根据一个或多个实施例的升降杆的示意图。
图4A-4F描绘根据一个或多个实施例的升降杆的部分示意图。
图5A描绘根据一个或多个实施例的包括基板支撑件的工艺腔室的部分横截面图，所述基板支撑件包含一个或多个升降杆固持器组件。
图5B和5C分别描绘根据一个或多个实施例的处于伸长位置和回缩位置的基板支撑件的部分示意图。
为了促进理解，在可能的情况下已使用相同的附图标记来指示附图共有的相同元件。可以预期，可以将一个实施例的元件和特征有益地并入其他实施例而无需进一步叙述。
具体实施方式
在半导体器件制造中使用的工艺腔室包括具有用于升降基板以促进基板搬运和转移的机构的主体。基板搬运和转移机构可以是升降杆的形式。可以将升降杆安装在容纳在诸如基板支撑件之类的主体中的升降杆固持器中，并且基板支撑件的至少一部分可以伸展或回缩以伸展或回缩升降杆。伸展或回缩升降杆将定位在主体上的基板从主体移离或移动到主体上。常规的基板支撑件包括例如基板搬运机构中的O形环或C形夹。然而，O形环可能不能够承受升高的工艺温度。此外，C形夹被设置为使得移除升降杆还可能损伤基板支撑件的其他部件。进一步地，工艺腔室(诸如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、以及其他的半导体制造腔室)可能具有带有有限的垂直余隙的小的内部容积。有限的垂直余隙对于基板支撑件设计和组装(包括升降杆的放置和移除)提出了挑战。本文中所讨论的系统和方法针对基板支撑件，所述基板支撑件包括固定在一个或多个升降杆固持器中的一个或多个升降杆(在本文中称为“升降杆固持器组件”)。使用本文中所讨论的升降杆固持器组件，可以跨各种类型的半导体制造腔室在不拆卸或损伤基板支撑件的情况下移除和替换升降杆。
根据本公开内容的一些实施例，升降杆固持器与可选地包括接地板、间隔件、以及加热器的部件一起被组装到基板支撑件中。随后将升降杆插入穿过基板支撑件到升降杆固持器中并固定在升降杆固持器中。可以通过升降杆固持器的保持机构对每个升降杆的耦接和解耦来将升降杆安装到基板支撑件和稍后从基板支撑件移除升降杆。升降杆固持器的保持机构包括至少一个弹簧加载构件。保持机构将升降杆固定在升降杆固持器内，并且使得能够在不释放升降杆的情况下在基板支撑件的顶面上方和下方推进和回缩升降杆。在移除和/或替换升降杆的维护或其他操作期间，保持机构允许在不损伤其他部件的情况下移除和/或替换升降杆。也就是说，保持机构的弹簧加载构件允许在升降杆固持器保持在基板支撑件中的适当位置的同时在不损伤基板支撑件的情况下释放升降杆。随后可以将新的升降杆插入基板支撑件中并且经由保持机构保持在升降杆固持器中。
图1A-1E描绘根据本公开内容的实施例的升降杆固持器100的示意图。图1A是升降杆固持器100的等距视图，升降杆固持器100可被替代性地称为重物固持器或承重固持器。升降杆固持器100包括顶盖110、耦接到顶盖110的基部112、以及保持机构108。升降杆固持器100进一步包括穿通孔腔(through-bore)106，穿通孔腔106从升降杆固持器100的第一固持器端部102轴向地延伸到升降杆固持器100的第二固持器端部104。穿通孔腔106沿着其轴向长度可以具有一致的直径或变化的直径。顶盖110和基部112中的每一者可以独立地由一种或多种金属或金属材料(诸如不锈钢)制造和/或含有一种或多种金属或金属材料(诸如不锈钢)。升降杆固持器100经由保持机构108固定穿通孔腔106中的构件，诸如下文所讨论的升降杆。
图1B是升降杆固持器100的侧视图。图1B示出第一固持器端部102、第二固持器端部104、以及保持机构108。图1B进一步示出整体固持器长度114、顶盖外径116、以及基部外径118。图1B进一步示出顶盖110与基部112之间的过渡面120。尽管图1B中的过渡面120被示为与第一固持器端部102和第二固持器端部104基本上平行，但可以预期，其他的过渡面120几何形状也是可能的。因此，在其他的示例中，过渡面120可以具有弓形、弯曲的、阶梯形、或其他的横截面几何形状。在图1B中所描绘的示例中，顶盖外径116小于基部外径118。在一些示例中，顶盖外径116是基部外径118的约30％至约90％。
图1C是图1B的沿着图1B中的线A-A截取的横截面图。图1C示出穿通孔腔106，穿通孔腔106在第一固持器端部102处具有第一直径122。穿通孔腔106的直径向下穿过顶盖110逐渐变小成第二直径124，以形成具有截头圆锥形形状的侧壁126。穿通孔腔106继续用第二直径124(可以是恒定内径的内径)轴向穿过基部112。穿通孔腔106的整体长度128是从第一固持器端部102到第二固持器端部104测量到的。在一个或多个示例中，如图1C中所示，穿通孔腔106的第一直径122大于第二直径124，并且第一侧壁部分126A是两个直径之间的成角度的过渡面。在其他的示例(本文未示出)中，第一直径122与第二直径124基本上类似(差异小于5％)或相同。在此示例中，第一侧壁部分126A会与第一固持器端部102的平面基本上垂直，与针对图1C中的第二直径124的侧壁126所示出的类似。第一侧壁部分126A的锥形的直径促进在升降杆替换操作期间将升降杆(未示出)引导到升降杆固持器100中。在此示例中，穿通孔腔106的整体长度128可以与图1B中所示的整体固持器长度114基本上类似。在其他的示例中，穿通孔腔106的整体长度128可以小于图1B中所示的整体固持器长度114。在此示例中，穿通孔腔106部分地延伸穿过升降杆固持器100而不延伸穿过第二固持器端部104。
升降杆固持器100包括从侧壁126向外延伸的一个或多个孔腔130。一个或多个孔腔130中的每一者可以在其中容纳弹簧加载构件138。在一些示例中，每个孔腔130均从侧壁126完全延伸穿过基部112，例如延伸到基部112的外表面。在其他的示例中，每个孔腔130从侧壁126向外延伸但部分地延伸穿过基部112。保持机构108中所示的弹簧加载构件138定位在平行于基部112的半径且垂直于穿通孔腔106的轴形成的孔腔130中。在替代实施例中，可以相对于从穿通孔腔106的轴垂直地延伸的半径以90°以外的不同角度来配置保持机构108的一个或多个弹簧加载构件138(和对应的孔腔130)。
保持机构108的每个弹簧加载构件138包括弹簧132和移动构件136。每个弹簧加载构件138可以进一步包括弹簧壳体134，弹簧壳体134将弹簧132固定在基部112内部。在一个或多个示例中，弹簧壳体134包括外螺纹面以供接合孔腔130的对应螺纹。每个弹簧壳体134可以包括凹槽或凹口以供在其中接收弹簧132。弹簧132和弹簧壳体134中的每一者可以由一种或多种金属或金属材料(诸如不锈钢)制造和/或含有一种或多种金属或金属材料(诸如不锈钢)。移动构件136被设置在与基部112中的穿通孔腔106相邻的弹簧132的径向内端上。移动构件136可以是球体，或可以由不同的几何形状来界定。移动构件136可以由诸如氮化硅(例如Si3N4)之类的陶瓷材料制造。
图1D是图1B的沿着图1B中的线B-B截取的横截面图。图1D示出形成在基部112中的处于脱离位置(例如第一状态)的保持机构108。在保持机构108的脱离位置中，每个弹簧加载构件138径向向内地延伸。在保持机构108的脱离位置中，移动构件136被至少部分地设置在穿通孔腔106内部。
图1E描绘图1B的沿着图1B中的线B-B截取的在用接合位置(例如第二状态)配置保持机构108时的横截面图。在保持机构108的接合位置中，移动构件136部分地或完全地回缩到相应的孔腔130中。可以例如经由将升降杆插入到升降杆固持器100中来造成回缩。在保持机构108的接合位置的一个或多个示例中，移动构件136与穿通孔腔106的侧壁126齐平。在保持机构的接合位置的其他的示例中，移动构件136被至少部分地容纳在基部112内。在此示例中，在升降杆300经由保持机构108固定到升降杆固持器100时，移动构件136至少部分地回缩到基部112中。
图2A-2D描绘根据本公开内容的实施例的升降杆固持器中的保持机构208A、208B、208C、208D的示意图。保持机构208A-208D是截面图，与图1B的截线B-B类似地示出。图2A示出包括单个弹簧加载构件138的保持机构208A。图2B示出包括以角度α隔开的两个弹簧加载构件138的保持机构208B，角度α可以为约180°。角度α可以从约10°到约180°变化。图2C示出包括三个弹簧加载构件138的保持机构208C。如图2C中所示，三个弹簧加载构件138中的每一者可以相对于相邻的弹簧加载构件138以约120°的角度α隔开。在其他的示例中，并且如图2D中所示，保持机构208D包括四个弹簧加载构件138。四个弹簧加载构件138中的每一者可以相对于相邻的弹簧加载构件138以约90°的角度α隔开。图2A-2D中的示例示出与相邻的弹簧加载构件138等距隔开的弹簧加载构件138的各种配置。尽管相邻的弹簧加载构件138之间的角度α在图2A-2D中示为等距，但可以预期，在其他的示例中，角度α可以在单个保持机构108内的相邻弹簧加载构件138之间变化。
图3描绘根据本公开内容的实施例的升降杆300的示意图。升降杆300可以由包括氧化铝(例如Al2O3)的一种或多种陶瓷材料形成。升降杆300包括第一端302、第二端304、以及在第一端302与第二端304之间延伸的升降杆长度306。升降杆300包括具有细长部分长度324的细长部分320和具有第二部分长度326的第二部分322。细长部分320具有细长部分直径318。细长部分长度324从升降杆300的第一端302延伸到第二部分322。在一个或多个示例中，细长部分320的细长部分长度324为升降杆长度306的从约60％到约95％。在其他的示例中，细长部分长度324为升降杆长度306的从约75％到约90％。在如图3中所示的一个或多个示例中，升降杆300的第一端302可以是喇叭形的(flared)并且具有第一端直径312。在第一端302是喇叭形的示例中，细长部分直径318小于第一端直径312。在一些示例中，升降杆300的第一端302可以是喇叭形的以便改善升降杆300在基板支撑件中的安置和减少可能由两个相邻的部件之间的余隙所造成的空隙。取决于实施例，如果第一端直径312与细长部分直径318不同，则升降杆300的最大直径可以是第一端直径312或细长部分直径318。
升降杆300的第二部分322包括颈缩区域308和锁定机构310。颈缩区域308被定位为使得细长部分长度324从升降杆300的第一端302延伸到第二部分322的颈缩区域308，第二部分322开始于颈缩区域308处。颈缩区域308可以具有减小的直径314，减小的直径314比细长部分直径318小约5％到约85％。可以将升降杆300的锁定机构310配置为各种几何形状，在以下关于图4A-4F的书面描述中讨论。锁定机构310是升降杆300的与颈缩区域308结合使用来将升降杆300固定在升降杆固持器(图1A-1E中的100)中的部分。因此，可以预期，可以将包括锁定机构310的第二端304配置为钝端(如所示)或配置为圆头、锥形、成角度锥体、或其他的几何形状或几何形状组合。在此示例中，锁定机构310的直径316比颈缩区域308的减小的直径314大例如约5％到约75％。取决于实施例，锁定机构310的直径316可以小于、大于、或等于细长部分直径318。在一个或多个示例中，锁定机构310的直径316与细长部分直径318差约1％到约30％，其中1％配合基本上类似于压入配合。
图4A-4F描绘升降杆(诸如图3中的升降杆300)的第二部分322A-322F的部分示意图。图4A-4F示出减小的直径314和锁定机构310的替代性示例。图4A示出第二部分322A，第二部分322A包括具有减小的直径314A的颈缩区域308A。颈缩区域308A是如图4A中所示的锥形区域。图4A进一步示出第二端304A，第二端304A包括具有直径316A的锁定机构310A。尽管第二端304A在图4A中被示为弓形或弯曲的端部，但可以预期，在其他的示例中，第二端304A可以是钝端(方形或矩形)或锥形端部。图4B示出第二部分322B和第二端304B，第二部分322B包括具有减小的直径314B的颈缩区域308B，第二端304B包括具有直径316B的锁定机构310B。尽管第二端304B在图4B中被示为锥形钝端，但可以预期，在其他的示例中，第二端304B可以是钝端(方形或矩形)或锥形圆头端部。在各种示例中，升降杆颈缩区域308A和308B可以具有不同程度的曲率，从而分别产生变化的减小的直径314A和314B。
图4C示出第二部分322C和第二端304C，第二部分322C包括具有减小的直径314C的颈缩区域308C，第二端304C包括具有直径316C的锁定机构310C。第二端304C被示为锥形钝端，但在其他的示例中，可以预期，第二端304C可以是钝端(方形或矩形)或具有三角形横截面的尖端。与各自具有弯曲的横截面的颈缩区域308A和308B相比，颈缩区域308C具有直径恒定的圆柱形内截面和圆柱形内截面的端部处的锥形表面。锥形表面在成角度的横截面处相遇，所述成角度的横截面可以采取各种形状。在一些示例中，可以至少部分地基于将在本文讨论的保持机构108(在图1中示出)中使用的可动元件的类型和几何形状来选择升降杆的颈缩区域，以便建立升降杆在升降杆固持器中的牢固配合。
图4D示出升降杆的第二部分322D和第二端304D，第二部分322D包括具有减小的直径314D的颈缩区域308D，第二端304D包括具有直径316D的锁定机构310D。与图4A-4C中所示出的和上文针对升降杆的钝的和尖的第二端所讨论的相比，第二端304D被示为可以具有球形形状的圆头端部。图4E示出第二部分322E和第二端304E，第二部分322E包括具有减小的直径314E的颈缩区域308E，第二端304E包括具有减小的直径316E的锁定机构310E。与图4A-4D中所示的相比，第二端304E被示为锥形、圆头的端部。如上文所讨论，可以用包括球形、钝的、锥形、以及尖的几何形状的各种几何形状来配置第二端304E。不同的颈缩区域可以具有不同程度的弯曲，因此造成了变化的减小的直径，诸如314E。例如，如图4D和图4E的横截面中所见，颈缩区域308E的曲率大于颈缩区域308D的曲率。因此，图4E中的颈缩区域308E的减小的直径314E小于图4D中的颈缩区域308D的减小的直径314D。尽管图4A-4F中示出了第二部分322A-322F的示例性几何形状，但可以预期，在其他的示例中，使用其他的几何形状和几何形状组合。
图4F示出升降杆的第二部分322F和第二端304F，第二部分322F包括具有减小的直径314F的颈缩区域308F，第二端304F包括具有直径316F的锁定机构310F。第二端304F被示为球形端部，但在其他的示例中，可以预期，第二端304F也可以是钝端(方形或矩形)或具有三角形横截面的尖端。与各自具有弯曲的横截面的颈缩区域308D和308E相比，颈缩区域308F具有在减小的直径314F处相交的锥形表面。
图5A描绘根据本公开内容的实施例的包括基板支撑件500A的工艺腔室500的部分横截面图。工艺腔室500进一步具有顶部502、底部504、以及侧壁506。基板支撑件500A包括一个或多个升降杆固持器组件524。工艺容积516形成在基板支撑件500A的顶面526与腔室顶部502之间。基板508设置在升降杆固持器组件524之上的基板支撑件500A上。可以经由升降杆固持器组件524通过将基板支撑件500A致动到伸展位置(朝向腔室顶部502升起)或到回缩位置(朝向腔室底部504降下)来将基板508从基板支撑件500A升起或降下到基板支撑件500A上。可以采用各种机电设备(诸如致动器、电机、步进电机等等)来升起和降下基板支撑件500A。图5A示出处于伸展位置的基板支撑件500A，其中升降杆固持器组件524的升降杆300不延伸至基板支撑件500A的顶面526上方。相比之下，并且如下文所讨论的，将基板支撑件500A降下到回缩位置使得升降杆300延伸超过顶面526，如图5C中所示。可以将工艺腔室500配置为执行各种工艺，包括化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、或其他的膜沉积或移除工艺或其他的基板处理工艺。在各种示例中，可以将工艺腔室500配置为进一步包括气体源、气体歧管、远程等离子体源、一个或多个电源、和/或其他方面，以执行包括膜沉积或移除的操作。
基板支撑件500A包括支撑轴杆532，支撑轴杆532包含多个机电元件(未示出)。每个升降杆固持器组件524的每个升降杆固持器100用于将升降杆300固定在基板支撑件500A中并且在一些示例中固定在所述基板支撑件下方。升降杆固持器100进一步相对于基板支撑件500A的顶面526以一定角度(诸如直角)固持那些固定的升降杆300。图5A中示出了两个升降杆固持器组件524，但取决于实施例，可以将更多或更少的升降杆固持器组件524包括在基板支撑件500A中。
升降杆固持器100耦接到间隔件510，间隔件510可以耦接到腔室底部504，使得基板支撑件500A在升降杆固持器组件524不垂直移动的情况下在基板搬运期间升起或降下。在其他的示例中，间隔件510可以耦接到基板支撑件500A的底部特征(未示出)而不是耦接到腔室底部504。每个间隔件510的高度均被选为在陶瓷构件538升起和降下时，相对于陶瓷构件538的上表面526将每个升降杆的远端定位在预定位置处。基板支撑件500A可以进一步包括配置为调整基板支撑件500A的位置、温度、或其他方面的电气、机械、以及机电元件(本文未示出)。取决于实施例，可以将这些电气、机械、以及机电元件定位在容积534中或用其他方式定位。接地板542被设置为与陶瓷元件538接触，并且移动区域540形成在接地板542与陶瓷构件538之间。陶瓷构件538可以包括嵌入在其中的一个或多个加热元件。陶瓷构件538进一步包括一个或多个孔腔536，升降杆300被部分地保持在一个或多个孔腔536处。例如，基板支撑件500A的顶面526是陶瓷构件538的顶面。
基板支撑件500A的陶瓷构件538和轴杆532被配置为在基板搬运和转移期间伸展和回缩。因为间隔件510耦接到腔室底部504或另一个固定位置，所以升降杆组件524在伸展/回缩期间是固定的。在一个或多个示例中，陶瓷构件538的升起和降下是经由一个或多个机电设备544(诸如致动器)来完成的。在陶瓷构件538例如使用机电设备544朝向腔室底部504回缩时，升降杆固持器组件524的升降杆300的远端定位在基板支撑件的顶面526之外。随后可以朝向腔室顶部502推进或延伸陶瓷构件538，以将升降杆300的远端定位在基板支撑件500A的顶面526处或基板支撑件500A的顶面526下方。在一些示例中，额外的元件可以在陶瓷构件538上方或下方耦接到陶瓷构件538，并且可以包含与陶瓷构件538的孔腔536对准的孔腔。耦接到陶瓷构件538的元件可以与陶瓷构件538同时推进和回缩。在一些示例中，接地板542可选地与陶瓷构件538接触，并且可以与陶瓷构件538一起升起和/或降下以暴露或容纳升降杆300。基板支撑件500A的升起和/或降下的部分可以称为可动部分546。可动部分546可以包括接地板542、陶瓷构件538、和/或包括绝缘体的其他部件(未示出)。基板支撑件500A的接地板542和其他部件可以包括孔腔，使得一个或多个升降杆300可以升起到基板支撑件500A的顶面526上方。
图5B和图5C分别是处于伸展和回缩位置的基板支撑件500A的部分放大图，没有图5A中所示的可选接地板542。图5B示出在基板支撑件500A处于伸展位置时的升降杆固持器组件524。升降杆300被设置在升降杆固持器100中的穿通孔腔106中。升降杆300的最大直径小于穿通孔腔106的最小直径，使得升降杆300配合到升降杆固持器100中。升降杆300经由升降杆固持器100中的保持机构108固定到升降杆固持器100。具体而言，保持机构108的移动构件136接合升降杆300的颈缩区域308，以将升降杆300固定在升降杆固持器100中。在升降杆300固定在升降杆固持器100中时，锁定机构310固定在保持机构108下方以减轻保持机构108从升降杆300的意外脱离。
在基板支撑件500A处于伸展位置的同时，升降杆300被完全容纳在基板支撑件500A内，并且因此不延伸到工艺容积516中。在基板支撑件处于伸展位置时，第一固持器端部102与陶瓷构件538的底面522相距第一距离518。在基板支撑件500A的伸展位置中，升降杆300的第一端302与基板支撑件500A的顶面526齐平或定位在基板支撑件500A的顶面526下方，如图5B中所示。移动区域540形成在升降杆固持器100与陶瓷构件538之间。移动区域540包括开放空间，从而允许陶瓷构件538从图5B中的伸展位置移动到图5C中所示的回缩位置。间隔件510耦接到升降杆固持器100的第二固持器端部104。在此示例中，升降杆300的第二端304与间隔件510接触。间隔件510可以由一种或多种金属或含金属材料(诸如不锈钢)制造，或含有一种或多种金属或含金属材料(诸如不锈钢)。
图5C示出根据本公开内容的实施例的处于回缩位置的基板支撑件500A的部分图。在基板支撑件500A处于回缩位置的同时，第一固持器端部102与陶瓷构件538的底面522相距第二距离520。在基板支撑件500A示出为处于伸展位置时，第二距离520小于图5B中的第一距离518。如图5C中所示，在基板支撑件500A处于回缩位置时，升降杆300的第一长度514延伸到基板支撑件的顶面526上方到工艺容积516中，并且升降杆300的第二长度512保持在基板支撑件500A内部。在一个或多个示例中，第一长度514为升降杆300的升降杆长度306的从约15％到约50％。在其他的示例中，第一长度514为升降杆长度306的从约25％到约40％。在基板支撑件500A被从图5B中的伸展位置致动到图5C中的回缩位置时，保持机构108的移动构件136保持与颈缩区域308接触，以将升降杆300固定在升降杆固持器100内。
尽管图5B和图5C中示出了基板支撑件的两个位置，但也可以预期其他的位置，使得可以将升降杆固持器组件524中的升降杆300的不同长度升高到陶瓷构件538的顶面526上方。
因此，使用本文中所讨论的系统和方法，可以在升降杆固持器组装在基板支撑件中时将升降杆插入到升降杆固持器中并固定到升降杆固持器。在主体(诸如基板支撑件)例如在基板搬运期间处于伸展位置或处于回缩位置时，升降杆保持经由保持机构固定到升降杆固持器。升降杆固持器中的保持机构进一步允许在不拆卸基板支撑件的情况下且在不损伤升降杆固持器或周围元件的情况下释放和替换基板支撑件中的升降杆。本文中所讨论的升降杆固持器组件进一步配置为承受高达500℃的温度，从而使得能够跨配置为执行约500℃的量级的操作的各种工艺腔室使用升降杆固持器组件。
本公开内容的实施例进一步与以下段落1-16中的任何一者或多者相关：
1.一种升降杆固持器，包括：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，所述基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，所述第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，并且弹簧加载构件被设置在第二孔腔中的每一者内。
2.一种组件，包括：升降杆，包括：具有细长部分长度和细长部分直径的细长部分；以及与细长部分相邻且具有锁定机构的第二部分；以及升降杆固持器，包括：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，所述基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，所述第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，弹簧加载构件被设置在第二孔腔中的每一者内。
3.一种基板支撑件，包括：升降杆固持器组件，包括：升降杆，包括：具有细长部分长度和细长部分直径的细长部分；以及与细长部分相邻且具有锁定机构的第二部分；以及升降杆固持器，包括：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，所述基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，所述第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，并且弹簧加载构件被设置在第二孔腔中的每一者内；以及耦接到升降杆固持器的基部的构件。
4.如段落1-3中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中第一孔腔包括顶盖中的锥形直径和基部中的恒定直径。
5.如段落1-4中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中每个弹簧加载构件包括弹簧和耦接到弹簧的可动元件，所述可动元件包括陶瓷材料。
6.如段落1-5中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中顶盖和基部中的每一者独立地包括不锈钢。
7.如段落1-6中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中多个第二孔腔中的每个第二孔腔相对于相邻的第二孔腔成从约10°到约180°的径向角度。
8.如段落1-7中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中升降杆包括氧化铝，并且其中细长部分包括喇叭形的端部。
9.如段落1-8中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，进一步包括：耦接到升降杆固持器的基部的间隔构件，其中间隔构件、顶盖、以及基部中的每一者独立地包括不锈钢。
10.如段落1-9中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中升降杆固持器的顶盖具有第一孔腔直径，并且基部具有第二孔腔直径。
11.如段落1-10中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中升降杆的第二部分具有颈缩区域，所述颈缩区域的减小的直径小于细长部分直径，颈缩区域与锁定机构相邻。
12.如段落11所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中弹簧加载构件的可动元件与升降杆的颈缩区域接触。
13.如段落1-12中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中第一孔腔的最小直径大于升降杆的细长部分直径。
14.如段落1-13中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中升降杆的第二部分具有与锁定机构相邻的颈缩区域，所述颈缩区域具有小于细长部分直径的直径。
15.如段落1-14中的任一者所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中在基板支撑件处于伸展位置时，每个弹簧加载构件的每个可动元件与升降杆的颈缩区域接合。
16.如段落15所述的升降杆固持器、组件、和/或基板支撑件，其中在基板支撑件处于回缩位置时，升降杆的细长部分的第一长度定位在基板支撑件的顶面上方，并且升降杆的细长部分的与第一长度相邻的第二长度保持在升降杆固持器的第一孔腔内部，升降杆与处于基板支撑件的回缩位置的升降杆固持器接合。
尽管上述内容是针对本公开内容的实施例，但也可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计其他和进一步实施例，并且本公开内容的范围由所附权利要求确定。本文中所述的所有文件以引用方式并入本文中，包括任何优先权文件和/或测试程序，条件是它们与本文不矛盾。如根据前述的一般描述和具体实施例显而易见的，尽管已经说明和描述了本公开内容的形式，但也可以在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下做出各种修改。因此，本公开内容不旨在受限于此。同样地，就美国法律而言，术语“包括(comprising)”被认为与术语“包括(including)”同义。同样地，每当组合物、元素、或一组元素的前面加上过渡短语“包括(comprising)”时，应理解，我们也考虑在组合物、元素、或多个元素的叙述的前面加上过渡短语“基本上由……组成”、“由……组成”、“选自由……组成的组”、或“是(is)”的相同组合物或元素组，反之亦然。
已经使用一组数值上限和一组数值下限来描述某些实施例和特征。应理解，除非另有指示，否则考虑了包括任何两个值的组合(例如任何下限值与任何上限值的组合、任何两个下限值的组合、和/或任何两个上限值的组合)的范围。某些下限、上限、以及范围出现在下面的一个或多个权利要求中。

Claims (15)

1.一种升降杆固持器，包括：
顶盖，所述顶盖具有第一外径；
基部，所述基部耦接到所述顶盖，所述基部具有第二外径；
第一孔腔，所述第一孔腔轴向地穿过所述顶盖和所述基部形成，所述第一孔腔具有侧壁；以及
多个第二孔腔，所述多个第二孔腔从所述第一孔腔的所述侧壁延伸到所述基部的外表面，并且弹簧加载构件被设置在所述第二孔腔中的每一者内。
2.如权利要求1所述的升降杆固持器，其中所述第一孔腔包括所述顶盖中的锥形直径和所述基部中的恒定直径。
3.如权利要求1所述的升降杆固持器，其中每个弹簧加载构件包括弹簧和耦接到所述弹簧的可动元件，所述可动元件包括陶瓷材料。
4.如权利要求1所述的升降杆固持器，其中所述多个第二孔腔中的每个第二孔腔相对于相邻的第二孔腔成从约10°到约180°的径向角度。
5.一种组件，包括：
升降杆，包括：
细长部分，所述细长部分具有细长部分长度和细长部分直径；以及
第二部分，所述第二部分与所述细长部分相邻且具有锁定机构；以及
升降杆固持器，包括：
顶盖，所述顶盖具有第一外径；
基部，所述基部耦接到所述顶盖，所述基部具有第二外径；
第一孔腔，所述第一孔腔轴向地穿过所述顶盖和所述基部形成，所述第一孔腔具有侧壁；以及
多个第二孔腔，所述多个第二孔腔从所述第一孔腔的所述侧壁延伸到所述基部的外表面，弹簧加载构件被设置在所述第二孔腔中的每一者内。
6.如权利要求5所述的组件，其中所述升降杆包括氧化铝，并且其中所述细长部分包括喇叭形的端部。
7.如权利要求5所述的组件，进一步包括：间隔构件，所述间隔构件耦接到所述升降杆固持器的所述基部，其中所述间隔构件、所述顶盖、以及所述基部中的每一者独立地包括不锈钢。
8.如权利要求5所述的组件，其中所述升降杆固持器的所述顶盖具有第一孔腔直径，并且所述基部具有第二孔腔直径。
9.如权利要求5所述的组件，其中所述升降杆的所述第二部分具有颈缩区域，所述颈缩区域的减小的直径小于所述细长部分直径，所述颈缩区域与所述锁定机构相邻。
10.如权利要求9所述的组件，其中所述弹簧加载构件的所述可动元件与所述升降杆的所述颈缩区域接触。
11.如权利要求10所述的组件，其中所述多个第二孔腔中的每个第二孔腔相对于相邻的第二孔腔成约10°到约180°的径向角度。
12.如权利要求5所述的组件，其中所述第一孔腔的最小直径大于所述升降杆的所述细长部分直径。
13.一种基板支撑件，包括：
升降杆固持器组件，包括：
升降杆，包括：
细长部分，所述细长部分具有细长部分长度和细长部分直径；以及
第二部分，所述第二部分与所述细长部分相邻且具有锁定机构；以及
升降杆固持器，包括：
顶盖，所述顶盖具有第一外径；
基部，所述基部耦接到所述顶盖，所述基部具有第二外径；
第一孔腔，所述第一孔腔轴向地穿过所述顶盖和所述基部形成，所述第一孔腔具有侧壁；以及
多个第二孔腔，所述多个第二孔腔从所述第一孔腔的所述侧壁延伸到所述基部的外表面，并且弹簧加载构件被设置在所述第二孔腔中的每一者内；以及
构件，所述构件耦接到所述升降杆固持器的所述基部。
14.如权利要求13所述的基板支撑件，其中在所述基板支撑件处于伸展位置时，每个弹簧加载构件的每个可动元件与所述升降杆的所述颈缩区域接合。
15.如权利要求14所述的基板支撑件，其中在所述基板支撑件处于回缩位置时，所述升降杆的所述细长部分的第一长度定位在所述基板支撑件的顶面上方，并且所述升降杆的所述细长部分的与所述第一长度相邻的第二长度保持在所述升降杆固持器的所述第一孔腔内部，所述升降杆与处于所述基板支撑件的所述回缩位置的所述升降杆固持器接合。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116246992A (zh) * 2021-12-08 2023-06-09 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102492991B1 (ko) * 2018-03-27 2023-01-30 배트 홀딩 아게 지지 핀을 수용하고 해제하기 위한 커플링을 갖는 핀 리프팅 장치
DE102020123556A1 (de) * 2020-09-11 2022-03-17 Mbs Ag Vorrichtung zur Montage mindestens eines Stromleiters in einen Sensor und Stromsensor
TWI831544B (zh) * 2021-12-31 2024-02-01 南韓商細美事有限公司 升降銷單元、包括其的基板支撐單元及基板處理設備

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29709988U1 (de) * 1997-06-09 1997-08-14 Hoechst Ag, 65929 Frankfurt Leicht lösbare Arretierung für Abdeckhauben von Maschinen mit bewegten Teilen
US6984097B1 (en) * 1999-06-28 2006-01-10 Tokyo Electron Limited Mounting/demounting device for wafer carrier lid
CN103639100A (zh) * 2011-09-22 2014-03-19 迪士博机械制造有限公司 型材涂覆机
CN106653674A (zh) * 2015-11-04 2017-05-10 应用材料公司 用于消除四乙氧基硅烷氧化膜中的局部厚度不均匀性的增强升降杆设计
US20180090363A1 (en) * 2016-09-29 2018-03-29 Lam Research Corporation Lift pin holder with spring retention for substrate processing systems

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2804003B2 (ja) * 1995-04-06 1998-09-24 日本ピラー工業株式会社 半導体ウエハーの熱処理装置
DE19728273C1 (de) * 1997-07-02 1998-12-10 Fuss Fritz Gmbh & Co Verriegelungseinrichtung für Möbel
JPH1164177A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Shinku Kogaku Kk 真空チャンバー用のトランスファー装置
JP3559176B2 (ja) 1998-09-25 2004-08-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置および基板処理装置
KR101381207B1 (ko) * 2007-05-31 2014-04-04 주성엔지니어링(주) 가동부재를 가지는 기판지지핀 홀더 및 이를 포함하는기판처리장치
KR101433864B1 (ko) * 2007-11-30 2014-09-01 주성엔지니어링(주) 기판 승강 장치
US20110164955A1 (en) * 2009-07-15 2011-07-07 Applied Materials,Inc. Processing chamber with translating wear plate for lift pin
US10262887B2 (en) * 2016-10-20 2019-04-16 Lam Research Corporation Pin lifter assembly with small gap

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29709988U1 (de) * 1997-06-09 1997-08-14 Hoechst Ag, 65929 Frankfurt Leicht lösbare Arretierung für Abdeckhauben von Maschinen mit bewegten Teilen
US6984097B1 (en) * 1999-06-28 2006-01-10 Tokyo Electron Limited Mounting/demounting device for wafer carrier lid
CN103639100A (zh) * 2011-09-22 2014-03-19 迪士博机械制造有限公司 型材涂覆机
CN106653674A (zh) * 2015-11-04 2017-05-10 应用材料公司 用于消除四乙氧基硅烷氧化膜中的局部厚度不均匀性的增强升降杆设计
US20180090363A1 (en) * 2016-09-29 2018-03-29 Lam Research Corporation Lift pin holder with spring retention for substrate processing systems

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116246992A (zh) * 2021-12-08 2023-06-09 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘
CN116246992B (zh) * 2021-12-08 2024-05-10 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘

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