CN112885969A - 一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法 - Google Patents
一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112885969A CN112885969A CN202110328528.1A CN202110328528A CN112885969A CN 112885969 A CN112885969 A CN 112885969A CN 202110328528 A CN202110328528 A CN 202110328528A CN 112885969 A CN112885969 A CN 112885969A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- light
- ligand
- functional layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 251
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 152
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 104
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 92
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 29
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 18
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- -1 siloxane chains Chemical group 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910008326 Si-Y Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006773 Si—Y Inorganic materials 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法。
背景技术
量子点(QD)作为新型的发光材料,具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点,成为目前新型LED发光材料的研究热点。因此,以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
量产中,QD的图形化主要是喷墨打印工艺,但是受到设备限制,其分辨率受限在200ppi以下,因此需要更高分辨率的图形化方法。传统的光刻工艺进行图案化的方法分为直接法和间接法。间接法通常需要借用光刻胶形成像素凹槽,涂布量子点后再进行光刻胶剥离,此方法一般会有光刻胶的残留,影响器件电学性能。直接法是通过将量子点配体中引入光交联基团,使得配体在一定条件下交联,改变其溶解性,从而在特定地方留下量子点。
但现有技术通过间接法形成图案化量子点膜层后,存在载流子传输受阻,器件电学性能降低,发光效率降低的问题。
发明内容
本发明提供一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法,以解决现有技术中在对量子点膜层进行图案化后,会存在载流子传输受阻,器件电学性能降低,发光效率降低的问题。
本发明实施例提供一种量子点材料,包括:量子点本体,连接体,以及第一配体;所述连接体的一端与所述量子点本体连接,另一端与所述第一配体连接;所述第一配体包括以下之一或组合:
其中,R包括以下之一或组合:
烷基链;
芳香环;
杂环。
在一种可能的实施方式中,所述连接体包括第一连接结构,以及第二连接结构;所述第一连接结构的一端与所述量子点本体连接,另一端与所述第二连接结构的一端连接;所述第二连接结构的另一端与所述第一配体连接。
在一种可能的实施方式中,所述第一连接结构包括以下之一:
-SH;
-COOH;
-NH2。
在一种可能的实施方式中,所述第二连接结构包括烷基链。
本发明实施例还提供一种量子点发光器件,包括:衬底基板,位于所述衬底基板一侧且具有多个图案部的量子点膜层;其中,所述图案部包括本发明实施例提供的所述量子点材料。
在一种可能的实施方式中,所述图案部的所述第一配体经第一波段光照射时由所述图案部内的不同所述第一配体发生交联,并在第二波段光照射时解交联形成。
在一种可能的实施方式中,所述衬底基板与所述量子点膜层之间还具有功能层;所述功能层面向所述量子点膜层的一侧连接有硅氧烷体,以及与所述硅氧烷体连接的第二配体;
所述图案部的所述第一配体与对应区域的所述第二配体相同。
在一种可能的实施方式中,所述图案部的所述第一配体经与对应区域的所述第二配体在第一波段光照射时发生交联,并在第二波段光照射时发生解交联形成。
在一种可能的实施方式中,所述量子点发光器件包括至少两种出光颜色不同的所述图案部,所有所述图案部的所述第一配体相同,所述功能层的所有所述第二配体相同。
在一种可能的实施方式中,所述量子点发光器件包括至少两种出光颜色不同的所述图案部,出光颜色相同的所述图案部的所述第一配体相同,出光颜色不同的所述图案部的所述第一配体不同。
在一种可能的实施方式中,所述衬底基板与所述功能层之间设置有第一电极层,所述量子点膜层的背离所述功能层的一侧设置有第二电极层。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如本发明实施例提供的所述量子点发光器件。
本发明实施例提供一种如本发明实施例提供的所述量子点发光器件的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部;
对全部所述图案部采用第二波段光照射,以使全部所述图案部发生解交联。
在一种可能的实施方式中,所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部,包括:
在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜内不同第一配体之间发生交联,形成多个图案部。
在一种可能的实施方式中,在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜之前,所述制作方法还包括:在所述衬底基板的一侧形成功能层,其中,所述功能层在背离所述衬底基板一面连接有硅氧烷体,以及与所述硅氧烷体连接的第二配体;
所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部,包括:
在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体,与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,形成多个图案部。
在一种可能的实施方式中,所述在所述衬底基板的一侧形成功能层,包括:在所述衬底基板的一侧形成与不同出光颜色的图案部对应相同所述第二配体的功能层;
所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,形成多个图案部,包括:
在形成每一种出光颜色的所述量子点薄膜时,通过掩膜板的遮挡,采用所述第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,去除未发生交联的所述量子点薄膜,形成一种出光颜色的多个所述图案部;
重复以上步骤多次,以形成多种出光颜色的所述图案部。
在一种可能的实施方式中,所述在所述衬底基板的一侧形成功能层,包括:在所述衬底基板的一侧形成与不同出光颜色的图案部对应不同所述第二配体的功能层;
所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,形成多个图案部,包括:
形成多种出光颜色不同的量子点薄膜;
通过一次所述第一波段光照射,以使不同区域的所述功能层的所述第二配体与对应区域的所述量子点薄膜的所述第一配体发生交联;
去除未发生交联的所述量子点薄膜,形成多个图案部。
本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的量子点材料,其中的第一配体为可逆光响应交联体系,可以在第一波段的光照射时,发生交联,在第二波段的光照射时,发生解交联,进而在通过本发明实施例提供的量子点材料形成图案化的量子点膜层时,在图案化过程中,可以通过第一波段的光照射,以使被照射区域发生交联,在后续清洗过程中不易被去除,而未发生交联区域的量子点材料,可以在清洗过程中被去除,实现量子点膜层的图案化,在图案化后,通过第二波段的光照射,可以使发生交联的区域进行解交联,进而在实现量子点膜层图案化的同时,也可以避免交联后的结构对载流子传输性能的影响,进而改善现有技术中在对量子点膜层进行图案化后,会存在载流子传输受阻,器件电学性能降低,发光效率降低的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种量子点材料包括的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的量子点器件的结构示意图之一;
图3为本发明实施例提供的量子点器件的结构示意图之二;
图4为本发明实施例提供的量子点器件的结构示意图之三;
图5为本发明实施例提供的量子点器件的结构示意图之四;
图6为本发明实施例提供的量子点器件的制作流程示意图之一;
图7为本发明实施例提供的量子点器件的制作流程示意图之二;
图8为本发明实施例提供的量子点器件的制作流程示意图之三;
图9为本发明实施例提供的量子点膜层内部的交联示意图;
图10为本发明实施例提供的量子点器件的制作流程示意图之四;
图11为本发明实施例提供的量子点器件的制作流程示意图之五。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明,本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
通过间接法形成图案化量子点膜层的过程中,配体交联在一起,通常会改变配体结构,即交联前后配体结构不同,交联体系会对空穴和电子的传输造成一定的阻碍,影响器件的电学性能,同时前期的电学优化结果会在量子点发生交联后不再适用,致使量子点膜层的发光效率降低。
有鉴于此,参见图1,本发明实施例提供一种量子点材料,包括:量子点本体QD,连接体L,以及第一配体Y;连接体L的一端与量子点本体QD连接,另一端与第一配体Y连接;第一配体Y包括以下之一或组合:
其中,R包括以下之一或组合:
烷基链;
芳香环;
杂环。
本发明实施例提供的量子点材料,其中的第一配体为可逆光响应交联体系,可以在第一波段的光照射时,发生交联,在第二波段的光照射时,发生解交联,进而在通过本发明实施例提供的量子点材料形成图案化的量子点膜层时,在图案化过程中,可以通过第一波段的光照射,以使被照射区域发生交联,在后续清洗过程中不易被去除,而未发生交联区域的量子点材料,可以在清洗过程中被去除,实现量子点膜层的图案化,在图案化后,通过第二波段的光照射,可以使发生交联的区域进行解交联,进而在实现量子点膜层图案化的同时,也可以避免交联后的结构对载流子传输性能的影响,进而改善现有技术中在对量子点膜层进行图案化后,会存在载流子传输受阻,器件电学性能降低,发光效率降低的问题。
在一种可能的实施方式中,结合图1所示,连接体L包括第一连接结构X,以及第二连接结构Z;第一连接结构X的一端与量子点本体QD连接,另一端与第二连接结构Z的一端连接;第二连接结构Z的另一端与第一配体Y连接。
在一种可能的实施方式中,第一连接结构X可以包括以下之一:
-SH;
-COOH;
-NH2。
本发明实施例中,第一连接结构X可以包括-SH,-COOH或-NH2,可以实现与量子点本体QD的连接。
在一种可能的实施方式中,第二连接结构Z可以包括烷基链。或者,第二连接结构Z也可以包括其他碳骨架。
基于同一发明构思,参见图2所示,本发明实施例还提供一种量子点发光器件,包括:衬底基板1,位于衬底基板1一侧且具有多个图案部20的量子点膜层2;其中,图案部20包括本发明实施例提供的量子点材料,且图案部20的配体经第一波段光照射时发生交联,并在第二波段光照射时解交联形成。所述量子点发光器件可以为电致发光器件,也可以为光致发光器件;具体地,所述量子点发光器件可以为量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,QLED),也可以为量子点光致发光单元(例如,QD-OLED显示装置中的量子点色转换单元)。
在一种可能的实施方式中,量子点发光器件的多个图案部可以为出光颜色相同的图案部,量子点发光器件为出射单色光的量子点器件;量子点发光器件可以包括至少两种出光颜色不同的图案部,例如,结合图2所示,包括出射红光的第一图案部21,出射绿光的第二图案部22,出射蓝光的第三图案部23,量子点发光器件为显示器件。
在具体实施时,图案部20可以是通过量子点膜层自身内部不同量子点本体的第一配体发生交联,进而图案化形成,也可以是通过量子点膜层的第一配体与功能层的第二配体发生交联,进而图案化形成。
具体的,在一种可能的实施方式中,图案部20的第一配体Y经第一波段光照射时由图案部20内的不同第一配体发生交联,并在第二波段光照射时解交联形成。本发明实施例中,可以通过量子点膜层内部的不同第一配体在第一波段光照射时进行交联,以实现量子点膜层的图案化。
具体的,在一种可能的实施方式中,结合图3和图4所示,衬底基板1与量子点膜层2之间还具有功能层3;功能层3面向量子点膜层2的一侧连接有硅氧烷体A,以及与硅氧烷体A连接的第二配体Y’;图案部20的第一配体Y与对应区域的第二配体Y’相同,图案部20的第一配体Y经与对应区域的第二配体Y’在第一波段光照射时发生交联,并在第二波段光照射时发生解交联形成。具体的,对应区域可以理解为,功能层3的与图案部20相正对的区域。本发明实施例中,衬底基板1与量子点膜层2之间还具有功能层3,在对量子点膜层2进行图案化的过程中,可以通过使量子点膜层2与功能层3之间发生交联,进而实现量子点膜层的图案化;此外,功能层3面向量子点膜层2的一侧设置的硅氧烷体A,可以实现在功能层3的表面形成第二配体Y’。
具体的,功能层3在未与硅氧烷体A连接之前,可以是表面具有-OH基团的功能层,例如,该功能层3具体可以为电子传输层,该电子传输层的材料具体可以为纳米粒子或者溅射薄膜,材料可以是ZnO,也可是各种金属掺杂的ZnO(掺杂的金属可以是Mg、Al、Li、Y、Zr、Sn、In、Ga、Cu等),电子传输层表面可以具有-OH基团,-OH基团可以与连接有第二配体Y’的硅氧烷基链(HO-Si-Y’)结合,形成硅氧烷体A;又例如,该功能层3具体也可以为空穴传输层,该空穴传输层的材料具体可以为无机的氧化镍、氧化钒、氧化钼、氧化钨、氧化石墨烯等,空穴传输层表面可以具有-OH基团,-OH基团可以与连接有第二配体Y’的硅氧烷基链(HO-Si-Y’)结合,形成硅氧烷体A。
在一种可能的实施方式中,结合图3所示,量子点发光器件包括至少两种出光颜色不同的图案部,所有图案部的第一配体Y相同,功能层2的所有第二配体Y’相同。本发明实施例中,所有图案部的第一配体Y相同,功能层2的所有第二配体Y’相同,可以在形成每一种出光颜色的图案部时,通过掩膜板遮挡,照射一次第一波段的光,实现该种颜色被照射区域的量子点膜层2的第一配体Y与功能层3的第二配体Y’的交联,对该种颜色的量子点膜层2进行图案化,其它颜色的图案部,可以依次形成。
在一种可能的实施方式中,结合图4所示,量子点发光器件包括至少两种出光颜色不同的图案部,出光颜色相同的图案部的第一配体Y相同,出光颜色不同的图案部的第一配体Y不同,例如,如图4所示,出射红光的第一图案部21的配体均为Y1,出射绿光的第二图案部22的配体均为Y2,出射蓝光的第三图案部23的配体均为Y3;出射红光的第一图案部21的第一配体Y(Y1)与出射绿光的第二图案部22的第一配体Y(Y2)不同,出射红光的第一图案部21的第一配体Y(Y1)与出射蓝光的第三图案部23的第一配体Y(Y3)不同,出射绿光的第二图案部22的第一配体Y(Y2)与出射蓝光的第三图案部23的第一配体Y(Y3)不同。本发明实施例中,出光颜色不同的图案部的第一配体Y不同,可以在形成多个出光颜色不同的图案部时,先在功能层3的与出光颜色不同的图案部对应的区域形成相应的第二配体Y’(例如,在功能层3的与第一图案部21对应的区域形成的第二配体Y’为Y1,在功能层3的与第二图案部22对应的区域形成的第二配体Y’为Y2,在功能层3的与第三图案部22对应的区域形成的第二配体Y’为Y3,之后,可以通过一次性涂布含有出射红光的量子点材料,含有出射绿光的量子点材料,以及含有出射蓝光的量子点材料,通过一次第一波段的光照射,可以使功能层3的第二配体Y’(Y1)与出射红光的量子点材料中含有的第一配体Y(Y1)交联,功能层3的第二配体Y’(Y12)与出射绿光的量子点材料中含有的第一配体Y(Y2)交联,功能层3的第二配体Y’(Y3)与出射蓝光的量子点材料中含有的第一配体Y(Y3)交联,可以简化形成多种不同出光颜色图案部的制作工序。
在一种可能的实施方式中,结合图5所示,衬底基板1的面向功能层3的一侧还可以设置有第一电极层51,量子点膜层2的背离功能层3的一侧还可以设置有第二电极层52;具体的,量子点发光器件可以为倒置QLED器件,第一电极层51可以为阴极层,第二电极层52可以为阳极层,功能层3可以为电子传输层,功能层3与第一电极层51之间还可以设置有电子注入层6,量子点膜层2与第二电极层52之间还可以设置有空穴传输层8,空穴传输层8与第二电极层52之间还可以设置有空穴注入层7。具体的,量子点发光器件也可以为正置QLED器件,第一电极层51也可以为阳极层,第二电极层52也可以为阴极层,功能层3也可以为空穴传输层,功能层3与第一电极层51之间还可以设置有空穴注入层,量子点膜层2与第二电极层52之间还可以设置有电子传输层,电子传输层与第二电极层52之间还可以设置有空穴注入层。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如本发明实施例提供的量子点发光器件。
基于同一发明构思,本发明实施例提供一种如本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法,参见图6所示,包括:
步骤S100、提供一衬底基板;
步骤S200、在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部;
步骤S300、对全部图案部采用第二波段光照射,以使全部图案部发生解交联。
在一种可能的实施方式中,可以通过量子点膜层内部的不同配体之间交联以实现量子点膜层的图案化,具体的,关于步骤200,在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部,包括:
在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的量子点薄膜内不同配体之间发生交联,形成多个图案部。
在一种可能的实施方式中,也可以通过量子点膜层的第一配体与功能层的第二配体交联以实现量子点膜层的图案化,具体的,参见图7所示,在步骤S200之前,在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜之前,制作方法还包括:步骤S400、在衬底基板的一侧形成功能层,其中,功能层在背离衬底基板一面连接有硅氧烷体,以及与硅氧烷体连接的第二配体;
相应的,关于步骤S200,在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部,包括:在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的量子点薄膜的配体,与对应区域功能层的第二配体发生交联,形成多个图案部。
在一种可能的实施方式中,在形成不同出光颜色的图案部时,可以是每形成一种出光颜色的量子点薄膜时,采用第一波段的光照射一次,形成该出光颜色的图案部,具体的,关于步骤S400、在衬底基板的一侧形成功能层,包括:在衬底基板的一侧形成与不同出光颜色的图案部对应相同第二配体的功能层;
相应的,关于步骤S200、在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的量子点薄膜的第一配体与对应区域功能层的第二配体发生交联,形成多个图案部,包括:在形成每一种出光颜色的量子点薄膜时,通过掩膜板的遮挡,采用第一波段光照射,以使被照射区域的量子点薄膜的第一配体与对应区域功能层的第二配体发生交联,去除未发生交联的量子点薄膜,形成一种出光颜色的多个图案部;
重复以上步骤多次,以形成多种出光颜色的图案部。
在一种可能的实施方式中,在形成不同出光颜色的图案部时,可以是一次性形成含有多种出光颜色的量子点膜层,通过一次性第一波段的光照射,以形成具有多种不同出光颜色的图案部,具体的,关于步骤S400、在衬底基板的一侧形成功能层,包括:在衬底基板的一侧形成与不同出光颜色的图案部对应不同第二配体的功能层;
在衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的量子点薄膜的第一配体与对应区域功能层的第二配体发生交联,形成多个图案部,包括:
形成多种出光颜色不同的量子点薄膜;
通过一次第一波段光照射,以使不同区域的功能层的第二配体与对应区域的量子点薄膜的配体发生交联;
去除未发生交联的量子点薄膜,形成多个图案部。
为了更清楚地理解本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法,以下进行进一步详细说明如下:
实施例1:结合如图8所示:
步骤一、沉积出射红光的红色量子点薄膜RQD,在掩膜板的遮挡下,用300nm~350nm的第一波段光照射(例如,具体可以为300nm的光),以使被光照区域的量子点薄膜内部的不同第一配体交联,如图9所示,之后,进行清洗,发生交联的区域在清洗过程中,量子点薄膜不易被去除,没有被光照,进而没有发生交联的区域,量子点薄膜被去除,进而实现红色量子点薄膜RQD的图案化;
步骤二、沉积出射绿光的绿色量子点薄膜GQD,在掩膜板的遮挡下,用300nm的光照射,以使被光照区域的量子点薄膜内部的不同第一配体交联,之后,进行清洗,发生交联的区域在清洗过程中,量子点薄膜不易被去除,没有被光照,进而没有发生交联的区域,量子点薄膜被去除,进而实现绿色量子点薄膜GQD的图案化;
步骤三、沉积出射蓝光的蓝色量子点薄膜BQD,在掩膜板的遮挡下,用300nm的光照射,以使被光照区域的量子点薄膜内部的不同第一配体交联,之后,进行清洗,发生交联的区域在清洗过程中,量子点薄膜不易被去除,没有被光照,进而没有发生交联的区域,量子点薄膜被去除,进而实现蓝色量子点薄膜BQD的图案化;
步骤四、采用250nm~260nm的第二波段的光(具体的,例如,采用254nm的光)整体照射,使量子点恢复本来结构。
实施例2,结合图10所示,通过量子点的第一配体和功能层3的第二配体作用,进行交联和解交联反应;
步骤一、在功能层(具体可以为电子传输层ET)的背离衬底基板(基底)的一侧形成末端含有第二配体(第二配体具体可以与量子点膜层的第一配体Y相同)的硅氧烷体;
步骤二、涂布量子点薄膜,量子点薄膜同样末端含有第一配体Y;
步骤三、使用一定图案的掩膜板,采用300nm的光照射,使得被光照区域的功能层的第二配体与量子点薄膜的第一配体交联;
步骤四、溶剂洗去未发生交联的量子点薄膜,形成图案化;
步骤五、重复步骤二至步骤四,在其余子像素形成所需颜色的量子点;
步骤六、量子点膜层全部图案化完成后,采用254nm的光照射,使得交联的Y-Y结构解交联,恢复原有结构。
实施例3,如图11所示,红、绿、蓝量子点第一配体分别用含有Y1、Y2、Y3的体系,分别与功能层中含有Y1、Y2、Y3的第二配体部位特异性结合,一次性形成红、绿、蓝图案化的量子点;
步骤一、采用喷墨打印或其它图案化方式在红、绿、蓝子像素中的功能层(具体可以为电子传输层ET)的背离衬底基板的一侧形成自组装单分子层,其成分包括硅氧烷基链,末端分别含有Y1、Y2、Y3基团;具体的,功能层不同子像素中分别沉积不同自组装单分子层的方式可以为:步骤1、涂布一层光刻胶,曝光显影之后,将红色子像素区域暴露,蓝、绿子像素区域仍被光刻胶覆盖,涂布含有Y1基团的硅氧烷基链溶液,待其与基底结合形成所需自组装单分子层后,剥离光刻胶;步骤2、重复步骤1,分别在绿、蓝子像素中沉积含有Y2、Y3基团的自组装单分子层;
步骤二、一次性涂布红绿蓝量子点,具体的,可以是将不同出光颜色的量子点直接混合在一起;红、绿、蓝量子点的第一配体分别用含有Y1、Y2、Y3的体系;
步骤三、采用300nm的第一波段的光照射,红、绿、蓝子像素区域内,分别只有Y1-Y1、Y2-Y2、Y3-Y3末端交联,从而在红、绿、蓝子像素内只有绿、蓝量子点与功能层结合;
步骤四、溶剂洗去像素内未交联量子点,形成图案化;
步骤五、量子点全部图案化完成后,254nm的光照射,使得交联的结构解交联,恢复原有结构。
本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的量子点材料,其中的第一配体为可逆光响应交联体系,可以在第一波段的光照射时,发生交联,在第二波段的光照射时,可以发生解交联,进而在通过本发明实施例提供的量子点材料形成图案化的量子点膜层时,在图案化过程中,可以通过第一波段的光照射,以使被照射区域发生交联,在后续清洗过程中不易被去除,而未发生交联区域的量子点材料,可以在清洗过程中被去除,实现量子点膜层的图案化,在图案化后,通过第二波段的光照射,可以使发生交联的区域进行解交联,进而在实现量子点膜层图案化的同时,也可以避免交联后的结构对载流子传输性能的影响,进而改善现有技术中在对量子点膜层进行图案化后,会存在载流子传输受阻,器件电学性能降低,发光效率降低的问题。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (17)
2.如权利要求1所述的量子点材料,其特征在于,所述连接体包括第一连接结构,以及第二连接结构;所述第一连接结构的一端与所述量子点本体连接,另一端与所述第二连接结构的一端连接;所述第二连接结构的另一端与所述第一配体连接。
3.如权利要求2所述的量子点材料,其特征在于,所述第一连接结构包括以下之一:
-SH;
-COOH;
-NH2。
4.如权利要求2所述的量子点材料,其特征在于,所述第二连接结构包括烷基链。
5.一种量子点发光器件,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板一侧且具有多个图案部的量子点膜层;其中,所述图案部包括如权利要求1-4任一项所述的量子点材料。
6.如权利要求5所述的量子点发光器件,其特征在于,所述图案部的所述第一配体经第一波段光照射时由所述图案部内的不同所述第一配体发生交联,并在第二波段光照射时解交联形成。
7.如权利要求5所述的量子点发光器件,其特征在于,所述衬底基板与所述量子点膜层之间还具有功能层;所述功能层面向所述量子点膜层的一侧连接有硅氧烷体,以及与所述硅氧烷体连接的第二配体;
所述图案部的所述第一配体与对应区域的所述第二配体相同。
8.如权利要求7所述的量子点发光器件,其特征在于,所述图案部的所述第一配体经与对应区域的所述第二配体在第一波段光照射时发生交联,并在第二波段光照射时发生解交联形成。
9.如权利要求7所述的量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件包括至少两种出光颜色不同的所述图案部,所有所述图案部的所述第一配体相同,所述功能层的所有所述第二配体相同。
10.如权利要求7所述的量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件包括至少两种出光颜色不同的所述图案部,出光颜色相同的所述图案部的所述第一配体相同,出光颜色不同的所述图案部的所述第一配体不同。
11.如权利要求7所述的量子点发光器件,其特征在于,所述衬底基板与所述功能层之间设置有第一电极层,所述量子点膜层的背离所述功能层的一侧设置有第二电极层。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5-11任一项所述的量子点发光器件。
13.一种如权利要求5-11任一项所述的量子点发光器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部;
对全部所述图案部采用第二波段光照射,以使全部所述图案部发生解交联。
14.如权利要求13所述的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部,包括:
在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜内不同第一配体之间发生交联,形成多个图案部。
15.如权利要求13所述的制作方法,其特征在于,在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜之前,所述制作方法还包括:在所述衬底基板的一侧形成功能层,其中,所述功能层在背离所述衬底基板一面连接有硅氧烷体,以及与所述硅氧烷体连接的第二配体;
所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域发生交联,形成多个图案部,包括:
在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体,与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,形成多个图案部。
16.如权利要求15所述的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底基板的一侧形成功能层,包括:在所述衬底基板的一侧形成与不同出光颜色的图案部对应相同所述第二配体的功能层;
所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,形成多个图案部,包括:
在形成每一种出光颜色的所述量子点薄膜时,通过掩膜板的遮挡,采用所述第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,去除未发生交联的所述量子点薄膜,形成一种出光颜色的多个所述图案部;
重复以上步骤多次,以形成多种出光颜色的所述图案部。
17.如权利要求15所述的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底基板的一侧形成功能层,包括:在所述衬底基板的一侧形成与不同出光颜色的图案部对应不同所述第二配体的功能层;
所述在所述衬底基板的一侧形成至少一种出光颜色的量子点薄膜,并通过第一波段光照射,以使被照射区域的所述量子点薄膜的所述第一配体与对应区域所述功能层的所述第二配体发生交联,形成多个图案部,包括:
形成多种出光颜色不同的量子点薄膜;
通过一次所述第一波段光照射,以使不同区域的所述功能层的所述第二配体与对应区域的所述量子点薄膜的所述第一配体发生交联;
去除未发生交联的所述量子点薄膜,形成多个图案部。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110328528.1A CN112885969A (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法 |
US17/517,252 US20220310953A1 (en) | 2021-03-26 | 2021-11-02 | Quantum dot material, quantum dot light-emitting device, display device and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110328528.1A CN112885969A (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112885969A true CN112885969A (zh) | 2021-06-01 |
Family
ID=76042555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110328528.1A Pending CN112885969A (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220310953A1 (zh) |
CN (1) | CN112885969A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023122999A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置 |
WO2023206485A1 (zh) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及制备方法、含有发光材料的溶液、发光装置 |
-
2021
- 2021-03-26 CN CN202110328528.1A patent/CN112885969A/zh active Pending
- 2021-11-02 US US17/517,252 patent/US20220310953A1/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023122999A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置 |
WO2023206485A1 (zh) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及制备方法、含有发光材料的溶液、发光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220310953A1 (en) | 2022-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mei et al. | High-resolution, full-color quantum dot light-emitting diode display fabricated via photolithography approach | |
US11056650B2 (en) | Film of quantum dot, method for patterning the same and quantum dot light emitting device using the same | |
JP5493624B2 (ja) | 画像表示装置及び電子機器 | |
CN112885969A (zh) | 一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置和制作方法 | |
JP6080438B2 (ja) | 有機el装置の製造方法 | |
US20220165952A1 (en) | Nanoparticle, method for patterning nanoparticle layer and light emitting device | |
JP2009087760A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
US10388902B1 (en) | Structure for a high resolution light-emitting device | |
US10333036B2 (en) | Absorptive color conversion film | |
Kim et al. | High-resolution colloidal quantum dot film photolithography via atomic layer deposition of ZnO | |
CN112952014B (zh) | 发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法 | |
CN113292463A (zh) | 交联配体、纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置 | |
CN111903189B (zh) | 发光元件以及发光元件的制造方法 | |
US10079361B2 (en) | Lighting apparatus using organic light-emitting diode and method of fabricating the same | |
CN113690378B (zh) | 量子点发光器件及其制备方法、显示面板 | |
JP5321376B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置、並びに、電子機器 | |
US11672162B2 (en) | Method for patterning quantum dot layer, method for manufacturing light emitting device | |
CN111900256B (zh) | 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 | |
CN109768074B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | |
CN113871544B (zh) | 量子点器件及其制备方法、显示面板 | |
CN114171693B (zh) | 一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2022014887A1 (ko) | 원자층증착법 전구체를 이용한 양자점 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 디스플레이 장치 | |
Okamoto et al. | 61‐1: Invited Paper: Development of Active‐Matrix nanoLED Display with Cadmium Free QDs Patterned by Photolithography Process in the Atmosphere | |
WO2023013013A1 (ja) | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 | |
WO2023181234A1 (ja) | 発光デバイスおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |