CN112865541A - 同步整流控制器、同步整流系统及同步整流控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了同步整流控制器、同步整流系统及同步整流控制方法，同步整流控制器包括开通检测斜率阈值调整模块、斜率采样模块、电压采样模块、控制模块、驱动模块；开通检测斜率阈值调整模块产生可调整的开通检测斜率阈值；电压斜率采样模块采样同步整流MOS管的漏源电压斜率；电压采样模块采样同步整流MOS管的漏源电压；控制模块和驱动模块通过采样得到的漏源电压斜率及漏源电压来控制同步整流MOS管的开通和关断等；本发明能有效防止在DCM、QR等工作模式下因激磁振荡引起的同步整流控制器误开通，从而保护同步整流MOS管和同步整流系统。

Description

同步整流控制器、同步整流系统及同步整流控制方法
技术领域
本发明涉及基本电子电路领域，更为具体的，涉及同步整流控制器、同步整流系统及同步整流控制方法。
背景技术
随着工业社会的不断发展进步，世界各国对节能环保愈加重视，从而催生出一系列更高要求的能效标准来规范电源产品的开发设计，但是在某些大电流输出应用时，一般的反激式拓扑应用中所使用的整流二极管，由于存在导通压降大，耐压低，寄生电阻大等诸多问题，而无法满足更高要求的能效标准。
同步整流电路则是专门针对大电流输出情况进行应用的，它通过采用同步整流MOS管来替代一般应用中的整流二极管，大大增强其耐压能力，而且同步整流MOS管较低的导通电阻，也在降低损耗、提高效率时发挥了重要作用。
目前的同步整流控制方式主要为固定电压开通模式，虽然工作在CCM模式下一切正常，但是在DCM、QR等工作模式下很容易因激磁振荡引起同步整流控制器误开通，所以，振铃过程中的误开通尖刺很容易损坏同步整流MOS管，破坏同步整流系统，这也是许多同步整流控制器不支持CCM、QR等工作模式的重要原因之一。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供同步整流控制器、同步整流系统及同步整流控制方法，能够有效防止在DCM、QR等工作模式下因激磁振荡引起的同步整流控制器误开通，从而保护同步整流MOS管和同步整流系统。
本发明的目的是通过以下方案实现的：
同步整流控制器，包括开通检测斜率阈值调整模块、电压斜率采样模块、电压采样模块、控制模块、驱动模块；
所述开通检测斜率阈值调整模块用于产生可调整的呈斜坡变化的开通检测斜率阈值；
所述电压斜率采样模块用于采样同步整流MOS管的漏源电压斜率；
所述电压采样模块用于采样同步整流MOS管的漏源电压，并将采样电压输入到控制模块；
所述控制模块用于在同步整流MOS管的漏源电压斜率采样电压大于开通检测斜率参考阈值且同步整流MOS管的漏源电压低于第一阈值电压时，产生开通控制信号，以及用于在同步整流MOS管的漏源电压高于第二阈值电压时，产生关断控制信号；其中，所述第一阈值电压低于第二阈值电压；
所述驱动模块用于通过所述开通控制信号驱动同步整流MOS管开通以及根据所述关断控制信号驱动同步整流MOS管关断。
进一步地，所述开通检测斜率阈值调整模块包括斜坡电压产生电路、斜坡幅值调整电路及电平移位电路；
所述斜坡电压产生电路用于产生一个具有设定时间长度的初始斜坡电压；
所述斜坡幅值调整电路用于将所述初始斜坡电压的幅值调整至设定的大小；
所述电平移位电路用于将调幅后的斜坡电压水平移位至设定的电压区间内，作为开通检测斜率阈值。
进一步地，所述电压斜率采样模块包括电压耦合器和电压斜率转换电路；
所述电压耦合器用于采样同步整流MOS管漏源电压斜率；
所述电压斜率转换电路用于输出与电压耦合器采样的电压斜率大小相对应的采样电压。
进一步地，所述控制模块包括开通斜率比较器CMP1、开通电压比较器CMP2、关断电压比较器CMP3及逻辑电路；
所述开通斜率比较器CMP1的同相输入端输入同步整流MOS管漏源电压斜率的采样电压，所述开通斜率比较器CMP1的反相输入端输入开通检测斜率阈值；所述开通电压比较器CMP2的同相输入端输入第一阈值电压，所述开通电压比较器CMP2的反相输入端输入同步整流MOS管漏源电压的采样电压；所述关断电压比较器CMP3的同相输入端输入同步整流MOS管漏源电压的采样电压，所述关断电压比较器CMP3的反相输入端输入第二阈值电压；所述开通斜率比较器CMP1和开通电压比较器CMP2的输出执行与运算后输入到逻辑电路，所述关断电压比较器CMP3的输出输入到逻辑电路；
所述逻辑电路根据开通斜率比较器CMP1、开通电压比较器CMP2、关断电压比较器CMP3的输出信号产生用于驱动模块的开通或关断控制信号。
进一步地，电压耦合器的输入端接同步整流MOS管的漏极，所述电压耦合器的输出端接所述电压斜率转换电路；所述电压斜率转换电路的输出端接开通斜率比较器CMP1的同相输入端。
进一步地，所述电压采样模块将采样电压输入到开通电压比较器CMP2的反相输入端和关断电压比较器CMP3的同相输入端。
进一步地，所述驱动模块用于根据开通或关断控制信号控制驱动管的导通或关断，调节同步整流MOS管的栅极电压，进而实现对同步整流MOS管的控制。
同步整流系统，包括如上任一所述同步整流控制器，以及同步整流MOS管、变压器、输出储能电容；所述同步整流MOS管的漏端分别与所述变压器的副边的一端、所述电压斜率采样模块和电压采样模块连接，所述同步整流MOS管的源端接地，所述同步整流MOS管的栅端连接所述驱动模块，所述变压器的副边的另一端用于对所述输出储能电容进行充电。
同步整流控制方法，包括步骤：
S1：采样同步整流MOS管的漏极电压和源极电压，获取同步整流MOS管漏源电压和同步整流MOS管漏源电压变化斜率；
S2：设定第一阈值电压、第二阈值电压和开通检测斜率阈值电压，并将其与同步整流MOS管漏源电压、同步整流MOS管漏源电压变化斜率进行比较；其中，第一阈值电压小于第二阈值电压；
S3：当同步整流MOS管漏源电压变化斜率大于开通检测斜率阈值电压且同步整流MOS管漏源电压小于第一阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为最大输出电压；当同步整流MOS管漏源电压大于第二阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为零。
进一步地，在步骤S2中，人为设置开通检测斜率阈值在激磁振荡阶段的斜坡宽度和坡度。
本发明的有益效果是：
区别于现有技术的情况，本发明通过在采样同步整流MOS管的漏源电压的基础之上，新增同步整流MOS管的漏源电压斜率采样模块及开通检测斜率阈值调整模块，通过开通检测斜率阈值调整模块把激磁振荡阶段的开通检测斜率阈值调高来避免同步整流控制器误开通，所以即便在DCM、QR等工作模式下，所述同步整流控制器、同步整流系统和同步整流控制方法也不会因激磁振荡而误开通，从而保护同步整流MOS管和同步整流系统。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是采用本发明实施例的同步整流控制器的一种同步整流系统的原理图；
图2是本发明实施例的同步整流控制器的原理图；
图3是图1所示的同步整流系统处于DCM工作模式时，同步整流控制器对同步整流MOS管的栅极电压进行控制的示意图；
图4是本发明实施例的同步整流控制方法的流程图；
图中，1-功率开关管，2-变压器，3-输出储能电容，4-同步整流MOS管，5-同步整流控制器，6-开通检测斜率阈值，51-开通检测斜率阈值调整模块，52-斜率采样模块，53-电压采样模块，54-控制模块，55-驱动模块，541-开通斜率比较器，542-开通电压比较器，543-关断电压比较器，544-逻辑电路。
具体实施方式
本说明书中所有实施例公开的所有特征，或隐含公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合和/或扩展、替换。
如图1～4所示，同步整流控制器、同步整流系统及同步整流控制方法，
同步整流控制器，包括开通检测斜率阈值调整模块、电压斜率采样模块、电压采样模块、控制模块、驱动模块；
所述开通检测斜率阈值调整模块用于产生可调整的呈斜坡变化的开通检测斜率阈值；
所述电压斜率采样模块用于采样同步整流MOS管的漏源电压斜率；
所述电压采样模块用于采样同步整流MOS管的漏源电压，并将采样电压输入到控制模块；
所述控制模块用于在同步整流MOS管的漏源电压斜率采样电压大于开通检测斜率参考阈值且同步整流MOS管的漏源电压低于第一阈值电压时，产生开通控制信号，以及用于在同步整流MOS管的漏源电压高于第二阈值电压时，产生关断控制信号；其中，所述第一阈值电压低于第二阈值电压；
所述驱动模块用于通过所述开通控制信号驱动同步整流MOS管开通以及根据所述关断控制信号驱动同步整流MOS管关断。
进一步地，所述开通检测斜率阈值调整模块包括斜坡电压产生电路、斜坡幅值调整电路及电平移位电路；
所述斜坡电压产生电路用于产生一个具有设定时间长度的初始斜坡电压；
所述斜坡幅值调整电路用于将所述初始斜坡电压的幅值调整至设定的大小；
所述电平移位电路用于将调幅后的斜坡电压水平移位至设定的电压区间内，作为开通检测斜率阈值。
进一步地，所述电压斜率采样模块包括电压耦合器和电压斜率转换电路；
所述电压耦合器用于采样同步整流MOS管漏源电压斜率；
所述电压斜率转换电路用于输出与电压耦合器采样的电压斜率大小相对应的采样电压。
进一步地，所述控制模块包括开通斜率比较器CMP1、开通电压比较器CMP2、关断电压比较器CMP3及逻辑电路；
所述开通斜率比较器CMP1的同相输入端输入同步整流MOS管漏源电压斜率的采样电压，所述开通斜率比较器CMP1的反相输入端输入开通检测斜率阈值；所述开通电压比较器CMP2的同相输入端输入第一阈值电压，所述开通电压比较器CMP2的反相输入端输入同步整流MOS管漏源电压的采样电压；所述关断电压比较器CMP3的同相输入端输入同步整流MOS管漏源电压的采样电压，所述关断电压比较器CMP3的反相输入端输入第二阈值电压；所述开通斜率比较器CMP1和开通电压比较器CMP2的输出执行与运算后输入到逻辑电路，所述关断电压比较器CMP3的输出输入到逻辑电路；
所述逻辑电路根据开通斜率比较器CMP1、开通电压比较器CMP2、关断电压比较器CMP3的输出信号产生用于驱动模块的开通或关断控制信号。
进一步地，电压耦合器的输入端接同步整流MOS管的漏极，所述电压耦合器的输出端接所述电压斜率转换电路；所述电压斜率转换电路的输出端接开通斜率比较器CMP1的同相输入端。
进一步地，所述电压采样模块将采样电压输入到开通电压比较器CMP2的反相输入端和关断电压比较器CMP3的同相输入端。
进一步地，所述驱动模块用于根据开通或关断控制信号控制驱动管的导通或关断，调节同步整流MOS管的栅极电压，进而实现对同步整流MOS管的控制。
同步整流系统，包括如上任一所述同步整流控制器，以及同步整流MOS管、变压器、输出储能电容；所述同步整流MOS管的漏端分别与所述变压器的副边的一端、所述电压斜率采样模块和电压采样模块连接，所述同步整流MOS管的源端接地，所述同步整流MOS管的栅端连接所述驱动模块，所述变压器的副边的另一端用于对所述输出储能电容进行充电。
同步整流控制方法，包括步骤：
S1：采样同步整流MOS管的漏极电压和源极电压，获取同步整流MOS管漏源电压和同步整流MOS管漏源电压变化斜率；
S2：设定第一阈值电压、第二阈值电压和开通检测斜率阈值电压，并将其与同步整流MOS管漏源电压、同步整流MOS管漏源电压变化斜率进行比较；其中，第一阈值电压小于第二阈值电压；
S3：当同步整流MOS管漏源电压变化斜率大于开通检测斜率阈值电压且同步整流MOS管漏源电压小于第一阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为最大输出电压；当同步整流MOS管漏源电压大于第二阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为零。
进一步地，在步骤S2中，人为设置开通检测斜率阈值在激磁振荡阶段的斜坡宽度和坡度。
在本发明的其他实施例中，如图1，它是采用本发明实施例的同步整流控制器的一种同步整流系统的原理图。在本实施例中，同步整流系统包括功率开关管1、变压器2、输出储能电容3、同步整流MOS管4和同步整流控制器5。
如图2，它是采用本发明实施例的同步整流控制器的原理图。在本实施例中，同步整流控制器包括开通检测斜率阈值调整模块51、斜率采样模块52、电压采样模块53、控制模块54和驱动模块55。
开通检测斜率阈值调整模块51包括斜坡电压产生电路、幅值调整电路和电平移位电路；其中，斜坡产生电路产生一个具有合适下降时间的初始斜坡电压；斜坡幅值调整电路及电平移位电路将初始斜坡电压调整至合适的电压区间内，作为开通检测斜率阈值，在DCM、QR等工作模式下可以通过增大开通斜率检测阈值来有效防止同步整流控制器误开通，从而保护整个同步整流系统。
斜率采样模块52用于采样同步整流MOS管漏源电压斜率并输出与斜率大小相对应的采样电压，其包括电压耦合器、斜率转换电路。电压耦合器可以是耐压、电容值满足设计要求的常规电容，但不仅限于此，其它满足要求的斜率采样电路亦可；斜率转换电路则是将电压耦合器采样到的同步整流MOS管漏源电压斜率转换为与斜率大小成正比的电压信号。
电压采样模块53用于采样同步整流MOS管漏源电压。
控制模块54包括开通斜率比较器541、开通电压比较器542、关断电压比较器543和逻辑电路544。当同步整流MOS管的漏源电压斜率的采样电压大于开通检测斜率参考阈值时，开通斜率比较器541输出开通信号VON1；当同步整流MOS管的漏源电压低于第一阈值电压Vth1时，开通电压比较器542产生开通信号VON2，开通信号VON1和开通信号VON2执行与运算后输入逻辑电路544；当同步整流MOS管的漏源电压高于第二阈值电压Vth2时，关断电压比较器543产生关断控制信号VOFF并输入逻辑电路544；最后经逻辑电路544产生开通控制信号和关断控制信号；其中，第一阈值电压Vth1低于第二阈值电压Vth2。
驱动模块55根据控制模块54产生开通控制信号和关断控制信号来驱动内部驱动管，从而达到控制同步整流MOS管栅极电压VGATE的目的，进而实现对同步整流MOS管的控制。
下面将结合图1、图2和图3对同步整流控制器5的工作过程进行说明。如图1所示，电源系统在工作时，控制信号VPWM对功率开关管1进行控制。不论电源系统工作在电流连续状态，电流临界连续状态还是电流断续状态，当功率开关管1开通时，能量被存储在变压器2中，由法拉第定律和楞次定律可知：变压器2的初级侧电感电流逐渐上升，感应电压上端为正下端为负，次级侧电感的感应电压下端为正上端为负，此时同步整流MOS管4的寄生二极管反偏，所以同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS变为高，其幅值等于输出电压与次级侧电感感应电压之和。当功率开关管1关闭时，变压器2的初级侧电感电流逐渐下降，感应电压下端为正上端为负，次级侧电感的感应电压上端为正下端为负，同步整流MOS管4的漏端电压VD迅速降低，同步整流MOS管4的寄生二极管导通，实现续流。在该过程中，如果同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS小于第一阈值电压Vth1且同步整流MOS管4的漏源电压斜率dvDS/dt大于开通检测斜率阈值Kth，控制模块54控制驱动模块55将同步整流MOS管4的栅极电压VGATE调整为最大输出电压，使得同步整流MOS管4迅速开启；如果同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS大于第二阈值电压Vth2，控制模块54控制驱动模块55将同步整流MOS管4的栅极电压VGATE调整为零，同步整流MOS管4关断。
如图3，它是本发明实施例的同步整流系统处于DCM工作模式时，同步整流控制器对同步整流MOS管的栅极电压进行控制的示意图，下面结合图1、图2、图3进行详细说明。
当控制信号VPWN为高时，功率开关管1开通，同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS变为高，其幅值等于输出电压与次级侧电感感应电压之和。
控制信号VPWN由高变为低的过程中，同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS迅速降低，当同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS的下降斜率dvDS/dt大于开通检测斜率阈值Kth时，开通斜率比较器541输出高电平开通控制信号VON1；同时，当同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS下降到第一阈值电压Vth1以下后，开通电压比较器542输出高电平开通控制信号VON2；当开通控制信号VON1和开通控制信号VON2同时为高时，控制模块54控制驱动模块55将同步整流MOS管4的栅极电压VGATE调整为高，同步整流MOS管4导通，实现续流。
当控制信号VPWN为低时，电感电流逐渐降低，当同步整流MOS管4的漏源电压差值VDS大于第二阈值电压Vth2后，关断电压比较器543输出高电平关断控制信号VOFF，关断控制信号VOFF控制驱动模块55将同步整流MOS管4的栅极电压VGATE调整为低，同步整流MOS管关断。当电感电流降到零后，开始激磁振荡，此时为避免激磁振荡而导致同步整流MOS管4误开通，开通检测斜率阈值调整模块51会在振铃阶段产生呈斜坡状的开通检测斜率阈值6，即通过提高开通检测斜率阈值来避免同步整流MOS管的误开通。
如图4，它是本发明实施例的同步整流控制方法的流程图。本实施例的同步整流控制方法包括：
S1：采样同步整流MOS管的漏极电压和源极电压，获取同步整流MOS管漏源电压和同步整流MOS管漏源电压变化斜率。
S2：设定第一阈值电压、第二阈值电压和开通检测斜率阈值电压，并将其与所述同步整流MOS管漏源电压、同步整流MOS管漏源电压变化斜率进行比较，其中，第一阈值电压小于第二阈值电压。
第一阈值电压和第二阈值电压可以是根据经验值设定，也可以是根据同步整流MOS管的具体参数进行设定。
S3：当同步整流MOS管漏源电压变化斜率大于开通检测斜率阈值电压且同步整流MOS管漏源电压小于第一阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为最大输出电压；当同步整流MOS管漏源电压大于第二阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为零。
在本实施例中，不论电源系统工作在电流连续状态，电流临界连续状态或电流断续状态，如果同步整流MOS管漏源电压变化斜率大于开通检测斜率阈值电压且同步整流MOS管漏源电压小于第一阈值电压，则将同步整流MOS管的栅极电压调整为最大输出电压，使得同步整流MOS管迅速开启；如果同步整流MOS管漏源电压大于第二阈值电压，则将同步整流MOS管的栅极电压调整为零，同步整流MOS管关断。
同时，可以根据经验值或依据某种特殊应用要求人为设置开通检测斜率阈值在激磁振荡阶段的斜坡宽度和坡度，从而达到更好的防误开通的屏蔽作用。
通过上述方式，本发明实施例的同步整流控制器及同步整流系统通过检测同步整流MOS管漏源电压变化斜率和同步整流MOS管漏源电压来判定电源系统的工作状态，并对同步整流MOS管进行控制，使系统工作在断续工作模式时也能避免因激磁振荡而误开通，能有效保护同步整流MOS管和同步整流系统，另外，也使效率明显提高、损耗明显降低。
除以上实例以外，本领域技术人员根据上述公开内容获得启示或利用相关领域的知识或技术进行改动获得其他实施例，各个实施例的特征可以互换或替换，本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
本发明功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，在一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)以及相应的软件中执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、或者光盘等各种可以存储程序代码的介质，进行测试或者实际的数据在程序实现中存在于只读存储器(Random Access Memory，RAM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)等。

Claims (10)

1.同步整流控制器，其特征在于，包括开通检测斜率阈值调整模块、电压斜率采样模块、电压采样模块、控制模块、驱动模块；
所述开通检测斜率阈值调整模块用于产生可调整的呈斜坡变化的开通检测斜率阈值；
所述电压斜率采样模块用于采样同步整流MOS管的漏源电压斜率；
所述电压采样模块用于采样同步整流MOS管的漏源电压，并将采样电压输入到控制模块；
所述控制模块用于在同步整流MOS管的漏源电压斜率采样电压大于开通检测斜率参考阈值且同步整流MOS管的漏源电压低于第一阈值电压时，产生开通控制信号，以及用于在同步整流MOS管的漏源电压高于第二阈值电压时，产生关断控制信号；其中，所述第一阈值电压低于第二阈值电压；
所述驱动模块用于通过所述开通控制信号驱动同步整流MOS管开通以及根据所述关断控制信号驱动同步整流MOS管关断。
2.根据权利要求1所述的同步整流控制器，其特征在于，所述开通检测斜率阈值调整模块包括斜坡电压产生电路、斜坡幅值调整电路及电平移位电路；
所述斜坡电压产生电路用于产生一个具有设定时间长度的初始斜坡电压；
所述斜坡幅值调整电路用于将所述初始斜坡电压的幅值调整至设定的大小；
所述电平移位电路用于将调幅后的斜坡电压水平移位至设定的电压区间内，作为开通检测斜率阈值。
3.根据权利要求1所述的同步整流控制器，其特征在于，所述电压斜率采样模块包括电压耦合器和电压斜率转换电路；
所述电压耦合器用于采样同步整流MOS管漏源电压斜率；
所述电压斜率转换电路用于输出与电压耦合器采样的电压斜率大小相对应的采样电压。
4.根据权利要求1～3任一所述的同步整流控制器，其特征在于，所述控制模块包括开通斜率比较器CMP1、开通电压比较器CMP2、关断电压比较器CMP3及逻辑电路；
所述开通斜率比较器CMP1的同相输入端输入同步整流MOS管漏源电压斜率的采样电压，所述开通斜率比较器CMP1的反相输入端输入开通检测斜率阈值；所述开通电压比较器CMP2的同相输入端输入第一阈值电压，所述开通电压比较器CMP2的反相输入端输入同步整流MOS管漏源电压的采样电压；所述关断电压比较器CMP3的同相输入端输入同步整流MOS管漏源电压的采样电压，所述关断电压比较器CMP3的反相输入端输入第二阈值电压；所述开通斜率比较器CMP1和开通电压比较器CMP2的输出执行与运算后输入到逻辑电路，所述关断电压比较器CMP3的输出输入到逻辑电路；
所述逻辑电路根据开通斜率比较器CMP1、开通电压比较器CMP2、关断电压比较器CMP3的输出信号产生用于驱动模块的开通或关断控制信号。
5.根据权利要求4所述的同步整流控制器，其特征在于，电压耦合器的输入端接同步整流MOS管的漏极，所述电压耦合器的输出端接所述电压斜率转换电路；所述电压斜率转换电路的输出端接开通斜率比较器CMP1的同相输入端。
6.根据权利要求4所述的同步整流控制器，其特征在于，所述电压采样模块将采样电压输入到开通电压比较器CMP2的反相输入端和关断电压比较器CMP3的同相输入端。
7.根据权利要求1所述的同步整流控制器，其特征在于，所述驱动模块用于根据开通或关断控制信号控制驱动管的导通或关断，调节同步整流MOS管的栅极电压，进而实现对同步整流MOS管的控制。
8.同步整流系统，其特征在于，包括如上任一所述同步整流控制器，以及同步整流MOS管、变压器、输出储能电容；所述同步整流MOS管的漏端分别与所述变压器的副边的一端、所述电压斜率采样模块和电压采样模块连接，所述同步整流MOS管的源端接地，所述同步整流MOS管的栅端连接所述驱动模块，所述变压器的副边的另一端用于对所述输出储能电容进行充电。
9.同步整流控制方法，其特征在于，包括步骤：
S1：采样同步整流MOS管的漏极电压和源极电压，获取同步整流MOS管漏源电压和同步整流MOS管漏源电压变化斜率；
S2：设定第一阈值电压、第二阈值电压和开通检测斜率阈值电压，并将其与同步整流MOS管漏源电压、同步整流MOS管漏源电压变化斜率进行比较；其中，第一阈值电压小于第二阈值电压；
S3：当同步整流MOS管漏源电压变化斜率大于开通检测斜率阈值电压且同步整流MOS管漏源电压小于第一阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为最大输出电压；当同步整流MOS管漏源电压大于第二阈值电压时，将同步整流MOS管的栅极电压调整为零。
10.根据权利要求9所述的同步整流控制方法，其特征在于，在步骤S2中，人为设置开通检测斜率阈值在激磁振荡阶段的斜坡宽度和坡度。
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