CN112863989A - 等离子体处理装置及测定方法 - Google Patents

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Abstract

所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、电气路径及测定器。基板支承器设置于腔室内。电气路径与搭载在基板支承器上的边缘环连接或电容耦合。测定器构成为通过经由电气路径向搭载在基板支承器上的边缘环施加电压来测定电气特征值。通过测定器所测定的电气特征值为根据边缘环的厚度发生变化的值。

Description

等离子体处理装置及测定方法
技术领域
本公开的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及测定方法。
背景技术
等离子体处理装置用于基板的等离子体处理。在等离子体处理装置的腔室内，基板配置于被边缘环包围的区域。边缘环有时称作聚焦环。
在等离子体处理装置中进行等离子体处理时，消耗边缘环而其厚度减少。随着边缘环的厚度的减少，边缘环上方的护套的上端位置变低。若边缘环上方的护套的上端位置变低，则来自等离子体的离子会以倾斜的角度与基板的边缘碰撞。其结果，在基板的边缘上形成的开口倾斜。日本特开2007-258417号公报公开有为了抑制在基板的边缘上形成的开口的倾斜，向边缘环施加直流电压。
发明内容
本发明提供一种求出反映边缘环的厚度的值的技术。
在一示例性实施方式中，提供有等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、电气路径及测定器。基板支承器设置于腔室内。电气路径与搭载在基板支承器上的边缘环连接或电容耦合。测定器构成为通过经由电气路径向搭载在基板支承器上的边缘环施加电压来测定电气特征值。通过测定器所测定的电气特征值为根据边缘环的厚度发生变化的值。
根据一示例性实施方式，能够求出反映边缘环的厚度的值。
附图说明
图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2是表示一示例性实施方式所涉及的基板支承器、电气路径及测定器的图。
图3是表示第1电极及第2电极的布局的一例的俯视图。
图4是表示包括其他实施方式所涉及的第1电极及第2电极的电气路径的图。
图5是表示第1电极及第2电极的布局的其他例的俯视图。
图6是表示其他示例性实施方式所涉及的基板支承器的图。
图7是表示包括另一其他实施方式所涉及的第1电极及第2电极的电气路径的图。
图8是表示第1电极及第2电极的布局的另一其他例的俯视图。
图9是表示另一其他示例性实施方式所涉及的基板支承器、电气路径及测定器的图。
图10是表示第1触点及第2触点的布局的一例的俯视图。
图11是表示另一其他示例性实施方式所涉及的测定器的图。
图12是表示与自另一其他示例性实施方式所涉及的测定器的2个电压传感器分别延伸的电气路径的边缘环的触点的布局的图。
图13是表示另一其他示例性实施方式所涉及的电气路径的图。
图14是表示另一其他示例性实施方式所涉及的电气路径的俯视图。
图15是表示另一其他示例性实施方式所涉及的调节器及边缘环的图。
图16是表示另一其他示例性实施方式所涉及的调节器及边缘环的图。
图17是一示例性实施方式所涉及的方法的流程图。
具体实施方式
以下，对各种示例性实施方式进行说明。
在一示例性实施方式中，提供有等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、电气路径及测定器。基板支承器设置于腔室内。电气路径与搭载在基板支承器上的边缘环连接或电容耦合。测定器构成为通过经由电气路径向搭载在基板支承器上的边缘环施加电压来测定电气特征值。通过测定器所测定的电气特征值为根据边缘环的厚度发生变化的值。
上述实施方式中，提供一种当边缘环搭载于基板支承器上时，与其边缘环连接或电容耦合的电气路径。测定器通过经由该电气路径向边缘环施加电压来测定根据边缘环的厚度发生变化的该边缘环的电气特征值。因此，根据上述实施方式，能够求出反映边缘环的厚度的值。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置可以还具有构成为控制边缘环的温度的温度控制机构。在该实施方式中，测定器可以构成为获取温度控制机构以将边缘环的温度设定为基准温度的方式进行动作的状态下的边缘环的电气特征值。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置可以还具备构成为获取边缘环的温度测定值的温度传感器。在该实施方式中，电气特征值可以是基准温度下的边缘环的电气特征值。在该实施方式中，测定器可以构成为将通过温度传感器获取的温度测定值中的边缘环的电气特征值转换为基准温度下的边缘环的电气特征值。
在一示例性实施方式中，测定器可以构成为通过经由与边缘环电容耦合的电气路径向边缘环施加交流电压或高频电压来测定电气特征值。
在一示例性实施方式中，电气特征值可以是边缘环的阻抗的实部的值。
在一示例性实施方式中，基板支承器可以具有在其上搭载有一部分边缘环的电介质部。在该实施方式中，电气路径可以包括设置于电介质部内的第1电极及第2电极。在该实施方式中，测定器可以构成为经由与边缘环电容耦合的第1电极及第2电极施加交流电压或高频电压。
在一示例性实施方式中，基板支承器可以还具有下部电极及静电卡盘。静电卡盘能够设置于下部电极上。在该实施方式中，电介质部可以以在下部电极及静电卡盘的各个与腔室的侧壁之间包围下部电极及所述静电卡盘的方式延伸。
在一示例性实施方式中，基板支承器可以具有静电卡盘。电介质部可以构成静电卡盘的一部分。
在一示例性实施方式中，第1电极及第2电极为了在静电卡盘与边缘环之间产生静电引力，可以与1个以上的直流电源电连接。即，在该实施方式中，为了在静电卡盘与边缘环之间产生静电引力而使用的2个电极兼用作为了求出电气特征值而经由它们向边缘环施加电压的2个电极。
在一示例性实施方式中，测定器可以构成为通过经由与边缘环连接的电气路径向边缘环施加直流电压来测定电气特征值。
在一示例性实施方式中，电气特征值可以为边缘环的电阻值。
在一示例性实施方式中，电气路径可以包括在相对于边缘环的中心轴线对称的位置与边缘环接触的第1触点及第2触点。
在一示例性实施方式中，测定器可以具有电流传感器及电压传感器。在该实施方式中，电流传感器构成为设置于电气路径上，测定流过边缘环的电流的电流值。在该实施方式中，电压传感器构成为测定第1触点与第2触点之间的边缘环中的电位差。在该实施方式中，测定器构成为由电位差及电流值求出电阻值。
在一示例性实施方式中，测定器可以具有电流传感器、第1电压传感器及第2电压传感器。在该实施方式中，电流传感器构成为设置于电气路径上，测定流过边缘环的电流的电流值。在该实施方式中，第1电压传感器构成为测定相对于包括第1触点、第2触点及中心轴线的面在一侧延伸的边缘环的第1部分中的第1电位差。在该实施方式中，第2电压传感器构成为测定相对于上述面在另一侧延伸的边缘环的第2部分中的第2电位差。在该实施方式中，测定器构成为由第1电位差与第2电位差的平均值及电流值求出电阻值。
在一示例性实施方式中，测定器可以构成为由电气特征值求出边缘环的厚度或该边缘环的厚度的减少量。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置可以还具备调节器及控制部。在该实施方式中，调节器构成为调节边缘环上方的护套的上端位置。控制部为了抑制在放置于基板支承器上的基板的边缘上形成的开口的倾斜，根据电气特征值或由该电气特征值求出的边缘环的厚度或边缘环的厚度的减少量控制调节器。
在一示例性实施方式中，调节器能通过控制部进行控制，以调节边缘环的上表面的高度方向的位置或边缘环的电位。根据电气特征值或由该电气特征值求出的边缘环的厚度或边缘环的厚度的减少量调节边缘环的上表面的高度方向的位置或边缘环的电位。
在一示例性实施方式中，调节器可以包括为了设定边缘环的电位而与边缘环电连接的电源。在该实施方式中，电气路径可以包括构成为将边缘环与电源或测定器选择性连接的第1开关及第2开关。
在一示例性实施方式中，提供测定方法。测定方法包括在等离子体处理装置的腔室内向搭载于基板支承器上的边缘环施加电压的工序。测定方法还包括通过向边缘环施加该电压，测定根据边缘环的厚度发生变化的边缘环的电气特征值的工序。
以下，参考附图对各种示例性实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对相同或相等的部分标注相同的符号。
图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置1为电容耦合型的离子体处理装置。等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其中提供有内部空间10s。内部空间10s的中心轴线为沿垂直方向延伸的轴线AX。
在一实施方式中，腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。内部空间10s设置于腔室主体12中。腔室主体12例如由铝制成。腔室主体12电接地。在腔室主体12的内壁面，即划分内部空间10s的壁面形成有具有抗等离子体性的膜。该膜可以是通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。
在腔室主体12的侧壁形成有通道12p。当在内部空间10s与腔室10的外部之间被搬运时，基板W穿过通道12p。为了该通道12p的开闭，沿腔室主体12的侧壁设置有闸阀12g。
等离子体处理装置1还具备基板支承器16。基板支承器16构成为在腔室10中支承放置于其上的基板W。基板W具有大致圆盘形状。基板支承器16由支承部17支承。支承部17从腔室主体12的底部沿上方延伸。支承部17具有大致圆筒形状。支承部17由石英之类的绝缘材料形成。
基板支承器16具有下部电极18及静电卡盘20。下部电极18及静电卡盘20设置于腔室10中。下部电极18由铝之类的导电性材料形成，且具有大致圆盘形状。
在下部电极18内形成有流路18f。流路18f是热交换介质用流路。作为热交换介质，使用液态的制冷剂或者通过其气化冷却下部电极18的制冷剂(例如，氯氟烃)。在流路18f上连接有热交换介质的供给装置23(例如，冷却单元)。供给装置23设置于腔室10的外部。热交换介质从供给装置23经由配管23a供给至流路18f。供给至流路18f的热交换介质经由配管23b返回至供给装置23。通过使热交换介质在供給装置23与流路18f之间循环，来调节放置于基板支承器16上的基板W的温度。
图2是表示一示例性实施方式所涉及的基板支承器、电气路径及测定器的图。如图1及图2所示，静电卡盘20设置于下部电极18上。当在内部空间10s中被处理时，基板W放置于静电卡盘20上，由静电卡盘20保持。
静电卡盘20具有主体20m及电极20e。主体20m由氧化铝或氮化铝之类的电介质形成。主体20m具有大致圆盘形状。静电卡盘20的中心轴线为轴线AX。电极20e设置于主体内。电极20e可以是具有导电性的膜。在电极20e上经由开关20s电连接有直流电源20p。当来自直流电源20p的电压施加到电极20e时，在静电卡盘20与基板W之间产生静电引力。通过所产生的静电引力，基板W被吸引到静电卡盘20并由静电卡盘20保持。
在一实施方式中，静电卡盘20可以包括第1区域201及第2区域202。第1区域201构成为保持放置在其上的基板W。第1区域201具有大致圆盘形状。第1区域201的中心轴线为轴线AX。当在腔室10内处理基板W时，放置于第1区域201的上表面上。电极20e设置于第1区域201内且主体20m内。
第2区域202以绕静电卡盘20的中心轴线即轴线AX包围第1区域201的方式沿周向延伸。在第2区域202的上表面上搭载有边缘环ER。边缘环ER具有环形状。边缘环ER以其中心轴线与轴线AX一致的方式搭载于第2区域202上。基板W配置于第1区域201上且由边缘环ER包围的区域内。边缘环ER例如由如硅或碳化硅等的导体或半导体或者如石英等的电介质形成。另外，第2区域202可以构成为保持边缘环ER的静电卡盘。参考图6并如后述，第2区域202例如可以在主体20m内内置双极电极。
如图1所示，等离子体处理装置1还能具备气体供给管路25。气体供给管路25将来自气体供给机构的传热气体，例如He气体供给至静电卡盘20的上表面与基板W的背面(下表面)之间的间隙。
等离子体处理装置1还能够具备绝缘区域27。绝缘区域27由石英之类的电介质形成。绝缘区域27以在下部电极18及静电卡盘20的各个与腔室10的侧壁之间包围下部电极18及静电卡盘20的方式延伸。绝缘区域27沿下部电极18的外周面及静电卡盘20的第2区域202的外周面在周向上延伸。绝缘区域27可以配置于支承部17上。边缘环ER搭载于绝缘区域27及第2区域202上。即，边缘环ER可以局部搭载于绝缘区域27上。
等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设置于基板支承器16的上方。上部电极30与部件32一同封闭腔室主体12的上部开口。部件32具有绝缘性。上部电极30经由该部件32支承于腔室主体12的上部。
上部电极30包括顶板34及支承体36。顶板34的下表面划分内部空间10s。在顶板34上形成有多个排气孔34a。多个排气孔34a分别沿板厚方向(垂直方向)贯穿顶板34。该顶板34并没有限定，例如由硅形成。或者，顶板34能够具有在铝制部件的表面设置有抗等离子体性的膜的结构。该膜可以是通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。等离子体处理装置1还可具备能够改变下部电极18与上部电极30之间的距离的机构。通过变更该距离，能够控制等离子体的密度分布。
支承体36装卸自如地支承顶板34。支承体36例如由铝之类的导电性材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。多个气体孔36b从气体扩散室36a向下方延伸。多个气体孔36b分别与多个排气孔34a连通。支承体36中形成有气体导入端口36c。气体导入端口36c与气体扩散室36a连接。在气体导入端口36c上连接有气体供给管38。
在气体供给管38上经由阀组41、流量控制器组42及阀组43连接有气体源组40。由阀组41、流量控制器组42及阀组43构成气体供给部。气体供给部可以还包括气体源组40。气体源组40包括多个气体源。阀组41及阀组43分别包括多个阀(例如开闭阀)。流量控制器组42包括多个流量控制器。流量控制器组42的多个流量控制器分别为质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由与阀组41对应的阀、与流量控制器组42对应的流量控制器及与阀组43对应的阀而连接于气体供给管38。等离子体处理装置1能够将来自选自气体源组40的多个气体源中的一个以上的气体源的气体以分别地被调节的流量供给至内部空间10s。
在基板支承器16或支承部17与腔室主体12的侧壁之间设置有挡板48。挡板48例如能够通过在铝制部件上涂覆氧化钇等陶瓷而构成。在该挡板48中形成有多个贯穿孔。在挡板48的下方，排气管52与腔室主体12的底部连接。在该排气管52上连接有排气装置50。排气装置50具有自动压力控制阀之类的压力控制器及涡轮分子泵等真空泵，能够减小内部空间10s的压力。
等离子体处理装置1还具备高频电源61。高频电源61是产生高频电力HF的电源。高频电力HF用于从腔室10内的气体生成等离子体。高频电力HF的频率为13～200MHz的范围内的频率，例如为40MHz或60MHz。高频电源61经由匹配电路63与下部电极18连接。匹配电路63具有可变阻抗。匹配电路63的阻抗以抑制来自高频电源61的负荷的反射的方式进行调节。例如，匹配电路63以使高频电源61的负荷侧(下部电极18侧)的阻抗与高频电源61的输出阻抗匹配的方式调节其阻抗。另外，高频电源61可以不与下部电极18电连接，而可以经由匹配电路63与上部电极30连接。
等离子体处理装置1还具备偏置电源62。偏置电源62与下部电极18电连接。偏置电源62产生偏置电力BP。偏置电力BP用于将离子引入到基板W。偏置电力BP设定为在以第2频率规定的周期内使放置于静电卡盘20上的基板W的电位变动。第2频率低于第1频率。
在一实施方式中，偏置电力BP可以为具有第2频率的高频电力。在该实施方式中，偏置电力BP的频率为在50kHz以上且30MHz以下的范围内的频率，例如为400kHz。在该实施方式中，偏置电源62经由匹配电路64与下部电极18连接。匹配电路64具有可变阻抗。匹配电路64的阻抗以抑制来自偏置电源62的负荷的反射的方式进行调节。例如，匹配电路64以使偏置电源62的负荷侧(下部电极18侧)的阻抗与偏置电源62的输出阻抗匹配的方式调节其阻抗。
在其他实施方式中，偏置电源62可以构成为间歇性或周期性地将负极性直流电压的脉冲施加至下部电极18作为偏置电力BP。直流电压的脉冲能以按第2频率规定的周期向下部电极18周期性施加。在该实施方式中，第2频率为在50kHz以上、且27MHz以下的范围内的频率，例如为400kHz。在该实施方式中，能够省略匹配电路64。
当在等离子体处理装置1中进行等离子体处理例如等离子体蚀刻时，气体供给至内部空间10s。然后，通过供给高频电力HF和/或偏置电力BP，气体在内部空间10s中被激励。其结果，在内部空间10s中生成等离子体。通过来自所生成的等离子体的离子和/或自由基之类的化学物种处理基板W。
在一实施方式中，等离子体处理装置1能够还具备调节器74。调节器74构成为调节在边缘环ER的上方的护套的上端位置。调节器74调节边缘环ER的上方的护套的上端位置，以消除或减少边缘环ER的上方的护套的上端位置与基板W的上方的护套上端位置之差。
在一实施方式中，调节器74为构成为向边缘环ER施加电压，来调节边缘环ER的电位的电源。通过调节器74向边缘环ER施加的电压能够具有负极性。通过调节器74向边缘环ER施加的电压可以是直流电压或高频电压。或者，通过调节器74向边缘环ER施加的电压可以是向边缘环ER间歇性或周期性施加的直流电压的脉冲。在该实施方式中，调节器74可以经由滤波器75及导线76与边缘环ER连接。滤波器75是用于截断或减少流入调节器74的高频电力的滤波器。
等离子体处理装置1还具备测定器80及电气路径82。电气路径82与搭载于基板支承器16上的边缘环ER连接或电容耦合。测定器80构成为通过经由电气路径82向搭载在基板支承器16上的边缘环ER施加电压，来测定边缘环ER的电气特征值。通过测定器80测定的边缘环ER的电气特征值为根据边缘环ER的厚度发生变化的值。关于各种实施方式中的测定器80及电气路径82的详细内容进行后述。
如图2所示，在一实施方式中，等离子体处理装置1可以还具备温度传感器84。温度传感器84构成为测定边缘环ER的温度。在一例中，温度传感器84可以构成为测定基板支承器16内的温度作为边缘环ER的温度。在该例子中，供給装置23能够根据通过温度传感器84测定的温度来调节热交换介质的温度和/或流量。
控制部MC是具备处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机，并控制等离子体处理装置1的各部。控制部MC执行存储于存储装置中的控制程序，并根据存储于该存储装置中的工序数据控制等离子体处理装置1的各部。通过基于控制部MC的控制，由工序数据指定的工艺在等离子体处理装置1中执行。后述的实施方式所涉及的方法能够通过基于控制部MC的等离子体处理装置1的各部的控制，在等离子体处理装置1中执行。
以下，参考图2。在一实施方式中，电气路径82与边缘环ER电容耦合。图2所示的电气路径82包括第1电极821及第2电极822。第1电极821及第2电极822与搭载于基板支承器16上的边缘环ER电容耦合。第1电极821及第2电极822设置于在其上搭载有一部分边缘环ER的电介质部中。图3是表示第1电极及第2电极的布局的一例的俯视图。图3所示的例子中，第1电极821及第2电极822设置于第2区域202的主体20m中。并且，图3所示的例子中，第1电极821及第2电极822设置于相对于轴线AX对称的位置。第1电极821及第2电极822相对于轴线AX在周向上彼此分开，并沿该周向排列。第1电极821及第2电极822分别可以为大致圆形或岛状的电极。
在一实施方式中，测定器80构成为作为边缘环ER的电气特征值求出边缘环ER的电阻值RER。如图2所示，测定器80可以具有电源80p、电压传感器80v及电流传感器80i。电压传感器80v与电源80p及电流传感器80i并联连接。电流传感器80i与电源80p串联连接。测定器80可以还具有运算器80c。运算器80c例如能够包括处理器及存储器。
电源80p为交流电源或高频电源。即，电源80p构成为经由电气路径82向边缘环ER施加交流电压或高频电压。另外，当包括电气路径82及边缘环ER的电路不引起谐振时，电气路径82可以具有电感器82i。电感器82i的电感能够调节为使包括电气路径82及边缘环ER的电路引起谐振。在一些实施方式中，可以变更高频频率，并测量该频率的阻抗来计算阻抗的实部。
运算器80c构成为作为边缘环ER的电阻值RER求出边缘环ER的阻抗的实部。运算器80c存储在基板支承器16上未搭载边缘环ER时的阻抗Z1。并且，运算器80c求出在基板支承器16上未搭载边缘环ER时的阻抗Z2。运算器80c能够利用V/I并由通过电压传感器80v测定的电压V和通过电流传感器80i测定的电流I求出阻抗。
运算器80c能够通过下述式(1)求出边缘环ER的电阻值RER即边缘环ER的阻抗的实部。另外，在式(1)中，Re()为求出括号内的运算结果的实部的运算。
RER＝Re((Z2×Z1)/(Z2-Z1))……(1)
另外，可以通过控制部MC执行运算器80c中的边缘环ER的电阻值RER的运算。该情况下，控制部MC构成测定器80的一部分。该情况下，测定器80可以不具有运算器80c。
或者，测定器80可以包括网络分析仪。该情况下，由通过网络分析仪测定的阻抗Z2与阻抗Z1并利用式(1)的运算求出边缘环ER的电阻值RER。能够通过控制部MC进行式(1)的运算。该情况下，控制部MC构成测定器80的一部分。该情况下，测定器80可以不具有电源80p、电压传感器80v、电流传感器80i及运算器80c。另外，测定器80可以是阻抗计或具有同样的功能的测定器。
当边缘环ER的电气特征值具有较高的温度依赖性时，可以是基准温度下的边缘环ER的电气特征值。当边缘环ER的电气特征值的温度依赖性较高时，测定器80构成为获取温度控制机构以将边缘环ER的温度设定为基准温度的方式进行动作的状态下的边缘环ER的电气特征值(例如，电阻值RER)。温度控制机构通过控制部MC进行控制，以减少通过温度传感器84测定的温度与基准温度之差。在一实施方式中，温度控制机构包括供給装置23。
或者，当边缘环ER的电气特征值的温度依赖性较高时，测定器80的运算器80c或控制部MC可以执行通过温度传感器84获取的温度测定值中的边缘环ER的电气特征值的转换。该转换下，通过温度传感器84获取的温度测定值中的边缘环ER的电气特征值利用函数或表格转换为基准温度下的边缘环ER的电气特征值。为了将通过温度传感器84获取的温度测定值中的边缘环ER的电气特征值转换为基准温度下的边缘环ER的电气特征值，预先准备该函数或表格。例如，测定器80的运算器80c或控制部MC利用预先准备的函数或表格将式(1)的运算结果转换为基准温度下的边缘环ER的电阻值RER。
在一实施方式中，测定器80的运算器80c或控制部MC可以构成为由边缘环ER的电气特征值(例如电阻值RER)求出边缘环ER的厚度。通过利用函数或表格将边缘环ER的电气特征值转换为边缘环ER的厚度来求出边缘环ER的厚度。为了将边缘环ER的电气特征值转换为边缘环ER的厚度，预先准备该関数或表格。在一实施方式中，测定器80的运算器80c或控制部MC可以构成为求出边缘环ER的厚度从边缘环ER的初始厚度的减少量。
在一实施方式中，控制部MC为了抑制在放置于基板支承器16上的基板W的边缘上形成的开口的倾斜，而控制调节器74。控制部MC根据边缘环ER的电气特征值(例如电阻值RER)、边缘环ER的厚度或边缘环ER的厚度的减少量控制调节器74。例如，控制部MC利用函数或表格，确定边缘环ER的电气特征值(例如，电阻值RER)、边缘环ER的厚度或与边缘环ER的厚度的减少量相应的边缘环ER的电位。为了确定边缘环ER的电气特征值(例如电阻值RER)、边缘环ER的厚度或与边缘环ER的厚度的减少量对应的边缘环ER的电位，预先准备该函数或表格。控制部MC控制调节器74，以向边缘环ER施加将所确定的电位设定在边缘环ER的电压。其他例子中，可以根据边缘环ER的电气特征值(例如电阻值RER)、边缘环ER的厚度或边缘环ER的厚度的减少量调节等离子体密度的分布。可以调节等离子体处理装置的上部电极与下部电极之间的距离来控制等离子体密度的分布。
以下，对其他实施方式所涉及的第1电极及第2电极进行说明。图4是表示包括其他实施方式所涉及的第1电极及第2电极的电气路径的图。图5是表示第1电极及第2电极的布局的其他例的俯视图。在等离子体处理装置1中能够采用包括图4及图5所示的第1电极821及第2电极822的电气路径82。如图4及图5所示，第1电极821及第2电极822可以分别具有大致环形状，且绕轴线AX沿周向延伸。图示的例中，第1电极821在第2电极822的外侧延伸。第1电极821及第2电极822设置于静电卡盘20的第2区域202内且主体20m中。
以下，参考图6。图6是表示其他示例性实施方式所涉及的基板支承器的图。在等离子体处理装置1中能够采用图6所示的基板支承器16。在图6所示的基板支承器16中，以与图4及图5所示的基板支承器16中的第1电极821及第2电极822相同的布局配置第1电极821及第2电极822。在图6所示的基板支承器16中，第2区域202作为用于保持边缘环ER的静电卡盘而构成。即，在图6所示的基板支承器16中，第1电极821及第2电极822构成静电卡盘中的双极电极。换言之，为了在第2区域202与边缘环ER之间产生静电引力而使用的2个电极(821，822)兼用作为了求出边缘环ER的电气特征值而经由它们向边缘环ER施加电压的2个电极。
在图6所示的基板支承器16中，第1电极821与直流电源21p电连接。在第1电极821与直流电源21p之间可以连接有滤波器21f及开关21s。滤波器21f为低通滤波器。第2电极822与直流电源22p电连接。在第2电极822与直流电源22p之间可以连接有滤波器22f及开关22s。滤波器22f为低通滤波器。
从直流电源21p向第1电极821施加直流电压，且从直流电源22p向第2电极822施加直流电压，以使第1电极821的电位与第2电极822的电位互不相同。其结果，在第2区域202与边缘环ER之间产生静电引力。通过所产生的静电引力，边缘环ER被吸引到第2区域202，并由第2区域202保持。另外，可以通过1个直流电源设定第1电极821的电位与第2电极822的电位。并且，第2区域202可以作为单极静电卡盘来运用。即，可以从1个以上的直流电源向第1电极821与第2电极822施加相同电压。
以下，参考图7及图8。图7是表示包括另一其他实施方式所涉及的第1电极及第2电极的电气路径的图。图8是表示第1电极及第2电极的布局的另一其他例的俯视图。在等离子体处理装置1中能够采用包括图7及图8所示的第1电极821及第2电极822的电气路径82。如图7及图8所示，第1电极821及第2电极822设置于绝缘区域27中。边缘环ER局部配置于绝缘区域27上且第1电极821及第2电极822的上方。图7及图8所示的第1电极821及第2电极822可以与图3所示的第1电极821及第2电极822同样地配置于相对于轴线AX对称的位置。或者，第1电极821及第2电极822可以设置于绝缘区域27内，且与图4、图5及图6所示的第1电极821及第2电极822同样地具有大致环形状，绕轴线AX沿周向延伸。
以下，参考图9及图10。图9是表示另一其他示例性实施方式所涉及的基板支承器、电气路径及测定器的图。图10是表示第1触点及第2触点的布局的一例的俯视图。在等离子体处理装置1中能够采用图9及图10所示的基板支承器16、电气路径82及测定器80。该情况下，等离子体处理装置1同样利用通过图9所示的测定器80求出的边缘环ER的电气特征值。以下，对具备图9及图10所示的基板支承器16、电气路径82及测定器80的等离子体处理装置1与上述实施方式所涉及的等离子体处理装置1的不同点进行说明。
图9所示的测定器80构成为通过经由与边缘环ER连接的电气路径82向边缘环ER施加直流电压来测定边缘环ER的电气特征值。
如图9及图10所示，电气路径82包括第1触点82a及第2触点82b。第1触点82a及第2触点82b分别与边缘环ER接触。如图10所示，在一实施方式中，第1触点82a及第2触点82b可以在相对于边缘环ER的中心轴线对称的位置与边缘环ER接触。即，第1触点82a及第2触点82b设置于相对于轴线AX对称的位置。第1触点82a及第2触点82b能够设置于绝缘区域27或第2区域202。
如图9所示，测定器80可以具有电源80p、电压传感器80v及电流传感器80i。电源80p可以是直流电源。即，电源80p构成为经由电气路径82向边缘环ER施加直流电压。电流传感器80i设置于电气路径82上，且与电源80p串联连接。电流传感器80i构成为根据经由电气路径82从电源80p施加的电压来测定流过边缘环ER的电流的电流值。电压传感器80v构成为根据从电源80p施加的电压来测定边缘环ER中所产生的电位差。该电位差为第1触点82a与第2触点82b之间的电位差。
图9所示的测定器80可以还具有运算器80c。运算器80c例如能够包括处理器及存储器。在图9所示的测定器80中，运算部80c构成为作为边缘环ER的电气特征值求出边缘环ER的电阻值。具体而言，运算器80c能够利用V/I并由通过电压传感器80v测定的电压V(电位差)和通过电流传感器80i测定的电流I求出边缘环ER的电阻值。另外，可以通过控制部MC执行运算器80c中的边缘环ER的电阻值的运算。该情况下，控制部MC构成测定器80的一部分。该情况下，测定器80可以不具有运算器80c。并且，电压传感器80v可以测定设置于第1触点82a附近的另一触点及设置于第2触点82b的附近的另一触点之间的电位差。即，测定器80可以利用四端法求出边缘环ER的电阻值。根据四端法，在边缘环ER的电阻值的测定中，能够抑制电气路径82的电阻及将电压传感器80v与边缘环ER彼此连接的配线的电阻的影响。
以下，参考图11及图12。图11是表示另一其他示例性实施方式所涉及的测定器的图。图12是表示与自另一其他示例性实施方式所涉及的测定器的2个电压传感器分别延伸的电气路径的边缘环的触点的布局的图。在等离子体处理装置1中能够采用图11及图12所示的测定器及电气路径的结构。以下，对具备图11所示的测定器及电气路径的等离子体处理装置1与具备图9所示的测定器及电气路径的等离子体处理装置1的不同点进行说明。
图11所示的测定器80具有第1电压传感器80v1及第2电压传感器80v2来代替电压传感器80v。测定器80能够使用第1电压传感器80v1及第2电压传感器80v2并通过四端法测定边缘环ER的电阻值。
第1电压传感器80v1构成为测定相对于包括第1触点82a、第2触点82b及边缘环ER的中心轴线(或轴线AX)的面在一侧延伸的边缘环的第1部分中的第1电位差。第2电压传感器80v2构成为测定相对于该面在另一侧延伸的边缘环ER的第2部分中的第2电位差。
第1部分的电位差为触点82c与触点82d之间的电位差。触点82c及触点82d包含在从第1电压传感器80v1延伸至边缘环ER的电气路径中。触点82c及触点82d与边缘环ER接触。触点82c及触点82d能够设置于绝缘区域27或第2区域202。
第2部分的电位差为触点82e与触点82f之间的电位差。触点82e及触点82f包含在从第2电压传感器80v2延伸至边缘环ER的电气路径中。触点82e及触点82f与边缘环ER接触。触点82e及触点82f能够设置于绝缘区域27或第2区域202。触点82c与触点82f可以设置于相对于边缘环ER的中心轴线或轴线AX对称的位置。并且，触点82d与触点82e可以设置于相对于边缘环ER的中心轴线或轴线AX对称的位置。
触点82c及触点82d包括边缘环ER的中心轴线或轴线AX，且可以设置于相对于与连结第1触点82a与第2触点82b的直线正交的面对称的位置。并且，触点82e及触点82f包括边缘环ER的中心轴线或轴线AX，且可以设置于相对于与连结第1触点82a与第2触点82b的直线正交的面对称的位置。
测定器80的运算器80c或控制部MC构成为由第1电位差与第2电位差的平均值及通过电流传感器80i测定的电流值求出边缘环ER的电阻值。另外，测定器80的运算器80c或控制部MC可以由第1电位差、触点82c与触点82d之间的距离(周向上的距离)及通过电流传感器80i测定的电流值求出边缘环ER的第1比电阻。并且，测定器80的运算器80c或控制部MC可以由第2电位差、触点82e与触点82f之间的距离(周向上的距离)及通过电流传感器80i测定的电流值求出边缘环ER的第2比电阻。并且，测定器80的运算器80c或控制部MC可以求出第1比电阻与第2比电阻的平均值而作为边缘环ER的电气特征值。在该情况下，触点82c与触点82f可以设置于相对于边缘环ER的中心轴线或轴线AX不对称的位置。并且，触点82d与触点82e可以设置于相对于边缘环ER的中心轴线或轴线AX不对称的位置。
以下，参考图13及图14。图13是表示另一其他示例性实施方式所涉及的电气路径的图。图14是表示另一其他示例性实施方式所涉及的电气路径的俯视图。在等离子体处理装置1中能够采用图13及图14所示的电气路径的结构。以下，对具备图13及14所示的电气路径的等离子体处理装置1与具备图9所示的电气路径的等离子体处理装置1的不同点进行说明。
图13及图14所示的电气路径82包括第1开关SW1及第2开关SW2。第1开关SW1包括第1端子、第2端子及第3端子。第1开关SW1将第1端子与第2端子或第3端子选择性连接。能够通过控制部MC控制第1开关SW1。第1开关SW1的第1端子与第1触点82a连接。第1开关SW1的第2端子与电源80p连接。第1开关SW1的第3端子与导线76连接。
第2开关SW2包括第1端子、第2端子及第3端子。第2开关SW2将第1端子与第2端子或第3端子选择性连接。能够通过控制部MC控制第2开关SW2。第2开关SW2的第1端子与第2触点82b连接。第2开关SW2的第2端子与电源80p连接。第2开关SW2的第3端子与导线76连接。
如图14所示，导线76的一部分可以是环状配线。即，导线76可以包括具有环形状且绕轴线AX沿周向延伸的环状配线。导线76能够还包括1个以上的开关SW3及1个以上的触点76c。1个以上的触点76c分别为相对于边缘环ER的导线76的触点。1个以上的开关SW3分别连接在环状配线与对应的触点76c之间。当1个以上的开关SW3分别设定为导通状态时，连接环状配线与对应的触点76c。当1个以上的开关SW3分别设定为非导通状态时，切断环状配线与对应的触点76c之间的连接。能够通过控制部MC控制1个以上的开关SW3。
第1开关SW1、第2开关SW2及1个以上的开关SW3能够绕轴线AX沿周向等间隔排列。并且，第1触点82a、第2触点82b及1个以上的触点76c能够绕轴线AX沿周向等间隔排列。并且，从第1开关SW1、第2开关SW2及1个以上的开关SW3分别延伸的配线与环状配线之间的连接点能够绕轴线AX且沿周向等间隔排列。
根据图13及图14所示的结构，调节器74能够经由能将测定器80与边缘环ER连接的电气路径82的第1触点82a及第2触点82b向边缘环ER施加电压。
以下，参考图15。图15是表示另一其他示例性实施方式所涉及的调节器及边缘环的图。等离子体处理装置1可以代替上述实施方式的调节器74而具备图15所示的调节器74。能够与图15所示的边缘环ER一起采用图15所示的调节器74。
图15所示的边缘环ER具有第1环状部ER1及第2环状部ER2。第1环状部ER1及第2环状部ER2彼此分离。第1环状部ER1呈环状且板状，并以绕轴线AX延伸的方式搭载在第2区域202上。基板W以其边缘位于第1环状部ER1上或上方的方式放置于第1区域201上。第2环状部ER2呈环状且板状，并以绕轴线AX延伸的方式搭载在第2区域202上。第2环状部ER2在径向上位于第1环状部ER1的外侧。第2环状部ER2的内侧端面能够与基板W的边缘的端面相对。
图15所示的调节器74是构成为为了调节边缘环ER的上表面在垂直方向上的位置而使边缘环ER向上方移动的移动装置。具体而言，调节器74构成为为了调节第2环状部ER2的上表面在垂直方向上的位置而使第2环状部ER2向上方移动。在一例中，调节器74包括驱动装置74a及轴74b。轴74b支承第2环状部ER2，且从第2环状部ER2向下方延伸。驱动装置74a构成为产生用于经由轴74b使第2环状部ER2在垂直方向上移动的驱动力。
控制部MC能够控制图15所示的调节器74。具体而言，控制部MC为了抑制在放置于基板支承器16上的基板W的边缘上形成的开口的倾斜，控制调节器74。控制部MC根据边缘环ER的电气特征值、边缘环ER的厚度或边缘环ER的厚度的减少量控制调节器74。例如，控制部MC利用函数或表格，确定边缘环E R的电气特征值、边缘环ER的厚度或与边缘环ER的厚度的减少量相应的边缘环ER(第2环状部ER2)的上表面的高度方向的位置。为了确定边缘环ER的电气特征值、边缘环ER的厚度或与边缘环ER的厚度的减少量对应的边缘环ER(第2环状部ER2)的上表面的高度方向的位置，预先准备该函数或表格。控制部MC以在所确定的高度方向的位置设定边缘环ER(第2环状部ER2)的上表面的高度方向的位置的方式控制调节器74(例如，其驱动装置74a)。
图16是表示另一其他示例性实施方式所涉及的调节器及边缘环的图。图16所示的边缘环ER能够与调节器74一同采用来代替图15所示的边缘环ER。图16所示的边缘环ER具有第1环状部ER1及第2环状部ER2。在图16所示的边缘环ER中，第1环状部ER1具有内周部及外周部。内周部的上表面在垂直方向上的位置低于外周部的上表面在垂直方向上的高度方向的位置。基板W以其边缘位于第1环状部ER1的内周部上或上方的方式放置于第1区域201上。在图16所示的边缘环ER中，第2环状部ER2以包围基板W的边缘的方式配置于第1环状部ER1的内周部上。即，在图16所示的边缘环ER中，第2环状部ER2配置于第1环状部ER1的外周部的内侧。当使用图16所示的边缘环ER时，调节器74的轴74b从第2环状部ER2贯穿第1环状部ER1的内周部而向下方延伸。当使用图16所示的边缘环ER时，调节器74设定第2环状部ER2的高度方向的位置作为边缘环ER的上表面的高度方向的位置。
在上述各种实施方式所涉及的等离子体处理装置中，当边缘环ER搭载于基板支承器16上时，提供与边缘环ER连接或电容耦合的电气路径82。测定器80通过经由电气路径82向边缘环施加电压，来测定根据边缘环ER的厚度发生变化的边缘环ER的电气特征值。因此，能够求出反映边缘环ER的厚度的值。
以下，参考图17。图17是一示例性实施方式所涉及的方法的流程图。图17所示的方法MT能够使用上述各种实施方式中任一个等离子体处理装置1执行。该方法MT包括工序ST5及工序ST6。工序ST5及工序ST6构成一示例性实施方式所涉及的测定方法。
能够在工序ST1中开始方法MT。在工序ST1中，测定边缘环ER的初始厚度。边缘环ER的初始厚度并无限定，能够通过如游标卡尺或千分尺等的测定器来测定。
在方法MT中，能够在工序ST1之后，执行工序ST2。在工序ST2中，边缘环ER搭载于基板支承器16上。边缘环ER可以通过搬运机器人搬运到腔室10内并搭载于基板支承器16上。通过控制部MC控制搬运机器人。
在方法MT中，能够在工序ST2之后，执行工序ST3。在工序ST3中，可测定边缘环ER的初始电气特征值。以在基板支承器16上搭载有边缘环ER的状态，通过测定器80测定边缘环ER的初始电气特征值。
在方法MT中，接下来，执行工序ST4。以在基板支承器16上搭载有边缘环ER、在通过边缘环ER包围的区域内且在基板支承器16上搭载有基板W的状态，执行工序ST4。在工序ST4中，执行等离子体处理。工序ST4的等离子体处理可以是等离子体蚀刻。工序ST4中，在腔室10内由处理气体形成等离子体。工序ST4中，通过来自所生成的等离子体的化学物种处理(例如蚀刻)基板W。工序ST4中，控制部MC以向腔室10内供给处理气体的方式控制气体供给部。工序ST4中，控制部MC以将腔室10内的气体的压力设定为规定的压力的方式控制排气装置50。工序ST4中，控制部MC以供给高频电力HF和/或偏置电力BP的方式控制高频电源61和/或偏置电源62。
在方法MT中，接下来，执行工序ST5。例如当未执行工序ST4的等离子体处理时，即等离子体处理装置1处于空闲状态时执行工序ST5。工序ST5中，经由电气路径82从测定器80向边缘环ER施加电压。如上述，从测定器80向边缘环ER施加的电压为直流电压、交流电压或高频电压。当在工序ST5中向边缘环ER施加电压时执行工序ST6。工序ST6中，通过测定器80测定向边缘环ER施加电压时的边缘环ER的电气特征值。以在基板支承器16上搭载有边缘环ER的状态测定边缘环ER的电气特征值。
另外，如上述，当边缘环ER的电气特征值的温度依赖性较高时，工序ST5及工序ST6可以在温度控制机构以将边缘环ER的温度设定为基准温度的方式进行动作的状态下获取上述电气特征值。或者，如上述，当边缘环ER的电气特征值的温度依赖性较高时，通过温度传感器84获取的温度测定值中的边缘环ER的电气特征值可以转换为基准温度下的边缘环ER的电气特征值。如上述，在这种转换中使用预先准备的函数或表格。
在方法MT中，接下来，可以执行工序ST7。工序ST7中，获取边缘环ER的厚度或边缘环ER的厚度的减少量。如上述，通过利用预先准备的函数或表格转换边缘环ER的电气特征值来求出边缘环ER的厚度。并且，如上述，通过从在工序ST1中测定的边缘环ER的初始厚度减去在工序ST7中求出的边缘环ER的厚度来求出边缘环ER的厚度的减少量。
后续的工序ST8中，判定是否应更换边缘环ER。工序ST8中，将在工序ST6中测定的边缘环ER的电气特征值、在工序ST7中获取的边缘环ER的厚度或在工程ST7中获取的边缘环ER的厚度的减少量与阈值进行比较。工序ST8中的比较结果，当判定为边缘环ER已消耗到应更换的程度时，更换边缘环ER，且重复从工序ST1的处理。另一方面，工序ST8中的比较结果，当判定为无需更换边缘环ER时，执行工序ST9。能够通过控制部MC执行工序ST8的判定。
工序ST9中，判定是否需要通过调节器74调节边缘环ER的上方的护套的上端位置。工序ST9中，将在工序ST6中测定的边缘环ER的电气特征值、在工序ST7中获取的边缘环ER的厚度或在工序ST7中获取的边缘环ER的厚度的减少量与其他阈值进行比较。工序ST9中的比较结果，当判定为利用工序ST4的等离子体处理形成在放置于基板支承器16上的基板W的边缘中具有可允许的倾斜的开口时，执行工序ST4。另一方面，工序ST9中的比较结果，当判定为利用工序ST4的等离子体处理形成在放置于基板支承器16上的基板W的边缘中具有无法允许的倾斜的开口时，执行工序ST10。另外，能够通过控制部MC执行工序ST9的判定。
工序ST10中，确定校正值。能够通过控制部MC求出校正值。校正值为在后续的工序ST11中通过调节器74设定于边缘环ER的电位或在工序ST11中通过调节器74设定的边缘环ER的上表面的高度方向的位置。如上述，利用预先准备的函数或表格，并由边缘环ER的电气特征值(例如，电阻值RER)、边缘环ER的厚度或边缘环ER的厚度的减少量确定校正值。
后续的工序ST11中，使用在工序ST10中确定的校正值并通过控制部MC来控制调节器74。例如，以将作为校正值的电位设定于边缘环ER的方式控制调节器74。或者，以在作为校正值的高度方向的位置设定边缘环ER的上表面的高度方向的位置的方式控制调节器74。在工序S11之后，再次执行工序ST4。以在工序ST11中控制调节器74的状态执行工序ST4。
以上，对各种示例性实施方式进行了说明，但并不限定于上述示例性实施方式，可以进行各种追加、省略、替换及变更。并且，能够组合不同的实施方式中的要件来形成其他实施方式。
其他实施方式所涉及的等离子体处理装置也可以是电感耦合型等离子体处理装置。另一其他实施方式所涉及的等离子体处理装置也可以是使用微波之类的表面波生成等离子体的等离子体处理装置。并且，第1区域201与第2区域202可以分别作为个别独立的静电卡盘而构成。
并且，其他实施方式所涉及的等离子体处理装置还可以具备对边缘环ER的上方的等离子体密度和/或基板W的上方的等离子体密度进行调节的机构来代替调节器74。该机构能够根据边缘环ER的电气特征值、边缘环ER的厚度或边缘环ER的厚度的减少量并通过控制部MC进行控制。
从以上说明可理解，本发明的各实施方式以说明为目的在本说明书中进行了说明，能够在不脱离本发明的范围及宗旨的情况下进行各种变更。因此，本说明书中公开的各实施方式并不旨在限定，真正的范围和宗旨可由所附的技术方案的范围来示出。

Claims (19)

1.一种等离子体处理装置，其具备：
腔室；
基板支承器，设置于所述腔室内；
电气路径，与搭载在所述基板支承器上的边缘环连接或电容耦合；及
测定器，构成为通过经由所述电气路径向搭载在所述基板支承器上的所述边缘环施加电压来测定根据所述边缘环的厚度发生变化的该边缘环的电气特征值。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其还具备构成为控制所述边缘环的温度的温度控制机构，
所述测定器构成为获取所述温度控制机构以将所述边缘环的温度设定为基准温度的方式进行动作的状态下的该边缘环的所述电气特征值。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其还具备构成为获取所述边缘环的温度测定值的温度传感器，
所述电气特征值为基准温度下的所述边缘环的电气特征值，
所述测定器构成为将通过所述温度传感器获取的温度测定值中的所述边缘环的电气特征值转换为所述基准温度下的所述边缘环的所述电气特征值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述测定器构成为通过经由与所述边缘环电容耦合的所述电气路径向该边缘环施加交流电压或高频电压来测定所述电气特征值。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，
所述电气特征值为所述边缘环的阻抗的实部的值。
6.根据权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其中，
所述基板支承器具有在其上搭载有一部分所述边缘环的电介质部，
所述电气路径包括设置于所述电介质部内的第1电极及第2电极，
所述测定器构成为经由与所述边缘环电容耦合的所述第1电极及所述第2电极施加所述交流电压或所述高频电压。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，
所述基板支承器还具有下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘，
所述电介质部以在所述下部电极及所述静电卡盘的各个与所述腔室的侧壁之间包围所述下部电极及所述静电卡盘的方式延伸。
8.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，
所述基板支承器具有静电卡盘，
所述电介质部构成所述静电卡盘的一部分。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1电极及所述第2电极为了在所述静电卡盘与所述边缘环之间产生静电引力而与1个以上的直流电源电连接。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述测定器构成为通过经由与所述边缘环连接的所述电气路径向该边缘环施加直流电压来测定所述电气特征值。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，
所述电气特征值为所述边缘环的电阻值。
12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其中，
所述电气路径包括在相对于所述边缘环的中心轴线对称的位置与所述边缘环接触的第1触点及第2触点。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，
所述测定器构成为具有：
电流传感器，构成为设置于所述电气路径上，测定流过所述边缘环的电流的电流值；及
电压传感器，构成为测定所述第1触点与所述第2触点之间的所述边缘环中的电位差，
并且由所述电位差及所述电流值求出所述电阻值。
14.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，
所述测定器构成为具有：
电流传感器，构成为设置于所述电气路径上，测定流过所述边缘环的电流的电流值；
第1电压传感器，构成为测定相对于包括所述第1触点、所述第2触点及所述中心轴线的面在一侧延伸的所述边缘环的第1部分中的第1电位差；及
第2电压传感器，构成为测定相对于所述面在另一侧延伸的所述边缘环的第2部分中的第2电位差，
并且由所述第1电位差与所述第2电位差的平均值及所述电流值求出所述电阻值。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述测定器构成为由所述电气特征值求出所述边缘环的厚度或该边缘环的厚度的减少量。
16.根据权利要求1至14中任一项所述的等离子体处理装置，其还具备：
调节器，构成为调节所述边缘环的上方的护套的上端位置；及
控制部，构成为为了抑制在放置于所述基板支承器上的基板的边缘上形成的开口的倾斜，根据所述电气特征值或由该电气特征值求出的所述边缘环的厚度或该边缘环的厚度的减少量控制所述调节器。
17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其中，
所述调节器通过所述控制部进行控制，以根据所述电气特征值或由该电气特征值求出的所述边缘环的厚度或该边缘环的厚度的减少量，调节所述边缘环的上表面的高度方向的位置或所述边缘环的电位。
18.根据权利要求16或17所述的等离子体处理装置，其中，
所述调节器包括为了设定所述边缘环的电位而与所述边缘环电耦合的电源，
所述电气路径包括构成为将所述边缘环与所述电源或所述测定器选择性连接的第1开关及第2开关。
19.一种测定方法，其包括：
在等离子体处理装置的腔室内向搭载于基板支承器上的边缘环施加电压的工序；及
通过向所述边缘环施加所述电压，测定根据该边缘环的厚度发生变化的该边缘环的电气特征值的工序。
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