CN112838103A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域，该方法，包括：在基底上形成阵列层；在阵列层上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于第二显示区域的PMOLED子像素，其中，形成PMOLED子像素，包括：在阵列层上形成多个呈阵列式排布的第三电极；在第三电极上形成第二像素定义层；在第二像素定义层上形成位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫；沉积透明导电薄膜，在第二显示区域，透明导电薄膜被第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。该方法，不再需要采用构图工艺单独形成第四电极，从而，PMOLED子像素的第四电极可以和AMOLED子像素的阴极同时形成，简化了显示面板的制备工艺，降低了成本。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前，全面屏设计的显示面板越来越受到消费者的欢迎，全面屏已成为手机等显示装置的主要方式。为了实现全面屏显示，压缩摄像头、红外传感器、听筒等器件的设计空间，而将摄像头、红外传感器等器件置于显示屏之下，成为解决实现全面屏问题的主要手段。为了尽可能实现全面屏显示，摄像头、红外传感器等器件对应的显示屏的区域也要进行显示。
现有技术中，提出了一种显示面板，显示面板具有第一显示区域和第二显示区域，其中，第一显示区域采用有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light-Emittintg Diode，AMOLED)结构进行显示，第二显示区域采用被动矩阵有机发光二极体(Passive Matrix Organic Light-Emittintg Diode，PMOLED)结构进行显示，将摄像头、红外传感器等器件设置在第二显示区域的背侧，从而可以实现全面屏显示。这种结构的显示面板，在制备AMOLED子像素和PMOLED子像素时，制备工艺繁多，导致显示面板制作成本偏高。
发明内容
本发明实施例的目的是，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以简化全面屏显示面板的制备工艺，降低制作成本。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域，所述制备方法，包括：
在基底上形成阵列层；
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于第二显示区域的PMOLED子像素，
其中，在所述阵列层上形成位于第二显示区域的PMOLED子像素，包括：
在所述阵列层上形成位于第二显示区域的多个第三电极，多个第三电极呈阵列式排布；
在所述第三电极上形成第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有暴露所述第三电极的第二开口；
在所述第二像素定义层上形成隔断结构层，所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫；
在形成上述图案的基底上沉积透明导电薄膜，在第二显示区域，所述透明导电薄膜被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。
可选地，所述第一隔离垫的靠近所述基底的一侧在所述基底上的正投影位于所述第一隔离垫的远离所述基底的一侧在所述基底上的正投影内。
可选地，
在沉积透明导电薄膜之前，所述方法还包括：在所述第二开口内形成第二发光结构层；或者，
在所述第二像素定义层上形成隔断结构层之前，所述方法还包括：在所述第二开口内形成第二发光结构层。
可选地，在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素，包括：
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的第一电极，所述第一电极和所述第三电极通过一次构图工艺形成；
在所述第一电极上形成第一像素定义层，所述第一像素定义层开设有暴露所述第一电极的第一开口，所述第一像素定义层和所述第二像素定义层通过一次掩膜工艺形成；
在所述第一开口内形成第一发光结构层，所述第一发光结构层与所述第二发光结构层同时形成；
在形成上述图案的基板上形成第二电极，所述第二电极与所述第四电极同时形成。
可选地，
形成所述第二像素定义层的材质包括正性有机材料，形成所述第一隔离垫的材质包括负性有机材料；或者，
形成所述第二像素定义层的材质包括负性有机材料，形成所述第一隔离垫的材质包括正性有机材料。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括第一显示区域和第二显示区域，所述显示面板还包括：
基底；
阵列层，设置在所述基底上；
发光功能层，设置在所述阵列层背离所述基底的一侧上，所述发光功能层包括位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于所述第二显示区域的PMOLED子像素，其中，
多个PMOLED子像素呈阵列式排布，PMOLED子像素包括第三电极，所述第三电极上设置有第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有暴露所述第三电极的第二开口，所述第二像素定义层上设置有隔断结构层，所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫，PMOLED子像素还包括设置在所述第二开口内且位于所述第三电极上的第二发光结构层以及设置在所述隔断结构层上的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。
可选地，所述第一隔离垫的靠近所述基底的一侧在所述基底上的正投影位于所述第一隔离垫的远离所述基底的一侧在所述基底上的正投影内。
可选地，所述阵列层包括位于第一显示区域的薄膜晶体管，AMOLED子像素包括与所述薄膜晶体管电连接的第一电极，所述第一电极上设置有第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有暴露所述第一电极的第一开口，所述第一像素定义层上设置有若干个位于非所述第一开口区域的第二隔离垫，所述第二隔离垫与所述第一隔离垫同时形成，AMOLED子像素还包括设置在所述第一开口内且位于所述第一电极和所述第一像素定义层上的第一发光结构层，以及设置在所述第一发光结构层上的第二电极。
可选地，所述第四电极的材料包括透明导电材料。
可选地，在第二显示区域，每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，每个像素单元的开口率为15％～25％。
可选地，每个像素单元中，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素呈“品”字型排列。
可选地，蓝色子像素的图案呈第一正六边形，红色子像素的图案呈第二正六边形，绿色子像素的图案呈菱形，所述蓝色子像素的图案尺寸小于所述红色子像素的图案尺寸。
可选地，在第二显示区域，第三电极连接线为曲线，所述第三电极连接线为同一列上相邻两个同颜色子像素的第三电极之间的连接线。
可选地，
所述第三电极连接线呈弧形或“S”形，
或者，
所述第三电极连接线为依次交替的第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和所述第二弧形的凸出方向相反。
可选地，所述第三电极连接线的宽度为4μm～6μm。
可选地，相邻两个子像素的间距为26.4μm～32μm。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示面板。
本发明实施例的显示面板的制备方法，在制备第二显示区域的PMOLED子像素时，在形成第四电极之前，在第二像素定义层上形成隔断结构层，所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫，从而，在沉积透明导电薄膜时，在第二显示区域，所述透明导电薄膜可以被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极，不再需要采用构图工艺单独形成第四电极，从而，PMOLED子像素的第四电极可以和AMOLED子像素的阴极同时形成，简化了显示面板的制备工艺，降低了制作成本。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明第一实施例显示面板的结构示意图；
图2为第一显示区域的第一子像素的驱动电路和第一发光器件的结构示意图；
图3a为第二显示区域的结构示意图；
图3b为第二显示区域的驱动原理示意图；
图3c为第二发光器件的截面结构示意图；
图4为278PPI显示面板的第二显示区域像素单元的平面结构示意图；
图5a为一个实施例中第三电极连接线的结构示意图；
图5b为另一个实施例中第三电极连接线的结构示意图；
图5c为另一个实施例中第三电极连接线的结构示意图；
图6为图1中A-A截面结构示意图；
图7a为显示面板中形成有源层后的结构示意图；
图7b为显示面板中形成第一栅电极后的结构示意图；
图7c为显示面板中形成第二栅电极后的结构示意图；
图7d为显示面板中形成层间绝缘层后的结构示意图；
图7e为显示面板中形成源/漏电极后的结构示意图；
图7f为显示面板中形成平坦层后的结构示意图；
图8a为显示面板中形成第一电极和第二电极后的结构示意图；
图8b为显示面板中形成第一像素定义层和第二像素定义层后的结构示意图；
图8c为显示面板中形成第一隔离垫后的结构示意图；
图9为一个实施例中形成的第二显示区域的发光功能层的平面结构示意图；
图10为本发明第二实施例显示装置的结构示意图。
附图标记说明：
11—第一显示区域； 111—第一电极； 112—第一发光结构层；
113—第二电极； 114—第一像素定义层； 115—第一开口；
116—第二隔离垫；
12—第二显示区域； 121—第三电极； 122—第二发光结构层；
123—第四电极； 124—第二像素定义层； 125—第二开口；
126—第一隔离垫； 130—第三电极连接线；
20—基底； 30—阵列层； 31—缓冲层；
32—有源层； 33—第一栅绝缘层； 34—第一栅电极；
35—第二栅绝缘层； 36—第二栅电极； 37—层间绝缘层；
38—源电极； 39—漏电极； 40—发光功能层；
371—第一过孔； 372—第二过孔； 211—第三过孔。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。
第一实施例：
图1为本发明第一实施例显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板包括第一显示区域11和第二显示区域12。在本实施例中，第二显示区域12设置在第一显示区域11的一侧边缘。在其它实施例中，第二显示区域12也可以设置在第一显示区域11内，即第一显示区域11围绕第二显示区域12设置。
图2为第一显示区域的第一子像素的驱动电路和第一发光器件的结构示意图。如图2所示，第一显示区域11包括多个第一子像素(如R、G和B)，每个第一子像素包括第一发光器件L1以及用于驱动第一发光器件L1发光的驱动电路100，如图2所示。也就是说，第一显示区域11的第一发光器件L1采用驱动电路100中的独立的薄膜晶体管去控制每个第一子像素发光，即第一显示区域11的驱动发光方式为主动驱动式发光，驱动电路100的工作原理为本领域常规技术，在此不再赘述。因此，第一显示区域11的显示面板结构为有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light-Emittintg Diode，AMOLED)结构。
图3a为第二显示区域的结构示意图，图3b为第二显示区域的驱动原理示意图，图3c为第二发光器件的截面结构示意图。如图3a、图3b和图3c所示，第二显示区域包括多条沿第一方向延伸的条状第三电极121和多条沿第二方向延伸的条状第四电极123，以及夹设在第三电极121和第四电极123之间的第二发光结构层122，第三电极121、第二发光结构层122和第四电极123重叠的区域构成第二发光器件L2，第一方向与第二方向相互垂直。第二显示区域12包括多个第二子像素(如R、G和B)、以及第一电压信号线Seg和第二电压信号线Com，每个第二子像素包括第二发光器件L2，第二发光器件L2包括第三电极121、第四电极123以及设置在第三电极121和第四电极123之间的第二发光结构层122。第三电极121与第一电压信号线Seg电连接，第四电极123与第二电压信号线Com电连接，第二显示区域12的第二发光器件L2单纯地以第三电极121、第四电极123和第二发光结构层122构成阵列状，以扫描方式点亮第二子像素，因此，第二显示区域12的驱动发光方式为被动驱动式发光，亦即第二显示区域12的显示面板结构为被动矩阵有机发光二极体(Passive Matrix Organic Light-Emittintg Diode，PMOLED)结构。第三电极通常为阳极，第四电极通常为阴极。由于AMOLED结构中包括薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构具有较多的金属层，而本发明实施例中，第二显示区域12采用PMOLED结构，只有阴极层和阳极层两层金属层，而没有薄膜晶体管结构中的金属层，从而可以提高第二显示区域12的透过率。当将传感器模块，例如摄像头、红外传感器、听筒等器件设置在第二显示区域时，便可以解决现有技术中摄像头、红外传感器等器件结构对应的显示面板区域的透过率较低的问题。
在一个实施例中，传感器模块，例如摄像头、红外传感器、听筒等器件设置在第二显示区域对应的显示面板的背后，既能够实现全面屏显示，又能够提高第二显示区域的透过率。
在一个实施例中，第四电极123的材料可以为透明导电材料而不再采用传统的Mg/Ag材料，从而可以进一步提高第二显示区域的透过率。透明导电材料可以为铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)等。铟锌氧化物对可见光和红外光的透过率约达90％，而传统的Mg/Ag材料对可见光和红外光的透过率约50％，因此，采用铟锌氧化物可以大幅度提高第二显示区域的透过率。第三电极121的材料可以包括ITO/Ag/ITO等。
在图1中，第二显示区域12的形状为矩形，在具体实施中，第二显示区域的形状可以包括圆形、椭圆形或方向等任意之一或组合。
为了进一步提高第二显示区域12的透过率，同时延长第二发光器件L2的寿命，在一个实施例中，在第二显示区域，每个像素单元的开口率为15％～25％。
图4为278PPI显示面板的第二显示区域像素单元的平面结构示意图。如图4所示，在第二显示区域，每个像素单元可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，每个像素单元中的R子像素、G子像素和B子像素呈“品”字形排列。在图4中，示出了一个像素单元的面积S1，像素单元的长度尺寸为a，宽度尺寸为b。像素单元的开口率为15％～25％，即每个像素单元中，R子像素、G子像素和B子像素的面积之和与S1的比值为15％～25％。为了平衡像素单元中R、G、B三种子像素的寿命，可以根据本领域的经验值(即R、G、B三种子像素面积的经验比值)以及像素单元的开口率确定R、G、B三种子像素各自的面积大小，从而确定像素单元。
容易理解的是，这里所说的某结构的面积、大小、尺寸、图案可以理解为该结构在显示面板的基底上的正投影的面积、大小、尺寸、图案。
如图4所示，在第二显示区域，B子像素的图案为第一正六边形，R子像素的图案为第二正六边形，G子像素的图案为菱形，其中，第二正六边形的边长尺寸小于第一正六边形的边长尺寸。
图4还示出了每一列子像素之间的连线即第三电极连接线130，在一个实施例中，第三电极连接线130的宽度为4μm～6μm，可以将第三电极连接线130的宽度设定为5μm。“第三电极连接线的宽度”为第三电极连接线在与其延伸方向相垂直方向上的尺寸。这样宽度的第三电极连接线，不仅可以有效保证相邻第三电极之间的连通，而且还不会对第二显示区域的透过率产生太大影响。在一个实施例中，相邻两个子像素之间的间距(即相邻两个子像素的发光边界的最小距离)PDL_gap为26.4μm～32μm。PDL_gap越小，说明单位面积内子像素数量越多，开口率越大；同理，PDL_gap越大，开口率越小。图4中示出了同一列上相邻两个G子像素之间的间距。
表1为278PPI显示面板第二显示区域不同开口率的对比情况。在表1中，开口率为25％时，第三电极连接线130的宽度为5μm，PDL_gap为26.4μm，对应的第二显示区域的透过率为52.8％；开口率为20％，第三电极连接线130的宽度为5μm，PDL_gap为28.5μm，对应的第二显示区域的透过率为57.3％；开口率为15％，第三电极连接线130的宽度为5μm，PDL_gap为32μm，对应的第二显示区域的透过率为63.2％。
表1 278PPI显示面板第二显示区域在不同开口率下的透过率
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图5a为一个实施例中第三电极连接线的结构示意图；图5b为另一个实施例中第三电极连接线的结构示意图，图5c为另一个实施例中第三电极连接线的结构示意图。在图4中，第三电极连接线130为直线。在其它实施例中，第三电极连接线130的图案可以为曲线，具体地，在一个实施例中，如图5a所示，第三电极连接线的图案为弧形，或者，如图5b所示，第三电极连接线的图案为“S”形，或者，在同一列中，第三电极连接线为依次交替的第一弧形或第二弧形，第一弧形和第二弧形的凸出方向相反。例如，在图5c中，位于第一列中，R子像素131上方的第三电极连接线呈向左凸出的弧形，R子像素131下方的第三电极连接线呈向右凸出的弧形。
显示装置中，通常将传感器模块，例如摄像头、红外传感器、听筒等器件设置在第二显示区域。当将第三电极连接线设置成如图5a、图5b或图5c所示的曲线图案时，不仅可以获得满意的透过率，而且可以减轻摄像头成像时的衍射现象，提高了摄像头的成像效果。在一个具体实施例中，对于278PPI显示面板，第二显示区域的开口率为20％、PDL_gap为28.5μm时，第二显示区域的透过率为55％，而且位于第二显示区域的摄像头的成像效果较好。
图6为图1中A-A截面结构示意图。如图6所示，显示面板包括基底20。基底20可以由例如玻璃、聚酰亚胺(PI)或聚碳酸酯(PC)等材料形成。显示面板还包括设置在基底20上的阵列层30。阵列层30包括位于第一显示区域11的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)以及由薄膜晶体管构成的驱动电路，用于控制第一发光器件L1。图6中示意性地示出了一个薄膜晶体管，本发明实施例以双栅型薄膜晶体管为例进行说明，容易理解的是，薄膜晶体管并不限于双栅型，还可以为单栅型、顶栅型或底栅型薄膜晶体管。
具体地，在第一显示区域，显示面板包括位于基底20上的缓冲层31，位于缓冲层31上的薄膜晶体管的有源层32，位于有源层32上的第一栅绝缘层33，位于第一栅绝缘层33上的第一栅电极34，位于第一栅电极34上的第二栅绝缘层35，位于第二栅绝缘层35上的第二栅电极36，位于第二栅电极36上的层间绝缘层37，位于层间绝缘层37上的源电极38和漏电极39。源电极38和漏电极39分别通过穿过层间绝缘层37、第二栅绝缘层35和第一栅绝缘层33的过孔与有源层32电连接。阵列层30还可以包括位于源电极38和漏电极39上的平坦层21，平坦层21的材质可以包括PI等有机树脂，平坦层21具有平坦化作用。
显示面板还包括位于阵列层30上的发光功能层40，发光功能层40包括位于第一显示区域11的第一子像素即AMOLED子像素，以及位于第二显示区域12的第二子像素即PMOLED子像素。在第一显示区域，每个像素单元包括多个第一子像素；在第二显示区域，每个像素单元包括多个第二子像素，一个像素单元中的多个第二子像素可以呈矩阵式阵列排列，也可以呈“品”字型阵列排列。第一子像素包括设置在平坦层21上的第一电极111，第一电极111通过穿过平坦层21的过孔与薄膜晶体管的漏电极电连接。第一子像素还包括设置在第一电极111上的第一像素定义层114。第一像素定义层114开设有暴露第一电极111的第一开口115。第一子像素还包括位于第一开口115内且位于第一像素定义层114上的第一发光结构层112以及位于第一发光结构层112上的第二电极113。
在第二显示区域，显示面板包括设置在基底20上的绝缘层、设置在绝缘层上的平坦层21，其中，绝缘层包括在形成TFT过程中形成的缓冲层31、第一栅绝缘层33、第二栅绝缘层35和层间绝缘层37。第二子像素包括设置在平坦层21上的第三电极121、以及设置在第三电极121上的第二像素定义层124。第二像素定义层124开设有暴露第三电极121的第二开口125。在第二显示区域，显示面板还包括设置在第二像素定义层124上的隔断结构层，隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的条状第一隔离垫126。第二子像素还包括设置在第三电极121上且位于第二开口125内的第二发光结构层122，以及位于隔断结构层和第二发光结构层122上的第四电极层，第一隔离垫126用于将第四电极层断开为彼此断开的条状第四电极123。
为了将第四电极层断开为彼此断开的条状第四电极123，在一个实施例中，第一隔离垫126的靠近基底的一侧在基底20上的正投影位于第一隔离垫126的远离基底的一侧在基底20上的正投影内，如图6所示。这种结构的第一隔离垫126具有底面小顶面大的结构，例如倒梯形、蘑菇型结构。从而，在沉积或蒸镀形成第二发光结构层122时，相邻像素单元的发光功能层被第一隔离垫126断开，避免了第二显示区域的像素串扰。同时，在第二显示区域形成第四电极123时，第一隔离垫126可以将相邻两行或相邻两列的像素单元对应的第四电极隔断开，使得第四电极(通常为阴极)呈彼此断开的条状电极，从而可以满足PMOLED的正常驱动。
容易理解的是，若每一列上的第三电极电连接，则第一隔离垫126设置在每相邻两行像素单元之间，从而，第一隔离垫126可以将第四电极隔断成彼此断开的条状电极行，每一行第四电极电连接；若每一行上的第三电极电连接，则第一隔离垫126设置在相邻两列像素单元之间，从而，第一隔离垫126可以将第四电极隔断成彼此断开的的条状电极列，每一列第四电极电连接，从而满足PMOLED的驱动模式。
在其它实施例中，在第一显示区域也可以设置有第二隔离垫116，第二隔离垫116在第一显示区域分散设置，第一隔离垫116设置在第一像素定义层114上且位于两个第一开口115之间，第一发光结构层112设置在第一开口115内的第一电极111上。
在一个实施例中，为了降低显示面板的掩膜次数，第一电极111和第三电极121通过一次掩膜板形成，第一像素定义层114和第二像素定义层124通过一次掩膜板形成，第一显示区域的第一隔离垫和第二显示区域的第二隔离垫通过一次掩膜板形成，第一发光结构层112和第二发光结构层122通过一次掩膜板形成，第二电极113和第四电极123通过一次掩膜板形成。
在一个实施例中，第一隔离垫126的材质包括负性光刻胶。
本发明实施例还提出了一种如图6所示显示面板的制备方法，显示面板包括第一显示区域和第二显示区域，该制备方法包括：
在基底上形成阵列层；
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于第二显示区域的PMOLED子像素，
在所述阵列层上形成位于第二显示区域的PMOLED子像素，包括：
在所述阵列层上形成位于第二显示区域的多个第三电极，多个第三电极呈阵列式排布；
在所述第三电极上形成第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有暴露所述第三电极的第二开口；
在所述第二像素定义层上形成隔断结构层，所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫；
在形成上述图案的基底上沉积透明导电薄膜，在第二显示区域，所述透明导电薄膜被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。
本发明实施例的显示面板的制备方法，在制备第二显示区域的PMOLED子像素时，在形成第四电极之前，在第二像素定义层上形成隔断结构层，所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫，从而，在沉积透明导电薄膜时，在第二显示区域，所述透明导电薄膜可以被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极，不再需要采用构图工艺单独形成第四电极，从而，PMOLED子像素的第四电极可以和AMOLED子像素的阴极同时形成，简化了显示面板的制备工艺，降低了制作成本。
在一个实施例中，所述第一隔离垫的靠近所述基底的一侧在所述基底上的正投影位于所述第一隔离垫的远离所述基底的一侧在所述基底上的正投影内。
在一个实施例中，
在沉积透明导电薄膜之前，所述方法还包括：在所述第二开口内形成第二发光结构层；或者，
在所述第二像素定义层上形成隔断结构层之前，所述方法还包括：在所述第二开口内形成第二发光结构层。
在一个实施例中，在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素，包括：
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的第一电极，所述第一电极和所述第三电极通过一次构图工艺形成；
在所述第一电极上形成第一像素定义层，所述第一像素定义层开设有暴露所述第一电极的第一开口，所述第一像素定义层和所述第二像素定义层通过一次掩膜工艺形成；
在所述第一开口内形成第一发光结构层，所述第一发光结构层与所述第二发光结构层同时形成；
在形成上述图案的基板上形成第二电极，所述第二电极与所述第四电极同时形成。
在一个实施例中，
形成所述第二像素定义层的材质包括正性有机材料，形成所述第一隔离垫的材质包括负性有机材料；或者，
形成所述第二像素定义层的材质包括负性有机材料，形成所述第一隔离垫的材质包括正性有机材料。
下面结合显示面板的制备过程详细说明本发明实施例的技术方案。其中，实施例中所说的“构图工艺”包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
S1：在基底20上形成阵列层30，具体可以包括：
S11：在基底20上形成缓冲层31；在缓冲层31上沉积有源薄膜，通过构图工艺形成有源层32，有源层32位于第一显示区域11，如图7a所示，图7a为显示面板中形成有源层后的结构示意图。其中，基底可以为玻璃基底或柔性基底(例如PI基底)，缓冲层可以包括氮化硅层、氧化硅层或氮化硅和氧化硅的复合层，有源层可以是非晶硅、多晶硅或微晶硅材料，也可以是金属氧化物材料等。
S12：在缓冲层31上形成第一栅绝缘层33；在第一栅绝缘层33上沉积栅导电薄膜，通过构图工艺形成第一栅电极34，第一栅电极34位于第一显示区域11，如图7b所示，图7b为显示面板中形成第一栅电极后的结构示意图。其中，第一栅绝缘层33可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层，第一栅电极可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。
S13：在第一栅电极34上形成第二栅绝缘层35；在第二栅绝缘层35上沉积栅导电薄膜，通过构图工艺形成第二栅电极36，第二栅电极36位于第一显示区域11，如图7c所示，图7c为显示面板中形成第二栅电极后的结构示意图。其中，第二栅绝缘层35可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层，第二栅电极可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。
S14：在第二栅电极36上形成层间绝缘层37，层间绝缘层37上设置有穿过层间绝缘层37、第二栅绝缘层35和第一栅绝缘层33以暴露有源层32的第一过孔371和第二过孔372。具体包括：在第二栅电极36上沉积层间绝缘薄膜；通过构图工艺形成穿过层间绝缘层37、第二栅绝缘层35和第一栅绝缘层33的第一过孔371和第二过孔372，有源层32通过第一过孔371和第二过孔372暴露，如图7d所示，图7d为显示面板中形成层间绝缘层后的结构示意图。
S15：在层间绝缘层37上沉积源/漏金属薄膜，通过构图工艺形成位于第一显示区域的源电极38和漏电极39，源电极38通过第一过孔371与有源层32电连接，漏电极39通过第二过孔372与有源层32电连接，如图7e所示，图7e为显示面板中形成源/漏电极后的结构示意图。
S16：在源/漏电极上形成平坦层21，平坦层21上设置有用于暴露漏电极39的第三过孔211，如图7f所示，图7f为显示面板中形成平坦层后的结构示意图。形成平坦层21的过程属于本领域常规技术，在此不再赘述。
在形成阵列层30过程中，位于第二显示区域的有源薄膜、两层栅导电薄膜和源/漏金属薄膜均被刻蚀掉，而缓冲层、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和层间绝缘层均保留，从而在形成平坦层21后，第一显示区域和第二显示区域可以保持在同一水平面上，有利于后期形成的第一电极和第三电极处于同一水平面上。
S2：在阵列层30背离基底20的一侧上形成发光功能层40，发光功能层40包括位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于第二显示区域的PMOLED子像素，具体包括：
S21：在阵列层30上形成位于第一显示区域的第一电极111，以及位于第二显示区域的第三电极121。具体包括：在平坦层21上形成导电薄膜，通过一次构图工艺形成位于第一显示区域的第一电极111，以及位于第二显示区域的第三电极121，如图8a所示，图8a为显示面板中形成第一电极和第三电极后的结构示意图。其中，第一电极111和第三电极121的材料可以包括ITO/Ag/ITO等。
显示面板在第二显示区域为PMOLED结构，因此，在形成第三电极121的同时还形成同一列上第三电极121之间的连线，即形成用于电连接同一列第三电极的第三电极连接线130。形成第三电极后，第二显示区域的平面结构示意图如图4、图5a、图5b或图5c所示。
S22：在第一电极111上形成位于第一显示区域的第一像素定义层114，在第三电极121上形成位于第二显示区域的第二像素定义层124，第一像素定义层114开设有暴露第一电极111的第一开口115，第二像素定义层124上开设有暴露第三电极121的第二开口125，第一像素定义层114和第二像素定义层124通过一次掩膜工艺形成。具体包括：在形成有第一电极和第三电极的基板上涂覆像素定义薄膜，采用掩膜板对像素定义薄膜进行曝光并显影，位于第一开口115和第二开口125位于的像素定义薄膜被去除，在第一显示区域形成第一像素定义层114，在第二显示区域形成第二像素定义层124，如图8b所示，图8b为显示面板中形成第一像素定义层和第二像素定义层后的结构示意图。
S23：在第二像素定义层124上形成隔断结构层，隔离结构层包括多个第一隔离垫126，第一隔离垫126位于相邻两行或相邻两列像素单元之间，第一隔离垫126呈条状结构，第一隔离垫126的靠近基底20的一侧在基底20上的正投影位于第一隔离垫126的远离基底20的一侧在基底20上的正投影内，从而，第一隔离垫126呈上大下小的截面结构，例如，在垂直于基底20的平面上，第一隔离垫126的截面呈倒梯形、或蘑菇型结构，如图8c所示，图8c为显示面板中形成第一隔离垫后的结构示意图。在一个实施例中，形成第二像素定义层的材质为正性有机材料(与正性光刻胶具有相同光照性能的有机材料)，例如正性光刻胶，那么，形成第一隔离垫的材质包括负性有机材料(与负性光刻胶具有相同光照性能的有机材料)，例如负性光刻胶，从而，在形成第一隔离垫126时不会对第二像素定义层产生影响。容易理解的是，当形成第二像素定义层的材质为负性有机材料时，形成第一隔离垫的材质包括正性有机材料。因此，第一隔离垫的材质与第二像素定义层的材质的光照性能相反。
在一个实施例中，在第二像素定义层124上形成第一隔离垫126的同时，在第一像素定义层114上形成若干个第二隔离垫116，若干个第二隔离垫116零星设置，第二隔离垫116可以呈柱状结构可以呈短条状结构，第二隔离垫116的靠近基底的一侧在基底20上的正投影位于第二隔离垫116的远离基底的一侧在基底20上的正投影内，例如第二隔离垫的截面呈倒梯形或蘑菇型结构，如图8c所示。
形成第一隔离垫126和第二隔离垫116的过程，具体可以包括：在形成有第一像素定义层114和第二像素定义层124的基板上涂覆隔离垫薄膜，采用掩膜板对隔离垫薄膜进行曝光并显影，保留第一隔离垫位置和第二隔离垫位置的隔离垫薄膜，去除其它位置的隔离垫薄膜，形成第一隔离垫126和第二隔离垫116，如图8c所示。可以采用本领域常规技术形成第一隔离垫和第二隔离垫，在此不再赘述。
S24：在第一开口内形成第一发光结构层112，在第二开口内形成第二发光结构层122，可以采用本领域常规技术形成第一发光结构层和第二发光结构层，例如蒸镀。
在其它实施例中，也可以先进行S24过程，然后再进行S23的过程。在本实施例中，先进行S23，然后进行S24。容易理解的是，发光功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层等膜层。在形成发光功能层时，相邻像素单元的空穴传输层通常是一体膜层，即相邻像素单元的空穴传输层是连接的。因此，先形成第一隔离垫后，第一隔离垫可以将相邻像素单元的空穴传输层隔断，避免邻近像素单元之间产生串扰，提高显示性能。
S25：在第一显示区域形成第二电极，在第二显示区域形成第四电极，在第一隔离垫的作用下，第四电极呈间隔设置的条状电极，具体包括：在形成第二隔离垫126、第一发光结构层112和第二发光结构层122的基板上沉积透明导电薄膜，位于第二显示区域的透明导电薄膜被第一隔离垫126断开为彼此断开的条状电极，因此，在第二显示区域形成彼此断开的条状第四电极123，如图6所示。其中，透明导电薄膜的材料可以为铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)等。
如果不设置第一隔离垫126，为了使得第二显示区域满足PMOLED的驱动结构，需要对透明导电薄膜进行图案化，以便在第二显示区域形成彼此断开的条状第四电极。在图案化过程中需要进行刻蚀工艺，刻蚀过程可能会损伤第二电极、第四电极、像素定义层和发光功能层，进而影响显示。
本实施例中，在形成发光功能层之前，形成第一隔离垫，在后续沉积透明导电薄膜时，透明导电薄膜可以被第一隔离垫断开为彼此断开的条状电极，从而获得彼此断开的条状第四电极，满足PMOLED的驱动结构，而且，在形成发光功能层和第四电极之前形成第一隔离垫，不会对后续形成的发光功能层和第四电极产生影响，保证了显示面板的显示效果。
由于第二隔离垫116是零星设置的，因此，第二隔离垫116不会将位于第一显示区域的第二电极断开，位于第一显示区域的第二电极仍旧电连接为一体，从而保证了第一显示区域的AMOLED的驱动结构。
图9为本发明实施例形成的第二显示区域的发光功能层的平面结构示意图。容易理解的是，若每一列上的第三电极电连接，则第一隔离垫126设置在每相邻两行像素单元之间，从而，第一隔离垫126可以将第四电极隔断成彼此断开的条状电极行，每一行第四电极电连接；若每一行上的第三电极电连接，则第一隔离垫126设置在相邻两列像素单元之间，从而，第一隔离垫126可以将第四电极隔断成彼此断开的的条状电极列，每一列第四电极电连接，从而满足PMOLED的驱动模式。在图9中，像素单元中的多个子像素呈“品”字型阵列排布，每一列上的第三电极121电连接，第一隔离垫126设置在每相邻两行像素单元之间，第一隔离垫126将第四电极隔断成彼此断开的条状电极行，即条状的第四电极123沿行方向延伸，多个条状的第四电极123沿列方向排列。当像素单元中的多个子像素呈矩阵型阵列排布时，若每一列上的第三电极电连接，第一隔离垫同样设置在每相邻两行像素单元之间。
采用本发明实施例的制备方法制备显示面板时，所述第一电极和所述第三电极通过一次构图工艺形成，所述第一像素定义层和所述第二像素定义层通过一次掩膜工艺形成，所述第一发光结构层与所述第二发光结构层同时形成，所述第二电极与所述第四电极同时形成，从而可以同时形成PMOLED子像素和AMOLED子像素，简化了显示面板的制备工艺，降低了显示面板的制作成本。
第二实施例：
图10为本发明第二实施例显示装置的结构示意图。基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图10所示。该显示装置包括前述实施例的显示面板，如图10所示，还包括与第一显示区域中驱动电路100电连接的第一控制模组200，以及与第二显示区域中第一电压信号线Seg和第二电压信号线Com电连接的第二控制模组300。第一控制模组200用于控制驱动电路100工作，进而控制第一显示区域显示，第二控制模组300控制第二显示区域显示。
在一个实施例中，第一控制模组200和第二控制模组300位于显示面板的相对两侧。
在具体实施中，显示装置还包括传感模块，例如摄像头、红外传感器、听筒等器件，传感模块设置在显示面板的第二显示区域、且位于显示面板的背光侧，传感模块的感光面朝向显示面板。
本发明实施例的显示装置为全面屏显示装置。
本发明实施例的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (17)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域，所述制备方法，包括：
在基底上形成阵列层；
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于第二显示区域的PMOLED子像素，
其中，在所述阵列层上形成位于第二显示区域的PMOLED子像素，包括：
在所述阵列层上形成位于第二显示区域的多个第三电极，多个第三电极呈阵列式排布；
在所述第三电极上形成第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有暴露所述第三电极的第二开口；
在所述第二像素定义层上形成隔断结构层，所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫；
在形成上述图案的基底上沉积透明导电薄膜，在第二显示区域，所述透明导电薄膜被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一隔离垫的靠近所述基底的一侧在所述基底上的正投影位于所述第一隔离垫的远离所述基底的一侧在所述基底上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
在沉积透明导电薄膜之前，所述方法还包括：在所述第二开口内形成第二发光结构层；或者，
在所述第二像素定义层上形成隔断结构层之前，所述方法还包括：在所述第二开口内形成第二发光结构层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的AMOLED子像素，包括：
在所述阵列层背离所述基底的一侧上形成位于第一显示区域的第一电极，所述第一电极和所述第三电极通过一次构图工艺形成；
在所述第一电极上形成第一像素定义层，所述第一像素定义层开设有暴露所述第一电极的第一开口，所述第一像素定义层和所述第二像素定义层通过一次掩膜工艺形成；
在所述第一开口内形成第一发光结构层，所述第一发光结构层与所述第二发光结构层同时形成；
在形成上述图案的基板上形成第二电极，所述第二电极与所述第四电极同时形成。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的制备方法，其特征在于，
形成所述第二像素定义层的材质包括正性有机材料，形成所述第一隔离垫的材质包括负性有机材料；或者，
形成所述第二像素定义层的材质包括负性有机材料，形成所述第一隔离垫的材质包括正性有机材料。
6.一种显示面板，其特征在于，包括第一显示区域和第二显示区域，所述显示面板还包括：
基底；
阵列层，设置在所述基底上；
发光功能层，设置在所述阵列层背离所述基底的一侧上，所述发光功能层包括位于第一显示区域的AMOLED子像素和位于所述第二显示区域的PMOLED子像素，其中，
多个PMOLED子像素呈阵列式排布，PMOLED子像素包括第三电极，所述第三电极上设置有第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有暴露所述第三电极的第二开口，所述第二像素定义层上设置有隔断结构层，所述隔断结构层包括位于相邻两行或相邻两列像素单元之间的第一隔离垫，PMOLED子像素还包括设置在所述第二开口内且位于所述第三电极上的第二发光结构层以及设置在所述隔断结构层上的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜被所述第一隔离垫断开为彼此断开的条状第四电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一隔离垫的靠近所述基底的一侧在所述基底上的正投影位于所述第一隔离垫的远离所述基底的一侧在所述基底上的正投影内。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阵列层包括位于第一显示区域的薄膜晶体管，AMOLED子像素包括与所述薄膜晶体管电连接的第一电极，所述第一电极上设置有第二像素定义层，所述第二像素定义层开设有暴露所述第一电极的第一开口，所述第一像素定义层上设置有若干个位于非所述第一开口区域的第二隔离垫，所述第二隔离垫与所述第一隔离垫同时形成，AMOLED子像素还包括设置在所述第一开口内且位于所述第一电极和所述第一像素定义层上的第一发光结构层，以及设置在所述第一发光结构层上的第二电极。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第四电极的材料包括透明导电材料。
10.根据权利要求6～9中任意一项所述的显示面板，其特征在于，在第二显示区域，每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，每个像素单元的开口率为15％～25％。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，每个像素单元中，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素呈“品”字型排列。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，蓝色子像素的图案呈第一正六边形，红色子像素的图案呈第二正六边形，绿色子像素的图案呈菱形，所述蓝色子像素的图案尺寸小于所述红色子像素的图案尺寸。
13.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，在第二显示区域，第三电极连接线为曲线，所述第三电极连接线为同一列上相邻两个同颜色子像素的第三电极之间的连接线。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述第三电极连接线呈弧形或“S”形，
或者，
所述第三电极连接线为依次交替的第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和所述第二弧形的凸出方向相反。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第三电极连接线的宽度为4μm～6μm。
16.根据权利要求11～15中任意一项所述的显示面板，其特征在于，相邻两个子像素的间距为26.4μm～32μm。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6～16中任意一项所述的显示面板。
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