CN112827610A - 一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,包括从左到右并排设置的第一底架和第二底架,第二底架顶部的右侧设置有一次粉碎机构,第一底架内壁的底部设置有低温介入机构,第一底架内壁上方的两侧均转动连接有转轴,本发明涉及半导体材料加工技术领域。该采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,通过在第二底架顶部的右侧设置一次粉碎机构,第一底架内壁的底部设置低温介入机构,利用低温介入机构中的低温箱、冷凝器、控制箱和导线,可以先行对半导体材料进行脆化处理,后续粉碎过程更加容易进行,配合一次粉碎机构进行粉碎箱内的往复碾压过程,对半导体材料的初步粉碎过程,减少粉碎时间,提升粉碎效率。

Description

一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法
技术领域
本发明涉及半导体材料加工技术领域,具体为一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料;半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。
参考中国专利,一种半导体材料粉碎装置(公开号:CN206996775U、公开日:2018-02-13),该半导材料粉碎装置,通过设置磨盘、磨板、凸起和凹槽,达到了对半导体材料的研磨破碎,研磨破碎使破碎的更彻底,破碎成完全的粉末状,通过防护罩,达到了防止磨盘转动使破碎后的粉末飞出收集范围,通过设置凸起和凹槽为三角形,达到了对材料的彻底破碎,同时研磨破碎效率高,节省了人力物力;
参考中国专利,一种半导体材料粉碎装置(公开号:CN204564206U、公开日:2015-08-19),利用升降装置来带动粉碎板重复进行上升或下降的过程,使粉碎板对粉碎槽内的母合金进行破碎处理,机械化操作,可以避免破碎的不均匀性,产能可提高一倍以上,既减少了人工费用又减少了母合金的浪费,降低了生产成本和能源消耗。同时可以解决人工破碎时操作人员容易受伤的难题。
但是现有的半导体材料粉碎过程仍存在下列问题:
1、现有的半导体材料粉碎过程,由于半导体材料本身硬度较高,导致后续粉碎过程不容易进行,并且半导体材料单次粉碎的时间较长,导致半导体材料粉碎效率较低;
2、现有的半导体材料粉碎过程,单次粉碎半导体材料的过程,不能很好的去除半导体材料中结块颗粒,而采用多次相同的粉碎操作会导致半导体材料接触位置难以发生改变,粉碎的精度较低;
3、现有的半导体材料粉碎过程,粉碎的空间较大,导致半导体材料中间部分难以进行很好的粉碎处理,并且需要借助人工进行下料,浪费大量的人力,智能化程度低。
为此,本发明提出了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,以解决上述提到的问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,解决了现有的半导体材料粉碎过程,半导体材料本身硬度较高,导致后续粉碎过程不容易进行,粉碎效率较低,粉碎的精度较低,粉碎的空间较大,并且需要借助人工进行下料的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,包括从左到右并排设置的第一底架和第二底架,所述第二底架顶部的右侧设置有一次粉碎机构,所述第一底架内壁的底部设置有低温介入机构,所述第一底架内壁上方的两侧均转动连接有转轴,两个所述转轴的外表面传动连接有传动带,所述转轴的一端贯穿第一底架并延伸至第一底架的外部,所述第一底架的一侧固定连接有第一电机,所述第一电机的输出端与转轴的一端通过联轴器固定连接,所述传动带的右侧设置有二次粉碎机构,所述第一底架顶部的左侧设置有细料机构;所述一次粉碎机构包括固定在第二底架顶部的座架,所述座架的顶部固定连接有粉碎箱,且粉碎箱顶部的两侧均连通固定有进料管,所述粉碎箱的内部滑动连接有压板,所述压板的顶部固定连接有滑板,所述滑板的顶部贯穿粉碎箱并延伸至粉碎箱的外部,所述粉碎箱顶部的一侧固定连接有竖板,所述竖板的表面固定连接有安装板,所述安装板的一侧固定连接有滑轨,且滑轨的内表面滑动连接有滑座,所述滑座的表面转动连接有转动板,所述竖板的表面固定连接有固定座,所述固定座的表面固定连接有第二电机,所述第二电机的输出端通过联轴器固定连接有转杆,所述转杆的一端贯穿固定座并延伸至固定座的外部,所述转杆的一端固定连接有转盘,且转盘的底部与转动板的顶部转动连接,所述第二底架的顶部且位于座架的正下方设置有收集盒。
优选的,所述低温介入机构包括固定在第一底架内壁底部的低温箱,所述低温箱的顶部贯穿固定有冷凝器,所述第一底架的表面固定连接有控制箱,且控制箱与冷凝器之间通过导线电性连接。
优选的,所述二次粉碎机构包括固定在第一底架右侧的方箱,所述方箱靠近传动带的一侧开设有通槽,所述方箱远离传动带的一侧连通固定有出料斗,所述第二底架的顶部且位于出料斗的正下方固定连接有收集箱。
优选的,所述方箱的底部且位于通槽的一侧连通固定有连接斗,所述第二底架的顶部固定连接有固定箱,且固定箱的顶部与连接斗的底部连通固定,所述固定箱的内部滑动连接有挤压盒。
优选的,所述挤压盒的一侧贯穿固定箱并延伸至固定箱的外部,所述挤压盒的一侧固定连接有第三电机,所述第三电机的输出端通过联轴器固定连接有螺纹杆,所述螺纹杆的一端贯穿挤压盒并延伸至挤压盒的内部。
优选的,所述螺纹杆的外表面螺纹连接有螺纹套,所述挤压盒内部滑动连接有施力板,且施力板的一侧与螺纹套的一端转动连接,所述螺纹套的外表面固定连接有限位板,且限位板的外表面与挤压盒的内表面滑动连接。
优选的,所述细料机构包括固定在第一底架顶部的折板,所述折板内壁的左侧固定连接有稳定板,所述稳定板右侧的两侧均固定连接有液压杆,且液压杆的输出端固定连接有加压塞,所述折板底部的两侧均开设有安装槽,两个所述安装槽的内壁均固定连接有套管,所述液压杆的一端贯穿套管并延伸至套管的内部,且加压塞的外表面与套管的内表面滑动连接,所述套管内壁的右侧转动连接有转动套,且转动套表面开设有第一料孔。
优选的,所述套管外表面的底部开设有第二料孔,且第二料孔与第一料孔可重叠落料,所述转动套的右端贯穿套管并延伸至套管的外部,两个所述转动套的右端均固定连接有第一齿轮,所述折板的顶部固定连接有顶板,且顶板的一侧固定连接有第四电机。
优选的,所述第四电机的输出端通过联轴器固定连接有转柱,所述转柱的一端贯穿顶板并延伸至顶板的外部,所述转柱的右端固定连接有第二齿轮,且第二齿轮的一侧与第一齿轮的一侧啮合。
本发明还公开了一种采用低温介入的半导体材料粉碎方法,具体包括以下步骤:
S1、首先将半导体材料放入低温箱内,然后通过控制箱输入控制指令,经过导线使得冷凝器工作,此时低温箱内处于低温状态对半导体材料进行冷冻,完成操作后,通过控制箱关闭冷凝器取出半导体材料即可;
S2、此时将冷冻后的半导体材料从进料管通入,此时启动第二电机,经过第二电机带动转杆转动,转杆转动进而带动转盘转动,转盘转动进一步带动转动板上下摆动,此时在转动板的作用下带动滑座在滑轨的内表面上下滑动,然后带动滑板在粉碎箱的内壁上下移动,滑板上下移动使得压板上下移动,从而对冷冻后的半导体材料进行挤压粉碎,最后通过收集盒收集即可;
S3、此时将收集盒收集的半导体材料倒在传动带上,然后启动第一电机,经过第一电机带动转轴转动,转轴转动使得传动带传动即可,然后传动带上的半导体材料经过方箱上的通槽进入连接斗内,进而通过连接斗进入固定箱内,进一步启动第三电机,经过第三电机带动螺纹杆转动,螺纹杆转动使得螺纹套向一侧移动,并经过限位板进行限位,此时带动施力板向一侧运动挤压半导体材料,完成操作后,取出挤压盒将挤压后的半导体材料取出即可;
S4、然后将挤压盒取出的半导体材料通入套管内,此时启动液压杆,经过液压杆推动加压塞向一侧挤压半导体材料,然后同时启动第四电机,此时第四电机带动转柱转动,转柱转动进一步带动第二齿轮转动,第二齿轮转动使得啮合的第一齿轮转动,第一齿轮转动再带动转动套转动,当转动套上的第一料孔与套管上的第二料孔重合时,此时半导体材料落下进入收集箱即可,重复进行操作即可。
(三)有益效果
本发明提供了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法。与现有技术相比,具备以下有益效果:
(1)、该采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,通过在第二底架顶部的右侧设置一次粉碎机构,第一底架内壁的底部设置低温介入机构,利用低温介入机构中的低温箱、冷凝器、控制箱和导线,可以先行对半导体材料进行脆化处理,后续粉碎过程更加容易进行,再配合一次粉碎机构进行粉碎箱内的往复碾压过程,实现了对半导体材料的初步粉碎过程,减少粉碎时间,提升粉碎效率。
(2)、该采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,通过在传动带的右侧设置二次粉碎机构,经过方箱和通槽,将传动带上的半导体材料输送至连接斗和固定箱内,配合第三电机、螺纹杆、螺纹套、施力板和限位板进行二次碾压,可以将一次粉碎机构进行后未粉碎的颗粒进一步进行粉碎,极大的减少了半导体材料中结块颗粒,提升了后续进行细料处理的精度。
(3)、该采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,通过在第一底架顶部的左侧设置细料机构,利用液压杆和加压塞对套管内的半导体材料进一步挤压,将半导体材料处于更小的空间内进行挤压,提升半导体材料粉碎的精度,配合第四电机、转柱、第二齿轮和第一齿轮,第一料孔和第二料孔间歇性重叠,实现了半导体材料的自动下料过程,节省了人力,智能化程度高。
附图说明
图1为本发明第一视角的外部结构立体图;
图2为本发明第二视角的外部结构立体图;
图3为本发明一次粉碎机构的立体结构示意图;
图4为本发明图3中A处的局部结构放大图;
图5为本发明二次粉碎机构的立体结构示意图;
图6为本发明的局部结构立体图;
图7为本发明细料机构的外部结构爆炸图;
图8为本发明图7中B处的局部结构放大图;
图9为本发明的局部结构剖视图。
图中,1-第一底架、2-第二底架、3-一次粉碎机构、31-座架、32-粉碎箱、33-进料管、34-压板、35-滑板、36-竖板、37-安装板、38-滑轨、39-滑座、310-转动板、311-固定座、312-第二电机、313-转杆、314-转盘、315-收集盒、4-低温介入机构、41-低温箱、42-冷凝器、43-控制箱、44-导线、5-转轴、6-传动带、7-第一电机、8-二次粉碎机构、81-方箱、82-通槽、83-出料斗、84-收集箱、85-连接斗、86-固定箱、87-挤压盒、88-第三电机、89-螺纹杆、810-螺纹套、811-施力板、812-限位板、9-细料机构、91-折板、92-稳定板、93-液压杆、94-加压塞、95-安装槽、96-套管、97-转动套、98-第一料孔、99-第二料孔、910-第一齿轮、911-顶板、912-第四电机、913-转柱、914-第二齿轮。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-4,本发明实施例提供一种技术方案:一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,包括从左到右并排设置的第一底架1和第二底架2,第二底架2顶部的右侧设置有一次粉碎机构3,第一底架1内壁的底部设置有低温介入机构4,低温介入机构4包括固定在第一底架1内壁底部的低温箱41,低温箱41的顶部贯穿固定有冷凝器42,冷凝器42为现有的制冷技术,第一底架1的表面固定连接有控制箱43,且控制箱43与冷凝器42之间通过导线44电性连接,第一底架1内壁上方的两侧均转动连接有转轴5,两个转轴5的外表面传动连接有传动带6,转轴5的一端贯穿第一底架1并延伸至第一底架1的外部,第一底架1的一侧固定连接有第一电机7,第一电机7与外部电源电性连接,第一电机7的输出端与转轴5的一端通过联轴器固定连接,传动带6的右侧设置有二次粉碎机构8,第一底架1顶部的左侧设置有细料机构9;一次粉碎机构3包括固定在第二底架2顶部的座架31,座架31的顶部固定连接有粉碎箱32,粉碎箱32的底部开设有电控门,可以使得物料落下进入收集盒315内,且粉碎箱32顶部的两侧均连通固定有进料管33,粉碎箱32的内部滑动连接有压板34,压板34左右不贴合粉碎箱32的内壁,可以使进料管33落下的料进入压板34的下方,压板34的顶部固定连接有滑板35,滑板35的顶部贯穿粉碎箱32并延伸至粉碎箱32的外部,粉碎箱32顶部的一侧固定连接有竖板36,竖板36的表面固定连接有安装板37,安装板37的一侧固定连接有滑轨38,且滑轨38的内表面滑动连接有滑座39,滑座39的表面转动连接有转动板310,竖板36的表面固定连接有固定座311,固定座311的表面固定连接有第二电机312,第二电机312与外部电源电性连接,第二电机312的输出端通过联轴器固定连接有转杆313,转杆313的一端贯穿固定座311并延伸至固定座311的外部,转杆313的一端固定连接有转盘314,且转盘314的底部与转动板310的顶部转动连接,第二底架2的顶部且位于座架31的正下方设置有收集盒315。
请参阅图5-6,二次粉碎机构8包括固定在第一底架1右侧的方箱81,方箱81靠近传动带6的一侧开设有通槽82,方箱81远离传动带6的一侧连通固定有出料斗83,第二底架2的顶部且位于出料斗83的正下方固定连接有收集箱84,方箱81的底部且位于通槽82的一侧连通固定有连接斗85,第二底架2的顶部固定连接有固定箱86,且固定箱86的顶部与连接斗85的底部连通固定,固定箱86的内部滑动连接有挤压盒87,挤压盒87可以通过螺栓进行紧固将其固定在固定箱86上防止其移动,挤压盒87的一侧贯穿固定箱86并延伸至固定箱86的外部,挤压盒87的一侧固定连接有第三电机88,第三电机88为三相异步电动机,且与外部电源电性连接,第三电机88的输出端通过联轴器固定连接有螺纹杆89,螺纹杆89的一端贯穿挤压盒87并延伸至挤压盒87的内部,螺纹杆89的外表面螺纹连接有螺纹套810,挤压盒87内部滑动连接有施力板811,且施力板811的一侧与螺纹套810的一端转动连接,螺纹套810的外表面固定连接有限位板812,且限位板812的外表面与挤压盒87的内表面滑动连接。
请参阅图7-9,细料机构9包括固定在第一底架1顶部的折板91,折板91内壁的左侧固定连接有稳定板92,稳定板92右侧的两侧均固定连接有液压杆93,液压杆93与外部电源电性连接,且液压杆93的输出端固定连接有加压塞94,折板91底部的两侧均开设有安装槽95,两个安装槽95的内壁均固定连接有套管96,套管96上开设有进料孔,液压杆93的一端贯穿套管96并延伸至套管96的内部,且加压塞94的外表面与套管96的内表面滑动连接,套管96内壁的右侧转动连接有转动套97,且转动套97表面开设有第一料孔98,套管96外表面的底部开设有第二料孔99,且第二料孔99与第一料孔98可重叠落料,转动套97的右端贯穿套管96并延伸至套管96的外部,两个转动套97的右端均固定连接有第一齿轮910,折板91的顶部固定连接有顶板911,且顶板911的一侧固定连接有第四电机912,第四电机912与外部电源电性连接,第四电机912的输出端通过联轴器固定连接有转柱913,转柱913的一端贯穿顶板911并延伸至顶板911的外部,转柱913的右端固定连接有第二齿轮914,且第二齿轮914的一侧与第一齿轮910的一侧啮合。
本发明还公开了一种采用低温介入的半导体材料粉碎方法,具体包括以下步骤:
S1、首先将半导体材料放入低温箱41内,然后通过控制箱43输入控制指令,经过导线43使得冷凝器42工作,此时低温箱41内处于低温状态对半导体材料进行冷冻,完成操作后,通过控制箱43关闭冷凝器42取出半导体材料即可;
S2、此时将冷冻后的半导体材料从进料管33通入,此时启动第二电机312,经过第二电机312带动转杆313转动,转杆313转动进而带动转盘314转动,转盘314转动进一步带动转动板310上下摆动,此时在转动板310的作用下带动滑座390在滑轨38的内表面上下滑动,然后带动滑板35在粉碎箱32的内壁上下移动,滑板35上下移动使得压板34上下移动,从而对冷冻后的半导体材料进行挤压粉碎,最后通过收集盒315收集即可;
S3、此时将收集盒315收集的半导体材料倒在传动带6上,然后启动第一电机7,经过第一电机7带动转轴5转动,转轴5转动使得传动带6传动即可,然后传动带6上的半导体材料经过方箱81上的通槽82进入连接斗85内,进而通过连接斗85进入固定箱86内,进一步启动第三电机88,经过第三电机88带动螺纹杆89转动,螺纹杆89转动使得螺纹套810向一侧移动,并经过限位板812进行限位,此时带动施力板811向一侧运动挤压半导体材料,完成操作后,取出挤压盒87将挤压后的半导体材料取出即可;
S4、然后将挤压盒87取出的半导体材料通入套管96内,此时启动液压杆93,经过液压杆93推动加压塞94向一侧挤压半导体材料,然后同时启动第四电机912,此时第四电机912带动转柱913转动,转柱913转动进一步带动第二齿轮914转动,第二齿轮914转动使得啮合的第一齿轮910转动,第一齿轮910转动再带动转动套97转动,当转动套97上的第一料孔98与套管96上的第二料孔99重合时,此时半导体材料落下进入收集箱84即可,重复进行操作即可。
同时本说明书中未作详细描述的内容均属于本领域技术人员公知的现有技术。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,包括从左到右并排设置的第一底架(1)和第二底架(2),其特征在于:所述第二底架(2)顶部的右侧设置有一次粉碎机构(3),所述第一底架(1)内壁的底部设置有低温介入机构(4),所述第一底架(1)内壁上方的两侧均转动连接有转轴(5),两个所述转轴(5)的外表面传动连接有传动带(6),所述转轴(5)的一端贯穿第一底架(1)并延伸至第一底架(1)的外部,所述第一底架(1)的一侧固定连接有第一电机(7),所述第一电机(7)的输出端与转轴(5)的一端通过联轴器固定连接,所述传动带(6)的右侧设置有二次粉碎机构(8),所述第一底架(1)顶部的左侧设置有细料机构(9);
所述一次粉碎机构(3)包括固定在第二底架(2)顶部的座架(31),所述座架(31)的顶部固定连接有粉碎箱(32),且粉碎箱(32)顶部的两侧均连通固定有进料管(33),所述粉碎箱(32)的内部滑动连接有压板(34),所述压板(34)的顶部固定连接有滑板(35),所述滑板(35)的顶部贯穿粉碎箱(32)并延伸至粉碎箱(32)的外部,所述粉碎箱(32)顶部的一侧固定连接有竖板(36),所述竖板(36)的表面固定连接有安装板(37),所述安装板(37)的一侧固定连接有滑轨(38),且滑轨(38)的内表面滑动连接有滑座(39),所述滑座(39)的表面转动连接有转动板(310),所述竖板(36)的表面固定连接有固定座(311),所述固定座(311)的表面固定连接有第二电机(312),所述第二电机(312)的输出端通过联轴器固定连接有转杆(313),所述转杆(313)的一端贯穿固定座(311)并延伸至固定座(311)的外部,所述转杆(313)的一端固定连接有转盘(314),且转盘(314)的底部与转动板(310)的顶部转动连接,所述第二底架(2)的顶部且位于座架(31)的正下方设置有收集盒(315)。
2.根据权利要求1所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述低温介入机构(4)包括固定在第一底架(1)内壁底部的低温箱(41),所述低温箱(41)的顶部贯穿固定有冷凝器(42),所述第一底架(1)的表面固定连接有控制箱(43),且控制箱(43)与冷凝器(42)之间通过导线(44)电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述二次粉碎机构(8)包括固定在第一底架(1)右侧的方箱(81),所述方箱(81)靠近传动带(6)的一侧开设有通槽(82),所述方箱(81)远离传动带(6)的一侧连通固定有出料斗(83),所述第二底架(2)的顶部且位于出料斗(83)的正下方固定连接有收集箱(84)。
4.根据权利要求3所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述方箱(81)的底部且位于通槽(82)的一侧连通固定有连接斗(85),所述第二底架(2)的顶部固定连接有固定箱(86),且固定箱(86)的顶部与连接斗(85)的底部连通固定,所述固定箱(86)的内部滑动连接有挤压盒(87)。
5.根据权利要求4所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述挤压盒(87)的一侧贯穿固定箱(86)并延伸至固定箱(86)的外部,所述挤压盒(87)的一侧固定连接有第三电机(88),所述第三电机(88)的输出端通过联轴器固定连接有螺纹杆(89),所述螺纹杆(89)的一端贯穿挤压盒(87)并延伸至挤压盒(87)的内部。
6.根据权利要求5所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述螺纹杆(89)的外表面螺纹连接有螺纹套(810),所述挤压盒(87)内部滑动连接有施力板(811),且施力板(811)的一侧与螺纹套(810)的一端转动连接,所述螺纹套(810)的外表面固定连接有限位板(812),且限位板(812)的外表面与挤压盒(87)的内表面滑动连接。
7.根据权利要求1所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述细料机构(9)包括固定在第一底架(1)顶部的折板(91),所述折板(91)内壁的左侧固定连接有稳定板(92),所述稳定板(92)右侧的两侧均固定连接有液压杆(93),且液压杆(93)的输出端固定连接有加压塞(94),所述折板(91)底部的两侧均开设有安装槽(95),两个所述安装槽(95)的内壁均固定连接有套管(96),所述液压杆(93)的一端贯穿套管(96)并延伸至套管(96)的内部,且加压塞(94)的外表面与套管(96)的内表面滑动连接,所述套管(96)内壁的右侧转动连接有转动套(97),且转动套(97)表面开设有第一料孔(98)。
8.根据权利要求7所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述套管(96)外表面的底部开设有第二料孔(99),且第二料孔(99)与第一料孔(98)可重叠落料,所述转动套(97)的右端贯穿套管(96)并延伸至套管(96)的外部,两个所述转动套(97)的右端均固定连接有第一齿轮(910),所述折板(91)的顶部固定连接有顶板(911),且顶板(911)的一侧固定连接有第四电机(912)。
9.根据权利要求8所述的一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置,其特征在于:所述第四电机(912)的输出端通过联轴器固定连接有转柱(913),所述转柱(913)的一端贯穿顶板(911)并延伸至顶板(911)的外部,所述转柱(913)的右端固定连接有第二齿轮(914),且第二齿轮(914)的一侧与第一齿轮(910)的一侧啮合。
10.一种采用低温介入的半导体材料粉碎方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
S1、首先将半导体材料放入低温箱(41)内,然后通过控制箱(43)输入控制指令,经过导线(43)使得冷凝器(42)工作,此时低温箱(41)内处于低温状态对半导体材料进行冷冻,完成操作后,通过控制箱(43)关闭冷凝器(42)取出半导体材料即可;
S2、此时将冷冻后的半导体材料从进料管(33)通入,此时启动第二电机(312),经过第二电机(312)带动转杆(313)转动,转杆(313)转动进而带动转盘(314)转动,转盘(314)转动进一步带动转动板(310)上下摆动,此时在转动板(310)的作用下带动滑座(390)在滑轨(38)的内表面上下滑动,然后带动滑板(35)在粉碎箱(32)的内壁上下移动,滑板(35)上下移动使得压板(34)上下移动,从而对冷冻后的半导体材料进行挤压粉碎,最后通过收集盒(315)收集即可;
S3、此时将收集盒(315)收集的半导体材料倒在传动带(6)上,然后启动第一电机(7),经过第一电机(7)带动转轴(5)转动,转轴(5)转动使得传动带(6)传动即可,然后传动带(6)上的半导体材料经过方箱(81)上的通槽(82)进入连接斗(85)内,进而通过连接斗(85)进入固定箱(86)内,进一步启动第三电机(88),经过第三电机(88)带动螺纹杆(89)转动,螺纹杆(89)转动使得螺纹套(810)向一侧移动,并经过限位板(812)进行限位,此时带动施力板(811)向一侧运动挤压半导体材料,完成操作后,取出挤压盒(87)将挤压后的半导体材料取出即可;
S4、然后将挤压盒(87)取出的半导体材料通入套管(96)内,此时启动液压杆(93),经过液压杆(93)推动加压塞(94)向一侧挤压半导体材料,然后同时启动第四电机(912),此时第四电机(912)带动转柱(913)转动,转柱(913)转动进一步带动第二齿轮(914)转动,第二齿轮(914)转动使得啮合的第一齿轮(910)转动,第一齿轮(910)转动再带动转动套(97)转动,当转动套(97)上的第一料孔(98)与套管(96)上的第二料孔(99)重合时,此时半导体材料落下进入收集箱(84)即可,重复进行操作即可。
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