CN112820659B - 一种砷化镓基led芯片的半切测试方法 - Google Patents
一种砷化镓基led芯片的半切测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112820659B CN112820659B CN201911116489.8A CN201911116489A CN112820659B CN 112820659 B CN112820659 B CN 112820659B CN 201911116489 A CN201911116489 A CN 201911116489A CN 112820659 B CN112820659 B CN 112820659B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- cut
- blue film
- wire
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，包括步骤：S11,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；S12，将导线焊接到晶片的背金面上；S13，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；S14，对贴蓝膜的晶片进行半切；S15，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；S16，对测试完成的晶片进行全切；S17，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。本发明在晶片的背金上焊接导线，进行贴蓝膜操作，然后进行半切测试，在晶片的半切及测试过程中，蓝膜式中作为晶片载体，对晶片起到加固作用，有效避免了半切测试过程中的晶片破裂现象，提高了LED芯片的生产、测试效率，增加产量。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域,具体地说是一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法。
背景技术
目前红光LED、红外LED的主流衬底材料仍为砷化镓衬底，主要因其在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料中是生产工艺最为成熟、应用最为广泛的材料,在微电子材料中仅次于硅，是目前制作半导体发光器件、光电探测器件的基础材料。砷化镓材料在光电子器件中的优点主要表现为：直接跃迁型能带结构，光电转换效率高；电子迁移率高；抗辐射性能好；温度系数小，可在较高温度下正常工作；在空气或水蒸气中能稳定存在；常温下化学性质稳定，不溶于盐酸；与红、橙、黄光LED外延层具有良好的晶格匹配，可大大提高外延层质量，降低位错密度，从而提高器件的使用寿命和光电参数。
在光电子器件领域，砷化镓衬底材料虽然展现出了诸多优点，但在生产和使用过程中也存在一些缺点，如资源稀缺、价格昂贵，易对环境造成污染，衬底生产技术要求较高，机械强度较低等。因砷化镓衬底较低的机械强度导致其在芯片生产过程中易碎裂，尤其在管芯生产后期经衬底减薄处理后，加之各生产工艺过程中对衬底材料积累的内应力和机械损伤，极易发生碎裂。
由于砷化镓外延片是垂直导电结构，因此在测试过程中，需要先进行半切，然后测试，对测试完成的晶片，进行贴膜作业，才能全切，获得独立的晶粒。半切、测试过程容易导致晶片破裂，造成效率降低、产出减少。
发明内容
本发明实施例中提供了一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，以解决传统砷化镓基LED芯片半切测试过程中易导致晶片破裂，造成效率降低、产出减少的问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了如下技术方案：
本发明第一方面提供了一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，包括以下步骤：
S11,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S12，将导线焊接到晶片的背金面上；
S13，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S14，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S15，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S16，对测试完成的晶片进行全切；
S17，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
进一步地，步骤S11中，将放置到贴膜盘上晶片的背金面向上。
进一步地，步骤S12中所述导线为铜丝，所述铜丝线径为50-80um。
进一步地，所述导线焊接到晶片边缘的背金上，所述导线的一端与背金连接，另一端悬空。
本发明第二方面提供了另一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，包括以下步骤：
S21,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S22，将导线焊接到晶片的背金面上；
S23，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S24，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S25，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S26，对测试完成的晶片进行全切，对所述焊接导线的位置不切割；
S27，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
进一步地，步骤S11中，将放置到贴膜盘上晶片的背金面向上。
进一步地，步骤S12中所述导线为铜丝，所述铜丝线径为50-80um。
进一步地，所述导线焊接到晶片边缘的背金上，所述导线的一端与背金连接，另一端悬空。
发明内容中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是发明所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：
在晶片的背金上焊接导线，进行贴蓝膜操作，然后进行半切测试，在晶片的半切及测试过程中，蓝膜式中作为晶片载体，对晶片起到加固作用，有效避免了半切测试过程中的晶片破裂现象，提高了LED芯片的生产、测试效率，增加产量。另外在贴蓝膜前，在背金上焊接导线，便于完成测试，操作简单易实现。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明所述方法实施例1的流程示意图；
图2是本发明完成背金操作后的晶片结构示意图；
图3是本发明焊接导线后的晶片结构示意图；
图4是本发明贴蓝膜后的晶片结构示意图；
图5是本发明进行半切操作后的晶片结构示意图；
图6是本发明对半切后晶片进行测试的结构示意图；
图7是本发明进行全切操作后的晶片结构示意图；
图8是本发明所述方法实施例2的流程示意图；
图9是本发明对焊接导线的位置不切割晶片的结构示意图；
图中，1 P电极、2 ITO膜、3外延片、4背金面、5导线、6蓝膜。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本发明进行详细阐述。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本发明省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本发明。
如图1所示，本发明砷化镓基LED芯片的半切测试方法的其一实施例包括以下步骤：
S11,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S12，将导线焊接到晶片的背金面上；
S13，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S14，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S15，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S16，对测试完成的晶片进行全切；
S17，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
如图2所示，步骤S11中经过研磨、完成背金面制作的晶片包括P电极1、ITO膜2、外延片3和背金面4。背金面4形成N电极。本步骤中，将晶片的背金面4向上放置在贴膜盘上。
步骤S12中，导线选用铜丝，铜丝线径为50-80um。利用焊锡将铜丝焊接到晶片边缘的背金上，导线的一端与背金连接，另一端悬空。形成如图3所示的晶片。
步骤S13中，在贴膜盘上，对焊接有导线的晶片进行贴蓝膜操作，形成如图4所示的晶片。
步骤S14中，对贴蓝膜的晶片进行半切操作，形成如图5所示的晶片，其中半切是指切割深度未完全切割到芯片底部，能实现芯片间电性独立即可。
步骤S15中，如图6所示，对半切后的晶片进行测试，具体包括：将导线5连接至测试设备的负极，晶片的P电极1连接至测试设备的正极。
步骤S16中，对测试完的晶片进行全切操作，形成如图7所示的晶片。其中全切是指切割至芯片底部，实现芯片间物理隔离。
如图8所示，本发明砷化镓基LED芯片的半切测试方法的另一实施例包括以下步骤：
S21,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S22，将导线焊接到晶片的背金面上；
S23，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S24，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S25，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S26，对测试完成的晶片进行全切，对所述焊接导线的位置不切割；
S27，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
本实施例的步骤S21-S25、S27与上一实施例的步骤S11-S15、S17逐一对应，不同的是本实施例步骤S26在全切过程中，对焊接导线的位置不切割。当步骤S22在焊接导线时，导线的接触点跨过了一个晶粒，在进行全切操作时，如图9所示虚线处的切割位置A不切割，直接放弃该晶粒。在实际操作中，对于连接导线的晶粒均会放弃，相对于传统半切测试方法导致的裂片率，本实施例中放弃焊接金属的晶粒，其数量微乎其微，并不影响本发明实施例的降低裂片率、提高产量的显著效果。
以上所述只是本发明的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也被视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，包括以下步骤：
S11,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S12，将导线焊接到晶片的背金面上；
S13，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S14，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S15，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S16，对测试完成的晶片进行全切；
S17，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
2.根据权利要求1所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S11中，将放置到贴膜盘上晶片的背金面向上。
3.根据权利要求1所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S12中所述导线为铜丝，所述铜丝线径为50-80um。
4.根据权利要求3所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，所述导线焊接到晶片边缘的背金上，所述导线的一端与背金连接，另一端悬空。
5.一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，包括以下步骤：
S21,将经过研磨、完成背金面制作的晶片放置到贴膜盘；
S22，将导线焊接到晶片的背金面上；
S23，对焊接导线的晶片进行贴蓝膜作业；
S24，对贴蓝膜的晶片进行半切；
S25，将所述导线连接至测试设备的负极，对半切后的晶片进行测试；
S26，对测试完成的晶片进行全切，对所述焊接导线的位置不切割；
S27，将所述蓝膜扩张，得到独立的晶粒。
6.根据权利要求5所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S11中，将放置到贴膜盘上晶片的背金面向上。
7.根据权利要求5所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，步骤S12中所述导线为铜丝，所述铜丝线径为50-80um。
8.根据权利要求6所述的砷化镓基LED芯片的半切测试方法，其特征是，所述导线焊接到晶片边缘的背金上，所述导线的一端与背金连接，另一端悬空。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911116489.8A CN112820659B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 一种砷化镓基led芯片的半切测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911116489.8A CN112820659B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 一种砷化镓基led芯片的半切测试方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112820659A CN112820659A (zh) | 2021-05-18 |
| CN112820659B true CN112820659B (zh) | 2022-09-16 |
Family
ID=75851739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911116489.8A Active CN112820659B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 一种砷化镓基led芯片的半切测试方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112820659B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114851275B (zh) * | 2022-04-22 | 2024-04-05 | 浙江陶特容器科技股份有限公司 | 基于贴膜机的切割膜片控制方法、装置及存储介质 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260154A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | チップ製造方法 |
| CN102468382A (zh) * | 2010-11-15 | 2012-05-23 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法 |
| CN103400779A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-11-20 | 程君 | 一种半导体显示面板的制造方法 |
| CN107068820A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-08-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1174167A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
| TWI278644B (en) * | 2004-11-03 | 2007-04-11 | Chipmos Technologies Inc | Testing method and structure for LEDs in wafer form |
| CN104966680A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-10-07 | 南通富士通微电子股份有限公司 | Tm结构晶圆半切测试方法 |
-
2019
- 2019-11-15 CN CN201911116489.8A patent/CN112820659B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260154A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | チップ製造方法 |
| CN102468382A (zh) * | 2010-11-15 | 2012-05-23 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法 |
| CN103400779A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-11-20 | 程君 | 一种半导体显示面板的制造方法 |
| CN107068820A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-08-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112820659A (zh) | 2021-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103647012B (zh) | 一种用于led的晶圆级封装的芯片转移方法 | |
| US8952413B2 (en) | Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods | |
| US7625778B2 (en) | Method of manufacturing a substrate-free flip chip light emitting diode | |
| US8211722B2 (en) | Flip-chip GaN LED fabrication method | |
| KR100959079B1 (ko) | 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 | |
| TW541732B (en) | Manufacturing method of LED having transparent substrate | |
| CN101150156B (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| JP2005150675A (ja) | 半導体発光ダイオードとその製造方法 | |
| JP2007525016A (ja) | 窒化ガリウムを処理する方法 | |
| KR20060136293A (ko) | 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의제조방법 | |
| CN102569537B (zh) | 一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法 | |
| CN101442099A (zh) | 一种低热阻发光二极管芯片的结构及其制作方法 | |
| CN104916771A (zh) | 一种换衬底的正装GaN基发光二极管及其制备方法 | |
| CN112820659B (zh) | 一种砷化镓基led芯片的半切测试方法 | |
| GB2426123A (en) | Substrate-free flip chip light emitting diode | |
| CN110491978B (zh) | 用于巨量转移的led芯片结构及其制备方法 | |
| WO2014110982A1 (zh) | 一种基于激光剥离的半导体发光器件的制备方法 | |
| KR100613273B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| TW200830577A (en) | Method for manufacturing light emitting diode devices | |
| CN108123018A (zh) | 一种氮化镓基倒装结构发光器件及其制备方法 | |
| CN102185046A (zh) | 垂直结构氮化镓基led的制作方法 | |
| KR100497338B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| CN1619844A (zh) | GaN基LED倒扣焊组合和灯具及晶片水平的倒扣焊工艺 | |
| US20140183569A1 (en) | Led chip unit and manufacturing method thereof, and led module | |
| KR20060057855A (ko) | ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |