CN112797551A - 空气控制柜模块、洁净室系统及改善洁净室空气质量方法 - Google Patents

空气控制柜模块、洁净室系统及改善洁净室空气质量方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种用于洁净室系统的空气控制柜(ACC)模块。洁净室系统具有洁净厂房和洁净附属厂房。洁净室系统的洁净厂房配置成设置有至少一个晶圆处理装置。ACC模块包括ACC进气管、主柜和ACC管道。ACC进气管配置成将空气从洁净室系统的洁净厂房供应到ACC模块。主柜连接至ACC进气管，并且配置成从ACC进气管供应的空气中产生洁净空气。ACC管道连接至主柜，并且配置成将主柜产生的洁净空气供应到洁净室系统的洁净厂房中的晶圆处理装置。本发明还提供洁净室系统及改善洁净室空气质量方法。

Description

空气控制柜模块、洁净室系统及改善洁净室空气质量方法
技术领域
本发明总体涉及一种空气控制柜模块、具有空气控制柜模块的洁净室系统及改善洁净室空气质量方法。更具体而言，本发明涉及一种具有进气管以从洁净室系统的洁净厂房中抽出空气的空气控制柜模块。
背景技术
集成电路通常由光刻工艺(或曝光工艺)制成，该工艺使用标线片(或光掩模)以及相关的光源将电路图案投射到半导体晶圆的表面上。光刻工艺需要在晶圆上涂上一层光刻胶，曝光光刻胶层，然后对曝光的光刻胶显影。在曝光光刻胶层的过程中(例如，曝光过程)，将涂敷有光刻胶层的晶圆装载到曝光装置(即，扫描式或步进式光刻机)上，以用标线片的图案进行曝光。对曝光装置和标线片的颗粒污染可能会导致转移到晶圆上的光刻图案与其预期设计发生变化、变形或改变，最终影响所制造的半导体器件的质量。
为了减少颗粒污染，必须在洁净室系统内执行曝光过程。洁净室系统包括洁净厂房和洁净附属厂房。洁净室系统的洁净厂房用于容纳对颗粒浓度有较高要求的晶圆处理装置(例如，曝光装置)。洁净室系统的洁净附属厂房用于容纳不直接加工晶圆的辅助设备(例如电源设备、泵或通风控制设备)。这种辅助设备可能会引起振动，振动导致大气中的颗粒浓度增加。因此，这些辅助设备放置在与晶圆处理装置分开的空间中。洁净室系统中的空气在洁净附属厂房和洁净厂房之间不断循环。具体而言，将洁净附属厂房中的空气过滤，然后供应给洁净厂房；洁净厂房中的空气通过洁净室系统的排气孔流向洁净附属厂房。
对于对颗粒浓度有严格要求的曝光装置，空气控制柜将颗粒浓度低于预定水平的处理后的空气供应到曝光装置的进气口。因此，可以确保曝光装置对颗粒浓度的要求。然而，空气控制柜通常设置在洁净附属厂房中，并且抽入空气控制柜中的空气具有较高的颗粒浓度。改善供应给曝光装置的空气的洁净度的需求仍然存在。
发明内容
鉴于上述情况，本公开的目的在于提供一种空气控制柜(ACC)模块，以改善供应给洁净室系统中的晶圆处理装置的空气质量。
为了实现上述目的，本公开的实施方式提供了一种用于洁净室系统的ACC模块。洁净室系统具有洁净厂房和洁净附属厂房。洁净室系统的洁净厂房配置成设置有至少一个晶圆处理装置。ACC模块包括ACC进气管、主柜和ACC管道。ACC进气管配置成将空气从洁净室系统的洁净厂房供应到ACC模块。主柜连接至ACC进气管，并且配置成从ACC进气管供应的空气中产生洁净空气。ACC管道连接至主柜，并且配置成将主柜产生的洁净空气供应到洁净室系统的洁净厂房中的晶圆处理装置。
为了实现上述目的，本公开的另一种实施方式提供了一种用于处理半导体晶圆的洁净室系统。洁净室系统包括主体、楼板以及ACC模块。洁净室系统的主体具有内部空间。洁净室系统的楼板设置在主体的内部空间中。主体的内部空间通过楼板划分成洁净厂房和洁净附属厂房。洁净厂房配置成设置有至少一个晶圆处理装置。ACC模块包括ACC进气管、主柜和ACC管道。ACC进气管配置成将空气从洁净室系统的洁净厂房供应到ACC模块。主柜连接至ACC进气管，并且配置成从ACC进气管供应的空气中产生洁净空气。ACC管道连接至主柜，并且配置成将主柜产生的洁净空气供应到洁净室系统的洁净厂房中的晶圆处理装置。
为了实现上述目的，本公开的又一种实施方式提供了一种改善洁净室系统中的晶圆处理装置的空气质量的方法。洁净室系统具有洁净厂房和洁净附属厂房。晶圆处理装置设置在洁净室系统的洁净厂房中。方法包括步骤S501至S505。在步骤S501中，为洁净室系统提供ACC模块。ACC模块包括ACC进气管、主柜和ACC管道。在步骤S502中，将ACC模块的ACC管道连接至晶圆处理装置的进气口。在步骤S503中，ACC模块的ACC进气管将空气从洁净室系统的洁净厂房供应到ACC模块的主柜。在步骤S504中，ACC模块的主柜从ACC进气管供应的空气中产生洁净空气。在步骤S505中，将主柜产生的洁净空气通过ACC模块的ACC管道供应给晶圆处理装置。
如上所述，本公开的实施方式的ACC模块具有ACC进气管，ACC进气管能够从洁净室系统的洁净厂房中抽出空气。洁净厂房中的空气由洁净厂房过滤器过滤，并且空气质量比洁净附属厂房中的空气质量更高(或者颗粒浓度更低)。因此，本公开的实施方式中的ACC模块确保了供应到晶圆处理装置中的空气的洁净度。另外，通过提供颗粒浓度较低的空气，可以延长ACC模块中过滤器的使用寿命。
附图说明
现在将参考附图，仅通过示例的方式描述本技术的实施。
图1是根据本公开的实施方式的洁净室系统的示意图。
图2是根据本公开的另一种实施方式的洁净室系统的示意图。
图3是设置在图2的洁净室中的曝光装置的示意图。
图4是图2中的洁净室系统的ACC模块的示意图。
图5是图2中的洁净室系统的ACC模块的示意图。
图6是根据本公开的又一种实施方式的改善晶圆处理装置的空气质量的方法流程图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例性实施方式。然而，本公开可以以许多不同的形式来实现，并且不应被理解为限于本文所述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本公开变得透彻且完整，并向本领域技术人员充分传达本公开的范围。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施方式，而非旨在限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还将理解，在本文中使用时，术语“包括”、“包含”或“具有”指定存在所述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项的任何和全部组合。还应理解，尽管术语第一、第二、第三等在本文中可以用于描述各种元件、组件、区域、部件和/或部分，但是这些元件、组件、区域、部件和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、部件或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分进行区分。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、部件或部分可能被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
除非另有说明，否则本文中使用的全部术语(包括科技术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为其含义与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致，并且将不在理想化或过于正式的意义上来解释，除非本文这样明确指出。
将结合附图1至图6对本公开的示例性实施方式进行描述。将参照附图对本公开进行详细描述，其中所描绘的元件不必按比例示出，并且其中相同或相似的元件通过几幅视图中相同或相似的附图标记或者相同或相似的术语表示。
下文将结合附图进一步描述本公开。
参考图1，其示出了根据本公开的实施方式的洁净室系统100的示意图。如图1所示，洁净室系统100包括具有内部空间的主体110、设置在主体110的内部空间中的楼板111以及ACC模块140。主体110的内部空间被楼板111划分为洁净厂房112和洁净附属厂房113。洁净厂房112配置成设置有至少一个晶圆处理装置130(例如蚀刻装置、旋涂装置、化学机械研磨装置、清洗装置、曝光装置等)。洁净附属厂房113配置成设置有至少一个辅助设备(例如，电源设备、通风控制设备、泵等)。辅助设备为晶圆处理装置130提供电力、通风或者其他功能，而并不直接处理晶圆。通常，晶圆处理装置130要求较高的空气洁净度标准(或空气中较低的颗粒浓度)以防止晶圆缺陷。辅助设备经常产生振动，导致空气中颗粒浓度增加。因此，晶圆处理装置130和辅助设备分别设置在洁净室系统100的分开的空间(即，洁净厂房112和洁净附属厂房113)中，以确保晶圆处理装置130的空气洁净度。
洁净室系统100中的空气在洁净厂房112和洁净附属厂房113之间循环。洁净室系统100还包括洁净室管道123、主过滤器121和至少一个洁净厂房过滤器122。洁净室管道123联接至洁净厂房112和洁净附属厂房113，并且配置成将空气从洁净附属厂房113供应到洁净厂房112。主过滤器121联接至洁净室管道123，并且配置成过滤洁净附属厂房113供应的空气。至少一个洁净厂房过滤器122连接至洁净室管道123。洁净厂房过滤器122设置在洁净厂房112中，并且配置成过滤供应给洁净厂房112的空气。主过滤器121和洁净厂房过滤器122可以是高效微粒空气(HEPA)过滤器。HEPA过滤器能够从穿过其中的空气中去除至少99.95％的直径大于或等于0.3微米的颗粒。HEPA过滤器可以由随机排列的纤维垫组成。纤维通常由玻璃纤维组成，并且直径在0.5至2.0微米之间。洁净室系统100的楼板111包括至少一个通风区域111a，用于在洁净厂房112和洁净附属厂房113之间进行空气流通。具体而言，空气从洁净厂房112通过通风区域111a流入洁净附属厂房113中。通风区域111a具有多个排气孔，以允许洁净厂房112和洁净附属厂房113之间的空气流通。因此，洁净附属厂房113中的空气被泵送到洁净室管道123中，通过主过滤器121进行过滤，通过洁净厂房过滤器122进行过滤，然后供应给洁净厂房112。洁净厂房112中的空气将颗粒从洁净厂房112吹走，并通过通风区域111a中的排气孔流入洁净附属厂房113中。因此，空气在洁净室系统100的洁净厂房112和洁净附属厂房113中被不断地过滤和循环。对于设置在洁净厂房112中的晶圆处理装置130，ACC模块140将洁净空气供应至晶圆处理装置130的进气口131。ACC模块140从洁净附属厂房113抽吸空气，过滤空气中的颗粒，并调节过滤后的空气的温度和湿度，以满足晶圆处理装置130对空气质量的要求。如图1所示，从ACC模块140供应的空气将颗粒从晶圆处理装置130吹走，然后通过晶圆处理装置130的排气口132流入洁净厂房112中。因此，晶圆处理装置130中的颗粒浓度能够保持在较低水平。
ACC模块140包括ACC进气口141、主柜143和ACC管道142。ACC进气口141配置成将空气从洁净室系统100的洁净附属厂房113供应至ACC模块140。主柜143配置成通过ACC进气口141从洁净附属厂房113供应的空气中产生洁净空气。主柜143可以包括风扇、化学过滤器和湿度控制单元。主柜143的风扇配置成通过ACC进气口141将空气从洁净附属厂房113抽入主柜143中。主柜143的化学过滤器配置成去除由主柜143的风扇抽吸的空气中的化学物质和/或颗粒。湿度控制单元配置成控制从ACC进气口141供应的空气的湿度和温度。ACC管道142连接至主柜143，并且配置成将主柜143产生的洁净空气供应到洁净室系统100的洁净厂房112中的晶圆处理装置130。ACC管道142具有两端。ACC管道142的一端连接至主柜143，而ACC管道142的另一端连接至晶圆处理装置130的进气口131。从ACC模块140的ACC管道142供应的空气将颗粒从晶圆处理装置130吹走，然后通过晶圆处理装置130的排气口132流入洁净厂房112中。因此，ACC模块140确保了晶圆处理装置130中的空气质量(即，颗粒和化学物质的浓度、湿度、温度)。
参考图2，其示出了根据本公开的另一种实施方式的洁净室系统200的示意图。如图2所示，洁净室系统200包括具有内部空间的主体210、设置在主体210的内部空间中的楼板211以及ACC模块240。主体210的内部空间被楼板211划分为洁净厂房212和洁净附属厂房213。洁净厂房212配置成设置有至少一个晶圆处理装置。洁净附属厂房213配置成设置有至少一个辅助设备(例如，电源设备、通风控制设备、泵等)。辅助设备为晶圆处理装置提供电力、通风或者其他功能，而并不直接处理晶圆。通常，晶圆处理装置要求较高的空气洁净度标准(或空气中较低的颗粒浓度)以防止晶圆缺陷。辅助设备经常产生振动，导致空气中颗粒浓度增加。因此，晶圆处理装置和辅助设备分别设置在洁净室系统200的分开的空间(即，洁净厂房212和洁净附属厂房213)中，以确保晶圆处理装置的空气洁净度。晶圆处理装置可以是用于将图案转印到半导体晶圆上的曝光装置300，如图2所示。
洁净室系统200中的空气在洁净厂房212和洁净附属厂房213之间循环。洁净室系统200还包括洁净室管道223、主过滤器221以及至少一个洁净厂房过滤器222。洁净室管道223联接至洁净厂房212和洁净附属厂房213，并且配置成将空气从洁净附属厂房213供应到洁净厂房212。主过滤器221联接至洁净室管道223，并且配置成过滤洁净附属厂房213供应的空气。至少一个洁净厂房过滤器222连接至洁净室管道223。洁净厂房过滤器222设置在洁净厂房212中，并且配置成过滤供应给洁净厂房212的空气。主过滤器221和洁净厂房过滤器222可以是高效微粒空气(HEPA)过滤器。HEPA过滤器能够从穿过其中的空气中去除至少99.95％的直径大于或等于0.3微米的颗粒。HEPA过滤器可以由随机排列的纤维垫组成。纤维通常由玻璃纤维组成，并且直径在0.5至2.0微米之间。洁净室系统200的楼板211包括至少一个通风区域211a，用于在洁净厂房212和洁净附属厂房213之间进行空气流通。具体而言，空气从洁净厂房212通过通风区域211a流入洁净附属厂房213中。通风区域211a具有多个排气孔，以允许洁净厂房212和洁净附属厂房213之间的空气流通。因此，洁净附属厂房213中的空气被泵送到洁净室管道223中，通过主过滤器221进行过滤，通过洁净厂房过滤器222进行过滤，然后供应给洁净厂房212。洁净厂房212中的空气将颗粒从洁净厂房212吹走，并通过通风区域211a中的排气孔流入洁净附属厂房213中。因此，空气在洁净室系统200的洁净厂房212和洁净附属厂房213中被不断地过滤和循环。对于设置在洁净厂房212中的晶圆处理装置(即，曝光装置300)，ACC模块240将洁净空气供应至晶圆处理装置的进气口(即，曝光装置300的进气口301)。ACC模块240从洁净附属厂房213中抽吸空气，过滤空气中的颗粒，并调节过滤后的空气的温度和湿度，以满足晶圆处理装置对空气质量的要求。如图2所示，从ACC模块240供应的空气将颗粒从曝光装置300吹走，然后通过曝光装置300的排气口302流入洁净厂房212中。因此，曝光装置300中的颗粒浓度能够保持在较低水平。
参考图3，其示出了曝光装置300的示意图。曝光装置300是用于将标线片R的图案转印到半导体晶圆W上的光刻装置。曝光装置300包括照明模块320、标线片台330以及投影模块340，照明模块320通过使用从光源310提供的光来照射标线片R，标线片台330用于定位标线片R，投影模块340用于将标线片R的图案投影到晶圆W上。曝光装置300还包括用于定位晶圆W的晶圆台350、探测单元360以及控制单元370。
标线片台330通过沿Y轴方向移动标线片R来定位标线片R。在该实施方式中，用于保持标线片R的标线片台330包括标线片台底座332以及标线片支架333，标线片支架333设置在标线片台底座332上并用于将标线片R保持在标线片台底座332上方。第一驱动单元334根据驱动模式驱动标线片台底座332。第一干涉仪335连续测量标线片台底座332的位置。控制单元370控制第一驱动单元334根据驱动模式高精度地移动标线片台底座332。
探测单元360探测放置在标线片台底座332上的标线片R的特征。例如，探测单元360由读取单元构成，读取单元读取形成在标线片R上的诸如条形码之类的标识符。另外，探测单元360可以由感测标线片R的图像的图像感测单元(诸如区域传感器、反射传感器或照相机)以及对图像感测单元感测的图像进行处理的图像处理单元构成。例如，标线片R的特征包括标线片的类型或标线片的形状中的至少一种。标线片的类型可能有所不同。示例有用于制造半导体器件的通用标线片(例如，在其上绘制电路图案的标线片)，以及用于特殊用途的特殊标线片。特殊的标线片可以包括各种夹具，并且不限于在其上形成电路图案的标线片。
投影模块340将被照明模块320的光所照射的标线片R的图案以预定放大率(例如，1/4或1/5)投影到晶圆W上。投影模块340可以采用仅包括多个透镜元件的第一光学模块，包括多个透镜元件和至少一个凹透镜(例如，折反射光学系统)的第二光学模块，包括多个透镜元件和至少一个衍射光学元件(例如，相息图)的第三光学模块，以及全反射镜模块。对色差的任何必要校正可以通过使用由具有不同色散值或阿贝值(Abbe values)的钠钙玻璃材料制成的多个透镜元件，或者通过布置衍射光学元件以在与透镜元件的方向相反的方向上散射光来执行。
晶圆台350通过沿X轴和Y轴方向移动晶圆W来定位晶圆W。在该实施方式中，晶圆台350包括其上放置有晶圆W的晶圆台底座352，用于将晶圆W保持在晶圆台底座352上的晶圆支架353，以及用于驱动晶圆台底座352的第二驱动单元354。第二干涉仪355连续地测量晶圆台底座352的位置。控制单元370通过第二驱动单元354以高精度控制晶圆台底座352的位置。
控制单元370包括中央处理单元(CPU)和存储器，并且控制曝光装置300的整体操作。控制单元370控制将标线片R的图案转印到晶圆W上的曝光过程。
在曝光过程中，对曝光装置300(特别是投影模块340)的颗粒污染可能会导致转移到晶圆W上的光刻图案与其预期设计发生变化、变形或改变，最终影响所制造的半导体器件的质量。因此，至关重要的是将曝光装置300的投影模块340中的颗粒浓度保持在较低水平。ACC模块240配置成连续地向投影模块340供应洁净空气，并吹走曝光装置300的投影模块340中的颗粒。
参考图4和图5，其示出了洁净室系统200的ACC模块240的示意图。如图4和图5所示，ACC模块240包括ACC进气管241、主柜243和ACC管道242。ACC进气管241配置成将空气从洁净室系统200的洁净厂房212供应至ACC模块240。ACC进气管241具有两端。ACC进气管241的一端连接至主柜243；ACC进气管241的另一端是开口端。ACC进气管241的开口端设置在洁净厂房过滤器222的下方。ACC进气管241的开口端与洁净厂房过滤器222之间的距离L在300mm至600mm的范围内。抽吸到ACC进气管241中的空气已经由主过滤器221和洁净厂房过滤器222进行过滤，并且其颗粒浓度比洁净附属厂房213中的空气低。ACC模块240的主柜243连接至ACC进气管241，并且配置成从ACC进气管241供应的空气中产生洁净空气。ACC模块240的主柜243包括风扇243a、化学过滤器243b以及湿度控制单元243c。主柜243的风扇243a配置成将空气从洁净室系统200的洁净厂房212抽吸到ACC进气管241中。换句话说，通过操作主柜243的风扇243a，由洁净厂房过滤器222过滤的空气通过ACC进气管241的开口端241a流入ACC进气管241中。化学过滤器243b配置成去除从ACC进气管241供应的空气中的化学物质和/或颗粒。湿度控制单元243c配置成控制从ACC进气管241供应的空气的湿度和温度。ACC管道242连接至主柜243，并且配置成将主柜243产生的洁净空气供应到洁净室系统200的洁净厂房212中的晶圆处理装置(即，曝光装置300)。ACC管道242具有两端。ACC管道242的一端连接至主柜243，而ACC管道242的另一端连接至曝光装置300的进气口301。从ACC模块240的ACC管道242供应的空气将颗粒从曝光装置300吹走，然后通过曝光装置300的排气口302流入洁净厂房212中。因此，ACC模块140确保了曝光装置300中的空气质量(即，颗粒和化学物质的浓度、湿度、温度)。
图4所示的ACC模块240的ACC进气管241可以是由铝制成的单管。在一些实施方式中，ACC模块240的ACC进气管241可以包括第一部分241b以及连接至第一部分241b的第二部分241c，如图5所示。ACC进气管241的第一部分241b可以由聚氯乙烯(PVC)制成，而ACC进气管241的第二部分241c是柔性软管。ACC进气管241的第二部分241c连接至主柜。ACC进气管241的开口端241a设置在ACC进气管241的第一部分241b处。
与图1中的洁净室系统100的ACC模块140相比，图2中的洁净室系统200的ACC模块240具有ACC进气管241，ACC进气管241能够抽吸由洁净厂房212中的洁净厂房过滤器222过滤的空气，而图1中的洁净室系统100的ACC模块140从洁净附属厂房113抽吸空气。由洁净厂房中的洁净厂房过滤器过滤的空气的质量比洁净附属厂房中的空气质量更高(或者颗粒浓度更低)。因此，洁净室系统200的ACC模块240确保了由ACC模块的主柜243产生的空气的洁净度。而且，通过向化学过滤器243b中供给低颗粒浓度的空气来延长主柜243中的化学过滤器243b的使用寿命。
参考图6，其提供了根据本公开的又一种实施方式的改善洁净室系统中的晶圆处理装置的空气质量的方法S500的流程图。如图6所示，方法S500包括步骤S501至S505。
在步骤S501中，为洁净室系统提供ACC模块。洁净室系统和ACC模块可以参考图2至图5的洁净室系统200和ACC模块240。洁净室系统200具有洁净厂房212和洁净附属厂房213。晶圆处理装置(例如，曝光装置300)设置在洁净室系统200的洁净厂房中。具体而言，洁净室系统200包括具有内部空间的主体210，以及设置在主体210的内部空间中的楼板211。主体210的内部空间被楼板211划分为洁净厂房212和洁净附属厂房213。洁净厂房212配置成设置有至少一个晶圆处理装置。洁净附属厂房213配置成设置有至少一个辅助设备(例如，电源设备、通风控制设备、泵等)。ACC模块240包括ACC进气管241、主柜243和ACC管道242。
在步骤S502中，将ACC模块240的ACC管道242连接至晶圆处理装置的进气口(例如，曝光装置300的进气口301)。ACC管道242具有两端。ACC管道242的一端连接至主柜243，而ACC管道242的另一端连接至曝光装置300的进气口301。
在步骤S503中，ACC模块240的ACC进气管241将空气从洁净室系统200的洁净厂房212供应到ACC模块240的主柜243。ACC进气管241具有两端。ACC进气管241的一端连接至主柜243；ACC进气管241的另一端是开口端。ACC进气管241的开口端设置在洁净室系统200的洁净厂房212中。洁净室系统200还包括洁净室管道223、主过滤器221以及至少一个洁净厂房过滤器222。洁净室管道223联接至洁净厂房212和洁净附属厂房213，并且配置成将空气从洁净附属厂房213供应到洁净厂房212。主过滤器221联接至洁净室管道223，并且配置成过滤洁净附属厂房213供应的空气。至少一个洁净厂房过滤器222连接至洁净室管道223。洁净厂房过滤器222设置在洁净厂房212中，并且配置成过滤供应给洁净厂房212的空气。ACC进气管241的开口端与洁净厂房过滤器222之间的距离L可以在300mm至600mm的范围内。
在步骤S504中，ACC模块240的主柜243从ACC进气管241供应的空气中产生洁净空气。ACC模块240的主柜243包括风扇243a、化学过滤器243b以及湿度控制单元243c。主柜243的风扇243a配置成将空气从洁净室系统200的洁净厂房212抽吸到ACC进气管241中。换句话说，通过操作主柜243的风扇243a，由洁净厂房过滤器222过滤的空气通过ACC进气管241的开口端241a流入ACC进气管241中。化学过滤器243b配置成去除从ACC进气管241供应的空气中的化学物质和/或颗粒。湿度控制单元243c配置成控制从ACC进气管241供应的空气的湿度和温度。
在步骤S505中，将ACC模块240的主柜243产生的洁净空气通过ACC模块240的ACC管道242供应给晶圆处理装置(例如，曝光装置300)。从ACC模块240的ACC管道242供应的空气将颗粒从曝光装置300吹走，然后通过曝光装置300的排气口302流入洁净厂房212中。
如上所述，本公开实施方式中的ACC模块利用ACC进气管从洁净室系统的洁净厂房中抽吸空气。洁净厂房中的空气由洁净厂房过滤器过滤，并且空气质量比洁净附属厂房中的空气质量更高(或者颗粒浓度更低)。因此，本公开的实施方式中的ACC模块确保了供应到晶圆处理装置中的空气的洁净度。另外，通过提供颗粒浓度较低的空气，可以延长ACC模块中化学过滤器的使用寿命。
以上示出和描述的实施方式仅是示例而已。在本领域中经常发现许多细节，例如空气控制柜模块以及具有空气控制柜模块的洁净室系统的其他特征。因此，没有示出或描述很多这样的细节。虽然在前面的描述中已经陈述了本技术的许多特征和优点，以及本公开的结构和功能的细节，但是本公开仅是说明性的，并且可以在本公开的原则范围内对细节进行变化，尤其是部件的形状、尺寸和布置等事项，达到并包括由权利要求中所使用的术语的广泛普遍含义所确定的完整范围。因此，应当理解，可以在权利要求的范围内修改上述实施方式。

Claims (10)

1.一种用于洁净室系统的空气控制柜(ACC)模块，其特征在于，所述洁净室系统具有洁净厂房和洁净附属厂房，所述洁净室系统的所述洁净厂房配置成设置有至少一个晶圆处理装置，所述ACC模块包括：
ACC进气管，配置成将空气从所述洁净室系统的所述洁净厂房供应到所述ACC模块；
主柜，连接至所述ACC进气管，并且配置成从所述ACC进气管供应的所述空气中产生洁净空气；以及
ACC管道，连接至所述主柜，并且配置成将所述主柜产生的所述洁净空气供应到所述洁净室系统的所述洁净厂房中的所述晶圆处理装置。
2.如权利要求1所述的用于洁净室系统的ACC模块，其特征在于，所述洁净室系统还包括至少一个设置在所述洁净厂房中的洁净厂房过滤器，所述ACC进气管具有两端，所述ACC进气管的一端连接至所述主柜，所述ACC进气管的另一端是开口端，并且所述ACC进气管的所述开口端与所述洁净厂房过滤器之间的距离在300mm至600mm的范围内。
3.如权利要求1所述的用于洁净室系统的ACC模块，其特征在于，所述ACC进气管是铝制成的单管。
4.如权利要求1所述的用于洁净室系统的ACC模块，其特征在于，所述ACC进气管包括第一部分以及连接至所述第一部分的第二部分，所述ACC进气管的所述第二部分连接至所述主柜，所述ACC进气管的所述第一部分由聚氯乙烯(PVC)制成，并且所述ACC进气管的所述第二部分是柔性软管。
5.如权利要求1所述的用于洁净室系统的ACC模块，其特征在于，所述主柜包括风扇、化学过滤器及湿度控制单元中的至少一个，所述风扇配置成将所述空气从所述洁净室系统的所述洁净厂房抽吸到所述ACC进气管中，所述化学过滤器配置成去除从所述ACC进气管供应的所述空气中的化学物质和颗粒，所述主柜包括湿度控制单元，所述湿度控制单元配置成控制从所述ACC进气管供应的所述空气的湿度和温度。
6.一种用于处理半导体晶圆的洁净室系统，其特征在于，包括：
主体，具有内部空间；
楼板，设置在所述主体的所述内部空间中，其中，所述主体的内部空间通过所述楼板划分成洁净厂房和洁净附属厂房，并且所述洁净厂房配置成设置有至少一个晶圆处理装置；以及
ACC模块，配置成将洁净空气供应给所述洁净厂房，包括：
ACC进气管，配置成将空气从所述洁净室系统的所述洁净厂房供应到所述ACC模块；
主柜，设置在所述洁净附属厂房处，其中，所述主柜连接至所述ACC进气管，并且配置成从所述ACC进气管供应的所述空气中产生洁净空气；以及
ACC管道，连接至所述主柜，并且配置成将所述主柜产生的所述洁净空气供应到所述洁净厂房中的所述晶圆处理装置。
7.如权利要求6所述的用于处理半导体晶圆的洁净室系统，其特征在于，还包括洁净室管道及至少一个连接至所述洁净室管道的洁净厂房过滤器，所述洁净室管道联接至所述洁净厂房和所述洁净附属厂房，并且配置成将空气从所述洁净附属厂房供应到所述洁净厂房，所述洁净厂房过滤器设置在所述洁净室中，并且配置成过滤供应至所述洁净厂房的空气。
8.如权利要求7所述的用于处理半导体晶圆的洁净室系统，其特征在于，所述ACC模块的所述ACC进气管具有两端，所述ACC进气管的一端连接至所述主柜，所述ACC进气管的另一端是开口端，并且所述ACC进气管的所述开口端与所述洁净厂房过滤器之间的距离在300mm至600mm的范围内。
9.如权利要求8所述的用于处理半导体晶圆的洁净室系统，其特征在于，所述晶圆处理装置是用于将图案转印到所述半导体晶圆上的曝光装置，所述曝光装置包括具有多个透镜的投影模块，并且所述ACC管道配置成将所述洁净空气供应给所述曝光装置的所述投影模块。
10.一种用于改善洁净室系统中的晶圆处理装置的空气质量的方法，其特征在于，所述洁净室系统具有洁净厂房和洁净附属厂房，并且所述晶圆处理装置设置在所述洁净室系统的所述洁净厂房中，所述方法包括：
为所述洁净室系统提供ACC模块，所述ACC模块包括ACC进气管、主柜和ACC管道；
将所述ACC管道连接至所述晶圆处理装置的进气口；
通过所述ACC模块的所述ACC进气管将空气从所述洁净室系统的洁净厂房供应到所述ACC模块的所述主柜；
通过所述ACC模块的所述主柜从所述ACC进气管供应的所述空气中产生洁净空气；以及
将所述主柜产生的所述洁净空气通过所述ACC模块的所述ACC管道供应给所述晶圆处理装置。
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