CN112786766A - 微型发光二极管显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种微型发光二极管显示面板，包括基板、第一微型发光二极管、第一遮光挡墙、第二微型发光二极管及第二遮光挡墙。基板包括多个数组设置的像素区。第一微型发光二极管设置于基板上。第一遮光挡墙设置于基板的像素区上且设置于第一微型发光二极管旁。第二微型发光二极管设置于基板上且位于第一微型发光二极管旁。第二遮光挡墙设置于基板的像素区上且设置于第二微型发光二极管旁，其中第一微型发光二极管所发出的光的波长不同于第二微型发光二极管所发出的光的波长，且第一遮光挡墙的高度小于第二遮光挡墙的高度。

Description

微型发光二极管显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板，尤其涉及一种微型发光二极管显示面板。
背景技术
一般而言，屏幕上的图像由多个像素共同组成。一个像素中具有红、绿、蓝三种子像素，这三种子像素由红光、蓝光与绿光所发出的光而形成显示的颜色。然而，利用发光二极管当作子像素发光源时，因为红光发光二极管的发光光型相较于蓝光发光二极管与绿光发光二极管的发光光型差异较大，且红光较集中于正出光方向上，难以覆盖到角度较大的范围。因此，若使用者在相对于正出光方向的大角度位置(较斜的位置)上观看屏幕时，由于图像缺少红光，看到的图像会有色偏的现象。
发明内容
本发明提供一种微型发光二极管显示面板，其可具有较低的色偏机率。
本发明的一种微型发光二极管显示面板，包括基板、第一微型发光二极管、第一遮光挡墙、第二微型发光二极管及第二遮光挡墙。基板包括多个数组设置的像素区。第一微型发光二极管设置于基板的像素区上。第一遮光挡墙设置于基板上且设置于第一微型发光二极管旁。第二微型发光二极管设置于基板的像素区上且位于第一微型发光二极管旁。第二遮光挡墙设置于基板上且设置于第二微型发光二极管旁，其中第一微型发光二极管所发出的光的波长不同于第二微型发光二极管所发出的光的波长，且第一遮光挡墙的高度小于第二遮光挡墙的高度。
在本发明的一实施例中，上述的第一遮光挡墙的高度小于第一微型发光二极管的高度，第二遮光挡墙的高度大于第二微型发光二极管的高度。
在本发明的一实施例中，上述的第一遮光挡墙与第一微型发光二极管之间的距离大于第二遮光挡墙与第二微型发光二极管之间的距离。
在本发明的一实施例中，上述的第一遮光挡墙位于第一微型发光二极管及第二微型发光二极管之间的部位与第二遮光挡墙位于第一微型发光二极管及第二微型发光二极管之间的部位相连在一起。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板还包括吸光材，设置于基板上且填充于第一遮光挡墙与第一微型发光二极管之间及第二遮光挡墙与第二微型发光二极管之间，其中吸光材的高度小于第一微型发光二极管的高度。
在本发明的一实施例中，上述的吸光材的材料相同于第一遮光挡墙及第二遮光挡墙的材料。
在本发明的一实施例中，上述的吸光材的材料不同于第一遮光挡墙及第二遮光挡墙的材料。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板更包括第一反射件、第一透明绝缘层、第二反射件、第二透明绝缘层。第一反射件位于第一遮光挡墙内且环设在第一微型发光二极管旁，第一反射件具有朝向第一微型发光二极管倾斜的第一斜面。第一透明绝缘层，填充于第一微型发光二极管与第一斜面之间。第二反射件位于第二遮光挡墙内且环设在第二微型发光二极管旁，第二反射件具有朝向第二微型发光二极管倾斜的第二斜面。第二透明绝缘层填充于第二微型发光二极管与第二斜面之间，其中第一透明绝缘层的折射率小于第一微型发光二极管的折射率，第二透明绝缘层的折射率小于第二微型发光二极管的折射率。
第一透明绝缘层直接接触第一微型发光二极管的侧壁，第一反射件直接接触第一透明绝缘层，第二透明绝缘层直接接触第二微型发光二极管的侧壁，第二反射件直接接触第二透明绝缘层。
在本发明的一实施例中，上述的第一斜面的倾斜角度与第二斜面的倾斜角度不同。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板还包括第三微型发光二极管及第三遮光挡墙。第三微型发光二极管设置于基板上且位于第一微型发光二极管或第二微型发光二极管旁。第三遮光挡墙设置于基板的像素区上且置设于第三微型发光二极管旁，其中第一发光二极管所发出的光的波长大于第三微型发光二极管所发出的光的波长，且第一遮光挡墙的高度小于第三遮光挡墙的高度。
在本发明的一实施例中，上述的第三遮光挡墙的高度大于第三微型发光二极管的高度。
在本发明的一实施例中，上述的第一遮光挡墙与第一微型发光二极管之间的距离大于第三遮光挡墙与第三微型发光二极管之间的距离。
在本发明的一实施例中，在第一微型发光二极管、第二微型发光二极管及第三微型发光二极管中相邻的任两者之间的第一遮光挡墙与第二遮光挡墙、第二遮光挡墙与第三遮光挡墙和/或第一遮光挡墙与第三遮光挡墙相连在一起。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板还包括吸光材，设置于基板上且填充于第一遮光挡墙与第一微型发光二极管之间、第二遮光挡墙与第二微型发光二极管之间及第三遮光挡墙与第三微型发光二极管之间，其中吸光材的高度小于第一遮光挡墙的高度。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板更包括第一反射件、第一透明绝缘层、第二反射件、第二透明绝缘层、第三反射件及第三透明绝缘层。第一反射件位于第一遮光挡墙内且环设在第一微型发光二极管旁，第一反射件具有朝向第一微型发光二极管倾斜的第一斜面。第一透明绝缘层填充于第一微型发光二极管与第一斜面之间。第二反射件位于第二遮光挡墙内且环设在第二微型发光二极管旁，第二反射件具有朝向第二微型发光二极管倾斜的第二斜面。第二透明绝缘层填充于第二微型发光二极管与第二斜面之间。第三反射件位于第三遮光挡墙内且环设在第三微型发光二极管旁，第三反射件具有朝向第三微型发光二极管倾斜的第三斜面。第三透明绝缘层填充于第三微型发光二极管与第三斜面之间，其中第一透明绝缘层的折射率小于第一微型发光二极管的折射率，第二透明绝缘层的折射率小于第二微型发光二极管的折射率，第三透明绝缘层的折射率小于第三微型发光二极管的折射率。
在本发明的一实施例中，上述的第一斜面的倾斜角度不同于第二斜面的倾斜角度，且第一斜面的倾斜角度不同于第三斜面的倾斜角度。
基于上述，本发明的微型发光二极管显示面板的第一遮光挡墙设置于基板上且设置于第一微型发光二极管外，且第二遮光挡墙设置于基板上且设置于第二微型发光二极管外。第一微型发光二极管所发出的光的波长不同于第二微型发光二极管所发出的光的波长，且第一遮光挡墙的高度小于第二遮光挡墙的高度。本发明的微型发光二极管显示面板通过上述的设计，可通过第一遮光挡墙与第二遮光挡墙的高度来调整第一微型发光二极管与第二微型发光二极管所发出的光的照射角度，以使大波长的光的光型与照射角度接近于小波长的光的光型与照射角度，进而使不同色光的光型接近而降低大角度区域发生色偏的机率。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管显示面板的局部俯视示意图；
图1B是图1A的微型发光二极管显示面板的其中一个像素区的剖面示意图；
图2是一般红光微型发光二极管、蓝光微型发光二极管及绿光微型发光二极管的光型图；
图3A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的局部俯视示意图；
图3B是图3A的微型发光二极管显示面板的其中一个像素区的剖面示意图；
图4A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的局部俯视示意图；
图4B是图4A的微型发光二极管显示面板的其中一个像素区的剖面示意图；
图5是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的俯视示意图；
图6A是图5的微型发光二极管显示面板沿着A-A线段的剖面示意图；
图6B是图5的微型发光二极管显示面板沿着B-B线段的剖面示意图；
图7是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的俯视示意图；
图8A是图7的微型发光二极管显示面板沿着C-C线段的剖面示意图；
图8B是图7的微型发光二极管显示面板沿着D-D线段的剖面示意图；
图9是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的剖面示意图；
图10是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的剖面示意图。
附图标记说明
B:蓝光光型；
D1、D2、D3:距离；
G:绿光光型；
H11、H12、H21、H22、H31、H32、H4:高度；
L1、L2、L3、L4、L5、L6:距离；
P:间距；
R:红光光型；
θ1、θ2、θ3:角度；
100、100a、100b、100c、100d、100’:微型发光二极管显示面板；
105:基板；
106:像素区；
110:第一微型发光二极管；
112、112a、112b、112’:第一遮光挡墙；
114:第一反射件；
116:第一斜面；
118:第一透明绝缘层；
120:第二微型发光二极管；
122、122a、122’:第二遮光挡墙；
124:第二反射件；
126:第二斜面；
128:第二透明绝缘层；
130:第三微型发光二极管；
132、132a:第三遮光挡墙；
134:第三反射件；
136:第三斜面；
138:第三透明绝缘层；
140:吸光材；
150:电极。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管显示面板的局部俯视示意图。图1B是图1A的微型发光二极管显示面板的其中一个像素区的剖面示意图。请参阅图1A与图1B，在本实施例中，微型发光二极管显示面板100包括基板105、第一微型发光二极管110、第一遮光挡墙112、第二微型发光二极管120、第二遮光挡墙122、第三微型发光二极管130及第三遮光挡墙132。
基板105包括多个数组设置的像素区106。各像素区106内可包括第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130。在相邻的两像素区106中，两第一微型发光二极管110之间存在间距P。
在本实施例的其中一个像素区106中，第一微型发光二极管110设置于基板105的像素区106上。第一遮光挡墙112设置于基板105上且设置于第一微型发光二极管110旁。
第二微型发光二极管120设置于基板105的像素区106上且位于第一微型发光二极管110旁。第二遮光挡墙122设置于基板105上且设置于第二微型发光二极管120旁。
第三微型发光二极管130设置于基板105的像素区106上且位于第一微型发光二极管110或第二微型发光二极管120旁。在本实施例中，第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130依序排列，但排列方式不限于此。第三遮光挡墙132设置于基板105上且设置于第三微型发光二极管130旁。
第一遮光挡墙112、第二遮光挡墙122与第三遮光挡墙132又称黑矩阵(blackmatrix，BM)，其为黑色或深色，可用来遮光、吸收环境光且可调整光型与照射角度。第一遮光挡墙112、第二遮光挡墙122与第三遮光挡墙132的材料例如是光致抗蚀剂，但不以此为限制。
在本实施例中，第一微型发光二极管110所发出的光的波长大于第二微型发光二极管120所发出的光的波长，且第二微型发光二极管120所发出的光的波长大于第三微型发光二极管130所发出的光的波长。举例来说，第一微型发光二极管110例如是红光发光二极管，第二微型发光二极管120例如是绿光发光二极管，第三微型发光二极管130例如是蓝光发光二极管。当然，第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130的种类不以此为限制。
图2是一般红光微型发光二极管、蓝光微型发光二极管及绿光微型发光二极管的光型图。请参阅图2，相较于蓝光光型B与绿光光型G，由于红光光型R较小，且红光光型R较集中于正出光方向上，难以覆盖到角度较大的范围(光型图中右上方与左上方的斜角度范围)，而使红光所覆盖的范围与蓝、绿光所覆盖的范围的角度差可达到约正负20度。这会使得微型发光二极管显示面板100在相对于正出光方向(正上方)的大角度区域仅有蓝光与绿光，而使得此区域具有较大的色偏。
为了降低红光、蓝光与绿光所覆盖的范围的角度差，请回到图1B，在本实施例中，第一遮光挡墙112的高度H12小于第二遮光挡墙122的高度H22，且第一遮光挡墙112的高度H12小于第三遮光挡墙132的高度H32。
具体地说，第一遮光挡墙112的高度H12约介于1微米至10微米之间，第二遮光挡墙122的高度H22与第三遮光挡墙132的高度H32约大于10微米。当然，第一遮光挡墙112的高度H12、第二遮光挡墙122的高度H22与第三遮光挡墙132的高度H32不以此为限制。
本实施例的微型发光二极管显示面板100通过第二遮光挡墙122的高度H22与第三遮光挡墙132的高度H32大于第一遮光挡墙112的高度H12的设计，在第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130所发出的光中，大角度的光可被第二遮光挡墙122与第三遮光挡墙132阻挡，而达到限制绿光与蓝光的角度范围的效果。
此外，由于第一遮光挡墙112的高度H12最小，红光被限制的角度最少，而使得红光、蓝光与绿光所覆盖的范围的角度差能够被缩减。如此一来，本实施例的微型发光二极管显示面板100所发出的光的整体光型集中，且在大角度的区域可具有较低的色偏机率。
值得一提的是，在本实施例中，第二遮光挡墙122与第一微型发光二极管110之间的相对位置可被调整，以使第二遮光挡墙122位于第一微型发光二极管110及第二微型发光二极管120之间的部位不影响到欲使红光所覆盖的角度范围。
另外，如图1A所示，在本实施例中，第一遮光挡墙112与第一微型发光二极管110的距离L1大于第二遮光挡墙122与第二微型发光二极管120的距离L2，以使红光被限制的角度最少。当然，距离L1、L2的关系不以此为限制。
此外，如图1B所示，在本实施例中，第一遮光挡墙112的高度H12小于第一微型发光二极管110的高度H11，第二遮光挡墙122的高度H22大于第二微型发光二极管120的高度H21，且第三遮光挡墙132的高度H32大于第三微型发光二极管130的高度H31，但不以此为限制。
在本实施例中，由于绿光与蓝光的光型接近，第二遮光挡墙122的高度H22可以相同于第三遮光挡墙132的高度H32，但在其他实施例中，第二遮光挡墙122的高度H22也可以不同于第三遮光挡墙132的高度H32。
另外，虽然在本实施例中的微型发光二极管显示面板100具有三个发光二极管，但在其他实施例中，微型发光二极管显示面板也可以只有两个发光二极管(第一微型发光二极管110及第二微型发光二极管120)及两个遮光挡墙(第一遮光挡墙112及第二遮光挡墙122)，或是多于三个发光二极管及多于三个遮光挡墙，不以附图为限制。
再者，在本实施例中，在第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130中相邻的任两者之间的第一遮光挡墙112与第二遮光挡墙122、第二遮光挡墙122与第三遮光挡墙132和/或第一遮光挡墙112与第三遮光挡墙132相连在一起。
具体地说，第一遮光挡墙112位于第一微型发光二极管110及第二微型发光二极管120之间的部位与第二遮光挡墙122位于第一微型发光二极管110及第二微型发光二极管120之间的部位相连在一起。第二遮光挡墙122位于第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130之间的部位与第三遮光挡墙132位于第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130之间的部位相连在一起。这样的设计可使遮光挡墙方便制作且有助于增加结构强度，且可增加对比度。
图3A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的局部俯视示意图。图3B是图3A的微型发光二极管显示面板的其中一个像素区的剖面示意图。请参阅图3A与图3B，图3A的微型发光二极管显示面板100a与图1A的微型发光二极管显示面板100的主要差异是，在本实施例中，第一遮光挡墙112a、第二遮光挡墙122a与第三遮光挡墙132a彼此分离。在本实施例中，第一遮光挡墙112a、第二遮光挡墙122a与第三遮光挡墙132a的厚度可缩减，以减少遮光挡墙所占的面积，而提升整体亮度。
同样地，在本实施例中，第一遮光挡墙112a与第一微型发光二极管110的距离L3大于第二遮光挡墙122a与第二微型发光二极管120的距离L4，以使红光被限制的角度最少。当然，距离L3、L4的关系不以此为限制。
图4A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的局部俯视示意图。图4B是图4A的微型发光二极管显示面板的其中一个像素区的剖面示意图。请参阅图4A及图4B，在本实施例中，第一遮光挡墙112’位于第一微型发光二极管110的三侧，第二微型发光二极管120与第三微型发光二极管130共享同一个第二遮光挡墙122’，第二遮光挡墙122’环绕第二微型发光二极管120与第三微型发光二极管130。在本实施例中，由于遮光挡墙的面积更少，可应用于透明显示面板。
由图4B可见，在本实施例中，第一遮光挡墙112’与第一微型发光二极管110的距离L5大于第二遮光挡墙122与第二微型发光二极管120的最小距离L6，以使红光被限制的角度最少。当然，距离L5、L6的关系不以此为限制。
图5是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的俯视示意图。图6A是图5的微型发光二极管显示面板沿着A-A线段的剖面示意图。图6B是图5的微型发光二极管显示面板沿着B-B线段的剖面示意图。请参阅图5至图6B，图5的微型发光二极管显示面板100b与图1A的微型发光二极管显示面板100的主要差异是每一像素区106中第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130的排列方式不同。
在图1A的实施例中，第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130是位于同一排。在本实施例中，微型发光二极管显示面板100b的第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130则是与第一微型发光二极管110不同排。这样的排列可以有更高的分辨率。
此外，在本实施例中，第一遮光挡墙112b与第一微型发光二极管110之间的距离D1(图6A)大于第二遮光挡墙122与第二微型发光二极管120之间的距离D2(图6B)，且第一遮光挡墙112b与第一微型发光二极管110之间的距离D1大于第三遮光挡墙132与第三微型发光二极管130之间的距离D3(图6B)。
在本实施例中，微型发光二极管显示面板100除了使第一遮光挡墙112b具有最低的高度来加大红光的照射角度之外，还可通过加大第一遮光挡墙112b与第一微型发光二极管110之间的距离D1来加大红光的照射角度。同样地，微型发光二极管显示面板100除了使第二遮光挡墙122与第三遮光挡墙132具有较大的高度来缩小绿光与蓝光的照射角度之外，还可通过第二遮光挡墙122与第二微型发光二极管120之间具有较小的距离D2与第三遮光挡墙132与第三微型发光二极管130之间具有较小的距离D3来缩小绿光与蓝光的照射角度，以使不同色光的光型能够接近。
图7是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的俯视示意图。图8A是图7的微型发光二极管显示面板沿着C-C线段的剖面示意图。图8B是图7的微型发光二极管显示面板沿着D-D线段的剖面示意图。
请参阅图7至图8B，图7的微型发光二极管显示面板100c与图5的微型发光二极管显示面板100b的主要差异是，在本实施例中，微型发光二极管显示面板100c还包括吸光材140，设置于基板105上且填充于第一遮光挡墙112b与第一微型发光二极管110之间、第二遮光挡墙122与第二微型发光二极管120之间及第三遮光挡墙132与第三微型发光二极管130之间。吸光材140的高度H4(图8A)小于第一遮光挡墙112b的高度H12。吸光材140高度也比第一微型发光二极管110的高度H11低。这样的设计可以提高显示面板的对比度、提高显示质量。
在本实施例中，吸光材140用来吸收环境光。吸光材140的材料可以不同于第一遮光挡墙112b、第二遮光挡墙122及第三遮光挡墙132的材料。当然，在其他实施例中，吸光材140的材料也可相同于第一遮光挡墙112b、第二遮光挡墙122及第三遮光挡墙132的材料，而可在同一制程中一起制作。
图9是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的剖面示意图。请参阅图9，图9的微型发光二极管显示面板100d与图1B的微型发光二极管显示面板100的主要差异是，在本实施例中，微型发光二极管显示面板100d更包括第一反射件114、第一透明绝缘层118、第二反射件124、第二透明绝缘层128、第三反射件134及第三透明绝缘层138。第一反射件114位于第一遮光挡墙112内且环设在第一微型发光二极管110旁，第一反射件114具有朝向第一微型发光二极管110倾斜的第一斜面116。第一透明绝缘层118填充于第一微型发光二极管110与第一斜面116之间。第一微型发光二极管110所发出的一部分的光直接向上射出，一部分的光则会通过第一透明绝缘层118且被第一反射件114的第一斜面116反射而向上射出。在本实施例中，第一透明绝缘层118直接接触第一微型发光二极管110的侧壁，第一反射件114直接接触第一透明绝缘层118。
第二反射件124位于第二遮光挡墙122内且环设在第二微型发光二极管120旁，第二反射件124具有朝向第二微型发光二极管120倾斜的第二斜面126。第二透明绝缘层128填充于第二微型发光二极管120与第二斜面126之间。第二微型发光二极管120所发出的一部分的光直接向上射出，一部分的光则会通过第二透明绝缘层128且被第二反射件124的第二斜面126反射而向上射出。第二透明绝缘层128直接接触第二微型发光二极管120的侧壁，第二反射件124直接接触第二透明绝缘层128。
第三反射件134位于第三遮光挡墙132内且环设在第三微型发光二极管130旁，第三反射件134具有朝向第三微型发光二极管130倾斜的第三斜面136。第三透明绝缘层138填充于第三微型发光二极管130与第三斜面136之间。第一微型发光二极管110所发出的一部分的光直接向上射出，一部分的光则会通过第三透明绝缘层138且被第三反射件134的第三斜面136反射而向上射出。第三透明绝缘层138直接接触第三微型发光二极管130的侧壁，第三反射件134直接接触第三透明绝缘层138。上述设计可有效提升出光率。
此外，在本实施例中，第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130透过多个电极150电性连接至基板105。第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130中的每一个连同电极的厚度不超过10微米，且对角线长度不超过50微米。
图10是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示面板的剖面示意图。请参阅图10，图10的微型发光二极管显示面板100e与图9的微型发光二极管显示面板100d的主要差异在于，在图9中，第一斜面116的倾斜角度θ1相同于第二斜面126的倾斜角度θ2，且第一斜面116的倾斜角度θ1相同于第三斜面136的倾斜角度θ3。
在本实施例中，第一斜面116的倾斜角度θ1可不同于第二斜面126的倾斜角度θ2，且第一斜面116的倾斜角度θ1可不同于第三斜面136的倾斜角度θ3。举例来说，第一斜面116的倾斜角度θ1可小于第二斜面126的倾斜角度θ2与第三斜面136的倾斜角度θ3，而使得第一斜面116比较平缓。如此一来，第一微型发光二极管110所发出的光被斜率较小的第一斜面116反射时可具有较大的照射角度范围。
也就是说，在本实施例中，红光、绿光与蓝光的照射角度范围除了可由第一遮光挡墙112的高度H12、第二遮光挡墙122的高度H22及第三遮光挡墙132的高度H32来控制之外，还可由第一斜面116的倾斜角度θ1、第二斜面126的倾斜角度θ2及第三斜面136的倾斜角度θ3来控制。
此外，在图9与图10中，第一透明绝缘层118的折射率小于第一微型发光二极管110的磊晶层(未示出)的折射率，第二透明绝缘层128的折射率小于第二微型发光二极管120的磊晶层(未示出)的折射率，第三透明绝缘层138的折射率小于第三微型发光二极管130的磊晶层(未示出)的折射率。另外，第一透明绝缘层118的折射率、第二透明绝缘层128的折射率及第三透明绝缘层138的折射率大于空气的折射率(n＝1)。
由于磊晶层的折射率大于空气的折射率，且折射率的差异较大时容易产生全反射，为了降低第一微型发光二极管110、第二微型发光二极管120及第三微型发光二极管130所发出的光在侧向上发生全反射的机率，在本实施例中，选择使透明绝缘层的折射率介于空气的折射率与发光二极管的磊晶层的折射率之间，而降低发光二极管与透明绝缘层之间的折射率差，以降低在发光二极管与透明绝缘层之间上发生全反射的机率，而更进一步地提升出光效率。
综上所述，本发明的微型发光二极管显示面板的第一遮光挡墙设置于基板上且设置于第一微型发光二极管外，且第二遮光挡墙设置于基板上且设置于第二微型发光二极管外。第一微型发光二极管所发出的光的波长不同于第二微型发光二极管所发出的光的波长，且第一遮光挡墙的高度小于第二遮光挡墙的高度。本发明的微型发光二极管显示面板通过上述的设计，可通过第一遮光挡墙与第二遮光挡墙的高度来调整第一微型发光二极管与第二微型发光二极管所发出的光的照射角度，以使大波长的光的光型与照射角度接近于小波长的光的光型与照射角度，进而使不同色光的光型接近而降低大角度区域发生色偏的机率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (16)

1.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
基板，包括多个数组设置的像素区；
第一微型发光二极管，设置于所述基板的所述多个像素区的其中一者上；
第一遮光挡墙，设置于所述基板上且设置于所述第一微型发光二极管旁；
第二微型发光二极管，设置于所述基板的所述像素区上且位于所述第一微型发光二极管旁；以及
第二遮光挡墙，设置于所述基板上且设置于所述第二微型发光二极管旁，其中所述第一微型发光二极管所发出的光的不同于所述第二微型发光二极管所发出的光的波长，且所述第一遮光挡墙的高度小于所述第二遮光挡墙的高度。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一遮光挡墙的高度小于所述第一微型发光二极管的高度，所述第二遮光挡墙的高度大于所述第二微型发光二极管的高度。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一遮光挡墙与所述第一微型发光二极管之间的距离大于所述第二遮光挡墙与所述第二微型发光二极管之间的距离。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一遮光挡墙位于所述第一微型发光二极管及所述第二微型发光二极管之间的部位与所述第二遮光挡墙位于所述第一微型发光二极管及所述第二微型发光二极管之间的部位相连在一起。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，还包括:
吸光材，设置于所述基板上且填充于所述第一遮光挡墙与所述第一微型发光二极管之间及所述第二遮光挡墙与所述第二微型发光二极管之间，其中所述吸光材的高度小于所述第一微型发光二极管的高度。
6.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述吸光材的材料相同于所述第一遮光挡墙及所述第二遮光挡墙的材料。
7.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述吸光材的材料不同于所述第一遮光挡墙及所述第二遮光挡墙的材料。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，还包括:
第一反射件，位于所述第一遮光挡墙内且环设在所述第一微型发光二极管旁，所述第一反射件具有朝向所述第一微型发光二极管倾斜的第一斜面；
第一透明绝缘层，填充于所述第一微型发光二极管与所述第一斜面之间；
第二反射件，位于所述第二遮光挡墙内且环设在所述第二微型发光二极管旁，所述第二反射件具有朝向所述第二微型发光二极管倾斜的第二斜面；以及
第二透明绝缘层，填充于所述第二微型发光二极管与所述第二斜面之间，其中所述第一透明绝缘层的折射率小于所述第一微型发光二极管的折射率，所述第二透明绝缘层的折射率小于所述第二微型发光二极管的折射率。
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一透明绝缘层直接接触所述第一微型发光二极管的侧壁，所述第一反射件直接接触所述第一透明绝缘层，所述第二透明绝缘层直接接触所述第二微型发光二极管的侧壁，所述第二反射件直接接触所述第二透明绝缘层。
10.根据权利要求8所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一斜面的倾斜角度与所述第二斜面的倾斜角度不同。
11.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，还包括:
第三微型发光二极管，设置于所述基板的所述像素区上且位于所述第一微型发光二极管或所述第二微型发光二极管旁；以及
第三遮光挡墙，设置于所述基板上且设置于所述第三微型发光二极管外，其中所述第一微型发光二极管所发出的光的波长大于所述第三微型发光二极管所发出的光的波长，且所述第一遮光挡墙的高度小于所述第三遮光挡墙的高度。
12.根据权利要求11所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一遮光挡墙与所述第一微型发光二极管之间的距离大于所述第三遮光挡墙与所述第三微型发光二极管之间的距离。
13.根据权利要求11所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，在所述第一微型发光二极管、所述第二微型发光二极管及所述第三微型发光二极管中相邻的任两者之间的所述第一遮光挡墙与所述第二遮光挡墙、所述第二遮光挡墙与所述第三遮光挡墙和/或所述第一遮光挡墙与所述第三遮光挡墙相连在一起。
14.根据权利要求11所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，还包括:
吸光材，设置于所述基板上且填充于所述第一遮光挡墙与所述第一微型发光二极管之间、所述第二遮光挡墙与所述第二微型发光二极管之间及所述第三遮光挡墙与所述第三微型发光二极管之间，其中所述吸光材的高度小于所述第一遮光挡墙的高度。
15.根据权利要求11所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，还包括:
第一反射件，位于所述第一遮光挡墙内且环设在所述第一微型发光二极管旁，所述第一反射件具有朝向所述第一微型发光二极管倾斜的第一斜面；
第一透明绝缘层，填充于所述第一微型发光二极管与所述第一斜面之间；
第二反射件，位于所述第二遮光挡墙内且环设在所述第二微型发光二极管旁，所述第二反射件具有朝向所述第二微型发光二极管倾斜的第二斜面；
第二透明绝缘层，填充于所述第二微型发光二极管与所述第二斜面之间；
第三反射件，位于所述第三遮光挡墙内且环设在所述第三微型发光二极管旁，所述第三反射件具有朝向所述第三微型发光二极管倾斜的第三斜面；以及
第三透明绝缘层，填充于所述第三微型发光二极管与所述第三斜面之间，其中所述第一透明绝缘层的折射率小于所述第一微型发光二极管的折射率，所述第二透明绝缘层的折射率小于所述第二微型发光二极管的折射率，所述第三透明绝缘层的折射率小于所述第三微型发光二极管的折射率。
16.根据权利要求15所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一斜面的倾斜角度不同于所述第二斜面的倾斜角度，且所述第一斜面的倾斜角度不同于所述第三斜面的倾斜角度。
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