CN112786503A - 基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法 - Google Patents

基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法，能够使基片输送装置小型化。基片收纳装置设置于基片输送装置，与多个在内部具有基片输送机构的真空输送单元在其接连设置的方向上相邻，基片收纳装置包括：中空的壳体，其在接连设置方向的一侧的侧壁形成有对真空输送单元送入送出基片的送入送出口；在上下方向上可移动地设置于壳体内的分隔部件；和上下移动分隔部件的驱动机构，当将壳体内的空间在上下方向上分割时的送入送出口侧的空间设为第一空间，并将送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从第一空间与第二空间连通的状态，通过使分隔部件在上下方向上移动，能够用分隔部件将第一空间和第二空间气密地隔开。

Description

基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法
技术领域
本发明涉及基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法。
背景技术
专利文献1公开了一种具有四个用于PVD工序等的处理室的多组合工具(multi-cluster tool)。该多组合工具具有包含机械臂晶片移送机构的第一移送空间和第二移送空间，并且在这些移送空间之间设置有预清洁室。预清洁室还被用作在相邻的第一移送空间与第二移送空间之间进行连接的通过室(pass-through chamber)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-319842号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术用于使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式为基片收纳装置，其设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与上述真空输送单元相邻，上述多个真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，上述基片收纳装置包括：中空的壳体，其在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；在上下方向上可移动地设置于上述壳体内的分隔部件；和能够使上述分隔部件上下移动的驱动机构，当将上述壳体内的空间在上下方向上分割时的上述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将上述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从上述第一空间与上述第二空间连通的状态，通过使上述分隔部件在上下方向上移动，能够用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开。
发明效果
依照本发明，能够使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。
附图说明
图1是表示包括本实施方式的作为基片收纳装置的晶片收纳室和作为基片输送装置的真空输送装置的处理系统的一例的概要平面图。
图2是温度调节室的纵截面图。
图3是图2的局部放大图。
图4是中转室的纵截面图。
图5是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图6是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图7是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图8是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图9是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图10是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图11是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图12是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图13是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图14是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图15是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图16是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。
图17是用于说明温度调节室的另一例的图。
图18是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。
图19是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。
图20是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。
附图标记说明
30 真空输送装置
31 真空输送室
32 晶片收纳室
40 真空处理室
100、200 壳体
141、311 活门
144 驱动机构
S1 第一空间
S2 第二空间
W 晶片。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中，例如，在单个真空处理单元内执行对半导体晶片(以下称为“晶片”)等的基片的成膜处理等的各种处理。根据需要，能够对一个基片进行多次成膜处理等。因此，为了提高生产能力等，有这样一种处理系统，经由在真空气氛下输送基片的共用的输送装置将各自进行相同或不同的处理的多个真空处理单元彼此连接，由此能够不将基片暴露于大气地对其连续地进行各种处理。
在上述处理系统中使用的基片输送装置中，有时在水平面内接连设置内部具有用于保持并输送基片的输送机构的多个真空输送单元。此外，在这种情况下，能够收纳基片的基片收纳装置有时设置在真空输送单元之间等在接连设置方向上与真空输送单元相邻的位置。基片收纳装置例如用于在不经过真空处理单元的情况下在相邻的真空输送单元之间交接基片的目的。此外，通过使基片收纳装置具有加热功能等的功能，能够在基片收纳装置内对基片进行加热处理等的处理。
例如，在专利文献1的多组合工具中，如上所述，在包括机械臂晶片输送机构的第一移送空间与第二移送空间之间，设置有还被用作通过室的预清洁室。
此外，如上所述，在基片输送装置中与真空输送单元在接连设置方向上相邻的位置设置基片收纳装置的情况下，现有技术中，在真空输送单元与基片收纳装置之间设置有闸阀(gate valve)。设置闸阀的目的例如如下所述。
(a)在基片收纳装置位于真空输送单元之间的情况下，为了在真空输送单元与真空处理单元之间输送基片而将两者连通时，由该连通引起的压力变动仅发生于与真空处理单元相邻的真空输送单元，所以是为了防止压力变动的影响传播到其他真空输送单元而设置；
(b)在基片收纳装置位于真空输送单元之间的情况下，所以是为了在维护时仅将任一真空输送单元向大气开放而设置；
(c)在基片收纳装置具有加热功能的情况下，从已加热的基片气化的成分流入真空输送单元，所以是为了防止对该真空输送单元所输送的基片造成不良影响。
然而，在基片输送装置中，当在接连设置方向上与真空输送单元相邻的位置设置基片收纳装置，并且在真空输送单元与基片收纳装置之间设置闸阀时，该基片输送装置的占地面积会增加。此外，设有该真空输送装置的处理系统的占地面积也会增加。
因此，本发明的技术用于使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。
下面，参照附图，对本实施方式的基片收纳装置和基片输送装置的结构进行说明。此外，在本说明书中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复的说明。
图1是表示包括本实施方式的作为基片收纳装置的晶片收纳室和作为基片输送装置的真空输送装置的处理系统1的一例的概要平面图。以下的例子中，处理系统1是用于制造磁阻元件的系统，包括在作为基片的晶片W上进行成膜处理的真空处理单元。
处理系统1具有将晶片盒站10和处理站11连接为一体的结构，其中，该晶片盒站能够送入送出可收纳多个晶片W的晶盒C，该处理站11具有多个用于对晶片W实施成膜处理的真空处理单元。晶片盒站10和处理站11经由负载锁定室12连接。负载锁定室12被设置为连接后述的大气压输送装置21和真空输送装置30。负载锁定室12构成为能够将其内部切换为大气压状态和真空状态。
晶片盒站10具有晶盒载置台20和大气压输送装置21。此外，在晶片盒站10还可以设置有用于调节晶片W的朝向的取向器(未图示)。
晶盒载置台20设置于处理系统1的里侧(图1中的Y方向负侧)的端部。在晶盒载置台20能够载置多个晶盒C，例如3个。
大气压输送装置21用未图示的晶片输送机构在大气压状态下输送晶片W。晶片输送机构具有将晶片W大致水平地保持的输送臂，该输送臂构成为能够在水平方向上伸缩和旋转，并且能够在铅垂方向上升降。而且，晶片输送机构构成为一边用上述输送臂保持晶片W一边输送晶片W。
另外，在大气压输送装置21的里侧(图1中的Y方向正侧)，经由闸阀G1连接有负载锁定室12。此外在负载锁定室12的里侧(图1的Y方向正侧)，经由闸阀G2连接有处理站11的真空输送装置30，具体而言后述的真空输送室311。
处理站11包括真空输送装置30和作为真空处理单元的多个(在本例中为6个)真空处理室401～406(以下，有时统称为“真空处理室40”)。在处理系统1中对晶片W进行的一系列处理中，将真空输送装置30和真空处理室40的内部分别维持为比大气压压力小的气氛(真空气氛)中。
真空输送装置30中，多个(在本例中为3个)作为真空输送单元的真空输送室311～313(以下，有时统称为“真空输送室31”)在大致水平面内接连设置。此外，真空输送装置30中，在接连设置方向(图中的Y方向)上与真空输送室31相邻的位置，设置有作为基片收纳装置的晶片收纳室321～326(以下，统称为“晶片收纳室32”)。具体而言，在彼此相邻的真空输送室31之间设置有晶片收纳室321、322、324和325，而且在位于里侧(图中的Y方向正侧)端的真空输送室313的里侧，设置有晶片收纳室323、326。
另外，真空输送装置30中，沿图的Y方向设置有多个的真空输送室31与配置于彼此相邻的真空输送室31之间等的晶片收纳室32一体化。真空输送室31和晶片收纳室32各自具有形成为俯视时呈大致多边形的壳体，真空输送装置30具有将这些壳体一体化的壳体。
在真空输送装置30的宽度方向的一侧(图的X方向负侧)的外侧，沿真空输送室31的连结方向，即进深方向(图的Y方向)配置有真空处理室401～403，它们分别连接到对应的真空输送室31。具体而言，真空处理室401经由闸阀G11连接于真空输送室311，真空处理室402经由闸阀G12连接于真空输送室312，真空处理室403经由闸阀G13连接于真空输送室313。
另外，在真空输送装置30的宽度方向的另一侧(图中X方向正侧)的外侧，沿进深方向(图中Y方向)配置有真空处理室404～406，它们分别连接到对应的真空输送室31。具体而言，真空处理室404经由闸阀G14连接于真空输送室313，真空处理室405经由闸阀G15连接于真空输送室312，真空处理室406经由闸阀G16连接于真空输送室311。
真空输送室31分别从与该真空输送室31相邻的单元(真空处理室40、晶片收纳室32、负载锁定室12)取出晶片W，将晶片W输送到与该真空输送室31相邻的其他单元。
此外，在各真空输送室31的内部，设置有作为基片输送机构的晶片输送机构50。晶片输送机构50具有将晶片W大致水平地保持的输送臂51。输送臂51构成为能够在水平方向上伸缩和旋转。此外，晶片输送机构50具有设置于输送臂51的下方的升降部52。输送臂51构成为通过升降部52在铅垂方向上可升降。晶片输送机构50构成为一边用输送臂51保持晶片W一边输送晶片W。此外，在下文中，晶片输送机构50n和输送臂51n(n＝1～3)是指设置于真空输送室31n中的晶片输送机构50和该晶片输送机构50所具有的输送臂51。
在晶片收纳室32中，晶片收纳室321～323和326是暂时收纳晶片W，并且进行将该晶片W调节至高于或低于室温的温度的处理或者将该晶片调节至室温的处理的单元。具体而言，晶片收纳室32是进行如下处理的单元：将晶片W加热至高于室温的所希望的温度(例如300℃～500℃)或将晶片W维持在该温度的高温加热处理、将晶片W冷却至低于室温的所希望的温度或将晶片W维持在该温度的低温冷却处理、将晶片W冷却或加热至室温或将晶片W维持在室温的室温处理的单元。在下文中，有时将晶片收纳室321～323和326称为温度调节室321～323和326，而且有时将温度调节室321～323和326统称为温度调节室32。
此外，在下面的说明中，温度调节室32中温度调节室322和温度调节室323进行上述高温加热处理，温度调节室321进行上述低温冷却处理，温度调节室326进行上述室温处理。
对于温度调节室32的具体结构，在后文说明。
晶片收纳室32中晶片收纳室324和325例如是当在相邻的真空输送室31之间交接晶片W时临时收纳并中转该晶片W的单元。相邻的真空输送室31的内部空间彼此经由晶片收纳室324、325的内部空间连通，由此能够进行上述交接。在下文中，有时将晶片收纳室324、325称为中转室324、325，有时将中转室324、325被统称为中转室32。
中转室32的具体结构在后文说明。
中转室324和温度调节室321以在宽度方向(图中X方向)上彼此相邻的方式设置。中转室325和温度调节室322、温度调节室326和温度调节室323也以相同的方式设置。此外，中转室324和温度调节室321设置在真空输送室311与真空输送室312之间，中转室325和温度调节室322设置在真空输送室312与真空输送室313之间。温度调节室323和温度调节室326设置在真空输送室313的里侧(图中的Y方向正侧)。
真空处理室40对晶片W进行PVD处理等成膜处理。在真空处理室40中，设置有将晶片W水平地载置的载置台41。在载置台41的上部根据需要设置有静电吸盘。此外，在载置台41设置有作为温度调节机构(未图示)的热板、温度调节介质的流路，该温度调节机构用于将该载置台41调节为所希望的温度以将载置于该载置台41的晶片W调节为所希望的温度。
此外，例如，在真空处理室401中形成电极层或基底层，在真空处理室402中形成磁阻元件的固定层，在真空处理室403中形成参照层。此外，例如，在真空处理室404中形成势垒层，在真空处理室405中形成自由层，在真空处理室406中形成盖帽层或电极层。
在如上述那样构成的处理系统1中设置有控制部60。控制部60例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有用于实现处理系统1中的后述的晶片处理的程序等。此外，上述程序也可以记录于计算机可读取的存储介质，从该存储介质被安装到控制部60。此外，也可以用专用硬件(电路板)来实现程序的一部分或全部。
另外，在如上述那样构成的处理系统1中，在真空输送室31与跟该真空输送室31在进深方向上相邻的晶片收纳室32之间没有设置闸阀。取而代之的是，在真空输送室31与跟该真空输送室31在进深方向(图中的Y方向)上相邻的晶片收纳室32之间设置有后述的活门141等。
下面，对温度调节室322进行说明。
图2是温度调节室322的纵截面图。图3是图2的局部放大图。
温度调节室322如图2所示具有中空壳体100。壳体100具有上端开放的有底筒状的壳体主体101和覆盖壳体主体101的上端的开放部分的盖体102。在壳体主体101与盖体102之间设置有O形环103。
壳体主体101在跟前侧(图中的Y方向负侧)的侧壁形成有对相邻的真空输送室312送入送出晶片W的送入送出口101a。温度调节室322的壳体100的内部空间和真空输送室312的内部空间经由送入送出口101a连通。
以下，将在上下方向上分割壳体100内的空间时的送入送出口101a侧的空间设为第一空间S1，将送入送出口101a侧的相反侧的空间设为第二空间S2。
此外，在壳体主体101的里侧(图中的Y方向正侧)的侧壁，没有设置对相邻的真空输送室313送入送出晶片W的送入送出口。
在壳体100内的送入送出口101a的下方，即第二空间S2中，设置有俯视呈圆形的载置台110，能够在该载置台110的上表面水平地载置晶片W。此外，在载置台110的内部设置有加热机构111，该加热机构111用于对载置于该载置台110的晶片W进行上述的高温加热处理。加热机构111例如由电阻加热器构成。
在该载置台110上以在周向覆盖其下表面的外周侧区域及其侧周面设置有作为环状部件的遮挡部件112。通过设置遮挡部件112，能够抑制载置台110的热量对壳体100等的外部造成影响，提高加热机构111对载置台110的加热效率。
此外，在上下方向上延伸的支柱113的上端部连接到载置台110的下表面中央部。支柱113的下端部连接到壳体主体101的底壁。
另外，在壳体100内，以可上下移动的方式设置有作为基片支承销的支承销121。支承销121上下移动，由此经由形成于载置台110上的贯通孔110a从该载置台110的上表面突出和没入。由此，能够被插入到壳体100内的真空输送室312的晶片输送机构502的输送臂512与载置台110之间交接晶片W。
各支承销121的下端连接到设置于壳体100内的载置台110下方的支承板122的上表面。支承板122例如形成为圆板状。此外，在支承板122形成有供载置台110的支柱113贯通的孔(未图示)。在支承板122的下表面连接有在上下方向上延伸的支柱123的上端。支柱123的下端贯通设置于壳体主体101的底壁的开口部101b而延伸到壳体100的外部，并且连接到作为销驱动机构的升降机构124。升降机构124具有例如马达或滚珠丝杠，支承销121在该升降机构124的驱动下上下移动。
在支柱123中的壳体100的外侧设置有凸缘125。在凸缘125与壳体主体101的底壁中的支柱123的贯通部之间，以包围支柱123的外周部的方式设置有波纹管126。由此能够保持壳体100的气密性。
此外，在壳体主体101的底壁设置有排气口101c。在排气口101c连接有排气管131的一端部。排气管131的另一端部与由例如真空泵构成的排气装置132连接。此外，在排气管131的比排气装置132靠上游侧处，设置有用于调节壳体100内的压力的APC阀133。通过以这种方式设置排气机构，能够在上述的高温加热处理时排出从晶片W气化的成分。
此外，在壳体主体101的侧壁内周面中的送入送出口101a的下侧，沿周向以环状形成有向壳体100的中心突出的凸部101d。以下，将凸部101d称为环状凸部101d。
在壳体100内的载置台110的上方，以可上下移动的方式设置有作为分隔部件的活门141。活门141的材料例如能够使用不锈钢。
根据壳体100内的上述第一空间S1与第二空间S2连通的状态，使该活门141上下移动，由此能够利用该活门141将第一空间S1与第二空间S2气密地隔开。具体而言，通过将活门141下降使之抵接到环形凸部101d的上表面，能够将第一空间S1与第二空间S2气密地隔开。
优选在活门141与环状凸部101d的抵接面设置O形环142。O形环142例如设置在环形凸部101d的上表面。不从，O形环142也可以设置在活门141的与环形凸部101d抵接的下表面。
在活门141的上表面中央部，连接有在上下方向上延伸的支柱143的下端。支柱143以通过形成于壳体100的盖体102的开口102a的方式贯通该盖体102，其上端连接到驱动机构144。驱动机构144具有例如马达或滚珠丝杠，在该驱动机构144的驱动下，活门141在上下方向上在打开位置和关闭位置之间移动。打开位置是活门141位于比送入送出口101a靠上方处，输送室312与第二空间S2经由送入送出口101a连通的位置。关闭位置是活门141抵接到环形凸部101d的上表面，第一空间S1和第二空间S2被活门141气密地隔开的位置。
此外，在支柱143中的壳体100的外侧，设置有凸缘145。而且，在该凸缘145与壳体100的盖体102中的支柱143的贯通部之间，以包围支柱143的外周部的方式设置有波纹管146。由此能够保持壳体100的气密性。
另外，在壳体100内，以能够上下移动的方式设置有包围载置台110的遮挡部件151。遮挡部件151形成为包围大致整个载置台110的箱状，具有供晶片W出入该遮挡部件151的出入口151a。遮挡部件151的材料例如能够使用不锈钢。
当用活门141将第一空间S1和第二空间S2气密地隔开时，通过用遮挡部件151包围载置有晶片W的载置台110，能够得到例如以下的效果。
(i)当用载置台110对晶片W进行上述的高温加热处理之后，在将活门141从上述的关闭位置移动至上述的打开位置时，能够抑制从第二空间S2内的晶片W气化的成分流入真空输送室312。
(ii)能够防止活门141与环状凸部101d接触时产生的异物对载置台110上的晶片W造成不良影响。
(iii)能够抑制载置台110的热量对壳体100等的外部造成影响等。
关于遮挡部件151，优选对其上部下表面进行喷砂处理等的粗糙化处理，使得容易在该上部下表面吸附从晶片W气化的成分。优选对遮挡部件151的其他部分进行电解研磨处理等的研磨处理，使得能够反射热，以避免由热引起的变形等。
此外，当在经由送入送出口101a进入到壳体100内的晶片输送机构502的输送臂512和支承销121之间交接晶片W时，使用上述出入口151a。
另外，在本例中，遮挡部件151的底壁由支承支承销121的支承板122构成，即，遮挡部件151和支承板122是一体的。因此，伴随由升降机构124驱动的支承销121的上下移动，遮挡部件151也一体地上下移动。换言之，遮挡部件151由驱动支承销121的上下移动的升降机构124驱动。
此外，当用活门141将第一空间S1和第二空间S2气密地隔开时，如图3所示，遮挡部件151的出入口151a的上端151b位于比对载置台110所设置的遮挡部件112的外周部的上端112a靠下方处。由此，能够使用遮挡部件112来防止当活门141与环形凸部101d接触时产生的异物经由出入口151a侵入到遮挡部件151内。除上述之外，也可以为，遮挡部件151的出入口151a的下端151c位于比遮挡部件112的外周部的下端112b靠上方处，使得在俯视时能够看到遮挡部件151的出入口151a被遮挡部件112占满。
此外，优选的是，遮挡部件151的出入口151a的上端151b位于比载置台110上的晶片W的上表面靠下方处。
由于温度调节室321、323、326的结构与温度调节室322的结构相同，因此省略它们的说明。不过，在进行上述的低温冷却处理而不是上述的高温加热处理的温度调节室321中，代替加热机构111，设置有冷却机构，该冷却机构用于将晶片W冷却至比室温低的所希望的温度，或者将晶片W维持在该温度。该冷却机构例如由温度低于0℃的致冷剂的流路构成。此外，在进行上述的室温处理而不是上述的高温加热处理的温度调节室326中，代替加热机构111，设置有用于将晶片W冷却至室温的冷却机构。该冷却机构例如由冷却水的流路构成。另外，关于温度调节室321和温度调节室326，也可以省略排气口101c、排气装置132等涉及排气的结构、活门141等将上述的第一空间S1与第二空间S2分隔开的结构、遮挡部件151。
下面，对中转室325进行说明。
图4是中转室325的纵截面图。
如图所示，在中转室325中，没有设置配置于温度调节室322中的排气装置132等涉及排气的结构、涉及载置台110的结构、遮挡部件151。
而且，在中转室325的壳体200的壳体主体201，与温度调节室322的壳体主体101同样地在跟前侧(图中的Y方向负侧)的侧壁形成有对相邻的真空输送室312送入送出晶片W的送入送出口201a。但是，在中转室325的壳体主体201，与温度调节室322的壳体主体101不同，在里侧(图中的Y方向正侧)的侧壁也形成有对相邻的真空输送室313送入送出晶片W的送入送出口201b。中转室325的壳体200的内部空间和真空输送室313的内部空间经由送入送出口201b彼此连通。
另外，送入送出口201a形成于第一空间S1侧，与之相对，送入送出口201b形成于第二空间S2侧。即，送入送出口201a与送入送出口201b在高度方向上的位置不同。送入送出口201a形成于环状凸部101d的上侧，与之相对，送入送出口201b形成于环状凸部101d的下侧。
设置于温度调节室322的支承销121用于在真空输送室312的晶片输送机构502的输送臂512与载置台110之间交接晶片W。与之相对，设置于中转室325中的支承销211用于在真空输送室312的晶片输送机构502的输送臂512与真空输送室313的晶片输送机构503的输送臂513之间交接晶片W。
此外，在中转室325中，支承销211贯通设置于壳体主体201的底壁的开口部201c延伸到壳体200的外部，并且连接于支承部件212的上表面。在支承部件212的下表面，连接有在上下方向上延伸的支柱213的上端。支柱213的下端与作为销驱动机构的升降机构214连接。升降机构214具有例如马达或滚珠丝杠，在该升降机构214的驱动下支承销211上下移动。
此外，在壳体主体201的底壁中的各支承销211的贯通部与支承部件212之间以围绕各支承销211的外周部的方式设置有波纹管215。由此能够保持壳体200的气密性。
由于中转室324的结构与中转室325的结构相同，因此省略其说明。
另外，在真空输送室31设有多个对真空处理室40和负载锁定室12的开口，这些开口在高度方向上的位置与送入送出口201b相同。而且，这些开口及送入送出口201b，与送入送出口101a及送入送出口201a在高度方向上的位置不同。为了应对该高度方向上的位置的不同，在各真空输送室31的晶片输送机构50如上述那样设置有升降部52。
下面，参照图5～图13，说明使用如上述那样构成的处理系统1的晶片处理。图5～图13是表示上述晶片处理中的晶片收纳室32的状态的图。
首先，将收纳有多个晶片W的晶盒C送入处理系统1的晶片盒站10内，并将其载置到晶盒载置台20。之后，用大气压输送装置21的晶片输送机构(未图示)，从晶盒C取出一个晶片W，打开闸阀G1，将该晶片W送入负载锁定室12内。将晶片W送入到负载锁定室12内后，关闭闸阀G1，将负载锁定室12内密闭、减压。之后，打开闸阀G2，将负载锁定室12与预先成为真空气氛的真空输送室311连通。然后，用晶片输送机构501的输送臂511，将晶片W从负载锁定室12送出，并将其送入真空输送室311内。
接着，关闭闸阀G2，打开闸阀G11，将真空输送室311与真空处理室401连通。然后，用晶片输送机构501的输送臂511和真空处理室401内的晶片升降机构(未图示)等，将晶片W载置到真空处理室401内的载置台41。
此外，也可以在真空输送室311设置用于进行加热晶片W使得从晶片W脱气的脱气处理的脱气室(未图示)，在将晶片W送入真空处理室401之前，在上述脱气室中对该晶片W进行脱气处理。
在将晶片W载置到上述的载置台41后，关闭闸阀G11并将真空处理室401密闭，然后在该真空处理室401内对晶片W进行成膜处理，在晶片W上形成例如电极层或基底层。
当真空处理室401中的处理结束后，打开闸阀G11，将真空处理室401与真空输送室311彼此连通。然后，用晶片输送机构501的输送臂511将晶片W从真空处理室401送出，并将其送入真空输送室311内。之后，关闭闸阀G11。
接着，将晶片W从真空输送室311送出，并经由中转室324将其输送到真空输送室312内。具体而言，如图5所示，在驱动机构144的驱动下，进行活门141的相对于中转室324的上升，活门141从上述的关闭位置移动至上述的打开位置。由此将真空输送室311和真空输送室312经由中转室324彼此连通。接着，对中转室324的壳体200，将真空输送室311内的保持着晶片W的输送臂511经由送入送出口201a插入到支承销211的上方。接着，如图6所示，在升降机构214的驱动下进行支承销211的上升，将晶片W交接到该支承销211上。之后，将输送臂511从壳体200中抽出。接着，如图7所示，对中转室324的壳体200，将真空输送室312内的输送臂512经由送入送出口201b插入到比由支承销211支承的晶片W靠下方的位置。并且，在升降机构214的驱动下进行支承销211的下降，晶片W从支承销211被交接给输送臂511，并且成为壳体200的送入送出口201b的高度。然后，将输送臂512从壳体200中抽出，并将晶片W输送到真空输送室312内。此外，随着输送臂512从壳体200的抽出，进行活门141的下降，使活门141处于关闭位置。
将晶片送入上述的真空输送室312内之后，打开闸阀G12，将真空输送室312与真空处理室402连通。然后，用晶片输送机构502的输送臂512和真空处理室402内的晶片升降机构(未图示)等，将晶片W载置到真空处理室402内的载置台41。
在载置后，关闭闸阀G12，将真空处理室402密闭，然后在该真空处理室402内，对晶片W进行成膜处理，在晶片W上形成例如磁阻元件的固定层。
当真空处理室402中的处理结束后，打开闸阀G12，将真空处理室402与真空输送室312彼此连通。然后，用晶片输送机构502的输送臂512将晶片W从真空处理室402送出，并将其送入真空输送室312内。
接着，关闭闸阀G14。然后，与从真空输送室311经由上述的中转室324将晶片W送入真空输送室312的情况相同，进行从真空输送室312经由中转室325向真空输送室313内送入晶片W的处理。
接着，打开闸阀G13，将真空输送室313与真空处理室403连通。然后，用晶片输送机构503的输送臂513和真空处理室403内的晶片升降机构(未图示)等，将晶片W载置到真空处理室403内的载置台41。
在载置后，关闭闸阀G13，将真空处理室403密闭，然后在该真空处理室403内，对晶片W进行成膜处理，在晶片W上形成例如参照层。
当真空处理室403中的处理结束后，打开闸阀G13，将真空处理室403与真空输送室313彼此连通。然后，用晶片输送机构503的输送臂513将晶片W从真空处理室403送出，并将其送入真空输送室313内。
接着，关闭闸阀G13，并且打开闸阀G14，将真空输送室313与真空处理室404连通。然后，用晶片输送机构503的输送臂513和真空处理室404内的晶片升降机构(未图示)等，将晶片W载置到真空处理室404内的载置台41。
在载置后，关闭闸阀G14，将真空处理室404密闭，然后在该真空处理室404内对晶片W进行成膜处理，在晶片W上形成例如势垒层。
当真空处理室404中的处理结束后，打开闸阀G14，将真空处理室404与真空输送室313彼此连通。然后，用晶片输送机构503的输送臂513将晶片W从真空处理室404送出，并将其输送到真空输送室313内。
接着，关闭闸阀G14。然后，将晶片W从真空输送室313送出并送入温度调节室323内。具体而言，如图8所示，在驱动机构144的驱动下进行活门141相对于温度调节室323的上升，活门141从上述的关闭位置移动至上述的打开位置。由此，将温度调节室323的壳体100内的设置有载置台110的第二空间S2与真空输送室313经由送入送出口101a连通。此外，在升降机构124的驱动下，也进行遮挡部件151(和支承销121)的上升，遮挡部件151上升直至遮挡部件151的出入口151a与送入送出口101a的高度方向的位置基本一致。然后，真空输送室313内的保持着晶片W的输送臂513经由送入送出口101a被插入壳体100内，并且经由出入口151a被插入到遮挡部件151内的载置台110的上方。接着，如图9所示，在升降机构124的驱动下，进行支承销121(和遮挡部件151)的上升，将晶片W交接到从载置台110的上表面突出的支承销121上。
之后，将输送臂513从遮挡部件151和壳体100中抽出。然后，如图10所示，在升降机构124的驱动下进行支承销121的下降，将支承销121上的晶片W载置到预先被加热至高温的载置台110。此外，随着支承销121的下降遮挡部件151也下降，下降至位于壳体100内的第二空间S2为止。而且，随着支承销121和遮挡部件151的下降，活门141也通过驱动机构144而下降，使得活门141处于关闭位置。由此，在壳体100内，载置台110及载置于该载置台110的晶片W所处的第二空间S2与经由送入送出口101a跟真空输送室313连通的第一空间S1被活门141气密地隔开。
在该状态下，用载置台110对晶片W进行上述的高温加热处理。进行上述高温加热处理，直至例如由压力传感器(未图示)检测的壳体100内的第二空间S2内的压力成为预先规定的压力以下为止。通过该高温加热处理，膜的质量提高。
当上述高温加热处理结束后，以与上述相反的顺序将晶片W从温度调节室323送出，并将其送入真空输送室313内。
接着，以与上述的将晶片W从真空输送室313送入温度调节室323时相同的方式，将晶片W从真空输送室313送入温度调节室326，然后将晶片W载置在温度调节室326内的载置台110，进行上述的室温处理。由此，由于晶片W恢复到室温，因此能够抑制在进入下一工序时晶片W的急剧温度变化，能够抑制在下一工序中的晶片W和载置台的损伤。室温处理例如从将晶片W载置到载置台110起经过预先规定的时间后结束。
在室温处理后，以与上述的将晶片W从温度调节室323向真空输送室313送出时相同的方式，将晶片W从温度调节室326向真空输送室313送出。在送出晶片W后，进行温度调节室326的活门141的下降，使活门141处于关闭位置。
接着，将晶片W从真空输送室313送出，并经由中转室325将其输送到真空输送室312内。具体而言，如图11所示，对中转室325的壳体200，将真空输送室313内的保持着晶片W的输送臂513经由送入送出口201b插入到支承销211的上方。接着，如图12所示，在驱动机构144的驱动下，进行活门141的上升，活门141从关闭位置移动到打开位置。由此，将真空输送室313与真空输送室312经由中转室325连通。此外，在升降机构214的驱动下进行支承销211的上升，晶片W被交接到该支承销211上，并且成为壳体200的送入送出口201a的高度。此外，随着支承销211的上升，将输送臂513从壳体200中抽出。接着，如图13所示，对中转室325的壳体200，将真空输送室312内的输送臂512经由送入送出口201a插入到由支承销211支承的晶片W的下方的位置。然后，如图14所示，在升降机构214的驱动下，进行支承销211的下降，将晶片W从支承销211交接到输送臂512。之后，将输送臂512从壳体200中抽出，将晶片W输送到真空输送室312内。此外，随着输送臂512从壳体200的抽出，进行活门141的下降，使活门141处于关闭位置。
接着，打开闸阀G15，将真空输送室312与真空处理室405连通。然后，用晶片输送机构502的输送臂512和真空处理室405内的晶片升降机构(未图示)等，将晶片W载置到真空处理室405内的载置台41。
在载置后，关闭闸阀G15，将真空处理室405密闭，然后在真空处理室405内对晶片W进行成膜处理，在晶片W上形成例如自由层。
当真空处理室405中的处理结束后，打开闸阀G15，将真空处理室405与真空输送室312连通。然后，用晶片输送机构502的输送臂512将晶片W从真空处理室405送出，并将其输送到真空输送室312内。
接着，关闭闸阀G15。然后，将晶片W从真空输送室312送出，并送入中转室325内。具体而言，如图15所示，在驱动机构144的驱动下，进行中转室325内的活门141的上升，活门141从关闭位置移动到打开位置。接着，对中转室325的壳体200，将真空输送室312内的保持着晶片W的输送臂512经由送入送出口201a插入到支承销211的上方。接着，如图16所示，在升降机构214的驱动下进行支承销211的上升，将晶片W交接到该支承销211上。而且，将输送臂512从壳体200中抽出。
然后，例如在该状态下维持预先规定的时间。由此，将晶片W恢复到室温。为了在中转室325内使晶片W恢复到室温，也可以与温度调节室326等同样地，在中转室325设置具有温度调节机构的晶片W的载置台。
在将晶片W恢复到室温后，以与上述相反的顺序，将晶片W从中转室325送出并送入真空输送室312内。此外，在送出晶片W后，进行中转室325的活门141的下降，使活门141处于关闭位置。
接着，以与上述的将晶片W从真空输送室313输送到温度调节室323时相同的方式，将晶片W从真空输送室312送入温度调节室322，然后将晶片W载置到温度调节室326内的预先加热至高温的载置台110上。
上述的通过温度调节室322中的载置台110对晶片W进行的高温加热处理，例如，与温度调节室323中的加热处理同样地，被执行直至由压力传感器(未图示)检测到的壳体100内的第二空间S2内的压力成为预先设定的压力以下为止。通过上述高温加热处理，膜的质量提高。
当上述高温加热处理结束后，以与上述的将晶片W从温度调节室323向真空输送室313送出时相同的方式，将晶片W从温度调节室322向真空输送室312送出。
接着，以与上述的将晶片W经由中转室325从真空转移室313向真空转移室312内送入时相同的方式，将晶片W经由中转室324从真空转移室312向真空转移室311内送入。
接着，以与上述的将晶片W从真空输送室313向温度调节室323送入时相同的方式，将晶片W从真空输送室311向温度调节室321送入，然后，将晶片W在温度调节室321内的预先被降低至低温的载置台110载置预先规定的时间。由此，对晶片W进行上述的低温冷却处理，从而能够使膜质稳定。
上述冷却工序结束后，以与上述的将晶片W从温度调节室323向真空输送室313送出时相同的方式，将晶片W从温度调节室321向真空输送室311送出。
接着，打开闸阀G16，将真空输送室311与真空处理室406连通。然后，用晶片输送机构501的输送臂511和真空处理室406内的晶片升降机构(未图示)等，将晶片W载置到真空处理室406内的载置台41。
在载置后，关闭闸阀G16，将真空处理室406密闭，然后在该真空处理室406内，对晶片W进行成膜处理，在晶片W上形成例如盖帽层或电极层。
当真空处理室406中的处理结束后，打开闸阀G16，将真空处理室406与真空输送室311彼此连通。然后，用晶片输送机构501的输送臂511将晶片W真空处理室406送出，并将其输送到真空输送室311内。
之后，将晶片W以与从晶盒C送入时相反的顺序，经由负载锁定室12将之送回到原来的晶盒C。
此外，有时，不需要温度调节室321中的冷却处理。在该情况下，将晶片W从真空输送室311不经过温度调节室321地输送到真空处理室406。
接着，对处理系统1中的真空输送室311的维护方法进行说明。
在维护真空输送室311时，与该真空输送室311相邻的中转室324的活门141预先通过驱动机构144的驱动而在上下方向移动，具体而言下降，使得从上述的打开位置到关闭位置。因此，经由中转室324的送入送出口201a跟真空输送室311连通的第一空间S1和经由中转室324的送入送出口201b与真空输送室312连通的第二空间S2被气密地隔开。
在该状态下，使与第一空间S1连通的真空输送室311的盖(未图示)为打开状态，将该真空输送室311的内部向大气开放。此时，由于中转室324的第一空间S1和第二空间S2如上所述被气密地隔开，因此经由中转室324与真空输送室311相邻的另一个真空输送室312的内部不向大气开放。
在向大气开放之后，对真空输送室311进行所希望的作业，例如对输送臂511等的作业等。
之后，关闭真空输送室311的盖，再次将该真空输送室311密闭并对其并进行排气。
当真空输送室311内的压力成为预先规定的压力以下时，能够通过驱动机构144的驱动将中转室324的活门141升高到打开位置。
如上所述，在本实施方式中，在接连设置有多个真空输送室31的真空输送装置30中，将晶片收纳室32设置于在接连设置方向上与真空输送室31相邻的位置，其中，该多个真空输送室31在内部具有保持并输送晶片W的晶片输送机构50。此外，晶片收纳室32包括：中空的壳体100、200，其中在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对真空输送室31送入送出晶片W的送入送出口101a、201a；可上下移动地设置于壳体100、200内的活门141；和能够使活门141上下移动的驱动机构144。当将在上下方向分割壳体100、200内部的空间时的送入送出口101a、201a侧的空间称为第一空间S1，并将送入送出口101a和201a的相反侧的空间称为第二空间S2时，在晶片收纳室32中，从第一空间S1与第二空间S2连通的状态，通过使活门141上下移动，以用活门141将第一空间S1与第二空间S2气密地隔开。由此，能够实现以下的(A)～(C)。
(A)当将一个真空输送室31与相邻的真空处理室40连通时，由连通导致的室内压力变动仅在上述一个真空输送室31中发生，抑制压力变动的影响向其他真空输送室31的传播。
(B)在维护时，仅将在进深方向上与中转室324和325相邻的两个真空输送室31中的任一真空输送单元向大气开放，由此例如与将两者都向大气开放的情况相比能够缩短维护时间。
(C)防止从在能够进行高温处理的温度调节室322内加热后的晶片气化的成分，流入与温度调节室322相邻的真空输送室312，由此防止上述成分对真空输送室312所输送的晶片W造成不良影响。
现有技术中，为了实现上述(A)～(C)，在真空输送室31与跟该真空输送室31在连接方向上相邻的晶片收纳室32之间需要闸阀。闸阀配置在晶片收纳室32的外部并在晶片收纳室32的外部上下移动，与之相对，在本实施方式中代替闸阀使用的活门141，设置在晶片收纳室32的壳体100、200内并在壳体100、200内上下移动。因此，在本实施方式中，与使用闸阀的情况相比，能够减小具有该晶片收纳室32的真空输送装置30的占地面积而使之小型化。此外，能够使具有该真空输送装置30的处理系统1小型化。
在本实施方式中，在宽度方向上相邻的晶片收纳室32这两者没有设置有闸阀，不过也可以仅在任一者设置闸阀。在没有对两者设置闸阀的结构中，能够在晶片输送装置的进深方向(图1的Y方向)和宽度方向(图1的X方向)这两个方向上减小占地面积。与之相对，在仅对一者设置闸阀的结构中，能够减小晶片输送装置的宽度方向(图1的X方向)上的占地面积。
此外，在本实施方式中，真空输送装置30具有温度调节室32，能够在该温度调节室32中进行晶片W的预加热处理或预冷却处理。因此，能够缩短各真空处理室40内的处理时间。由此能够提高生产能力。
另外，在现有技术中，存在使用专用于预加热处理或预冷却处理的、具有与真空处理室40相同结构的组件的情况。与这种情况相比，具有本实施方式的真空输送装置30的处理系统1不需要设置如上所述的专用组件，因此能够减小该处理系统1的占地面积。
另外，由于能够对晶片W进行预加热处理或预冷却处理，因此能够减小真空处理室40的载置台41与载置在该载置台41的晶片W的温度差，故而能够减轻由该温度差对晶片W和载置台41造成的损伤。
另外，在本实施方式中，温度调节室32具有包围载置台110并能够上下移动的遮挡部件151，该遮挡部件151能够由驱动支承销121的升降机构124驱动。即，没有对遮挡部件151设置独立的驱动机构，而遮挡部件151和支承销121共用驱动机构。因此，能够节省空间并降低成本。
为了对遮挡部件151内进行排气，在该遮挡部件151除了设置出入口151a之外还可以设置其它开口。
图17是用于说明温度调节室的另一例的图。
在使用图2说明的温度调节室32中，遮挡部件151形成为大致包围整个载置台110的箱形。
与之相对，在图17的温度调节室32a中，遮挡部件301形成为仅能够包围载置台110的上端的形状，具体而言，形成为下侧开口的コ字形的截面。用该遮挡部件301，与遮挡部件151同样地也能够抑制从第二空间S2内的晶片W气化的成分流入真空输送室312，或者防止当后述的活门311与环形凸部101d接触时产生的异物对载置台110上的晶片W造成不良影响。
在本例中，遮挡部件301的外周部的下端，位于比载置台110上的晶片W的上表面和遮挡部件112的外周部上端靠下侧处。因此，能够使用遮挡部件112防止当活门311与环形凸部101d接触时产生的异物对载置台110上的晶片W造成影响。
在图的例子中，遮挡部件112的外周部位于遮挡部件301的内侧，但是也可以位于遮挡部件301的外侧。
此外，在图2的温度调节室322中，遮挡部件151由升降机构124驱动。与之相对，在图17的温度调节室32a中，遮挡部件301由驱动活门311的驱动机构144驱动。因此，遮挡部件301与活门311连接在一起。具体而言，设置有：作为支承遮挡部件301的遮挡支承部件的支承部件302；和通过从下方抵接到支承部件302来限定遮挡部件301的上下方向的位置的限位部件303。活门311弹性地连接于上述支承部件302。下面，进行更具体的说明。
在遮挡部件301的上表面的中央部连接有支柱302a的下端，该支柱302a通过形成于壳体320的盖体321的开口321a贯通该盖体321，并在上下方向上延伸。支柱302a的上端连接到在水平方向上延伸的板状部件302b。支柱302a和板状部件302b构成支承遮挡部件301的支承部件302。
对该支承部件302设置的限位部件303在上下方向上延伸，并且其下端连接到壳体320的盖体321的上表面。该限位部件303通过从下方抵接到与在上下方向上移动的遮挡部件301一起移动的支承部件302，具体而言，通过抵接到板状部件302b的下表面，来限定遮挡部件301的上下方向的位置。
在活门311的中央，形成有供连接于遮挡部件301的支柱302a的下侧贯通的开口311a。此外，在活门311的上表面的开口311a的周围，连接有筒状部件312的下端，该筒状部件312通过盖体321的开口321a贯通该盖体321，并在上下方向上延伸。筒状部件312形成为中空的筒状，支柱302a在上下方向上贯通其内部。在筒状部件312的下端部，形成有供设置于支柱302a的下侧的凸缘302c贯通的开口312a，在筒状部件312的上端部，形成有供支柱302a的上侧贯通的开口312b。
此外，筒状部件312的上端侧部连接于驱动机构144。而且，在筒状部件312的上表面的开口312b的周围，连接有弹性部件313的下端。弹性部件313的上端连接于板状部件302b的下表面的支柱302a的连接部分的周围。
如上所述，活门311和支承部件302经由弹性部件313等弹性地连接在一起。
因此，在驱动机构144的驱动下，活门311上下移动，遮挡部件301也随之上下移动(遮挡部件301抵接到限位部件303的情况除外)。另外，在通过限位部件303的规定而停止了遮挡部件301的下降之后，也能够仅使活门311继续下降。因此，在通过驱动机构144的驱动来驱动遮挡部件301和活门311这两者的结构中，能够将载置台110和遮挡部件301在上下方向上正确地进行位置对准，并且用适当的力将活门311按压到环状凸部101d。
此外，设置有波纹管331、332，使得壳体320内部的气密性不会被壳体320的盖体321的开口321a和筒状部件312的上端部的开口312b破坏。波纹管331以在壳体320内包围支柱302a的外周部的方式设置于壳体320的盖体321的筒状部件312的贯通部与活门311之间。此外，波纹管332以在筒状部件312的内部包围支柱302a的外周部的方式设置于支柱302a的下端部的凸缘302c与筒状部件312的上端的支柱302a的贯通部之间。
下面，使用图18～图20，说明温度调节室32a中的遮挡部件301和活门311的动作。图18～图20是表示晶片收纳室32的状态的视图。
如图18所示，当用驱动机构144将活门311上升到上述的打开位置时，遮挡部件301也上升，位于经由送入送出口101a被插入的输送臂51的上方。在这种状态下，用支承销121在输送臂51与载置台110之间进行晶片W的交接。
例如，在晶片W的从输送臂51至载置台110的交接完成之后，用驱动机构144进行活门311和遮挡部件301的下降。当进行该下降时，首先，如图19所示，遮挡部件301的支承部件302的板状部件302b的下表面抵接到限位部件303的上表面，遮挡部件301的下降停止，遮挡部件301的上下方向的位置被限定。
然而，如上所述，由于弹性地连接于支承遮挡部件301的支承部件302，所以即使遮挡部件301的下降停止，活门311也能够进一步下降。
当进一步进行活门311的下降时，该活门311如图20所示夹着O形环142抵接到环形凸部101d的上表面，即处于上述的关闭位置，由此第一空间S1与第二空间S2被气密地隔开。
此外，当活门311从关闭位置上升时，首先，仅活门311上升，然后，在弹性部件313的长度变为由其弹性常数等决定的预先规定的长度时，遮挡部件301与活门311一起上升。
如上所述，在本例中，在驱动机构144的驱动下，活门311上下移动，遮挡部件301也随之上下移动(遮挡部件301抵接到限位部件303的情况除外)。此外，即使在由于限位部件303的限位而停止了遮挡部件301的下降之后，也能够仅使活门311继续下降。因此，在通过驱动机构144的驱动来驱动遮挡部件301和活门311这两者的结构中，能够将载置台110和遮挡部件301在上下方向上正确地进行位置对准，并且能够用适当的力将活门311按压到环状凸部101d。
以上，以成膜处理为例进行了说明，不过在代替成膜处理，或者除了成膜处理之外还进行蚀刻处理等的其他处理的情况下，也能够使用本实施方式的基片输送装置。
应当认为，本发明公开的实施方式在所有方面均是例示而并非限制性的。上述的实施方式，在不脱离所附的权利要求的范围和主旨的情况下，能够以各种各样的形式进行省略、替换或改变。
另外，以下的构成也属于本发明的技术范围。
(1)一种基片收纳装置，其设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与上述真空输送单元相邻，上述多个真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，上述基片收纳装置包括：中空的壳体，其在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；在上下方向上可移动地设置于上述壳体内的分隔部件；和能够使上述分隔部件上下移动的驱动机构，当将上述壳体内的空间在上下方向上分割时的上述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将上述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从上述第一空间与上述第二空间连通的状态，通过使上述分隔部件在上下方向上移动，能够用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开。
依照上述(1)，能够使基片输送装置小型化，该基片输送装置中接连地设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设有基片收纳装置。
(2)如上述(1)记载的基片收纳装置，其中，在上述壳体的上述第二空间具有能够载置基片的载置台。
(3)如上述(2)记载的基片收纳装置，其中，上述载置台具有能够加热所载置的基片的加热机构。
(4)如上述(3)记载的基片收纳装置，其中，包括包围上述载置台并在上下方向上可移动的遮挡部件。
依照上述(4)，在用载置台对基片进行了加热后，将活门开放时，能够抑制从第二空间内的基片气化的成分流入相邻的真空输送室单元。此外，能够抑制载置台的热量对壳体等的外部造成影响。
(5)如上述(4)记载的基片收纳装置，其中，上述遮挡部件形成为在侧部具有基片的出入口的箱状。
(6)如上述(5)记载的基片收纳装置，其中，
包括安装在上述载置台的外周的环状部件，
当用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开时，安装有上述环状部件的状态的上述载置台被上述遮挡部件包围，上述遮挡部件的上述出入口的上端位于比上述环状部件的上端靠下方处。
依照上述(6)，能够使用环状部件来防止异物经由出入口进入遮挡部件内。
(7)如上述(4)～(6)中任一项上述的基片收纳装置，其包括：
当在上述真空输送单元的上述基片输送机构与上述载置台之间交接基片时支承该基片的基片支承销；和
能够使上述基片支承销在上下方向上移动的销驱动机构，
上述遮挡部件在上述销驱动机构的驱动下在上下方向上移动。
依照上述(7)，能够节省空间并降低成本。
(8)如上述(4)记载的基片收纳装置，其中，上述遮挡部件通过上述驱动机构上下移动。
依照上述(8)，能够节省空间并降低成本。
(9)如上述(8)记载的基片收纳装置，其包括：
支承上述遮挡部件的遮挡支承部件；和
限位部件，其通过从下方抵接到上述遮挡支承部件来限定上述遮挡部件的上下方向的位置，
上述分隔部件弹性地连接于上述遮挡支承部件。
依照上述(9)，能够使遮挡部件在上下方向上正确地进行位置对准，并且用活门可靠地将第一空间和第二空间气密地分隔。
(10)如上述(1)或(2)记载的基片收纳装置，其中，
上述壳体在上述第二空间侧且上述接连设置方向的另一侧的侧壁也形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口。
(11)一种基片输送装置，其中，上述真空输送单元接连设置，在接连设置方向上与上述真空输送单元相邻的位置具有如(1)～(10)中任一项记载的基片收纳装置。
(12)一种基片输送装置的真空输送单元的维护方法，其中，上述真空输送装置中经由基片收纳装置接连设置有多个真空输送单元，上述多个真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，
上述基片收纳装置包括：
中空的壳体，其在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；和
在上下方向上可移动地设置于上述壳体内的分隔部件，
该方法包括：
当将上述壳体内的空间在上下方向上分割时的上述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将上述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从上述第一空间与上述第二空间连通的状态，通过使上述分隔部件在上下方向上移动，能够用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开的步骤；以及
仅将与上述第一空间和上述第二空间的任一者连通的上述真空输送单元向大气开放的步骤。

Claims (12)

1.一种基片收纳装置，其特征在于：
设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与所述真空输送单元相邻，所述真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，
所述基片收纳装置包括：
中空的壳体，其在所述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；
在上下方向上可移动地设置于所述壳体内的分隔部件；和
能够使所述分隔部件上下移动的驱动机构，
当将所述壳体内的空间在上下方向上分割时的所述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将所述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，
从所述第一空间与所述第二空间连通的状态，通过使所述分隔部件在上下方向上移动，能够用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开。
2.如权利要求1所述的基片收纳装置，其特征在于：
在所述壳体的所述第二空间具有能够载置基片的载置台。
3.如权利要求2所述的基片收纳装置，其特征在于：
所述载置台具有能够加热所载置的基片的加热机构。
4.如权利要求3所述的基片收纳装置，其特征在于：
包括包围所述载置台并在上下方向上可移动的遮挡部件。
5.如权利要求4所述的基片收纳装置，其特征在于：
所述遮挡部件形成为在侧部具有基片的出入口的箱状。
6.如权利要求5所述的基片收纳装置，其特征在于：
包括安装在所述载置台的外周的环状部件，
当用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开时，安装有所述环状部件的状态的所述载置台被所述遮挡部件包围，所述遮挡部件的所述出入口的上端位于比所述环状部件的上端靠下方处。
7.如权利要求4～6中任一项所述的基片收纳装置，其特征在于，包括：
当在所述真空输送单元的所述基片输送机构与所述载置台之间交接基片时支承该基片的基片支承销；和
能够使所述基片支承销在上下方向上移动的销驱动机构，
所述遮挡部件在所述销驱动机构的驱动下在上下方向上移动。
8.如权利要求4所述的基片收纳装置，其特征在于：
所述遮挡部件通过所述驱动机构上下移动。
9.如权利要求8所述的基片收纳装置，其特征在于，包括：
支承所述遮挡部件的遮挡支承部件；和
限位部件，其通过从下方抵接到所述遮挡支承部件来限定所述遮挡部件的上下方向的位置，
所述分隔部件弹性地连接于所述遮挡支承部件。
10.如权利要求1或2所述的基片收纳装置，其特征在于：
所述壳体在所述第二空间侧且所述接连设置方向的另一侧的侧壁也形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口。
11.一种基片输送装置，其特征在于：
多个真空输送单元接连设置，在接连设置方向上与所述真空输送单元相邻的位置具有权利要求1～10中任一项所述的基片收纳装置。
12.一种基片输送装置的真空输送单元的维护方法，其特征在于：
所述真空输送装置中经由基片收纳装置接连设置有多个真空输送单元，所述真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，
所述基片收纳装置包括：
中空的壳体，其在所述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；和
在上下方向上可移动地设置于所述壳体内的分隔部件，
该方法包括：
当将所述壳体内的空间在上下方向上分割时的所述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将所述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从所述第一空间与所述第二空间连通的状态，通过使所述分隔部件在上下方向上移动，能够用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开的步骤；以及
仅将与所述第一空间和所述第二空间的任一者连通的所述真空输送单元向大气开放的步骤。
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