CN112786474A - 薄膜沉积设备及半导体工艺方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法。薄膜沉积设备包括沉积炉管、晶圆装载区及晶圆传送装置；沉积炉管用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；晶圆装置区设置有称量装置，称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；晶圆传送装置位于沉积炉管及晶圆装载区之间，用于在沉积炉管和晶圆装载区的晶圆盒之间传送晶圆。采用本发明的薄膜沉积设备可以及时掌握设备故障时晶圆所处的位置，从而为工作人员的排障作业提供参考，有助于降低晶圆被污染的风险。同时，本申请通过比较晶圆在薄膜沉积工艺前后的重量差以判断晶圆沉积的薄膜是否符合要求，相较于传统的检测方法极大简化，有助于减少检测时间、提高检测效率。

Description

薄膜沉积设备及半导体工艺方法

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造领域，特别是涉及一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法。

背景技术

批次型薄膜沉积工艺中，设备在装载/卸载晶圆的过程中，需要将晶圆盒从晶圆盒堆栈点转移到晶圆装载区，之后将晶圆从晶圆盒抓取到沉积腔室上并按顺序排列。这个过程需要传送装置来完成，如果在传送过程中发生故障，传送装置就会停在当前位置并产生报警以提醒工作人员进行处理。工作人员处理这种报警的流程通常包括确认传送装置上是否有晶圆以及确认传送装置是否在安全位置，根据位置的不同下不一样的指令。但这个过程中存在没办法判断传送装置是否处在安全位置的可能性，比如看不到传送装置的位置。这时候就需要将设备的后门打开，工作人员上半身进入设备中才能看到传送装置的位置，并据此作正确的后续处理。设备的后门一旦打开，沉积腔室内的所有晶圆就会暴露在空气中，存在被污染的风险。为了确保良率，通常需要工艺工程师根据经验、结合当时的情况判断是否将这些晶圆拉出来进行检测以决定是否可以继续进行工艺生产，但这又会导致生产时间的增加。同时，现有的晶圆膜厚检测方法过于复杂，且在膜厚检测过程中容易对膜厚造成损伤。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法，用于解决现有技术中因传送装置发生故障并无法确认晶圆是否处于安全位置时，需打开设备后门进行人工观察，由此导致晶圆被污染的风险，后续对晶圆进行检测的过程中导致生产时间增加，以及现有的晶圆膜厚检测方法过于复杂且在检测过程中容易对膜厚造成损伤等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括沉积炉管、晶圆装载区及晶圆传送装置；所述沉积炉管用于对晶圆进行薄膜沉积工艺，所述晶圆装置区设置有称量装置，所述称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；所述晶圆传送装置位于所述沉积炉管及所述晶圆装载区之间，用于在所述沉积炉管和所述晶圆装载区的所述晶圆盒之间传送晶圆。

可选地，所述称量装置在每片晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。

可选地，所述称量装置在每5n片(n为大于等于1的整数)晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得5n片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。

可选地，所述称量装置为2个以上。

可选地，所述称量装置的称量精度为毫克。

可选地，所述薄膜沉积设备还包括控制装置，与所述称量装置相连接。

本发明还提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括：

将晶圆自晶圆盒传送至沉积炉管后，对所述晶圆进行薄膜沉积工艺；

将在所述沉积炉管内完成薄膜沉积工艺的晶圆传送回所述晶圆盒后并进行称量以获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量；

基于所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆的初始重量获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。

可选地，所述薄膜沉积工艺包括多晶硅沉积工艺和氧化硅沉积工艺中的一种，所述晶圆在所述薄膜沉积工艺中的沉积膜厚大于等于200μm。

可选地，所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于单片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆的初始重量获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。

在另一可选方案中，所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于5n片(n为大于等于1的整数)晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述5n片晶圆的初始重量获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。

如上所述，本发明的薄膜沉积设备及半导体工艺方法，具有以下有益效果：本发明通过对晶圆进行称重可以及时掌握设备故障时晶圆所处的位置，从而为工作人员的排障作业提供参考，有助于降低晶圆被污染的风险。同时，本申请通过比较晶圆在薄膜沉积工艺前后的重量差以判断晶圆沉积的薄膜是否符合要求，相较于传统的检测方法极大简化，有助于减少检测时间、提高检测效率。

附图说明

图1显示为本发明的薄膜沉积设备的结构示意图。

图2至图5显示为晶圆传送装置发生故障时的状态示意图。

图6显示为本发明的半导体工艺方法的流程图。

元件标号说明

11 沉积炉管

111 晶舟

112 升降器

12 晶圆装载区

121 称量装置

122 晶圆盒

123 晶圆

13 晶圆传送装置

131 机械手臂

14 壳体

15 控制装置

S01～S03 步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

如图1所示，本发明提供一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括沉积炉管11、晶圆装载区12及晶圆传送装置13；所述沉积炉管11用于对晶圆123进行薄膜沉积工艺；所述晶圆123装置区设置有称量装置121，所述称量装置121用于承载放置有晶圆123的晶圆盒122并获得晶圆123的重量；所述晶圆传送装置13位于所述沉积炉管11及所述晶圆装载区12之间，用于在所述沉积炉管11和所述晶圆装载区12的所述晶圆盒122之间传送晶圆123。

本发明的薄膜沉积设备可以对晶圆进行称重，由此有助于判断设备故障时晶圆所处的位置，从而为工作人员的排障作业提供参考，有助于降低晶圆被污染的风险。同时，采用本发明的薄膜沉积设备可以通过比较晶圆在薄膜沉积工艺前后的重量差以判断晶圆沉积的薄膜是否符合要求，有助于简化薄膜检测工艺、避免检测过程中对薄膜造成损伤。

所述薄膜沉积设备具有壳体14，所述壳体14上设置有可打开的腔门(未图示)，所述沉积炉管11、晶圆装载区12和晶圆传送装置13均位于所述壳体14内，由此可以进一步提高薄膜沉积工艺中的洁净度，有助于提高生产良率。而在设备发生故障时，可以通过打开所述腔门进入设备内部进行检修。

作为示例，所述薄膜沉积设备还包括晶舟111，晶圆123经由所述晶圆传送装置13自所述晶圆盒122内被传送至所述晶舟111内，装置有晶圆123的所述晶舟111在升降器112的驱动下进入到所述沉积炉管11内进行薄膜沉积工艺，在经预设时间的沉积后，所述升降器112带动所述晶舟111离开所述沉积炉管11，之后所述晶圆传送装置13再将完成薄膜沉积工艺的晶圆123自所述晶舟111传送回所述晶圆盒122。当然，在其他示例中，根据结构的不同，晶圆123也可以自所述晶圆盒122被直接传送至所述沉积炉管11内，本实施例中并不严格限制。所述晶舟111单次最大可装载的晶圆123数可以根据需要设置，比如为25片、50片或更多片，较优的选择为150片。

作为示例，所述晶圆传送装置13具有机械手臂131，所述机械手臂131用于支撑晶圆123，且所述机械手臂131可以为多个，比如为2个，3个或更多个，优选地为5个，因为单批次晶圆123的数量为25片，所述机械手臂131的数量为5个有利于尽快完成批次晶圆123的传送。

作为示例，所述薄膜沉积设备还包括控制装置15，与所述称量装置121相连接。所述控制装置15内可以预先存储有晶圆盒122的重量、单片晶圆123的重量、装置有不同数量的晶圆123的晶圆盒122的重量、以及根据之前的生产情况整理出的不同材质和/或不同厚度的薄膜的重量，因而完成薄膜沉积工艺的晶圆123自所述沉积炉管11被所述晶圆传送装置13传送至所述晶圆盒122时，通过称量所述晶圆盒122的重量，基于所述控制装置15内预先存储的数据，即可立即得到当片晶圆123的重量，并基于所述晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆123的初始重量(即未经薄膜沉积之前的重量)获得所述晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆123沉积的薄膜是否符合要求，比如根据所述重量差是否与所述控制装置15中预存的数据相同或接近(即是否在重量偏差内)进行判断。在进一步的示例中，可以设置与所述控制装置15相连接的报警装置(未图示)，以在所述晶圆123的薄膜沉积不符合要求时发出报警，提醒工作人员作相应处理，所述报警装置可以为声音报警装置、光电报警装置以及具有通信功能的报警装置中的一种或多种。当然，在其他示例中，所述检测判断过程也可以由工作人员完成。所述控制装置15优选为具有显示、存储和控制等多种功能的装置，比如为电脑，可以及时将称量结果显示在所述控制装置15上。同时，所述薄膜沉积设备的其他模块的工作也可以由所述控制装置15(当然也可以由另外的控制单元进行控制)进行控制。比如，由所述控制装置对所述沉积炉管11的沉积工艺进行控制，由所述控制装置对所述晶圆传送装置13的传送作业和所述升降器112的升降进行控制等。在其他示例中，前述的各种数据，包括晶圆盒122的重量、单片晶圆123的重量、装置有不同数量的晶圆123的晶圆盒122的重量、以及根据之前的生产情况整理出的不同材质和/或不同厚度的薄膜的重量等数据也可以预先存储于所述称量装置121内，因而所述称量装置121在完成称量后通过与自身存储有的数据进行比对即可得到所需的数据。

由于各种意外因素，比如停电、地震等外在原因以及设备本身的故障等原因，所述薄膜沉积设备会发生突然宕机的情况。由于宕机是瞬时发生，此时所述晶圆传送装置13可能处于如图2至图5中的任何一种位置。比如图2中，机械手臂131刚接触到晶圆盒122中的晶圆123，但晶圆123还在与晶圆盒122接触，或者虽然没有接触但距离很小；图3中，晶圆123在传入至晶圆盒122的过程中停下；图4中，机械手臂131将晶圆123自晶圆盒122中抬起并往外移动的过程中停下；图5中，机械手臂131在晶圆盒122之外，还没有开始向晶圆盒122传送或者已经自晶圆盒122离开，是处于安全位置。传统的薄膜沉积设备中，在发生设备故障时，由于无法从设备外部观察到里面的情况，无法确定晶圆传送装置13处于前述何种状态，因而需要将设备的腔门打开，工作人员将上半身伸入设备中观察晶圆传送装置13的位置，并依据观察结果采取下一步的处理措施。设备的腔门一旦打开，整个设备内的所有晶圆123就会暴露在空气中，存在被污染的风险。为了确保良率，通常需要工艺工程师根据经验、结合当时的情况判断是否将这些晶圆123拉出来进行检测以决定是否可以继续进行工艺生产，但这又会导致生产时间的增加。而采用本发明的薄膜沉积设备，由于所述晶圆装载区12设置有所述称量装置121，且晶圆盒122与晶圆123的重量是已知的(可以根据晶圆厂商提供的出货报告查询或者预先称量)，在称量出装载有晶圆123的晶圆盒122的整体重量后，根据设备报警与晶舟111信息(晶舟111上的晶圆123数量可通过控制装置15得知)计算出晶圆盒122上的晶圆123数量，与重量数值做比对，就可以知道晶圆传送装置13是否处在安全位置。图2至图5的四种情况中，除了图2中的情况(此时晶圆123未脱离所述晶圆盒122，因而其重量仍加载在晶圆盒122上)，其他几种情况都无需打开腔门即可进行故障排除，大大减少工作量。假设一片晶圆123的重量是54g(克)，如果经所述控制模块发现晶圆盒122上还有10片晶圆123，如果这10片晶圆123的总重量在540g左右就是还没抓，如果在270g左右就是已经被机械手臂131抓走了(5片晶圆123同时被抓取)，如果没在这个误差值(即在大于270g小于540g的区间)内，比如为431g，那就说明晶圆123还在与晶圆盒122接触(即晶圆123的部分重量加载在晶圆盒122上)。当然，晶圆123的具体重量根据晶圆123的材质、晶圆123的大小等因素的不同而不同，相应的误差区间也可以由工作人员根据前期大量的生产数据及经验进行设置，本实施例中并不严格限制。

在一示例中，所述称量装置121在每片晶圆123自所述沉积炉管11传送至所述晶圆盒122后对所述晶圆盒122进行称量以获得晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量(所述晶圆盒122在装载有该晶圆123前后的重量差即为该晶圆123的重量)，即对所述晶圆123的称量过程是以单片式方式进行的，在称量出晶圆123经薄膜沉积工艺后的重量后，由所述控制装置15将该重量与所述晶圆123在未经薄膜沉积工艺前的重量进行比较即可知晓所述晶圆123所沉积的薄膜的重量，并根据以往的经验数据判断该重量是否正常，由此可判断所述晶圆123的薄膜沉积是否符合生产要求。当然，在其他示例中，也可以对每片晶圆123在进行薄膜沉积工艺前的重量进行称量，本实施例中并不严格限制。这种单片式方式可以快速检测出沉积不良的晶圆，避免不良晶圆流入下个生产工序，有助于提高生产效率，降低生产成本。

在另一示例中，所述称量装置121在每5n片(n为大于等于1的整数)晶圆123自所述沉积炉管11传送至所述晶圆盒122后对所述晶圆盒122进行称量以获得晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量，即对所述晶圆123的称量过程是以每5片、每10片或其他任意的5n(n为大于等于1的整数)片的方式进行的(优选为每次5片)。由于所述沉积炉管11内通常分为若干个区域，每个区域内通常包括5片晶圆123，同一区域的工艺参数基本相同，因而完成薄膜沉积工艺后的位于同一区域的晶圆123的重量基本相同，且所述晶圆传送装置13每次可传送的最大晶圆123数量也通常为5片，因而每次称量过程以5片的方式进行有助于提高检测效率。

当然，在其他示例中，对所述晶圆123也可以任意的数量进行称量，本实施例中不做具体限制。

所述称量装置121为至少具有称重功能的装置，比如高密度天平。作为示例，所述称量装置121为2个以上，优选为2个。设置多个所述称量装置121可以同时对不同的晶圆123进行称量，且所述称量装置121可以同时对完成薄膜沉积工艺后的晶圆123进行称量，也可以一个用于对薄膜沉积前的晶圆123进行称量，一个用于对完成薄膜沉积工艺后的晶圆123进行称量，本实施例中并不严格限制。但不同的所述称量装置121规格需完全相同，且称量结果完全共享，以确保称量后能快速准确地得出所需数据。

所述称量装置121的称量精度越好越有利于准确判断所述晶圆123的薄膜重量。发明人经实验获取大量数据后发现，所述称量装置121的称量精度为毫克时即可满足一般要求。当然，如果所述称量装置121为微克时更加可行，具体可以不同的需要选择合适精度的装置，同时根据不同的称量精度制定不同的偏差。

本发明的薄膜沉积设备可以用于多种材质的薄膜沉积，比如多晶硅、氧化硅等绝缘膜的沉积以及铜、铝等金属材质的薄膜沉积，当沉积薄膜的厚度大于等于50μm(微米)时，尤其是大于等于200μm时，采用本发明的薄膜沉积设备基本可以判断沉积的薄膜是否符合要求。当然，当沉积薄膜的厚度小于200μm时，优选以多片式的方式进行称量，比如以5片为单位进行称量。且称量时的晶圆数量还与所述称量装置121的精度高度相关，精度越高可称量出的薄膜厚度越小。相较于传统的膜厚检测设备及方法，采用本发明的薄膜沉积可以避免检测过程中对膜层造成损伤，有助于提高生产良率。同时，采用本发明的薄膜沉积设备，在发生故障时可以及时了解设备故障时晶圆所处的位置，从而为工作人员的排障作业提供参考，有助于降低晶圆被污染的风险，且有助于提高设备产出率。

如图6所示，本发明还提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法基于前述任一方案中所述的薄膜沉积设备进行，故前述对所述薄膜沉积设备的描述可全文引入至此，出于简洁的目的对相同的内容尽量不重复记载；同样地，此处对所述半导体工艺方法的描述同样适用于前述的薄膜沉积设备。所述半导体工艺方法包括：

S01：将晶圆123自晶圆盒122传送至沉积炉管11后，对所述晶圆123进行薄膜沉积工艺，比如利用所述晶圆传送装置13将晶圆123传送至所述晶舟111内，所述晶圆传送装置13单次传送的晶圆123可为5片；所述晶舟111单次最大可装载的晶圆123数为25片、50片或更多片；在完成预设数量的晶圆123装载后，所述晶舟111在所述升降器112的驱动下进入所述沉积炉管11内，之后所述沉积炉管11的炉门关闭以进行薄膜沉积；

S02：将在所述沉积炉管11内完成薄膜沉积工艺的晶圆123传送回所述晶圆盒122后并进行称量以获得所述晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量；薄膜沉积工艺完成后，所述沉积炉管11的炉门打开，所述升降器112驱动所述晶舟111下降，之后所述晶圆传送装置13将完成薄膜沉积工艺的晶圆123自所述晶舟111传送回所述晶圆盒122，在此过程中，所述称量装置121对所述晶圆盒122进行称量，由此获得所述晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量；

S03：基于所述晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆123的初始重量获得所述晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆123沉积的薄膜是否符合要求；晶圆123的初始重量可预先由晶圆123厂商提供，也可以在晶圆123进入所述沉积炉管11前通过称量获得，所述晶圆盒122的重量同样可以由厂商提供或者预先经称量获得，因而根据需要可以包括对晶圆盒122进行称量和/或晶圆123在每次进入沉积炉管11前对装载有未经薄膜沉积工艺的晶圆123的晶圆盒122进行称量的步骤，本实施例中并不严格限制。

作为示例，所述薄膜沉积工艺包括多晶硅沉积工艺和氧化硅沉积工艺中的一种，所述晶圆123在所述薄膜沉积工艺中的沉积膜厚大于等于200μm。当所述晶圆123沉积的薄膜越厚，比如大于等于1000μm以上时，对所述晶圆123可选择以单片式或多片，比如每5片进行称量；当所述晶圆123沉积的薄膜越薄，比如小于200μm以下时，优选对所述晶圆123以多片，比如每5片或每10片或其他数量的多片方式进行称量。

作为示例，所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于单片晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆123的初始重量获得所述晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆123沉积的薄膜是否符合要求。

在另一示例中，所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于5n片(n为大于等于1的整数)晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述5n片晶圆123的初始重量获得所述5n片晶圆123经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆123沉积的薄膜是否符合要求。

作为示例，在判断所述晶圆123的薄膜沉积不符合要求时还可以发出报警信息以提醒工作人员尽快采取应对措施。所述报警信息包括声音信息、光电信息或文字信息等其中的一种或多种。

采用本发明的半导体工艺方法，有助于提高生产效率和良率。

综上所述，本发明提供一种薄膜沉积设备及半导体工艺方法。薄膜沉积设备包括沉积炉管、晶圆装载区及晶圆传送装置；所述沉积炉管用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；所述晶圆装置区设置有称量装置，所述称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；所述晶圆传送装置位于所述沉积炉管及所述晶圆装载区之间，用于在所述沉积炉管和所述晶圆装载区的所述晶圆盒之间传送晶圆。采用本发明的薄膜沉积设备可以及时掌握设备故障时晶圆所处的位置，从而为工作人员的排障作业提供参考，有助于降低晶圆被污染的风险。同时，本申请通过比较晶圆在薄膜沉积工艺前后的重量差以判断晶圆沉积的薄膜是否符合要求，相较于传统的检测方法极大简化，有助于减少检测时间、提高检测效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括：

沉积炉管，用于对晶圆进行薄膜沉积工艺；

晶圆装载区，所述晶圆装置区设置有称量装置，所述称量装置用于承载放置有晶圆的晶圆盒并获得晶圆的重量；

晶圆传送装置，位于所述沉积炉管及所述晶圆装载区之间，用于在所述沉积炉管和所述晶圆装载区的所述晶圆盒之间传送晶圆。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置在每片晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置在每5n片(n为大于等于1的整数)晶圆自所述沉积炉管传送至所述晶圆盒后对所述晶圆盒进行称量以获得所述5n片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置为2个以上。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述称量装置的称量精度为毫克。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述薄膜沉积设备还包括控制装置，与所述称量装置相连接。

7.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括：

将晶圆自晶圆盒传送至沉积炉管后，对所述晶圆进行薄膜沉积工艺；

将在所述沉积炉管内完成薄膜沉积工艺的晶圆传送回所述晶圆盒后并进行称量以获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量；

基于所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆的初始重量获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述薄膜沉积工艺包括多晶硅沉积工艺和氧化硅沉积工艺中的一种，所述晶圆在所述薄膜沉积工艺中的沉积膜厚大于等于200μm。

9.根据权利要求7或8所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于单片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述晶圆的初始重量获得所述晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。

10.根据权利要求7或8所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述薄膜沉积工艺为批次型薄膜沉积工艺，所述半导体工艺方法包括基于5n片(n为大于等于1的整数)晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量及所述5n片晶圆的初始重量获得所述5n片晶圆经所述薄膜沉积工艺后的重量差，并依据所述重量差判断所述晶圆沉积的薄膜是否符合要求。

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