CN112771430B

CN112771430B - 支撑光学元件

Info

Publication number: CN112771430B
Application number: CN201980062682.XA
Authority: CN
Inventors: J.库格勒; B.格珀特; A.卡里托诺夫
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2018-09-25
Filing date: 2019-09-24
Publication date: 2023-06-06
Anticipated expiration: 2039-09-24
Also published as: TW202013004A; KR20210043686A; EP3857281B1; US20210181644A1; KR102636341B1; JP7288046B2; WO2020064721A1; JP2022503797A; EP3857281A1; ES2936530T3; TWI829764B; PL3857281T3; DE102018216344A1; US11314177B2; CN112771430A

Abstract

本发明涉及在特别是微光刻的光学成像装置中使用的光学布置，其包括光学元件单元(108)和检测装置(112)和/或致动装置(110)，其中，光学元件单元(108)包括至少一个光学元件(108.1)。检测装置(112)被配置为在各个情况下以多个——M个自由度来确定检测值，检测值表示光学元件(108.1)的元件参考相对于检测装置(112)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中检测装置(112)包括多个——N个检测单元(112.1)，每个检测单元被配置为输出检测信号，检测信号表示检测单元(112.1)相对于向光学元件(108.1)和相应检测单元(112.1)分配的次级参考的距离和/或位移，以及光学元件单元(108)和检测装置(112)限定检测变换矩阵，检测变换矩阵表示N个检测信号到M个检测值中的变换。附加地或替代地，致动装置(110)配置为在各个情况下以多个——R个自由度来设置情况值，情况值表示光学元件的元件参考相对于致动装置(110)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中，致动装置(110)包括多个——S个致动单元(110.1)，每个致动单元(110.1)配置为生成在致动单元相对于光学元件单元(108)的接口处的致动状态，并且光学元件单元(108)和致动装置(110)限定了致动变换矩阵，致动变换矩阵表示S个致动状态到R个情况值中的变换。在这种情况下，变换矩阵的条件数由变换矩阵的最大奇异值与变换矩阵的最小奇异值的比率来限定。检测装置(112)和/或光学元件单元(108)被配置为使得检测变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。附加地或替代地，致动装置(110)和/或光学元件单元(108)被配置为使得致动变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选为8至15。

Description

支撑光学元件

相关申请的交叉引用

本申请要求德国专利申请No.10 2018 216 344.8的权益(提交日：2018年9月25日)，其全部内容通过引用并入本文中。

发明背景

本发明涉及光学布置。此外，本发明涉及包括这样的光学布置的光学成像装置，涉及用于支撑光学元件的对应方法，涉及对应的光学成像方法以及涉及用于设计对应的光学布置的方法。本发明可以与任何期望的光学成像方法结合使用。它可以特别有利地用于微电子电路及用于它们的光学部件(例如光学掩模)的制造或检查中。

与微电子电路的制造结合使用的光学装置典型地包括多个光学元件单元，多个光学元件单元包括布置在成像光路中的一个或多个光学元件，诸如透镜元件、反射镜或光栅。所述光学元件典型地在成像过程中协作，以便将物体(例如，掩模上形成的图案)的图像转印到基板(例如，所谓的晶片)上。光学元件典型地被组合成一个或多个功能组，该一个或多个功能组如果适当的话被保持在分离的成像单元中。特别是在原理上以在所谓的真空紫外范围中的波长(VUV，例如在193nm的波长)操作的折射系统的情况下，这样的成像单元通常由保持一个或多个的光学元件的光学模块的堆叠体形成。所述光学模块典型地包括具有实质上环形外部支撑单元的支撑结构，该支撑结构支撑一个或多个光学元件保持件，该一个或多个光学元件保持件继而保持光学元件。

半导体部件的不断演进的小型化导致对用于半导体的制造的光学系统的增强的分辨率的恒定需求。对于越来越高分辨率的需求使得需要光学系统的越来越高的数值孔径(NA)和越来越高的成像准确度。

用于获得增强的光学分辨率的一种方法是降低在成像过程中使用的光的波长。近年来的趋势已经促进了系统的开发，在该系统中使用所谓的极紫外范围(EUV)中的光，典型地在5nm至20nm的波长处，大多数情况在大约13nm的波长处。在该EUV范围中，不再可以使用常规的折射光学系统。这是由于以下事实：在该EUV范围中，用于折射光学系统的材料的吸收率过高而在可用光功率的情况下不能实现可接受的成像结果。因此，在该EUV范围中，必须将反射光学系统用于成像。

向EUV范围内具有高数值孔径(例如，NA＞0.4至0.5)的反射光学系统的该过渡导致在成像装置的设计方面的相当大的挑战。

上述提及的因素导致关于参与成像的光学元件相对于彼此的位置和/或取向以及关于单独光学元件的形变的非常严格的要求，以便实现期望的成像准确度。此外，必须在整个操作过程中、最终在系统的整个使用寿命中，维持该高成像准确度。

因此，在成像期间协作的光学成像装置的部件(即，例如，掩模、光学元件和基板)必须以明确限定的方式来支撑以便维持这些部件之间的预定义的明确限定的空间关系，并且必须获得这些部件的最小的非期望的形变以便最终实现尽可能最高的成像质量。

为了在整个成像过程中维持部件之间的该预定义的空间关系，在这样的光学成像装置的情况下，习惯上是至少间歇性地检测该空间关系并至少在一个自由度(在空间中多达所有六个自由度)上以取决于其的方式主动地调整来自所述部件之中的至少单独部件。关于单独部件的形变，通常可应用类似的情况。此外，典型地必须不时地移动掩模和基板，以便将掩模的图案的不同区域成像到基板的不同区域上。

在这种情况下，对于所产生的电路的质量特别重要的典型地是所谓的视线准确度或所谓的覆盖(overlay)(也就是说，因此电路的单独结构的对准的准确度)。在这种情况下，在以不同自由度使用的光学元件的位置和/或取向上的误差典型地在不同程度上影响得到的成像准确度。因此，主要在其中误差对成像准确度有明显影响的自由度上，重要的是实现特别高性能的反射镜控制环路，该反射镜控制环路特别地尽可能地抑制扰动或实现对参与成像的部件彼此之间或关于它们相应参考点或参考结构的足够精确定位和/或取向。

在这种情况下的问题在于，用于控制环路的检测装置(也即，例如，诸如干涉仪、编码器等的测量装置)典型地由参考结构(通常称为计量框架)支撑，这实际上不表现为刚体，而是由于外部或内部机械扰动(振动等)而经受或多或少的严重形变(特别是所谓的准静态形变)，使用的光学部件——特别是使用的光学元件——当然不旨在遵循所述形变。在该上下文中，问题在于标识或检测使用的测量装置的信号的哪部分由相关联的参考结构的这样的形变产生，并且补偿该测量误差以便保持尽可能高的成像质量。

关于用于控制环路的致动装置(也就是说，例如，用于以一个或多个自由度主动地设置相关光学元件的致动器)，存在类似的问题。

发明内容

在这种背景下，本发明基于的目的是提供光学布置、光学成像装置、用于支撑光学元件的方法、成像方法、用于设计不具有上述缺点或者至少在较小程度上具有它们的成像装置的方法，并且特别地使得能够以简单的方式可靠地维持高成像质量。

本发明基于以下技术教导，即，在背景技术中所述类型的光学布置的情况下，如果检测装置和光学元件单元以相互影响的方式配置为使得变换矩阵的条件数为5到30、特别是5到20、更优选地为8到15，该变换矩阵表示检测装置的信号到在关于光学元件的参考(也就是说，例如参考点)的位置或取向的控制中使用的检测值的变换或转换，则可以以简单的方式实现高成像质量。如果附加地或替代地致动装置和光学元件单元以相互影响的方式配置为使得变换矩阵的条件数为5到30、特别是5到20、更优选地为8到15，该变换矩阵表示致动装置的致动单元处的致动状态到在相对于光学元件的参考(也就是说，例如参考点)的位置或取向的控制所产生的情况值的变换或转换，则可应用类似的情况。

在此，条件数是转移系统的条件化的量度。后者被全部条件化地越好，变换矩阵的最大奇异点与最小奇异点之间的比率越小。因此，适用的是，系统的条件化(conditioning)越好，因此例如其控制环路的噪声增益变得越低，而条件数越小。因此，通常要争取条件数CN＝1的值。

换言之，条件数是转移系统的质量的量度。条件数大意味着转移系统的矩阵几乎是奇异的。对于用于确定物体的位置的测量系统，例如，条件数大意味着在至少一个方向上只能从测量值中不准确地重构物体的位置。类似地，对于用于设置物体的位置的致动系统，例如，条件数大意味着在至少一个方向上只能不准确地设置物体的位置。在此，在测量系统或致动系统中的小误差(或噪声)分别导致大的测量误差或位置误差。

在不利的极端情况下，存在奇异变换矩阵，该奇异变换矩阵的行列式则等于零，或者其行和/或列是线性相关的。然后，在这种情况下，例如，即使力花费很大，也不再能够从测量值重建至少一个方向，或者不能在至少一个方向上调整物体。

相比之下，典型地被视为理想的或值得争取的变换矩阵的条件数为CN＝1。在这种情况下，不会放大测量误差或者必须在所有致动方向上花费相同的力以便调整物体。

然而，本发明已经认识到，由于相关条件数与典型地为控制系统所争取的具有值CN＝1的条件数的有意或有目标的偏离，在这样的光学成像装置的领域中应用的情况下，可以实现具有提高的成像质量的改进的系统。这基本上归因于以下事实：具有如上所提及的条件数的这样的系统可以显著变得更加紧凑且因此具有改进的动态性质，这会影响控制的质量或成像误差的可实现最小化。

变换矩阵TM的条件数CN是变换矩阵TM的最大奇异值SV_max与变换矩阵的最小奇异值SV_min的比率，即：

在这种情况下，条件数CN可以例如通过矩阵TM^T TM或TM TM^T的对应本征值EV_i来计算(因此使用变换矩阵TM的转置矩阵TM^T)，其中变换矩阵TM的简单转置是足够的：

不用说，原理上，检测装置或致动装置以及光学元件单元都可以被对应地配置或适配，以便实现期望的条件数CN。在这种情况下，最终仅光学元件的光学边界条件是不变的，该光学边界条件被限定为在成像装置中的使用。特别地，可以在光学表面的对应光学使用的区域之外修改或对应地适配光学元件单元的部件。

优选地，在光学布置的设计期间，首先，第一步骤涉及配置光学元件单元和检测装置和/或致动装置，以便在各个情况下实现期望的条件数CN。只有那时，用由第一步骤产生的边界条件在第二步骤中设计光学成像装置的对应的支撑结构以及(如果适当的话)其他邻近部件(例如冷却装置等)。从而可以以相对简单的方式获得关于成像误差优化的系统。

因此，根据一个方面，本发明涉及在特别是微光刻的光学成像装置中使用的光学布置，其包括光学元件单元和检测装置和/或致动装置，其中，光学元件单元包括至少一个光学元件。检测装置被配置为在各个情况下以多个——M个自由度来确定检测值，检测值表示光学元件的元件参考相对于检测装置的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向。检测装置包括多个——N个检测单元，每个检测单元被配置为输出检测信号，该检测信号表示检测单元相对于向光学元件和相应检测单元分配的次级参考的距离和/或位移。光学元件单元和检测装置限定检测变换矩阵，该检测变换矩阵表示N个检测信号到M个检测值的变换。附加地或替代地，致动装置被配置成在各个情况下以多个——R个自由度来设置情况值，该情况值表示光学元件的元件参考相对于致动装置的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向。致动装置包括多个——S个致动单元，每个致动单元被配置为生成在致动单元相对于光学元件单元的接口处的致动状态。光学元件单元和致动装置限定致动变换矩阵，致动变换矩阵表示S个致动状态到R个情况值的变换。在此，变换矩阵的条件数由变换矩阵的最大奇异值与变换矩阵的最小奇异值的比率来限定。检测装置和/或光学元件单元被配置为使得检测变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。附加地或替代地，致动装置和/或光学元件单元被配置为使得致动变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选为8至15。

不用说，如果合适的话，也可以只有光学元件单元或检测装置或致动装置单独被适配以便获得期望的条件数CN、或对应的检测变换矩阵或致动变换矩阵。然而，优选地，利用了相应配对(包括光学元件单元和检测装置或致动装置)的所有设置可能性。然而，如果所有这些部件被共同地适配，则是特别有利的。

不用说，原理上可以在相应变换矩阵中考虑如预期的许多自由度(多达空间中的所有六个自由度)。优选地，在相应变换矩阵中所考虑的自由度被限制于对成像装置的成像质量具有可察觉的影响的那些自由度。因此，它们因此可以优选地被限制在那些自由度中，其中在检测和/或设置期间的误差构成成像装置的总误差预算的可察觉的比例。然而，典型地，由于高准确度需求，通常会考虑空间中的所有六个自由度。

在优选的变型中，M的值因此为2至6，优选为4至6，更优选为6。附加地或替代地，N的值可以为2至6，优选地可以为4至6，更优选地可以为6。原理上，可以提供不同数量的M个相关自由度和N个检测单元。然而，如果N至少等于M，则出现具有相对简单分配的特别有利的配置。不用说，如果合适的话，还可以提供比相关或考虑的自由度(M)更多的检测单元(N)(即，N＞M)，因此，如果合适的话，情况可以是N＞6，以便实现检测信号的一定冗余量(例如，如果合适的话，以便能够检测光学元件的形变)。就此而言，作为示例，可以为一个或多个(特别是，针对特别地误差相关的)自由度提供至少两个检测单元。

附加地或替代地，R的值可以为2至6，优选地可以为4至6，更优选地6。同样地，附加地或替代地，S的值可以为2至6，优选地可以为4至6，更优选地可以为6。在此，原理上也可以提供不同数量的R个相关自由度和S个致动单元。然而，如果S至少等于R，则继而出现具有相对简单分配的特别有利的配置。然而，在此不用说，如果合适的话，也可以提供比相关或考虑的情况值或自由度(R)更多的致动单元(S)(即，S＞R)，因此，如果合适的话，情况可以是S＞6，以便实现致动信号的一定冗余量(例如，如果合适的话，以便获得光学元件的可预定义形变)。

在特别有利的变型中实现在成像误差方面相关的自由度上的集中——如上所述，在所述变型中，光学成像装置在操作期间具有可预定义的最大允许成像误差，其中成像装置配置为使用M个检测值(分配给M个自由度)以用于控制成像装置，并且M个检测值中的至少一个的检测值误差对最大允许成像误差做出贡献。在这种情况下，至少一个检测值的检测值误差对最大允许成像误差做出贡献，该贡献为最大允许成像误差的至少0.05％至1.0％，优选地为最大允许成像误差的至少0.1％至0.8％，更优选地为最大允许成像误差的至少0.1％至0.4％。可以忽略对最大允许成像误差的预期贡献低于该阈值的自由度或检测值，也就是说，因此可能无法找到检测变换矩阵。因此，在条件数CN的适配中可以将对误差不敏感的自由度或检测值排除考虑或不进行考虑。成像装置的成像误差例如可以是所谓的覆盖误差，也就是说在不同的曝光过程中结构对准的误差。

附加地或替代地，可以提供的是，M个检测值的检测值误差的和对最大允许成像误差做出贡献，该贡献为最大允许成像误差的至少0.5％至10％，优选地为最大允许成像误差的至少1％至8％，更优选地为最大允许成像误差的至少1％至4％，这确保了在任何情况下都考虑其对总成像误差的贡献不可忽略的自由度。

附加地或替代地，对于致动装置也可以采用相同的方法。优选地，因此成像装置被配置为在成像装置的控制中设置R个情况值(分配给R个自由度)。然后，R个情况值中的至少一个的情况值误差对最大允许成像误差做出贡献，其中，至少一个情况值的情况值误差对最大容许成像误差做出贡献，该贡献为最大允许成像误差至少0.05％至1.0％，优选地为最大允许成像误差的至少0.1％至0.8％，更优选地为最大允许成像误差的至少0.1％至0.4％。通过该方式，可以忽略对最大允许成像误差的预期贡献低于该阈值的自由度或情况值，也就是说，因此可能无法找到致动变换矩阵。因此，在条件数CN的适配中可以将对误差不敏感的自由度或情况值排除考虑或不进行考虑。

附加地或替代地，继而还可以提供的是，R个情况值的情况值误差的和对最大可允许成像误差做出贡献，该贡献为最大可允许成像误差的至少0.5％至10％，优选地为最大允许成像误差的至少1％至8％，更优选地为最大允许成像误差的至少1％至4％。这继而确保在任何情况下都考虑其对总成像误差的贡献不可忽略的自由度。

不用说，原理上可以排他地考虑所有检测单元和/或致动单元的变换矩阵以及分配的自由度。在有利的变型中，除此以外，还考虑了一对或多对检测单元和/或致动单元的变换矩阵。例如，如果所述对涉及特别敏感的自由度，也就是说，其中误差构成成像装置的特别高比例的成像误差的自由度，则这可以是特别有利的。

然后，在这样的变型中，优选地，N个检测单元中的至少两个，特别是N个检测单元中的每两个，形成检测单元对，其中检测单元对中的每个检测单元及其分配的次级参考限定检测方向。优选地，检测单元对的两个检测单元的检测方向至少实质上位于共同的检测单元对平面中。检测单元对则被配置为在各个情况下在检测单元对平面中以至少两个、优选地三个检测对自由度来确定检测对检测值，该检测对检测值表示光学元件的检测对元件参考(分配给检测单元对)相对于主要参考在相应检测对自由度中的相对位置或取向。光学元件单元和检测单元对然后限定检测对变换矩阵，该矩阵表示检测单元对的检测信号到检测对检测值的变换。在此，检测单元对和/或光学元件单元也被配置为使得检测对变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选为8至15。因此，通过该方式，因此可以对单个检测单元对或多个这样的检测单元对实现有利地条件化。

在具体的有利变型中，检测对自由度中的至少一个是平移自由度，并且检测对自由度中的一个是旋转自由度，因为这样的一对的平移自由度和旋转对自由度通常对成像误差具有可察觉的影响。

在这些变型中，元件参考原理上可以相对于检测单元对，特别是检测单元对平面布置在任何合适的位置中。原理上，如果光学元件的元件参考至少实质上布置在检测单元对平面中，则是特别有利的。附加地或替代地，光学元件的元件参考可以至少实质上与光学元件的检测对元件参考重合。如果情况如此，则检测对变换矩阵的条件化通常特别重要。

在具体的变型中，如果检测单元对的检测方向之间的检测方向角小于120°、优选地为60°至110°、更优选地为75°至95°，则可以实现系统的特别有利的条件化。在这种情况下，结果是系统的噪声增益与动态优势之间的特别有利的比率，这是由于偏离理想条件数(CN＝1)而出现的，在背景技术中提及所述优势。所述的动态优势则更多地补偿了由与条件化的理想值有意地或有目标地偏离而产生的缺点。

类似的情况适用于这样的变型，在该变型中提供有多个检测单元对，特别是三个检测单元对，并且相应检测单元对的检测方向之间的检测方向角彼此偏离小于10°至40°，优选小于5°至25°，更优选地小于2°至15°。在这种情况下，如果检测单元对，特别是所有检测单元对中的至少一对的检测单元的两个次级参考彼此相邻地布置，则获得特别有利的变型。在这种情况下，如果检测单元的次级参考彼此直接相邻地布置，则是特别有利的且因此优选的。

在其他变型中，提供多个检测单元对，其中两个检测单元对的检测单元对平面相对于彼此倾斜小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。在这种情况下，如果两个检测单元对平面实质上平行地延伸，则可以是特别有利的。因此，特别是如果两个检测单元对中的检测单元以成对方式覆盖相同的自由度，则可以获得特别有利的配置。如以下更详细说明，由此特别地可以获得对支撑结构的振荡不敏感(或“盲目”)的配置；因此，特别是如果振荡支撑结构的运动的方向实质上垂直于检测单元对平面延伸，则由于支撑结构的振荡而引入到控制系统中的误差可以保持很小。

在此应注意的是(除非在下面给出相反的明确指示)，在与两个平面的相交线垂直延伸的测量平面中总是测量出本申请中指示的两个平面之间的角度。

在其他变型中，提供多个检测单元对，其中两个检测单元对的检测单元对平面相对于重力方向倾斜的倾斜角小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。如果相对于重力方向的倾斜角实质上为0°，则在此可以是特别有利的。这导致关于沿重力方向的自由度上的误差的特别有利的条件化。如果支撑结构的所述振荡实质上垂直于重力方向定向，则这是特别适用的。

在其他变型中，提供多个检测单元对，其中两个检测单元对的检测单元对平面相对于重力方向倾斜了一倾斜角，并且该倾斜角彼此相差小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。关于系统的良好条件化，检测单元对平面相对于重力方向的倾斜度的这种小差异也是特别有利的。具体而言，主要地关于垂直于重力方向的自由度上的误差(沿着垂直于重力方向的一个自由度平移以及绕垂直于重力方向的轴线的倾斜或旋转)，特别是在支撑结构的上述振荡的情况下，这是适用的。

上述成对形成的优点也可以在致动装置的上下文中实现。因此，优选地，S个致动单元中的至少两个，特别是S个致动单元中的每两个，形成致动单元对，其中致动单元对中的每个致动单元限定致动方向，并且致动单元对中的两个致动单元的致动方向至少实质上位于共同致动单元对平面中。致动单元对则被配置为在各个情况下在致动单元对平面中以至少两个、优选地三个致动对自由度来设置对情况值，该对情况值表示光学元件的致动对元件参考(分配给致动单元对)相对于主要参考在相应致动对自由度中的相对位置或取向。光学元件单元和检测单元对则限定致动对变换矩阵，该致动对变换矩阵表示致动单元对的致动状态到对情况值的变换。致动单元对和/或光学元件单元继而配置为使得致动对变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。

在此，优选地提供的是，致动对自由度中的至少一个是平移自由度，并且致动对自由度中的一个是旋转自由度。附加地或替代地，可以提供的是，在致动单元对的致动方向之间的致动方向角小于120°，优选地为60°至110°，更优选地为75°至95°。关于控制系统的有利的噪声行为，这也是有利的。关于元件参考的位置，也可应用以上说明。特别地，优选地提供的是，光学元件的元件参考至少实质上布置在致动单元对平面中。附加地或替代地，光学元件的元件参考可以至少实质上与光学元件的致动对元件参考重合。

同样可以体现上述考虑到单个和多个致动单元对的方面和优点。因此，在具体的变型中，可以提供多个致动单元对，特别是三个致动单元对，其中相应致动单元对的致动方向之间的致动方向角彼此偏离小于10°至40°，优选地小于5°至25°，更优选地小于2°至15°。在此，同样，继而可以提供的是，致动单元对，特别是所有致动单元对中的至少一对的致动单元的两个接口装置彼此相邻地布置。如果相关的接口单元彼此直接相邻布置，那么这继而是有利的。

在其他变型中，可以提供多个致动单元对，其中两个致动单元对的致动单元对平面相对于彼此倾斜小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。在此，如果致动单元对平面实质上平行延伸，则也是特别有利的。附加地或替代地，在多个致动单元对的情况下，两个致动单元对的致动单元对平面可以相对于重力方向倾斜的倾斜角小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。在此，如果相对于重力方向的倾斜角实质上为0°，则也是特别有利的。同样地，可以提供多个致动单元对，其中两个致动单元对的致动单元对平面相对于重力方向倾斜了一倾斜角，并且该倾斜角彼此相差小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。通过所有这些变型，在致动装置的情况下，也可以实现上述关于检测单元对的对应优点。

原理上，检测装置的检测单元可以通过一个或多个分离的支撑结构以任何合适的方式支撑。在特别有利的变型中，该支撑实现为使得考虑支撑结构的本征频率和得到的本征形式。因此，在优选的变型中，N个检测单元中的至少一个由检测装置的检测装置支撑结构支撑，其中，在至少一个本征频率处的振荡激励下，该检测装置支撑结构具有至少一个本征形式，该本征形式分配给本征频率且特别地具有至少一个振荡节点。

在这种情况下，至少一个检测单元可以布置为使得，特别地可以布置为在至少一个振荡节点附近使得，至少一个检测单元在至少一个振荡自由度中，特别是在多个振荡自由度到多达所有六个振荡自由度中的位置和/或取向的最大变化在至少一个本征频率处生成检测单元相对于静止状态的检测值的变化，该检测值的变化小于检测单元的检测值的5％至10％，优选地小于2％至6％，更优选地小于1％至4％。优选地，检测单元相对于静止状态的检测值的变化是检测单元的检测值的0％至0.5％。因此，由此可以实现的是，由于支撑结构的振荡而引入到控制系统中的误差可以保持较小。

附加地或可替代地，可以提供的是，具有分配的次级参考的至少一个检测单元限定检测方向，至少一个检测单元在至少一个本征频率处具有在至少一个振荡自由度中位置和/或取向的最大变化，并且至少一个检测单元布置为使得检测方向相对于与展示位置和/或取向的最大变化的振荡自由度垂直的平面倾斜至多5°至30°，优选地至多3°至15°，更优选地至多1°至10°，因此，可以有利地实现的是，检测单元或由检测单元供应的检测信号对支撑结构的振荡不敏感(或“盲目”)；因此，在此，由于支撑结构的振荡而引入到控制系统中的误差也可以保持较小。

在此应注意的是，至少一个检测单元的该定位和/或取决于支撑结构的(一个或多个)本征形式的检测方向的取向在各个情况下构成可独立保护的发明构思，该发明构思独立于本文所描述的分别对检测变换矩阵的条件数和致动变换矩阵的条件数的设置。然而，如果合适的话，可以有利地组合这些发明构思的效果和优点。

特别地，关于检测方向角、在检测单元对平面之间的相互角度和/或在检测单元对平面相对于检测装置的重力方向的相互角度的以上或以下指示可以有利地实现，而不排除也可以(在没有关于条件数的上述规定的情况下)单独地或与这些其他发明构思以任何期望的组合来实现。如果选择尽可能对称的检测装置的配置，则在此是特别有利的。因此这对于可实现的控制的质量特别适用。如果相对于光学元件的对称平面和/或对称轴线来选择对称，则是特别有利的。

对于与上述和/或下述的致动装置的(附加的或替代的)组合，上述也同样适用。因此，关于致动方向角、在致动单元对平面之间的相互角度和/或在致动单元对平面相对于重力方向的相互角度的上述指示因此还可以有利地实现，而不排除也可以(在没有关于条件数的上述规定的情况下)单独地或与这些其他发明构思以任何期望的组合来实现。此处，上述对称配置也是特别有利的，特别是对于可实现的控制的质量而言。

在这些情况中的每一个下，原理上都可以以任何期望的方式来制定支撑结构。特别地，可以选择封闭的框架或环形结构。在其中实现了特别紧凑的配置的具体变型中，该紧凑的配置良好地适配到成像装置中的束路径(也就是说，不阻挡成像装置的束路径)，检测装置支撑结构包括用于支撑N个检测单元，特别是所有N个检测单元中的至少一个的实质U形结构。与这些开口结构相关联，上述变型是特别有利的，因为这些开口结构通常具有相对显著的特征形式。如果N个检测单元中的至少一个布置在U形结构的自由端的区域中，则特别良好地体现了上述优点。

原理上，也可以以相同的方式对于致动装置来实现(再次独立于上述关于条件数的规定)关于检测装置的支撑所概述的优点和变型。因此，在具体的变型中，提供的是，R个致动单元中的至少一个由致动装置的致动装置支撑结构支撑，其中，在至少一个本征频率处的振荡激励下，该致动装置支撑结构具有至少一个本征形式，该本征形式分配给本征频率且特别地具有至少一个振荡节点。

以类似于以上说明的方式，在此同样至少一个致动单元可以布置为使得，特别地可以布置为在至少一个振荡节点附近使得，至少一个致动单元在至少一个振荡自由度中，特别是在多个振荡自由度至多达所有六个振荡自由度中的位置和/或取向的最大变化在至少一个本征频率处生成致动单元相对于静止状态的致动状态的变化，该变化小于致动单元的致动状态的5％至10％，优选地小于2％至6％，更优选地小于1％至4％。优选地，致动单元相对于静止状的致动状态的变化是致动单元的致动状态的0％至0.5％。通过该方式，也可以实现的是，由于所述支撑结构的振荡而引入到控制系统中的误差可以保持较小。

附加地或替代地，至少一个致动单元可以限定致动方向，至少一个致动单元在至少一个本征频率处可以具有在至少一个振荡自由度中位置和/或取向的最大变化，并且至少一个致动单元可以布置为使得在位置和/或取向的最大变化的情况下致动方向相对于与振荡自由度垂直的平面倾斜了至多5°至30°，优选地至多3°至15°，更优选地至多1°至10°。因此，继而可以有利地实现的是，致动单元或由其供应的致动信号对支撑结构的振荡不灵敏(或“盲目”)；因此，在此，由于支撑结构的振荡而引入到控制系统中的误差也可以保持较小。

在此，在节省空间的变型中展示极少障碍物的情况下，可以提供的是，致动装置支撑结构包括用于支撑R个致动单元，特别地所有R个致动单元中的至少一个的实质U形结构。如果将R个致动单元中的一个布置在U形结构的自由端的区域中，则再次特别良好地体现了所述优点。

不用说，原理上，光学元件的任何合适的点或部分都适合用于光学元件的元件参考。如果光学元件的元件参考是光学元件的光学表面的区域中心，则得到特别有利的配置。替代地，光学元件的元件参考可以是光学元件的质量中心。同样地，光学元件的元件参考可以是光学元件的体积中心。最后，提供光学元件以用在成像装置中，其中光学元件的元件参考则可以是成像装置的使用的光束的中心射线的入射点。在所有这些情况下都可以实现特别有利的结果。

原理上，任何期望的光学元件都适合用于该光学元件。就此而言，可以涉及反射、折射或衍射光学元件或光阑。如果光学元件被配置为用于UV光，特别是在真空UV范围(VUV)或极UV范围(EUV)的波长处，特别是在5nm至20nm的波长处，则特别良好地体现了本发明的优点。

对于检测单元，原理上可以使用任何合适的作用原理，通过该作用原理可以以足够的精度来实现期望的检测信号或期望的检测值。分配的对应次级参考同样适用这些。在优选的变型中，因为它们是简单且高度精确的，所以至少一个检测单元，特别是每个检测单元，包括干涉仪，其中次级参考则特别地包括反射元件。附加地或可替代地，至少一个检测单元，特别是每个检测单元，可以包括编码器，其中次级参考则优选地包括反射光栅。

对于致动单元，原理上也可以应用满足在成像装置中施加的精度要求的任何合适的作用原理。如果至少一个致动单元，特别是每个致动单元，包括至少一个致动器，特别地包括力致动器和/或位移致动器，则可以获得特别简单的配置。

本发明还涉及光学成像装置，特别是用于微光刻和/或晶片检查的光学成像装置，该光学成像装置包括具有第一光学元件组的照明装置、用于接收物体的物体装置、具有第二光学元件组的投射装置以及图像装置，其中，照明装置被配置为用于照明物体，并且投射装置被配置为用于将所述物体的图像投射到图像装置上。照明装置和/或投射装置包括根据本发明的至少一个光学布置，其光学元件是相关光学元件组的一部分。优选地，提供控制装置，该控制装置连接到检测装置和致动装置，并且被配置为取决于检测装置的信号来驱动致动装置。可以由此在相同程度上实现根据本发明的光学布置的上下文中上述的变型和优点，所以在这方面参考以上说明。

本发明还涉及用于在特别是用于微光刻的光学成像装置中支撑具有光学元件的光学元件单元的方法，其中具有多个——N个检测单元的检测装置在各个情况下以多个——M个自由度确定检测值，该检测值表示光学元件的元件参考相对于检测装置的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中每个检测单元输出检测信号，该检测信号表示检测单元相对于分配给光学元件和相应检测单元的次级参考的距离和/或位移。光学元件单元和检测装置限定检测变换矩阵，该检测变换矩阵表示N个检测信号到M个检测值的变换。附加地或替代地，具有多个——S个致动单元的致动装置在各个情况下以多个-R个自由度调整情况值，该情况值表示光学元件的元件参考相对于致动装置的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向。每个致动单元生成在致动单元相对于光学元件单元的接口处的致动状态。光学元件单元和致动装置限定致动变换矩阵，该致动变换矩阵表示S个致动状态到R个情况值的变换。在此，变换矩阵的条件数再次由变换矩阵的最大奇异值与变换矩阵的最小奇异值的比率来限定。在此，检测变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选为8至15。附加地或替代地，致动变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。还可以由此在相同程度上实现根据本发明的光学布置的上下文中上述的变型和优点，所以在这方面参考以上说明。

此外，本发明涉及光学成像方法，特别是用于微光刻和/或晶片检查的光学成像方法，其中，通过具有第一光学元件组的照明装置来照明物体，并且通过具有第二光学元件组的投射装置将物体的成像生成在图像装置上。特别是在生成成像时，根据本发明的用于支撑光学元件单元的方法用在照明装置和/或投射装置中。还可以由此在相同程度上实现根据本发明的光学布置的上下文中上述的变型和优点，所以在这方面参考以上说明。

最后，本发明涉及在特别是微光刻的光学成像装置中使用的光学布置的设计方法，该光学布置包括光学元件单元和检测装置和/或致动装置，其中，光学元件单元包括至少一个光学元件。在该方法中，检测装置被配置为在各个情况下以多个——M个自由度来确定检测值，该检测值表示光学元件的元件参考相对于检测装置的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向。在这种情况下，检测装置包括多个——N个检测单元，每个检测单元被配置为输出检测信号，该检测信号表示检测单元相对于向光学元件和相应检测单元分配的次级参考的距离和/或位移。光学元件单元和检测装置限定检测变换矩阵，该检测变换矩阵表示N个检测信号到M个检测值的变换。附加地或替代地，致动装置被配置成在各个情况下以多个——R个自由度来设置情况值，该情况值表示光学元件的元件参考相对于致动装置的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向。在这种情况下，致动装置包括多个——S个致动单元，每个致动单元被配置为生成在致动单元相对于光学元件单元的接口处的致动状态。光学元件单元和致动装置限定致动变换矩阵，致动变换矩阵表示S个致动状态到R个情况值的变换。在此，变换矩阵的条件数由变换矩阵的最大奇异值与变换矩阵的最小奇异值的比率来限定。检测装置和/或光学元件单元被配置为使得检测变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15，其中优选地，在第一配置步骤中配置检测装置和光学元件单元并且在随后的第二配置步骤中取决于第一配置步骤的结果来配置检测装置的支撑结构和/或光学元件单元的支撑结构。附加地或替代地，致动装置和/或光学元件单元被配置为使得致动变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15，其中优选地，在第一配置步骤中配置致动装置和光学元件单元并且在随后的第二配置步骤中取决于第一配置步骤的结果来配置致动装置的支撑结构和/或光学元件单元的支撑结构。还可以由此在相同程度上实现根据本发明的光学布置的上下文中上述的变型和优点，所以在这方面参考以上说明。

从从属权利要求和与附图有关的优选的示例性实施例的以下描述中，本发明的其他方面和示例性实施例是显而易见的。所公开的特征的所有组合，无论它们是否是权利要求的主题，都在本发明的范围内。

附图说明

图1是根据本发明的投射曝光设备的优选实施例的示意图，该投射曝光设备包括根据本发明的光学布置的优选实施例，并且可以实施根据本发明的方法的优选实施例。

图2是根据图1的根据本发明的光学布置的变型的示意性前视图。

图3是根据图2从方向III的图2的光学布置的示意性侧视图。

图4是根据图2从方向IV的图2的光学布置的示意性侧视图。

具体实施方式

下面参考图1至3描述根据本发明的投射曝光设备101的第一优选示例性实施例，其包括根据本发明的光学模块的优选示例性实施例。为了简化以下说明，在附图中指示x、y、z坐标系，其中z方向对应于重力的方向。不用说，在其他配置中可以选择x、y、z坐标系的任何所需的其他取向。

图1是投射曝光设备101的高度示意性未按比例的示意图，该投射曝光设备101可以用在用于制造半导体部件的微光刻过程中。投射曝光设备101包括照明装置102和投射装置103。投射装置103设计为在曝光过程中将在掩模单元104中布置的掩模104.1的结构的图像转印到在基板单元105中布置的基板105.1上。为此，照明装置102(通过光束引导装置，其未被更详细地示出)照明掩模104.1。光学投射装置103从掩模104.1接收光，且将掩模104.1的掩模结构的图像投射到诸如晶片等的基板105.1上。

照明装置102包括光学元件组106，其具有光学模块106.1。投射装置103包括光学元件组107，该光学元件组107具有根据本发明的形式为光学模块107.1的光学布置。光学元件组106、107的光学模块106.1、107.1沿着投射曝光设备101的折叠光束路径101.1布置。光学元件组106、107中的每一个可以包括大量光学模块106.1、107.1。

在本示例性实施例中，投射曝光设备101用在EUV范围中的光(极UV范围)操作，该光的波长在5nm与20nm之间，特别是波长约为13nm。因此，照明装置102和投射装置103的光学模块106.1、107.1排他地是本示例的反射光学元件。在本发明的其他配置中，当然还可以(特别是取决于照明光的波长)单独地或以任何期望的组合来使用任何类型的光学元件(折射、反射、衍射)。特别地，一个或多个(如果合适的话甚至所有)光学模块的照明装置102和/或投射装置103可以包括根据本发明的类似于模块107.1的布置。在本发明的其他变型中，成像装置101(关于部件及其布置具有对应的适配)可以例如用于检查目的，例如用于晶片检查。

图2示出了根据本发明的光学模块107.1的示例性实施例的细节。从图2可以看出，光学模块107.1包括投射装置103的支撑结构109和光学元件单元108。光学元件单元108包括具有光学表面108.2的光学元件108.1，该光学表面在操作期间被至少部分地光学使用。

光学元件108.1通过形式为致动器装置110的致动装置连接到支撑结构109。在这种情况下，致动装置110以静态确定方式将光学元件108.1支撑在支撑结构109上。为了能够在成像装置101的操作期间主动地调整具有光学元件108.1的光学元件单元108，在本示例中的致动装置110被配置为在控制装置111的控制下在空间中以所有六个自由度DOF分别设置或调整光学元件单元108以及因此光学元件108.1的位置和/或取向。不用说，在其他变型中，致动装置110也可以在空间中以小于六个自由度DOF来移动光学元件108.1。特别地，致动运动可以被限制为仅两个致动的自由度DOF。

在特定的变型中，重力补偿装置(未示出)可以被提供为——如果合适的话——在运动学上平行于致动器装置110，所述重力补偿装置至少实质上承担作用在光学元件单元108上的重力，使得在操作期间致动器装置110仅需在光学元件单元108处施加用于致动运动的加速力。

光学模块107.1还包括检测装置112，该检测装置112被配置为在各个情况下在多个——M个自由度DOF中确定检测值EW_i(i＝1...M)，该检测值表示所述光学元件108.1的元件参考ER相对于检测装置112的主要参考PRE在相应自由度DOF中的相对位置或取向。

为此，检测装置112包括多个——N个检测单元112.1，其由成像装置101的支撑结构113(通常是所谓的计量框架)来支撑。检测单元112.1中的每一个被配置为向控制装置111输出检测信号ES_j(j＝1...N)(为清楚起见，图2中仅针对检测单元112.1中的一个示出)。然后，在成像装置101的操作期间，由控制装置111使用检测值EW_i，以根据所实行的成像方法的规定来驱动致动装置110，以便最小化成像装置101的一个或多个成像误差。因此，由此实现了包括致动装置110、控制装置111和检测装置112的控制环路RK。

在这种情况下，相应检测信号ES_j(j＝1...N)表示检测单元112.1相对于向光学元件108.1和相应检测单元111.2分配的次级参考112.2的距离和/或位移。

对于检测单元112.1，原理上可以使用任何合适的作用原理，通过该作用原理可以以足够的精度来实现期望的检测信号ES_j或期望的检测值EW_i。分配的对应的次级参考111.2同样适用这些。在本示例中，所有检测单元112.1各自包括干涉仪，因为由此可以以特别简单的方式来实行高精度的测量。因此，所有次级参考112.2包括连接到光学元件单元108的反射元件(例如，干涉仪反射镜)。

不用说，然而，在其他变型中，可以使用能够进行足够精确测量的任何其他测量原理。作为示例，单独或所有检测单元112.1还可以包括编码器，其中，次级参考112.2则优选地包括(一维或二维)反射光栅。

在这种情况下，光学元件单元108和检测装置112限定表示N个检测信号ES_j到M个检测值EW_i的变换的检测变换矩阵ETM。因此，以下关系适用于检测值EW_i的向量

和检测信号ES_j的向量/>

在本示例中，检测装置112和光学元件单元108被配置为(如下文更详细描述的)，使得检测变换矩阵ETM的条件数CN_ETM具有CN_ETM＝11的值，所述条件数根据上述等式(1)和(2)来确定。在其他变型中，可以规定，检测变换矩阵ETM的条件数CN_ETM为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。

在此，检测变换矩阵ETM的条件数CN_ETM是在输入值(即检测信号ES_j)与输出值(即检测值EW_i)之间的变换系统的条件化的量度。所述变换系统全被调节越好，则变换矩阵TM的奇异点之间的偏差越小。因此，适用的是，控制系统的条件化越好，因此例如控制环路的噪声增益变得越低，而条件数CN越小。典型地，因此要争取的条件数的值为CN＝1。

然而，本发明认识到，由于条件数CN_ETM有意或有目标的偏离典型地为控制系统所争取的具有值CN＝1的条件数，在成像装置101中应用的情况下，可以实现具有提高的成像质量的改进的系统。这基本上归因于以下事实：具有如上所限定的条件数CN_ETM的光学模块107.1可以显著变得更加紧凑，并且因此具有改进的动态性质，这会影响控制的质量或成像误差的可实现最小化。

除此之外，在本示例中，致动装置110被配置为在各个情况下在多个——R个自由度DOF中设置情况值LW_p(p＝1...R)，该情况值表示所述光学元件108.1的元件参考ER相对于致动装置110的主要参考PRS在相应自由度中的相对位置或取向。为此，致动装置110包括多个——S个致动单元110.1，每个S致动单元110.1被配置为在控制装置111的控制下生成在致动单元110.1相对于光学元件单元108的接口110.2处的致动状态AS_q(q＝1...S)(如图2中为清楚起见仅针对致动单元110.1中的一个示出的)。

光学元件单元108和致动装置110继而限定了致动变换矩阵STM，该致动变换矩阵表示从S个致动状态AS_q到R个情况值LW_p的变换。因此，以下关系适用于情况值LW_p的向量

和致动状态AS_q的向量/>

致动装置110和光学元件单元108在本例中被配置为(如下文更详细描述的)，使得致动变换矩阵STM的条件数CN_STM具有CN_STM＝15的值，所述条件数根据上述等式(1)和(2)来确定。然而，在其他变型中，还可以规定条件数CN_STM为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。

本发明已经认识到，同样由于条件数CN_STM与典型地为控制系统所争取的具有值CN＝1的条件数的有意或有目标的偏离，在成像装置101中应用的情况下，可以实现具有提高的成像质量的改进的系统。这基本上归因于以下事实：即，也具有上述条件数CN_STM中的一个的光学模块107.1可以显著变得更加紧凑并且因此具有改进的动态性质，这会影响控制的质量或成像误差的可实现最小化。以上关于检测装置112的条件数的说明类似地也可应用于致动装置110。

对于致动单元110.1，原理上也可以应用满足在成像装置101中施加的精度要求的任何合适的作用原理。如果至少一个致动单元110.1，特别是(在本示例中)每个致动单元110.1包括至少一个致动器，则可以获得特别简单的配置。在本示例中，这是力致动器。然而，还可以在一个或多个致动单元110.1中使用任何其他致动器，特别是位移致动器。

在此应该再次提及，原理上，可以对应地配置或适配检测装置112或致动装置110和光学元件单元108两者，以便分别实现期望的条件数CN_ETM或CN_STM。在这种情况下，最终仅光学元件108.1的光学边界条件是不变的，该光学边界条件由在成像装置101中的使用来限定。特别地，可以在光学表面108.2的对应光学使用的区域之外修改或对应地适配光学元件单元108的部件。

在本示例中，在光学模块107.1的设计期间，首先，第一步骤涉及配置光学元件单元108和检测装置112和/或致动装置110，以便在各个情况下实现期望的条件数CN_ETM、相应地CN_STM。只有那时，用由第一步骤产生的边界条件在第二步骤中分别制定光学成像装置101的对应的支撑结构109和113以及(如果适当的话)其他邻近部件(例如，冷却装置等)。从而可以以相对简单的方式获得关于成像误差优化的成像装置101。

如上面已经解释的，不用说，在其他变型中，如果合适的话，也可以仅光学元件单元108或检测装置112或致动装置110单独被适配以便分别地获得期望的条件数CN_ETM或CN_STM、或对应的检测变换矩阵ETM或致动变换矩阵STM。然而，优选地，如本示例中那样，利用了相应配对(包括光学元件单元108和检测装置112或包括光学元件单元108和致动装置110)的所有设置可能性。如果所有这些部件108、110和112被共同地适配，则是特别有利的。

如已经提到的，原理上可以在相应变换矩阵ETM或STM中考虑如预期的许多自由度(多达空间中的所有六个自由度)。优选地，在相应光学模块107.1的相应变换矩阵ETM或STM中所考虑的自由度DOF被限制为那些自由度DOF，其与光学模块107.1处的运动相关联地对成像装置101的成像质量具有显著影响。因此，它们因此可以优选地被限制为以下那些自由度DOF，其中检测装置112的检测期间的误差和/或在通过致动装置110的设置期间的误差构成成像装置101的总误差预算的可察觉的比例。

在本示例中，在空间中所有六个自由度中在各个情况下实现检测和设置。因此，多个自由度DOF首先在通过检测装置112进行检测时M＝6并且在通过致动装置110进行设置时R＝6。在这种情况下，使用多个N＝6个检测单元112.1和相关联的次级参考112.2。同样地，使用多个S＝6个致动单元，这些致动单元布置为在本示例中形式为六足件的平行运动学。

然而，如已经提到的，在其他变型中，还可以规定，用于检测的多个——M个自由度DOF的值为2至6，优选地为4至6，更优选地为6。同样地，多个——N个检测单元112.1的值可以为2至6，优选地可以为4至6，更优选地为6。原理上，可以提供不同数量的M个相关自由度DOF和N个检测单元112.1。但是，如在本示例中，如果N至少等于M，则会出现具有相对简单分配的特别有利的配置。此外，如上所述，还可以适用以下：N＞M。

同样地，用于设置的多个——R个自由度DOF的值可以为2至6，优选地可以为4至6，更优选地为6。此处，多个——S个致动单元110.1的值也为2至6，优选地可以为4至6，更优选地为6。在此，原理上也可以提供不同数目的R个相关自由度DOF和S个致动单元110.1。然而，如本示例中，如果S至少等于R，则再次出现具有相对简单的分配的特别有利的配置。

在特别有利的变型中实现了在成像误差方面有关的自由度DOF上的集中，如上所述。在这种情况下，光学成像装置101在操作期间具有预定义的最大允许成像误差IE_max.此外，成像装置101被配置为使用M个检测值EW_i(分配给M个自由度DOF)，以通过控制装置111来控制成像装置101，其中M个检测值EW_i中的至少一个的检测值误差FEW_i然后对最大允许成像误差IE_max做出贡献BEW_i。

在这种情况下，至少一个检测值EW_i的检测值误差FEW_i对最大允许成像误差IE_max做出贡献BEW_i，该贡献为最大允许成像误差IE_max的至少0.05％至1.0％，优选地为最大允许成像误差IE_max的至少0.1％至0.8％，更优选地为最大允许成像误差IE_max的至少0.1％至0.4％。可以忽略对最大允许成像误差IE_max的预期贡献BEW_i低于该阈值的自由度DOF或检测值EW_i，因此可能无法找到检测变换矩阵ETM。因此，在条件数CN_ETM的适配中可以将对误差不敏感的自由度DOF或检测值EW_i排除考虑或不进行考虑。

此外，在具体变型中，可以提供的是，M个检测值EW_i的检测值误差FEW_i的和SFEW_j对最大允许成像误差IE_max做出贡献SBEW_i，该贡献为最大允许成像误差IE_max的至少0.5％至10％，优选地为最大允许成像误差IE_max的至少1％至8％，更优选地为最大允许成像误差IE_max的至少1％至4％。这确保了在任何情况下都考虑自由度DOF，该自由度DOF对总成像误差IE_max的贡献不可忽略.

在特定的变型中，对于致动装置110也可以采用相同的过程。在这些情况下，成像装置101被配置为在由控制装置111对成像装置101的控制期间设置R情况值LW_p(分配给R个自由度)。然后，R个情况值LW_P中的至少一个的情况值误差FLW_P对最大允许成像误差IE_max做出贡献BLW_P，其中至少一个情况值LW_p的情况值误差FLW_p对最大允许成像误差IE_max做出贡献BLW_p，该贡献为最大允许成像误差IE_max的0.05％至1.0％，优选地为最大容许成像误差IE_max的至少0.1％至0.8％，更优选地为最大允许成像误差IE_max的0.1％到0.4％。通过这种方式，也可以忽略对最大允许成像误差IE_max的预期贡献BLW_p低于该阈值的自由度DOF或情况值LW_p，因此可能无法找到致动变换矩阵STM。因此，在条件数CN的适配中可以将对误差不敏感的自由度DOF或情况值LWp排除考虑或不进行考虑。

此外，在具体的变型中可以再次提供的是，R个情况值LW_p的情况值误差FLW_p的和SFLW_p对最大允许成像误差IE_max做出贡献SBLW_P，该贡献为最大允许成像误差IE_max的至少0.5％至10％，优选地为最大允许成像误差IE_max的至少1％至8％，更优选地为最大允许成像误差IE_max的至少1％至4％。这再次确保了在任何情况下都应考虑其对总成像误差IE_max的贡献BLW_p不可忽略的自由度DOF。

不用说，原理上，可以排他地考虑要被考虑的所有检测单元112.1和/或致动单元110.1的变换矩阵ETM或STM以及分配的自由度DOF。在本示例中，除此以外，还考虑了一对或多对检测单元112.1和/或致动单元110.1的变换矩阵。例如，如果所述对涉及特别灵敏的自由度DOF，也就是说，其中误差构成成像装置101的特别高比例的成像误差的自由度DOF，则这可以是特别有利的。

那么，在这样的变型中，优选地，N个检测单元112.1中的至少两个形成检测单元对112.3，其中检测单元对112.3的每个检测单元112.1及其分配的次级参考112.2限定检测方向EDIR，该方向在图2至4中在各个情况下由干涉仪112.1的束的虚线112.4来指示。在本示例中，在各个情况下，两个相邻检测单元112.1形成检测单元对112.4，因此形成总共三个检测单元对112.4。

在本示例中，检测单元对112.3的两个检测单元112.1的检测方向EDIR实质上位于公共检测单元对平面EEPE中。在该情况下，检测单元对112.3被配置为在各个情况下在检测单元对平面EEPE中以至少两个检测对自由度EPDOF(在本示例中三个检测对自由度EPDOF)来确定检测对检测值EPEW_i(i＝1...3)，该检测对检测值表示光学元件108.1的检测对元件参考EPER(所述检测对元件参考被分配给检测单元对)相主要参考PRE在相应检测对自由度EPDOF中的相对位置或取向。

然后，光学元件单元108和检测单元对112.3限定检测对变换矩阵EPETM，该检测对变换矩阵表示检测单元对112.3的检测信号EPES_j到检测对检测值EPEW_i的变换。因此，以下关系适用于检测值EPEW_i的向量

和检测信号EPES_j的向量/>

在本示例中，检测装置112和光学元件单元108被配置为使得检测对变换矩阵EPETM的条件数CN_EPETM具有CN_EPETM＝10的值，所述条件数根据以上等式(1)和等式(2)来确定。在其他变型中，可以提供的是，检测对变换矩阵EPETM的条件数CN_EPETM为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。因此，通过该方式，因此可以对单个检测单元对112.3或多个这样的检测单元对112.3实现有利的条件化。

在本示例中，检测对自由度EPDOF自然地是检测单元对平面EEPE中的两个平移自由度和旋转自由度。然而，不用说，在其他变型中，也可能仅考虑对成像误差有显著影响的两个检测对自由度EPDOF。

在这些变型中，元件参考ER原理上可以相对于检测单元对112.3，特别是检测单元对平面EEPE布置在任何合适的位置中。原理上，如果光学元件108.1的元件参考ER至少实质上布置在检测单元对平面EEPE中，则是特别有利的。附加地或替代地，光学元件108.1的元件参考ER可以至少实质上与光学元件108.1的检测对元件参考EPER重合。如果情况如此，则检测对变换矩阵EPETM的条件化通常特别重要。然而，在本示例中，检测单元对112.3的两个次级参考112.2中的一个构成检测对元件参考EPER，因为由此可以获得特别简单的配置。

在本示例中，通过在检测单元对112.3的检测方向EDIR之间的检测方向角ERW_i(i＝1...3)小于120°、优选地为60°至110°、更优选地为75°至95°，实现系统的特别有利的条件化。在这种情况下，这导致了光学模块107.1的噪声增益与动态优势(其是由于偏离理想条件数(CN＝1)而出现的)之间的特别有利的比率，在背景技术中提及了所述优势。后者则更多地补偿了由与条件化的理想值的有目标的偏离而产生的缺点。

在具有三个检测单元对112.3的本变型中，附加地提供的是，相应检测单元对112.3的检测方向EDIR之间的检测方向角ERW_i彼此偏离小于10°至40°，优选地小于5°至25°，更优选地小于2°至15°。

在这种情况下，由于所有检测单元对112.3的检测单元112.1的两个次级参考112.2彼此相邻地布置，因此可以实现特别有利的结果。在这种情况下，特别有利的是，检测单元112.1的次级参考112.2彼此直接相邻地布置。

此外，在本示例中，第一检测单元对和第三检测单元对112.3(参见图2中具有ERW₁和ERW₃的左检测单元对和右检测单元对112.3)的检测单元对平面EEPE相对于彼此倾斜小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。结果，可以实现特别有利的配置，特别是如果两个检测单元对112.3的检测单元112.1(如在当前情况下)以成对方式覆盖相同的自由度DOF。

如以下更详细说明，由此特别地可以获得对支撑结构113的振荡不敏感(或“盲目”)的配置；因此，特别是如果振荡支撑结构113的运动的方向实质上垂直于检测单元对平面EEPE延伸，则由于支撑结构113的振荡而引入到控制系统中的误差可以保持较小。

此外，在本示例中，第一检测单元对和第三检测单元对112.3的检测单元对平面EEPE分别相对于重力方向(z轴)倾斜了倾斜角ENW₁和ENW₃，该倾斜角小于5°到30°，优选地小于3°到15°，更优选地小于1°到10°。这导致关于沿重力方向(z轴)的自由度DOF上的误差的特别有利的条件化。此外，倾斜角ENW₁和ENW₃彼此相差小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。关于光学模块107.1的良好条件化以及因此整个成像装置101的良好条件化，这也是特别有利的。特别地，这适用于特别是在上述支撑结构的振荡的情况下，在垂直于重力方向的自由度中(例如，沿x轴平移以及围绕图2的y轴倾斜或旋转)的误差。

检测装置112的上述尽可能对称的配置特别有利于用控制装置111可实现的控制的质量。如在本示例中，如果相对于光学元件108.1的对称平面(在本示例中为yz平面)选择对称，则这是特别有利的。

在与致动装置110相关联的本示例中，也实现了上述对形成的优点。因此，在本示例中，S致动单元110.1中的至少两个，更精确地说是S个致动单元110.1中的每两个，形成致动单元对110.3，因此总体上再次形成三个致动单元对110.3。致动单元对110.3中的致动单元110.1中的每一个限定了与相应致动单元110.1的纵轴110.4对应的致动方向SDIR。在本示例中，致动单元对110.3的两个致动单元110.1的致动方向SDIR至少实质上位于共同的致动单元对平面SEPE中。

此外，相应致动单元对110.3被配置为在各个情况下在致动单元对平面SEPE中以至少两个，在当前情况下的三个致动对自由度SPDOF来设置对情况值SPLW_p(p＝1...3)，该对情况值表示光学元件108.1的致动对元件参考SPER(所述致动对元件参考被分配给致动单元对110.3)相对于主参考PRS在相应致动对自由度SPDOF中的相对位置或方向。

光学元件单元108和致动单元对110.3然后限定致动对变换矩阵SPSTM，该致动对变换矩阵表示致动单元对110.3的致动状态SPAS_q到对情况值SPLW_p的变换。因此，以下关系适用于情况值SPLW_p的向量

和致动状态SPAS_q的向量/>

所述致动单元对110.3和/或所述光学元件单元108再次被配置为使得致动对变换矩阵SPSTM的条件数CN_sPSTM具有CN_sPSTM＝8的值，所述条件数根据以上等式(1)和等式(2)来确定。然而，在其他变型中，还可以提供的是，致动对变换矩阵SPSTM的条件数CN_sPSTM为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。

在此，自然地提供的是，致动对自由度SPDOF中的两个是致动单元对平面SEPE中的平移自由度，而第三致动对自由度是致动单元对平面SEPE中的旋转自由度。然而，在此，在其他变型中，当然还可以仅考虑所述自由度中的两个。

在本示例中，相应致动单元对110.3的致动方向SDIR之间的致动方向角SDIRW_i(i＝1...3)小于120°，优选地为60°至110°，更优选地为75°至95°。关于控制系统的尽可能有利的噪声行为，这也是有利的。关于元件参考SPER的位置，也可应用以上说明。特别地，优选地提供的是，光学元件108.1的元件参考ER至少实质上布置在致动单元对平面SEPE中。附加地或替代地，光学元件108.1的元件参考ER可以至少实质上与光学元件108.1的致动对元件参考SPER重合。然而，在本示例中，致动元件对110.3的两个接口装置110.2中的一个构成致动对元件参考SPER，因为由此可以获得特别简单的配置。

此外，在相应致动单元对110.3的致动方向之间的致动方向角SDIRW_i彼此偏离小于10°至40°，优选地小于5°至25°，更优选地小于2°至15°。此外，所有致动单元对110.3中的致动单元110.1的两个接口装置110.2彼此相邻布置。在此，同样再次有利的是，相关的接口单元110.2彼此直接相邻地布置。

此外，在本示例中，第一致动单元对和第三致动单元对110.3(参见图2中具有SDIRW₁和SDIRW₃的左检测单元对和右检测单元对112.3)的致动单元对平面有利地相对于彼此倾斜小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。此外，两个致动单元对的致动单元对平面相对于重力方向分别倾斜了倾斜角SNW₁和SNW₃，该倾斜角小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。同样，倾斜角SNW₁和SNW₃彼此相差小于5°至30°，优选地小于3°至15°，更优选地小于1°至10°。通过所有这些变型，在致动装置110的情况下也可以实现上述关于检测单元对110.3的对应优点。

原理上，检测装置112的检测单元112.1可以通过一个或多个分离的支撑结构113以任何适当方式支撑。在这种情况下，该支撑优选地实现为使得考虑支撑结构113的本征频率和得到的本征形式。因此，在本示例中，支撑结构113形成检测装置支撑结构，其在振荡激励下具有至少一个本征频率EEFREQ、至少一种本征形式EEFORM，该至少一个本征形式EEFORM被分配给本征频率且特别具有至少一个振荡节点EVN。

在本示例中，检测单元112.1中的至少一个布置在至少一个振荡节点EVN附近，使得检测单元112.1在至少一个振荡自由度VDOF中，特别是在多达所有六个振荡自由度的多个振荡自由度中的位置和/或取向的最大变化在至少一个本征频率EEFREQ处生成检测单元相对于静止状态的检测值EW_i的变化，该检测值的变化小于检测单元112.1的检测值EW_i的5％至10％，优选地小于2％至6％，更优选地小于1％至4％。因此，由此可以实现的是，由于支撑结构113的振荡而引入到控制系统中的误差可以保持较小。

此外，至少一个检测单元112.1在至少一个本征频率EEFREQ处具有在至少一个振荡自由度VDOF中位置和/或取向的最大变化，其中相关的检测单元112.1然后被布置为使得在位置和/或取向的最大变化的情况下检测方向EDIR相对于垂直于振荡自由度VDOF的平面倾斜了(由图2中的双向箭头指示)至多5°至30°，优选地至多3°至15°，更优选地至多1°至10°。因此，可以有利地实现的是，检测单元112.1或由检测单元112.1供应的检测信号ES_j对支撑结构113的振荡不灵敏(或“盲目”)；因此，在此，由于支撑结构113的振荡而引入到控制系统中的误差也可以保持较小。

原理上，可以以任何期望的方式来制定支撑结构113。特别地，可以涉及封闭的框架或环形结构。在本示例中，借助于包括用于支撑检测单元112.1的实质U形结构的支撑结构113，实现特别紧凑的配置，其良好地适配于成像装置101中的束路径101.1(也就是说，它不阻挡成像装置101的束路径101.1)。与这些开口结构相关联，上述变型是特别有利的，因为这些开口结构通常具有相对显著的特征形式EFORM。如果N个检测单元中的至少一个布置在U形结构的自由端的区域中，则上述优点特别良好地体现，像是在本示例中针对图3中的左检测单元112.1以及针对图4中的右检测单元112.1的情况。

原理上，也可以以相同的方式对于致动装置110实现关于检测装置112的支撑所概述的优点和变型。在本示例中，支撑结构109形成致动装置支撑结构，该致动装置支撑结构在振荡激励下具有至少一个本征频率SEFREQ、至少一个本征形式SEFORM，该至少一个本征形式SEFORM被分配给本征频率SEFREQ且特别是具有至少一个振荡节点SVN。

以类似于以上说明的方式，在此，至少一个致动单元110.1可以布置为在至少一个振荡节点附近，使得至少一个致动单元110.1在至少一个振荡自由度VDOF中，特别是在多个振荡自由度VDOF至多达所有六个振荡自由度VDOF中的位置和/或取向的最大变化在至少一个本征频率SEFREQ处生成致动单元110.1相对于静止状态的致动状态AS_q的变化，该变化小于致动单元110.1的致动状态AS_q的5％至10％，优选地小于2％至6％，更优选地小于1％至4％。通过该方式，也可以实现的是，由于所述支撑结构109的振荡而引入到控制系统中的误差可以保持较小。

此外，至少一个致动单元110.1在至少一个本征频率SEFEQ处可以具有在至少一个振荡自由度VDOF中位置和/或取向的最大变化，并且至少一个致动单元可以布置为使得在位置和/或取向的最大变化的情况下致动方向SDIF相对于与振荡自由度VDOF垂直的平面倾斜至多5°至30°，优选地至多3°至15°，更优选地至多1°至10°。因此，可以有利地实现的是，致动单元110.1或由其产生的致动状态AS_q对支撑结构109的振荡不灵敏(或“盲目”)；因此，在此，由于支撑结构109的振荡而引入到控制系统中的误差也可以保持较小。

在此，在节省空间的变型中展示极少障碍物的情况下，也可以提供的是，如在本实施例中，支撑结构109包括用于支撑致动单元110.1的实质U形结构109。如果致动单元中的一个布置在U形结构的自由端的区域中，则上述优点特别良好地体现，像是在本示例中针对图3中的左致动单元110.1以及针对图4中的右致动单元110.1的情况。

原理上，光学元件108.1的任何合适的点或部分都适合用于光学元件108.1的元件参考ER。如果光学元件的元件参考ER是光学元件108.1的光学表面108.2的区域中心，则出现特别有利的配置。替代地，光学元件108.1的元件参考ER可以是光学元件108.1的质量中心。同样，光学元件108.1的元件参考ER可以是光学元件108.1的体积中心。

在本示例中，光学元件108.1的元件参考ER是成像装置101的使用的光束的中央射线的入射点，所述使用的光束由光束路径101.1来指示。

不用说，通过成像装置101的本示例，可以实行根据本发明的用于支撑光学元件108的上述方法以及上述成像方法。

上面基于根据微光刻领域的示例已经描述了本发明。然而，不用说，本发明也可以与任何其他期望的光学应用，特别是以其他波长的成像方法结合使用。

此外，本发明可以与物体的检查(诸如所谓的掩模检查)结合使用，其中用于微光刻的掩模对其完整性等进行检查。图1中，例如传感器单元(其检测掩模104.1的投射图案的成像(以供进一步处理))则替换基板105.1。然后，该掩模检查可以实质上发生在与随后的微光刻过程中所使用的波长相同的波长处。然而，同样还可以使用与其偏差的任何期望波长以供检查。

最终，已经基于特定示例性实施例描述了本发明，该示例性实施例示出所附专利权利要求中限定的特征的特定组合。在此时应该明确指出的是，本发明的主题不限于这些特征组合，而是诸如从以下专利权利要求中显而易见的所有其他特征组合也属于本发明的主题。

Claims

1.一种在微光刻的光学成像装置中使用的光学布置，包括

-光学元件单元，和

-检测装置(112)和/或致动装置(110)，

其中，

-所述光学元件单元(108)包括至少一个光学元件(108.1)，

其中，

-所述检测装置(112)被配置为在各个情况下以多个——M个自由度来确定检测值，所述检测值表示所述光学元件(108.1)的元件参考相对于所述检测装置(112)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中，

-所述检测装置(112)包括多个——N个检测单元(112.1)，每个检测单元被配置为输出检测信号，所述检测信号表示所述检测单元(112.1)相对于向所述光学元件(108.1)和相应检测单元(112.1)分配的次级参考(112.2)的距离和/或位移，以及

-所述光学元件单元(108)和所述检测装置(112)限定检测变换矩阵，所述检测变换矩阵表示所述N个检测信号到所述M个检测值的变换，

和/或

-所述致动装置(110)被配置成在各个情况下以多个——R个自由度来设置情况值，所述情况值表示所述光学元件的元件参考相对于所述致动装置(110)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中，

-所述致动装置(110)包括多个——S个致动单元(110.1)，每个致动单元(110.1)被配置为生成在所述致动单元(110.1)相对于所述光学元件单元(108)的接口处的致动状态，以及

-所述光学元件单元(108)和所述致动装置(110)限定致动变换矩阵，所述致动变换矩阵表示所述S个致动状态到所述R个情况值的变换，

其中，

-变换矩阵的条件数被由所述变换矩阵的最大奇异值与所述变换矩阵的最小奇异值的比率来限定，

其特征在于，

-所述检测装置(112)和/或所述光学元件单元(108)被配置为使得所述检测变换矩阵的条件数为5至30，

和/或

-所述致动装置(110)和/或所述光学元件单元(108)被配置为使得所述致动变换矩阵的条件数为5至30。

2.根据权利要求1所述的光学布置，其中，

-所述M的值为2至6，

和/或

-所述N的值为2至6，

和/或

-所述N至少等于所述M，

和/或

-所述R的值为2至6，

和/或

-所述S的值为2至6，

和/或

-所述S至少等于所述R。

3.根据权利要求1或2所述的光学布置，其中，

-所述光学成像装置在操作期间具有可预定义的最大允许成像误差，

其中，

-所述成像装置被配置为使用所述M个检测值来控制所述成像装置，并且所述M个检测值中的至少一个的检测值误差对所述最大允许成像误差做出贡献，其中，

-所述至少一个检测值的检测值误差对所述最大允许成像误差做出的贡献是所述最大允许成像误差的至少0.1％，

和/或

-所述M个检测值的检测值误差的和对所述最大允许成像误差做出的贡献是所述最大允许成像误差的至少1％，

和/或

-所述成像装置被配置为在所述成像装置的控制期间设置所述R个情况值，并且所述R个情况值中的至少一个的情况值误差对所述最大允许成像误差做出贡献，其中，

-所述至少一个情况值的情况值误差对所述最大允许成像误差做出的贡献是所述最大允许成像误差的至少0.1％，

和/或

-所述R个情况值的情况值误差的和对所述最大允许成像误差做出的贡献是所述最大允许成像误差的至少1％。

4.根据权利要求1或2所述的光学布置，其中，

-所述N个检测单元(112.1)中的至少两个形成检测单元对(112.3)，

-所述检测单元对的检测单元(112.1)中的每一个及其分配的次级参考限定检测方向，

-所述检测单元对的两个检测单元(112.1)的检测方向至少实质上位于共同检测单元对平面中；

-所述检测单元对(112.3)被配置为在各个情况下在所述检测单元对平面中以至少两个检测对自由度来确定检测对检测值，所述检测对检测值表示所述光学元件的分配给所述检测单元对(112.3)的检测对元件参考相对于所述主要参考在相应检测对自由度中的相对位置或取向，

-所述光学元件单元(108)和所述检测单元对(112.3)限定检测对变换矩阵，所述检测对变换矩阵表示所述检测单元对(112.3)的检测信号到检测对检测值的变换，以及

-所述检测单元对(112.3)和/或所述光学元件单元(108)被配置为使得所述检测对变换矩阵的条件数为5至30。

5.根据权利要求4所述的光学布置，其中，

-所述检测对自由度中的至少一个是平移自由度，并且所述检测对自由度中的一个是旋转自由度，

和/或

-所述光学元件的元件参考至少实质上布置在所述检测单元对平面中，

和/或

-所述光学元件的元件参考至少实质上与所述光学元件的检测对元件参考重合，

和/或

-所述检测单元对(112.3)的检测方向之间的检测方向角小于120°，

和/或

-提供多个检测单元对，并且在相应检测单元对(112.3)的检测方向之间的检测方向角彼此之间偏离小于40°，其中，所述检测单元对中的至少一个的检测单元(112.1)的两个次级参考布置为彼此相邻，

和/或

-提供多个检测单元对，并且两个检测单元对的检测单元对平面相对于彼此倾斜小于30°，

和/或

-提供多个检测单元对，其中，两个检测单元对的检测单元对平面相对于重力方向倾斜的倾斜角小于30°，

和/或

-提供多个检测单元对，其中，两个检测单元对的检测单元对平面相对于所述重力方向倾斜了一倾斜角，并且所述倾斜角彼此相差小于30°。

6.根据权利要求1或2所述的光学布置，其中，

-所述S个致动单元(110.1)中的至少两个形成致动单元对(110.3)，

-所述致动单元对(110.3)的致动单元(110.1)中的每一个限定致动方向，

-所述致动单元对(110.3)的两个致动单元(110.1)的致动方向至少实质上位于共同致动单元对平面中，

-所述致动单元对(110.3)被配置为在各个情况下在所述致动单元对平面中以至少两个致动对自由度来设置对情况值，所述对情况值表示所述光学元件的分配给所述致动单元对(110.3)的致动对元件参考相对于所述主要参考在相应致动对自由度中的相对位置或取向，

-所述光学元件单元(108)和所述致动单元对(110.3)限定致动对变换矩阵，所述致动对变换矩阵表示所述致动单元对(110.3)的致动状态到所述对情况值的变换，以及

-所述致动单元对(110.3)和/或所述光学元件单元(108)被配置为使得所述致动对变换矩阵的条件数为5至30。

7.根据权利要求6所述的光学布置，其中，

-所述致动对自由度中的至少一个是平移自由度，并且所述致动对自由度中的一个是旋转自由度，

和/或

-所述光学元件的元件参考至少实质上布置在所述致动单元对平面中，

和/或

-所述光学元件的元件参考至少实质上与所述光学元件的致动对元件参考重合，

和/或

-所述致动单元对(110.3)的致动方向之间的致动方向角小于120°，

和/或

-提供多个致动单元对，并且在相应致动单元对(110.3)的致动方向之间的致动方向角彼此之间偏离小于40°，其中，所述致动单元对中的至少一个的致动单元(110.1)的两个接口装置布置为彼此相邻，

和/或

-提供多个致动单元对，并且两个致动单元对的致动单元对平面相对于彼此倾斜小于30°，

和/或

-提供多个致动单元对，其中，两个致动单元对的致动单元对平面相对于重力方向倾斜的倾斜角小于30°，

和/或

-提供多个致动单元对，其中，两个致动单元对的致动单元对平面相对于所述重力方向倾斜了一倾斜角，并且所述倾斜角彼此相差小于30°。

8.根据权利要求1或2所述的光学布置，其中，

-所述N个检测单元(112.1)中的至少一个由所述检测装置(112)的检测装置支撑结构来支撑，并且

-在以至少一个本征频率振荡激励下的检测装置支撑结构具有至少一种本征形式，所述本征形式被分配给所述本征频率并且具有至少一个振荡节点，

其中，

-所述至少一个检测单元(112.1)布置为使得，所述至少一个检测单元(112.1)在至少一个振荡自由度中的位置和/或取向的最大变化以所述至少一个本征频率生成所述检测单元(112.1)相对于静止状态的检测值的变化，所述检测值的变化小于所述检测单元(112.1)的检测值的10％，

和/或

-具有分配的次级参考的所述至少一个检测单元(112.1)限定检测方向，所述至少一个检测单元(112.1)在所述至少一个本征频率处具有在至少一个振荡自由度中位置和/或取向的最大变化，并且所述至少一个检测单元(112.1)布置为使得在所述位置和/或取向的最大变化的情况下所述检测方向相对于与所述振荡自由度垂直的平面倾斜了至多30°，

和/或

-所述检测装置支撑结构包括用于支撑所述N个检测单元(112.1)中的至少一个的实质上U形结构，其中，所述N个检测单元(112.1)中的至少一个布置在所述U形结构的自由端的区域中。

9.根据权利要求1或2所述的光学布置，其中，

-所述S个致动单元(110.1)中的至少一个由所述致动装置(110)的致动装置支撑结构来支撑，并且

-在以至少一个本征频率振荡激励下的所述致动装置支撑结构具有至少一种本征形式，该本征形式被分配给所述本征频率并且具有至少一个振荡节点，

其中，

-所述至少一个致动单元(110.1)布置为使得，所述至少一个致动单元(110.1)在至少一个振荡自由度中的位置和/或取向的最大变化在所述至少一个本征频率处生成所述致动单元(110.1)相对于静止状态的致动状态的变化，所述致动状态的变化小于所述致动单元(110.1)的致动状态的10％，

和/或

-所述至少一个致动单元(110.1)限定致动方向，所述至少一个致动单元(110.1)在所述至少一个本征频率处具有在至少一个振荡自由度中位置和/或取向的最大变化，并且所述至少一个致动单元(110.1)布置为使得在所述位置和/或取向的最大变化的情况下所述致动方向相对于与所述振荡自由度垂直的平面倾斜了至多30°，

和/或

-所述致动装置支撑结构包括用于支撑所述S个致动单元(110.1)中的至少一个的实质上U形结构，其中，所述S个致动单元(110.1)中的至少一个布置在所述U形结构的自由端的区域中。

10.根据权利要求1或2所述的光学布置，其中，

-所述光学元件的元件参考是所述光学元件的光学表面的区域中心，

或者

-所述光学元件的元件参考是所述光学元件的质量中心，

或者

-所述光学元件的元件参考是所述光学元件的体积中心，

或者

-提供所述光学元件(108.1)以用在成像装置中，并且所述光学元件的元件参考是所述成像装置的使用的光束的中心射线的入射点，

和/或

-所述光学元件(108.1)是反射光学元件(108.1)，

和/或

-所述光学元件(108.1)被配置为用于UV光。

11.根据权利要求1或2所述的光学布置，其中，

-至少一个检测单元包括干涉仪，其中，所述次级参考包括反射元件(108.1)，

和/或

-至少一个检测单元包括编码器，其中，所述次级参考包括反射光栅(108.1)，

和/或

至少一个致动单元包括至少一个致动器。

12.一种用于微光刻和/或晶片检查的光学成像装置的光学成像装置，包括：

-具有第一光学元件组(106)的照明装置(102)，

-用于容纳物体(104.1)的物体装置(104)，

-具有第二光学元件组(107)的投射装置(103)，以及

-图像装置(105)，其中，

-所述照明装置(102)被配置为照明所述物体(104.1)，并且

-所述投射装置(103)被配置为将所述物体(104.1)的图像投射到所述图像装置(105)上，

其特征在于，

-所述照明装置(102)和/或所述投射装置(103)包括至少一个

根据权利要求1至11中任一项的光学布置，

其中，

-所述光学布置包括检测装置和致动装置，并且

-提供控制装置，所述控制装置连接到所述检测装置(112)和所述致动装置(110)并且被配置为根据所述检测装置(112)的信号来驱动所述致动装置(110)。

13.在微光刻的光学成像装置中用于支撑具有光学元件(108.1)的光学元件单元(108)的方法，其中，

-具有多个——N个检测单元的检测装置(112)在各个情况下以多个——M个自由度来确定检测值，所述检测值表示所述光学元件的元件参考相对于所述检测装置(112)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中，

-每个检测单元(112.1)输出检测信号，所述检测信号表示所述检测单元(112.1)相对于向所述光学元件(108.1)和相应检测单元(112.1)分配的次级参考的距离和/或位移，以及

和/或

-具有多个——S个致动单元的致动装置(110)在各个情况下以多个——R个自由度来设置情况值，所述情况值表示所述光学元件的元件参考相对于所述致动装置(110)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中，

-每个致动单元(110.1)生成在所述致动单元(110.1)相对于所述光学元件单元(108)的接口处的致动状态，并且

其中，

-变换矩阵的条件数由所述变换矩阵的最大奇异值与所述变换矩阵的最小奇异值的比率来限定，

其特征在于，

-所述检测变换矩阵的条件数为5至30，

和/或

-所述致动变换矩阵的条件数为5至30。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

其中，

-所述成像装置使用所述M个检测值来控制所述成像装置，并且所述M个检测值中的至少一个的检测值误差对所述最大允许成像误差做出贡献，其中，

和/或

-所述成像装置在所述成像装置的控制期间设置所述R个情况值，并且所述R个情况值中的至少一个的情况值误差对所述最大允许成像误差做出贡献，其中，

和/或

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，

-所述N个检测单元(112.1)中的至少两个形成检测单元对(112.3)，

-所述检测单元对(112.3)中的检测单元(112.1)中的每一个及其分配的次级参考限定检测方向，

-所述检测单元对(112.3)的两个检测单元(112.1)的检测方向至少实质上位于共同检测单元对平面中；

-所述检测单元对(112.3)在各个情况下在所述检测单元对平面中以至少两个检测对自由度来确定检测对检测值，所述检测对检测值表示所述光学元件的分配给所述检测单元对(112.3)的检测对元件参考相对于所述主要参考在相应检测对自由度中的相对位置或取向，

-所述光学元件单元(108)和所述检测单元对(112.3)限定检测对变换矩阵，所述检测对变换矩阵表示所述检测单元对(112.3)的检测信号到所述检测对检测值的变换，以及

-所述检测对变换矩阵的条件数为5至30。

16.根据权利要求13或14所述的方法，其中，

-S个致动单元(110.1)中的至少两个形成致动单元对(110.3)，

-所述致动单元对(110.3)的两个致动单元(110.1)的致动方向至少实质上位于共同致动单元对平面中；

-所述致动单元对(110.3)在各个情况下在所述致动单元对平面中以至少两个致动对自由度来设置对情况值，所述对情况值表示所述光学元件的分配给所述致动单元对(110.3)的致动对元件参考相对于所述主要参考在相应致动对自由度中的相对位置或取向，

-所述致动对变换矩阵的条件数为5至30。

17.一种用于微光刻和/或晶片检查的光学成像方法，其中，

-通过具有第一光学元件组(106)的照明装置(102)来照明物体(104.1)，并且

-通过具有第二光学元件组(107)的投射装置(103)在图像装置(105)上生成所述物体(104.1)的成像，

其特征在于，

-在生成所述成像时，在所述照明装置(102)和/或所述投射装置(103)中使用根据权利要求13至16中任一项所述的方法。

18.用于设计在微光刻的光学成像装置中使用的光学布置的方法，所述光学布置包括光学元件单元(108)和检测装置(112)和/或致动装置(110)，其中，所述光学元件单元(108)包括至少一个光学元件(108.1)，其中，

-所述检测装置(112)被配置为在各个情况下以多个——M个自由度来确定检测值，所述检测值表示所述光学元件的元件参考相对于所述检测装置(112)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中，

-所述检测装置(112)包括多个——N个检测单元(112.1)，每个检测单元被配置为输出检测信号，所述检测信号表示所述检测单元(112.1)相对于向所述光学元件(108.1)和相应检测单元(112.1)分配的次级参考的距离和/或位移，以及

和/或

其中

其特征在于，

-所述检测装置(112)和/或所述光学元件单元(108)被配置为使得所述检测变换矩阵的条件数为5至30，其中，在第一配置步骤中配置所述检测装置(112)和所述光学元件单元(108)并且在随后的第二配置步骤中取决于所述第一配置步骤的结果来配置所述检测装置(112)的支撑结构和/或所述光学元件单元(108)的支撑结构，

和/或

-所述致动装置(110)和/或所述光学元件单元(108)被配置为使得所述致动变换矩阵的条件数为5至30，其中，在第一配置步骤中配置所述致动装置(110)和所述光学元件单元(108)并且在随后的第二配置步骤中取决于所述第一配置步骤的结果来配置所述致动装置(110)的支撑结构和/或所述光学元件单元(108)的支撑结构。