CN112768399B - 转移基板及转移装置 - Google Patents
转移基板及转移装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112768399B CN112768399B CN202110031332.6A CN202110031332A CN112768399B CN 112768399 B CN112768399 B CN 112768399B CN 202110031332 A CN202110031332 A CN 202110031332A CN 112768399 B CN112768399 B CN 112768399B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- transfer
- transfer substrate
- adsorption layer
- present application
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种转移基板及转移装置。所述转移基板包括基板；位于所述基板一侧的吸附层；其中，所述吸附层背离所述基板的方向包括阵列分布的多个凸起部，所述凸起部包括依次远离所述基板的第一部分和第二部分，所述第二部分为圆弧形。本申请通过将现有技术中转移基板的吸附层所具有的矩形结构的凸起部设计为圆弧形结构，可以通过改变压力来实现不同凸点的线宽；同时，所述凸起部包括依次远离所述基板的第一部分和第二部分，相邻所述第一部分在所述吸附层上形成凹陷部结构，所述凹陷部为圆弧形，从而避免转移基板在转移过程中所述吸附层存在的顶部塌陷等问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种转移基板及转移装置。
背景技术
Micro-LED即发光二极管(LED：LightEmittingDiode)微缩技术，是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率。MicroLED具备无需背光源、能够自发光的特性，与有机发光二极管(OLED：OrganicLight-EmittingDiode)相似，但相比OLED，MicroLED色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度，且封装要求低，更容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具发展潜力的未来显示器。
目前，Micro-LED技术中转移技术通常会采用高精度控制的打印头，进行弹性印模(Stamp)，利用范德华力让LED黏附在转移头上，然后放置到目标衬底片上去。然而，在转移基板转移过程中，多数stamp采用方形凸点设计，转移过程中通常会遇到凸点扭曲，顶部塌陷等问题，从而容易导致良率较低，影响生产效率。
发明内容
本申请提供了一种转移基板及转移装置，用以解决现有技术中的转移基板转移过程中吸附层出现的凸点扭曲，顶部塌陷等问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种转移基板，包括：
基板；
位于所述基板一侧的吸附层；其中，
所述吸附层背离所述基板的方向包括阵列分布的多个凸起部，所述凸起部包括沿远离所述基板方向依次布置的第一部分和第二部分，所述第二部分为圆弧形表面。
在本申请的转移基板中，每一所述凸起部中，所述第二部分在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影内。
在本申请的转移基板中，每一所述凸起部中，所述第二部分的侧壁与所述第一部分的侧壁圆滑连接。
在本申请的转移基板中，所述转移基板还包括形成于相邻所述凸起部的第一部分之间的凹陷部。
在本申请的转移基板中，所述凹陷部为圆弧形。
在本申请的转移基板中，所述凹陷部包括与所述基板平行的平坦区，所述平坦区与相邻所述凸起部的第一部分圆滑连接。
在本申请的转移基板中，所述凹陷部的宽度为50微米～500微米。
在本申请的转移基板中，所述凹陷部的深度为50微米～200微米。
在本申请的转移基板中，所述凸起部的高度为0～50微米。
本申请还提供一种转移装置，包括如任一上述的转移基板、与所述转移基板配合使用的转移载板；所述转移载板用于承载多个与所述凸起部一一对应的待转移芯片。
本申请的有益效果：本申请通过将现有技术中转移基板的吸附层所具有的矩形结构的凸起部设计为圆弧形结构，可以通过改变压力来实现不同凸点的线宽；同时，所述凸起部包括依次远离所述基板的第一部分和第二部分，相邻所述第一部分在所述吸附层上形成的凹陷部结构，所述凹陷部为圆弧形，且所述凹陷部与所述第二部分的圆弧半径相等，从而避免转移基板在转移过程中所述吸附层存在的顶部塌陷等问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中转移基板的结构示意图；
图2为本申请所提供的转移基板的结构示意图；
图3为本申请实施例所提供的转移基板的第一种结构示意图；
图4为本申请实施例所提供的转移基板的俯视图；
图5为本申请实施例所提供的转移基板的第二种结构示意图；
图6为图5在位置A处的放大结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的
本申请实施例提供一种转移基板及转移装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1，现有技术中转移基板的结构示意图。
现有技术中，所述转移基板包括基板100和吸附层300，所述吸附层300远离所述基板100的一侧设有多个凸起部310，所述凸起部310可以作为所述吸附层300的芯片底座，在Micro-LED技术中转移技术通常会采用高精度控制的芯片底座(打印头)进行弹性印模(Stamp)，利用范德华力让LED黏附在转移头上，然后放置到目标衬底片上去。然而，现有的转移基板中，所述凸起部310通常为矩形结构，即接触面为方形凸点，在转移基板转移过程中，多数芯片底座采用方形凸点设计，转移过程中通常会遇到凸点扭曲，顶部塌陷等问题，从而容易导致良率较低，影响生产效率。基于此，本申请提供了一种转移基板及转移装置，能够解决上述缺陷。
请参阅图2，本申请所提供的转移基板的结构示意图。
本申请提供一种转移基板，所述转移基板包括基板100；位于所述基板100至少一表面的吸附层300。
其中，所述吸附层300背离所述基板100的方向包括阵列分布的多个凸起部310，所述凸起部310包括依次远离所述基板100的第一部分311和第二部分312，所述第二部分312为圆弧形。
本申请通过将现有技术中转移基板的吸附层300所具有的矩形状的凸起部310设计为圆弧形结构，可以通过改变压力来实现不同凸点的线宽，从而避免转移基板在转移过程中所述吸附层300存在的塌陷问题。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图3，本申请实施例所提供的转移基板的第一种结构示意图。
本实施例提供一种转移基板，所述转移基板包括基板100；位于所述基板100一表面的吸附层300。
其中，所述吸附层300背离所述基板100的方向包括阵列分布的多个凸起部310，所述凸起部310包括依次远离所述基板100的第一部分311和第二部分312，所述第二部分312为圆弧形。
在本实施例中，所述基板100的材料包括但不限于石英或氧化铝，具体的，所述基板100为石英玻璃基板，所述基板100可以对所述转移基板的其他膜层结构起到支撑和保护的作用。
在本实施例中，每一所述凸起部310中，所述第二部分312在所述基板100上的正投影位于所述第一部分311在所述基板100上的正投影内；每一所述凸起部310中，所述第二部分312的侧壁与对应的所述第一部分311的侧壁圆滑连接。
具体的，在本实施例中，所述第二部分312为圆弧形，所述第一部分311的侧壁为曲面，且所述第一部分311的侧壁的曲率半径与所述第二部分312的曲率半径大小相等，方向相反。
在本实施例中，所述转移基板还包括形成于相邻所述凸起部310的第一部分311之间的凹陷部320，所述凹陷部320为圆弧形，其中，所述凹陷部320的曲率半径与所述第二部分312的曲率半径大小相等、方向相反，或者所述凹陷部320的曲率半径与所述第二部分312的曲率半径大小不同、方向不同。
进一步的，在本年实施例中，所述凹陷部320的曲率半径与所述第二部分312的曲率半径大小相等、方向相反。
请结合图4，本申请实施例所提供的转移基板的俯视图。
在本实施例中，多个所述凸起部310在所述吸附层300上呈阵列分布，所述吸附层300的高度a为50微米～250微米，其中，所述第一部分321的深度为50微米～200微米，所述第二部分312的高度b为0～50微米，所述第二部分312的曲率半径小于1/50微米，相邻所述第二部分312的间距相等，具体的，相邻所述第二部分312的之间的距离c为50微米～500微米，所述凹陷部320的宽度为50微米～500微米。
具体的，所述凹陷部320的宽度与相邻所述第二部分312的之间的距离相等，所述凹陷部320的曲率半径与所述第二部分312的曲率半径大小相等、方向相反。在此范围内，不仅使得所述凸起部310上可以累积大量的范德华力，还可以使得所述凸起部310具有足够的韧性，保证可以对待转移的芯片实现有效吸附的同时而不断裂。
需要说明的是，所述凸起部310可以作为所述吸附层300的芯片底座，在Micro-LED技术中转移技术通常会采用高精度控制的芯片底座(打印头)进行弹性印模(Stamp)，利用范德华力让LED黏附在转移头上，然后放置到目标衬底片上去。本实施例所述芯片包括但不限于Micro-LED、LED以及OLED。
需要说明的是，本实施例对所述第一部分321的深度、所述吸附层300的高度a，所述第二部分312的高度b以及相邻所述第二部分312的之间的距离c不做进一步限制。
可以理解的是，如图4所示的所述凸起部310在所述吸附层300上的阵列排布方式仅用作举例说明，本实施例对此不做具体限制。
在实际情况中，所述芯片可以通过所述吸附层300上的凸起部310吸附于所述基板100上。所述吸附层300的材料包括但不限于聚二甲基硅氧烷(PDMS)，在所述转移基板吸附微元件时，可以通过所述凸起部310形变使得转移基板同时吸附高度略微有差别的微元件。可以理解的是，所述凸起部310还可以为其他有机硅材料或者树脂材料，本实施例在此不再一一列举，只需要保证所述芯片底座上可以累积大量的范德华力即可。
本实施例通过将现有技术中转移基板的吸附层300所具有的矩形状的凸起部310设计为阵列分布的多个凸起部310，所述凸起部310包括依次远离所述基板100的第一部分311和第二部分312，所述第二部分312为圆弧形，可以通过改变压力来实现不同凸点的线宽；同时，所述转移基板还包括形成于相邻所述凸起部310的第一部分311之间的凹陷部320，所述凹陷部320为圆弧形，所述凹陷部320与所述第二部分312的圆弧半径相等，从而避免转移基板在转移过程中所述吸附层300存在的顶部塌陷等问题。
请参阅图5，本申请实施例所提供的转移基板的第二种结构示意图。
在本实施例中，所述凹陷部320的宽度与相邻所述第二部分312的之间的距离不相等，所述凹陷部320包括与所述基板100平行的平坦区321，所述平坦区321与相邻所述凸起部310第一部分311圆滑连接。
具体的，请结合图6，在本实施例中，每个所述凹陷部320都包括一个平坦的端壁322和两个弯曲的侧壁323，具体的，所述凹陷部320侧壁323为相邻所述第一部分311的侧壁，同时，所述侧壁323相对于所述端壁322倾斜一定角度，本实施例对所述侧壁323分别相对于所述端壁322的倾斜角度不做进一步限定。
本实施例通过将现有技术中转移基板的吸附层300所具有的矩形状的凸起部310设计为阵列分布的多个凸起部310，所述凸起部310包括依次远离所述基板100的第一部分311和第二部分312，所述第二部分312为圆弧形，当所述转移基板进行弹性印模时，可以通过改变压力来实现圆弧形的所述第二部分312不同的线宽；同时，所述转移基板还包括形成于相邻所述凸起部310的第一部分311之间的凹陷部320，所述凹陷部320的宽度与相邻所述第二部分312的之间的距离不相等，所述凹陷部320包括与所述基板100平行的平坦区321，所述平坦区321与所述凸起部310第一部分311圆滑连接，从而避免转移基板在转移过程中所述吸附层300存在的顶部塌陷等问题。
实施例二
本实施例还提供一种转移装置，包括如任一项所述的转移基板、与所述转移基板配合使用的转移载板；所述转移载板用于承载多个与所述凸起部一一对应的待转移芯片。
在本实施例中，所述转移基板已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明。
本申请提供一种转移基板及转移装置。所述转移基板包括基板；位于所述基板一侧的吸附层；其中，所述吸附层背离所述基板的方向包括阵列分布的多个凸起部，所述凸起部包括依次远离所述基板的第一部分和第二部分，所述第二部分为圆弧形。
本申请通过将现有技术中转移基板的吸附层所具有的矩形结构的凸起部设计为圆弧形结构，可以通过改变压力来实现不同凸点的线宽；同时，所述凸起部包括依次远离所述基板的第一部分和第二部分，相邻所述第一部分在所述吸附层上形成凹陷部结构，所述凹陷部为圆弧形，从而避免转移基板在转移过程中所述吸附层存在的顶部塌陷等问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种转移基板及转移装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.一种转移基板，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板一侧的吸附层；其中，
所述吸附层背离所述基板的方向包括阵列分布的多个凸起部，所述凸起部包括沿远离所述基板方向依次布置的第一部分和第二部分，所述第二部分为圆弧形表面；
其中，所述转移基板还包括形成于相邻所述凸起部的第一部分之间的凹陷部，所述凹陷部为圆弧形，所述凹陷部的曲率半径与所述第二部分的曲率半径大小相等、方向相反。
2.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，每一所述凸起部中，所述第二部分在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影内。
3.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每一所述凸起部中，所述第二部分的侧壁与所述第一部分的侧壁圆滑连接。
4.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述凹陷部包括与所述基板平行的平坦区，所述平坦区与相邻所述凸起部的第一部分圆滑连接。
5.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述凹陷部的宽度为50微米～500微米。
6.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述凹陷部的深度为50微米～200微米。
7.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述凸起部的高度为0～50微米。
8.一种转移装置，其特征在于，包括：如权利要求1-7任意一项所述的转移基板、与所述转移基板配合使用的转移载板；所述转移载板用于承载多个与所述凸起部一一对应的待转移芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110031332.6A CN112768399B (zh) | 2021-01-11 | 2021-01-11 | 转移基板及转移装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110031332.6A CN112768399B (zh) | 2021-01-11 | 2021-01-11 | 转移基板及转移装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112768399A CN112768399A (zh) | 2021-05-07 |
| CN112768399B true CN112768399B (zh) | 2022-10-04 |
Family
ID=75701307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110031332.6A Active CN112768399B (zh) | 2021-01-11 | 2021-01-11 | 转移基板及转移装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112768399B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114335260A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-12 | 深圳市思坦科技有限公司 | 一种led芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111244008A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微元件的转移装置及其转移方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8377362B2 (en) * | 2008-08-20 | 2013-02-19 | Konica Minolta Opto, Inc. | Method for manufacturing micro-channel, die for molding micro-channel chip, and micro-channel chip |
| US9105492B2 (en) * | 2012-05-08 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head |
| CN104973583B (zh) * | 2014-04-14 | 2017-04-05 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 |
| KR102427231B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2022-07-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마이크로-디바이스들의 무마스크 병렬 픽-앤-플레이스 이송 |
| CN111199907A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微发光器件的转移方法及转移设备 |
| WO2021102659A1 (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微器件转移装置及方法 |
| CN112967971B (zh) * | 2020-05-27 | 2023-04-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种Micro-LED的转移基板及其制备方法 |
| CN112038280B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-07-29 | 华为技术有限公司 | 一种芯片转移方法、电子设备 |
-
2021
- 2021-01-11 CN CN202110031332.6A patent/CN112768399B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111244008A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微元件的转移装置及其转移方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112768399A (zh) | 2021-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109935576B (zh) | 微型元件结构 | |
| JP6312270B2 (ja) | デバイスチップを用いた電子デバイスの製造方法およびその製造装置 | |
| CN110349989B (zh) | 发光二极管、显示基板和转移方法 | |
| JP7145096B2 (ja) | 微小構造体移載装置、スタンプヘッドユニット、微小構造体移載用スタンプ部品及び微小構造体集積部品の移載方法 | |
| KR102659865B1 (ko) | 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법 | |
| CN112768399B (zh) | 转移基板及转移装置 | |
| JP2018064113A (ja) | デバイスチップを用いた電子デバイスの製造装置 | |
| CN211350693U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2021081906A1 (zh) | 承接背板及其制备方法、背板 | |
| JP7377656B2 (ja) | 素子移載装置、素子モジュールの作製方法 | |
| TWI792145B (zh) | 傳送基板 | |
| US7741774B2 (en) | Backlight module including at least one luminescence element, and method of fabricating the same | |
| CN110534540B (zh) | 电子装置及其制造方法 | |
| CN114551299A (zh) | 一种转移装置 | |
| CN112885764B (zh) | 转移基板及其制备方法、转移装置 | |
| JP2020017580A (ja) | 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法 | |
| US20180088356A1 (en) | Display device | |
| CN110603142A (zh) | 用于转印显示像素的图案膜及使用其制备显示器的方法 | |
| CN111628053B (zh) | 微型发光二极管载板 | |
| JP2022014690A (ja) | 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法 | |
| TWI777435B (zh) | 微型發光二極體載板 | |
| CN117316854A (zh) | 一种转移印章及转移装置 | |
| WO2021029132A1 (ja) | 素子移載装置、素子移載方法 | |
| US20240047243A1 (en) | Microstructure-transfer stamp component | |
| CN114709160A (zh) | 转移装置及转移方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |