CN1127674C - 彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法 - Google Patents
彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1127674C CN1127674C CN 01108132 CN01108132A CN1127674C CN 1127674 C CN1127674 C CN 1127674C CN 01108132 CN01108132 CN 01108132 CN 01108132 A CN01108132 A CN 01108132A CN 1127674 C CN1127674 C CN 1127674C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass
- liquid crystal
- color liquid
- bonding
- manufacture method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法是一种采用单晶硅材料制备高性能彩色液晶显示器像素驱动晶体管的制造方法其步骤如下：①将清洗后的-(100)型单晶硅片与玻璃相互贴合在一起并放置1-5小时；②采用静电键合方法使硅片和玻璃形成良好的键合；③将键合好的样品用化学机械抛光的方法将单晶硅片减薄至10～20微米的厚度；④光刻并刻蚀玻璃上的单晶硅膜以形成器件小岛；⑤采用低温薄膜晶体管制造工艺在这些小岛上制造MOS晶体管。
Description
本发明是一种彩色液晶显示器像素驱动晶体管的制造方法。
在液晶显示领域，彩色液晶的显示质量决定于像素驱动晶体管的开关速度。传统的像素驱动晶体管是采用非晶硅技术制造的，由于非晶硅材料的电子迁移率很低，因此器件的开关速度和通/断比都比较小；多晶硅技术的发展为改进器件的性能提供了途径。采用激光退火等技术可以使材料的迁移率接近单晶，但随着多晶硅材料的晶粒尺寸的增大，材料的不均匀性也日益突出，从而影响了整个电路的性能。
本发明的目的是提供一种生产成本低，改善多晶硅材料性能与均匀性的彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法。
本发明的制造方法如下：
①将清洗后的-(100)型单晶硅片与玻璃相互贴合在一起并放置1-5小时；
②采用静电键合方法使硅片和玻璃形成良好的键合；
③将键合好的样品用化学机械抛光的方法将单晶硅片减薄至10～20微米的厚度；
④光刻并刻蚀玻璃上的单晶硅膜以形成器件小岛；
⑤采用低温薄膜晶体管制造工艺在这些小岛上制造MOS晶体管。静电键合玻璃和硅片时，外加的键合电压为800～1200伏，衬底加热温度为300℃～600℃。
本发明的优点在于由于采用硅和玻璃的静电键合工艺及半导体工业上常用的机械磨抛工艺代替非晶硅的激光退火工艺，使材料制造工艺变得简单且成本大幅度缩小。另外，由于提供的是单晶材料，因此可以制造高性能薄膜晶体管(TFT)且减少或消除了采用多晶硅材料制造的器件之间的性能差异。
本技术采用单晶硅材料直接在玻璃上形成驱动晶体管，可以解决上述多晶硅材料性能与均匀性之间的矛盾。
图1是本发明的结构示意图。其中有玻璃1、器件小岛2。
本发明的实施方案如下：
摄橡机用液晶显示器的制备：首先用普通平板玻璃与需要大小的硅片直接静电键合，该玻璃作为液晶显示器的背板。将硅片用机械磨抛的方法减薄至10到20微米的厚度并抛光。然后采用光刻的方法将将来需要做点阵的硅膜刻去，刻蚀方法可以是等离子法也可是化学腐蚀法。然后采用低于600度的薄膜晶体管制备工艺在剩下的硅膜上制造驱动电路。当电路完成后，电路表面盖上一层透明绝缘材料，然后再做激励液晶的透明下电极部分。上电极预先做在正面玻璃上，这样当上下电极间充上液晶材料后，就形成了以透射方式工作的图象液晶显示器。
Claims (2)
1.一种彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法，其特征在于制造的方法如下：
①将清洗后的-(100)型单晶硅片与玻璃(1)相互贴合在一起并放置1-5小时；
②采用静电键合方法使硅片和玻璃形成良好的键合；
③将键合好的样品用化学机械抛光的方法将单晶硅片减薄至10～20微米的厚度；
④光刻并刻蚀玻璃上的单晶硅膜以形成器件小岛(2)；
⑤采用低温薄膜晶体管制造工艺在这些小岛上制造MOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法，其特征在于静电键合玻璃和硅片时，外加的键合电压为800～1200伏，衬底加热温度为300℃～600℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 01108132 CN1127674C (zh) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 01108132 CN1127674C (zh) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1312483A CN1312483A (zh) | 2001-09-12 |
| CN1127674C true CN1127674C (zh) | 2003-11-12 |
Family
ID=4657017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 01108132 Expired - Fee Related CN1127674C (zh) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1127674C (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200407834A (en) * | 2002-09-17 | 2004-05-16 | Seiko Epson Corp | Optoelectronic device, manufacturing method of optoelectronic device, and electronic machine |
| CN100442108C (zh) * | 2004-09-15 | 2008-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于硅上液晶器件的铝化学机械抛光回蚀 |
| US20090141004A1 (en) | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| KR101074813B1 (ko) * | 2010-01-07 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN102623875B (zh) * | 2012-04-11 | 2014-04-09 | 青岛镭视光电科技有限公司 | 晶体器件热键合装配新方法 |
-
2001
- 2001-03-15 CN CN 01108132 patent/CN1127674C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1312483A (zh) | 2001-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100275828B1 (ko) | 석영 기판상의 단결정 실리콘 박막 트랜지스터 형성방법 | |
| US6414783B2 (en) | Method of transferring semiconductors | |
| US6232136B1 (en) | Method of transferring semiconductors | |
| US5362671A (en) | Method of fabricating single crystal silicon arrayed devices for display panels | |
| US5258320A (en) | Single crystal silicon arrayed devices for display panels | |
| US5539550A (en) | Liquid crystal display having adhered circuit tiles | |
| EP1751789B1 (en) | Flexible electro-optical apparatus and method for manufacturing the same | |
| US6767755B2 (en) | Method of producing electrooptical device and method of producing driving substrate for driving electrooptical device | |
| JP3109968B2 (ja) | アクティブマトリクス回路基板の製造方法及び該回路基板を用いた液晶表示装置の製造方法 | |
| US20040218133A1 (en) | Flexible electro-optical apparatus and method for manufacturing the same | |
| US6413838B2 (en) | Manufacturing method of display device | |
| CN1127674C (zh) | 彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法 | |
| JP2008042218A (ja) | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 | |
| JP3696214B2 (ja) | 薄膜トランジスタディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| KR100547237B1 (ko) | 단결정 가요성 필름 및 가요성 전기 광학 장치의 제조방법, 이를 제조하는 장치 | |
| KR100464881B1 (ko) | 기판 및 박막소자 제조방법 | |
| KR100707025B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20020016678A (ko) | 직시형 단결정 실리콘 박막트랜지스터 액정표시장치의제조방법 | |
| JP2000111949A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法 | |
| JP2000101089A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法 | |
| JP2000124459A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法 | |
| JPH07231097A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2000206569A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 | |
| JP2000187252A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 | |
| JP2000089250A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |