CN112756795B - 一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备及芯片生产工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及激光刻蚀技术领域，公开了一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备及芯片生产工艺，包括工作台、双层安装架、激光枪和机械臂，所述激光枪底端设置有调节式吊装架，所述调节式吊装架包括顶层吊装架、蚀刻模板安装架和活动透镜架，通过设置能够拆装更换的一级透镜，使得激光枪发射的激光束经过蚀刻模板的过滤作用后，再通过一级透镜的作用进行初步汇聚，使得激光束能够受控在晶圆表面产生焦点，确定每次激光束的蚀刻的光斑的大小，并且通过更换一级透镜能够方便的对蚀刻的焦点的竖直位置进行改变，进而能够方便地调整光斑大小以确定每次蚀刻形成的电路槽的深浅和尺寸。

Description

一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备及芯片生产工艺
技术领域
本发明涉及激光刻蚀技术领域，具体为一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备及芯片生产工艺。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，硅晶圆加工过程中对硅晶圆的激光蚀刻是从硅晶圆向芯片加工的重要一步。
通过对硅晶圆的蚀刻，使得硅晶圆上产生一个个规则排列的“点”，在这个“点”的微观结构中有着复杂的电路槽，这些电路槽都通过激光蚀刻产生，在激光蚀刻的生产步骤中，由于对激光蚀刻的点的要求较高，使得需要对激光蚀刻的聚焦的焦点进行精准控制，现有技术中，通常需要进行更换透镜、距离微调等方式实现激光焦点的调整，但这一过程需要将整个装置拆装重组，调整过程不便，耽搁大量加工时间，并且在更换产品生产的规格后，需要重新更换蚀刻模板，之后再次进行焦点的调整，使得整个过程比较复杂，不利于芯片的生产加工。
针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，具备便于调节激光刻蚀焦点位置、方便调节蚀刻区域大小、位置控制精确等优点，解决了激光蚀刻焦点调节不方便、更换模板调整时间长的问题。
(二)技术方案
为解决上述激光蚀刻焦点调节不方便、更换模板调整时间长的技术问题，本发明提供如下技术方案：一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，包括工作台、双层安装架、激光枪和机械臂，所述激光枪底端设置有调节式吊装架，所述调节式吊装架包括顶层吊装架、蚀刻模板安装架和活动透镜架，所述调节式吊装架与激光枪之间通过顶层吊装架焊接固定所述顶层吊装架两侧分别设置有吊装固定块，所述顶层吊装架底端设置有若干连接柱，所述顶层吊装架和蚀刻模板安装架之间通过连接柱连接固定，所述蚀刻模板安装架设置在激光枪的激光头下方，所述蚀刻模板安装架顶端设置有模板滑槽，所述蚀刻模板安装架顶端中央设置有模板安装槽，所述模板安装槽中央开设有透光槽，所述蚀刻模板安装架底端设置有若干伸缩内杆，所述伸缩内杆上开设有若干内销孔，所述活动透镜架顶端设置有若干伸缩外杆，所述伸缩外杆上开设有若干外销孔，所述活动透镜架中央安装设置有一级透镜，所述一级透镜为可更换设置。
优选地，所述一级透镜外侧设置有若干透镜固定板，所述透镜固定板和活动透镜架之间通过螺钉连接固定，所述若干伸缩内杆和若干伸缩外杆之间一一对应，所述若干伸缩内杆分别贯穿至对应的伸缩外杆内部，所述伸缩外杆上均活动设置有若干固定销。
优选地，所述固定销贯穿外销孔和内销孔，所述固定销锁定相应的外销孔和内销孔的位置，通过改变所述固定销锁定的外销孔和内销孔的位置，使得所述伸缩内杆和伸缩外杆之间的相对位置发生改变，使得能够调节一级透镜和模板安装槽之间的位置。
优选地，所述双层安装架固定设置在工作台的上方，所述双层安装架分为上层激光枪安装架和下层透镜安装架，所述上层激光枪安装架中央开设有激光枪安装槽，所述上层激光枪安装架顶端对称开设有横向移动滑槽，所述激光枪活动安装在激光枪安装槽内部，所述下层透镜安装架中央固定设置有二级透镜。
优选地，所述上层激光枪安装架顶端分别安装设置有横向移动机构和纵向移动机构，所述纵向移动机构设置在横向移动机构内部，所述工作台中央设置有晶圆卡槽，所述工作台一角设置有机械臂。
优选地，所述横向移动机构包括两端的驱动电机、驱动螺杆和限位横杆，所述驱动螺杆和限位横杆对称设置在驱动电机内部，所述两端的驱动电机分别控制驱动螺杆的正向和反向旋转，所述驱动螺杆和限位横杆均贯穿进入纵向移动机构内部，所述驱动螺杆带动纵向移动机构在限位横杆的限位作用下在横向移动机构内部移动。
优选地，所述纵向移动机构底端对称设置有滑块，所述滑块分别设置在横向移动滑槽内部，所述纵向移动机构移动时滑块在横向移动滑槽的限位作用下移动，所述纵向移动机构一侧下部开设有导轨槽，所述导轨槽内部设置有电动导轨，所述导轨槽内部安装设置有吊装滑块，所述吊装滑块两侧分别设置有吊装环，所述吊装滑块在电动导轨的作用下纵向移动，所述吊装固定块和吊装滑块之间通过吊装环连接固定。
优选地，所述晶圆卡槽的材质为橡胶，所述晶圆卡槽上开设有若干贯穿至工作台上表面的安放槽，所述机械臂能够便于从安放槽拿取或者放置硅晶圆。
一种芯片生产工艺，在该芯片生产工艺中使用了如权利要求1-8任一所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，具备以下有益效果：
1、该种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，通过设置能够拆装更换的一级透镜，使得激光枪发射的激光束经过蚀刻模板的过滤作用后，再通过一级透镜的作用进行初步汇聚，使得激光束能够受控在晶圆表面产生焦点，确定每次激光束的蚀刻的光斑的大小，并且通过更换一级透镜能够方便的对蚀刻的焦点的竖直位置进行改变，进而能够方便地调整光斑大小以确定每次蚀刻形成的电路槽的深浅和尺寸。
2、该种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，通过设置伸缩内杆和伸缩外杆，通过改变固定销锁定的伸缩内杆和伸缩外杆的相对位置发生改变，使得能够调节一级透镜和模板安装槽上的蚀刻模板之间的位置，进而使得能够在不改变一级透镜焦距的前提下改变最终汇聚的焦点的空间位置，进而能够方便地调整光斑大小以确定每次蚀刻形成的电路槽的深浅和尺寸。
3、该种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，通过横向移动机构，通过横向移动机构两侧的横向驱动电机分别控制驱动螺杆的正向和反向旋转，带动纵向移动机构在限位横杆的限位作用下在横向移动机构内部移动，进而能够调节纵向移动机构、激光枪和调节式吊装架在上层激光安装架上的位置，使得激光焦点到达晶圆上所需蚀刻的横向位置，对蚀刻位置的横向坐标进行精准控制，以提高硅晶圆加工的精确性。
4、该种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，通过纵向移动机构，在纵向移动机构的导轨槽内部的电动导轨的作用下，使得吊装滑块在导轨槽内部受控滑动，使得激光枪和调节式吊装架随同吊装滑块纵向运动，使得激光焦点到达晶圆上所需蚀刻的纵向位置，对蚀刻位置的纵向坐标进行精准控制，以提高硅晶圆加工的精确性。
5、该种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，通过设置晶圆卡槽，由于晶圆卡槽的材质为橡胶，使得晶圆卡槽能够有效地防止硅晶圆的碰伤，并且晶圆卡槽上开设有若干贯穿至工作台上表面的安放槽，使得机械臂能够方便地从安放槽拿取或者放置硅晶圆，防止硅晶圆取放过程中的碰撞产生硅晶圆磕伤，有效保护硅晶圆的完整性，减少硅晶圆的损伤率。
附图说明
图1为本发明的立体结构示意图之一；
图2为本发明的立体结构示意图之二；
图3为本发明的整体爆炸示意图；
图4为本发明的剖面示意图；
图5为本发明的下半部分的立体结构示意图；
图6为本发明的上半部分的立体结构示意图；
图7为本发明的上半部分的剖面示意图；
图8为本发明的激光枪和调节式吊装架的立体结构示意图；
图9为本发明的激光枪和调节式吊装架的剖面示意图。
图中：1、工作台；2、双层安装架；21、上层激光枪安装架；211、横向移动滑槽；22、下层透镜安装架；23、激光枪安装槽；3、激光枪；4、调节式吊装架；41、顶层吊装架；411、吊装固定块；412、连接柱；42、蚀刻模板安装架；421、模板滑槽；422、模板安装槽；423、透光槽；424、伸缩内杆；425、内销孔；43、活动透镜架；431、伸缩外杆；432、外销孔；433、固定销；44、一级透镜；441、透镜固定板；5、二级透镜；6、横向移动机构；61、驱动电机；62、驱动螺杆；63、限位横杆；7、纵向移动机构；71、滑块；72、导轨槽；73、电动导轨；74、吊装滑块；75、吊装环；8、晶圆卡槽；81、安放槽；9、机械臂。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所介绍的，现有技术中存在的不足，为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备。
请参阅图1-9，一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，包括工作台1、双层安装架2、激光枪3和机械臂9，激光枪3底端设置有调节式吊装架4，调节式吊装架4包括顶层吊装架41、蚀刻模板安装架42和活动透镜架43，调节式吊装架4与激光枪3之间通过顶层吊装架41焊接固定顶层吊装架41两侧分别设置有吊装固定块411，顶层吊装架41底端设置有若干连接柱412，顶层吊装架41和蚀刻模板安装架42之间通过连接柱412连接固定，蚀刻模板安装架42设置在激光枪3的激光头下方，蚀刻模板安装架42顶端设置有模板滑槽421，蚀刻模板安装架42顶端中央设置有模板安装槽422，模板安装槽422中央开设有透光槽423，蚀刻模板安装架42底端设置有若干伸缩内杆424，伸缩内杆424上开设有若干内销孔425，活动透镜架43顶端设置有若干伸缩外杆431，伸缩外杆431上开设有若干外销孔432，活动透镜架43中央安装设置有一级透镜44，一级透镜44为可更换设置，进而使得能够进行一级透镜44的更换，通过更换不同焦距的一级透镜44，使得最终激光的焦点发生改变，进而能够调节激光刻蚀的深度和路径的粗细。
进一步地，一级透镜44外侧设置有若干透镜固定板441，透镜固定板441和活动透镜架43之间通过螺钉连接固定，若干伸缩内杆424和若干伸缩外杆431之间一一对应，若干伸缩内杆424分别贯穿至对应的伸缩外杆431内部，伸缩外杆431上均活动设置有若干固定销433，进而使得通过解除透镜固定板441和活动透镜架43之间的螺钉连接即可经一级透镜44取下更换。
进一步地，固定销433贯穿外销孔432和内销孔425，固定销433锁定相应的外销孔432和内销孔425的位置，通过改变固定销433锁定的外销孔432和内销孔425的位置，使得伸缩内杆424和伸缩外杆431之间的相对位置发生改变，使得能够调节一级透镜44和模板安装槽422之间的位置，进而能够通过调节一级透镜44和模板安装槽422之间的位置调节激光最终汇聚的位置，对激光刻蚀进行高度上的调节。
进一步地，双层安装架2固定设置在工作台1的上方，双层安装架2分为上层激光枪安装架21和下层透镜安装架22，上层激光枪安装架21中央开设有激光枪安装槽23，上层激光枪安装架21顶端对称开设有横向移动滑槽211，激光枪3活动安装在激光枪安装槽23内部，下层透镜安装架22中央固定设置有二级透镜5，进而使得激光枪3发射的激光束，通过蚀刻模板的过滤作用将需要蚀刻的位置的光束保留，通过一级透镜44和二级透镜5的作用投影到硅晶圆上，使得激光对硅晶圆的特定位置进行蚀刻，以得到需要的模拟电路槽。
进一步地，上层激光枪安装架21顶端分别安装设置有横向移动机构6和纵向移动机构7，纵向移动机构7设置在横向移动机构6内部，工作台1中央设置有晶圆卡槽8，工作台1一角设置有机械臂9。
进一步地，横向移动机构6包括两端的驱动电机61、驱动螺杆62和限位横杆63，驱动螺杆62和限位横杆63对称设置在驱动电机61内部，两端的驱动电机61分别控制驱动螺杆62的正向和反向旋转，驱动螺杆62和限位横杆63均贯穿进入纵向移动机构7内部，驱动螺杆62带动纵向移动机构7在限位横杆63的限位作用下在横向移动机构6内部移动，进而能够调整激光枪3和调节式吊装架4的横向位置，以确定蚀刻时的横向位置，对晶圆进行精准蚀刻。
进一步地，纵向移动机构7底端对称设置有滑块71，滑块71分别设置在横向移动滑槽211内部，纵向移动机构7移动时滑块71在横向移动滑槽211的限位作用下移动，纵向移动机构7一侧下部开设有导轨槽72，导轨槽72内部设置有电动导轨73，导轨槽72内部安装设置有吊装滑块74，吊装滑块74两侧分别设置有吊装环75，吊装滑块74在电动导轨73的作用下纵向移动，吊装固定块411和吊装滑块74之间通过吊装环75连接固定，进而使得激光枪3和调节式吊装架4能够在吊装环75的作用下随着吊装滑块74移动，使得激光枪3和调节式吊装架4能够调整其的横向及纵向位置，以适应整个硅晶圆的各个地方的蚀刻。
进一步地，晶圆卡槽8的材质为橡胶，晶圆卡槽8上开设有若干贯穿至工作台1上表面的安放槽81，机械臂9能够便于从安放槽81拿取或者放置硅晶圆，进而使得通过机械臂9能够将未蚀刻的硅晶圆通过安放槽81放置在晶圆卡槽8内，然后在硅晶圆的各个部分全部蚀刻完成后通过安放槽81能够便于将蚀刻完成后的硅晶圆取出收集，进行下一道生产工序。
一些实施例中，所述下层透镜安装架22还设有清理机构，所述清理机构用于清理所述二级透镜5表面的污垢，所述清理机构包括液箱、清理件和烘干件，所述液箱与所述清理件连通，所述液箱内存储清理液，所述清理件的喷嘴正对所述二级透镜5，其中，所述清理件内设有液压件，用于抽取所述液箱内的清理液，原理：通过所述清理件的喷嘴对所述二级透镜5喷出清理液，再通过所述烘干件对所述二级透镜5表面的清理液进行烘干，能够对所述二级透镜5表面进行清理，避免多次使用时导致所述二级透镜5表面具有污垢影响到汇聚效果。
进一步地，所述二级透镜5周围设有透明的薄板，所述薄板与下层透镜安装架22的空腔内表面固定。
工作原理：在使用前，首先将设备的各个部件全部组装完成，然后将具有在硅晶圆上进行蚀刻的形状的蚀刻模板，通过模板滑槽421送入蚀刻模板安装架42顶端中央设置的模板安装槽422内部，使得蚀刻模板在模板安装槽422内部安装固定，之后再通过在活动透镜架43中央安装上合适焦距的一级透镜44，再通过改变固定销433锁定的外销孔432和内销孔425的位置，使得伸缩内杆424和伸缩外杆431之间的相对位置发生改变，使得能够调节一级透镜44和模板安装槽422上的蚀刻模板之间的位置，使得一级透镜44和模板安装槽422之间的距离改变，进而使得一级透镜44的焦点的空间位置发生改变，进而能够调整最终在晶圆附近产生的激光焦点的位置，使得能够通过最终激光在硅晶圆表面上的大小和深度，进而能够调节蚀刻的深度和路径的粗细。
一种芯片生产工艺，在该芯片生产工艺中使用了如权利要求1-8任一所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备。
通过机械臂9的作用将硅晶圆夹起，通过晶圆卡槽8上开设的安放槽81放置在晶圆卡槽8内部，通过横向移动机构6控制激光枪3横向位置，横向移动机构6两侧的横向驱动电机61能够分别控制驱动螺杆62的正向和反向旋转，由于驱动螺杆62和限位横杆63均贯穿进入纵向移动机构7内部，通过横向驱动电机61带动驱动螺杆62带动纵向移动机构7在限位横杆63的限位作用下在横向移动机构6内部移动，进而能够调节纵向移动机构7在上层激光安装架21上的位置，并且由于激光枪3和调节式吊装架4固定在吊装滑块74下方，吊装滑块74设置在导轨槽72内部，使得激光枪3和调节式吊装架4随同整个纵向移动机构7横向运动，使得激光焦点到达晶圆上所需蚀刻的横向位置。
待得横向位置调节完成后，通过纵向移动机构7的作用，在电动导轨73的作用下，使得吊装滑块74在导轨槽72内部受控滑动，使得激光枪3和调节式吊装架4随同吊装滑块74纵向运动，使得激光焦点到达晶圆上所需蚀刻的纵向位置，依照上述两个步骤，通过控制横向移动机构6和纵向移动机构7控制激光枪3的位置，使得激光枪3发射的激光经汇聚后的位置到达晶圆上所需蚀刻的具体坐标。
定位完成后，启动激光枪3发射激光束，使得通过激光枪3发射的激光束通过蚀刻模板的过滤作用，使得需要进行蚀刻部分的光束才能透过蚀刻模板和透光槽423，再通过一级透镜44的汇聚作用向二级透镜5传导，使得在二级透镜5的再次汇聚作用下向硅晶圆的待蚀刻位置进行激光蚀刻，使得硅晶圆上的这一位置的所需电路槽在激光的作用下，原子受激光产生的高热蒸发，该位置生成蚀刻模板上所绘制的电路槽，完成该部分的激光蚀刻工作。
在一个点位置的激光蚀刻完成后，通过控制横向移动机构6和纵向移动机构7控制激光枪3的位置进行改变，使得激光枪3发射的激光经汇聚后的位置到达下一个晶圆上所需蚀刻的具体坐标，然后再次通过激光枪3发射激光束对晶圆上的位置进行激光蚀刻，重复这一流程直至该晶圆上的待蚀刻的点全部蚀刻完成后，关闭激光枪3后即可通过机械臂9通过安放槽81将蚀刻完成的晶圆取出收集，进行下一道的生产工序。
如此循环即可完成同一批次的晶圆蚀刻过程，需要加工下一批不同规格的硅晶圆时，通过蚀刻模板安装架42上的模板滑槽421将蚀刻模板从模板安装槽422内取出，更换上下一批次需要使用的蚀刻模板，然后在活动透镜架43中央更换上合适焦距的一级透镜44，再通过改变固定销433锁定的外销孔432和内销孔425的位置，使得伸缩内杆424和伸缩外杆431之间的相对位置发生改变，使得能够调节一级透镜44和模板安装槽422上的蚀刻模板之间的位置，使得一级透镜44和模板安装槽422之间的距离改变，进而使得一级透镜44和二级透镜5共同汇聚作用产生的焦点的空间位置发生改变，调节最终激光在硅晶圆表面上的大小和深度，使得更换后晶圆蚀刻模板后在晶圆上蚀刻的电路槽符合这一批次的生产需求。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，包括工作台(1)、双层安装架(2)、激光枪(3)和机械臂(9)，其特征在于：所述激光枪(3)底端设置有调节式吊装架(4)，所述调节式吊装架(4)包括顶层吊装架(41)、蚀刻模板安装架(42)和活动透镜架(43)，所述调节式吊装架(4)与激光枪(3)之间通过顶层吊装架(41)焊接固定所述顶层吊装架(41)两侧分别设置有吊装固定块(411)，所述顶层吊装架(41)底端设置有若干连接柱(412)，所述顶层吊装架(41)和蚀刻模板安装架(42)之间通过连接柱(412)连接固定，所述蚀刻模板安装架(42)设置在激光枪(3)的激光头下方，所述蚀刻模板安装架(42)顶端设置有模板滑槽(421)，所述蚀刻模板安装架(42)顶端中央设置有模板安装槽(422)，所述模板安装槽(422)中央开设有透光槽(423)，所述蚀刻模板安装架(42)底端设置有若干伸缩内杆(424)，所述伸缩内杆(424)上开设有若干内销孔(425)，所述活动透镜架(43)顶端设置有若干伸缩外杆(431)，所述伸缩外杆(431)上开设有若干外销孔(432)，所述活动透镜架(43)中央安装设置有一级透镜(44)，所述一级透镜(44)为可更换设置。
2.根据权利要求1所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，其特征在于：所述一级透镜(44)外侧设置有若干透镜固定板(441)，所述透镜固定板(441)和活动透镜架(43)之间通过螺钉连接固定，所述若干伸缩内杆(424)和若干伸缩外杆(431)之间一一对应，所述若干伸缩内杆(424)分别贯穿至对应的伸缩外杆(431)内部，所述伸缩外杆(431)上均活动设置有若干固定销(433)。
3.根据权利要求2所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，其特征在于：所述固定销(433)贯穿外销孔(432)和内销孔(425)，所述固定销(433)锁定相应的外销孔(432)和内销孔(425)的位置，通过改变所述固定销(433)锁定的外销孔(432)和内销孔(425)的位置，使得所述伸缩内杆(424)和伸缩外杆(431)之间的相对位置发生改变，使得能够调节一级透镜(44)和模板安装槽(422)之间的位置。
4.根据权利要求3所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，其特征在于：所述双层安装架(2)固定设置在工作台(1)的上方，所述双层安装架(2)分为上层激光枪安装架(21)和下层透镜安装架(22)，所述上层激光枪安装架(21)中央开设有激光枪安装槽(23)，所述上层激光枪安装架(21)顶端对称开设有横向移动滑槽(211)，所述激光枪(3)活动安装在激光枪安装槽(23)内部，所述下层透镜安装架(22)中央固定设置有二级透镜(5)。
5.根据权利要求4所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，其特征在于：所述上层激光枪安装架(21)顶端分别安装设置有横向移动机构(6)和纵向移动机构(7)，所述纵向移动机构(7)设置在横向移动机构(6)内部，所述工作台(1)中央设置有晶圆卡槽(8)，所述工作台(1)一角设置有机械臂(9)。
6.根据权利要求5所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，其特征在于：所述横向移动机构(6)包括两端的驱动电机(61)、驱动螺杆(62)和限位横杆(63)，所述驱动螺杆(62)和限位横杆(63)对称设置在驱动电机(61)内部，所述两端的驱动电机(61)分别控制驱动螺杆(62)的正向和反向旋转，所述驱动螺杆(62)和限位横杆(63)均贯穿进入纵向移动机构(7)内部，所述驱动螺杆(62)带动纵向移动机构(7)在限位横杆(63)的限位作用下在横向移动机构(6)内部移动。
7.根据权利要求6所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，其特征在于：所述纵向移动机构(7)底端对称设置有滑块(71)，所述滑块(71)分别设置在横向移动滑槽(211)内部，所述纵向移动机构(7)移动时滑块(71)在横向移动滑槽(211)的限位作用下移动，所述纵向移动机构(7)一侧下部开设有导轨槽(72)，所述导轨槽(72)内部设置有电动导轨(73)，所述导轨槽(72)内部安装设置有吊装滑块(74)，所述吊装滑块(74)两侧分别设置有吊装环(75)，所述吊装滑块(74)在电动导轨(73)的作用下纵向移动，所述吊装固定块(411)和吊装滑块(74)之间通过吊装环(75)连接固定。
8.根据权利要求7所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备，其特征在于：所述晶圆卡槽(8)的材质为橡胶，所述晶圆卡槽(8)上开设有若干贯穿至工作台(1)上表面的安放槽(81)，所述机械臂(9)能够便于从安放槽(81)拿取或者放置硅晶圆。
9.一种芯片生产工艺，其特征在于：在该芯片生产工艺中使用了如权利要求1-8任一所述的一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备。
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