CN112712774A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括用于驱动多个像素的显示面板。多个像素中的每个包括：发光元件；驱动晶体管，用于控制流过发光元件的驱动电流；第一晶体管，用于选择性地将数据电压施加到第一节点；第二晶体管，用于从发射控制线接收发射信号以选择性地将驱动电压施加到第一节点；以及第一电容器，连接在第一节点与发射控制线之间。第一节点为驱动晶体管的源电极。

Description

显示装置

本申请要求于2019年10月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0132761号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例的方面涉及一种显示装置。

背景技术

随着信息导向的社会发展，对显示装置的各种需求不断增加。例如，显示装置正在被各种电子装置(诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视)采用(或者显示装置正在各种电子装置(诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视)中被采用)。显示装置可以是平板显示装置，诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置。在这样的平板显示装置之中，有机发光显示装置包括发光元件，使得显示面板的像素中的每个可以通过自身发光(例如，使得每个像素可以独立地发光)。因此，有机发光显示装置可以在没有向显示面板供应光的背光单元的情况下显示图像(例如，有机发光显示装置的像素可以是自发射的)。

有机发光显示装置通常包括显示面板，显示面板具有数据线、扫描线、连接到相应数据线和扫描线的多个像素、用于将数据信号施加到数据线的数据驱动器以及具有移位寄存器的用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器。扫描驱动器可以根据预定驱动频率向像素供应扫描信号。当显示装置被开启或被驱动时，扫描驱动器可能会改变驱动频率。在这样做时，随着显示装置的驱动频率改变，可能会显示闪烁或重影。

发明内容

本公开的方面提供了一种可以通过使用发射信号的栅极截止电压耦合驱动晶体管的源电极来避免或基本上避免可能会在显示装置的驱动频率改变时显示闪烁和/或重影的显示装置。

本公开的方面还提供了一种显示装置，该显示装置通过将供应到多个像素的多个信号中的一些信号保持为高速驱动(例如，保持为高速驱动状态或保持在高驱动频率)，而将一些其他信号改变为低速驱动(例如，改变为低速驱动状态或改变为低驱动频率)来提供降低的功耗。

应当注意的是，本公开的方面和特征不限于上面提及的方面和特征，并且通过下面的描述，本公开的其他方面和特征对于本领域技术人员将是明显的。

根据本公开的实施例，显示装置包括用于驱动多个像素的显示面板。多个像素中的每个包括：发光元件；驱动晶体管，用于控制流过发光元件的驱动电流；第一晶体管，用于选择性地将数据电压施加到第一节点，第一节点为驱动晶体管的源电极；第二晶体管，用于从发射控制线接收发射信号，以选择性地将驱动电压施加到第一节点；以及第一电容器，连接在第一节点与发射控制线之间。

多个像素中的每个还可以包括：第三晶体管，用于选择性地将第二节点与第三节点连接，第二节点为驱动晶体管的漏电极，第三节点为发光元件的阳极电极；以及第四晶体管，用于选择性地将第一初始化电压施加到第三节点。

第二晶体管和第三晶体管可以响应于具有第一电压电平的发射信号而导通，并且第四晶体管可以响应于具有高于第一电压电平的第二电压电平的发射信号而导通。

驱动晶体管可以包括包含第一材料的有源层，第四晶体管可以包括包含不同于第一材料的第二材料的有源层。

多个像素中的每个还可以包括：第五晶体管，用于选择性地将第二初始化电压施加到第四节点，第四节点为驱动晶体管的栅电极；以及第六晶体管，用于选择性地将第二节点与第四节点连接。

驱动晶体管和第四晶体管中的每个可以包括包含第一材料的有源层，并且第五晶体管和第六晶体管中的每个可以包括包含不同于第一材料的第二材料的有源层。

显示面板可以包括：第一有源层，位于基底上并且包括第一材料；第一栅极层，位于第一有源层上；第二栅极层，位于第一栅极层上；第二有源层，位于第二栅极层上并且包括不同于第一材料的第二材料；第三栅极层，位于第二有源层上；以及第一源漏层，位于第三栅极层上。

第一电容器的第一电极可以位于第一栅极层中，并且第一电容器的第二电极可以位于第二栅极层中。

显示面板还可以包括第一连接电极。第一连接电极可以位于第一源漏层中，可以通过第一接触开口连接到第一电容器的第二电极，并且可以通过第二接触开口连接到第一节点。第一节点也可以为第二晶体管的漏电极。

发射控制线可以包括：第一发射控制线，位于第一栅极层中；以及第二发射控制线，位于第三栅极层中。第一电容器的第一电极可以是第一发射控制线的与第二电极叠置的部分。

第一电容器的第一电极可以位于第三栅极层中，并且第一电容器的第二电极可以位于第一源漏层中。

显示面板还可以包括第二连接电极。第二连接电极可以位于第一源漏层中，并且可以通过第三接触开口连接到第一节点。第一节点也可以为第二晶体管的漏电极。

发射控制线可以包括：第一发射控制线，位于第一栅极层中；以及第二发射控制线，位于第三栅极层中。第一电容器的第一电极可以是第二发射控制线的与第二电极叠置的部分。

第一电容器的第一电极可以位于第一栅极层中，并且第一电容器的第二电极可以位于第二有源层中。

显示面板还可以包括第三连接电极。第三连接电极可以位于第一源漏层中，可以通过第四接触开口连接到第一电容器的第二电极，并且可以通过第五接触开口连接到第一节点。第一节点也可以为第二晶体管的漏电极。

发射控制线可以包括：第一发射控制线，位于第一栅极层中；以及第二发射控制线，位于第三栅极层中。第一电容器的第一电极可以是第一发射控制线的与第二电极叠置的部分。

根据本公开的实施例，显示装置包括用于驱动多个像素的显示面板。多个像素中的每个包括：发光元件；驱动晶体管，用于控制流过发光元件的驱动电流；第一晶体管，用于选择性地将数据电压施加到第一节点，第一节点为驱动晶体管的源电极；第二晶体管，用于从发射控制线接收发射信号，以选择性地将驱动电压施加到第一节点；第三晶体管，用于接收发射信号以选择性地将第二节点与第三节点连接，第二节点为驱动晶体管的漏电极，第三节点为发光元件的阳极电极；以及第一电容器，连接在第二节点与发射控制线之间。

多个像素中的每个还可以包括：第四晶体管，用于选择性地将第一初始化电压施加到第三节点；第五晶体管，用于选择性地将第二初始化电压施加到第四节点，第四节点为驱动晶体管的栅电极；以及第六晶体管，用于选择性地将第二节点与第四节点连接。

第二晶体管和第三晶体管可以响应于具有第一电压电平的发射信号而导通，并且第四晶体管可以响应于具有高于第一电压电平的第二电压电平的发射信号而导通。

驱动晶体管和第四晶体管中的每个可以包括包含第一材料的有源层，并且第五晶体管和第六晶体管中的每个可以包括包含不同于第一材料的第二材料的有源层。

根据本公开的示例性实施例，可以通过驱动扫描信号使得它们彼此重叠来实现具有为扫描信号的频率的倍数的频率的高速驱动。在根据本公开的示例性实施例的显示装置中，供应到以高速驱动的多个像素的多个信号中的一些信号可以保持为高速驱动，而一些其他信号可以改变为低速驱动。多个像素中的每个可以包括连接在驱动晶体管的源电极与发射控制线之间的电容器。当发射信号从低电平转变为高电平时，电容器可以耦合驱动晶体管的源电极的电压。因此，即使当驱动频率改变时，通过控制驱动晶体管的源电极处的电压，显示装置也不会经历闪烁和/或重影。

根据本公开的示例性实施例，多个像素中的每个可以包括连接在驱动晶体管的漏电极与发射控制线之间的电容器。当发射信号从低电平转变为高电平时，电容器可以耦合驱动晶体管的漏电极的电压。在这样的实施例中，驱动晶体管可以响应于栅极导通电压而导通，并且驱动晶体管的漏电极处的电压可以被传输到源电极。因此，即使当驱动频率改变时，通过控制驱动晶体管的源电极处的电压，显示装置也不会经历闪烁和/或重影。

根据本公开的示例性实施例，通过将供应到多个像素的多个信号中的一些信号保持为高速驱动，而将一些其他信号改变为低速驱动，可以降低显示装置的功耗。

应当注意的是，本公开不限于上述方面和特征，并且通过下面的描述，本公开的其他方面和特征对于本领域技术人员将是明显的。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他方面和特征将变得更加明显。

图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的透视图。

图2是图1中所示的显示装置的分解透视图。

图3是示出图1和图2中所示的显示面板的平面图。

图4是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板和显示驱动电路的框图。

图5是示出根据本公开的示例性实施例的子像素的电路图。

图6是供应到图5中所示的子像素的信号的波形图。

图7是示出图5中所示的子像素的示例的平面图。

图8是示出图7中所示的子像素的层中的一些层的平面图。

图9是示出图7中所示的子像素的层中的一些其他层的平面图。

图10是沿图7的线I-I'截取的剖视图。

图11是沿图7的线II-II'截取的剖视图。

图12是沿图7的线III-III'截取的剖视图。

图13是示出图5中所示的子像素的另一示例的平面图。

图14是示出图13中所示的子像素的一些层的平面图。

图15是示出图13中所示的子像素的层中的一些其他层的平面图。

图16是沿图13的线IV-IV'截取的剖视图。

图17是示出图5中所示的子像素的又一示例的平面图。

图18是示出图17中所示的子像素的层中的一些层的平面图。

图19是示出图17中所示的子像素的层中的一些其他层的平面图。

图20是沿图17的线V-V'截取的剖视图。

图21是示出根据本公开的另一示例性实施例的子像素的电路图。

图22是供应到图21中所示的子像素的信号的波形图。

图23是示出根据本公开的又一示例性实施例的子像素的电路图。

图24是示出根据本公开的又一示例性实施例的子像素的电路图。

具体实施方式

在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多细节，以提供对本公开的各种示例性实施例(或实施方式)的彻底的理解。如这里所使用的，“实施例”和“实施方式”是作为采用这里公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，明显的是，可以在没有这些细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下来实施各种示例性实施例。在其他情况下，可以以框图形式示出公知的结构和装置以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。

除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的示例性(即，示例)特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，可以对各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或共同地称作“元件”或“多个元件”)进行另外组合、分离、互换和/或重新布置。

通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用来使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或者直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。

此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(者/种)或更多个(者/种)的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。

虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，可以将下面讨论的第一元件命名为第二元件。

出于描述的目的，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，如此相应地解释这里使用的空间相对描述语。

这里使用的术语是出于描述特定示例实施例的目的，而不意图进行限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如这里所使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和其他类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例应不必被解释为局限于区域的具体示出的形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。以这样的方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图进行限制。

如本领域中惯常的，按照功能块、单元和/或模块来描述并在附图中示出一些示例性实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块通过诸如逻辑电路的电子(或光学)电路、离散组件、微处理器、硬线电路、存储器元件、布线连接等物理地实现，其可以利用基于半导体的制造技术或其他制造技术来形成。在通过微处理器或其他类似的硬件来实现块、单元和/或模块的情况下，可以利用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行这里所讨论的各种功能，并且可以可选地通过固件和/或软件来对它们进行驱动。还预期的是，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件实现，或者作为用于执行某些功能的专用硬件和用于执行其他功能的处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和相关电路)的组合来实现。此外，在不脱离发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以物理地分离成两个或更多个交互的且离散的块、单元和/或模块。此外，在不脱离发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。

除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。

图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的透视图。图2是图1中所示的显示装置的分解透视图。

参照图1和图2，根据本公开的示例性实施例的显示装置10可以包括覆盖窗100、显示面板300、框600、主电路板700和底盖900。

如这里所使用的，术语“在……上方”、“顶部”和“上表面”指显示装置10的上侧(即，由在Z轴方向上的箭头指示的侧)，而术语“在……下方”、“底部”和“下表面”指显示装置10的下侧(即，在Z轴方向上的相反侧)。如这里所使用的，术语“左”侧、“右”侧、“上”侧和“下”侧指当从顶部观看显示装置10时的相对位置。例如，“左侧”指由X轴的箭头指示的相反方向(即-X方向)，“右侧”指由X轴的箭头指示的方向，“上侧”指由Y轴的箭头指示的方向，“下侧”指由Y轴的箭头指示的相反方向(即-Y方向)。

显示装置10被构造为显示视频和/或静止图像。显示装置10可以用作便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板PC、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC))的显示屏以及各种产品(诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网装置)的显示屏。

当从顶部观看时，显示装置10可以具有矩形形状。例如，当如图1和图2中所示从顶部观看时，显示装置10可以呈具有沿第一方向(X轴方向)的较短边和沿第二方向(Y轴方向)的较长边的矩形形状。沿第一方向(X轴方向)的较短边与沿第二方向(Y轴方向)的较长边相交处的拐角中的每个可以以一定曲率(例如，预定曲率)倒圆，或者可以是直角。当从顶部观看时显示装置10的形状不限于矩形形状，并且显示装置10可以形成为另一形状，诸如多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。

显示装置10可以包括平坦形成的第一区域DR1和分别从第一区域DR1的右侧和左侧延伸的第二区域DR2。第二区域DR2可以平坦形成或者可以弯曲。当第二区域DR2平坦形成时，在第一区域DR1与每个第二区域DR2之间形成的角可以是钝角。当第二区域DR2形成为弯曲表面时，它们可以具有恒定曲率或变化曲率。

尽管在图1中第二区域DR2分别从第一区域DR1的左侧和右侧延伸，但是这仅是说明性的。例如，第二区域DR2可以从第一区域DR1的右侧和左侧中的仅一侧延伸。在其他实施例中，第二区域DR2可以从第一区域DR1的上侧和下侧以及左侧和右侧中的至少一侧延伸。在下面的描述中，作为示例，第二区域DR2分别设置在显示装置10的左边缘和右边缘处。

覆盖窗100可以设置在显示面板300上以覆盖显示面板300的上表面。覆盖窗100可以保护显示面板300的上表面。

覆盖窗100可以设置在第一区域DR1和第二区域DR2中。覆盖窗100可以包括覆盖显示面板300的第一透射部分DA1和第二透射部分DA2以及覆盖除了显示面板300之外的部分的非透射部分NDA，其中，第一透射部分DA1和第二透射部分DA2可以统称为透射部分DA。第二透射部分DA2可以设置在第一透射部分DA1的一侧上，例如，如图1和图2中所示设置在上侧上。第一透射部分DA1和第二透射部分DA2可以设置在第一区域DR1和第二区域DR2中。非透射部分NDA可以是不透明的。在其他实施例中，非透射部分NDA可以形成为装饰层，该装饰层具有当不显示图像时可以向用户显示(例如，对用户可见)的图案。

显示面板300可以设置在覆盖窗100下面。显示面板300可以设置在第一区域DR1和第二区域DR2中。因此，通过覆盖窗100不仅可以在第一区域DR1中而且可以在第二区域DR2中看到由显示面板300显示的图像。例如，可以通过覆盖窗100从显示装置10的上表面以及左边缘和右边缘看到由显示面板300显示的图像。

显示面板300可以是包括发光元件的发光显示面板。例如，显示面板300可以是包括具有有机发射层的有机发光二极管的有机发光显示面板、包括微型LED的微型发光二极管显示面板、包括具有量子点发射层的量子点发光二极管的量子点发光显示面板或者包括包含无机半导体的无机发光元件的无机发光显示面板。在下面的描述中，作为示例，显示面板300被描述为有机发光显示面板。

显示面板300可以包括主区域MA和从主区域MA的一侧突出的突出区域PA。

主区域MA可以具有普通区域MDA、传感器区域SDA和非显示区域NDA。

普通区域MDA可以设置为与覆盖窗100的第一透射部分DA1叠置。传感器区域SDA可以设置为与覆盖窗100的第二透射部分DA2叠置。传感器区域SDA可以设置在普通区域MDA的一侧上，例如，如图2中所示设置在上侧上，但不限于此。作为另一示例，传感器区域SDA可以设置为被普通区域MDA围绕(例如，被普通区域MDA沿着外围围绕)并且/或者可以设置为与显示面板300的拐角相邻。另外，尽管在图2中所示的示例中显示面板300包括一个传感器区域SDA，但是这仅是说明性的。例如，显示面板300可以包括多个传感器区域SDA。

普通区域MDA和传感器区域SDA中的每个可以包括多个像素、连接到多个像素的扫描线和数据线以及电源线。在下文中，像素也可以称为子像素。

非显示区域NDA可以被限定为显示面板300的边缘区域。非显示区域NDA可以包括用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器以及将数据线与显示驱动电路310连接的链接线。

突出区域PA可以从主区域MA的一侧突出。在图2中所示的示例中，突出区域PA可以从主区域MA的下侧突出。例如，突出区域PA在第一方向(X轴方向)上的长度可以小于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度。

突出区域PA可以包括弯曲区域和垫(pad，或称为“焊盘”)区域。垫区域可以设置在弯曲区域的一侧上，并且主区域MA可以设置在弯曲区域的相对侧上。例如，垫区域可以设置在弯曲区域的下侧上，并且主区域MA可以设置在弯曲区域的上侧上。

显示面板300(例如，突出区域PA)可以形成为柔性的，使得其可以弯折、弯曲、折叠或卷曲。例如，显示面板300(例如，突出区域PA)可以沿厚度方向(Z轴方向)在弯曲区域处弯曲。

显示面板300可以包括显示驱动电路310、电路板320、电源(单元)330和触摸驱动电路340。

显示驱动电路310可以输出用于驱动显示面板300的信号和电压。例如，显示驱动电路310可以向数据线施加数据电压。另外，显示驱动电路310可以向电源线施加驱动电压，并且可以向扫描驱动器施加扫描控制信号。

电路板320可以通过使用各向异性导电膜(ACF)附着到垫。另外，电路板320的引线可以电连接到显示面板300的垫。例如，电路板320可以是柔性印刷电路板(FPCB)、印刷电路板(PCB)或柔性膜，诸如膜上芯片(COF)。

电源330可以设置在电路板320上，以向显示驱动电路310和显示面板300施加驱动电压。例如，电源330可以产生驱动电压以施加到驱动电压线，并且可以产生低电平电压以施加到子像素中的每个的发光元件的阴极电极。例如，驱动电压可以是用于驱动发光元件(例如，有机发光二极管)的高电平电压，并且低电平电压可以是用于驱动有机发光二极管的低电平电压。

触摸驱动电路340可以设置在电路板320上以测量触摸电极的电容。例如，触摸驱动电路340可以基于触摸电极的电容的变化来确定是否存在用户的触摸以及用户的触摸的位置(如果存在)。如这里所使用的，用户的触摸指对象(诸如用户的手指或笔)在设置有触摸感测层的位置处接触显示装置10的表面。触摸驱动电路340可以通过将触摸电极中的发生用户的触摸的一些触摸电极与其他触摸电极区分开来确定用户的触摸的位置。

框600可以设置在显示面板300下面。框600可以包括塑料、金属或其组合。例如，框600可以包括第一相机传感器720插入其中的第一相机开口(例如，第一相机孔)CMH1、电池790设置在其中的电池开口(例如，电池孔)BH、连接到显示驱动电路310或电路板320的电缆穿过其的电缆开口(例如，电缆孔)CAH以及传感器器件740、750、760和770设置在其中的传感器开口(例如，传感器孔)SH。作为另一示例，框600可以不包括传感器开口SH，并且可以不与显示面板300的传感器区域SDA叠置。

主电路板700和电池790可以设置在框600下面。主电路板700可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板。

主电路板700可以包括主处理器710、第一相机传感器720、主连接器730和传感器器件740、750、760和770。第一相机传感器720可以设置在主电路板700的上表面和下表面两者上，主处理器710可以设置在主电路板700的上表面上，主连接器730可以设置在主电路板700的下表面上。传感器器件740、750、760和770可以设置在主电路板700的上表面上。

主处理器710可以控制显示装置10的所有的(或基本上所有的)功能。例如，主处理器710可以将数字视频数据施加到显示驱动电路310，使得显示面板300显示图像。主处理器710可以从触摸驱动电路340接收触摸数据以确定用户的触摸的坐标，然后可以执行由在用户的触摸的坐标处显示的图标指示的应用。

主处理器710可以基于从传感器器件740、750、760和770输入的传感器信号来控制显示装置10。例如，主处理器710可以基于从接近传感器740输入的接近传感器信号来确定对象是否位于显示装置10的上表面附近。在通话模式下，即使对象接近显示装置10的上表面使得进行了用户的触摸，主处理器710也可以不执行由在用户的触摸的坐标处显示的图标指示的应用。

主处理器710可以根据从照度传感器750输入的照度传感器信号来确定显示装置10的上表面的亮度。主处理器710可以根据显示装置10的上表面的亮度来调节由显示面板300显示的图像的亮度。

主处理器710可以基于从虹膜传感器760输入的虹膜传感器信号来确定用户的虹膜图像是否与先前存储在存储器中的虹膜图像相同。当确定用户的虹膜图像与先前存储在存储器中的虹膜图像相同(或基本上相同)时，主处理器710可以解锁显示装置10以在显示面板300上显示主屏幕。

第一相机传感器720可以处理图像帧(诸如由图像传感器获得的静止图像和视频)，并且可以将它们输出到主处理器710。例如，第一相机传感器720可以是但不限于CMOS图像传感器或CCD传感器。第一相机传感器720可以通过第二相机开口(例如，第二相机孔)CMH2暴露于底盖900的下表面，并且可以拍摄显示装置10下面的对象或背景。

已经穿过框600的电缆开口CAH的电缆可以连接到主连接器730。因此，主电路板700可以电连接到显示驱动电路310和/或电路板320。

传感器器件可以包括接近传感器740、照度传感器750、虹膜传感器760和第二相机传感器770。

接近传感器740可以检测对象是否接近显示装置10的上表面。例如，接近传感器740可以包括输出光的光源和接收由对象反射的光的光接收器。接近传感器740被构造为基于由对象反射的光的量来确定是否存在接近显示装置10的上表面的对象。接近传感器740在显示面板300的厚度方向(Z轴方向)上与传感器开口SH、显示面板300的传感器区域SDA和覆盖窗100的第二透射部分DA2叠置。因此，当存在接近显示装置10的上表面的对象时，可以产生接近传感器信号并将其输出到主处理器710。

照度传感器750被构造为检测显示装置10的上表面的亮度。照度传感器750可以包括电阻器，电阻器的电阻根据入射光的亮度而改变。照度传感器750可以基于电阻器的电阻来确定显示装置10的上表面的亮度。照度传感器750在显示面板300的厚度方向(Z轴方向)上与传感器开口SH、显示面板300的传感器区域SDA和覆盖窗100的第二透射部分DA2叠置。因此，可以根据显示装置10的上表面的亮度来产生照度传感器信号并将其输出到主处理器710。

虹膜传感器760被构造为确定所拍摄的用户的虹膜的图像是否与先前存储在存储器中的虹膜图像相同(或基本上相同)。虹膜传感器760可以根据用户的虹膜的图像是否与先前存储在存储器中的虹膜图像相同而产生虹膜传感器信号并将虹膜传感器信号输出到主处理器710。

第二相机传感器770可以处理图像帧(诸如由图像传感器获得的静止图像和视频)，并且可以将它们输出到主处理器710。例如，第二相机传感器770可以是但不限于CMOS图像传感器或CCD传感器。第二相机传感器770的像素的数量可以小于第一相机传感器720的像素的数量，并且第二相机传感器770的尺寸可以小于第一相机传感器720的尺寸。第二相机传感器770在显示面板300的厚度方向(Z轴方向)上与传感器开口SH、显示面板300的传感器区域SDA和覆盖窗100的第二透射部分DA2叠置。因此，第二相机传感器770可以拍摄显示装置10上方的对象或背景。

电池790可以设置为使得其在第三方向(Z轴方向)上不与主电路板700叠置。电池790可以与框600的电池开口BH叠置。

主电路板700还可以包括移动通信模块，移动通信模块被配置为通过移动通信网络向基站、外部终端和服务器中的至少一个发送无线信号/从基站、外部终端和服务器中的至少一个接收无线信号。根据语音信号、视频通话信号或文本/多媒体消息发送/接收，无线信号可以包括各种类型(或种类)的数据。

底盖900可以设置在主电路板700和电池790下面。底盖900可以紧固并固定到框600。底盖900可以形成显示装置10的下表面的外观。底盖900可以由塑料、金属或其组合制成。

底盖900可以包括第一相机传感器720的下表面经由其暴露的第二相机开口CMH2。第一相机传感器720的位置以及与第一相机传感器720对应的第一相机开口CMH1和第二相机开口CMH2的位置不限于根据图2中示出的示例性实施例的位置。

图3是示出图1和图2中所示的显示面板的平面图，图4是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板和显示驱动电路的框图。

参照图3和图4，显示面板300可以包括普通区域MDA、传感器区域SDA和非显示区域NDA。

普通区域MDA可以包括第一子像素SP1、连接到第一子像素SP1的驱动电压线VDDL、扫描线GL、发射控制线EML和数据线DL。

每个第一子像素SP1可以连接到至少一条扫描线GL、至少一条数据线DL、至少一条发射控制线EML和至少一条驱动电压线VDDL。虽然在图3和图4中所示的示例中每个第一子像素SP1被示出为连接到两条扫描线GL、一条数据线DL、一条发射控制线EML和一条驱动电压线VDDL，但是本公开不限于此。例如，每个第一子像素SP1可以连接到三条或更多条扫描线GL。

每个第一子像素SP1可以包括驱动晶体管、开关晶体管、发光元件和电容器。

第一子像素SP1可以通过驱动电压线VDDL接收驱动电压。驱动电压可以是用于驱动第一子像素SP1的发光元件的高电平电压。

扫描线GL和发射控制线EML可以在第一方向(X轴方向)上延伸，并且可以在与第一方向(X轴方向)交叉(例如，垂直)的第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开。

数据线DL可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(X轴方向)上彼此间隔开。

传感器区域SDA可以包括第二子像素SP2、连接到第二子像素SP2的驱动电压线VDDL、扫描线GL、发射控制线EML和数据线DL。

每个第二子像素SP2可以连接到至少一条扫描线GL、至少一条数据线DL、至少一条发射控制线EML和至少一条驱动电压线VDDL。虽然在图3和图4中所示的示例中每个第二子像素SP2被示出为连接到两条扫描线GL、一条数据线DL、一条发射控制线EML和一条驱动电压线VDDL，但是本公开不限于此。例如，每个第二子像素SP2可以连接到三条或更多条扫描线GL。

每个第二子像素SP2可以包括驱动晶体管、开关晶体管、发光元件和电容器。

第二子像素SP2可以通过驱动电压线VDDL接收驱动电压。驱动电压可以是用于驱动第二子像素SP2的发光元件的高电平电压。

例如，普通区域MDA中每单位面积的第一子像素SP1的数量可以大于传感器区域SDA中每单位面积的第二子像素SP2的数量。普通区域MDA用于显示图像，这是显示装置10的主要功能，并且第一子像素SP1可以密集地布置在普通区域MDA中。传感器区域SDA可以包括其中设置有第二子像素SP2的像素区域和透射光的透射区域。因此，随着传感器区域SDA的透射区域的面积增加，每单位面积的第二子像素SP2的数量可以小于每单位面积的第一子像素SP1的数量。

非显示区域NDA可以被限定为显示面板300的除了普通区域MDA和传感器区域SDA之外的剩余区域。非显示区域NDA可以包括用于将扫描信号施加到扫描线GL的扫描驱动器410、将数据线DL与显示驱动电路310连接的扇出线FL以及连接到电路板320的垫DP。显示驱动电路310和垫DP可以设置在显示面板300的垫区域中。垫DP可以设置为比显示驱动电路310靠近垫区域的一个边缘。

如图4中所示，显示驱动电路310可以包括时序控制器311和数据驱动器312。

时序控制器311可以从电路板320接收数字视频数据DATA和时序信号。基于时序信号，时序控制器311可以产生扫描控制信号SCS以控制扫描驱动器410的操作时序，可以产生发射控制信号ECS以控制发射控制驱动器420的操作时序，并且可以产生数据控制信号DCS以控制数据驱动器312的操作时序。时序控制器311可以通过第一扫描控制线SCL1将扫描控制信号SCS输出到扫描驱动器410。时序控制器311可以通过第二扫描控制线SCL2将发射控制信号ECS输出到发射控制驱动器420。时序控制器311可以将数字视频数据DATA和数据控制信号DCS输出到数据驱动器312。

数据驱动器312可以将数字视频数据DATA转换成模拟正/负数据电压，并且可以通过扇出线FL将它们供应到数据线DL。扫描驱动器410的扫描信号可以用于选择施加有数据电压的子像素SP1和SP2，并且所选择的子像素SP1和SP2可以通过数据线DL接收数据电压。

在图3中，扫描驱动器410可以设置在普通区域MDA和传感器区域SDA的外侧上或者设置在非显示区域NDA的一侧上。发射控制驱动器420可以设置在普通区域MDA和传感器区域SDA的另一外侧上或者设置在非显示区域NDA的相对侧上。对于另一示例，扫描驱动器410和发射控制驱动器420两者可以设置在普通区域MDA和传感器区域SDA的外侧上。

扫描驱动器410可以包括用于基于扫描控制信号SCS产生扫描信号的多个薄膜晶体管，并且发射控制驱动器420可以包括用于基于发射控制信号ECS产生发射信号的多个薄膜晶体管。例如，扫描驱动器410的薄膜晶体管和发射控制驱动器420的薄膜晶体管可以与第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每个的薄膜晶体管形成在同一层上。

图5是示出根据本公开的示例性实施例的子像素的电路图，图6是供应到图5中所示的子像素的信号的波形图。图5中示出的子像素可以是图3和图4中示出的第一子像素SP1或第二子像素SP2。

参照图5和图6，显示面板300可以包括沿着p个行和q个列布置的多个子像素，其中p和q是自然数。设置在第n行第m列中的子像素可以连接到第一扫描线GLa(n)、第二扫描线GLb(n)和第三扫描线GLc(n)、发射控制线EML(n)、数据线DL、驱动电压线VDDL以及第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2，其中n是等于或小于p的自然数，m是等于或小于q的自然数。例如，发射控制线EML(n)可以包括第一发射控制线和第二发射控制线。第一发射控制线可以将发射信号EM(n)供应到第二晶体管ST2和第三晶体管ST3，第二晶体管ST2和第三晶体管ST3均包括包含第一材料(或由第一材料制成)的有源层，并且第二发射控制线可以将发射信号EM(n)供应到第四晶体管ST4，第四晶体管ST4包括包含不同于第一材料的第二材料(或由不同于第一材料的第二材料制成)的有源层。第二晶体管ST2和第三晶体管ST3可以在第一电压电平的发射信号EM(n)下导通，第四晶体管ST4可以在比第一电压电平高的第二电压电平的发射信号EM(n)下导通。

子像素可以包括驱动晶体管DT、发光元件EL、多个开关元件以及第一电容器C1和第二电容器C2。开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6。

驱动晶体管DT可以包括栅电极、源电极和漏电极。驱动晶体管DT可以根据施加到栅电极的数据电压来控制源漏电流Isd(在下文中，称为“驱动电流”)。流过驱动晶体管DT的沟道的驱动电流Isd可以与驱动晶体管DT的阈值电压Vth同驱动晶体管DT的源电极和栅电极之间的电压Vsg之间的差的平方成比例(Isd＝k'×(Vsg-Vth)²)，其中k'表示由驱动晶体管DT的结构和物理性质确定的比例系数，Vsg表示驱动晶体管DT的源栅电压，Vth表示驱动晶体管DT的阈值电压。

发光元件EL可以接收驱动电流以发光。从发光元件EL发射的光的量或亮度可以与驱动电流的大小成比例。

发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极和设置在阳极电极与阴极电极之间的有机发射层的有机发光二极管。在其他实施例中，发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。在其他实施例中，发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极与阴极电极之间的量子点发射层的量子点发光元件。在其他实施例中，发光元件EL可以为微型发光二极管。

发光元件EL的阳极电极可以连接到第三节点N3。发光元件EL的阳极电极可以通过第三节点N3连接到第三晶体管ST3的漏电极和第四晶体管ST4的源电极。发光元件EL的阴极电极可以连接到低电平线VSSL。寄生电容Cel可以形成在发光元件EL的阳极电极与阴极电极之间。

第一晶体管ST1可以由第三扫描线GLc(n)的第三扫描信号Gc(n)导通，并且可以将数据线DL与第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)连接。第一晶体管ST1可以基于第三扫描信号Gc(n)导通，从而将数据电压施加到第一节点N1。第一晶体管ST1的栅电极可以连接到第三扫描线GLc(n)，其源电极可以连接到数据线DL，并且其漏电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管ST1的漏电极可以通过第一节点N1电连接到驱动晶体管DT的源电极、第二晶体管ST2的漏电极和第一电容器C1的第二电极。

第二晶体管ST2可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，并且可以将驱动电压线VDDL与第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)连接。第二晶体管ST2的栅电极可以连接到发射控制线EML(n)，其源电极可以连接到驱动电压线VDDL，并且其漏电极可以连接到第一节点N1。第二晶体管ST2的漏电极可以通过第一节点N1电连接到驱动晶体管DT的源电极、第一晶体管ST1的漏电极和第一电容器C1的第二电极。

第三晶体管ST3可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，以将第二节点N2(即，驱动晶体管DT的漏电极)与第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)连接。第三晶体管ST3的栅电极可以连接到发射控制线EML(n)，其源电极可以连接到第二节点N2，并且其漏电极可以连接到第三节点N3。第三晶体管ST3的源电极可以通过第二节点N2连接到驱动晶体管DT的漏电极和第六晶体管ST6的漏电极。第三晶体管ST3的漏电极可以通过第三节点N3连接到发光元件EL的阳极电极和第四晶体管ST4的源电极。

当第二晶体管ST2、驱动晶体管DT和第三晶体管ST3全部导通时，驱动电流可以供应到发光元件EL。

第四晶体管ST4可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，以将第一初始化电压线VIL1与第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)连接。第四晶体管ST4可以基于发射信号EM(n)导通，从而将发光元件EL的阳极电极放电至第一初始化电压。第四晶体管ST4的栅电极可以连接到发射控制线EML(n)，其漏电极可以连接到第一初始化电压线VIL1，并且其源电极可以连接到第三节点N3。第四晶体管ST4的源电极可以通过第三节点N3连接到发光元件EL的阳极电极和第三晶体管ST3的漏电极。

第五晶体管ST5可以由第一扫描线GLa(n)的第一扫描信号Ga(n)导通，并且可以将第二初始化电压线VIL2与第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)连接。第五晶体管ST5可以基于第一扫描信号Ga(n)导通，从而将驱动晶体管DT的栅电极放电至第二初始化电压。第五晶体管ST5的栅电极可以连接到第一扫描线GLa(n)，其漏电极可以连接到第二初始化电压线VIL2，并且其源电极可以连接到第四节点N4。第五晶体管ST5的源电极可以通过第四节点N4连接到驱动晶体管DT的栅电极、第六晶体管ST6的源电极和第二电容器C2的第一电极。

第六晶体管ST6可以由第二扫描线GLb(n)的第二扫描信号Gb(n)导通，以将第二节点N2(即，驱动晶体管DT的漏电极)与第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)连接。第六晶体管ST6的栅电极可以连接到第二扫描线GLb(n)，其漏电极可以连接到第二节点N2，并且其源电极可以连接到第四节点N4。第六晶体管ST6的漏电极可以通过第二节点N2连接到驱动晶体管DT的漏电极和第三晶体管ST3的源电极。第六晶体管ST6的源电极可以通过第四节点N4电连接到驱动晶体管DT的栅电极、第五晶体管ST5的源电极和第二电容器C2的第一电极。

驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2和第三晶体管ST3中的每个可以包括硅基有源层。例如，驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2和第三晶体管ST3中的每个可以包括包含低温多晶硅(LTPS)(或由低温多晶硅(LTPS)制成)的有源层。由低温多晶硅制成的有源层可以具有高电子迁移率和优异的导通特性。因此，显示装置10包括具有优异的导通特性的驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2和第三晶体管ST3，使得多个子像素可以被稳定且有效地驱动。

驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2和第三晶体管ST3中的每个可以是p型晶体管。例如，驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2和第三晶体管ST3中的每个可以基于施加到栅电极的栅极低电压将流入到源电极的电流输出到漏电极。

第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以包括氧化物基有源层。例如，第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以具有其中栅电极设置在氧化物基有源层上方的共面结构。具有这种共面结构的晶体管具有优异的漏电流特性，并且允许低频驱动，从而降低功耗。因此，显示装置10包括具有优异的漏电流特性的第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6，使得可以防止漏电流在子像素内部流动并且保持子像素内部的电压稳定。

第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以是n型晶体管。例如，第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以基于施加到栅电极的栅极高电压将流入到源电极的电流输出到漏电极。

第一电容器C1可以连接在发射控制线EML(n)与第一节点N1之间。例如，第一电容器C1的第一电极可以连接到发射控制线EML(n)，并且第一电容器C1的第二电极可以连接到第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)。第一电容器C1存储发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极之间的电压差，使得驱动晶体管DT的源电极可以控制电压。

第一电容器C1可以使用发射信号EM(n)的栅极截止电压耦合驱动晶体管DT的源电极。例如，当从发射控制线EML(n)提供的发射信号EM(n)上升时，第一电容器C1可以升高第一节点N1处的电压，并且当发射信号EM(n)下降时，第一电容器C1可以降低第一节点N1处的电压。因此，第一电容器C1可以与发射信号EM(n)的上升沿或下降沿同步地控制驱动晶体管DT的源电极处的电压。

第二电容器C2可以连接在第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)与驱动电压线VDDL之间。例如，第二电容器C2的第一电极连接到第四节点N4，并且第二电容器C2的第二电极连接到驱动电压线VDDL，使得驱动电压线VDDL与驱动晶体管DT的栅电极之间的电势差由第二电容器C2保持(或存储)。

在图6中，可以根据驱动频率(例如，预定驱动频率)来驱动多个子像素。多个子像素可以在高速驱动模式下显示相对快地改变(例如，刷新)的图像，并且可以在低速驱动模式下显示相对慢地改变(例如，刷新)的图像。这里，将理解的是，高速驱动模式和低速驱动模式是相对表述，高速驱动模式和低速驱动模式中的每个的驱动频率不限于特定值。

当显示装置10被开启或被驱动时，显示装置10可以改变驱动频率。例如，显示装置10可以基于240Hz驱动频率将多个扫描信号供应到多个子像素。在这种情况下，扫描驱动器410可以通过第一扫描线至第三扫描线GLa(n)、GLb(n)和GLc(n)分别将具有240Hz的驱动频率的第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)供应到多个像素，并且发射控制驱动器420可以通过发射控制线EML(n)将具有240Hz的驱动频率的发射信号EM(n)施加到多个像素。

例如，显示装置10可以将240Hz驱动频率改变为120Hz驱动频率。在这种情况下，发射控制驱动器420可以通过发射控制线EML(n)将具有240Hz的驱动频率的发射信号EM(n)供应到多个像素，并且扫描驱动器410可以通过第一扫描线至第三扫描线GLa(n)、GLb(n)和GLc(n)将具有120Hz的驱动频率的第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)供应到多个像素。

当显示装置10从240Hz驱动频率改变为120Hz驱动频率时，发射信号EM(n)仍然可以具有根据240Hz驱动频率的栅极导通电压和栅极截止电压。例如，发射信号EM(n)可以在第一帧周期Frame1和第二帧周期Frame2中的每个中具有栅极导通电压和栅极截止电压。

另外，当显示装置10从240Hz驱动频率改变为120Hz驱动频率时，第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)中的每个可以具有根据120Hz的驱动频率的栅极导通电压和栅极截止电压。例如，第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)中的每个可以在第一帧周期Frame1中具有栅极导通电压和栅极截止电压，但是可以在第二帧周期Frame2中保持栅极截止电压。

作为另一示例，显示装置10可以从240Hz驱动频率改变为80Hz驱动频率。在这种情况下，发射控制驱动器420可以通过发射控制线EML(n)将具有240Hz的驱动频率的发射信号EM(n)供应到多个像素，并且扫描驱动器410可以通过第一扫描线至第三扫描线GLa(n)、GLb(n)和GLc(n)将具有80Hz的驱动频率的第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)供应到多个像素。

因此，通过将供应到多个像素的多个信号中的需要高速驱动的一些信号保持在高速驱动，同时将一些其他信号改变为低速驱动，可以降低显示装置10的功耗。

结合图5来参照图6，当以120Hz驱动频率驱动显示装置10时，发射信号EM(n)可以在第一帧周期Frame1和第二帧周期Frame2中的每个中具有栅极导通电压和栅极截止电压，第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)中的每个可以在第一帧周期Frame1中具有栅极导通电压和栅极截止电压，并且可以在第二帧周期Frame2中保持栅极截止电压。因此，当显示装置10从240Hz驱动频率改变为120Hz驱动频率时，发射信号EM(n)仍然可以以240Hz的驱动频率驱动，第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)可以以120Hz的驱动频率驱动。

当以120Hz驱动频率驱动显示装置10时，第一帧周期Frame1可以包括第一时段t1至第四时段t4。

第四晶体管ST4可以在第一时段t1期间接收处于高电平的发射信号EM(n)。第四晶体管ST4可以基于处于高电平的发射信号EM(n)而导通，并且可以将第一初始化电压(在下文中，称为“VI1”)施加到第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)。因此，第四晶体管ST4可以在第一时段t1期间使发光元件EL的阳极电极初始化。

第五晶体管ST5可以在第二时段t2期间接收处于高电平的第一扫描信号Ga(n)。第五晶体管ST5可以基于处于高电平的第一扫描信号Ga(n)而导通，并且可以将第二初始化电压(在下文中，称为“VI2”)施加到第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)。因此，第五晶体管ST5可以在第二时段t2期间使驱动晶体管DT的栅电极初始化。

第六晶体管ST6可以在第三时段t3期间接收处于高电平的第二扫描信号Gb(n)。第六晶体管ST6可以基于处于高电平的第二扫描信号Gb(n)而导通，并且可以将第二节点N2与第四节点N4连接。

第一晶体管ST1可以在第四时段t4期间接收处于低电平的第三扫描信号Gc(n)。第一晶体管ST1可以基于处于低电平的第三扫描信号Gc(n)而导通，并且可以将数据电压(在下文中，称为“Vdata”)施加到第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)。

当驱动晶体管DT的源电极接收数据电压Vdata时，驱动晶体管DT的源栅电压Vsg可以等于(或基本上等于)数据电压Vdata与第二初始化电压VI2之间的电压差(Vdata-VI2)，并且源栅电压Vsg变得大于阈值电压(在下文中，称为“Vth”)(Vdata-VI2>Vth)，因此，驱动晶体管DT可以导通。因此，在第四时段t4中驱动晶体管DT导通的时刻，可以基于数据电压Vdata、第二初始化电压VI2和驱动晶体管DT的阈值电压Vth来确定驱动晶体管DT的源漏电流Isd(Isd＝k×(Vdata-VI2-Vth)²)。驱动晶体管DT可以将源漏电流Isd供应到第二节点N2，直到源栅电压Vsg达到驱动晶体管DT的阈值电压Vth。第六晶体管ST6可以在第三时段t3期间导通，以将第二节点N2处的电压供应到第四节点N4。以这种方式，在驱动晶体管DT导通的同时，第四节点N4处的电压和驱动晶体管DT的源漏电流Isd可以改变，并且第四节点N4处的电压可以最终收敛到数据电压Vdata与驱动晶体管DT的阈值电压Vth之间的电压差Vdata-Vth。

当发射信号EM(n)从低电平转变到高电平时，第一电容器C1可以耦合驱动晶体管DT的源电极。例如，当从发射控制线EML(n)提供的发射信号EM(n)上升时，第一电容器C1可以升高第一节点N1处的电压。因此，第一电容器C1与发射信号EM(n)的上升沿同步地控制驱动晶体管DT的源电极处的电压。因此，即使当驱动频率改变时，显示装置10也可以通过控制驱动晶体管DT的源电极处的电压来防止(或基本上防止)闪烁和/或重影。

在第二帧周期Frame2期间，发射信号EM(n)可以具有栅极导通电压和栅极截止电压。当发射信号EM(n)具有高电平时，第四晶体管ST4可以导通以使发光元件EL的阳极电极初始化，并且第二晶体管ST2和第三晶体管ST3可以截止。当发射信号EM(n)具有低电平时，第四晶体管ST4可以截止，而第二晶体管ST2和第三晶体管ST3可以导通，以将驱动电流供应到发光元件EL。

第一扫描信号至第三扫描信号Ga(n)、Gb(n)和Gc(n)中的每个可以在第二帧周期Frame2期间保持栅极截止电压。第一扫描信号Ga(n)和第二扫描信号Gb(n)可以具有低电平，第三扫描信号Gc(n)可以具有高电平。因此，第一晶体管ST1、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6可以截止。

图7是示出图5中所示的子像素的示例的平面图，图8是示出图7中所示的子像素的层中的一些层的平面图，图9是示出图7中所示的子像素的层中的一些其他层的平面图。图7示出了根据本公开的实施例的第一有源层、第一栅极层、第二栅极层、第二有源层、第三栅极层、第一源漏层和第二源漏层的按照该顺序的堆叠，图8示出了第一有源层、第一栅极层和第二栅极层的按照该顺序的堆叠，图9示出了第二有源层、第三栅极层、第一源漏层和第二源漏层的按照该顺序的堆叠。将参照图10至图12详细描述图7至图9中所示的层的堆叠关系。

驱动晶体管DT可以包括有源层DT_ACT、栅电极DT_G、源电极DT_S和漏电极DT_D。驱动晶体管DT的有源层DT_ACT可以与驱动晶体管DT的栅电极DT_G叠置。例如，驱动晶体管DT的有源层DT_ACT可以由低温多晶硅(LTPS)制成。

驱动晶体管DT的栅电极DT_G可以通过第九接触开口(例如，第九接触孔)CNT9连接到第五连接电极BE5，并且第五连接电极BE5可以通过第十六接触开口(例如，第十六接触孔)CNT16连接到第五晶体管ST5的源电极S5和第六晶体管ST6的源电极S6。驱动晶体管DT的栅电极DT_G的与第二电容器C2的第二电极CE22叠置的部分可以是第二电容器C2的第一电极CE21。

驱动晶体管DT的源电极DT_S可以连接到第一晶体管ST1的漏电极D1和第二晶体管ST2的漏电极D2。驱动晶体管DT的源电极DT_S可以通过第二接触开口(例如，第二接触孔)CNT2连接到第一连接电极BE1，并且第一连接电极BE1可以通过第一接触开口(例如，第一接触孔)CNT1连接到第一电容器C1的第二电极CE12。

驱动晶体管DT的漏电极DT_D可以连接到第三晶体管ST3的源电极S3。驱动晶体管DT的漏电极DT_D可以通过第十八接触开口(例如，第十八接触孔)CNT18连接到第八连接电极BE8，并且第八连接电极BE8可以通过第十七接触开口(例如，第十七接触孔)CNT17连接到第六晶体管ST6的漏电极D6。

第一晶体管ST1可以包括有源层ACT1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1。第一晶体管ST1的有源层ACT1可以与第一晶体管ST1的栅电极G1叠置。例如，第一晶体管ST1的有源层ACT1可以由低温多晶硅(LTPS)制成。第一晶体管ST1的栅电极G1可以是第三扫描线GLc(n)的与有源层ACT1叠置的部分。

第一晶体管ST1的源电极S1可以通过第十二接触开口(例如，第十二接触孔)CNT12连接到第七连接电极BE7，并且第七连接电极BE7可以通过第十三接触开口(例如，第十三接触孔)CNT13连接到数据线DL。

第一晶体管ST1的漏电极D1可以连接到驱动晶体管DT的源电极DT_S和第二晶体管ST2的漏电极D2。第一晶体管ST1的漏电极D1可以通过第二接触开口CNT2连接到第一连接电极BE1，并且第一连接电极BE1可以通过第一接触开口CNT1连接到第一电容器C1的第二电极CE12。

第二晶体管ST2可以包括有源层ACT2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。第二晶体管ST2的有源层ACT2可以与第二晶体管ST2的栅电极G2叠置。例如，第二晶体管ST2的有源层ACT2可以由低温多晶硅(LTPS)制成。第二晶体管ST2的栅电极G2可以是第一发射控制线EML1(n)的与有源层ACT2叠置的部分。

第二晶体管ST2的源电极S2可以通过第七接触开口(例如，第七接触孔)CNT7连接到第四连接电极BE4，并且第四连接电极BE4可以通过第八接触开口(例如，第八接触孔)CNT8连接到驱动电压线VDDL。另外，第四连接电极BE4可以通过第六接触开口(例如，第六接触孔)CNT6连接到第二电容器C2的第二电极CE22。

第二晶体管ST2的漏电极D2可以连接到驱动晶体管DT的源电极DT_S和第一晶体管ST1的漏电极D1。第二晶体管ST2的漏电极D2可以通过第二接触开口CNT2连接到第一连接电极BE1，并且第一连接电极BE1可以通过第一接触开口CNT1连接到第一电容器C1的第二电极CE12。

第三晶体管ST3可以包括有源层ACT3、栅电极G3、源电极S3和漏电极D3。第三晶体管ST3的有源层ACT3可以与第三晶体管ST3的栅电极G3叠置。例如，第三晶体管ST3的有源层ACT3可以由低温多晶硅(LTPS)制成。第三晶体管ST3的栅电极G3可以是第一发射控制线EML1(n)的与有源层ACT3叠置的部分。

第三晶体管ST3的源电极S3可以连接到驱动晶体管DT的漏电极DT_D。第三晶体管ST3的源电极S3可以通过第十八接触开口CNT18连接到第八连接电极BE8，第八连接电极BE8可以通过第十七接触开口CNT17连接到第六晶体管ST6的漏电极D6。

第三晶体管ST3的漏电极D3可以通过第十接触开口(例如，第十接触孔)CNT10连接到第六连接电极BE6。第六连接电极BE6可以通过第十四接触开口(例如，第十四接触孔)CNT14连接到第一阳极连接电极ANDE1，并且第一阳极连接电极ANDE1可以通过第二阳极连接电极ANDE2连接到发光元件EL的阳极电极。第六连接电极BE6可以通过第十一接触开口(例如，第十一接触孔)CNT11连接到第四晶体管ST4的源电极S4。

第四晶体管ST4可以包括有源层ACT4、栅电极G4、漏电极D4和源电极S4。第四晶体管ST4的有源层ACT4可以与第四晶体管ST4的栅电极G4叠置。例如，第四晶体管ST4的有源层ACT4可以包括氧化物基有源层。第四晶体管ST4的栅电极G4可以是第二发射控制线EML2(n)的与有源层ACT4叠置的部分。

第四晶体管ST4的漏电极D4可以连接到第一初始化电压线VIL1以接收第一初始化电压VI1。

第四晶体管ST4的源电极S4可以通过第十一接触开口CNT11连接到第六连接电极BE6。第六连接电极BE6可以通过第十接触开口CNT10连接到第三晶体管ST3的漏电极D3，并且通过第十四接触开口CNT14连接到第一阳极连接电极ANDE1。

第五晶体管ST5可以包括有源层ACT5、栅电极G5、漏电极D5和源电极S5。第五晶体管ST5的有源层ACT5可以与第五晶体管ST5的栅电极G5叠置。例如，第五晶体管ST5的有源层ACT5可以包括氧化物基有源层。第五晶体管ST5的栅电极G5可以是第一扫描线GLa(n)的与有源层ACT5叠置的部分。

第五晶体管ST5的漏电极D5可以通过第十五接触开口(例如，第十五接触孔)CNT15连接到第二初始化电压线VIL2，以接收第二初始化电压VI2。

第五晶体管ST5的源电极S5可以连接到第六晶体管ST6的源电极S6。第五晶体管ST5的源电极S5可以通过第十六接触开口CNT16连接到第五连接电极BE5，第五连接电极BE5可以通过第九接触开口CNT9连接到驱动晶体管DT的栅电极DT_G。驱动晶体管DT的栅电极DT_G的与第二电容器C2的第二电极CE22叠置的部分可以是第二电容器C2的第一电极CE21。

第六晶体管ST6可以包括有源层ACT6、栅电极G6、漏电极D6和源电极S6。第六晶体管ST6的有源层ACT6可以与第六晶体管ST6的栅电极G6叠置。例如，第六晶体管ST6的有源层ACT6可以包括氧化物基有源层。第六晶体管ST6的栅电极G6可以是第二扫描线GLb(n)的与有源层ACT6叠置的部分。

第六晶体管ST6的漏电极D6可以通过第十七接触开口CNT17连接到第八连接电极BE8。第八连接电极BE8可以连接到驱动晶体管DT的漏电极DT_D和第三晶体管ST3的源电极S3。

第六晶体管ST6的源电极S6可以连接到第五晶体管ST5的源电极S5。第六晶体管ST6的源电极S6可以通过第十六接触开口CNT16连接到第五连接电极BE5，第五连接电极BE5可以通过第九接触开口CNT9连接到驱动晶体管DT的栅电极DT_G。驱动晶体管DT的栅电极DT_G的与第二电容器C2的第二电极CE22叠置的部分可以是第二电容器C2的第一电极CE21。

第一电容器C1可以包括第一电极CE11和第二电极CE12。第一电容器C1的第一电极CE11可以是第一发射控制线EML1(n)的与第一电容器C1的第二电极CE12叠置的部分。第一电容器C1的第二电极CE12可以通过第一接触开口CNT1连接到第一连接电极BE1。第一连接电极BE1可以通过第二接触开口CNT2连接到驱动晶体管DT的源电极DT_S。因此，第一电容器C1存储发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极DT_S之间的电压差，因此，可以控制驱动晶体管DT的源电极DT_S处的电压，从而防止(或基本上减少)闪烁和/或重影。

第二电容器C2可以包括第一电极CE21和第二电极CE22。第二电容器C2的第一电极CE21可以是驱动晶体管DT的栅电极DT_G的与第二电容器C2的第二电极CE22叠置的部分。第二电容器C2的第二电极CE22可以通过第六接触开口CNT6连接到第四连接电极BE4，第四连接电极BE4可以通过第八接触开口CNT8连接到驱动电压线VDDL。

图10是沿图7的线I-I'截取的剖视图，图11是沿图7的线II-II'截取的剖视图，图12是沿图7的线III-III'截取的剖视图。

参照图10至图12，显示面板300可以包括基底SUB、缓冲层BF、第一有源层ACTL1、第一栅极绝缘层GI1、第一栅极层GTL1、第一层间介电层ILD1、第二栅极层GTL2、第二层间介电层ILD2、第二有源层ACTL2、第二栅极绝缘层GI2、第三栅极层GTL3、第三层间介电层ILD3、第一源漏层SDL1、第四层间介电层ILD4、第二源漏层SDL2、钝化层PAS、第一平坦化层OC1、第二平坦化层OC2、发光元件EL、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。

基底SUB可以是基体基底，并且可以包括绝缘材料(或者可以由绝缘材料制成)，绝缘材料诸如聚合物树脂。例如，基底SUB可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。

第三光阻挡层BML3可以设置在基底SUB上，并且可以与驱动晶体管DT叠置。第三光阻挡层BML3可以阻挡入射到驱动晶体管DT和发光元件EL上的光。

缓冲层BF可以设置在基底SUB上以覆盖第三光阻挡层BML3。例如，缓冲层BF可以包括多个无机层，并且可以形成在基底SUB的整个上表面上，以阻挡湿气通过基底SUB渗透到发光元件EL中。

第一有源层ACTL1可以设置在缓冲层BF上。第一有源层ACTL1可以包括硅基材料(或者可以由硅基材料制成)。例如，第一有源层ACTL1可以由低温多晶硅(LTPS)制成。驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2和第三晶体管ST3的有源层DT_ACT、ACT1、ACT2和ACT3、源电极DT_S、S1、S2和S3以及漏电极DT_D、D1、D2和D3可以分别设置在第一有源层ACTL1中。

第一栅极绝缘层GI1可以覆盖缓冲层BF和第一有源层ACTL1，并且可以使第一有源层ACTL1与第一栅极层GTL1绝缘。

第一栅极层GTL1可以设置在第一栅极绝缘层GI1上。驱动晶体管DT的栅电极DT_G、第一发射控制线EML1(n)和第三扫描线GLc(n)可以设置在第一栅极层GTL1中。

栅电极DT_G的一部分可以与第二电容器C2的第二电极CE22叠置，以形成第二电容器C2的第一电极CE21。

第一发射控制线EML1(n)的一部分可以与第二晶体管ST2的有源层ACT2叠置，以形成第二晶体管ST2的栅电极G2。第一发射控制线EML1(n)的另一部分可以与第三晶体管ST3的有源层ACT3叠置，以形成第三晶体管ST3的栅电极G3。第一发射控制线EML1(n)的又一部分可以与第一电容器C1的第二电极CE12叠置以形成第一电容器C1的第一电极CE11。

第三扫描线GLc(n)的一部分可以与第一晶体管ST1的有源层ACT1叠置，以形成第一晶体管ST1的栅电极G1。

第一层间介电层ILD1可以覆盖第一栅极层GTL1和第一栅极绝缘层GI1。第一层间介电层ILD1可以使第一栅极层GTL1与第二栅极层GTL2绝缘。

第二栅极层GTL2可以设置在第一层间介电层ILD1上。第一光阻挡层BML1、第二光阻挡层BML2、第一电容器C1的第二电极CE12和第二电容器C2的第二电极CE22可以设置在第二栅极层GTL2中。

第一光阻挡层BML1可以设置为与第五晶体管ST5叠置，以阻挡入射到第五晶体管ST5上的光。第二光阻挡层BML2可以设置为与第六晶体管ST6叠置，以阻挡入射到第六晶体管ST6上的光。

第一电容器C1的第二电极CE12可以通过第一接触开口CNT1连接到第一源漏层SDL1的第一连接电极BE1，并且第一连接电极BE1可以通过第二接触开口CNT2连接到第一有源层ACTL1中的第二晶体管ST2的漏电极D2和驱动晶体管DT的源电极DT_S。因此，第一电容器C1存储发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极DT_S之间的电压差，因此，可以控制驱动晶体管DT的源电极DT_S处的电压，从而防止(或基本上防止)闪烁和/或重影。

第二电容器C2的第二电极CE22可以通过第六接触开口CNT6连接到第一源漏层SDL1的第四连接电极BE4，并且第四连接电极BE4可以通过第八接触开口CNT8连接到第二源漏层SDL2的驱动电压线VDDL。因此，第二电容器C2可以保持驱动电压线VDDL与驱动晶体管DT的栅电极DT_G之间的电势差。

第二层间介电层ILD2可以覆盖第二栅极层GTL2和第一层间介电层ILD1。第二层间介电层ILD2可以使第二栅极层GTL2与第二有源层ACTL2绝缘。

第二有源层ACTL2可以设置在第二层间介电层ILD2上。例如，第二有源层ACTL2可以由氧化物基材料形成。第四晶体管至第六晶体管ST4、ST5和ST6的有源层ACT4、ACT5和ACT6以及漏电极D4、D5和D6以及源电极S4、S5和S6可以分别设置在第二有源层ACTL2中。

第二栅极绝缘层GI2可以覆盖第二层间介电层ILD2和第二有源层ACTL2，并且可以使第二有源层ACTL2与第三栅极层GTL3绝缘。

第三栅极层GTL3可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。第二发射控制线EML2(n)、第一扫描线GLa(n)和第二扫描线GLb(n)可以设置在第三栅极层GTL3中。

第二发射控制线EML2(n)的一部分可以与第四晶体管ST4的有源层ACT4叠置，以形成第四晶体管ST4的栅电极G4。第一扫描线GLa(n)的一部分可以与第五晶体管ST5的有源层ACT5叠置，以形成第五晶体管ST5的栅电极G5。第二扫描线GLb(n)的一部分可以与第六晶体管ST6的有源层ACT6叠置，以形成第六晶体管ST6的栅电极G6。

第三层间介电层ILD3可以覆盖第三栅极层GTL3和第二栅极绝缘层GI2。第三层间介电层ILD3可以使第三栅极层GTL3与第一源漏层SDL1绝缘。

第一源漏层SDL1可以设置在第三层间介电层ILD3上。第一连接电极和第四连接电极至第八连接电极BE1、BE4、BE5、BE6、BE7和BE8可以设置在第一源漏层SDL1中。

第一连接电极BE1可以通过第一接触开口CNT1连接到第一电容器C1的第二电极CE12，并且可以通过第二接触开口CNT2连接到第二晶体管ST2的漏电极D2和驱动晶体管DT的源电极DT_S。

第四连接电极BE4可以通过第六接触开口CNT6连接到第二电容器C2的第二电极CE22，可以通过第七接触开口CNT7连接到第二晶体管ST2的源电极S2，并且可以通过第八接触开口CNT8连接到第二源漏层SDL2的驱动电压线VDDL。

第五连接电极BE5可以通过第九接触开口CNT9连接到驱动晶体管DT的栅电极DT_G，并且可以通过第十六接触开口CNT16连接到第五晶体管ST5的源电极S5。

第六连接电极BE6可以通过第十接触开口CNT10连接到第三晶体管ST3的漏电极D3，可以通过第十一接触开口CNT11连接到第四晶体管ST4的源电极S4，并且可以通过第十四接触开口CNT14连接到第一阳极连接电极ANDE1。

第七连接电极BE7可以通过第十二接触开口CNT12连接到第一晶体管ST1的源电极S1，并且可以通过第十三接触开口CNT13连接到数据线DL。

第八连接电极BE8可以通过第十七接触开口CNT17连接到第六晶体管ST6的漏电极D6，并且可以通过第十八接触开口CNT18连接到第三晶体管ST3的源电极S3。

第四层间介电层ILD4可以覆盖第一源漏层SDL1和第三层间介电层ILD3。第四层间介电层ILD4可以使第一源漏层SDL1与第二源漏层SDL2绝缘。

第二源漏层SDL2可以设置在第四层间介电层ILD4上。数据线DL、驱动电压线VDDL和第一阳极连接电极ANDE1可以设置在第二源漏层SDL2中。

钝化层PAS可以设置在第二源漏层SDL2上以保护子像素的多个晶体管。

第一平坦化层OC1可以设置在钝化层PAS上以遍布子像素提供平坦表面。

第二阳极连接电极ANDE2可以设置在第一平坦化层OC1上。第二阳极连接电极ANDE2可以将第一阳极连接电极ANDE1与发光元件EL的阳极电极E1连接。

第二平坦化层OC2可以覆盖第二阳极连接电极ANDE2和第一平坦化层OC1。

发光元件EL可以设置在第二平坦化层OC2上。发光元件EL可以包括阳极电极E1、发射层E和阴极电极E2。阳极电极E1可以设置在第二平坦化层OC2上。例如，阳极电极E1可以设置为与由像素限定层PDL限定(或限定在像素限定层PDL中)的开口区域EA叠置。

发射层E可以设置在阳极电极E1上。发射层E可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层等。例如，发射层E可以是但不限于包括有机材料(或由有机材料制成)的有机发射层。

阴极电极E2可以设置在发射层E上。例如，阴极电极E2可以以跨过(例如，覆盖)所有子像素延伸的共电极的形式实现。

薄膜封装层TFE可以设置在发光元件EL和像素限定层PDL上以覆盖多个子像素。薄膜封装层TFE可以防止(或基本上防止)氧或湿气渗透到发光元件EL中。

图13是示出图5中所示的子像素的另一示例的平面图，图14是示出图13中所示的子像素的一些层的平面图，图15是示出图13中所示的子像素的层中的一些其他层的平面图，图16是沿图13的线IV-IV'截取的剖视图。图13示出了第一有源层、第一栅极层、第二栅极层、第二有源层、第三栅极层、第一源漏层和第二源漏层的按照该顺序的堆叠。图14示出了第一有源层、第一栅极层和第二栅极层的按照该顺序的堆叠。图15示出了第二有源层、第三栅极层、第一源漏层和第二源漏层的按照该顺序的堆叠。除了第一电容器C1的第一电极CE11和第二电极CE12的布局之外，图13至图16中示出的子像素与上述子像素基本上相同；因此，将省略对特征的冗余描述。

参照图13至图16，第一电容器C1可以连接在发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极DT_S之间。第一电容器C1可以包括第一电极CE11和第二电极CE12。第一电容器C1的第一电极CE11可以是设置在第三栅极层GTL3中的第二发射控制线EML2(n)的与第一电容器C1的第二电极CE12叠置的部分。

第一电容器C1的第二电极CE12可以是设置在第一源漏层SDL1中的第二连接电极BE2的与第一电容器C1的第一电极CE11叠置的部分。第二连接电极BE2可以通过第三接触开口CNT3连接到设置在第一有源层ACTL1中的驱动晶体管DT的源电极DT_S和第二晶体管ST2的漏电极D2。

因此，第一电容器C1存储发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极DT_S之间的电压差，因此，即使当驱动频率改变时，也可以控制驱动晶体管DT的源电极DT_S处的电压，从而防止(或基本上防止)闪烁和/或重影。

图17是示出图5中所示的子像素的又一示例的平面图，图18是示出图17中所示的子像素的层中的一些层的平面图，图19是示出图17中所示的子像素的层中的一些其他层的平面图，图20是沿图17的线V-V'截取的剖视图。图17示出了第一有源层、第一栅极层、第二栅极层、第二有源层、第三栅极层、第一源漏层和第二源漏层的按照该顺序的堆叠。图18示出了第一有源层、第一栅极层、第二栅极层和第二有源层的按照该顺序的堆叠。图19示出了第二有源层、第三栅极层、第一源漏层和第二源漏层的按照该顺序的堆叠。除了第一电容器C1的第一电极CE11和第二电极CE12的布局之外，图17至图20中示出的子像素与上面关于图7描述的子像素基本上相同；因此，将省略对特征的冗余描述。

参照图17至图20，第一电容器C1可以连接在发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极DT_S之间。第一电容器C1可以包括第一电极CE11和第二电极CE12。第一电容器C1的第一电极CE11可以是设置在第一栅极层GTL1中的第一发射控制线EML1(n)的与第一电容器C1的第二电极CE12叠置的部分。

第一电容器C1的第二电极CE12可以设置在第二有源层ACTL2中。第一电容器C1的第二电极CE12可以通过第四接触开口CNT4连接到第一源漏层SDL1的第三连接电极BE3，第三连接电极BE3可以通过第五接触开口CNT5连接到设置在第一有源层ACTL1中的驱动晶体管DT的源电极DT_S和第二晶体管ST2的漏电极D2。

因此，第一电容器C1存储发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极DT_S之间的电压差，因此，可以控制驱动晶体管DT的源电极DT_S处的电压，从而防止(或基本上防止)闪烁和/或重影。

图21是示出根据本公开的另一示例性实施例的子像素的电路图，图22是供应到图21中所示的子像素的信号的波形图。除了不同的信号被施加到第四晶体管ST4的栅电极G4之外，关于图21和图22描述的子像素与上述子像素基本上相同；因此，将省略对特征的冗余描述。

参照图21和图22，显示面板300可以包括沿着p个行和q个列布置的多个子像素，其中p和q是自然数。设置在第n行第m列中的子像素可以连接到第一扫描线GLa(n)、第二扫描线GLb(n)和第三扫描线GLc(n)、发射控制线EML(n)、数据线DL、驱动电压线VDDL以及第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2，其中n是等于或小于p的自然数，m是等于或小于q的自然数。

子像素可以包括驱动晶体管DT、发光元件EL、多个开关元件以及第一电容器C1和第二电容器C2。开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6。

发光元件EL可以接收驱动电流以发光。从发光元件EL发射的光的量或亮度可以与驱动电流的大小成比例。发光元件EL的阳极电极可以连接到第三节点N3。发光元件EL的阳极电极可以通过第三节点N3连接到第三晶体管ST3的漏电极和第四晶体管ST4的源电极。发光元件EL的阴极电极可以连接到低电平线VSSL。

第一晶体管ST1可以由第三扫描线GLc(n)的第三扫描信号Gc(n)导通，并且可以将数据电压Vdata供应到第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)。

第二晶体管ST2可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，并且可以将驱动电压线VDDL的驱动电压施加到第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)。

第三晶体管ST3可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，以将第二节点N2(即，驱动晶体管DT的漏电极)与第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)连接。

第四晶体管ST4可以由第四扫描线GLc(n+1)的第四扫描信号Gc(n+1)导通，并且可以将第一初始化电压VI1供应到第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)。

第五晶体管ST5可以由第一扫描线GLa(n)的第一扫描信号Ga(n)导通，并且可以将第二初始化电压线VIL2的第二初始化电压VI2施加到第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)。

第六晶体管ST6可以由第二扫描线GLb(n)的第二扫描信号Gb(n)导通，以将第二节点N2(即，驱动晶体管DT的漏电极)与第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)连接。

驱动晶体管DT和第一晶体管至第四晶体管ST1、ST2、ST3和ST4中的每个可以包括硅基有源层。例如，驱动晶体管DT和第一晶体管至第四晶体管ST1、ST2、ST3和ST4中的每个可以包括由低温多晶硅(LTPS)制成的有源层。

第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以包括氧化物基有源层。例如，第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以具有其中栅电极设置在氧化物基有源层上方的共面结构。

第一电容器C1可以连接在发射控制线EML(n)与第一节点N1之间。例如，第一电容器C1的第一电极CE11可以连接到发射控制线EML(n)，并且第一电容器C1的第二电极CE12可以连接到第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)。第一电容器C1存储发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的源电极之间的电压差，使得驱动晶体管DT的源电极控制电压。

第一电容器C1可以通过使用发射信号EM(n)的栅极截止电压来耦合驱动晶体管DT的源电极。例如，当从发射控制线EML(n)提供的发射信号EM(n)上升时，第一电容器C1可以升高第一节点N1处的电压，并且当发射信号EM(n)下降时，第一电容器C1可以降低第一节点N1处的电压。因此，第一电容器C1与发射信号EM(n)的上升沿或下降沿同步地控制驱动晶体管DT的源电极处的电压。

图23是示出根据本公开的又一示例性实施例的子像素的电路图。除了第一电容器C1连接到不同的位置之外，图23中所示的子像素与图5中所示的子像素基本上相同；因此，将省略对特征的冗余描述。

参照图23，子像素可以包括驱动晶体管DT、发光元件EL、多个开关元件以及第一电容器C1和第二电容器C2。开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6。

发光元件EL可以接收驱动电流以发光。从发光元件EL发射的光的量或亮度可以与驱动电流的大小成比例。发光元件EL的阳极电极可以连接到第三节点N3。发光元件EL的阳极电极可以通过第三节点N3连接到第三晶体管ST3的漏电极和第四晶体管ST4的源电极。发光元件EL的阴极电极可以连接到低电平线VSSL。

第一晶体管ST1可以由第三扫描线GLc(n)的第三扫描信号Gc(n)导通，并且可以将数据电压Vdata供应到第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)。

第二晶体管ST2可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，并且可以将驱动电压线VDDL的驱动电压施加到第一节点N1(即，驱动晶体管DT的源电极)。

第三晶体管ST3可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，以将第二节点N2(即，驱动晶体管DT的漏电极)与第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)连接。

第四晶体管ST4可以由发射控制线EML(n)的发射信号EM(n)导通，以将第一初始化电压线VIL1的第一初始化电压VI1施加到第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)。

第五晶体管ST5可以由第一扫描线GLa(n)的第一扫描信号Ga(n)导通，并且可以将第二初始化电压线VIL2的第二初始化电压VI2施加到第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)。

第六晶体管ST6可以由第二扫描线GLb(n)的第二扫描信号Gb(n)导通，以将第二节点N2(即，驱动晶体管DT的漏电极)与第四节点N4(即，驱动晶体管DT的栅电极)连接。

第一电容器C1可以连接在发射控制线EML(n)与第二节点N2之间。例如，第一电容器C1的第一电极CE11可以连接到发射控制线EML(n)，并且第一电容器C1的第二电极CE12可以连接到第二节点N2(即，驱动晶体管DT的漏电极)。第一电容器C1存储发射控制线EML(n)与驱动晶体管DT的漏电极之间的电压差，使得驱动晶体管DT的漏电极控制电压。

第一电容器C1可以通过使用发射信号EM(n)的栅极截止电压来耦合驱动晶体管DT的漏电极。例如，当从发射控制线EML(n)提供的发射信号EM(n)上升时，第一电容器C1可以升高第二节点N2处的电压，当发射信号EM(n)下降时，第一电容器C1可以降低第二节点N2处的电压。在这样的情况下，驱动晶体管DT可以通过接收栅极导通电压而导通，并且驱动晶体管DT的漏电极处的电压可以被传输到源电极。因此，第一电容器C1可以与发射信号EM(n)的上升沿或下降沿同步地控制驱动晶体管DT的漏电极和源电极处的电压。

因此，即使当驱动频率改变时，显示装置也可以通过控制驱动晶体管的源电极处的电压来防止闪烁和/或重影。

图24是示出根据本公开的又一示例性实施例的子像素的电路图。除了不同的信号被施加到第四晶体管ST4的栅电极G4之外，图24的子像素与图23中所示的子像素基本上相同；因此，将省略对特征的冗余描述。

子像素可以包括驱动晶体管DT、发光元件EL、多个开关元件以及第一电容器C1和第二电容器C2。开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6。

第四晶体管ST4可以由第四扫描线GLc(n+1)的第四扫描信号Gc(n+1)导通，并且可以将第一初始化电压VI1供应到第三节点N3(即，发光元件EL的阳极电极)。

驱动晶体管DT和第一晶体管至第四晶体管ST1、ST2、ST3和ST4中的每个可以包括硅基有源层。例如，驱动晶体管DT和第一晶体管至第四晶体管ST1、ST2、ST3和ST4中的每个可以包括由低温多晶硅(LTPS)制成的有源层。

第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以包括氧化物基有源层。例如，第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个可以具有其中栅电极设置在氧化物基有源层上方的共面结构。

本公开不限于上述方面、特征和示例性(即，示例)实施例，并且各种其他方面、特征和实施例包括在本说明书中。

尽管已经参照附图描述了本公开的示例性实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的精神或必要特征的情况下，可以在其中进行各种修改和改变。因此，以上实施例将被认为是说明性的而非限制性的。本公开将基于所附权利要求及其等同物来限定。

Claims (11)

1.一种显示装置，所述显示装置包括用于驱动多个像素的显示面板，所述多个像素中的每个包括：

发光元件；

驱动晶体管，用于控制流过所述发光元件的驱动电流；

第一晶体管，用于选择性地将数据电压施加到第一节点，所述第一节点为所述驱动晶体管的源电极；

第二晶体管，用于从发射控制线接收发射信号，以选择性地将驱动电压施加到所述第一节点；以及

第一电容器，连接在所述第一节点与所述发射控制线之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个还包括：

第三晶体管，用于选择性地将第二节点与第三节点连接，所述第二节点为所述驱动晶体管的漏电极，所述第三节点为所述发光元件的阳极电极；以及

第四晶体管，用于选择性地将第一初始化电压施加到所述第三节点。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管响应于具有第一电压电平的所述发射信号而导通，并且

其中，所述第四晶体管响应于具有高于所述第一电压电平的第二电压电平的所述发射信号而导通，

其中，所述驱动晶体管包括包含第一材料的有源层，并且

其中，所述第四晶体管包括包含不同于所述第一材料的第二材料的有源层。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个还包括：

第五晶体管，用于选择性地将第二初始化电压施加到第四节点，所述第四节点为所述驱动晶体管的栅电极；以及

第六晶体管，用于选择性地将所述第二节点与所述第四节点连接，

其中，所述驱动晶体管和所述第四晶体管中的每个包括包含第一材料的有源层，并且

其中，所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每个包括包含不同于所述第一材料的第二材料的有源层。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：

第一有源层，位于基底上，并且包括第一材料；

第一栅极层，位于所述第一有源层上；

第二栅极层，位于所述第一栅极层上；

第二有源层，位于所述第二栅极层上，并且包括不同于所述第一材料的第二材料；

第三栅极层，位于所述第二有源层上；以及

第一源漏层，位于所述第三栅极层上。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一电容器的第一电极位于所述第一栅极层中，并且

其中，所述第一电容器的第二电极位于所述第二栅极层中。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一电容器的第一电极位于所述第三栅极层中，并且

其中，所述第一电容器的第二电极位于所述第一源漏层中。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一电容器的第一电极位于所述第一栅极层中，并且

其中，所述第一电容器的第二电极位于所述第二有源层中。

9.一种显示装置，所述显示装置包括用于驱动多个像素的显示面板，所述多个像素中的每个包括：

发光元件；

驱动晶体管，用于控制流过所述发光元件的驱动电流；

第一晶体管，用于选择性地将数据电压施加到第一节点，所述第一节点为所述驱动晶体管的源电极；

第二晶体管，用于从发射控制线接收发射信号，以选择性地将驱动电压施加到所述第一节点；

第三晶体管，用于接收所述发射信号以选择性地将第二节点与第三节点连接，所述第二节点为所述驱动晶体管的漏电极，所述第三节点为所述发光元件的阳极电极；以及

第一电容器，连接在所述第二节点与所述发射控制线之间。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个还包括：

第四晶体管，用于选择性地将第一初始化电压施加到所述第三节点，

其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管响应于具有第一电压电平的所述发射信号而导通，并且

其中，所述第四晶体管响应于具有高于所述第一电压电平的第二电压电平的所述发射信号而导通。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个还包括：

第四晶体管，用于选择性地将第一初始化电压施加到所述第三节点；

第五晶体管，用于选择性地将第二初始化电压施加到第四节点，所述第四节点为所述驱动晶体管的栅电极；以及

第六晶体管，用于选择性地将所述第二节点与所述第四节点连接，

其中，所述驱动晶体管和所述第四晶体管中的每个包括包含第一材料的有源层，并且

其中，所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每个包括包含不同于所述第一材料的第二材料的有源层。

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