CN112671369A - 滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器 - Google Patents

滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器 Download PDF

Info

Publication number
CN112671369A
CN112671369A CN202011019110.4A CN202011019110A CN112671369A CN 112671369 A CN112671369 A CN 112671369A CN 202011019110 A CN202011019110 A CN 202011019110A CN 112671369 A CN112671369 A CN 112671369A
Authority
CN
China
Prior art keywords
parallel arm
arm resonator
filter
parallel
resonators
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011019110.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112671369B (zh
Inventor
近藤清磨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN112671369A publication Critical patent/CN112671369A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112671369B publication Critical patent/CN112671369B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0557Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/48Coupling means therefor
    • H03H9/52Electric coupling means
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56Monolithic crystal filters
    • H03H9/566Electric coupling means therefor
    • H03H9/568Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021Constructional details
    • H03H2001/0078Constructional details comprising spiral inductor on a substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种滤波器装置、双工器以及多工器。滤波器装置具备设置在滤波器芯片的多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器、以及与多个并联臂谐振器包含的一部分并联臂谐振器各自串联地连接的多个电感器,在多个并联臂谐振器中的反谐振频率最大的第1并联臂谐振器串联地连接有多个电感器中的电感最大的第1电感器,第1并联臂谐振器的一端和多个并联臂谐振器中的另一部分并联臂谐振器包含的第2并联臂谐振器的一端与连结滤波器芯片的输入端子和输出端子的线路上的、被多个串联臂谐振器隔开的多个布线中的同一布线连接,第1并联臂谐振器的另一端与滤波器芯片的第1接地端子连接,第2并联臂谐振器的另一端与滤波器芯片的第2接地端子连接。

Description

滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器
技术领域
本发明涉及滤波器装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信机中,为了终端的小型化,有时在发送信号的发送以及接收信号的接收时使用公共的天线。在这样的天线连接将发送信号和接收信号分开的双工器。作为双工器的一个例子,可利用如下的梯型滤波器电路,即,通过将具有固有的谐振频率以及反谐振频率的多个谐振器连接为梯型,从而使给定的频带的信号通过,并使其它频带的信号衰减。
例如,在专利文献1记载了一种梯型滤波器,其具备串联臂谐振器、并联臂谐振器、以及与并联臂谐振器串联地连接的电感器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2016/088680号
作为梯型滤波器电路的频率特性,一般来说,优选通带中的输入损耗少,且通带的附近的衰减带的衰减特性陡峭。然而,例如,若在并联臂谐振器串联地连接电感器,则并联臂谐振器的反谐振频率大致保持原样且谐振频率向低频侧移动,因此通带的输入损耗降低,但是衰减带的衰减特性的陡峭性受损。另一方面,例如,若在梯型滤波器电路附加许多的并联臂谐振器,则虽然衰减带的衰减特性的陡峭性提高,但是通带的输入损耗变大。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于,提供一种能够在保持衰减带的衰减特性的陡峭性的同时降低通带的输入损耗的滤波器装置。
用于解决课题的技术方案
为了达到这样的目的,本发明的一个方式涉及的滤波器装置具备:多个串联臂谐振器,设置在滤波器芯片;多个并联臂谐振器,设置在滤波器芯片;以及多个电感器,与多个并联臂谐振器包含的一部分并联臂谐振器各自串联地连接,在该滤波器装置中,在多个并联臂谐振器中的反谐振频率最大的第1并联臂谐振器串联地连接有多个电感器中的电感最大的第1电感器,第1并联臂谐振器的一端和第2并联臂谐振器的一端与连结滤波器芯片的输入端子和输出端子的线路上的、被多个串联臂谐振器隔开的多个布线中的同一布线连接,第2并联臂谐振器包含于多个并联臂谐振器中的与一部分并联臂谐振器不同的另一部分并联臂谐振器,第1并联臂谐振器的另一端与滤波器芯片的第1接地端子连接,第2并联臂谐振器的另一端与滤波器芯片的不同于第1接地端子的第2接地端子连接。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能够在保持衰减带的衰减特性的陡峭性的同时降低通带的输入损耗的滤波器装置。
附图说明
图1是示出滤波器装置10的电路结构的一个例子的图。
图2是示出滤波器芯片100的俯视图的一个例子的图。
图3A是示出图案层的第1层200A的俯视图的一个例子的图。
图3B是示出图案层的第2层200B的俯视图的一个例子的图。
图3C是示出图案层的第3层200C的俯视图的一个例子的图。
图3D是示出图案层的第4层200D的俯视图的一个例子的图。
图3E是示出图案层的第5层200E的俯视图的一个例子的图。
图3F是示出图案层的第6层200F的俯视图的一个例子的图。
图4A是示出第1实施方式以及比较例涉及的滤波器装置10中的频率特性(衰减特性)的仿真结果的曲线图。
图4B是示出第1实施方式以及比较例涉及的滤波器装置10中的频率特性(衰减特性)的仿真结果的另一个曲线图。
附图标记说明
10:滤波器装置,S1~S5:串联臂谐振器,P1~P6:并联臂谐振器,L1~L3:电感器,IN:输入端子,OUT:输出端子,T1~T4:接地端子,100:滤波器芯片,200A:图案层的第1层,200B:图案层的第2层,200C:图案层的第3层,200D:图案层的第4层,200E:图案层的第5层,200F:图案层的第6层。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外,对同一要素标注同一附图标记,并省略重复的说明。
图1是示出第1实施方式涉及的滤波器装置10的电路结构的一个例子的图。有时在移动通信机中使用用于收发无线频率(RF:Radio Frequency,射频)信号的一个天线,在这样的情况下,例如利用将发送信号和接收信号分开的分波器。滤波器装置10例如可以构成用于构成这样的分波器的发送信号滤波器电路、接收信号滤波器电路。分波器例如也可以是具备多个滤波器电路并将多个频带的信号分开的复合滤波器装置。复合滤波器装置例如包含复合了两个滤波器电路的双工器、复合了三个滤波器电路的三工器、复合了四个滤波器电路的四工器、或复合了八个滤波器电路的八工器等。
如图1所示,本实施方式中的滤波器装置10是串联以及并联地连接了多个谐振器的梯型滤波器。滤波器装置10具备五个串联臂谐振器S1~S5、六个并联臂谐振器P1~P6、以及三个电感器L1~L3。串联臂谐振器S1~S5和并联臂谐振器P1~P6设置在滤波器芯片100。在滤波器芯片100还设置有输入端子IN、输出端子OUT、以及端子T1~T4。电感器L1~L3设置在图案层。
在滤波器装置10被构成为发送信号滤波器电路的情况下,输入端子IN例如从包含功率放大器的前端模块被供给发送信号,从输出端子OUT例如对天线供给进行了滤波的发送信号。此外,在滤波器装置10被构成为接收信号滤波器电路的情况下,输入端子IN例如从天线被供给接收信号,从输出端子OUT例如对前端模块等供给进行了滤波的接收信号。
端子T1~T4分别是与各并联臂谐振器连接的接地用的端子。在此,端子T3是第1接地端子的一个例子。此外,端子T4是第2接地端子的一个例子。
在连结输入端子IN和输出端子OUT的线路U1中,从输入端子IN侧起依次串联地连接有五个串联臂谐振器S1~S5。六个并联臂谐振器P1~P6并联地连接,使得从线路U1上的被串联臂谐振器S1~S5隔开的多个布线分岔。
并联臂谐振器P4是第4并联臂谐振器的一个例子,一端与输入端子IN和串联臂谐振器S1之间的布线连接,另一端经由端子T1与电感器L1的一端连接。电感器L1的另一端与地(ground)连接。并联臂谐振器P6的一端与串联臂谐振器S1和串联臂谐振器S2之间的布线连接,另一端经由端子T2与电感器L2的一端连接。电感器L2的另一端与地连接。并联臂谐振器P1是第1并联臂谐振器的一个例子,一端与串联臂谐振器S2和串联臂谐振器S3之间的布线连接,另一端经由端子T3与电感器L3的一端连接。电感器L3的另一端与地连接。
并联臂谐振器P2是第2并联臂谐振器的一个例子,一端与串联臂谐振器S2和串联臂谐振器S3之间的布线连接,另一端经由端子T4与地连接。并联臂谐振器P3是第3并联臂谐振器的一个例子,一端与串联臂谐振器S3和串联臂谐振器S4之间的布线连接,另一端经由端子T4与地连接。并联臂谐振器P5是第5并联臂谐振器的一个例子,一端与串联臂谐振器S4和串联臂谐振器S5之间的布线连接,另一端经由端子T4与地连接。如上所述,端子T4被并联臂谐振器P2、P3、以及P5共用。
并联臂谐振器P1的反谐振频率在滤波器装置10具备的并联臂谐振器P1~P6各自的反谐振频率之中最大。此外,电感器L3的电感在滤波器装置10具备的、与并联臂谐振器串联地连接的电感器L1~L3各自的电感之中最大。此外,并联臂谐振器P2的反谐振频率在滤波器装置10具备的、未串联地连接电感器的并联臂谐振器P2、P3、以及P5的反谐振频率之中最大。
进而,例如优选滤波器装置具备的、未串联地连接电感器的并联臂谐振器P3以及P5各自的反谐振频率相对于并联臂谐振器P2的反谐振频率高于给定的比例(大约99.5%、大约99.0%、大约98.5%、大约98.0%、大约95.0%、大约90.0%、大约85.0%、大约80.0%等)。换言之,优选并联臂谐振器P2的梳形电极的间距相对于并联臂谐振器P3以及P5各自的梳形电极的间距大于该给定的比例。
接着,使用图2对滤波器芯片100的布局进行说明。图2是示出第1实施方式涉及的滤波器装置10具备的滤波器芯片100的俯视图的一个例子的图。在图2中,为了便于说明,关于各端子IN、OUT、T1~T4、布线图案、串联臂谐振器S1~S5、以及并联臂谐振器P1~P6,分别适当地以透视方式示出,使得它们的配置变得清楚。
如图2所示,在滤波器芯片100设置有上述的输入端子IN、输出端子OUT、以及接地端子T1~T4,并设置有布线图案,使得将这些各端子相连。滤波器芯片100例如可以包含LiTaO3而构成。在布线图案的给定的位置分别配置有串联臂谐振器S1~S5、以及并联臂谐振器P1~P6。
串联臂谐振器S1~S5、以及并联臂谐振器P1~P6各自例如可以构成为声表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)元件、压电薄膜谐振器、以及体弹性波(BAW:Bulk AcousticWave,体声波)元件等。例如,若将梳形电极(IDT:Interdigital Transducer,叉指换能器)的间距设为λ,并将构成SAW滤波器的压电基板中的声速设为v,则SAW滤波器的谐振频率fr可由fr=v/λ[Hz]表示。因此,例如能够通过调整梳形电极的间距,从而得到所希望的谐振频率fr。
接着,使用图3A~图3F对图案层进行说明。滤波器装置10具备层叠滤波器芯片100的图案层。图案层例如可以在由陶瓷等绝缘体形成的基板形成导电性的线路图案、过孔等而构成。在图案层中,例如,电感器L1~L3形成为布线图案。
图案层依次层叠图3A所示的第1层200A、图3B所示的第2层200B、图3C所示的第3层200C、图3D所示的第4层200D、图3E所示的第5层200E、以及图3F所示的第6层200F而构成。
设置在滤波器芯片100的输入端子IN与从第1层200A设置至第6层200F的布线图案UIN连接。此外,设置在滤波器芯片100的输出端子OUT与从第1层200A设置至第6层200F的布线图案UOUT连接。
设置在滤波器芯片100的端子T1与从第1层200A设置至第4层200D的布线图案U2连接。布线图案U2在第1层200A至第4层200D中卷绕为螺旋状,构成电感器L1。
设置在滤波器芯片100的端子T2与从第1层200A设置至第4层200D的布线图案U3连接。布线图案U3在第1层200A至第4层200D中卷绕为螺旋状,构成电感器L2。
设置在滤波器芯片100的端子T3与从第1层200A设置至第4层200D的布线图案U4连接。布线图案U4在第1层200A至第4层200D中卷绕为螺旋状,构成电感器L3。
布线图案U2、U3、以及U4在第5层200E中合并为布线图案U6。第5层200E中的该布线图案U6与第6层200F中的三个端子分别连接。
如上所述,设置在滤波器芯片100的端子T4与设置在滤波器芯片100的并联臂谐振器P2、P3、以及P5各自连接。该端子T4与从第1层200A设置至第4层200D的布线图案U5连接。第4层200D中的布线图案U5与第5层200E中的布线图案U6连接。
如图3B所示,在第1实施方式涉及的滤波器装置10中,电感器L2与电感器L3之间的间隔D23比电感器L1与电感器L3之间的间隔D13小。由此,电感器L1和电感器L3的磁耦合的程度变得比电感器L2和电感器L3的磁耦合的程度小。因此,关于滤波器装置10具备的电感器L3以外的电感器(电感器L1、L2),连结输入端子IN和输出端子OUT的线路U1上的连接该电感器的布线离连接电感器L3的布线越远,该电感器的与电感器L3的磁耦合的程度越小。因此,在滤波器装置10中,电感器彼此的电路上的远近的顺序对应于电感器彼此的磁耦合的程度的大小的顺序。由此,改善后述的滤波器装置10的频率特性。
接着,使用图4A以及4B对第1实施方式涉及的滤波器装置10的频率特性进行说明。图4A以及4B是示出第1实施方式以及比较例涉及的滤波器装置10中的频率特性(衰减特性)的仿真结果的曲线图。在此,比较例涉及的滤波器装置设为如下的滤波器装置,即,并联臂谐振器P1~P6中的反谐振频率最大的并联臂谐振器P1和电感器L1~L3中的电感最大的电感器L3未串联地连接,并联臂谐振器P1和并联臂谐振器P2未连接在线路U1上的同一布线。
在本例子中,示出了3GPP标准中的Band41频带。在图4A以及4B所示的曲线图中,横轴表示信号的频率(MHz),纵轴表示信号的插入损耗(S21)(dB)。
在图4A中,频率特性300、310分别是以10dB单位(左侧的纵轴的刻度)表示了第1实施方式以及比较例的结果的曲线图,频率特性320、330分别是以1dB单位(右侧的纵轴的刻度)表示了第1实施方式以及比较例的结果的曲线图。此外,在图4B中,频率特性340、350分别是表示了第1实施方式以及比较例的结果的曲线图。
如图4A的附图标记E1所示,在第1实施方式涉及的滤波器装置10的频率特性中,与比较例涉及的滤波器装置的频率特性相比较,通带中的输入损耗降低。进而,如图4A的附图标记E2所示,在第1实施方式涉及的滤波器装置10的频率特性中,与比较例涉及的滤波器装置的频率特性相比较,改善了比通带靠低频侧附近的衰减带的衰减特性的陡峭性。
可以说,这主要是由于如下的原因。即,在第1实施方式涉及的滤波器装置10中,分别在并联臂谐振器P4串联地连接有电感器L1,在并联臂谐振器P6串联地连接有电感器L2,在并联臂谐振器P1串联地连接有电感器L3。因此,并联臂谐振器P4、P6、以及P1各自的反谐振频率大致保持原样,且谐振频率向低频侧移动。而且,若反谐振频率大致保持原样且谐振频率向低频侧移动,则在并联臂谐振器P4、P6、以及P1的频率特性中可通过使用的电感器的电感性来降低由谐振器造成的电容性,可改善不匹配损耗。其结果是,如附图标记E1所示,在滤波器装置10的频率特性中,通带的输入损耗降低。进而,如上所述,在滤波器装置10具备的并联臂谐振器P1~P6之中,并联臂谐振器P1的反谐振频率最大,并且,在与这些并联臂谐振器串联地连接的电感器L1~L3之中,电感器L3的电感最大。因此,可以说,关于通过使电感器与并联臂谐振器串联地连接而降低通带的输入损耗的效果,基于并联臂谐振器P1和电感器L3的串联连接的贡献最大。
此外,第1实施方式涉及的滤波器装置10以及比较例涉及的滤波器装置均具备未串联地连接电感器的并联臂谐振器P2、P3、以及P5。这些并联臂谐振器P2、P3、以及P5对比通带靠低频侧附近的衰减带的衰减特性的陡峭性有贡献。在此,在第1实施方式涉及的滤波器装置10中,如上所述,并联臂谐振器P2和并联臂谐振器P1(第1并联臂谐振器)与线路U1上的同一布线连接,由此,变得更容易维持该衰减带的衰减特性的陡峭性。因此,如图4A的附图标记E2所示,在第1实施方式涉及的滤波器装置10中,与比较例涉及的滤波器装置相比较,比通带靠低频侧附近的衰减带的衰减特性的陡峭性提高。
进而,在第1实施方式涉及的滤波器装置10中,并联臂谐振器P1的另一端与端子T3(第1接地端子)连接,并联臂谐振器P2的另一端与不同于端子T3的端子T4(第2接地端子)连接。因此,并联臂谐振器P1的另一端和并联臂谐振器P2的另一端变得在滤波器芯片100的外侧的在电路上比较远的位置与地连接(在本例子中为图案层中的第5层200E),因此可降低与地连接对并联臂谐振器P1以及P2的特性的影响。
如图4B的附图标记E3所示,在第1实施方式涉及的滤波器装置10的频率特性中,与比较例涉及的滤波器装置的频率特性相比较,比通带靠低频侧的衰减极向更低频侧(大约1900~2000MHz附近)移动。这是由第1实施方式涉及的滤波器装置10具备的电感器L3造成的衰减极。
以上,对实施方式涉及的滤波器装置进行了说明。实施方式涉及的滤波器装置具备:多个串联臂谐振器,设置在滤波器芯片;多个并联臂谐振器,设置在滤波器芯片;以及多个电感器,与多个并联臂谐振器包含的一部分并联臂谐振器各自串联地连接,在该滤波器装置中,在多个并联臂谐振器中的反谐振频率最大的第1并联臂谐振器串联地连接有多个电感器中的电感最大的第1电感器,第1并联臂谐振器的一端和第2并联臂谐振器的一端与连结滤波器芯片的输入端子和输出端子的线路上的、被多个串联臂谐振器隔开的多个布线中的同一布线连接,第2并联臂谐振器包含于多个并联臂谐振器中的与一部分并联臂谐振器不同的另一部分并联臂谐振器,第1并联臂谐振器的另一端与滤波器芯片的第1接地端子连接,第2并联臂谐振器的另一端与滤波器芯片的不同于第1接地端子的第2接地端子连接。
通过该结构,在滤波器装置中,变得能够在保持衰减带的衰减特性的陡峭性的同时降低通带的输入损耗。
也可以是,在上述的滤波器装置中,另一部分并联臂谐振器包含的第3并联臂谐振器的一端与多个布线中的和连接有第1并联臂谐振器的一端以及第2并联臂谐振器的一端的布线不同的布线连接,第3并联臂谐振器的另一端与滤波器芯片的第2接地端子连接。
通过该结构,比通带靠低频侧附近的衰减带的衰减特性的陡峭性提高。
也可以是,在上述的滤波器装置中,多个并联臂谐振器包含:第4并联臂谐振器,与多个布线中的最靠近输入端子的布线连接;以及第5并联臂谐振器,与多个布线中的最靠近输出端子的布线连接。
通过该结构,第1并联臂谐振器和第1电感器的串联连接与连结输入端子和输出端子的线路上的比较中央的布线连接。由此,在保持衰减带的衰减特性的陡峭性的同时降低通带的输入损耗的、上述的效果提高。
也可以是,在上述的滤波器装置中,第2并联臂谐振器的反谐振频率比另一部分并联臂谐振器中的第2并联臂谐振器以外的并联臂谐振器的反谐振频率中的每一个高。
通过该结构,比通带靠低频侧附近的衰减带的衰减特性的陡峭性提高。
也可以是,在上述的滤波器装置中,另一部分并联臂谐振器中的第2并联臂谐振器以外的并联臂谐振器的反谐振频率中的每一个比第2并联臂谐振器的反谐振频率的大约99.5%高。
通过该结构,比通带靠低频侧附近的衰减带的衰减特性的陡峭性提高。
也可以是,在上述的滤波器装置中,第2并联臂谐振器的间距比另一部分并联臂谐振器中的第2并联臂谐振器以外的并联臂谐振器中的每一个的间距的大约99.5%大。
通过该结构,比通带靠低频侧附近的衰减带的衰减特性的陡峭性提高。
也可以是,在上述的滤波器装置中,滤波器芯片包含LiTaO3
通过该结构,滤波器装置的频率特性提高。
也可以是,在上述的滤波器装置中,多个电感器设置在层叠滤波器芯片的图案层。
通过该结构,滤波器装置的频率特性提高,此外,滤波器装置的制造变得容易。
也可以是,在上述的滤波器装置中,多个电感器中的第2电感器的一端连接在一端与多个布线中的不同于连接有第1并联臂谐振器的布线的一个布线连接的并联臂谐振器的另一端,多个电感器中的第3电感器的一端连接在一端与多个布线中的比一个布线离连接有第1并联臂谐振器的布线远的布线连接的并联臂谐振器的另一端,第1电感器与第2电感器之间的距离比第1电感器与第3电感器之间的距离小。
通过该结构,在滤波器装置中,电感器彼此的电路上的远近的顺序对应于电感器彼此的磁耦合的程度的大小的顺序。由此,滤波器装置的频率特性提高。
上述的滤波器装置也可以构成双工器的一部分或多工器的一部分。
通过该结构,能够提供频率特性提高了的分波器。
以上说明的各实施方式用于使本发明容易理解,并非用于对本发明进行限定解释。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更或改良,并且本发明还包含其等价物。即,本领域技术人员对各实施方式适当地施加了设计变更的实施方式,只要具备本发明的特征,就包含于本发明的范围。例如,各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸,能够适当地进行变更。此外,只要在技术上可行,各实施方式具备的各要素就能够进行组合,将它们进行了组合的实施方式只要包含本发明的特征,就包含于本发明的范围。

Claims (11)

1.一种滤波器装置,具备:
多个串联臂谐振器,设置在滤波器芯片;
多个并联臂谐振器,设置在所述滤波器芯片;以及
多个电感器,与所述多个并联臂谐振器包含的一部分并联臂谐振器各自串联地连接,
在所述滤波器装置中,
在所述多个并联臂谐振器中的反谐振频率最大的第1并联臂谐振器串联地连接有所述多个电感器中的电感最大的第1电感器,
所述第1并联臂谐振器的一端和第2并联臂谐振器的一端与连结所述滤波器芯片的输入端子和输出端子的线路上的、被所述多个串联臂谐振器隔开的多个布线中的同一布线连接,所述第2并联臂谐振器包含于所述多个并联臂谐振器中的与所述一部分并联臂谐振器不同的另一部分并联臂谐振器,
所述第1并联臂谐振器的另一端与所述滤波器芯片的第1接地端子连接,
所述第2并联臂谐振器的另一端与所述滤波器芯片的不同于所述第1接地端子的第2接地端子连接。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,
所述另一部分并联臂谐振器包含第3并联臂谐振器,
所述第3并联臂谐振器的一端与所述多个布线中的和连接有所述第1并联臂谐振器的一端以及所述第2并联臂谐振器的一端的布线不同的布线连接,所述第3并联臂谐振器的另一端与所述滤波器芯片的所述第2接地端子连接。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置,其中,
所述多个并联臂谐振器包含:
第4并联臂谐振器,与所述多个布线中的最靠近所述输入端子的布线连接;以及
第5并联臂谐振器,与所述多个布线中的最靠近所述输出端子的布线连接。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的滤波器装置,其中,
所述第2并联臂谐振器的反谐振频率比所述另一部分并联臂谐振器中的所述第2并联臂谐振器以外的并联臂谐振器的反谐振频率中的每一个高。
5.根据权利要求4所述的滤波器装置,其中,
所述另一部分并联臂谐振器中的所述第2并联臂谐振器以外的并联臂谐振器的反谐振频率中的每一个比所述第2并联臂谐振器的反谐振频率的大约99.5%高。
6.根据权利要求5所述的滤波器装置,其中,
所述第2并联臂谐振器的间距比所述另一部分并联臂谐振器中的所述第2并联臂谐振器以外的并联臂谐振器中的每一个的间距的大约99.5%大。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的滤波器装置,其中,
所述滤波器芯片包含LiTaO3
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的滤波器装置,其中,
所述多个电感器设置在层叠所述滤波器芯片的图案层。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的滤波器装置,其中,
所述多个电感器中的第2电感器的一端连接在一端与所述多个布线中的不同于连接有所述第1并联臂谐振器的所述布线的一个布线连接的并联臂谐振器的另一端,
所述多个电感器中的第3电感器的一端连接在一端与所述多个布线中的比所述一个布线离连接有所述第1并联臂谐振器的所述布线远的布线连接的并联臂谐振器的另一端,
所述第1电感器与所述第2电感器之间的距离比所述第1电感器与所述第3电感器之间的间隔小。
10.一种双工器,具备:
权利要求1至9中的任一项所述的滤波器装置。
11.一种多工器,具备:
权利要求1至9中的任一项所述的滤波器装置。
CN202011019110.4A 2019-10-16 2020-09-24 滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器 Active CN112671369B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-189353 2019-10-16
JP2019189353A JP7395942B2 (ja) 2019-10-16 2019-10-16 フィルタ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112671369A true CN112671369A (zh) 2021-04-16
CN112671369B CN112671369B (zh) 2024-04-02

Family

ID=75403993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011019110.4A Active CN112671369B (zh) 2019-10-16 2020-09-24 滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11239826B2 (zh)
JP (1) JP7395942B2 (zh)
KR (1) KR102547031B1 (zh)
CN (1) CN112671369B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102579221B1 (ko) * 2021-01-28 2023-09-15 (주)와이솔 탄성파 필터장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120293277A1 (en) * 2010-02-04 2012-11-22 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter, duplexer, communication module, communication device
CN105827215A (zh) * 2015-01-23 2016-08-03 株式会社村田制作所 梯子型滤波器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07264000A (ja) * 1994-03-16 1995-10-13 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ素子及びそれをパッケージングして成る弾性表面波フィルタ
JPWO2005055423A1 (ja) * 2003-12-01 2007-07-05 株式会社村田製作所 フィルタ装置
JP2008532334A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 松下電器産業株式会社 圧電フィルタならびにそれを用いた共用器および通信機器
JP4585431B2 (ja) * 2005-11-15 2010-11-24 富士通メディアデバイス株式会社 分波器
CN102037645A (zh) 2008-11-27 2011-04-27 松下电器产业株式会社 天线共用器和使用了天线共用器的通信设备
JP6176411B2 (ja) 2014-12-04 2017-08-09 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ、弾性波フィルタモジュール及びデュプレクサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120293277A1 (en) * 2010-02-04 2012-11-22 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter, duplexer, communication module, communication device
CN105827215A (zh) * 2015-01-23 2016-08-03 株式会社村田制作所 梯子型滤波器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210045322A (ko) 2021-04-26
US11239826B2 (en) 2022-02-01
KR102547031B1 (ko) 2023-06-26
CN112671369B (zh) 2024-04-02
JP7395942B2 (ja) 2023-12-12
US20210119610A1 (en) 2021-04-22
JP2021064897A (ja) 2021-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9356576B2 (en) Filter device
JP5237138B2 (ja) フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール
CN108023568A (zh) 滤波器装置、多路复用器、高频前置电路以及通信装置
US7479848B2 (en) Acoustic wave filter device
WO2017217197A1 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
EP2346166B1 (en) Elastic wave filter device and module comprising the elastic wave filter device
WO2012020595A1 (ja) 高周波モジュール及び通信機
CN111164890B (zh) 高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置
US9184728B2 (en) Elastic-wave filter device
KR20190143805A (ko) 멀티플렉서
JPWO2006040927A1 (ja) 分波器
KR102059739B1 (ko) 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치
US10666229B2 (en) Duplexer
KR20180117194A (ko) 복합 필터 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JPWO2006040923A1 (ja) 分波器
US11323098B2 (en) Duplexer
CN112671369B (zh) 滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器
JP6885376B2 (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
WO2012176576A1 (ja) フィルタ装置
KR102186689B1 (ko) 멀티플렉서, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
KR20190101463A (ko) 탄성파 장치 및 그 제조 방법
JP7352855B2 (ja) 分波器
JP2021072563A (ja) マルチプレクサ
KR20210011330A (ko) 필터 및 멀티플렉서
CN116783829A (zh) 滤波器装置、高频模块以及通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant