CN112640289A - 利用电场的电流路径范围控制方法及电子电路 - Google Patents

利用电场的电流路径范围控制方法及电子电路 Download PDF

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Abstract

本发明的一个实施例公开一种电流路径范围控制方法，作为利用电场的电流路径范围控制方法，包括：针对包含自发极化性材料的活性层及邻接所述活性层地配置的接入电极，通过所述接入电极对所述活性层施加电场而形成所述活性层的极化区域的步骤；及形成与所述极化区域的边界对应的变动低阻抗区域的步骤；其中，所述变动低阻抗区域作为所述活性层区域中电阻低于与所述变动低阻抗区域邻接的其他区域的区域，使得形成电气通路。

Description

利用电场的电流路径范围控制方法及电子电路
技术领域
本发明涉及利用电场的电流路径范围控制方法及电子电路电流路径范围控制方法。
背景技术
随着技术的发展以及人们对生活便利关注的增加，开发多样电子制品的尝试日益活跃。
另外，这种电子制品越来越小型化、集成化，使用的场所广泛增加。
这种电子制品包括多样的电气元件，例如包括CPU、存储器、其他多样的电气元件。这种电气元件可以包括多样种类的电路。
例如，不仅是计算机、智能手机，在用于IoT(物联网)的家庭用传感器元件、人体工程学用生物电子元件等多样领域的制品中也使用电气元件。
另一方面，随着最近技术飞速发展、使用者生活水平迅速提高，这种电气元件的使用和应用领域急剧增加，其需求也随之增加。
根据这种趋势，在体现和控制轻松迅速地应用于常用多样电气元件的电路方面存在局限。
发明内容
本发明可以提供一种能够容易地应用于多样用途的电流路径范围控制方法及电子电路。
本发明的一个实施例公开一种电流路径范围控制方法，作为利用电场的电流路径范围控制方法，包括：针对包含自发极化性材料的活性层及邻接所述活性层地配置的接入电极，通过所述接入电极对所述活性层施加电场而形成所述活性层的极化区域的步骤；及形成与所述极化区域的边界对应的变动低阻抗区域的步骤；其中，所述变动低阻抗区域作为所述活性层区域中电阻低于与所述变动低阻抗区域邻接的其他区域的区域，使得形成电气通路。
在本实施例中，所述形成变动低阻抗区域的步骤可以包括：所述活性层的极化区域沿所述活性层的厚度方向生长的步骤及所述极化区域沿与所述活性层厚度方向交叉的方向生长的步骤。
在本实施例中，可以控制由所述接入电极形成的电场，控制所述变动低阻抗区域的生成与灭失，从而控制由此决定的电气通路的生成及灭失。
在本实施例中，所述形成变动低阻抗区域的步骤可以包括：通过所述接入电极来施加比所述活性层的矫顽电场更大强度的电场的步骤。
在本实施例中，所述形成变动低阻抗区域的步骤可以控制由所述接入电极形成的电场的强度，从而控制所述变动低阻抗区域的沿所述活性层厚度方向的深度。
在本实施例中，所述形成变动低阻抗区域的步骤可以包括：所述变动低阻抗区域从所述接入电极沿所述活性层的平面方向隔开距离地形成。
在本实施例中，所述形成变动低阻抗区域的步骤可以控制由所述接入电极形成的电场的施加时间，从而控制所述变动低阻抗区域的大小或宽度。
在本实施例中，所述形成变动低阻抗区域的步骤可以包括：形成相互隔开地配置的多个变动低阻抗区域的步骤。
在本实施例中，所述形成多个变动低阻抗区域的步骤可以包括：先形成远离所述接入电极配置的变动低阻抗区域后，形成靠近所述接入电极配置的变动低阻抗区域的步骤。
在本实施例中，所述形成多个变动低阻抗区域的步骤可以包括：以所述一个变动低阻抗区域为边界，使互不相同方向的极化区域位于两侧。
在本实施例中，所述接入电极可以相互隔开地配备多个，可以包括：通过所述多个接入电极而在所述活性层至少一个区域形成隔开的极化区域的步骤，及形成与所述极化区域对应的多个变动低阻抗区域的步骤。
在本实施例中，可以控制施加由所述接入电极形成的电场的时间，包括所述相互隔开的多个极化区域在一个区域重叠的步骤，包括与所述多个极化区域对应的多个变动低阻抗区域的一个区域相互重叠统合的步骤。
在本实施例中，可以包括：与所述变动低阻抗区域邻接地形成至少一个连接电极的步骤。
在本实施例中，即使去除通过所述接入电极而施加的电场，所述变动低阻抗区域也可以通过所述极化区域的保持而保持。
本发明的另一实施例公开一种电子电路，包括：活性层，所述活性层包含自发极化性材料；接入电极，所述接入电极与所述活性层邻接地配置；极化区域，所述极化区域通过所述接入电极对所述活性层施加电场而在所述活性层形成；及变动低阻抗区域，所述变动低阻抗区域与所述极化区域的边界对应；其中，所述变动低阻抗区域作为所述活性层区域中电阻低于与所述变动低阻抗区域邻接的其他区域的区域，使得形成电气通路。
在本实施例中，可以控制由所述接入电极形成的电场，所述变动低阻抗区域可以根据所述极化区域的控制而生成或灭失。
在本实施例中，就所述变动低阻抗区域而言，可以控制由所述接入电极形成的电场的强度，从而控制所述变动低阻抗区域的沿所述活性层厚度方向的深度。
在本实施例中，就所述变动低阻抗区域而言，可以控制由所述接入电极形成的电场的施加时间，从而控制所述变动低阻抗区域的大小或宽度。
在本实施例中，所述变动低阻抗区域可以包括相互隔开地配置的多个变动低阻抗区域。
在本实施例中，就所述多个变动低阻抗区域而言，可以先形成远离所述接入电极配置的变动低阻抗区域后，最终形成靠近所述接入电极配置的变动低阻抗区域。
在本实施例中，可以以所述多个变动低阻抗区域的一个变动低阻抗区域为边界，在两侧形成互不相同方向的极化区域。
在本实施例中，所述接入电极可以相互隔开地配备多个。
在本实施例中，可以包括与所述相互隔开的多个接入电极对应的多个极化区域及多个变动低阻抗区域。
在本实施例中，可以控制施加由所述接入电极形成的电场的时间，包括所述相互隔开的多个极化区域在一个区域重叠的区域，包括与所述多个极化区域对应的多个变动低阻抗区域的一个区域相互重叠统合的区域。
在本实施例中，可以还包括与所述变动低阻抗区域邻接地形成的至少一个连接电极。
在本实施例中，所述活性层可以包含铁电性材料。
在本实施例中，所述接入电极可以在所述活性层的一面形成。
在本实施例中，所述接入电极可以与所述活性层隔开地配置。
在本实施例中，即使去除通过所述接入电极施加的电场，所述变动低阻抗区域也可以保持。
在本实施例中，所述变动低阻抗区域可以在所述接入电极的周边形成。
在本实施例中，所述变动低阻抗区域可以在所述接入电极的周边包括线形地形成。
通过以下附图、权利要求书及发明内容，前述内容之外的其他方面、特征、优点将会明确。
本发明的电流路径范围控制方法及电子电路可以容易地应用于多样用途。
附图说明
图1是图示本发明一个实施例的电子电路的概略俯视图。
图2是沿图1的Ⅱ-Ⅱ线截断的剖面图。
图3是图2的K的放大图。
图4a至图4c是用于说明图1的电子电路相关的电流路径范围控制方法的图。
图5是图示本发明另一实施例的电子电路的概略俯视图。
图6是沿图5的Ⅵ-Ⅵ线截断的剖面图。
图7a至图7d是用于说明图5的电子电路的电流路径范围控制方法的图。
图8是图示本发明一个实施例的电子电路的概略俯视图。
图9是沿图8的Ⅱ-Ⅱ线截断的剖面图。
图10至图14是用于说明图8的电子电路运转的图。
图15是图示本发明另一实施例的电子电路的概略俯视图。
图16是沿图15的ⅤⅢ-ⅤⅢ线截断的剖面图。
图17是图示本发明又一实施例的电子电路的概略俯视图。
图18是图示本发明又一实施例的电子电路的概略俯视图。
图19是图示本发明又一实施例的电子电路的概略俯视图。
具体实施方式
下面参照附图中图示的本发明的实施例，详细说明本发明的构成及作用。
本发明可以施加多样的变换，可以具有多种实施例，将在附图中示例性图示特定实施例并在发明内容中详细说明。如果参照后面与附图一同详细叙述的实施例，本发明的效果及特征以及达成其的方法将会明确。但是，本发明并非限定于以下公开的实施例，可以以多样的形态体现。
下面参照附图，详细说明本发明的实施例，当参照附图进行说明时，相同或对应的构成要素赋予相同的附图标号，省略对此的重复说明。
在以下实施例中，第一、第二等术语并非限定性的意义，而是用于将一个构成要素区别于其他构成要素的目的。
在以下实施例中，只要在文理上未明确表示不同，则单数的表现包括复数的表现。
在以下实施例中，包括或具有等术语，意味着说明书中记载的特征或构成要素的存在，并非预先排除一个以上其他特征或构成要素的附加可能性。
在附图中，为了说明的便利，构成要素的大小可以夸张或缩小。例如，在图中显示的各构成的大小及厚度为了说明的便利而任意显示，因而本发明并非必须限定于图示的内容。
在以下实施例中，x轴、y轴及z轴不限定为直角坐标系上的三轴，也可以解释为包括其的广义意义。例如，x轴、y轴及z轴既可以相互直交，但也可以指称相互不直交的互不相同的方向。
在某个实施例可以不同地体现的情况下，特定的工序顺序也可以不同于说明的顺序地执行。例如，连续说明的两个工序既可以实质上同时执行，也可以按照与说明的顺序相反的顺序进行。
图1是图示本发明一个实施例的电子电路的概略俯视图，图2是沿图1的Ⅱ-Ⅱ线截断的剖面图，图3是图2的K的放大图。
如果参照图5及图6，本实施例的电子电路10可以包括活性层11、接入电极12、变动低阻抗区域VL。
活性层11可以包含自发极化性材料。例如，活性层11可以包含绝缘材料，包含铁电性材料。即，活性层11可以包含具有在电场存在时能够逆转的自发电极化(电偶极子)的材料。
作为选择性实施例，活性层11可以包含钙钛矿类物质，例如，可以包含BaTiO3、SrTiO3、BiFe3、PbTiO3、PbZrO3、SrBi2Ta2O9。
作为又一示例，活性层11作为ABX3结构，A可以包括从CnH2n+1的烃基及能够形成钙钛矿太阳能电池结构的Cs、Ru等无机物中选择的一种以上物质，B可以包括选自由Pb、Sn、Ti、Nb、Zr及Ce构成的组的一种以上物质，X可以包括卤素物质。作为具体示例，活性层11可以包括CH3NH3PbI3、CH3NH3PbIxCl3-x、MAPbI3、CH3NH3PbIxBr3-x、CH3NH3PbClxBr3-x、HC(NH2)2PbI3、HC(NH2)2PbIxCl3-x、HC(NH2)2PbIxBr3-x、HC(NH2)2PbClxBr3-x、(CH3NH3)(HC(NH2)2)1- yPbI3、(CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbIxCl3-x、(CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbIxBr3-x、或(CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbClxBr3-x(0≤x、y≤1)。
可以利用其他多样的铁电性材料形成活性层11，省略关于此的所有示例的说明。另外，当形成活性层11时，也可以在铁电性材料中掺杂其他多样物质而包括附加性的功能或提高电气特性。
活性层11具有自发极化性，随着施加电场而可以控制极化的程度和方向。另外，即使去除所施加的电场，活性层11也可以保持极化状态。
接入电极12可以形成得能够对活性层11施加电场，例如，可以向活性层11施加电压。
作为选择性实施例，接入电极12可以形成得与活性层11的上面相接。
另外，接入电极12可以形成得能够向活性层11施加多样大小的电压，能够控制电压施加时间。
作为选择性实施例，接入电极12可以为栅电极。
例如，接入电极12可以与电源(图上未示出)或电源控制部电气连接。
接入电极12可以包括多样材料，可以包括导电性高的材料。例如，可以利用多样金属形成接入电极12。
例如，接入电极12可以含有铝、铬、钛、钽、钼、钨、钕、钪或铜地形成。或者，也可以利用这些材料的合金形成，或利用这种材料的氮化物形成。
另外，作为选择性实施例，接入电极12也可以包括层叠体结构。
虽然未图示，作为选择性实施例，也可以在接入电极12与活性层11之间还配置有一个以上的绝缘层。
变动低阻抗区域VL作为在活性层11形成的区域，是电流可以流动的区域，另外，如图1所示，可以在接入电极12的周边由具有线形的电流通路形成。
具体而言，变动低阻抗区域VL是活性层11区域中电阻低于与变动低阻抗区域VL邻接的其他区域的区域。
另外，在形成由接入电极12形成的变动低阻抗区域VL后，即使去除由接入电极12形成的电场，例如，即使去除电压，活性层11的极化状态也保持，因而变动低阻抗区域VL得以保持，可以保持形成电流通路的状态。
由此，可以构成多样的电子电路。
变动低阻抗区域VL具有高度HVL，这种高度HVL可以与活性层11的整体厚度对应。
这种变动低阻抗区域VL的高度HVL可以与施加由接入电极12形成的电场时的电场强度成比例，例如，与电压大小成比例。至少这种电场的大小可以大于活性层11具有的固有矫顽电场。
变动低阻抗区域VL是电压通过接入电极12施加于活性层11后形成的区域，通过接入电极12的控制而可以变动，例如可以生成、灭失、移动。
活性层11可以包括具有第一极化方向的第一极化区域11F，变动低阻抗区域VL可以在这种第一极化区域11F的边界形成。
另外，可以包括与第一极化区域11F邻接地具有第二极化方向的第二极化区域11R，变动低阻抗区域VL可以在这种第二极化区域11R的边界形成。第二方向可以是至少与第一方向相异的方向，例如，可以为与第一方向相反方向。
例如，变动低阻抗区域VL可以在第一极化区域11F与第二极化区域11R之间形成。
变动低阻抗区域VL可以具有一个方向的宽度WVL，这可以与变动低阻抗区域VL的移动距离成比例，这将在后面叙述。
作为选择性实施例，这种厚度TVL1可以为0.1至0.3纳米。
图4a至图4c是用于针对图1的电子电路来说明电流路径范围控制方法的图。
如果参照图4a，活性层11可以包括具有第二极化方向的第二极化区域11R。作为选择性实施例，可以施加由接入电极12形成的初始化电场，形成如图4a所示的活性层11的极化状态。
然后，如果参照图4b，在活性层11形成第一极化区域11F。作为具体示例，可以与接入电极12的宽度对应地在与接入电极12重叠的区域首先形成第一极化区域11F。
可以通过接入电极12，向活性层11施加电场，所述电场的大小足以让第一极化区域11F的高度HVL形成得高度大于活性层11的矫顽电场或至少与活性层11整体厚度对应。
通过施加由这种接入电极12形成的电场，可以改变对活性层11的第二极化区域11R一个区域的极化方向，变成第一极化区域11F。
作为选择性实施例，第一极化区域11F沿高度HVL方向的生长速度会非常快，例如，可以具有1km/sec(秒)的速度生长。
然后，如果继续保持由接入电极12形成的电场，即经过时间，则第一极化区域11F向水平方向H，即向与高度HVL垂直交叉的方向移动，其大小会增大。即，可以渐进地将第二极化区域11R的区域变换成第一极化区域11F。
作为选择性实施例，第一极化区域11F沿水平方向H的生长速度会非常快，例如，可以具有1m/sec(秒)速度生长。
由此，可以控制变动低阻抗区域VL的大小，这种大小例如为变动低阻抗区域VL的宽度，与第一极化区域11F的生长距离对应，因而可以与生长速度和电场保持时间成比例。例如，生长距离可以与生长速度和电场保持时间的乘积成比例。
另外，第一极化区域11F的生长速度可以与沿高度HVL方向的生长速度与沿水平方向H的生长速度之和成比例。
因此，就变动低阻抗区域VL的大小而言，可以控制电场保持时间，按希望进行调节。
具体而言，如图4c所示，第一极化区域11F广泛展开扩大，因而变动低阻抗区域VL也可以向远离接入电极12的方向移动。
本实施例可以通过接入电极而对活性层施加电场，在活性层形成具有不同于第二极化方向的第一极化方向的第一极化区域，形成与这种第一极化区域与第二极化区域之间的边界相应的变动低阻抗区域。这种变动低阻抗区域作为阻抗低的区域，是阻抗减小的区域，可以成为电流通路，可以容易地形成电子电路。
另外，本实施例可以控制由接入电极形成的电场的大小，例如，可以控制电压的大小，确定变动低阻抗区域的高度，具体而言，可以控制使得具有与活性层整体厚度对应的高度。
另外，控制维持由接入电极形成的电场的时间，可以决定变动低阻抗区域的大小，例如，可以决定宽度。通过这种变动低阻抗区域的大小控制，可以容易地控制电流流动通路的大小。
另外，即使去除由接入电极形成的电场，极化区域的极化状态也保持，因而可以容易地保持电流通路，持续保持由接入电极形成的电场，如果极化区域扩大，则已形成的位置上的变动低阻抗区域有可能被灭失。
由此，可以控制电流通路的灭失，结果可以容易地控制电流的流动。
可以控制本实施例的电子电路，用于多样用途，例如，可以连接一个以上的电极，以便与变动低阻抗区域相接。
图5是图示本发明另一实施例的电子电路的概略俯视图，图6是沿图5的Ⅵ-Ⅵ线截断的剖面图。
如果参照图5及图6，本实施例的电子电路20可以包括活性层21、接入电极22、变动低阻抗区域VL1、VL2、VL3。
活性层21可以包含自发极化性材料。例如，活性层21可以包含绝缘材料，包含铁电性材料。即，活性层21可以包含具有在电场存在时能够逆转的自发电极化(电偶极子)的材料。
作为选择性实施例，活性层21可以包含钙钛矿类物质，具体说明与前述实施例相同，因而省略。
接入电极22可以形成得能够对活性层21施加电场，例如，可以将电压施加于活性层21。具体内容与前述实施例相同，因而省略。
变动低阻抗区域VL1、VL2、VL3可以包括第一变动低阻抗区域VL1、第二变动低阻抗区域VL2及第三变动低阻抗区域VL3。
第一变动低阻抗区域VL1可以具有大于第二变动低阻抗区域VL2的宽度，第二变动低阻抗区域VL2可以具有大于第三变动低阻抗区域VL3的宽度。
作为选择性实施例，第一变动低阻抗区域VL1可以配置于第二变动低阻抗区域VL2的外廓，第二变动低阻抗区域VL2可以配置于第三变动低阻抗区域VL3的外廓。
第一变动低阻抗区域VL1、第二变动低阻抗区域VL2及第三变动低阻抗区域VL3作为在活性层21形成的区域，是电流可以流动的区域，可以形成具有线形的电流通路。
具体而言，第一变动低阻抗区域VL1、第二变动低阻抗区域VL2及第三变动低阻抗区域VL3是活性层21区域中电阻低于与第一变动低阻抗区域VL1、第二变动低阻抗区域VL2及第三变动低阻抗区域VL3邻接的其他区域的区域。
另外，在通过接入电极22形成第一变动低阻抗区域VL1、第二变动低阻抗区域VL2及第三变动低阻抗区域VL3后，即使去除由接入电极22形成的电场，例如，即使去除电压，活性层21的极化状态也保持，因而第一变动低阻抗区域VL1、第二变动低阻抗区域VL2及第三变动低阻抗区域VL3得以保持，可以保持形成电流通路的状态。
由此可以构成多样的电子电路。
变动低阻抗区域VL1、VL2、VL3具有高度HVL，这种高度HVL可以与活性层21的整体厚度对应。
活性层21可以包括具有第一极化方向的第一极化区域21F1、21F2、21F3，变动低阻抗区域VL1、VL2、VL3可以在这种第一极化区域21F1、21F2、21F3的边界形成。
另外，可以包括第二极化区域21R1、21R2，所述第二极化区域21R1、21R2与第一极化区域21F1、21F2、21F3邻接，具有第二极化方向，变动低阻抗区域VL可以在这种第二极化区域21R1、21R2的边界形成。第二方向可以是至少与第一方向相异的方向，例如，可以是与第一方向相反方向。
例如，第一变动低阻抗区域VL1可以在第一极化区域21F1与第二极化区域21R1之间形成。
另外，第二变动低阻抗区域VL2可以在第一极化区域21F1与第二极化区域21R2之间形成。
另外，第三变动低阻抗区域VL3可以在第一极化区域21F3与第二极化区域21R2之间形成。
图7a至图7d是用于说明图5的电子电路的电流路径范围控制方法的图。
如果参照图7a，活性层21可以包括具有第二极化方向的第二极化区域21R。作为选择性实施例，施加由接入电极22形成的初始化电场，可以形成如图7a所示的活性层21极化状态。
然后，如果参照图7b，在活性层21形成第一极化区域21F。作为具体示例，在与接入电极22的宽度对应地与接入电极22重叠的区域首先形成第一极化区域21F后，沿水平方向生长，可以形成如图7b所示的状态。另外，图7a的第一极化区域21R缩小，可以变成如图7b所示形态的第一极化区域21R1。
在第一极化区域21F与第二极化区域21R1之间可以形成有第一变动低阻抗区域VL1。
然后，如果参照图7c，施加与图7b相反方向的电场，可以将第一极化区域21F一部分区域的极化方向变换成具有第二方向的极化方向的第二极化区域21R2。例如，可以形成具有第二方向的极化方向的第二极化区域21R2，所述第二方向是与第一极化区域21F的第一极化方向相反方向。
另外，图7b的第一极化区域21F大小可以由此而缩小，变成图7c所示形态的第一极化区域21F1。
可以在这种第二极化区域21R2与第一极化区域21F1之间形成有第二变动低阻抗区域VL2。
由于保持这种极化状态，因而第一变动低阻抗区域VL1可以依然保持。
然后，如果参照图7d，施加与图7c相反方向的电场，可以将第二极化区域21R2一部分区域的极化方向变换成具有第一方向极化方向的第一极化区域21F3。例如，可以形成具有第一方向的极化方向的第一极化区域21F3，所述第一方向是与第二极化区域21R2的第二极化方向相反方向。
另外，图7c的第二极化区域21R2大小可以由此而缩小，变成图7d所示形态的第二极化区域21R2。
在这种第二极化区域21R2与第一极化区域21F3之间可以形成有第三变动低阻抗区域VL3。
由于保持这种极化状态，因而第一变动低阻抗区域VL1及第二变动低阻抗区域VL2可以依然保持，与此同时，可以追加第三变动低阻抗区域VL3。
本实施例通过接入电极对活性层施加电场，在活性层形成具有不同于第二极化方向的第一极化方向的第一极化区域，可以形成与这种第一极化区域与第二极化区域之间边界相应的变动低阻抗区域。这种变动低阻抗区域作为阻抗低的区域，是阻抗减小的区域，可以成为电流通路，可以容易地形成电子电路。
另外，本实施例可以控制由接入电极形成的电场大小，控制电场的方向，由此，可以针对活性层，形成多个第一极化区域或多个第二极化区域。
在这种多个第一极化区域或多个第二极化区域之间的边界线上，可以形成多个变动低阻抗区域。这种多个变动低阻抗区域可以分别形成电流通路，因而可以容易地生成并控制多样形态和用途的电子电路。
图8是图示本发明一个实施例的电子电路的概略俯视图，图9是沿图8的Ⅱ-Ⅱ线截断的剖面图。
如果参照图8及图9，本实施例的电子电路100可以包括活性层110、接入电极120、变动低阻抗区域VL及一个以上的连接电极部131、132。
活性层110可以包含自发极化性材料。例如，活性层110可以包含绝缘材料，包含铁电性材料。即，活性层110可以包含具有在电场存在时能够逆转的自发电极化(电偶极子)的材料。
作为选择性实施例，活性层110可以包含钙钛矿类物质，例如，可以包含BaTiO3、SrTiO3、BiFe3、PbTiO3、PbZrO3、SrBi2Ta2O9。
作为又一示例，活性层110作为ABX3结构，A可以包括从CnH2n+1的烃基及能够形成钙钛矿太阳能电池结构的Cs、Ru等无机物中选择的一种以上物质，B可以包括选自由Pb、Sn、Ti、Nb、Zr及Ce构成的组的一种以上物质，X可以包括卤素物质。作为具体示例，活性层110可以包括CH3NH3PbI3、CH3NH3PbIxCl3-x、MAPbI3、CH3NH3PbIxBr3-x、CH3NH3PbClxBr3-x、HC(NH2)2PbI3、HC(NH2)2PbIxCl3-x、HC(NH2)2PbIxBr3-x、HC(NH2)2PbClxBr3-x、(CH3NH3)(HC(NH2)2)1- yPbI3、(CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbIxCl3-x、(CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbIxBr3-x、或(CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbClxBr3-x(0≤x、y≤1)。
可以利用其他多样铁电性材料形成活性层110，省略关于此的所有示例的说明。另外，当形成活性层110时，也可以在铁电性材料中掺杂其他多样物质而包括附加性的功能或提高电气特性。
活性层110具有自发极化性，随着施加电场而可以控制极化的程度和方向。另外，即使去除所施加的电场，活性层110也可以保持极化状态。
接入电极120可以形成得能够对活性层110施加电场，例如，可以向活性层110施加电压。
作为选择性实施例，接入电极120可以形成得与活性层110的上面相接。
另外，接入电极120可以形成得能够对活性层110施加多样大小的电压，能够控制电压施加时间。
作为选择性实施例，接入电极120可以为栅电极。
例如，接入电极120可以与电源(图上未示出)或电源控制部电气连接。
接入电极120可以包含多样材料，可以包含导电性高的材料。例如，可以利用多样金属，形成接入电极120。
例如，接入电极120可以含有铝、铬、钛、钽、钼、钨、钕、钪或铜地形成。或者也可以利用这些材料的合金形成，或利用这种材料的氮化物形成。
另外，作为选择性实施例，接入电极120也可以包括层叠体结构。
连接电极部131、132可以包括一个以上的电极构件，例如，可以包括第一连接电极构件131及第二连接电极构件132。
连接电极部131、132可以在活性层110上形成，例如，可以在活性层110上面与接入电极120隔开地形成，作为选择性实施例，可以与活性层110相接地形成。
第一连接电极构件131及第二连接电极构件132可以利用多样导电性材料形成。例如，第一连接电极构件131及第二连接电极构件132可以含有铝、铬、铜、钽、钛、钼或钨地形成。
作为选择性实施例，第一连接电极构件131及第二连接电极构件132可以包括层叠多个导电层的结构。
作为选择性实施例，第一连接电极构件131及第二连接电极构件132可以利用导电性的金属氧化物形成，例如，可以含有氧化铟(例如In2O3)、氧化锡(例如SnO2)、氧化锌(例如ZnO)、氧化铟氧化锡合金(例如In2O3―SnO2)或氧化铟氧化锌合金(例如In2O3―ZnO)地形成。
作为选择性实施例，连接电极部131、132可以是包括电信号输入输出的端子构件。
另外，作为具体示例，连接电极部131、132的第一连接电极构件131及第二连接电极构件132可以包括源极电极或漏极电极。
图10至图14是用于说明图8的电子电路运转的图。
图10是图示通过接入电极120施加第一电场的状态的图，图11是沿图10的Ⅳ-Ⅳ线截断的剖面图，图12是图11的K的放大图。
如果参照图10至图12，通过接入电极120对活性层110施加第一电场后，活性层110的至少一个区域可以包括极化区域110F。
这种极化区域110F可以是以接入电极120为中心环绕接入电极120的形态。极化区域110F可以具有边界线。
第一变动低阻抗区域VL1可以在与这种边界线侧面对应的区域形成。如果参照图3，可以以接入电极120为中心，以环绕接入电极120的线形形成。
例如，第一变动低阻抗区域VL1可以以环绕接入电极120的方式沿一个方向具有第一宽度WVL1。
另外，第一变动低阻抗区域VL1可以与极化区域110F边界线的整个侧面对应地形成，可以沿着远离极化区域110F侧面的方向具有厚度TVL1。
作为选择性实施例，这种厚度TVL1可以为0.1至0.3纳米。
作为选择性实施例，在通过接入电极120对活性层110施加第一电压之前，可以进行将初始化电场施加于活性层110的过程。
可以包括：通过这种将初始化电场施加于活性层110的过程，将活性层110的区域全部转换成与极化区域110F相异方向的极化区域(例如相反方向的极化区域)的步骤。
然后，可以施加与之相反方向的电场，在一个区域形成极化区域110F。
在活性层110的极化区域110F边界形成的第一变动低阻抗区域VL1可以变成阻抗比活性层110其他区域低的区域。例如，第一变动低阻抗区域VL1可以具有比活性层110的极化区域110F及第一变动低阻抗区域VL1周边的活性层110区域低的阻抗。
由此，第一变动低阻抗区域VL1可以形成电流通路。
作为选择性实施例，第一变动低阻抗区域VL1可以与活性层110具备的多个畴壁的一个区域对应。
另外，如果活性层110的极化区域110F得以保持极化状态，则这种第一变动低阻抗区域VL1可以继续保持。即，即使去除通过接入电极120而施加于活性层110F的第一电压，也可以保持变动低阻抗区域VL1的状态，即保持低阻抗状态。
如图10及图11所示，可以通过第一变动低阻抗区域VL1而形成电流通路。不过，连接电极部131、132不对应于第一变动低阻抗区域VL1，因而不会发生通过连接电极部131、132的电流流动。
图13是图示通过接入电极120将第一电场进一步保持既定时间的状态的图，图14是沿图13的Ⅶ-Ⅶ线截断的剖面图。
如果参照图13及图14，由接入电极120形成的第一电场的保持时间延长，图11及图12的极化区域110F沿水平方向移动，极化区域110F增大，因而可以形成比第一变动低阻抗区域VL1大的第二变动低阻抗区域VL2。
例如，可以将图11及图12中施加的电压保持既定时间，形成如图13及图14所示的结构。
极化区域110F可以是以接入电极120为中心环绕接入电极120的形态。极化区域110F可以具有边界线。第二变动低阻抗区域VL2可以在与这种极化区域110F边界线的侧面对应的区域形成。如果参照图13，可以以接入电极120为中心，以环绕接入电极120的线形形成。
例如，第二变动低阻抗区域VL2可以以环绕接入电极120的方式沿一个方向具有第二宽度WVL2，第二宽度WVL2可以大于第一宽度WVL1。
另外，第二变动低阻抗区域VL2可以与极化区域110F边界线整个侧面对应地形成，可以沿着远离极化区域110F侧面的方向具有厚度，作为选择性实施例，这种厚度可以为0.1至0.3纳米。
在活性层110的极化区域110F的边界形成的第二变动低阻抗区域VL2可以变成阻抗比活性层110其他区域低的区域。例如，第二变动低阻抗区域VL2可以具有比活性层110的极化区域110F及第二变动低阻抗区域VL2周边的活性层110区域低的阻抗。
由此，第二变动低阻抗区域VL2可以形成电流通路。
作为选择性实施例，第二变动低阻抗区域VL2可以与活性层110具备的多个畴壁的一个区域对应。
另外，如果活性层110F的极化状态得以保持，则这种第二变动低阻抗区域VL2可以继续保持。即，即使去除通过接入电极120而施加于活性层110F的第二电压，第二变动低阻抗区域VL2的状态也可以保持，即低阻抗状态可以保持。
因此，可以通过第二变动低阻抗区域VL2形成电流通路。
另外，作为具体示例，连接电极部131、132可以与第二变动低阻抗区域VL2对应地形成，例如，连接电极部131、132的第一连接电极构件131及第二连接电极构件132在相互隔开的状态下，可以与第二变动低阻抗区域VL2上面相接地配置。
由此，电流可以通过连接电极部131、132的第一连接电极构件131及第二连接电极构件132而流动。
另外，可以产生多样的电信号。例如，当进一步持续施加图13及图14状态下的电场时，即施加时间增加时，第二变动低阻抗区域VL2可以进一步移动，超出第一连接电极构件131及第二连接电极构件132。因此，电流无法通过第一连接电极构件131及第二连接电极构件132流动。
另外，作为选择性实施例，也可以进行对整体活性层110的初始化过程。
然后，当再次通过接入电极120对活性层110施加电场时，电流可以流入连接电极部131、132的第一连接电极构件131及第二连接电极构件132。
本实施例的电子电路可以通过接入电极，对活性层施加多样大小的电压，可以控制施加的时间。
由此，可以以希望大小的区域，在活性层形成极化区域，可以在这种极化区域的边界形成变动低阻抗区域。
当与这种变动低阻抗区域对应地，例如相接地形成连接电极部时，电流可以通过连接电极部而流动，即使去除电压，含有铁电性材料的活性层也可以保持极化状态，因而其边界的变动低阻抗区域也可以保持，电流可以继续流动。
另外，可以通过接入电极，将电压施加于活性层，以便将变动低阻抗区域变成极化区域，由此，在电流曾流动的连接电极部，电流不再流动。
可以控制这种接入电极的电压，控制电流的流动，通过这种电流流动的控制，电子电路可以用于多样用途。
作为选择性实施例，电子电路可以用作存储器。
例如，将电流流动定义为1，将不流动定义为0，可以用作存储器，作为具体示例，即使在去除电压时，电流也可以流动，因而可以用作非易失性存储器。
另外，电子电路可以构成生成并传递多样信号的电路部，也可以用作开关元件。
另外，此外，可以在要求电信号控制的部分，以简单结构应用，因而可以应用于可变电路、CPU、生物芯片等多样领域。
图15是图示本发明另一实施例的电子电路的概略俯视图，图16是沿图15的ⅤⅢ-ⅤⅢ线截断的剖面图。
如果参照图15及图16，本实施例的电子电路200可以包括活性层210、接入电极220、变动低阻抗区域VL及连接电极部231、232。
为了说明的便利，以与前述实施例不同之处为中心进行说明。
活性层210可以包含自发极化性材料。例如，活性层210可以包含绝缘材料，包含铁电性材料。即，活性层210可以包含具有在电场存在时能够逆转的自发电极化(电偶极子)的材料。
对形成活性层210的材料的说明，与在前述实施例中说明的内容相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
接入电极220可以形成得能够对活性层210施加电场，例如，可以将电压施加于活性层210。
作为选择性实施例，接入电极220可以与活性层210上面相接地形成。
对形成接入电极220的材料的说明，与在前述实施例中说明的内容相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
连接电极部231、232可以包括一个以上的电极构件，例如，可以包括第一连接电极构件231及第二连接电极构件232。
连接电极部231、232可以在活性层210上形成，例如，可以在活性层210面中的形成有接入电极220的面的相反面形成，以便与接入电极220隔开。
接入电极220可以在活性层210的上面形成，连接电极部231、232可以在活性层210的下面形成。
作为选择性实施例，连接电极部231、232可以与活性层210相接地形成。
第一连接电极构件231及第二连接电极构件232可以利用多样的导电性材料形成。
对形成第一连接电极构件231及第二连接电极构件232的材料的说明，与在前述实施例中说明的内容相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
如果参照图16，电压通过接入电极220施加于活性层210后，活性层210的至少一个区域可以包括极化区域210F。
变动低阻抗区域VL可以在与这种极化区域210F的边界线侧面对应的区域形成，如果参照图15，可以以接入电极220为中心，以环绕接入电极220的线形形成。
例如，变动低阻抗区域VL2可以环绕接入电极220地沿一个方向具有宽度。
另外，变动低阻抗区域VL可以与极化区域210F边界线整个侧面对应地形成，可以沿着远离极化区域210F侧面的方向具有厚度，作为选择性实施例，这种厚度可以为0.1至0.3纳米。
在活性层210的极化区域210F边界形成的变动低阻抗区域VL可以变成阻抗比活性层210其他区域低的区域。例如，变动低阻抗区域VL可以具有比活性层210的极化区域210F及变动低阻抗区域VL周边的活性层210区域低的阻抗。
由此，变动低阻抗区域VL可以形成电流通路。
作为选择性实施例，变动低阻抗区域VL可以与活性层210具备的多个畴壁的一个区域对应。
另外，如果活性层210F的极化状态得以保持，则这种变动低阻抗区域VL可以继续保持。即，即使去除通过接入电极220施加于活性层210F的电压，变动低阻抗区域VL的状态也可以保持，即低阻抗状态可以保持。
可以通过变动低阻抗区域VL形成电流通路。
另外，作为具体示例，连接电极部231、232可以与变动低阻抗区域VL对应地形成，例如，连接电极部231、232的第一连接电极构件231及第二连接电极构件232在相互隔开的状态下，可以与变动低阻抗区域VL的下面相接地配置。
由此，电流可以通过连接电极部231、232的第一连接电极构件231及第二连接电极构件232而流动。
本实施例的电子电路可以通过接入电极对活性层施加多样大小的电压，可以控制施加的时间。
由此，可以以希望大小的区域，在活性层形成极化区域，可以在这种极化区域的边界形成变动低阻抗区域。
另外，可以在活性层的一面形成接入电极，在另一面形成连接电极部，容易地进行电子电路的精密图案化及微细化。
图17是图示本发明又一实施例的电子电路的概略俯视图。
如果参照图17，本实施例的电子电路600可以包括活性层610，第一、第二接入电极621、622，第一、第二变动低阻抗区域VL1、VL2及连接电极部631、632、641、642。
活性层610可以包含自发极化性材料。例如，活性层610可以包含绝缘材料，包含铁电性材料。即，活性层610可以包含具有在电场存在时能够逆转的自发电极化(电偶极子)的材料。
对形成活性层610的材料的说明，与在前述实施例中说明的内容相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
第一、第二接入电极621、622可以形成得能够对活性层610施加电场，例如，可以对活性层610施加电压。
作为选择性实施例，第一、第二接入电极621、622可以与活性层610的上面相接地形成，第一接入电极621与第二接入电极622可以相互隔开地配置。
对形成第一、第二接入电极621、622的材料的说明，与在前述实施例中说明的接入电极相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
连接电极部631、632、641、642可以包括一个以上的电极构件，例如，可以包括第一连接电极构件631、第二连接电极构件632、第三连接电极构件641、第四连接电极构件642。
连接电极部631、632、641、642可以在活性层610上形成，例如，可以在活性层610的上面与接入电极620隔开地形成，作为选择性实施例，可以与活性层610相接地形成。
第一连接电极构件631、第二连接电极构件632、第三连接电极构件641、第四连接电极构件642可以利用多样导电性材料形成。
第一连接电极构件631、第二连接电极构件632、第三连接电极构件641、第四连接电极构件642与对前述实施例中连接电极部的说明相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
图17是图示通过第一、第二接入电极621、622施加第一电场的状态的图。
如果参照图17，如果通过第一接入电极621对活性层610施加第一电压，则活性层610的至少一个区域可以包括极化区域(例如VL1的内侧区域)。
这种活性层610的极化区域可以是以第一接入电极621为中心环绕接入电极620的形态。即，第一变动低阻抗区域VL1的内侧区域可以与活性层610的极化区域对应。
第一变动低阻抗区域VL1可以在与这种边界线侧面对应的区域形成。如果参照图17，可以以接入电极620为中心，以环绕接入电极620的线形形成。
另外，第一变动低阻抗区域VL1可以与活性层610的极化区域边界线整个侧面对应地形成，可以沿着远离极化区域侧面的方向具有厚度。
作为选择性实施例，这种厚度可以为0.1至0.3纳米。
如果参照图17，如果通过第二接入电极622对活性层610施加第一电场，则活性层610的至少一个区域可以包括极化区域(例如VL2的内侧区域)。
这种活性层610的极化区域可以是以第二接入电极621为中心环绕接入电极620的形态。即，第二变动低阻抗区域VL2的内侧区域可以对应于活性层610的极化区域。
第二变动低阻抗区域VL2可以在与这种边界线侧面对应的区域形成。如果参照图17，可以以接入电极620为中心，以环绕接入电极620的线形形成。
另外，第二变动低阻抗区域VL2可以与活性层610的极化区域边界线整个侧面对应地形成，可以沿着远离极化区域侧面的方向具有厚度。
作为选择性实施例，这种厚度可以为0.1至0.3纳米。
第二变动低阻抗区域VL2可以与第一变动低阻抗区域VL1隔开地形成。
例如，第一变动低阻抗区域VL1及第二变动低阻抗区域VL2可以分别具有诸如多边形或闭合曲线的形态。
第一、第二变动低阻抗区域VL1、VL2可以分别形成电流通路。
可以通过第一变动低阻抗区域VL1形成电流通路，连接电极部631、632可以与第一变动低阻抗区域VL1对应，产生由连接电极部631、632形成的电流流动。
另外，可以通过第二变动低阻抗区域VL2形成电流通路，连接电极部641、642可以与第二变动低阻抗区域VL2对应，产生由连接电极部641、642形成的电流流动。
即，可以控制通过第一、第二接入电极621、622的电压施加，同时形成各区域不同的电流通路。
作为选择性实施例，可以进行控制，使第一连接电极构件641及第二连接电极构件642的形成位置与第三连接电极构件643及第四连接电极构件644的形成位置彼此相向地配置，使得区别电流通路的位置。
本实施例的电子电路可以通过接入电极，对活性层施加多样大小的电压，可以控制施加的时间。
由此，可以以希望大小的区域，在活性层形成极化区域，可以在这种极化区域的边界形成第一变动低阻抗区域及第二变动低阻抗区域。
当与这种第一变动低阻抗区域及第二变动低阻抗区域对应地，例如相接地形成连接电极部时，电流可以通过连接电极部流动，即使去除电压，含有铁电性材料的活性层也可以保持极化状态，因而其边界的变动低阻抗区域也可以保持，电流可以继续流动。
另外，可以通过接入电极，将电压施加于活性层，以便将变动低阻抗区域变成极化区域，由此，在电流曾流动的连接电极部，电流不再流动。
可以控制这种接入电极的电压，控制电流的流动，通过这种电流流动的控制，电子电路可以用于多样用途。
另外，可以形成第一变动低阻抗区域及第二变动低阻抗区域的2个电流通路，可以容易地产生及利用多样的信号。
图18是图示本发明又一实施例的电子电路的概略俯视图。
如果参照图18，本实施例的电子电路700可以包括活性层710，第一、第二接入电极721、722，变动低阻抗区域VL及连接电极部731、732、741、742。
活性层710可以包含自发极化性材料。例如，活性层710可以包含绝缘材料，包含铁电性材料。即，活性层710可以包含具有在电场存在时能够逆转的自发电极化(电偶极子)的材料。
对形成活性层710的材料的说明，与在前述实施例中说明的内容相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
第一、第二接入电极721、722可以形成得能够对活性层710施加电场，例如，可以对活性层710施加电压。
作为选择性实施例，第一、第二接入电极721、722可以与活性层710的上面相接地形成，第一接入电极721与第二接入电极722可以相互隔开地配置。
对形成第一、第二接入电极721、722的材料的说明，与在前述实施例中说明的接入电极相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
连接电极部731、732、741、742可以包括一个以上的电极构件，例如，可以包括第一连接电极构件731、第二连接电极构件732、第三连接电极构件741、第四连接电极构件742。
连接电极部731、732、741、742可以在活性层710上形成，例如，可以在活性层710的上面与接入电极720隔开地形成，作为选择性实施例，可以与活性层710相接地形成。
第一连接电极构件731、第二连接电极构件732、第三连接电极构件741、第四连接电极构件742可以利用多样导电性材料形成。
第一连接电极构件731、第二连接电极构件732、第三连接电极构件741、第四连接电极构件742与对前述实施例中连接电极部的说明相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
图18是图示通过第一、第二接入电极721、722施加第二电场的状态的图。
作为选择性实施例，图18与图17的结构相同，可以通过第一、第二接入电极721、722，比图17状态进一步保持第一电场。作为具体示例，可以由图17中形成的2个极化区域相互重叠统合的，因此，变动低阻抗区域VL也可以视为已变形。
因此，变动低阻抗区域也可以重叠而形成一个变动低阻抗区域VL。
变动低阻抗区域VL长长地延长，可以对应于活性层710的一个侧面及与之相向的另一侧面。
变动低阻抗区域VL可以形成电流通路。
连接电极部731、741可以对应于变动低阻抗区域VL的一条线，产生电流流动。
另外，连接电极部732、742可以对应于变动低阻抗区域VL的一条线，产生电流流动。
由此，在活性层710的区域中，可以将第一接入电极721、第二接入电极722置于中心，在两侧分别产生电流流动。
本实施例的电子电路可以通过多个接入电极，对活性层施加多样大小的电压，可以控制施加的时间。
由此，可以以希望大小的区域，在活性层形成极化区域，可以控制使得重叠这种极化区域。
可以在这种重叠大小的极化区域的边界形成变动低阻抗区域，可以与活性层的侧面对应地形成。
可以通过这种变动低阻抗区域，针对活性层的多样区域形成电流流动。
图19是图示本发明又一实施例的电子电路的概略俯视图。
如果参照图19，本实施例的电子电路800可以包括活性层810，第一、第二、第三接入电极821、822、823，变动低阻抗区域VL及连接电极部831、832。
活性层810可以包含自发极化性材料。例如，活性层810可以包含绝缘材料，包含铁电性材料。即，活性层810可以包含具有在电场存在时能够逆转的自发电极化(电偶极子)的材料。
对形成活性层810的材料的说明，与在前述实施例中说明的内容相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
第一、第二、第三接入电极821、822、823可以形成得能够对活性层810施加电场，例如，可以对活性层810施加电压。
作为选择性实施例，第一、第二、第三接入电极821、822、823可以与活性层810的上面相接地形成，第一接入电极821、第二接入电极822及第三接入电极823可以相互隔开地配置。
对形成第一、第二、第三接入电极821、822、823的材料的说明，与在前述实施例中说明的接入电极相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
连接电极部831、832可以包括一个以上的电极构件，例如，可以包括第一连接电极构件831、第二连接电极构件832。
连接电极部831、832可以在活性层810上形成，例如，可以在活性层810的上面与接入电极820隔开地形成，作为选择性实施例，可以与活性层810相接地形成。
第一连接电极构件831、第二连接电极构件832可以利用多样导电性材料形成。第一连接电极构件831、第二连接电极构件832与对前述实施例中连接电极部的说明相同或可以将其变形应用，省略具体说明。
图19是图示通过第一、第二、第三接入电极821、822、823施加电场的状态的图。
例如，如果参照图19，图示了通过第一接入电极821对活性层810施加电压，通过第二接入电极822对活性层810施加电压，通过第三接入电极823对活性层810电压的状态。
由第一接入电极821形成的极化区域、由第二接入电极822形成的极化区域及第三接入电极822可以重叠，因此，变动低阻抗区域也可以重叠而形成一个变动低阻抗区域VL。
作为选择性实施例，一个变动低阻抗区域VL的内侧区域可以是由第一接入电极821形成的极化区域、由第二接入电极822形成的极化区域及第三接入电极822重叠的区域。
变动低阻抗区域VL可以形成电流通路。
连接电极部831、832可以与变动低阻抗区域VL对应地产生电流流动。
本实施例的电子电路可以通过多个接入电极，对活性层施加多样大小的电压，可以控制施加的时间。
由此，可以以希望大小的区域，在活性层形成极化区域，可以控制使得重叠这种极化区域。
可以在这种重叠大小的极化区域的边界形成变动低阻抗区域，可以与活性层的侧面对应地形成。
可以通过这种变动低阻抗区域，针对活性层的多样区域形成电流流动。
如上所述，本发明以附图中图示的实施例为参考进行了说明，但这只不过是示例性，只要是相应技术领域的技术人员便会理解，可以由此导出多样的变形及均等的其他实施例。因此，本发明真正的技术保护范围应由附带的权利要求书的技术思想确定。
在实施例中说明的特定实施只是一个实施例，并非以任何方法限定实施例的范围。另外，如果没有诸如“必需的”、“重要地”等的具体提及，则可以并非是为了本发明的应用而必需的构成要素。
在实施例的说明书(特别是权利要求书)中，术语“所述”及与之类似指示术语的使用，可以指代单数及复数。另外，在实施例中记载范围(range)时，视为包括应用了属于所述范围的个别值的发明(如果没有与之相反的记载)，等同于在发明内容中记载构成所述范围的各个个别值。最后，如果针对构成实施例的方法的步骤明确地记载了顺序或没有相反的记载，则所述步骤可以按适当的顺序进行。并非必须根据所述步骤的记载顺序限定实施例。在实施例中，所有示例或示例性术语(例如：等等)的使用，单纯用于详细说明实施例，只要权利要求书未进行限定，并非实施例的范围由所述示例或示例性术语所限定。另外，从业人员可知，可以在追加了多样修订、组合及变更的权利要求书或其等价物的范围内，根据设计条件及因素而构成。
【工业实用性】
本发明的一个实施例公开一种电流路径范围控制方法，作为利用电场的电流路径范围控制方法，包括：针对包含自发极化性材料的活性层及邻接所述活性层地配置的接入电极，通过所述接入电极对所述活性层施加电场而形成所述活性层的极化区域的步骤；及形成与所述极化区域的边界对应的变动低阻抗区域的步骤；其中，所述变动低阻抗区域作为所述活性层区域中电阻低于与所述变动低阻抗区域邻接的其他区域的区域，使得形成电气通路。

Claims (31)

1.一种电流路径范围控制方法，作为利用电场的电流路径范围控制方法，包括：
针对包含自发极化性材料的活性层及邻接所述活性层地配置的接入电极，
通过所述接入电极对所述活性层施加电场而形成所述活性层的极化区域的步骤；及
形成与所述极化区域的边界对应的变动低阻抗区域的步骤；其中，
所述变动低阻抗区域作为所述活性层区域中电阻低于与所述变动低阻抗区域邻接的其他区域的区域，使得形成电气通路，
所述极化区域沿所述活性层厚度方向与整体厚度对应地形成，所述变动低阻抗区域沿着所述极化区域，沿着所述活性层的厚度方向，与整体厚度对应地形成，所述变动低阻抗区域不与所述接入电极相接，所述变动低阻抗区域的边缘以所述活性层的厚度方向为基准，不与所述接入电极重叠地形成。
2.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成变动低阻抗区域的步骤包括：
所述活性层的极化区域沿所述活性层的厚度方向生长的步骤及所述极化区域沿与所述活性层厚度方向交叉的方向生长的步骤。
3.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
控制由所述接入电极形成的电场，
控制所述变动低阻抗区域的生成与灭失，从而控制由此决定的电气通路的生成及灭失。
4.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成变动低阻抗区域的步骤包括：
通过所述接入电极来施加比所述活性层的矫顽电场更大强度的电场的步骤。
5.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成变动低阻抗区域的步骤能够控制由所述接入电极形成的电场的强度，从而控制所述变动低阻抗区域的沿所述活性层厚度方向的深度。
6.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成变动低阻抗区域的步骤包括：
所述变动低阻抗区域从所述接入电极沿所述活性层的平面方向隔开距离地形成。
7.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成变动低阻抗区域的步骤是控制由所述接入电极形成的电场的施加时间，从而控制所述变动低阻抗区域的大小或宽度。
8.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成变动低阻抗区域的步骤包括：
形成相互隔开地配置的多个变动低阻抗区域的步骤。
9.根据权利要求8所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成多个变动低阻抗区域的步骤包括：
先形成远离所述接入电极配置的变动低阻抗区域后，形成靠近所述接入电极配置的变动低阻抗区域的步骤。
10.根据权利要求8所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述形成多个变动低阻抗区域的步骤包括：
以所述一个变动低阻抗区域为边界，使互不相同方向的极化区域位于两侧。
11.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
所述接入电极相互隔开地配备多个，包括：通过所述多个接入电极而在所述活性层至少一个区域形成隔开的极化区域的步骤及形成与所述极化区域对应的多个变动低阻抗区域的步骤。
12.根据权利要求11所述的电流路径范围控制方法，其中，
控制施加由所述接入电极形成的电场的时间，包括所述相互隔开的多个极化区域在一个区域重叠的步骤，包括与所述多个极化区域对应的多个变动低阻抗区域的一个区域相互重叠统合的步骤。
13.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
包括：与所述变动低阻抗区域邻接地形成至少一个连接电极的步骤。
14.根据权利要求1所述的电流路径范围控制方法，其中，
即使去除通过所述接入电极而施加的电场，所述变动低阻抗区域也通过所述极化区域的保持而保持。
15.一种电子电路，包括：
活性层，所述活性层包含自发极化性材料；
接入电极，所述接入电极与所述活性层邻接地配置；
极化区域，所述极化区域通过所述接入电极对所述活性层施加电场而在所述活性层形成；及
变动低阻抗区域，所述变动低阻抗区域与所述极化区域的边界对应；其中，
所述变动低阻抗区域作为所述活性层区域中电阻低于与所述变动低阻抗区域邻接的其他区域的区域，使得形成电气通路，
所述极化区域沿所述活性层厚度方向与整体厚度对应地形成，所述变动低阻抗区域沿着所述极化区域，沿着所述活性层的厚度方向，与整体厚度对应地形成，所述变动低阻抗区域不与所述接入电极相接，所述变动低阻抗区域的边缘以所述活性层的厚度方向为基准，不与所述接入电极重叠地形成。
16.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
控制由所述接入电极形成的电场，所述变动低阻抗区域根据所述极化区域的控制而生成或灭失。
17.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
就所述变动低阻抗区域而言，
控制由所述接入电极形成的电场的强度，从而控制所述变动低阻抗区域的沿所述活性层厚度方向的深度。
18.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
就所述变动低阻抗区域而言，
控制由所述接入电极形成的电场的施加时间，从而控制所述变动低阻抗区域的大小或宽度。
19.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
所述变动低阻抗区域包括相互隔开地配置的多个变动低阻抗区域。
20.根据权利要求19所述的电子电路，其中，
就所述多个变动低阻抗区域而言，
先形成远离所述接入电极配置的变动低阻抗区域后，最终形成靠近所述接入电极配置的变动低阻抗区域。
21.根据权利要求19所述的电子电路，其中，
以所述多个变动低阻抗区域的一个变动低阻抗区域为边界，在两侧形成互不相同方向的极化区域。
22.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
所述接入电极相互隔开地配备多个。
23.根据权利要求22所述的电子电路，其中，
包括与所述相互隔开的多个接入电极对应的多个极化区域及多个变动低阻抗区域。
24.根据权利要求23所述的电子电路，其中，
控制施加由所述接入电极形成的电场的时间，
包括所述相互隔开的多个极化区域在一个区域重叠的区域，包括与所述多个极化区域对应的多个变动低阻抗区域的一个区域相互重叠统合的区域。
25.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
还包括与所述变动低阻抗区域邻接地形成的至少一个连接电极。
26.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
所述活性层包含铁电性材料。
27.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
所述接入电极在所述活性层的一面形成。
28.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
所述接入电极与所述活性层隔开地配置。
29.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
即使去除通过所述接入电极施加的电场，所述变动低阻抗区域也保持。
30.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
所述变动低阻抗区域在所述接入电极的周边形成。
31.根据权利要求15所述的电子电路，其中，
所述变动低阻抗区域在所述接入电极的周边包括线形地形成。
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