CN112640099A - 功率半导体装置 - Google Patents

功率半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112640099A
CN112640099A CN201980056162.8A CN201980056162A CN112640099A CN 112640099 A CN112640099 A CN 112640099A CN 201980056162 A CN201980056162 A CN 201980056162A CN 112640099 A CN112640099 A CN 112640099A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power semiconductor
conductor
conductor portion
terminal
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980056162.8A
Other languages
English (en)
Inventor
松下晃
志村隆弘
高木佑辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Publication of CN112640099A publication Critical patent/CN112640099A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种能抑制组装效率的降低并提高抗震性的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置(1)包括元件设置导体(2)，其由设置功率半导体元件(300)的金属制的第一导体部(20a)、构成一个以上的向功率半导体元件(300)传输电流的主端子(2a)和一个以上的向功率半导体元件(300)传输开关控制信号的控制端子(2b)的金属制的第二导体部(2b)、以及设置在控制端子(2b)的前端部的金属制的第三导体部(20c)构成，元件设置导体(2)形成为第二导体部(20b)最厚部分的厚度比第一导体部(20a)的厚度要薄，且第三导体部(20c)最厚部分的厚度比第二导体部(20b)最薄部分的厚度要薄。

Description

功率半导体装置
技术领域
本发明涉及功率半导体装置。
背景技术
作为与功率半导体装置相关的现有技术，例如，在专利文献1中公开了一种半导体模块，其包括：基底部，该基底部由半导体元件和具有导电性的材料构成，载置有所述半导体元件；信号引线部，该信号引线部由与所述基底部相同的材料构成，并电连接至所述半导体元件；以及薄板引线部，该薄板引线部由与所述基底部相同的材料构成，从所述基底部起连续形成，板厚比所述基底部要薄，并相对于所述基底部延伸到与所述信号引线部相同的一侧，所述薄板引线部经由所述基底部电连接至所述半导体元件的规定端子，并构成用于检测该半导体元件的规定端子中的电位的电位检测用端子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/073306号
发明内容
另外，由于也假设功率半导体装置在振动的环境中使用，因此，例如需要确保将功率半导体装置与外部相连接的端子的抗震性的构造。在上述现有技术中，通过树脂模塑、灌封来对端子进行固定增强，通过TIG(Tungsten Inert Gas：钨极惰性气体)焊接等来连接独立元器件，从而提高端子的刚性，进而力图提高耐震性。
然而，在通过树脂模塑或灌封等来进行端子的增强的情况下，需要用于保证增强精度的自动外观检查等工序，将导致功率半导体装置的组装所涉及的工作量增加。另外，在通过焊接等来进行端子的增强的情况下，当然需要焊接工序，因此会导致其工作量增加。即，在现有技术中，有可能因功率半导体装置的组装所涉及的工序的增加而导致效率的恶化。
本发明是鉴于上述而完成的，其目的在于提供一种能抑制组装效率的降低并能提高抗震性的功率半导体装置。
解决技术问题所采用的技术方案
本申请包含多个解决上述问题的方法，但若举其中一个示例，则包括：功率半导体元件；以及元件设置导体，该元件设置导体由设置所述功率半导体元件的金属制的第一导体部、构成一个以上的向所述功率半导体元件传输电流的主端子和一个以上的向所述功率半导体元件传输开关控制信号的控制端子的金属制的第二导体部、以及设置在所述控制端子的前端部的金属制的第三导体部所构成，所述元件设置导体形成为所述第二导体部最厚部分的厚度比所述第一导体部的厚度要薄，并且所述第三导体部最厚部分的厚度比所述第二导体部最薄部分的厚度要薄。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能抑制组装效率的降低并提高抗震性的功率半导体装置。
附图说明
图1是示意性示出第1实施方式所涉及的功率半导体装置的外观的图。
图2是图1的A面剖视图。
图3是提取出元件设置导体来进行表示的图。
图4是示出通过系杆(tie bar)来连接主端子和控制端子的情形的图。
图5是将图1中的端子间的情形放大而示出的图。
图6是示意性示出第1实施方式的变形例所涉及的功率半导体装置的外观的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
<第1实施方式>
参照图1至图4对本发明的第1实施方式进行说明。
图1是示意性示出本实施方式所涉及的功率半导体装置的外观的图，图2是图1的A面剖视图。另外，图3是提取出图1和图2中的元件设置导体来进行表示的图。此外，在图3中，为了简化图示，省略主端子和控制端子的前端部的图示。
在图1至图3中，功率半导体装置1包括：至少一个IGBT(绝缘栅型双极晶体管：Insulated Gate Bipolar Transistor)30、二极管31等功率半导体元件300(以下，以标号300为代表来表示)；以及元件设置导体2，该元件设置导体2由设置功率半导体元件300的金属制的第一导体部20a、构成一个以上的向功率半导体元件300传输电流的主端子2a和一个以上的向功率半导体元件300传输开关控制信号的控制端子2b的金属制的第二导体部20b、以及设置在控制端子的前端部的金属制的第三导体部20c所构成。
元件设置导体2是由铜(Cu)或铜合金构成的引线框、母线元器件。元件设置导体2形成为第二导体部20b最厚部分的厚度比第一导体部20a的厚度要薄，并且第三导体部20c最厚部分的厚度比第二导体部20b最薄部分的厚度要薄。即，元件设置导体2形成为随着从第一导体部20a到主端子2a和控制端子2b的前端而逐步变薄。
此外，在本实施方式中，例示说明了如下情况：对于第一导体部20a、第二导体部20b以及第三导体部20c的三个部位，形成为厚度从第一导体部20a起朝向第三导体部20c分三个阶段变薄，但并不限于此，也可以构成为厚度朝向前端分三个阶段以上变薄。即，例如，可以以朝向前端变薄的两种厚度来形成第二导体部20b，以使其比第一导体部20a要薄、并且比第三导体部20c要厚。
另外，功率半导体装置1通过由框体21a和散热翅片组21b构成的外壳4覆盖第一导体部20a的整体和第二导体部20b的一部分，例如通过环氧类树脂构成的密封树脂22将第一导体部20a的整体以及第二导体部20b的一部分与功率半导体素子300等一起在外壳4内部进行传递模塑密封。
外壳4由热传导率较好的材料形成，例如，优选由铝或铝合金等形成。另外，框体21a由刚性比散热翅片组21b要高的材料构成。此外，在图1中，为了图示方便，仅示出了外壳4的一个主面，但散热翅片组21b构成在外壳4的两个主面上，实现了两面冷却构造。构成散热翅片组21b的各散热翅片例如呈圆柱状形成，并且规则地配置。
在元件设置导体2的第一导体部20a中，IGBT30、二极管31等功率半导体元件300通过焊料或烧结构件等来安装，第一导体部20a兼用作主电流的导通路径和散热路径，该散热路径用于将功率半导体元件300的热散热到功率半导体装置1的外部。
功率半导体元件300配置成被第一导体部20a和导体板32所夹住。导体板32起到作为功率半导体元件300的散热路径的作用。另外，例如，IGBT30的发射极电极和二极管31的阳极电极固着到导体板32。此外，也可以对第一导体部20a的一部分或全部实施表面处理(粗化处理)，该表面处理用于提高与密封树脂22的紧贴性。
元件设置导体2的主端子2a是功率半导体装置1外部与功率半导体元件300之间的主电流的通电路径，由直流正极端子、直流负极端子、交流端子等构成。主端子2a由形成得比第一导体部20a要薄的第二导体部20b形成。此外，对主端子2a的第二导体部20b的一部分或全部实施了表面处理(粗化处理)，该表面处理用于提高与密封树脂22的紧贴性。
元件设置导体2的控制端子2b是进行控制功率半导体元件的信号的输入输出的信号路径，由形成得比第一导体部20a要薄的第二导体部20b和形成得比第二导体部20b要薄的第三导体部20c所形成。控制端子2b的前端通过焊接、连接器连接等与未图示的控制基板相连接。此外，控制端子2b的前端(第三导体部20c)根据与控制基板之间的连接构造来实施镀锡(Sn)、镀金(Au)等表面处理。
另外，控制端子2b的各端子设置有弯部2c(第一弯曲部)，该弯部2c形成为使得第三导体部20c的一部分偏离延伸方向，通过弯部2c的弹性变化，能够缓和因振动或热变形而引起的应力。此外，控制端子2b包含输出表示元件温度的信号的端子。另外，优选弯部2c(第一弯曲部)的曲率R在设置弯部2c的部位的板厚以上。另外，在本实施方式中，例示说明了弯部2c(第一弯曲部)设置于第三导体部20c的情况，但并不限于此，例如也可以构成为对第二导体部设置弯部。
此处，示出第一导体部20a至第三导体部20c的厚度的一个示例。考虑到功率半导体元件300所产生的热的散热所需的热容量和热阻，第一导体部20a的厚度例如形成为2.0mm。作为能够确保各个通电所需的截面积的厚度，主端子2a的第二导体部20b的厚度例如形成为1.5mm～2.0mm(其中，小于2.0mm)。控制端子2b的第三导体部20c比第二导体部20b要薄，作为控制端子，其厚度例如通常形成为0.64mm。由于控制端子2b的横向尺寸(即宽度)通常形成为0.64mm，因此控制端子2b的第三导体部20c形成为其剖面的一条边为0.64mm的四边形。
主端子2a和控制端子2b形成为从密封树脂22向同一方向突出，主端子2a的第二导体部20b的侧面形成为与控制端子2b的第二导体部20b的侧面相对。另外，主端子2a由第二导体部20b形成，并且不具有第三导体部20c。以仅主端子2a和控制端子2b的第二导体部20b的侧面相对，且主端子2a的第二导体部20b的侧面和控制端子2b的第三导体部20c的侧面不相对的方式，来形成主端子2a和控制端子2b。即，控制端子2b形成为比主端子2a要长相当于第三导体部20c的量。由此，能够使控制端子2b长度比主端子2a的长度要长，因此，能够防止控制端子2b与控制基板连接时的与主端子2a和控制基板之间的干扰、或绝缘距离的不足等。
图4是示出通过系杆连接主端子和控制端子的情形的图。另外，图5是将图1中的端子间的情形放大而示出的图。
如图5所示，在各主端子2a的第二导体部20b的侧面的相对部分、各控制端子2b的第二导体部20b的侧面的相对部分、或主端子2a的第二导体部20b和控制端子2b的第二导体部20b的侧面的相对部分，分别形成有系杆200a的截面201a。如图4所示，在通过密封树脂22进行传递模塑密封之前的元件设置导体2中，系杆200a固定主端子2a和控制端子2b的相对位置，并且防止在传递模塑密封中密封树脂22从主端子2a和控制端子2b的各端子间流出，而在主端子2a和控制端子2b的相对位置通过密封树脂22固定后的元件设置导体2中，为了使主端子2a和控制端子2b的各端子之间电气隔离而切断并去除系杆200a。
即，由于认为主端子2a的第二导体部20b和控制端子2b的第二导体部20b经由系杆形成为一体，因此，若考虑一体形成中的简便性，则优选主端子2a的第二导体部20b的厚度与控制端子2b的第二导体部20b的厚度相同。此外，截面可以是相对于各端子侧面的凸或凹的任意形状，但是从确保端子强度的观点来看，优选为凸形。
对如上所述那样构成的本实施方式的效果进行说明。
由于还假设功率半导体装置在振动的环境中使用，因此，例如需要确保将功率半导体装置与外部连接的端子的抗震性的构造。在现有技术中，通过树脂模塑、灌封来对端子进行固定增强，对于独立部件，通过TIG(Tungsten Inert Gas：钨极惰性气体)焊接等来连接端子从而提高端子的刚性，进而力图提高耐震性。然而，在通过树脂模塑或灌封等来进行端子的增强的情况下，需要用于保证增强精度的自动外观检查等工序，将导致功率半导体装置的组装所涉及的工作量增加。另外，在通过焊接等来进行端子的增强的情况下，当然需要焊接工序，因此会导致其工作量增加。即，在现有技术中，有可能因功率半导体装置的组装所涉及的工序的增加而导致效率的恶化。
与此相对，在本实施方式中，包括：功率半导体元件300；以及元件设置导体2，该元件设置导体2由设置功率半导体元件300的金属制的第一导体部20a、构成一个以上的向功率半导体元件300传输电流的主端子2a和一个以上的向功率半导体元件300传输开关控制信号的控制端子2b的金属制的第二导体部2b、以及设置在控制端子2b的前端部的金属制的第三导体部20c所构成，元件设置导体2形成为第二导体部20b最厚部分的厚度比第一导体部20a的厚度要薄，且第三导体部20c最厚部分的厚度比第二导体部20b最薄部分的厚度要薄。
由此，能够提高各端子的强度(刚性)，能抑制组装效率的降低并且能提高抗震性。即，能够提高作为功率半导体装置的产品的可靠性、寿命。
另外，由于构成为第二导体部20b的厚度比第一导体部20a的厚度要薄，且第三导体部20c的厚度比第二导体部20b的厚度要薄，因此能将由第一导体部20a～第三导体部20c构成的元件设置导体2整体设为铜(Cu)材料(例如卷材)来一体化。因此，能够削减元器件数量、废弃其它工序中的铆接一体化等。
另外，第三导体部20c具有第一弯曲部，该第一弯曲部形成为偏离第三导体部20c的延伸方向。
由此，能够缓冲因振动或热引起的变形或应力，因此能够缓和因制御端子2b的前端与控制基板的焊接、连接器连接、冲压连接而引起的对连接部位的应力，能够抑制端子的破损和接合部的断裂。
另外，主端子2a由第二导体部20b形成，并且控制端子2b由第二导体部20b和第三导体部20c形成，主端子2a的第二导体部的20b侧面形成为与控制端子2b的第二导体部20b的侧面相对。
由此，控制端子2b形成为比主端子2a要长相当于第三导体部20c的量，因此能够防止控制端子2b与控制基板连接时的与主端子2a和控制基板之间的干扰、或绝缘距离的不足等。
还包括密封树脂22，该密封树脂22将第一导体部20a的整体和第二导体部20b的一部分密封，主端子2a和控制端子2b形成为从密封树脂22向同一方向突出。
由此，端子突出方向能够在同一方向上对齐，因此与在多个方向上突出的情况相比，能够实现功率半导体装置1的小型化。另外，通过使端子的突出方向在同一方向上对齐，从而能够使将功率半导体装置1与逆变器装置等的控制基板连接时的连接方向仅为一个方向，与多个方向的连接相比，能够容易地进行作业。另外，在水冷方式中，能够将密封处设为一处，能够简化密封构造，并削减密封构件。
另外，在主端子2a和控制端子2b的第二导体部20b的侧面的相对部分中，分别形成有固定主端子2a和控制端子2b的相对位置的系杆200a的截面201a。
由此，能够提高各端子的强度(刚性)，能抑制组装效率的降低并且能提高抗震性。即，能够提高作为功率半导体装置的产品的可靠性、寿命。
＜第1实施方式的变形例＞
参照图6对本发明的第1实施方式的变形例进行说明。在本变形例中，仅对与第1实施方式的不同点进行说明，对与附图中的第1实施方式相同的构件标注相同的标号，并省略说明。
本变形例示出对第二导体部形成了第二弯曲部的情况。
图6是示意性示出本变形例所涉及的功率半导体装置的外观的图。
在图6中，功率半导体装置1A包括元件设置导体2A，该元件设置导体2A由设置至少一个功率半导体元件300(参照图2等)的金属制的第一导体部20a(参照图2等)、构成一个以上的向功率半导体元件300传输电流的主端子2Aa和一个以上的向功率半导体元件300传输开关控制信号的控制端子2Ab的金属制的第二导体部201b、以及设置在控制端子2Ab的前端部的金属制的第三导体部20c所构成。
另外，第二导体部201b形成为具有第二弯曲部2d，该第二弯曲部2d向从密封树脂22突出的突出方向的一侧(图6中的上方)弯曲。
其它结构与第1实施方式相同。
在如上所述那样构成的本实施方式中，也能够获得与第1实施方式相同的效果。
另外，由于形成为以固定角度将主端子2Aa和控制端子2Ab弯曲来改变突出方向，因此即使在平置功率半导体装置1A的情况下，也能够实现与控制基板的连接。另外，通过设置第二弯曲部2d，从而主端子2Aa和控制端子2Ab的直线长度变短，能够降低伴随着振动的位移，因此能够提高耐振性。
＜附记＞
此外，本发明并不限于上述实施方式，包含在不脱离本发明主旨的范围内的各种变形例或与其它技术的组合。另外，本发明并不限于具有上述实施方式中说明的全部结构的发明，还包括删除了其结构的一部分的发明。
另外，在本实施方式中，例示说明了第一导体部20a、第二导体部20b以及第三导体部20c成为一体的情况，但也可以构成为例如第一导体部20a和第二导体部20b单独构成，并通过引线键合等电连接。
标号说明
1、1A 功率半导体装置
2 元件设置导体
2a、2Aa 主端子
2A 元件设置导体
2b、2Ab 控制端子
2c 弯部(第一弯曲部)
2d 第二弯曲部
4 外壳
20a 第一导体部
20b 第二导体部
20c 第三导体部
21a 框体
21b 散热翅片组
22 密封树脂
31 二极管
32 导体板
200a 系杆
201a 截面
201b 第二导体部
300 功率半导体元件。

Claims (6)

1.一种功率半导体装置，其特征在于，包括：
功率半导体元件；以及
元件设置导体，该元件设置导体由设置所述功率半导体元件的金属制的第一导体部、构成一个以上的向所述功率半导体元件传输电流的主端子和一个以上的向所述功率半导体元件传输开关控制信号的控制端子的金属制的第二导体部、以及设置在所述控制端子的前端部的金属制的第三导体部所构成，
所述元件设置导体形成为所述第二导体部最厚部分的厚度比所述第一导体部的厚度要薄，并且所述第三导体部最厚部分的厚度比所述第二导体部最薄部分的厚度要薄。
2.如权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述第三导体部具有第一弯曲部，该第一弯曲部形成为偏离所述第三导体部的延伸方向。
3.如权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述主端子由所述第二导体部形成，并且所述控制端子由所述第二导体部和所述第三导体部形成，所述主端子的第二导体部的侧面形成为与所述控制端子的第二导体部的侧面相对。
4.如权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
包括密封树脂，该密封树脂对所述第一导体部的整体和所述第二导体部的一部分进行密封，所述主端子和所述控制端子形成为从所述密封树脂向同一方向突出。
5.如权利要求4所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述第二导体部具有第二弯曲部，该第二弯曲部向从所述密封树脂突出的突出方向弯曲。
6.如权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
在所述主端子和所述控制端子的第二导体部的侧面的相对部分上，分别形成有固定所述主端子和所述控制端子的相对位置的系杆的截面。
CN201980056162.8A 2018-09-05 2019-07-26 功率半导体装置 Pending CN112640099A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018165620 2018-09-05
JP2018-165620 2018-09-05
PCT/JP2019/029368 WO2020049891A1 (ja) 2018-09-05 2019-07-26 パワー半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112640099A true CN112640099A (zh) 2021-04-09

Family

ID=69723098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980056162.8A Pending CN112640099A (zh) 2018-09-05 2019-07-26 功率半导体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11482476B2 (zh)
JP (1) JP7116178B2 (zh)
CN (1) CN112640099A (zh)
DE (1) DE112019003162T5 (zh)
WO (1) WO2020049891A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200203255A1 (en) * 2018-12-19 2020-06-25 Abb Schweiz Ag Cooling of power semiconductors

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834748U (ja) 1981-08-28 1983-03-07 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 気密端子
JPH07211839A (ja) 1994-01-18 1995-08-11 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム
JP5380376B2 (ja) 2010-06-21 2014-01-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体装置
WO2012073306A1 (ja) 2010-11-29 2012-06-07 トヨタ自動車株式会社 パワーモジュール
JP2014045157A (ja) 2012-08-29 2014-03-13 Hitachi Automotive Systems Ltd パワー半導体モジュール
JP6294110B2 (ja) 2014-03-10 2018-03-14 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
CN107004648B (zh) 2014-11-20 2019-04-23 日本精工株式会社 电子部件搭载用散热基板
WO2017056686A1 (ja) 2015-09-30 2017-04-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP6648000B2 (ja) 2016-10-26 2020-02-14 日立オートモティブシステムズ株式会社 回路体および回路体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112019003162T5 (de) 2021-03-25
JPWO2020049891A1 (ja) 2021-08-12
JP7116178B2 (ja) 2022-08-09
US11482476B2 (en) 2022-10-25
WO2020049891A1 (ja) 2020-03-12
US20210366812A1 (en) 2021-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10008392B2 (en) Method for producing a power semiconductor module
CN111373524B (zh) 功率半导体装置及其制造方法
JP6366857B2 (ja) 電力用半導体装置
US9761567B2 (en) Power semiconductor module and composite module
JP5488541B2 (ja) 半導体装置
US8546926B2 (en) Power converter
EP2690658A1 (en) Power semiconductor module and power unit device
US20230030063A1 (en) Semiconductor device
CN107004666B (zh) 用于半导体部件的引线框架及包括引线框架的电路装置
US20110024896A1 (en) Power semiconductor device
CN110771027B (zh) 功率半导体装置及使用该装置的电力转换装置
EP1936687A1 (en) Electrical terminal
CN112640099A (zh) 功率半导体装置
US11742279B2 (en) Semiconductor device
US20230170286A1 (en) Terminal Element or Bus Bar, and Power Semiconductor Module Arrangement Comprising a Terminal Element or Bus Bar
JP2020184561A (ja) 半導体装置
US11521925B2 (en) Semiconductor module
US7453708B2 (en) High reliability module
CN115117038A (zh) 半导体装置
US11195814B2 (en) Semiconductor device having second connector that overlaps a part of first connector
CN115732422A (zh) 半导体装置和半导体装置的制造方法
CN117897808A (zh) 半导体装置以及半导体装置的安装结构
CN112154523A (zh) 电阻器
JP2006318950A (ja) 圧接型の半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Ibaraki

Applicant after: Hitachi astemo Co.,Ltd.

Address before: Ibaraki

Applicant before: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, Ltd.

CB02 Change of applicant information