CN112635627A - 一种图形化复合衬底及制备方法和led外延片 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片。该图形化复合衬底，包括：衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且出光效率率较低的问题，可以保证图形化复合衬底C面的质量，降低外延中位错密度；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片。
背景技术
因蓝宝石具有良好的稳定性能，且其生产技术成熟，因而成为目前异质外延GaN应用最广泛的衬底材料之一。图形化蓝宝石衬底中的图形对LED器件效率的提高主要表现在两个方面：一方面，图形化蓝宝石衬底表面的微结构改变了光线出射路径，提高了光线提取效率；另一方面，图形化蓝宝石衬底表面的微结构可以降低GaN外延材料中的线位错密度，提高晶体质量和内量子效率。
目前，传统类型的图形化蓝宝石衬底的图形形貌主要为凸起的圆锥形，其制作方法是通过等离子体干法刻蚀蓝宝石平片表面的圆柱形胶柱进而达到图形转移的目的，但凸起型圆锥形蓝宝石衬底存在以下两个缺点：(1)为获得形貌对称、侧弧平滑的圆锥体，干法刻蚀一般为“过刻蚀”。一方面，图形底部不可避免地存在一定程度的“凹坑”，而C面不平将造成外延缺陷增加；另一方面，由于离子直接轰击，蓝宝石衬底表面会造成一定的污染和损伤，同样不利于外延层材料质量的提高。(2)蓝宝石衬底材料为单一的三氧化二铝，光从有源区进入蓝宝石衬底时，光线在蓝宝石衬底和氮化镓外延层的界面会发生反射和折射，对于正置或倒置的LED芯片，其光线的出射效率均较低，不利于提升发光二极管的光提取效率。
发明内容
本发明提供一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片，以改善图形化衬底的反射或折射效率，增加出射的光线，提高光提取效率，同时避免衬底的C面产生凹坑而影响外延生长。
第一方面，本发明实施例提供了一种图形化复合衬底，包括：
衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；
异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。
可选地，所述异质微结构的上表面与所述衬底基板的上表面齐平，且所述异质微结构的底部与所述凹洞底部形成中空结构。
可选地，所述异质微结构包括至少两层异质微结构层，所述至少两层异质微结构层的异质材料的折射率不同；
或者，所述异质微结构混合至少两种异质材料。
可选地，所述异质材料包括氧化物、氮化物、碳化物和单质。
可选地，所述凹洞的形状包括多棱锥、圆锥、椭圆锥、圆台、圆柱、多边体中的至少一种。
可选地，所述衬底基板的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化硅、氧化锌、尖晶石、钼、铜、铁、银、钨、镍或铝。
第二方面，本发明实施例还提供了一种LED外延片，包括如第一方面任一项所述的图形化复合衬底，以及形成于所述图形化复合衬底上的外延层。
第三方面，本发明实施例还提供了一种图形化复合衬底的制备方法，包括：
在衬底基板上涂覆聚合物胶层；
对所述聚合物胶层进行图形化，形成聚合物胶层掩膜；
利用所述聚合物胶层掩膜对所述衬底基板进行蚀刻，在所述衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞，所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；
沉积异质材料，形成填充于所述凹洞中的异质微结构；其中，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。
可选地，所述沉积异质材料，形成填充于所述凹洞中的异质微结构，包括：
采用等离子体增强化学气相沉积法，在所述衬底基板上沉积所述异质材料，形成填充于所述凹洞中的异质微结构，并通过调节等离子体增强化学气相沉积的压强、功率、气体比例、载片槽温度或工艺时间，以使所述异质微结构的底部与所述凹洞底部形成中空结构。
可选地，利用所述聚合物胶层掩膜对所述衬底基板进行蚀刻，在所述衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞，包括：
利用所述聚合物胶层掩膜，采用电感耦合等离子体干法刻蚀工艺，对所述衬底基板进行蚀刻，且通过调节上下电极功率、气体流量比和蚀刻时间，以使所述衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞。
可选地，所述图形化复合衬底的制备方法还包括：
清洗所述图案化聚合物胶层。
可选地，所述图形化复合衬底的制备方法还包括：
对所述衬底基板和所述异质微结构进行抛光。
本发明实施例提供的图形化复合衬底及制备方法和LED外延片，在衬底基板上表面形成阵列排布的多个凹洞，且凹洞的开口尺寸小于阵列排布的多高凹洞的周期；同时在凹洞中形成异质微结构，该异质微结构采用折射率低于或高于衬底基板折射率的异质材料制成，可以解决现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且光出射效率较低的问题，一方面保证了图形化复合衬底C面的质量，从而能够降低外延中位错密度，保证外延层的质量；同时还可以利用异质微结构的折射率低于或高于衬底基板的折射率，增加或减少衬底基板和外延层界面之间的折射率差，一定程度上可以增加界面的光反射率或光折射率，增加的出射光线，保证光的提取效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种图形化复合衬底的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种图形化复合衬底的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种LED外延片的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种图形化复合衬底制备方法的流程图；
图5是图4所示图形化复合衬底制备方法的结构流程图；
图6是本发明实施例提供的一种图形化复合衬底制备方法的流程图；
图7是图6所示图形化复合衬底制备方法的结构流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种图形化复合衬底的结构示意图，参考图1，该图形化复合衬底包括：衬底基板10，衬底基板10上表面形成有阵列排布的多个凹洞11，且凹洞11的开口尺寸D小于阵列排布的多个凹洞的周期C；异质微结构20，异质微结构20填充于凹洞11中，异质微结构20由异质材料制成，异质材料的折射率低于或高于衬底基板10的折射率。
其中，衬底基板10上表面用于生长外延层，外延材料在平整的C面上成核继而生长呈外延层。在衬底基板10上设置凹洞11，可以减少衬底基板10用于生长外延的C面面积，减少外延生长时产生的缺陷，从而降低位错密度，保证外延层质量。同时，设置凹洞11的开口尺寸小于凹洞11的周期，即相邻凹洞11之间存在间隙，也即保证了衬底基板10上表面存在外延生长的C面。需要注意的是，凹洞11的制备过程通常是蚀刻形成，因而对于在平整的衬底基板10上形成凹洞11时，相邻凹洞11之间的外延生长C面不会被损伤，从而能够保证外延生长质量。衬底基板10上形成阵列排布的凹洞11，可以通过光刻工艺形成，并且适当调整光刻工艺的蚀刻条件，可以对凹洞的深度、开口等尺寸形状进行控制。同时，凹洞11的阵列排布方式、周期等也可通过光刻胶曝光掩膜图案来进行合理设计。凹洞11中的异质微结构20采用异质材料制成，该异质材料实质是相对于衬底基板10以及外延层材料例如氮化镓而言，即异于衬底基板10和外延材料，外延材料在该异质材料上生长困难，也即异质材料具备抑制外延材料生长的作用。异质微结构20的具体形状主要取决于凹洞11的形状以及异质微结构的形成工艺，因此，此处对异质微结构20的具体形状不做限制。异质微结构采用的异质材料的折射率低于或高于衬底基板的折射率，取决于LED芯片采用的封装结构，其中包括正置结构和倒置结构，当异质材料的折射率低于衬底基板的折射率时，可以增加衬底基板和外延层界面的折射率差，使得由外延层入射至异质微结构处的光线由于界面折射率差较大，光反射率提高，从而可以改善外延层和衬底基板界面处的光反射，使得光线由衬底基板朝向外延层的方向向外出射；当异质材料的折射率高于衬底基板的折射率时，可以减小衬底基板和外延层界面的折射率差，光折射率提高，从而改善光线从衬底基板的透射，使得更多的光线由衬底基板透射出射。因此，通过设置异质微结构，可以提高光线的出射效率，从而提高了LED芯片的光提取效率。
本发明实施例提供的图形化复合衬底，在衬底基板上表面形成阵列排布的多个凹洞，且凹洞的开口尺寸小于阵列排布的多高凹洞的周期；同时在凹洞中形成异质微结构，该异质微结构采用折射率低于或高于衬底基板折射率的异质材料制成，可以解决现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且光出射效率较低的问题，一方面保证了图形化复合衬底C面的质量，从而能够降低外延中位错密度，保证外延层的质量；同时还可以利用异质微结构的折射率低于或高于衬底基板的折射率，增加或减少衬底基板和外延层界面之间的折射率差，一定程度上可以增加界面的光反射率或光折射率，增加的出射光线，保证光的提取效率。
如上实施例所述的图形化复合衬底中，衬底基板可以采用蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化硅、氧化锌、尖晶石、钼、铜、铁、银、钨、镍或铝等材料制成。例如采用传统的蓝宝石衬底时，蓝宝石衬底的折射率为1.78，而以外延层为氮化镓为例，其折射率为2.5，因此，针对正置结构的LED芯片，在制备异质微结构时，应选择折射率低于1.78的异质材料制备，此时异质微结构和外延层的界面折射率差增大，能够改善光反射效率。而对于倒置结构的LED芯片，则需要选择折射率高于1.78的异质材料进行制备，以保证与外延层的折射率差的较小，增加光的折射率，改善光的透射效率。在该衬底基板上刻蚀形成凹洞时，可设置凹洞的形状均一致，也可以设置凹洞包括多种形状。可选地，凹洞的形状可包括多棱锥、圆锥、椭圆锥、圆台、圆柱、多边体中的至少一种。通过合理选择形成以上形状的凹洞，可以保证凹洞中异质微结构的光反射效果，同时改善衬底基板上外延生长的位错密度。需要说明的是，在实际蚀刻形成凹洞的过程中，凹洞的形状可能存在误差，例如图1所示，凹洞还可以是类多棱锥、类圆锥、类椭圆锥、类圆台、类圆柱、类多边体等具备侧壁弧度的结构，此处不做限制。
图2是本发明实施例提供的另一种图形化复合衬底的结构示意图，参考图2，该图形化复合衬底中，还可设置异质微结构20的上表面与衬底基板10的上表面齐平，同时异质微结构20的底部与凹洞11的底部形成中空结构30。
其中，在制备异质微结构20时，可以控制制备的工艺条件以使得异质材料不会沉积至凹洞11的底部，而在凹洞11的开口位置沉积生长。此时的异质微结构20的底部会与凹洞11底部形成中空结构30，该中空结构30中为气体，其折射率远低于衬底基板10以及异质微结构20，因而该中空结构30同样能改善外延层和衬底基板20的界面折射率差，进一步地进行界面光反射或光折射，改善光的提取效率。
另外可选地，上述实施例中的图形化复合衬底，可设置异质微结构由单一的异质材料制成，也可将异质微结构设置为包括至少两层异质微结构层，至少两层异质微结构层的异质材料不同，或者设置异质微结构混合至少两种异质材料。设置两层异质微结构层或采用至少两种异质材料，可以替代单一异质材料的异质微结构，实现目标的折射率或者有利于在现有工艺条件下进行制备，本领域技术人员可以根据实际的反射效果以及实际的制备工艺条件，合理选择异质微结构的结构组成和材料组成，此处不做限制。示例性地，在制备多层异质微结构层时，可以采用不同的沉积工艺例如化学气相沉积法或物理气相沉积法制备。具体地，异质材料可选择氧化物、氮化物、碳化物或单质等，其中氧化物可以是SiOx，ZnO，TiOx，TaOx，HfO2，ZrOx，AlOx，GaOx，MgOx，BaOx，InOx，SnO2，LiOx，CaOx，CuOx，IrOx，RhOx，CdGeO，InGaZnO，ZnRhO，GaIn2O4，LaO，LaCuO等，氮化物可以是SiNx、TiN、WN、CN、BN、LiN、TiON、SiON、CrN、CrNO等，碳化物可以是SiC、HfC、ZrC、WC、TiC、CrC等，单质则可以是金刚石，Si，Mo，Cu，Fe，Ag，Wu，Ni，Al等。
本发明实施例还提供了一种LED外延片，图3是本发明实施例提供的一种LED外延片的结构示意图，参考图3，该LED外延片包括本发明实施例提供的任意一种图形化复合衬底100以及形成于图形化复合衬底100上的外延层200。
对于在不同材质的异质微结构上形成外延层，需要不同的LED外延片生长技术，而对于本发明实施例提供的图形化复合基底，LED外延片上的外延层200可以是GaN、AlGaN外延层等。该LED外延片因采用上述实施例提供的图形化复合衬底100，因而具备图形化复合衬底100同样的有益效果。
针对上述的图形化复合衬底，本发明实施例还提供了一种图形化复合衬底的制备方法，图4是本发明实施例提供的一种图形化复合衬底制备方法的流程图，图5是图4所示图形化复合衬底制备方法的结构流程图，参考图4和图5，该图形化复合衬底制备方法包括：
S110、在衬底基板10上涂覆聚合物胶层30。
参考图5的a)图，其中，衬底基板10选择蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化硅、氧化锌、尖晶石、钼、铜、铁、银、钨、镍或铝等材质的基板，聚合物胶层30则用于形成衬底基板刻蚀凹洞的掩膜图案，聚合物胶层涂覆时，可采用旋涂法等工艺，同时进行膜厚的控制。可选地，聚合物胶层30的膜厚可设置在0.1-3.5μm。
S120、对聚合物胶层30进行图案化，形成聚合物胶层掩膜31。
参考图5的b)图，聚合物胶层30可以是光敏性光刻胶、热敏性压印胶、光敏与热敏压印胶等，以对应通过曝光、热压等工艺实现图案化。
S130、以聚合物胶层掩膜31，对衬底基板10进行蚀刻，在衬底基板10上形成阵列排布的多个凹洞11，凹洞11的开口尺寸小于阵列排布的多个凹洞11的周期C。
参考图5的c)图，本领域技术人员可以理解的是，聚合物胶层掩膜31的图案决定了衬底基板10上形成的凹洞11的开口形状以及排布方式，在设置形成凹洞11时，需要预先对聚合物胶层掩膜31的图案进行合理设计，以满足凹洞11开口尺寸D小于凹洞11的周期C，此处不做赘述。在蚀刻凹洞11时，由于非凹洞位置处由聚合物胶层掩膜31覆盖，因而可以避免蚀刻液体或气体对衬底基板10的蚀刻和损伤，能够保证衬底基板C面的平整，有助于外延层的生长。
S140、沉积异质材料，形成填充于凹洞11中的异质微结构20，异质材料的折射率低于或高于衬底基板10的折射率。
参考图5的d)图，形成凹洞后，需要将异质材料沉积填充在凹洞中，以保证衬底基板在凹洞处抑制外延材料生长。同时，由折射率低于或高于衬底基板的异质材料形成的异质微结构，可以增加或减少与外延层的界面折射率差，提高或降低光的反射率，改善光提取效率。其中，异质微结构通常可采用化学气相沉积法等工艺手段来制备，对于具体的异质材料可选择适合的工艺方法，此处不做限制。
本发明实施例提供的图形化复合衬底的制备方法，包括在衬底基板上涂覆聚合物胶层，然后对聚合物胶层进行图案化，形成聚合物胶层掩膜；再以聚合物胶层掩膜对衬底基板进行蚀刻，在衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞，凹洞的开口尺寸小于阵列排布的多个凹洞的周期，最后，通过沉积异质材料，形成填充于凹洞中的异质微结构，其中异质材料的折射率低于或高于衬底基板的折射率，可以解决现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且光出射率较低的问题，一方面保证了图形化复合衬底C面的质量，从而能够降低外延中位错密度，保证外延层的质量；同时还可以利用异质微结构的折射率低于或高于衬底基板的折射率，增加或减少衬底基板和外延层界面之间的折射率差，一定程度上可以增加界面的光反射率或光折射率，增加的出射光线，保证光的提取效率。
进一步地，针对如图2所示的图形化复合衬底，本发明实施例还提供了一种图形化复合衬底方法的制备方法，图6是本发明实施例提供的一种图形化复合衬底制备方法的流程图，图7是图6所示图形化复合衬底制备方法的结构流程图，参考图6和图7，该图形化复合衬底的制备方法具体包括：
S210、在衬底基板上涂覆聚合物胶层。
参考图7的a)图，以聚合物胶层为AZ1300光刻胶为例，在涂覆时可通过4000rpm的旋涂速率，旋涂一层厚度为20μm的光刻胶。然后通过115℃烘烤120s，从而使光刻胶层固化得到黄光片。
S220、对聚合物胶层进行图案化，形成聚合物胶层掩膜。
参考图7的b)图，该步骤中，具体地可采用Nikon曝光机对聚合物胶层进行曝光，所用曝光量200ms；曝光后的黄光片进行显影，最终可获得聚合物胶层掩膜。
S230、以聚合物胶层掩膜，采用电感耦合等离子体干法刻蚀工艺，对衬底基板进行蚀刻，且通过调节上下电极功率、气体流量比和蚀刻时间，以使衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞，凹洞的开口尺寸小于阵列排布的多个凹洞的周期。
参考图7的c)图，电感耦合等离子体干法刻蚀工艺(Inductive Coupled PlasmaEtch，ICP)是利用射频电源使反应气体生成反映活性高的离子和电子，对衬底基板进行物理轰击及化学反应，从而实现蚀刻的工艺手段。在蚀刻衬底基板的凹洞时，可以调整上下电极功率、气体的流量比和蚀刻时间，来调控凹洞的形状、深度等。示例性地，以蓝宝石衬底基板为例，在通过ICP干法蚀刻工艺蚀刻凹洞时，具体可将涂覆有聚合物胶层掩膜的蓝宝石衬底置于工艺腔室中，经抽真空过程，再通入工艺气体(BCl3和CHF3)，上电极功率可选择1000-1500W，下电极功率可选择为400-700W，BCl3和CHF3的流量比可设置在10％-20％范围内，刻蚀时间为800-1000s。
需要说明的是，干法蚀刻为非完全蚀刻，即刻蚀结束时，衬底基板的表面仍然留存有聚合物胶层掩膜。示例性地，上述步骤经ICP干法刻蚀后，衬底基板上的聚合物胶层掩膜仍会有0.5μm厚度的剩余。因此，可选地，在上述步骤S130或S230之后，还需要对聚合物胶层掩膜进行清洗。具体地，对于聚合物胶层，可以先在丙酮溶液中超声时间为5-15min；再将衬底基板置于温度在80℃-130℃的SPM溶液(H2SO4：H2O2的比例为1：5-1：8)中冲洗20min，最后再利用去离子水冲洗15min。
S240、采用等离子体增强化学气相沉积法，在衬底基板上沉积异质材料，形成填充于凹洞中的异质微结构，并通过调节等离子体增强化学气相沉积的压强、功率、气体比例、载片槽温度或工艺时间，以使异质微结构的底部与凹洞底部形成中空结构，其中异质材料的折射率不同于衬底基板的折射率。
示例性地，参考图7的d)图，该步骤中，可将上述清洗后的衬底基板放入化学气相沉积设备的载片槽中，调节载片槽的温度在200-300℃，同时设置腔室压力为50-100Pa，上功率为150-100W，SiH4与N2O的流量比为10％-30％，工艺时间为800-2700s，在衬底基板上沉积二氧化硅异质材料，并且能够保证二氧化硅材料的异质微结构在沉积过程中与凹洞底部形成中空结构。
该步骤中，异质材料在沉积至凹洞的过程中，会同时沉积在衬底基板的平整C面，因此，为了保证C面的裸露，以及保证衬底基板的C面与异质微结构的上表面齐平，可以对衬底基板和异质微结构进行抛光，通过机械手段将异质材料去除并减薄异质微结构，从而暴露衬底基板的C面。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (12)
1.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；
异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率，具有一定的折射率差。
2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，
所述异质微结构的上表面与所述衬底基板的上表面齐平，且所述异质微结构的底部与所述凹洞底部形成中空结构。
3.根据权利要求1或2所述的图形化复合衬底，其特征在于，
所述异质微结构包括至少两层异质微结构层，所述至少两层异质微结构层的异质材料的折射率不同；
或者，所述异质微结构混合至少两种异质材料。
4.根据权利要求3所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述异质材料包括氧化物、氮化物、碳化物和单质。
5.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述凹洞的形状包括多棱锥、圆锥、椭圆锥、圆台、圆柱、多边体中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述衬底基板的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化硅、氧化锌、尖晶石、钼、铜、铁、银、钨、镍或铝。
7.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的图形化复合衬底，以及形成于所述图形化复合衬底上的外延层。
8.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上涂覆聚合物胶层；
对所述聚合物胶层进行图案化，形成聚合物胶层掩膜；
利用所述聚合物胶层掩膜对所述衬底基板进行蚀刻，在所述衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞，所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；
沉积异质材料，形成填充于所述凹洞中的异质微结构；其中，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板折射率。
9.根据权利要求8所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，所述沉积异质材料，形成填充于所述凹洞中的异质微结构，包括：
采用等离子体增强化学气相沉积法，在所述衬底基板上沉积所述异质材料，形成填充于所述凹洞中的异质微结构，并通过调节等离子体增强化学气相沉积的压强、功率、气体比例、载片槽温度或工艺时间，以使所述异质微结构的底部与所述凹洞底部形成中空结构。
10.根据权利要求8所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，利用所述聚合物胶层掩膜对所述衬底基板进行蚀刻，在所述衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞，包括：
利用所述聚合物胶层掩膜，采用电感耦合等离子体干法刻蚀工艺，对所述衬底基板进行蚀刻，且通过调节上下电极功率、气体流量比和蚀刻时间，以使所述衬底基板上形成阵列排布的多个凹洞。
11.根据权利要求8所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，还包括：
清洗所述聚合物胶层。
12.根据权利要求8所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，还包括：
对所述衬底基板和所述异质微结构进行抛光。
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