CN107346797A - 蓝宝石衬底纳米孔制备方法 - Google Patents
蓝宝石衬底纳米孔制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107346797A CN107346797A CN201610296695.1A CN201610296695A CN107346797A CN 107346797 A CN107346797 A CN 107346797A CN 201610296695 A CN201610296695 A CN 201610296695A CN 107346797 A CN107346797 A CN 107346797A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sapphire substrate
- thin films
- monocrystal thin
- nano
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000011148 porous material Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 26
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- -1 wherein Chemical compound 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；通过光刻机对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形；以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜，将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上；去除光刻胶，以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜，对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀，将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上；去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
Description
技术领域
本发明涉及半导体微纳加工技术领域，尤其涉及一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法。
背景技术
由于图形化衬底技术不但可以降低外延GaN层位错密度、提高晶体质量，并且能很大程度上提高发光二极管的取光效率，因此微米级图形化衬底技术在LED领域运用广泛。与此同时纳米图形化衬底结构的周期近出射波长，易产生布拉格散射，并且图形密度较微米级大，因此纳米图形衬底取光效率比微米级图形衬底更好。
目前能获得纳米级图形化的方法主要包括电子束光刻、浸没式光刻、纳米压印等，这些方法或多或少会存在着加工成本高、效率低下、重复性不好等缺点。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出一种结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的蓝宝石衬底纳米孔制备方法。
本发明提出的具体技术方案为：提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，包括以下步骤：
在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；
在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；
对光刻胶进行曝光、显影，以形成纳米孔图形；
以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜，将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上；
去除光刻胶，以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜，对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀，将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上；
去除所述单晶薄膜。
进一步地，所述单晶薄膜是厚度为200nm～300nm的二氧化硅单晶薄膜。
进一步地，所述单晶薄膜通过蒸镀工艺在蓝宝石衬底表面形成，蒸镀时间为5～8分钟。
进一步地，所述光刻胶是厚度为200nm～300nm的正性光刻胶。
进一步地，旋涂所述光刻胶的转速为10000r/min、时间为30秒，旋涂完成后在95℃温度下烘烤60秒。
进一步地，所述曝光的方法为三光束激光干涉。
进一步地，所述显影步骤中，显影液为质量分数为8‰的氢氧化钠溶液，显影时间为10～15秒。
进一步地，所述干法刻蚀单晶薄膜采用反应离子刻蚀工艺，刻蚀气体为SF6、CHF3和He，其中，SF6流量为5.5sccm，CHF3流量为32sccm，He流量为150sccm；射频功率为200W，刻蚀时间为2～4分钟。
进一步地，所述去除光刻胶采用的是有机溶剂超声清洗方法。
进一步地，所述干法刻蚀蓝宝石衬底采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，刻蚀气体为Cl2和BCl3，其中，Cl2流量为5～45sccm，BCl3流量为5～45sccm；刻蚀功率为1000～3000W，射频功率为100～500W，蓝宝石衬底温度为20℃，刻蚀时间1～3分钟。
进一步地，所述单晶薄膜的去除工艺采用湿法腐蚀工艺，所述湿法腐蚀工艺的刻蚀液为体积配比为1:5氢氟酸和氟化氨的混合液，腐蚀时间为10～120秒。
本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，通过采用三光束激光干涉光刻工艺，只需要对光刻胶进行单次曝光，同时采用干法刻蚀工艺对单晶薄膜进行刻蚀，从而快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底，而且，本发明形成的纳米孔蓝宝石衬底能降低外延氮化物的位错密度，提高发光二极管的取光效率。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1为蓝宝石衬底纳米孔制备方法流程图；
图2-图7为蓝宝石衬底纳米孔制备过程的结构示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
参照图1，并结合图2～图7所示，本实施例提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，所述方法包括以下步骤：
步骤S1：在蓝宝石衬底1表面沉积一层单晶薄膜2，所述单晶薄膜2为二氧化硅单晶薄膜，其厚度为200nm～300nm，如图2所示；其中，单晶薄膜2通过蒸镀工艺形成于蓝宝石衬底1的表面，蒸镀时间为5～8分钟，具体时间可以根据膜层厚度以及蒸镀环境而定，在其他实施例中，单晶薄膜也可以采用其他材料，例如，氮化硅或碳化硅，形成所述单晶薄膜2的工艺也可以采用其他工艺，例如，等离子体增强气相沉积、电子束蒸发或磁控溅射等。
步骤S2：在单晶薄膜2上旋涂一层光刻胶3，所述光刻胶3为正性光刻胶，其厚度为200nm～300nm；其中，旋涂光刻胶所用的涂胶机的转速为10000r/min、涂胶时间为30秒，涂胶完成后需要在95℃温度下烘烤60秒形成光刻胶3，如图3所示。
步骤S3：通过步进式光刻机对光刻胶3进行曝光，其中，曝光方法为三光束激光干涉，采用步进扫描式光刻技术，其中，以纳米孔图形为正方形阵列为例，三光束分别为80微米正方形光场，每一次曝光区域为边长2英尺的正方形区域，三光束分别投射并平铺到2英尺的正方形区域，每个光束的光场边界会有2微米的交叠，从而在光刻胶3的表面形成周期性排列的80微米的曝光区，本实施例中纳米孔图形也可以为其他形状，这里不做限定。本实施例中采用三光束激光干涉只需要单次曝光即可，相对于，双光束激光干涉曝光次数可以减少一次。
步骤S4：对曝光后的光刻胶3进行显影形成光刻胶纳米孔图形31，如图4所示。其中，显影液为质量分数为8‰的氢氧化钠溶液，显影时间为10～15秒，具体时间根据曝光剂量以及曝光均匀性而定。
步骤S5：以形成有纳米孔图形31的光刻胶3为掩膜，通过干法刻蚀工艺刻蚀单晶薄膜2，将纳米孔图形31转移到单晶薄膜2上，得到具有纳米孔图形21的单晶薄膜2，如图5所示。其中，干法刻蚀单晶薄膜2采用的是反应离子刻蚀工艺(RIE)，刻蚀用到的气体为SF6、CHF3和He，SF6流量为5.5sccm，CHF3流量为32sccm，He流量为150sccm；射频功率为200W，刻蚀时间为2～4分钟，具体时间根据刻蚀气体的类型、刻蚀气体的流量、射频功率以及纳米孔图形的形状来确定。本实施例采用干法刻蚀工艺来对单晶薄膜2进行刻蚀，相对于湿法刻蚀工艺来说，采用干法刻蚀工艺更容易控制刻蚀速率且刻蚀均匀性更好。
步骤S6：去除光刻胶3，以形成有纳米孔图形21的单晶薄膜2为掩膜，对蓝宝石衬底1进行干法刻蚀，将纳米孔图形21转移到蓝宝石衬底1上，得到蓝宝石衬底纳米孔图形11，如图6所示。其中，去除光刻胶3采用的是有机溶剂超声清洗方法，有机溶液为丙酮溶液或异丙酮溶液；干法刻蚀蓝宝石衬底1采用的是电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺，刻蚀气体为Cl2和BCl3，其中，Cl2流量为5～45sccm，BCl3流量为5～45sccm；刻蚀功率为1000～3000W，射频功率为100～500W，刻蚀温度为20℃，刻蚀时间1～3分钟，具体时间根据刻蚀气体的类型、刻蚀气体的流量、射频功率、刻蚀温度以及纳米孔图形的形状来确定。
步骤S7：去除单晶薄膜2，如图7所示。其中，湿法腐蚀采用的缓冲氧化物刻蚀液(BOE)为氢氟酸和氟化氨的混合液，其中，氢氟酸和氟化氨体积配比为1:5，腐蚀时间为10～120秒，具体时间根据BOE混合液的配比以及纳米孔图形的形状来确定。
本实施例提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底，本发明形成的纳米孔蓝宝石衬底能降低外延氮化物的位错密度，提高发光二极管的取光效率。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (11)
1.一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；
在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；
对光刻胶进行曝光、显影，以形成纳米孔图形；
以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜，将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上；
去除光刻胶，以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜，对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀，将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上；
去除所述单晶薄膜。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述单晶薄膜是厚度为200nm～300nm的二氧化硅单晶薄膜。
3.根据权利要求2所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述单晶薄膜通过蒸镀工艺在蓝宝石衬底表面形成，蒸镀时间为5～8分钟。
4.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述光刻胶是厚度为200nm～300nm的正性光刻胶。
5.根据权利要求4所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，旋涂所述光刻胶的转速为10000r/min、时间为30秒，旋涂完成后在95℃温度下烘烤60秒。
6.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述曝光的方法为三光束激光干涉。
7.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述显影步骤中，显影液为质量分数为8‰的氢氧化钠溶液，显影时间为10～15秒。
8.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀单晶薄膜采用反应离子刻蚀工艺，刻蚀气体为SF6、CHF3和He，其中，SF6流量为5.5sccm，CHF3流量为32sccm，He流量为150sccm；射频功率为200W，刻蚀时间为2～4分钟。
9.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述去除光刻胶采用的是有机溶剂超声清洗方法。
10.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀蓝宝石衬底采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，刻蚀气体为Cl2和BCl3，其中，Cl2流量为5～45sccm，BCl3流量为5～45sccm；刻蚀功率为1000～3000W，射频功率为100～500W，蓝宝石衬底温度为20℃，刻蚀时间1～3分钟。
11.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，所述单晶薄膜的去除工艺采用湿法腐蚀工艺，所述湿法腐蚀工艺的刻蚀液为体积配比为1:5氢氟酸和氟化氨的混合液，腐蚀时间为10～120秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610296695.1A CN107346797A (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 蓝宝石衬底纳米孔制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610296695.1A CN107346797A (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 蓝宝石衬底纳米孔制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107346797A true CN107346797A (zh) | 2017-11-14 |
Family
ID=60253162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610296695.1A Pending CN107346797A (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 蓝宝石衬底纳米孔制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107346797A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111439720A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-24 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备变径纳米结构的方法 |
| CN111675191A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-18 | 中国科学院物理研究所 | 制备高度上连续可调的三维纳米结构的方法 |
| CN112635627A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-09 | 东莞市中图半导体科技有限公司 | 一种图形化复合衬底及制备方法和led外延片 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110569A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体基板の製造方法 |
| CN102034907A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 上海宇体光电有限公司 | 一种提高GaN基LED发光效率的图形掩埋方法 |
| CN102244170A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-11-16 | 江苏晶瑞半导体有限公司 | 准光子晶体图形蓝宝石衬底及其制造方法、发光二极管及其制备方法 |
| CN102799063A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-28 | 北京科技大学 | 一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法 |
| CN103311097A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-18 | 中国科学院半导体研究所 | 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 |
| US20140030874A1 (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide substrate |
-
2016
- 2016-05-06 CN CN201610296695.1A patent/CN107346797A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110569A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体基板の製造方法 |
| CN102034907A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 上海宇体光电有限公司 | 一种提高GaN基LED发光效率的图形掩埋方法 |
| CN102244170A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-11-16 | 江苏晶瑞半导体有限公司 | 准光子晶体图形蓝宝石衬底及其制造方法、发光二极管及其制备方法 |
| CN102799063A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-28 | 北京科技大学 | 一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法 |
| US20140030874A1 (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide substrate |
| CN103311097A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-18 | 中国科学院半导体研究所 | 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张文洁等: "《机械电子工程导论》", 31 May 2015, 北京理工大学出版社 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112635627A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-09 | 东莞市中图半导体科技有限公司 | 一种图形化复合衬底及制备方法和led外延片 |
| CN111439720A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-24 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备变径纳米结构的方法 |
| CN111675191A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-18 | 中国科学院物理研究所 | 制备高度上连续可调的三维纳米结构的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8518832B1 (en) | Process for masking and removal of residue from complex shapes | |
| CN107346797A (zh) | 蓝宝石衬底纳米孔制备方法 | |
| CN106229812B (zh) | 一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法 | |
| US8486809B2 (en) | Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device | |
| TW201411692A (zh) | 以壓印方式製造選擇性成長遮罩之方法 | |
| CN102331593A (zh) | 高占空比自支撑纳米透射光栅及其制作方法 | |
| CN105719955A (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN102260870B (zh) | 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法 | |
| TW201135829A (en) | A novel fabrication method for producing undercut-etching microstructure | |
| CN110875575B (zh) | 一种半导体激光器窄脊条结构的制作方法 | |
| CN102096316A (zh) | 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法 | |
| CN105576498A (zh) | 一种窄条脊形GaAs 基激光器的制备方法及GaAs 基激光器 | |
| CN104425216A (zh) | 具有沟槽的半导体衬底的光刻方法 | |
| JP2007273665A (ja) | モールド及びモールドの作製方法 | |
| JP2007320246A (ja) | モールド及びモールドの作製方法 | |
| CN104779178B (zh) | 底部防反射层形成方法 | |
| CN110412671A (zh) | 一种用于激光器的三角形光栅的制备方法 | |
| CN112309839A (zh) | 一种基于热模光刻的氧化硅图形结构制备方法 | |
| CN107430333A (zh) | 包括对准不良误差保护的图案化方法 | |
| McClelland et al. | Nanostructure fabrication by reactive-ion etching of laser-focused chromium on silicon | |
| CN111675191B (zh) | 制备高度上连续可调的三维纳米结构的方法 | |
| KR101692119B1 (ko) | 개선된 에칭 공정 | |
| Pudis et al. | Periodic structures patterned on metal and iii–v compound surfaces using two–beam interference method | |
| CN104393122A (zh) | 一种纳米图形底衬的制作方法 | |
| CN114815025B (zh) | 一种大占宽比亚波长周期光栅的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171114 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |