CN112635523A - 显示设备及制造显示设备的方法 - Google Patents

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柳永浚
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韩筵昊
洪宗范
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Abstract

公开了显示设备及制造显示设备的方法，该显示设备包括：第一基础衬底，第一基础衬底上限定有发光区域和围绕发光区域的非发光区域；波长转换图案，在发光区域中设置在第一基础衬底上；以及发光元件层，设置在波长转换图案上，其中，发光元件层包括像素电极、有机发光层和公共电极，像素电极包括设置在波长转换图案与第一基础衬底之间的第一导电图案以及设置在第一导电图案上的第二导电图案，且波长转换图案插置在第一导电图案与第二导电图案之间，有机发光层设置在第二导电图案上，公共电极设置在有机发光层上。

Description

显示设备及制造显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月8日提交的第10-2019-0124432号韩国专利申请的优先权和从该韩国专利申请获得的所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本发明涉及显示设备和制造显示设备的方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示设备变得越来越重要。因此，已经开发了诸如液晶显示设备(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示设备等的各种显示设备。
OLED显示设备包括作为自发光元件的OLED。OLED包括彼此面对的两个电极和插置在该两个电极之间的有机发光层。来自该两个电极的电子和空穴可以在发光层中复合以产生激子，并且可以响应于激子从激发态到基态的转变而发光。
因为OLED显示设备不需要单独的光源，所以OLED显示设备由于其诸如低功耗、薄、轻质量、宽视角、高亮度和对比度以及快响应速度的许多优势已经被关注为下一代显示设备。
发明内容
本发明的实施方式提供了显示设备，该显示设备在每个像素中在波长转换图案与有机发光层之间具有减小的物理距离。
本发明的另一实施方式提供了制造显示设备的方法，该显示设备在每个像素中在波长转换图案与有机发光层之间具有减小的物理距离。
本发明构思的另外的特征将在随后的说明书中阐述，并且部分地将从描述中而明显，或者可以通过对发明构思的实践来获知。
根据实施方式，显示设备包括：第一基础衬底，该第一基础衬底上限定有发光区域和围绕发光区域的非发光区域；波长转换图案，在发光区域中设置在第一基础衬底上；以及发光元件层，设置在波长转换图案上，其中，发光元件层包括像素电极、有机发光层和公共电极，像素电极包括设置在波长转换图案与第一基础衬底之间的第一导电图案以及设置在第一导电图案上的第二导电图案，且波长转换图案插置在第一导电图案和第二导电图案之间，有机发光层设置在第二导电图案上，公共电极设置在有机发光层上。
第一导电图案可以包括设置在波长转换图案与第一基础衬底之间的第一导电膜以及设置在第一导电膜与波长转换图案之间的第二导电膜。
第一导电膜可以包括氧化物导电材料，第二导电膜可以包括金属，并且第二导电图案可以包括氧化物导电材料。
第二导电图案可以覆盖波长转换图案的侧面并且与第二导电膜接触。
显示设备还可以包括在非发光区域中设置在第一基础衬底上的像素限定膜，其中，像素限定膜与第二导电图案的侧面接触。
显示设备还可以包括：无机盖层，覆盖波长转换图案的侧面并且与波长转换图案的侧面接触，其中，第二导电图案设置在无机盖层的至少顶表面上。
第二导电图案还可以设置在无机盖层的侧面上。
显示设备还可以包括：阻挡壁，设置在波长转换图案的侧面上和第二导电膜上；以及第三导电图案，设置在阻挡壁的侧面和波长转换图案的侧面之间。
第三导电图案覆盖阻挡壁的侧面和顶表面。
波长转换图案可以包括波长转换颗粒和散射颗粒，波长转换颗粒配置成转换从发光元件层发射的光的波长。
有机发光层可以包括两个或更多个有机层。
显示设备还可以包括：薄膜封装层，与像素电极间隔开，且公共电极插置在薄膜封装层与像素电极之间；以及滤色器，与公共电极间隔开，且薄膜封装层插置在滤色器与公共电极之间。
显示设备还可以包括：第二基础衬底，设置在滤色器上；以及填充构件，设置在滤色器和薄膜封装层之间。
根据另一实施方式，显示设备包括：基础衬底，基础衬底上限定有发光区域和围绕发光区域的非发光区域；波长转换图案，在发光区域中设置在基础衬底上；以及发光元件层，设置在波长转换图案与基础衬底之间，其中，发光元件层包括设置在波长转换图案与基础衬底之间的像素电极、设置在波长转换图案与像素电极之间的有机发光层以及设置在有机发光层与波长转换图案之间的公共电极。
显示设备还可以包括设置在公共电极和波长转换图案之间的无机盖层。
显示设备还可以包括：第一无机封装膜，设置在无机盖层和波长转换图案之间；第二无机封装膜，设置在波长转换图案上；有机封装膜，设置在第二无机封装膜上；以及第三无机封装膜，设置在有机封装膜上。
根据本公开的又一实施方式，制造显示设备的方法包括：准备基础衬底，并在基础衬底上形成第一导电图案；在第一导电图案上形成波长转换图案；在波长转换图案上形成第二导电图案；在第二导电图案上形成有机发光层；以及在有机发光层上形成公共电极。
形成第一导电图案可以包括在基础衬底上形成第一导电膜以及在第一导电膜上形成第二导电膜。
第一导电膜可以包括氧化物导电材料，第二导电膜可以包括金属，并且第二导电图案可以包括氧化物导电材料。
形成第二导电图案可以包括将第二导电图案形成为覆盖波长转换图案的侧面并且与第二导电膜接触。
在形成波长转换图案与形成第二导电图案之间，该方法还可以包括形成无机盖层，无机盖层覆盖波长转换图案的侧面并且与波长转换图案直接接触，其中，形成第二导电图案包括在无机盖层上形成第二导电图案。
形成第二导电图案还可以包括将第二导电图案形成为在无机盖层的侧面上延伸。
根据本公开的上述和其它实施方式，可以减小每个像素中波长转换图案与有机发光层之间的物理距离。
根据以下详细描述、附图和所附的权利要求书，其它特征和实施方式将是明显的。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上及其它实施方式和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的实施方式的显示设备的显示面板的立体图；
图2是图1的显示面板的布局图；
图3是沿图2的线III-III’截取的剖视图；
图4A至图4C是图3的部分A的放大剖视图；
图5是图3的部分B的放大剖视图；
图6是示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的流程图；
图7至图10是示出图6的方法的剖视图；
图11是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图12是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图13是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图14是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图15是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的剖视图；
图16是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图17是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图18是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图19是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图；
图20是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的布局图；
图21是图20的显示面板的有机层的剖视图；
图22是根据本公开的另一实施方式的显示设备的像素的平面图；以及
图23是沿图22的线Xa-Xa’、Xb-Xb’和Xc-Xc’截取的剖视图。
具体实施方式
本文中所公开的本发明的实施方式的具体结构和功能性描述仅出于本发明的实施方式的说明性目的。在不背离本发明的精神和显著特征的情况下，本发明可以以多种不同的形式来实施。因此，公开本发明的实施方式仅出于说明性目的，并且不应被解释为限制本发明。即，本发明仅由权利要求的范围限定。
将理解，当元件被称为与另一元件相关(诸如，“联接”或“连接”至另一元件)时，它可以直接联接或连接至该另一元件，或者它们之间可以存在中间元件。相反地，应当理解，当元件被称为与另一元件相关(诸如，“直接联接”或“直接连接”至另一元件)时，不存在中间元件。应以相同的方式理解解释元件之间的关系的其它表述，诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”或“与……直接相邻”。
在说明书全文中，相同的参考标号将表示相同或相似的部分。
将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各元件、组件、区域、层和/或区段，但是这些元件、组件、区域、层和/或区段不应由这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或区段与另一元件、组件、区域、层或区段区分开。因此，在不背离本文中的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一区段”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二区段。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，“一”、“一个”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文中清楚地另有指示。例如，“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文中清楚地另有指示。“至少一个”不被解释为限于“一”或“一个”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或者“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所阐述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或其组的存在或添加。
此外，在本文中使用的诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语可以用来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，相对术语旨在包括设备的除了附图中所示的定向之外的不同定向。例如，如果附图之一中的设备被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随之被定向为在该其它元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下”可以根据附图的特定定向而包括“下”和“上”两种定向。类似地，如果附图之一中的设备被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或在其它元件“以下”的元件将随之被定向为在该其它元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“以下”可包括上方和下方两种定向。
如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所阐述的值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所阐述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解的是，诸如在常用字典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非在本文中明确地如此限定。
本文中参考作为理想化实施方式的示意图的剖视图来描述各种实施方式。如此，由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化将是预料到的。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为受限于如本文中示出的区域的具体形状，而是应包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线型特征。此外，所示的尖角可以是圆化的。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制当前权利要求的范围。
在下文中，将参考附图描述本发明的实施方式。图1是根据本公开的实施方式的显示设备的显示面板的立体图，图2是图1的显示面板的布局图，图3是沿图2的线III-III’截取的剖视图，图4A至图4C是图3的部分A的放大剖视图，以及图5是图3的部分B的放大剖视图。
参照图1至图5，显示设备可以适用于各种电子设备，诸如平板个人计算机(PC)、智能电话、汽车导航单元、相机、汽车中提供的中央信息显示器(CID)、手表型电子设备、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、游戏设备、电视(TV)、户外广告牌、监视器、PC或笔记本计算机，但本公开不限于此。即，显示设备也可适用于除了本文中所阐述的电子设备之外的各种电子设备。
在平面图中，显示设备可以具有矩形形状。显示设备可以包括在一个方向上延伸的一对短边和在与短边延伸的方向相交的另一方向上延伸的一对长边。例如，显示设备的长边可以在第一方向DR1上延伸，并且显示设备的短边可以在平面图中在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。在平面图中，显示设备的长边和短边相交处的拐角可以是直角的，但是本公开不限于此。可替代地，显示设备的长边和短边相交处的拐角可以是圆化的。显示设备的平面形状不受特别限制，并且显示设备可以具有除矩形形状以外的各种形状，诸如圆形、正方形或椭圆形形状。
显示设备包括显示面板100。显示面板100的平面形状可以与显示设备的平面形状相同或相似。即，显示面板100可以在平面图中具有矩形形状，并且可以包括在第一方向DR1上延伸的一对长边和在第二方向DR2上延伸的一对短边。显示面板100的长边和短边相交处的拐角可以是但不限于直角的或圆化的。
显示面板100可以包括其中显示图像的显示区域DA和其中不显示图像的非显示区域NA。
显示区域DA可以设置在显示面板100的中央部分中。显示区域DA可以包括多个像素PX1、PX2和PX3。像素PX1、PX2和PX3可以包括发射第一颜色的光(例如，具有约610nm至约650nm的峰值波长的红光(例如，图3中的“L2”))的第一像素PX1、发射第二颜色的光(例如，具有约510nm至约550nm的峰值波长的绿光(例如，图3中的“L3”))的第二像素PX2以及发射第三颜色的光(例如，具有约430nm至约470nm的峰值波长的蓝光(例如，图3中的“L1”))的第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以交替地布置成行和列。像素PX1、PX2和PX3可以以各种方式(诸如，条纹方式或PenTile方式)布置。
图2示出了具有相同尺寸的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3，但是本公开不限于此。可替代地，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以具有不同的尺寸。
像素PX1、PX2和PX3可以包括光输出区域PA1、PA2和PA3以及非光输出区域PB。光输出区域PA1、PA2和PA3可以被定义为光通过显示表面从其发射的区域，并且非光输出区域PB可以被定义为没有光通过显示表面从其发射的区域。非光输出区域PB可以设置成围绕光输出区域PA1、PA2和PA3。光输出区域PA1、PA2和PA3以及非光输出区域PB可以由稍后将描述的遮光构件BM限定。
像素PX1、PX2和PX3可以包括发光区域。发光区域被定义为由有机层OL在其中发射光的区域。非发光区域可以设置在发光区域周围。发光区域和非发光区域可以由堤层或像素限定膜160限定。
发光区域可以在厚度方向(例如，第三方向DR3)上与光输出区域PA1、PA2和PA3重叠。发光区域可以在厚度方向上与光输出区域PA1、PA2和PA3对应。在平面图中，发光区域可以具有比光输出区域PA1、PA2和PA3小的尺寸，但是本公开不限于此。可替代地，发光区域可以具有与光输出区域PA1、PA2和PA3基本上相同的尺寸。
从像素PX1、PX2和PX3发射的光的波长不仅可以通过从发光区域发射的光来控制，而且还可以通过设置成与第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域重叠的波长转换/光透射图案130、140和150或滤色器181、183和185来控制。例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域可以发射相同波长的光(例如，蓝光)，并且由第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域发射的光可以由第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的波长转换/光透射图案130、140和150和/或滤色器181、183和185转换成不同的颜色。
非显示区域NA可以设置在显示区域DA的外侧上并且可以围绕显示区域DA。非显示区域NA可以包括虚拟发光区域，虚拟发光区域具有与发光区域基本上相同的结构，但是被控制为不发光。可替代地，非显示区域NA可包括发光区域，但来自发光区域的光在显示方向上的发射可被遮光构件BM阻挡。
参照图3，显示面板100可以包括第一基础衬底110(在下文中也可称为“基础衬底110”)、开关或驱动元件T1、T2和T3、绝缘膜120、像素限定膜160、有机发光元件ED1、ED2和ED3、波长转换/光透射图案130、140和150以及薄膜封装层170。
显示面板100可以是包括开关元件T1、T2和T3以及有机发光元件ED1、ED2和ED3的薄膜晶体管(TFT)衬底或有机发光衬底。
第一基础衬底110可以由透光材料形成。第一基础衬底110可以是玻璃衬底或塑料衬底。
在第一基础衬底110上，像素PX1、PX2和PX3中的每一个中可以设置有一个或多个开关元件T1、T2和T3。尽管未具体示出，但是第一基础衬底110上还可以设置有多个信号布线(例如，栅极布线、数据布线、电力布线等)以向开关元件T1、T2和T3传输信号。
绝缘膜120可以设置在开关元件T1、T2和T3上。绝缘膜120可以形成为有机膜。例如，绝缘膜120可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂或酯树脂。
波长转换/光透射图案130、140和150可以设置在像素PX1、PX2和PX3的光输出区域PA1、PA2和PA3中。具体地，第一波长转换图案130可以设置在第一像素PX1的第一光输出区域PA1中，第二波长转换图案140可以设置在第二像素PX2的第二光输出区域PA2中，并且光透射图案150可以设置在第三像素PX3的第三光输出区域PA3中。第一波长转换图案130可以不设置在第二光输出区域PA2和第三光输出区域PA3中，第二波长转换图案140可以不设置在第一光输出区域PA1和第三光输出区域PA3中，并且光透射图案150可以不设置在第一光输出区域PA1和第二光输出区域PA2中。
第一波长转换图案130可将入射光的峰值波长转换或移位成另一光的峰值波长。第一波长转换图案130可以将蓝光L1转换为红光L2并且可以发射红光L2。
第一波长转换图案130可以包括第一基础树脂131和分散在第一基础树脂131中的第一波长移位器135，并且还可以包括分散在第一基础树脂131中的第一散射体133。
第一基础树脂131的材料不受特别限制，只要它具有高透光率并且针对第一波长移位器135和第一散射体133具有良好的色散特性即可。例如，第一基础树脂131可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂或酰亚胺树脂的有机材料。
第一波长移位器135可以将入射光的峰值波长转换或移位成预定的峰值波长。第一波长移位器135的示例包括量子点、量子棒和磷光体。例如，量子点可以是响应于电子从导带到价带的跃迁而发射特定颜色的光的颗粒材料。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。由于量子点具有取决于它们的组成和尺寸的预定带隙，因此量子点吸收并发射预定波长的光。半导体纳米晶体材料包括IV族元素、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物及其组合。
IV族元素的示例可以包括硅(Si)、锗(Ge)和诸如碳化硅(SiC)或硅锗(SiGe)的二元化合物，但本公开不限于此。
II-VI族化合物的示例可以包括：从CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS中选取的二元化合物及它们的混合物；从CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS中选取的三元化合物及它们的混合物；以及从HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe中选取的四元化合物及它们的混合物，但本公开不限于此。
III-V族化合物的示例可包括：从GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb中选取的二元化合物及它们的混合物；从GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb中选取的三元化合物及它们的混合物；以及从GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb中选取的四元化合物及它们的混合物。
IV-VI族化合物的示例可包括：从SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe中选取的二元化合物及它们的混合物；从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe中选取的三元化合物及它们的混合物；以及从SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中选取的四元化合物及它们的混合物，但本公开不限于此。
量子点可以具有由包括上述半导体纳米晶体材料的核和围绕该核的壳组成的核-壳结构。量子点的壳可以用作用于通过防止量子点的核的化学变性来保持量子点的半导体特性的保护层和/或用作用于向量子点赋予电泳特性的电荷层。量子点的壳可以具有单层结构或多层结构。量子点的壳可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO的二元化合物，或是诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4的三元化合物，但本公开不限于此。
例如，半导体化合物可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP或AlSb，但本公开不限于此。
由第一波长移位器135发射的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的半高处全宽，并且因此，可以进一步改善由显示设备显示的颜色的纯度和显示设备的颜色再现性。此外，第一波长移位器135可以在各个方向上发射光，而与光的入射方向无关。可以改善显示在第一光输出区域PA1中的红光L2的侧面可视性。
从第一像素PX1的第一发光区域提供的蓝光L1中的一些可以通过第一波长转换图案130发射，而不被第一波长移位器135转换成红光L2。没有被第一波长转换图案130转换的入射到第一滤色器181上的蓝光L1可以被第一滤色器181阻挡。相反，由第一波长转换图案130产生的红光L2可以通过第一滤色器181发射至显示设备的外部。
第一散射体133可以具有与第一基础树脂131不同的折射率，并且可以与第一基础树脂131形成光学界面。例如，第一散射体133可以包括光散射颗粒。第一散射体133的材料不受特别限制，只要它可以散射穿行经过其的至少一些光即可。例如，第一散射体133可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物颗粒可以是诸如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)的颗粒，并且有机颗粒可以是例如丙烯酸树脂或聚氨酯树脂的颗粒。
无论光的入射方向如何，第一散射体133可以在随机方向上散射光，而不改变穿行经过第一波长转换图案130的光的波长。因此，可以增加穿行经过第一波长转换图案130的光的路径的长度，并且可以改善第一波长移位器135的颜色转换效率。
第一波长转换图案130的厚度可以是3μm至15μm。在第一波长转换图案130形成为具有3μm或更大的厚度的情况下，可以改善第一波长转换图案130的颜色转换效率。第一波长转换图案130的厚度可高达约15μm。
第一波长移位器135在第一波长转换图案130中的含量可以是10％至60％。此外，第一散射体133在第一波长转换图案130中的含量可以是2％至10％。
第二波长转换图案140可将入射光的峰值波长转换或移位成另一光的峰值波长。第二波长转换图案140可以将蓝光L1转换为具有约510nm至约550nm的峰值波长的绿光L3，并且可以发射绿光L3。
第二波长转换图案140可以包括第二基础树脂141和分散在第二基础树脂141中的第二波长移位器145，并且还可以包括分散在第二基础树脂141中的第二散射体143。
第二基础树脂141的材料可以由与第一基础树脂131相同的材料形成，并且可以包括第一基础树脂131的上述示例性材料中的至少一种。
第二波长移位器145可以将入射光的峰值波长转换或移位成预定的峰值波长。第二波长移位器145可以将具有430nm至470nm的峰值波长的蓝光L1转换为具有510nm至550nm的峰值波长的绿光L3。从第二像素PX2的第二发光区域提供的蓝光L1中的一些可以通过第二波长转换图案140发射，而不被第二波长移位器145转换成绿光L3，并且可以被第二滤色器183阻挡。由第二波长转换图案140产生的绿光L3可以通过第二滤色器183发射。
第二波长移位器145的示例包括量子点、量子棒和磷光体。第二波长移位器145与第一波长移位器135基本上相同或相似，并且因此，将省略其进一步的详细描述。
第一波长移位器135和第二波长移位器145二者可以由量子点形成。在这种情况下，第一波长移位器135的量子点的直径可以大于第二波长移位器145的量子点的直径。
第二散射体143可以具有与第二基础树脂141不同的折射率，并且可以与第二基础树脂141形成光学界面。例如，第二散射体143可以包括光散射颗粒。第二散射体143与第一散射体133基本上相同或相似，并且因此，将省略其进一步的详细描述。
第二波长转换图案140的厚度可以与第一波长转换图案130的厚度基本上相同。
第二波长移位器145在第二波长转换图案140中的含量可以是10％到60％。此外，第二散射体143在第二波长转换图案140中的含量可以是2％至10％。
光透射图案150可以通过其透射入射光。例如，光透射图案150可以通过其按原样透射从第三像素PX3的第三发光区域提供的蓝光L1。光透射图案150可以包括第三散射体153，并且因此可以在任何任意的方向上散射蓝光L1。
光透射图案150可以包括第三基础树脂151和分散在第三基础树脂151中的第三散射体153。
第三基础树脂151的材料可以由与第一基础树脂131相同的材料形成，并且可以包括第一基础树脂131的上述示例性材料中的至少一种。
第三散射体153可以具有与第三基础树脂151不同的折射率，并且可以与第三基础树脂151形成光学界面。例如，第三散射体153可以包括光散射颗粒。第三散射体153与第一散射体133基本上相同或相似，并且因此，将省略其进一步的详细描述。
由第三有机发光元件ED3提供的蓝光L1可以通过光透射图案150从第三像素PX3发射。
显示面板100可以是顶发射型显示面板。
第一波长转换图案130、第二波长转换图案140和光透射图案150上分别设置有像素电极AE1、AE2和AE3。像素电极AE1、AE2和AE3可以分别设置在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中，并且可以延伸到位于第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域周围的非发光区域中。像素电极AE1、AE2和AE3可以通过穿透绝缘膜120的通孔连接至开关元件T1、T2和T3。
像素电极AE1、AE2和AE3可以是有机发光元件ED1、ED2和ED3的阳极电极。
像素电极AE1、AE2和AE3可以具有多层结构。像素电极AE1、AE2和AE3中的每一个可以包括设置在绝缘膜120上的第一导电图案、设置在第一导电图案上的第二导电图案以及设置在第一波长转换图案130、第二波长转换图案140或光透射图案150上的第三导电图案。
像素电极AE1、AE2和AE3的第一导电图案和第二导电图案可以设置在绝缘膜120与第一波长转换图案130、第二波长转换图案140或光透射图案150之间，并且像素电极AE1、AE2和AE3的第三导电图案可以设置在有机层OL与波长转换/光透射图案130、140和150之间。
像素电极AE1、AE2和AE3的第一导电图案可以经由穿透绝缘膜120的通孔连接至开关元件T1、T2和T3中的一个，并且像素电极AE1、AE2和AE3的第二导电图案可以设置在第一导电图案与第一波长转换图案130、第二波长转换图案140或光透射图案150之间。
像素电极AE1、AE2和AE3的第三导电图案可以由可促进空穴的注入的高功函数材料形成，并且第一导电图案可以包括可容易地沉积在绝缘膜120上的材料。
第一导电图案和第三导电图案可以包括导电氧化物，并且第二导电图案可以包括反射性金属。例如，第一导电图案和第三导电图案可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、ZnO和氧化铟(In2O3)中的至少一种，并且第二导电图案可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)及其混合物中的至少一种。
像素限定膜160可以设置在像素电极AE1、AE2和AE3上。像素限定膜160可以沿像素PX1、PX2和PX3中的每一个的边界设置。像素限定膜160可以形成为格子形状，并且可以包括至少部分地暴露像素电极AE1、AE2和AE3的开口。如上所述，第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域以及非发光区域可以由像素限定膜160限定。即，像素电极AE1、AE2和AE3的未被像素限定膜160覆盖但被暴露的部分可以是第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域，并且第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的被像素限定膜160覆盖的部分可以是非发光区域。
像素限定膜160可以与像素电极AE1、AE2和AE3的第三导电图案直接接触。
在一些实施方式中，像素限定膜160可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。有机层OL可以设置在被像素限定膜160的开口暴露的像素电极AE1、AE2和AE3上。有机层OL可以在向上方向和向下方向上提供由发光层发射的光，例如蓝光L1。在下文中将参照图4A至图4C描述有机层OL。
参照图4A，有机层OL可以包括设置在第一像素电极AE1上的第一空穴传输层HTL1、设置在第一空穴传输层HTL1上的第一发光层EL1以及设置在第一发光层EL1上的第一电子传输层ETL1。有机层OL可以仅包括一个发光层，例如第一发光层EL1，并且第一发光层EL1可以发射蓝光L1。然而，有机层OL的结构不特别限于图4A中所示的结构，而是可以像图4B和图4C中所示那样变化。
参照图4B，有机层OLa还可以包括设置在第一发光层EL1上的第一电荷产生层CGL1和设置在第一电荷产生层CGL1上的第二发光层EL2，并且第一电子传输层ETL1可以设置在第二发光层EL2上。
第一电荷产生层CGL1可以将电荷注入到第一发光层EL1和第二发光层EL2中的每一个中。第一电荷产生层CGL1可以平衡第一发光层EL1和第二发光层EL2之间的电荷。第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。p型电荷产生层可以设置在n型电荷产生层上。
第二发光层EL2可以发射与第一发光层EL1相同的峰值波长或不同的峰值波长的光，但本公开不限于此。可替代地，第一发光层EL1和第二发光层EL2可以发射不同颜色的光。即，第一发光层EL1可以发射蓝光L1，并且第二发光层EL2可以发射绿光L3。
由于有机层OLa包括两个发光层(即，第一发光层EL1和第二发光层EL2)，因此与图4A的有机层OL相比，可以改善有机层OLa的发射效率和寿命。
图4C示出了具有插置在一个电子传输层和一个空穴传输层之间的两个电荷产生层的有机层OLb。参照图4C，有机层OLb还可以包括设置在第一发光层EL1上的第一电荷产生层CGL1、设置在第一电荷产生层CGL1上的第二发光层EL2、设置在第二发光层EL2上的第二电荷产生层CGL2以及设置在第二电荷产生层CGL2上的第三发光层EL3。第一电子传输层ETL1可以设置在第三发光层EL3上。
第三发光层EL3像第一发光层EL1和第二发光层EL2那样可以发射蓝光(例如，图3中的“L1”)，但本公开不限于此。在一些实施方式中，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3可以发射具有相同峰值波长或不同峰值波长的蓝光(例如，图3中的“L1”)。在其它实施方式中，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3可以发射不同颜色的光。例如，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3可以发射蓝光(例如，图3中的“L1”)或绿光(例如，图3中的“L3”)。
再次参照图3，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上的有机层OL的部分可以彼此连接。尽管第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上的有机层OL的部分全部连接，但是只有有机层OL的与像素电极AE1、AE2和AE3接触的部分可以发光。如果对于所有像素PX1、PX2和PX3共同形成有机层OL，则可以一次形成全部有机层OL，这在工艺效率方面是理想的。
在一些实施方式中，与图3的实施方式不同，可以为不同的像素形成分开的有机层OL。即，可以在像素电极AE1、AE2和AE3上形成彼此分开的有机层OL。位于第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上的有机层OL可以由像素限定膜160分开。如果在像素PX1、PX2和PX3中形成彼此分开的有机层OL，则可以防止像素由于泄漏电流而非预期地发光。
在一些实施方式中，可以将有机层OL的膜中的一些划分成针对对应像素的分段，并且有机层OL的膜中的一些可以形成为针对所有像素PX1、PX2和PX3的共同层。例如，可以将有机层OL的发光层中的每一个划分为针对相应像素的分段，并且有机层OL的空穴传输层和/或电子传输层中的每一个可以形成为公共层。
再次参照图3，在像素电极AE1、AE2和AE3为OLED的阳极电极的情况下，公共电极CE可以是OLED的阴极电极，并且可以包括可促进电子的注入的低功函数材料，诸如，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF2、Ba或者其化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。
在显示面板100是顶发射型显示面板的情况下，公共电极CE可以具有透明性或半透明性。如果公共电极CE形成为薄至数十至数百埃，则公共电极CE可以具有透明性或半透明性。在使用具有低功函数的金属膜以形成公共电极CE的情况下，公共电极CE还可以包括诸如钨氧化物(WxOx)、氧化钛(TiO2)、ITO、IZO、ZnO、铟锡锌氧化物(ITZO)、氧化镁(MgO)的透明导电材料的层，以确保透明性并降低电阻。
第一像素电极AE1、有机层OL和公共电极CE可以形成第一有机发光元件ED1，第二像素电极AE2、有机层OL和公共电极CE可以形成第二有机发光元件ED2，并且第三像素电极AE3、有机层OL和公共电极CE可以形成第三有机发光元件ED3。
薄膜封装层170可以设置在公共电极CE上。薄膜封装层170可以设置在有机发光元件ED1、ED2和ED3上，以密封有机发光元件ED1、ED2和ED3，并且因此来防止杂质或湿气的渗透。
薄膜封装层170可以设置在显示面板100的整个表面上，而不考虑像素PX1、PX2和PX3。如图3中所示，薄膜封装层170甚至可以延伸到非显示区域NA的一部分中。
薄膜封装层170的第一封装无机膜171和第二封装无机膜173可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、氮氧化硅(SiON)或锂氟化物形成。
薄膜封装层170的封装有机膜172可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂或二萘嵌苯树脂形成。
薄膜封装层170和公共电极CE之间还可以设置有第一无机盖层CPL1。第一无机盖层CPL1可以包括无机材料。第一无机盖层CPL1可以设置在公共电极CE上并且可以保护设置在像素PX1、PX2和PX3中的有机发光元件ED1、ED2和ED3。
遮光构件BM可以设置在薄膜封装层170上。
遮光构件BM可以沿光输出区域PA1、PA2和PA3之间的边界设置，以阻挡光在非光输出区域PB中的透射。遮光构件BM可以防止像素PX1、PX2和PX3之间颜色混合。
遮光构件BM可以在平面图中布置成格子形状。遮光构件BM可以在厚度方向上与像素限定膜160至少部分地重叠。
遮光构件BM可以包括有机材料、炭黑和含有Cr的金属材料中的至少一种。
遮光构件BM和薄膜封装层170上可以设置有滤色器181、183和185。滤色器181、183和185可以是吸收特定波长的光同时通过其透射另一特定波长的光的吸收性过滤器。
第一滤色器181可以设置在第一光输出区域PA1中，第二滤色器183可以设置在第二光输出区域PA2中，并且第三滤色器185可以设置在第三光输出区域PA3中。然而，本公开不限于此。滤色器181、183和185甚至可以在遮光构件BM上延伸。
第一滤色器181可以阻挡或吸收从第一波长转换图案130发射的蓝光L1。即，第一滤色器181可以用作阻挡蓝光L1的蓝光截止过滤器，并且还可以用作选择性地透射通过其的红光L2的红光透射过滤器。第一滤色器181可以包括红色着色剂。
第二滤色器183可以阻挡或吸收从第二波长转换图案140发射的蓝光L1。即，第二滤色器183可以用作阻挡蓝光L1的蓝光截止过滤器，并且还可以用作选择性地透射通过其的绿光L3的绿光透射过滤器。第二滤色器183可以包括绿色着色剂。
第三滤色器185可以用作透射从光透射图案150发射的蓝光L1的蓝光透射过滤器。第三滤色器185可以包括蓝色着色剂。
滤色器181、183和185可以吸收入射光中的至少一些。例如，由于第一滤色器181用作红光透射过滤器，因此第一滤色器181可以阻挡外部光中的除了红光之外的至少一些。例如，由于第二滤色器183用作绿光透射过滤器，因此第二滤色器183可以阻挡外部光中的除了绿光之外的至少一些。例如，由于第三滤色器185用作蓝光透射过滤器，因此第三滤色器185可以阻挡外部光中的除了蓝光之外的至少一些。因此，第一滤色器181、第二滤色器183和第三滤色器185可改善外部光的反射。
参照图5，如上所述，像素电极AE1、AE2和AE3可以具有多层结构。除了第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3设置在不同的像素中之外，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3是相同的。因此，在下文中，将以第一像素电极AE1为例描述第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3。
第一像素电极AE1可以包括设置在绝缘膜120上的第一导电图案AE11、设置在第一导电图案AE11上的第二导电图案AE12以及设置在第一波长转换图案130上的第三导电图案AE13。
第一导电图案AE11和第二导电图案AE12可以设置在第一波长转换图案130和绝缘膜120之间，并且第三导电图案AE13可以设置在第一波长转换图案130和有机层OL之间。
第一导电图案AE11可以经由绝缘膜120的通孔连接至第一开关元件T1，并且第二导电图案AE12可以设置在第一导电图案AE11和第一波长转换图案130之间。
第三导电图案AE13可以包括可促进空穴的注入的高功函数材料，并且第一导电图案AE11可以包括可容易地沉积在绝缘膜120上的材料。
第一导电图案AE11和第三导电图案AE13可以包括导电氧化物，并且第二导电图案AE12可以包括反射性金属。以上已经描述了第一导电图案AE11、第二导电图案AE12和第三导电图案AE13的材料，并且因此将省略其详细描述。
在平面图中，第一导电图案AE11和第二导电图案AE12可以具有相同的尺寸。第一导电图案AE11和第二导电图案AE12可以设置成在厚度方向上彼此重叠。第一导电图案AE11的侧面和第二导电图案AE12的侧面可以在厚度方向上对准。
第三导电图案AE13可以设置在第一波长转换图案130的顶表面和侧面上。第三导电图案AE13可以覆盖第一波长转换图案130的侧面。第三导电图案AE13的设置在第一波长转换图案130的侧面上的部分可以与第二导电图案AE12的顶表面直接接触，但本公开不限于此。可替代地，第三导电图案AE13的设置在第一波长转换图案130的侧面上的部分可以不与第二导电图案AE12的顶表面直接接触。
如上所述，有机层OL可以在相对于厚度方向的向上方向和向下方向上发射蓝光L1。通过穿透第三导电图案AE13的至少一部分，可以将在向下方向上发射的蓝光L1提供至第一波长转换图案130。
提供至第一波长转换图案130的蓝光L1可以由第一波长移位器135转换为红光L2，并且随后可以在向上方向上发射。
由第一波长移位器135产生的红光L2可以被第二导电图案AE12反射，并且随后可以在向上方向上发射。
此外，提供至第一波长转换图案130的蓝光L1中的没有与第一波长移位器135相遇的蓝光L1可以被第二导电图案AE12反射，并且被第一波长转换器135转换为红光L2并且可以在向上方向上发射。
由于波长转换/光透射图案130、140和150设置在包括开关元件T1、T2和T3以及有机发光元件ED1、ED2和ED3的TFT衬底上，因此可以不设置用于布置波长转换/光透射图案130、140和150的衬底，并且可以不执行将TFT衬底与其它衬底接合的工艺。因此，可以减少制造时间和成本。
此外，由于不需要用于布置波长转换/光透射图案130、140和150的衬底，因此可以减小显示设备或显示面板100的总厚度，并且因此可以改善显示面板100的薄度和柔性。
此外，第一波长转换图案130和第二波长转换图案140以及光透射图案150设置成与第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3相邻(特别是与有机层OL相邻)，可以降低从有机层OL发射的光将穿透相邻像素的可能性，并且因此，可以改善颜色再现性。此外，由于可以显著地减小有机层OL与第一波长转换图案130和第二波长转换图案140以及光透射图案150之间的距离，因此可以改善包括第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3的显示面板100的总效率。
下文中将描述根据本发明的实施方式的制造显示设备的方法。在本公开中，相同的参考标号始终指示相同的元件，并且因此，将省略或简化其详细描述。
图6是示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的流程图，并且图7至图10是示出图6的方法的剖视图。
参照图6、图7和图8，准备基础衬底110(即，以上描述的“第一基础衬底110”)，在基础衬底110上形成第一导电图案AE11或第一导电膜，并在第一导电图案AE11或第一导电膜上形成第二导电图案AE12或第二导电膜(S10)。第一导电图案AE11可以形成在绝缘膜120上。第一导电图案AE11或第一导电膜可以包括导电氧化物。以上已经参照图3至图5描述了第一导电图案AE11的材料，并且因此，将省略其详细描述。
第一导电图案AE11可以通过形成薄膜的方法(诸如，溅射)来形成。
第二导电图案AE12可以形成为在厚度方向上与第一导电图案AE11重叠。第二导电图案AE12可以包括反射性导电材料或反射性金属。以上已经参照图3至图5描述了第二导电图案AE12的功能和材料，并且因此，将省略其详细描述。
第二导电图案AE12可以直接形成在第一导电图案AE11的顶表面上。
第二导电图案AE12可以通过形成薄膜的方法(诸如，溅射)来形成。
在下文中，参照图6和图9，在第二导电图案AE12上形成第一波长转换图案130(S20)。可以通过光刻形成第一波长转换图案130。
第一波长转换图案130可以包括第一基础树脂131以及分散在第一基础树脂131中的第一波长移位器135和第一散射体133。第一波长转换图案130可以通过在第二导电图案AE12和绝缘膜120上涂覆第一基础树脂131、第一波长移位器135和第一散射体133并使第一基础树脂131、第一波长移位器135和第一散射体133经受紫外(UV)固化和光刻的显影来形成。
在一些实施方式中，第一波长转换图案130可以通过喷墨印刷来形成。
在这种情况下，在阻挡壁(例如，图13中的“P”)布置在其中涂覆有第一波长转换图案130的区域周围的情况下，可以通过在阻挡壁的内侧上涂覆第一基础树脂131、第一波长移位器135和第一散射体133并使第一基础树脂131、第一波长移位器135和第一散射体133经受固化来形成第一波长转换图案130。
以上已经参照图3至图5描述了第一波长转换图案130的功能和材料，并且因此，将省略其详细描述。
在下文中，参照图6和图10，在第一波长转换图案130上形成第三导电图案AE13(S30)。
第三导电图案AE13可以形成为在厚度方向上与第二导电图案AE12和第一波长转换图案130重叠。
形成第三导电图案AE13的步骤可以包括将第三导电图案AE13形成为覆盖第一波长转换图案130的侧面并与第二导电图案AE12接触。
第三导电图案AE13可以包括导电氧化物。第三导电图案AE13可以包括与第一导电图案AE11相同的材料，但本公开不限于此。以上已经参照图3至图5描述了第三导电图案AE13的功能和材料，并且因此，将省略其详细描述。
在一些实施方式中，图6的方法还可以包括：于在第二导电图案AE12上形成第一波长转换图案130的步骤和在第一波长转换图案130上形成第三导电图案AE13的步骤之间，形成覆盖第一波长转换图案130的侧面并且与第一波长转换图案130直接接触的无机盖层(例如，图11中的“CPL2”)。在形成无机盖层的步骤之后，可以在无机盖层上形成第三导电图案AE13。
形成第三导电图案AE13的步骤还可以包括将第三导电图案AE13形成为进一步在无机盖层的侧面上延伸。
在下文中，参照图6，在第三导电图案AE13上形成有机层(例如，图3中的“OL”)(S40)。
有机层OL可以直接形成在第三导电图案AE13的顶表面上。
以上已经描述了有机层OL，并且因此，将省略其详细描述。
在下文中，参照图6，在有机层OL上形成公共电极(例如，图3中的“CE”)(S50)。
以上已经描述了公共电极CE，并且因此，将省略其详细描述。
第一导电图案AE11、第二导电图案AE12和第三导电图案AE13可以与设置在第一像素PX1中的第一像素电极AE1对应，并且第一像素电极AE1、有机层OL和公共电极CE可以形成第一有机发光元件ED1。
根据图6的实施方式，由于波长转换/光透射图案130、140和150设置在包括开关元件T1、T2和T3以及有机发光元件ED1、ED2和ED3的TFT衬底上，因此可以不设置用于布置波长转换/光透射图案130、140和150的衬底，并且可以不执行将TFT衬底和其它衬底接合的工艺。因此，可以减少制造时间和成本。
此外，根据图6的实施方式，由于不需要用于布置波长转换/光透射图案130、140和150的衬底，因此可以减小显示设备或显示面板100的总厚度，并且因此，可以改善显示面板100的薄度和柔性。
此外，根据图6的实施方式，第一波长转换图案130和第二波长转换图案140以及光透射图案150设置成与第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3相邻(特别是与有机层OL相邻)，可以降低从有机层OL发射的光将穿透相邻像素的可能性，并且因此，可以改善颜色再现性。此外，由于可以显著地减小有机层OL与第一波长转换图案130和第二波长转换图案140以及光透射图案150之间的距离，因此可以改善包括第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3的显示面板100的总效率。
图11是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图11，显示面板101与图5的显示面板100的不同之处在于：第三导电图案AE13与波长转换/光透射图案130、140和150之间还设置有第二无机盖层CPL2。
具体地，显示面板101还可以包括设置在第三导电图案AE13和第一波长转换图案130之间的第二无机盖层CPL2。
第二无机盖层CPL2可以包括无机材料。
第二无机盖层CPL2可以设置在第一波长转换图案130的顶表面和侧面上。第二无机盖层CPL2可以直接设置在第一波长转换图案130的顶表面和侧面上，以完全覆盖第一波长转换图案130的顶表面和侧面。
第三导电图案AE13可以设置在第二无机盖层CPL2的顶表面和侧面上。第三导电图案AE13可以直接设置在第二无机盖层CPL2的顶表面和侧面上，以完全覆盖第二无机盖层CPL2的顶表面和侧面。
由于第二无机盖层CPL2还设置在第一波长转换图案130的顶表面和侧面上，所以可以适当地密封第一波长转换图案130。
图12是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图12，显示面板102与图11的显示面板101的不同之处在于：第三导电图案AE13_1不设置在第二无机盖层CPL2的侧面上。
具体地，第三导电图案AE13_1可以设置在第二无机盖层CPL2的顶表面上，但不设置在第二无机盖层CPL2的侧面上。
即，第三导电图案AE13_1的侧面可以设置在第一导电图案AE11或第二导电图案AE12的侧面的内侧上，第一导电图案AE11或第二导电图案AE12设置在第三导电图案AE13_1下方。
第三导电图案AE13_1的侧面可以与第二无机盖层CPL2的侧面对准，但本公开不限于此。
图13是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图13，显示面板103与显示面板100的不同之处在于：波长转换/光透射图案130、140和150之间还设置有阻挡壁P。
具体地，阻挡壁P还可以设置在波长转换/光透射图案130、140和150之间。
阻挡壁P可以包括显示面板100的遮光构件BM的上述示例性材料中的至少一种，但本公开不限于此。
阻挡壁P可以防止在通过喷墨印刷形成波长转换/光透射图案130、140和150期间波长转换/光透射图案130、140和150的材料溢出至相邻像素。
阻挡壁P的表面的高度可以大于波长转换/光透射图案130、140和150的表面的高度，但本公开不限于此。即，阻挡壁P的表面的高度可以与波长转换/光透射图案130、140和150的表面的高度基本上相同。
阻挡壁P上还可以设置有导电图案MP。导电图案MP可以反射在被波长转换/光透射图案130、140和150转换的情况下或不被波长转换/光透射图案130、140和150转换的情况下从波长转换/光透射图案130、140和150入射到阻挡壁P上的光，并且因此可以将光提供回波长转换/光透射图案130、140和150。
导电图案MP可以设置在阻挡壁P中的每一个的侧面和顶表面上，并且可以覆盖阻挡壁P中的每一个的侧面和顶表面。
图14是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图14，显示面板104与图13的显示面板103的不同之处在于：导电图案MP_1设置在阻挡壁P的面对波长转换/光透射图案130、140和150的内侧上，但不设置在阻挡壁P的外侧上。
显示面板104的其它特征与以上参照图13所描述的几乎相同，并且因此，将省略其详细描述。
图15是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的剖视图。
参照图15，显示面板105与显示面板100的不同之处在于：滤色器181、183和185上以及遮光构件BM上还设置有膜190。
膜190可以包括有机绝缘材料，但本公开不限于此。
由于膜190设置在滤色器181、183和185上以及遮光构件BM上，因此膜190可保护设置在其下方的元件免受外部冲击的影响。
图16是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图16，显示面板106与显示面板100的不同之处在于：滤色器181、183和185以及遮光构件BM不是形成在TFT衬底上，而是形成在另一衬底上。
显示面板106还可以包括面对TFT衬底的上衬底SUB。上衬底SUB可以包括显示面板100的基础衬底110(即，以上描述的“第一基础衬底110”)的上述示例性材料中的至少一种。即，上衬底SUB可以包括刚性材料或柔性材料。
遮光构件BM可以在非光输出区域PB中设置在上衬底SUB上，并且滤色器181、183和185在像素PX1、PX2和PX3的光输出区域PA1、PA2和PA3中设置在上衬底SUB上。
滤色器181、183和185以及薄膜封装层170之间还可以设置有填充构件400。显示面板106还可以包括在平面图中围绕填充构件400的密封构件。
填充构件400可以设置在由滤色器181、183和185、薄膜封装层170以及密封构件围绕的空间中。填充构件400可以由能够通过其透光的材料形成，并且可以具有缓冲功能。填充构件400可以由有机材料形成。例如，填充构件400可以由基于Si的有机材料、基于环氧的有机材料或丙烯酸有机材料形成，但本公开不限于此。
显示面板106的其它特征与以上参照图3所描述的几乎相同，并且因此，将省略其详细描述。
图17是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图17，显示面板107与图16的显示面板106的不同之处在于：没有设置图16的填充构件400，并且薄膜封装层170和滤色器181、183和185之间设置有平坦化膜PSL。
平坦化膜PSL可以包括有机绝缘材料。
显示面板107的其它特征与以上参照图16所描述的几乎相同，并且因此，将省略其详细描述。
图18是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图18，显示面板108与显示面板100的不同之处在于：波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1设置在公共电极CE和薄膜封装层170_1之间。
具体地，波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1可以设置在公共电极CE和薄膜封装层170_1之间。
薄膜封装层170_1还可以包括设置在第一无机盖层CPL1与波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1之间的第四封装无机膜174。
第四封装无机膜174可以包括与第一封装无机膜171相同的材料，但本公开不限于此。
波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1可以直接设置在第四封装无机膜174上。
第一封装无机膜171可以直接设置在第四封装无机膜174上。第一封装无机膜171可以覆盖并保护波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1，并且第四封装无机膜174可以从波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1下方保护波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1。
显示面板108的其它特征与以上参照图3所描述的几乎相同(例如，有机发光元件ED1_1、ED2_1和ED3_1与图3中的有机发光元件ED1、ED2和ED3几乎相同，并且像素电极AE1_1、AE2_1和AE3_1与图3中的像素电极AE1、AE2和AE3几乎相同)，并且因此，将省略其详细描述。
图19是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的部分剖视图。
参照图19，显示面板109与图18的显示面板108的不同之处在于：没有设置图18的第四封装无机膜174。
即，波长转换/光透射图案130_1、140_1和150_1可以直接设置在第一无机盖层CPL1上。
显示面板109的其它特征与以上参照图18所描述的几乎相同，并且因此，将省略其详细描述。
图20是根据本公开的另一实施方式的显示设备的显示面板的布局图，并且图21是图20的显示面板的有机层的剖视图。
参照图20和图21，显示面板110与显示面板100的不同之处在于：它还包括发射白光的第四像素PX4。
具体地，显示面板110还可以包括发射白光的第四像素PX4。
像第一像素PX1那样，第四像素PX4可以包括不输出光的非光输出区域PB、由非光输出区域PB围绕的并发射白光的第四光输出区域PA4。
由于显示面板110还包括发射白光的第四像素PX4，因此可以改善显示面板110的效率和寿命。
参照图21，第四像素PX4中可以设置有第四有机发光元件。第四有机发光元件的有机层OLb_1可以包括第一发光层EL1_1、第二发光层EL2_1和第三发光层EL3_1。堆叠第一发光层EL1_1、第二发光层EL2_1和第三发光层EL3_1的顺序和结构可以与图4C的堆叠有机层OLb的第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3的顺序和结构基本上相同，但有机层OLb_1与图4C的有机层OLb的不同之处在于：从第一发光层EL1_1、第二发光层EL2_1和第三发光层EL3_1发射的光的组合是白色的。
具体地，第一发光层EL1_1、第二发光层EL2_1和第三发光层EL3_1中的一个发射蓝光(例如，图3中的“L1”)，第一发光层EL1_1、第二发光层EL2_1和第三发光层EL3_1中的另一个发射绿光(例如，图3中的“L3”)，并且其它发光层发射红光(例如，图3中的“L2”)。
显示面板110的其它特征与以上参照图2和图4C所描述的相同，并且因此，将省略其详细描述。
图22是根据本公开的另一实施方式的显示设备的像素的平面图，并且图23是沿图22的线Xa-Xa’、Xb-Xb’和Xc-Xc’截取的剖视图。
图23示出了图22的第一像素PX1的剖视图，但第一像素PX1的截面结构可直接适用于其它第一像素和其它非第一像素。图23示出了沿从图22的第一像素PX1的发光元件300的一端延伸至另一端的线截取的剖视图。
参照图22和图23，像素PX包括发光区域EMA。
图22的显示设备的显示面板可以是底发射型显示面板。即，底发射型显示面板可以在向下方向上反射从设置在像素PX中的发光元件300向上发射的光中的至少一些，可以将从发光元件300向下发射的光和向下反射的光提供至波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2，并且可以在向下方向上将由第一波长转换图案130_2和第二波长转换图案140_2通过波长转换产生的光以及透射穿过光透射图案150_2的光二者向用户发射至显示屏。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别包括第一发光区域EMA1、第二发光区域EMA2和第三发光区域EMA3。发光区域EMA可以被定义为其中发光元件300设置为发射特定波长范围的光的区域。发光元件300可以包括有源层360，并且有源层360可以不具有方向性地发射特定波长范围的光。即，不仅可以在发光元件300中的每一个的两端的方向上从有源层360发射光，而且还可以在发光元件300中的每一个的侧面的方向上发射光。发光区域EMA可以包括设置有发光元件300的区域，并且还可以包括与设置有发光元件300的区域相邻的邻近区域，并且邻近区域发射由发光元件300发射的光。然而，本公开不限于此。可替代地，发光区域EMA甚至可以包括发射从发光元件300发射的并且随后被其它元件反射或折射的光的区域。发光元件300可以设置在像素PX中并且可以形成发光区域EMA，发光区域EMA包括其中设置有发光元件300的区域以及与其中设置有发光元件300的区域相邻的邻近区域。
尽管未具体示出，但是像素PX可以包括非发光区域，非发光区域限定为除了发光区域EMA之外的区域。非发光区域可以限定为其中没有设置发光元件300并且由于从发光元件300发射的光不到达而不发射光的区域。像素PX的非发光区域可以包括其中设置有开关或驱动元件的晶体管区域TRA(即，第一像素PX1的第一晶体管区域TRA1、第二像素PX2的第二晶体管区域TRA2和第三像素PX3的第三晶体管区域TRA3)。
像素PX中的每一个(例如，第一像素PX1)可以包括多个电极AE1a和CE1、发光元件300、多个堤BANK1、BANK2和BANK3以及一个或多个绝缘层NCL1、NCL2、550和NCL3。
电极AE1a和CE1可以电连接至发光元件300并且可以接收预定的电压以允许发光元件300发射特定波长范围的光。电极AE1a和CE1中的至少一些可以用于在像素PX中的每一个中产生电场以对准发光元件300。
电极AE1a和CE1可以包括第一电极AE1a和第二电极CE1。第一电极AE1a可以是针对每个像素PX分开的像素电极，并且第二电极CE1可以是针对所有像素PX共同形成的公共电极。第一电极AE1a和第二电极CE1中的一个可以与发光元件300的阳极电极对应，并且另一电极可以与发光元件300的阴极电极对应。然而，本公开不限于此。可替代地，第一电极AE1a和第二电极CE1中的一个可以与发光元件300的阴极电极对应，并且另一电极可以与发光元件300的阳极电极对应。
电极AE1a和CE1可以包括在第一方向DR1上延伸的电极茎部分AE11a和CE11，以及在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸并从电极茎部分AE11a和CE11分支的电极分支部分AE12a和CE12。
第一电极AE1a可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电极茎部分AE11a，以及从第一电极茎部分AE11a分支并在第二方向DR2上延伸的一个或多个第一电极分支部分AE12a。
第一电极茎部分AE11a可以与第一像素PX1的侧面间隔开，并且可以定位成与属于与第一像素PX1相同的行(或者在第一方向DR1上与第一像素PX1相邻)的第二像素PX2和第三像素PX3的第一电极茎部分AE11a基本上对准。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第一电极茎部分AE11a可以彼此间隔开，并且因此可以将彼此不同的电信号施加至其第一电极分支部分AE12a的相应组，并且因此，可以单独地驱动第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第一电极分支部分AE12a的组。
第一电极分支部分AE12a可以从第一电极茎部分AE11a的至少一部分分支，并且可以在第二方向DR2上延伸以与面对第一电极茎部分AE11a的第二电极茎部分CE11间隔开。
第二电极CE1可以包括第二电极茎部分CE11和至少一个第二电极分支部分CE12，第二电极茎部分CE11在第一方向DR1上延伸以与第一电极茎部分AE11a间隔开并面对第一电极茎部分AE11a，第二电极分支部分CE12从第二电极茎部分CE11分支并在第二方向DR2上延伸。第一像素PX1中的第二电极茎部分CE11的一部分可以连接至在第一方向DR1上与第一像素PX1相邻的第二像素PX2和第三像素PX3中的第二电极茎部分CE11的部分。即，与第一电极茎部分AE11a不同，第二电极茎部分CE11可以在第一方向DR1上延伸，不仅跨过第一像素PX1，还跨过第二像素PX2和第三像素PX3。第二电极茎部分CE11可以连接至第二电极CE1的设置在显示区域DA的外侧上的或者在非显示区域NA中在一个方向上延伸的部分。
第二电极分支部分CE12可以与第一电极分支部分AE12a间隔开，并面对第一电极分支部分AE12a，并且可以与第一电极茎部分AE11a间隔开。第二电极分支部分CE12可以连接至第二电极茎部分CE11，并且第二电极分支部分CE12的一端可以在第一像素PX1内设置成与第一电极茎部分AE11a间隔开。
图22和图23示出了第一像素PX1中设置有两个第一电极分支部分AE12a并且两个第一电极分支部分AE12a之间设置有一个第二电极分支部分CE12，但是第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12的数量不受特别限制。此外，第一电极AE1a和第二电极CE1可以不必在一个方向上延伸，而是可以形成为各种其它形状。例如，第一电极AE1a和第二电极CE1可以是部分曲形的或弯曲的，并且第一电极AE1a和第二电极CE1中的一个可以布置成围绕另一个电极。第一电极AE1a和第二电极CE1的结构和形状不受特别限制，只要它们可以至少部分地彼此间隔开并且彼此面对以在它们之间形成用于布置发光元件300的空间即可。
第一电极AE1a和第二电极CE1可以经由接触孔(例如，第一电极接触孔CNTD和第二电极接触孔CNTS)电连接至第一像素PX1的第一晶体管区域TRA1中的开关元件或驱动元件。第一电极接触孔CNTD被示出为形成在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第一电极茎部分AE11a中的每一个中，并且第二电极接触孔CNTS被示出为形成在跨过第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3延伸的第二电极茎部分CE11中。然而，本公开不限于此。可替代地，第二电极接触孔CNTS也可以形成在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个中。
堤BANK1、BANK2和BANK3可以包括设置在像素PX之间的外堤BANK3，以及在电极AE1a和CE1下方设置成与像素PX中的每一个的中央相邻的内堤BANK1和BANK2。尽管未在图23中具体示出，但是第一内堤BANK1和第二内堤BANK2可以分别设置在如图22中所示的第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12下方。
外堤BANK3可以设置在像素PX之间。像素PX的第一电极茎部分AE11a可以通过外堤BANK3彼此间隔开。外堤BANK3可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置在沿第一方向DR1布置的像素PX之间。然而，本公开不限于此。可替代地，外堤BANK3可以在第一方向DR1上延伸并且可以设置在沿第二方向DR2布置的像素PX之间。外堤BANK3可以包括与内堤BANK1和BANK2相同的材料，并且外堤BANK3与内堤BANK1和BANK2可以通过单个工艺同时形成。
发光元件300可以设置在第一电极AE1a和第二电极CE1之间。发光元件300可以设置在第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12之间。发光元件300中的至少一些的第一端可以电连接至第一电极AE1a，并且发光元件300中的至少一些的第二端可以电连接至第二电极CE1。发光元件300的第一端和第二端二者可以设置在第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12上，但本公开不限于此。可替代地，发光元件300的第一端和第二端可以设置在第一电极AE1a和第二电极CE1之间，而不与第一电极AE1a和第二电极CE1重叠。
发光元件300可以彼此间隔开，并且可以布置在电极AE1a和CE1之间以基本上彼此平行。发光元件300之间的距离不受特别限制。发光元件300中的一些可以密集地组在一起，并且发光元件300中的一些可以不太密集地组在一起。在这种情况下，发光元件300可以采用不均匀的密度在一个方向上对准和布置。发光元件300可以在一个方向上延伸，并且发光元件300延伸的方向可以与第一电极AE1a和第二电极CE1(特别是第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12)延伸的方向基本上形成直角，但本公开不限于此。可替代地，发光元件300可以相对于第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12延伸的方向倾斜地布置。
发光元件300可以包括具有不同材料的有源层360，并且因此可以发射不同波长的光。图22的显示设备可以包括发射不同波长范围的光的发光元件300。图22的显示设备可以包括设置在第一像素PX1中的第一发光元件301、设置在第二像素PX2中的第二发光元件302以及设置在第三像素PX3中的第三发光元件303。
第一发光元件301和第二发光元件302可以具有与图3的有机发光元件ED1和ED2相同的结构。第一发光元件301可以包括发射具有第一中央波长范围的第一光(例如，图3中的红光L2)的有源层360，并且第二发光元件302可以包括发射具有第二中央波长范围的第二光(例如，图3中的绿光L3)的有源层360。因此，可以从第一像素PX1发射红光(例如，图3中的“L2”)，并且可以从第二像素PX2发射绿光(例如，图3中的“L3”)。第三发光元件303可以包括发射具有第三中央波长范围的第三光(例如，图3中的蓝光L1)的有源层360。因此，可以从第三发光元件303发射蓝光(例如，图3中的“L1”)。在一些实施方式中，图22的显示设备可以包括发光元件300的组(即，第一发光元件301、第二发光元件302和第三发光元件303)，并且第一发光元件301的有源层360、第二发光元件302的有源层360以及第三发光元件303的有源层360可以发射不同颜色的光。
图22的显示设备可以包括至少部分地覆盖第一电极AE1a和第二电极CE1的第一绝缘层NCL1。
第一绝缘层NCL1可以设置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个中。第一绝缘层NCL1可以设置成基本上覆盖第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的整个表面，并且可以跨过第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3延伸。第一绝缘层NCL1可以设置成至少部分地覆盖第一电极AE1a和第二电极CE1。尽管未在图22中具体示出，但是第一绝缘层NCL1可以设置成暴露第一电极AE1a和第二电极CE1的部分，特别是第一电极分支部分AE12a的部分和第二电极分支部分CE12的部分。
图22的显示设备还可以包括设置在电极AE1a和CE1之间的电路元件层(未示出)、第二绝缘层NCL2以及钝化层550，其中第二绝缘层NCL2设置成至少部分地覆盖电极AE1a和CE1以及发光元件300。
图22的显示设备的显示面板还可以包括设置在发光元件300下方的波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2。波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2可以设置在像素PX中。具体地，第一波长转换图案130_2可以设置在第一像素PX1中，第二波长转换图案140_2可以设置在第二像素PX2中，并且光透射图案150_2可以设置在第三像素PX3中。
波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2可以设置在像素PX的发光区域EMA中，但不设置在像素PX的非发光区域中。具体地，波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2可以不设置在像素PX的非发光区域的晶体管区域TRA中。
波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2与图3的它们相应的对应物几乎相同，并且因此，将省略其进一步的详细描述。
如图23中所示，图22的显示设备可以包括基础衬底110(即，以上描述的“第一基础衬底110”)、缓冲层Buf、遮光层BML和晶体管，并且还可以包括设置在晶体管上方的电极AE1a和CE1、发光元件300以及绝缘层NCL1、NCL2、550和NCL3。
遮光层BML可以设置在基础衬底110上。遮光层BML可以电连接至晶体管的漏电极DE或第一掺杂区DR。
遮光层BML设置成与晶体管的有源材料层ACT重叠。遮光层BML可以包括阻挡光的透射并且因此可以阻止光透射至有源材料层ACT上的材料。例如，遮光层BML可以由阻挡光的透射的不透明金属材料形成，但本公开不限于此。可以不设置遮光层BML。
缓冲层Buf可以设置在遮光层BML和基础衬底110上。缓冲层Buf可以覆盖遮光层BML并且可以设置成覆盖基础衬底110的整个表面。缓冲层Buf可以防止杂质离子的扩散以及湿气和外部空气的渗透，并且可以执行表面平坦化功能。
缓冲层Buf上设置有半导体层。半导体层可以包括有源材料层ACT和辅助层SACT。半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体。
有源材料层ACT可以包括第一掺杂区DR、第二掺杂区SR和沟道区AR。沟道区AR可以设置在第一掺杂区DR和第二掺杂区SR之间。有源材料层ACT可以包括多晶硅，多晶硅可以通过使非晶硅晶化来形成。例如，多晶硅可以通过快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MILC)或顺序横向固化(SLS)形成，但本公开不限于此。
半导体层上设置有第一栅极绝缘膜GL。第一栅极绝缘膜GL可以覆盖半导体层，并且可以设置成覆盖缓冲层Buf的整个表面。第一栅极绝缘膜GL可以用作晶体管的栅极绝缘膜。
第一栅极绝缘膜GL上设置有第一导电层。第一栅极绝缘膜GL上的第一导电层可以包括设置在晶体管的有源材料层ACT上的栅电极GE和设置在辅助层SACT上的电力供应布线ELVSSL。栅电极GE可以与有源材料层ACT的沟道区AR重叠。
第一导电层上设置有层间绝缘膜ILD。层间绝缘膜ILD可以包括有机绝缘材料，并且可以不仅执行层间绝缘膜的功能，还执行表面平坦化功能。
层间绝缘膜ILD上设置有第二导电层。第二导电层包括晶体管的漏电极DE和源电极SE以及设置在电力供应布线ELVSSL上的电力供应电极ELVSSE。
漏电极DE和源电极SE可以分别经由穿透层间绝缘膜ILD和第一栅极绝缘膜GL的接触孔与有源材料层ACT的第一掺杂区DR和第二掺杂区SR接触。漏电极DE可以经由另一接触孔电连接至遮光层BML。
第二导电层上设置有通孔层VIA。通孔层VIA可以包括有机绝缘材料并且可以执行表面平坦化功能。
堤BANK1、BANK2和BANK3、电极AE1a和CE1以及发光元件300可设置在通孔层VIA上。
堤BANK1、BANK2和BANK3可以包括设置在像素PX中以彼此间隔开的内堤BANK1和BANK2以及设置在像素PX之间的外堤BANK3。
在制造图22的显示设备期间，外堤BANK3可以防止由喷墨印刷设备喷射到像素PX中的每一个中以形成发光元件300的墨水溢出到相邻的像素PX上，但本公开不限于此。
内堤BANK1和BANK2可以包括设置为与第一像素PX1的中央相邻的第一内堤BANK1和第二内堤BANK2。
第一内堤BANK1和第二内堤BANK2设置成彼此间隔开且彼此面对。第一电极AE1a可以设置在第一内堤BANK1上，并且第二电极CE1可以设置在第二内堤BANK2上。可以理解，第一电极分支部分AE12a设置在第一内堤BANK1上，并且第二电极分支部分CE12设置在第二内堤BANK2上。
第一内堤BANK1和第二内堤BANK2可以在第一像素PX1中设置成在第二方向DR2上延伸。尽管未具体示出，但是第一内堤BANK1和第二内堤BANK2可以在第二方向DR2上朝在第二方向DR2上与第一像素PX1相邻的像素PX延伸，但本发明不限于此。内堤BANK1和BANK2可以设置在像素PX中的每一个中，以在图22的显示设备的正面处形成图案。堤BANK1、BANK2和BANK3可以包括聚酰亚胺(PI)，但本公开不限于此。
第一内堤BANK1和第二内堤BANK2可以相对于通孔层VIA至少部分地突出。第一内堤BANK1和第二内堤BANK2可以相对于设置有发光元件300的平面向上突出，并且第一内堤BANK1和第二内堤BANK2的突出的部分可以至少部分地倾斜。第一内堤BANK1和第二内堤BANK2突出的形状不受特别限制。
电极AE1a和CE1可以设置在通孔层VIA以及内堤BANK1和BANK2上。如上所述，电极AE1a和CE1包括电极茎部分AE11a和CE11以及电极分支部分AE12a和CE12。图22的Xa-Xa’是跨过第一电极茎部分AE11a延伸的线，图22的Xb-Xb’是跨过第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12之一延伸的线，并且图22的Xc-Xc’是跨过第二电极茎部分CE11延伸的线。即，可以理解，图23的“Xa-Xa”区段中所示的第一电极AE1a的部分是第一电极茎部分AE11a，并且图23的“Xb-Xb”区段中所示的第一电极AE1a和第二电极CE1的部分分别是第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12，并且图23的“Xc-Xc”区段中所示的第二电极CE1的部分是第二电极茎部分CE11。电极茎部分AE11a和CE11以及电极分支部分AE12a和CE12可以形成第一电极AE1a和第二电极CE1。
第一电极AE1a和第二电极CE1可以部分地设置在通孔层VIA上以及部分地设置在第一内堤BANK1和第二内堤BANK2上。如上所述，第一电极AE1a的第一电极茎部分AE11a和第二电极CE1的第二电极茎部分CE11可以在第一方向DR1上延伸，并且第一内堤BANK1和第二内堤BANK2可以在第二方向DR2上跨过像素PX延伸。尽管未具体示出，但是第一电极AE1a和第二电极CE1的在第一方向DR1上延伸的第一电极茎部分AE11a和第二电极茎部分CE11可以与第一内堤BANK1和第二内堤BANK2部分地重叠，但本公开不限于此。可替代地，第一电极茎部分AE11a和第二电极茎部分CE11可以不与第一内堤BANK1和第二内堤BANK2重叠。
第一电极AE1a的第一电极茎部分AE11a中可以形成第一电极接触孔CNTD以穿透通孔层VIA，并且因此暴露晶体管的漏电极DE的一部分。第一电极AE1a可以经由第一电极接触孔CNTD与漏电极DE接触。第一电极AE1a可以电连接至漏电极DE，并且因此可以接收电信号。
第二电极CE1的第二电极茎部分CE11可以在一个方向上延伸，并且甚至可以设置在没有设置发光元件300的非发光区域中。第二电极茎部分CE11中可以形成第二电极接触孔CNTS以穿透通孔层VIA，并且因此暴露电力供应电极ELVSSE的一部分。第二电极CE1可以经由第二电极接触孔CNTS与电力供应电极ELVSSE接触。第二电极CE1可以电连接至电力供应电极ELVSSE，并且因此可以从电力供应电极ELVSSE接收电信号。
第一电极AE1a和第二电极CE1的部分(例如，第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12)可以设置在第一内堤BANK1和第二内堤BANK2上。第一电极AE1a的第一电极分支部分AE12a可以设置成覆盖第一内堤BANK1，并且第二电极CE1的第二电极分支部分CE12可以设置成覆盖第二内堤BANK2。由于第一内堤BANK1和第二内堤BANK2在第一像素PX1的中央处彼此间隔开，因此第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12也可以彼此间隔开。发光元件300可以设置在第一电极AE1a和第二电极CE1之间的区域中，即，第一电极分支部分AE12a与第二电极分支部分CE12面对的区域中。
电极AE1a和CE1可以包括透明导电材料。例如，电极AE1a和CE1可以包括诸如ITO、IZO或ITZO的材料，但本公开不限于此。在一些实施方式中，电极AE1a和CE1可以由高反射性导电材料形成。例如，电极AE1a和CE1可以包括诸如Ag、铜(Cu)或Al的高反射性金属。在本示例中，入射到电极AE1a和CE1上的光可以被反射以向上发射。
电极AE1a和CE1可以形成为透明导电材料和高反射性金属的层的堆叠，或者可以形成为包括透明导电材料和高反射性金属的单层膜。电极AE1a和CE1中的每一个可以具有ITO/Ag/ITO/IZO的堆叠或者可以包括含有Al、镍(Ni)或镧(La)的合金，但本公开不限于此。
第一绝缘层NCL1设置在通孔层VIA以及第一电极AE1a和第二电极CE1上。第一绝缘层NCL1设置成部分地覆盖第一电极AE1a和第二电极CE1。第一绝缘层NCL1可以设置成覆盖第一电极AE1a和第二电极CE1的顶表面的大部分，但是可以部分地暴露第一电极AE1a和第二电极CE1。第一绝缘层NCL1可以设置成暴露第一电极AE1a和第二电极CE1的顶表面的部分，例如，第一电极分支部分AE12a的设置在第一内堤BANK1上的顶表面的部分以及第二电极分支部分CE12的设置在第二内堤BANK2上的顶表面的部分。即，第一绝缘层NCL1可以形成在通孔层VIA的整个表面上，并且可以包括部分地暴露第一电极AE1a和第二电极CE1的开口。第一绝缘层NCL1的开口可以设置成暴露第一电极AE1a和第二电极CE1的顶表面的相对平坦的部分。
第一绝缘层NCL1可以形成为在第一电极AE1a和第二电极CE1之间在其顶部处凹陷。在一些实施方式中，第一绝缘层NCL1可以包括无机绝缘材料，并且第一绝缘层NCL1的顶表面的覆盖第一电极AE1a和第二电极CE1的部分可以由于设置在第一绝缘层NCL1下方的元件之间的高度差而凹陷。在第一电极AE1a和第二电极CE1之间，设置在第一绝缘层NCL1上的发光元件300可以在第一绝缘层NCL1的顶表面的凹陷部分上形成空的空间。发光元件300可以设置成与第一绝缘层NCL1的顶表面部分地间隔开，并且第二绝缘层NCL2的材料可以填充第一绝缘层NCL1和发光元件300之间的空的空间。
可替代地，第一绝缘层NCL1可以形成其上用于布置发光元件300的平坦的顶表面。第一绝缘层NCL1的平坦的顶表面可以在一个方向上朝第一电极AE1a和第二电极CE1延伸，并且可以在第一电极AE1a和第二电极CE1的倾斜的侧面上终止。即，第一绝缘层NCL1可以设置在第一电极AE1a和第二电极CE1与第一内堤BANK1和第二内堤BANK2的倾斜的侧面的重叠区域中。接触电极OE1和OE2可以与第一电极AE1a和第二电极CE1的暴露部分接触，并且还可以与位于第一绝缘层NCL1的平坦的顶表面上方的发光元件300的端部接触。
第一绝缘层NCL1可以保护第一电极AE1a和第二电极CE1，并且可以使第一电极AE1a和第二电极CE1彼此绝缘。此外，第一绝缘层NCL1可以防止设置在第一绝缘层NCL1上的发光元件300与其它元件接触并被其它元件损坏。第一绝缘层NCL1的形状和结构不受特别限制。
发光元件300可以在电极AE1a和CE1之间设置在第一绝缘层NCL1上。例如，至少一个发光元件300可以在电极分支部分AE12a和CE12之间设置在第一绝缘层NCL1的一部分上，但本公开不限于此。可替代地，发光元件300中的至少一些可以设置在除了电极分支部分AE12a和CE12之间的区域之外的区域中。此外，发光元件300可以设置在电极AE1a和CE1的重叠区域中。发光元件300可以设置在彼此面对的电极分支部分AE12a和CE12的侧面上，并且可以经由接触电极OE1和OE2电连接至电极AE1a和CE1。
如上所述，可以在像素PX中的每一个中设置发射相同波长的光的有源层360，并且可以在像素PX中的每一个中设置发射不同波长的光(即，第一光、第二光和第三光)的发光元件300。图23仅示出了其中设置有第一发光元件301的第一像素PX1，但是包括第一发光元件301的第一像素PX1的结构也可以直接应用于第二像素PX2和第三像素PX3。
在发光元件300中的每一个中，可以在平行于通孔层VIA的方向上设置多个层。发光元件300中的每一个可以包括第一半导体层310、第二半导体层320和有源层360，第一半导体层310、有源层360和第二半导体层320可以在平行于通孔层VIA的方向上顺序地布置，但本公开不限于此。发光元件300中的每一个的多个层的布置顺序不受特别限制，并且可替代地，发光元件300中的每一个的多个层可以布置在垂直于通孔层VIA的方向上。
另外，发光元件300中的每一个还可以包括第一电极层371和第二电极层372。第一电极层371可以与第二接触电极OE2接触，并且第二电极层372可以与第一接触电极OE1接触。第一接触电极OE1可以与第二电极层372接触，并且与绝缘膜380的第一表面380S和绝缘膜380的与第二电极层372相邻的第二表面380C1接触，并且第二接触电极OE2可以与第一电极层371接触，并且与绝缘膜380的第一表面380S和与第一电极层371相邻的第三表面380C2接触。然而，本公开不限于此。可替代地，图22的显示设备可以包括发光元件300，发光元件300各自具有分别与第一接触电极OE1和第二接触电极OE2接触的第二电极层372和第一电极层371。发光元件300可以在一个方向上延伸，并且第一半导体层310的长度可以大于第二半导体层320的长度。第一电极层371可以比第二电极层372更远离有源层360。
第二绝缘层NCL2可以设置在发光元件300的部分上。第二绝缘层NCL2可以设置成围绕发光元件300的外表面的部分。第二绝缘层NCL2可以在图22的显示设备的制造期间保护发光元件300并且可以固定发光元件300。第二绝缘层NCL2也可以部分地设置在发光元件300的下表面和第一绝缘层NCL1之间。如上所述，第二绝缘层NCL2可以形成为填充第一绝缘层NCL1和发光元件300之间的空间。因此，第二绝缘层NCL2可形成为围绕发光元件300的外表面，但本公开不限于此。
在平面图中，第二绝缘层NCL2可以设置成在第一电极分支部分AE12a和第二电极分支部分CE12之间在第二方向DR2上延伸。例如，在平面图中，第二绝缘层NCL2可以在通孔层VIA上具有岛或线型形状。
接触电极OE1和OE2设置在电极AE1a和CE1以及第二绝缘层NCL2上。第一接触电极OE1和第二接触电极OE2可以在第二绝缘层NCL2上设置成彼此间隔开。第二绝缘层NCL2可以使第一接触电极OE1和第二接触电极OE2彼此绝缘，使得可防止第一接触电极OE1和第二接触电极OE2彼此直接接触。
尽管未具体示出，但是接触电极OE1和OE2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。接触电极OE1和OE2可以与发光元件300的至少第一端接触，并且可以电连接至第一电极AE1a或第二电极CE1以接收电信号。接触电极OE1和OE2可以包括第一接触电极OE1和第二接触电极OE2。第一接触电极OE1可以设置在第一电极分支部分AE12a上并且可以与发光元件300的第一端接触，并且第二接触电极OE2可以设置在第二电极分支部分CE12上并且可以与发光元件300的第二端接触。
第一接触电极OE1可以与第一电极AE1a的在第一内堤BANK1上的一些暴露部分接触，并且第二接触电极OE2可以与第二电极CE1的在第二内堤BANK2上的一些暴露部分接触。接触电极OE1和OE2可以将从电极AE1a和CE1接收的电信号传输至发光元件300。
接触电极OE1和OE2可以包括导电材料。例如，接触电极OE1和OE2可以包括ITO、IZO、ITZO或Al，但本公开不限于此。
钝化层550可以设置在第一接触电极OE1、第二接触电极OE2和第二绝缘层NCL2上。钝化层550可以保护设置在通孔层VIA上的元件免受外部环境的影响。
第二绝缘层NCL2和钝化层550可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第二绝缘层NCL2和钝化层550可以包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)的无机绝缘材料，但本公开不限于此。在另一示例中，第二绝缘层NCL2和钝化层550可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、BCB、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料，但本公开不限于此。
图22的显示设备还可以包括除了以上描述的的绝缘层NCL1、NCL2和550之外的绝缘层。显示设备还可以包括设置成保护第一接触电极OE1和第二接触电极OE2的第三绝缘层NCL3。
第三绝缘层NCL3可以在第一像素PX1的发光区域EMA中设置在第一接触电极OE1和第二接触电极OE2上。第三绝缘层NCL3可以包括第一绝缘层NCL1的上述示例性材料中的至少一种。第三绝缘层NCL3可以在第一像素PX1的发光区域EMA中设置在第一接触电极OE1和第二接触电极OE2上，并且因此可以使第一接触电极OE1和第二接触电极OE2与导电图案RE绝缘。另外，第三绝缘层NCL3可以防止第一接触电极OE1和第二接触电极OE2被导电图案RE电连接(即，被短路)。
第三绝缘层NCL3可以设置在发光区域EMA中，但不设置在非发光区域中。可替代地，在一些实施方式中，第三绝缘层NCL3也可以设置在非发光区域中。
图22的显示设备的显示面板还可以包括波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2。波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2可以设置在层间绝缘层ILD和通孔层VIA之间。
波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2可以设置在发光区域EMA中，但不设置在非发光区域中。
如上所述，在图22的显示设备的底发射型显示面板中，从发光元件300向上发射的光中的至少一些可以被导电图案RE或反射性电极反射以向下行进。此外，从发光元件300向下发射的光和由反射性电极反射以向下行进的光均可以进入波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2。
如以上参照图3已经提到的，第一波长转换图案130_2和第二波长转换图案140_2可以对提供至其的光进行波长转换和/或散射，并且因此可以向下发射光，并且光透射图案150_2可以散射提供至其的光，并且因此可以向下发射光。
尽管未具体示出，但是滤色器还可以设置在波长转换/光透射图案130_2、140_2和150_2下方。滤色器可以包括设置在第一像素PX1中的红色滤色器、设置在第二像素PX2中的绿色滤色器以及设置在第三像素PX3中的蓝色滤色器。以上已参照图3描述了滤色器，并且因此，将省略其进一步的详细描述。
虽然以上描述了实施方式，但这些实施方式不旨在描述本公开的发明构思的所有可能形式。准确地说，在说明书中使用的语言是描述性的语言而不是限制性的，并且应当理解，在不背离本公开的发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变。另外，各种实现实施方式的特征可以组合以形成本公开的进一步实施方式。

Claims (22)

1.显示设备，包括：
第一基础衬底，所述第一基础衬底上限定有发光区域和围绕所述发光区域的非发光区域；
波长转换图案，在所述发光区域中设置在所述第一基础衬底上；以及
发光元件层，设置在所述波长转换图案上，
其中，所述发光元件层包括像素电极、有机发光层和公共电极，所述像素电极包括设置在所述波长转换图案与所述第一基础衬底之间的第一导电图案以及设置在所述第一导电图案上的第二导电图案，且所述波长转换图案插置在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间，所述有机发光层设置在所述第二导电图案上，所述公共电极设置在所述有机发光层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电图案包括设置在所述波长转换图案与所述第一基础衬底之间的第一导电膜以及设置在所述第一导电膜与所述波长转换图案之间的第二导电膜。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述第一导电膜包括氧化物导电材料，
所述第二导电膜包括金属，以及
所述第二导电图案包括氧化物导电材料。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二导电图案覆盖所述波长转换图案的侧面并且与所述第二导电膜接触。
5.根据权利要求4所述的显示设备，还包括：
像素限定膜，在所述非发光区域中设置在所述第一基础衬底上，
其中，所述像素限定膜与所述第二导电图案的侧面接触。
6.根据权利要求2所述的显示设备，还包括：
无机盖层，覆盖所述波长转换图案的侧面，并且与所述波长转换图案的侧面接触，
其中，所述第二导电图案设置在所述无机盖层的至少顶表面上。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第二导电图案还设置在所述无机盖层的侧面上。
8.根据权利要求2所述的显示设备，还包括：
阻挡壁，设置在所述波长转换图案的侧面上和所述第二导电膜上；以及
第三导电图案，设置在所述阻挡壁的侧面和所述波长转换图案的侧面之间。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第三导电图案覆盖所述阻挡壁的所述侧面和顶表面。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述波长转换图案包括波长转换颗粒和散射颗粒，所述波长转换颗粒配置成转换从所述发光元件层发射的光的波长。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机发光层包括两个或更多个有机层。
12.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
薄膜封装层，与所述像素电极间隔开，且所述公共电极插置在所述薄膜封装层与所述像素电极之间；以及
滤色器，与所述公共电极间隔开，且所述薄膜封装层插置在所述滤色器与所述公共电极之间。
13.根据权利要求12所述的显示设备，还包括：
第二基础衬底，设置在所述滤色器上；以及
填充构件，设置在所述滤色器和所述薄膜封装层之间。
14.显示设备，包括：
基础衬底，所述基础衬底上限定有发光区域和围绕所述发光区域的非发光区域；
波长转换图案，在所述发光区域中设置在所述基础衬底上；以及
发光元件层，设置在所述波长转换图案和所述基础衬底之间，
其中，所述发光元件层包括设置在所述波长转换图案和所述基础衬底之间的像素电极、设置在所述波长转换图案和所述像素电极之间的有机发光层以及设置在所述有机发光层和所述波长转换图案之间的公共电极。
15.根据权利要求14所述的显示设备，还包括：
无机盖层，设置在所述公共电极和所述波长转换图案之间。
16.根据权利要求15所述的显示设备，还包括：
第一无机封装膜，设置在所述无机盖层和所述波长转换图案之间；
第二无机封装膜，设置在所述波长转换图案上；
有机封装膜，设置在所述第二无机封装膜上；以及
第三无机封装膜，设置在所述有机封装膜上。
17.制造显示设备的方法，包括：
准备基础衬底，并在所述基础衬底上形成第一导电图案；
在所述第一导电图案上形成波长转换图案；
在所述波长转换图案上形成第二导电图案；
在所述第二导电图案上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成公共电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述形成所述第一导电图案包括在所述基础衬底上形成第一导电膜以及在所述第一导电膜上形成第二导电膜。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，
所述第一导电膜包括氧化物导电材料，
所述第二导电膜包括金属，以及
所述第二导电图案包括氧化物导电材料。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述形成所述第二导电图案包括将所述第二导电图案形成为覆盖所述波长转换图案的侧面并且与所述第二导电膜接触。
21.根据权利要求18所述的方法，在所述形成所述波长转换图案与所述形成所述第二导电图案之间，还包括：
形成无机盖层，所述无机盖层覆盖所述波长转换图案的侧面并且与所述波长转换图案直接接触，
其中，所述形成所述第二导电图案包括在所述无机盖层上形成所述第二导电图案。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述形成所述第二导电图案还包括将所述第二导电图案形成为在所述无机盖层的侧面上延伸。
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