KR20220087611A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20220087611A
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김용탁
박응석
윤희욱
조윤형
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Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 발광 소자층, 발광 소자층 상에 배치되며, 상면이 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되며, 요입부를 포함하는 제1 박막 봉지층, 제1 박막 봉지층 상에 배치되며, 요입부와 중첩하는 개구부를 포함하는 뱅크층, 제1 박막 봉지층 상에서 개구부 내에 배치되며, 적어도 일부가 요입부 내에 배치되는 파장 변환층, 뱅크층 및 파장 변환층 상에 배치되는 제1 무기층, 제1 무기층 상에 배치되는 유기층, 및 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다. 이와 같은 표시 장치들은 다양한 모바일 전자 기기, 예를 들어 스마트폰, 스마트워치, 태블릿 PC 등의 포터블 전자 기기 등을 중심으로 그 적용예가 다양화되고 있다.
표시 장치는 다양한 색을 표현하기 위하여 소정의 색을 포함하는 안료 입자 또는 소정의 색을 발광하는 발광체를 포함하는 파장 변환 부재를 포함할 수 있다. 발광 소자층으로부터 제공되는 광은 파장 변환 부재를 경유하여 외부로 방출될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 소자와 파장 변환 부재 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 박막 봉지층을 통해 상기 발광 소자를 봉지하여 발광 소자로부터 파장 변환 부재로 진입하는 빛의 광학 효율이 향상된 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 파장 변환 부재의 상면에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 무기막을 통해 파장 변환 부재로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 따라서, 파장 변환 부재로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 다양한 각도에서 화상을 시인할 수 있는 즉, 시야각이 증가된 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 발광 소자층; 상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상면이 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되며, 요입부를 포함하는 제1 박막 봉지층; 상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며, 상기 요입부와 중첩하는 개구부를 포함하는 뱅크층; 상기 제1 박막 봉지층 상에서 상기 개구부 내에 배치되며, 적어도 일부가 상기 요입부 내에 배치되는 파장 변환층; 상기 뱅크층 및 상기 파장 변환층 상에 배치되는 제1 무기층; 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함한다.
상기 제1 박막 봉지층의 두께는 영역별로 균일할 수 있다.
상기 파장 변환층의 하면은 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다.
상기 기판은 복수의 화소가 배치되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하되, 상기 비표시 영역에서 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은 상호 접촉할 수 있다.
상기 비표시 영역에서 상기 제1 박막 봉지층 및 상기 제1 무기층은 상호 접촉할 수 있다.
상기 기판은 복수의 화소를 포함하되, 상기 각 화소의 경계를 따라 배치되며, 상기 뱅크층과 부분적으로 중첩하는 화소 정의막을 더 포함하며, 상기 제1 박막 봉지층은 상기 화소 정의막 및 상기 뱅크층 사이에 배치될 수 있다.
상기 개구부의 폭은 상측으로 갈수록 좁아질 수 있다.
상기 뱅크층은 역테이퍼 구조의 격벽을 포함할 수 있다.
상기 파장 변환층은 오목한 상면을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기층의 굴절률은 상기 파장 변환층의 굴절률보다 작을 수 있다.
상기 개구부 및 상기 요입부는 공간적으로 연결될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 기판; 상기 각 화소의 경계를 따라 배치되는 화소 정의막; 상기 기판 상에서 화소 정의막을 덮으며 배치되는 발광 소자층; 상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상기 화소 정의막과 비중첩하는 요입부를 포함하는 제1 박막 봉지층; 상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며, 적어도 일부가 상기 요입부 내에 배치되는 파장 변환층; 상기 파장 변환층 상에 배치되는 제1 무기층; 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함한다.
상기 제1 박막 봉지층의 상면은 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다.
상기 제1 박막 봉지층의 두께는 영역별로 균일할 수 있다.
상기 파장 변환층의 하면은 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다.
상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며, 상기 요입부와 부분적으로 중첩하며 공간적으로 연결되는 개구부를 포함하는 뱅크층을 더 포함하되, 상기 파장 변환층의 적어도 일부는 상기 개구부 내에 배치될 수 있다.
상기 개구부의 폭은 상측으로 갈수록 좁아질 수 있다.
상기 뱅크층은 역테이퍼 구조의 격벽을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계; 상기 발광 소자층 상에 상면이 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되며, 요입부를 포함하는 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계; 상기 제1 박막 봉지층 상에 개구부를 포함하는 뱅크층을 형성하는 단계; 상기 요입부 및 개구부에 파장 변환층을 잉크젯 프린팅하는 단계; 상기 뱅크층 및 상기 파장 변환층 상에 제1 무기층을 형성하는 단계; 상기 제1 무기층 상에 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 유기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 개구부는 상기 요입부를 노출하며, 상기 뱅크층은 역테이퍼 구조의 격벽을 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 발광 소자와 파장 변환 부재 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 박막 봉지층을 통해 상기 발광 소자를 봉지하여 발광 소자로부터 파장 변환 부재로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 표시 장치는 파장 변환 부재의 상면에 배치되며 하측으로 오목한 형상을 갖는 무기막을 통해 파장 변환 부재로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공하여 표시 장치에서 제공되는 화상은 다양한 각도에서 시인될 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 4는 도 2의 Q 영역의 확대도이다.
도 5는 도 4의 P 영역의 확대도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 7 내지 도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 개략도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 18은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 21은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 표시 장치(1)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 표시 장치(1)에 포함될 수 있다.
표시 장치(1)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기 발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 장치(1)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1)는 가로가 긴 직사각형, 세로가 긴 직사각형, 정사각형, 코너부(꼭지점)가 둥근 사각형, 기타 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(1)의 표시 영역(DA)의 형상 또한 표시 장치(1)의 전반적인 형상과 유사할 수 있다. 도 1에서는 가로가 긴 직사각형 형상의 표시 장치(1) 및 표시 영역(DA)이 예시되어 있다.
표시 장치(1)는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 화면이 표시될 수 있는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화면이 표시되지 않는 영역이다. 표시 영역(DA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다. 표시 영역(DA)은 대체로 표시 장치(1)의 중앙을 차지할 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 일 방향에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 각 화소(PX)는 스트라이프 타입 또는 펜타일 타입으로 교대 배열될 수 있다.
표시 영역(DA)의 주변에는 비표시 영역(NDA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 전부 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DA)은 직사각형 형상이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 4변에 인접하도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 장치(1)의 베젤을 구성할 수 있다. 각 비표시 영역(NDA)들에는 표시 장치(1)에 포함되는 배선들 또는 회로 구동부들이 배치되거나, 외부 장치들이 실장될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 트렌치(TR)를 포함할 수 있다. 후술하겠지만, 트렌치(TR)는 제1 유기막(도 2의 '172' 참조) 형성 시 제1 유기막(172) 형성을 위한 유기 물질이 외측으로 흘러넘치는 것을 방지하고, 외부의 충격으로부터 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
트렌치(TR)는 비표시 영역(NDA)에서 표시 영역(DA)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 도 1에는 표시 영역(DA)을 둘러싸며 배치된 일체형 구조의 트렌치(TR)를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 트렌치(TR)는 고립된 복수의 홈이 일정 간격을 갖고 이격된 구조를 가질 수 있다.
트렌치(TR)는 제1 트렌치(TR1), 제1 트렌치(TR1)보다 외측에 배치되는 제2 트렌치(TR2) 및 제1 트렌치(TR1)의 내부에 배치되는 제3 트렌치(TR3)를 포함할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 장치(1)는 베이스 기판(101), 버퍼층(102), 반도체층(110), 게이트 절연막(141), 제1 도전층(120), 층간 절연막(142), 제2 도전층(130), 비아층(VIA), 화소 전극(151), 화소 정의막(PDL), 발광층(152), 공통 전극(153), 제1 박막 봉지층(160), 뱅크층(BL), 파장 변환층(WCL), 제2 박막 봉지층(170) 및 컬러 필터층(CFL)이 순차적으로 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 하나의 기판인 베이스 기판(101) 상에 상술한 각 층을 순차적으로 적층하여 제조할 수 있다.
상술한 각 층들은 단일막으로 이루어질 수 있지만, 복수의 막을 포함하는 적층막으로 이루어질 수도 있다. 각 층들 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있다.
베이스 기판(101)은 그 위에 배치되는 각 층들을 지지한다. 베이스 기판(101)은 예를 들어, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 이에 제한되지 않고, 베이스 기판(101)은 금속 재질의 물질을 포함할 수도 있다. 비표시 영역(NDA)에서, 베이스 기판(101)은 후술하는 제1 박막 봉지층(160), 제2 박막 봉지층(170) 및 댐(DM)보다 외측으로 연장될 수 있다.
베이스 기판(101)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있다. 플렉시블 기판을 이루는 물질의 예로 폴리이미드(polyimide, PI)를 들 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
버퍼층(102)은 베이스 기판(101) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(102)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. 버퍼층(102)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 버퍼층(102)은 베이스 기판(101)의 종류나 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(102) 상에는 반도체층(110)이 배치될 수 있다. 반도체층(110)은 반도체 패턴(111)을 포함할 수 있다. 반도체 패턴(111)은 후술하는 게이트 전극(121)과 두께 방향으로 중첩 배치된 채널 영역(미도시), 채널 영역(미도시)의 일측 및 타측에 각각 위치하는 제1 소스/드레인 영역(미도시)과 제2 소스/드레인 영역(미도시)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 소스/드레인 영역(미도시)에는 다수의 캐리어 이온이 포함되어 있어, 채널 영역(미도시)에 비해 도전성이 크고, 전기적인 저항이 낮을 수 있다.
반도체층(110)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 또는 비정질 실리콘(amorphous silicon) 등으로 이루어질 수 있다.
반도체층(110) 상에는 게이트 절연막(141)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(141)은 제1 및 제2 컨택홀(CNT1, CNT2)이 형성된 부분을 제외한 반도체 패턴(111)의 상면을 덮을 뿐만 아니라 반도체 패턴(111)의 측면까지도 덮을 수 있다. 게이트 절연막(141)은 대체로 베이스 기판(101)의 전면에 걸쳐 배치될 수 있다.
게이트 절연막(141)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(141)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연막(141) 상에는 제1 도전층(120)이 배치될 수 있다. 제1 도전층(120)은 게이트 도전층으로서, 게이트 전극(121)을 포함할 수 있다.
제1 도전층(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
제1 도전층(120) 상에는 층간 절연막(142)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(142)은 제1 및 제2 컨택홀(CNT1, CNT2)이 형성된 부분을 제외한 게이트 전극(121)의 상면을 덮을 뿐만 아니라 게이트 전극(121)의 측면까지도 덮을 수 있다. 층간 절연막(142)은 대체로 게이트 절연막(141)의 전면에 걸쳐 배치될 수 있다.
층간 절연막(142)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(142)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연막(142) 상에는 제2 도전층(130)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(130)은 데이터 도전층이며, 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(130)은 트랜지스터의 제1 소스/드레인 전극(131) 및 제2 소스/드레인 전극(132)을 포함할 수 있다.
제1 소스/드레인 전극(131)은 층간 절연막(142) 및 게이트 절연막(141)을 관통하여 반도체 패턴(111)의 제1 소스/드레인 영역(미도시)을 노출하는 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 반도체 패턴(111)의 제1 소스/드레인 영역(미도시)과 연결될 수 있다.
제2 소스/드레인 전극(132)은 층간 절연막(142) 및 게이트 절연막(141)을 관통하여 반도체 패턴(111)의 제2 소스/드레인 영역(미도시)을 노출하는 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 반도체 패턴(111)의 제2 소스/드레인 영역(미도시)과 연결될 수 있다.
제2 도전층(130)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
상술한 반도체 패턴(111), 게이트 전극(121), 제1 소스/드레인 전극(131) 및 제2 소스/드레인 전극(132)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성할 수 있다.
또한, 버퍼층(102), 반도체층(110), 게이트 절연막(141), 제1 도전층(120), 층간 절연막(142) 및 제2 도전층(130)은 회로층(CCL)을 구성할 수 있다. 이하, 버퍼층(102), 반도체층(110), 게이트 절연막(141), 제1 도전층(120), 층간 절연막(142) 및 제2 도전층(130)에 대하여 회로층(CCL)으로 간략히 표시하기로 한다. 비표시 영역(NDA)에서, 회로층(CCL)은 베이스 기판(101) 상에 배치되며, 후술하는 제1 박막 봉지층(160), 제2 박막 봉지층(170) 및 댐(DM)보다 외측으로 연장될 수 있다. 따라서, 회로층(CCL)은 부분적으로 노출되며, 도시되지 않았지만, 노출된 영역에는 외부로부터 신호가 인가되는 패드(미도시)가 배치될 수 있다.
제2 도전층(130) 상에는 비아층(VIA)이 배치될 수 있다. 비아층(VIA)은 제2 도전층(130) 상부에 배치되어 층간 절연막(142)의 상면을 완전히 덮을 수 있다. 비아층(VIA)이 유기막으로 이루어지는 경우, 하부의 단차에도 불구하고 그 상면은 부분적으로 평탄할 수 있다. 아울러, 비아층(VIA)은 대부분의 빛을 투과시킬 수 있다. 즉 비아층(VIA)은 투광성 평탄화층을 포함할 수 있다.
비아층(VIA)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
비아층(VIA) 상에는 화소 전극(151)이 배치될 수 있다. 화소 전극(151)은 애노드 전극일 수 있다. 화소 전극(151)은 각 화소(PX)마다 분리되어 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시 장치(1)의 표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 화소(PX)는 제1 색을 발광하는 제1 화소(PX1), 제2 색을 발광하는 제2 화소(PX2), 및 제3 색을 발광하는 제3 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 색은 적색이고, 제2 색은 녹색이고, 제3 색은 청색일 수 있다.
화소 전극(151)은 비아층(VIA)을 관통하여 제2 소스/드레인 전극(132)을 노출하는 제3 컨택홀(CNT3)을 통해 제2 소스/드레인 전극(132)과 연결될 수 있다. 화소 전극(151)은 제1 화소(PX1)에 배치되는 제1 화소 전극(151a), 제2 화소(PX2)에 배치되는 제2 화소 전극(151b) 및 제3 화소(PX3)에 배치되는 제3 화소 전극(151c)을 포함할 수 있다.
화소 전극(151)은 이에 제한되는 것은 아니지만 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pb), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 일함수가 높은층이 반사성 물질층보다 위층에 배치되어 발광층(152)에 가깝게 배치될 수 있다. 화소 전극(151)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화소 전극(151) 상에는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 각 화소(PX)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 화소 전극(151)을 부분적으로 노출할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 화소 전극(151) 및 비아층(VIA)을 부분적으로 덮을 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 비표시 영역(NDA)에 배치되며 비아층(VIA) 및 화소 정의막(PDL)을 관통하는 제1 트렌치(TR1) 및 제2 트렌치(TR2)를 포함할 수 있다. 제1 트렌치(TR1) 및 제2 트렌치(TR2)는 회로층(CCL)을 부분적으로 노출할 수 있다. 제2 트렌치(TR2)는 제1 트렌치(TR1)보다 외측에 위치할 수 있다. 제1 트렌치(TR1)의 내부폭은 제2 트렌치(TR2)의 내부폭보다 넓을 수 있다.
제1 트렌치(TR1)는 후술하는 제1 유기막(172) 형성 시, 제1 유기막(172) 형성에 필요한 유기 물질이 외부로 흘러넘치는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 제2 트렌치(TR2)는 외부의 충격에 의해 표시 장치(1)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제2 트렌치(TR2)의 내측 및 외측에 배치되는 비아층(VIA) 및 화소 정의막(PDL)의 일부는 크랙 방지 구조물일 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물, 폴리아크릴계 수지 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(PDL) 및 화소 전극(151) 상에는 발광층(152)이 배치될 수 있다. 발광층(152)은 화소(PX)의 구분없이 전면적으로 배치될 수 있다.
발광층(152)은 유기 물질층을 포함할 수 있다. 상기 유기 물질층은 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입/수송층 및 전자 주입/수송층을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 물질층은 화소 정의막(PDL)이 노출하는 화소 전극(151) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 유기 물질층은 화소 전극(151)의 상면 및 화소 정의막(PDL)의 측면을 부분적으로 덮을 수 있다. 반면, 상기 정공 주입/수송층 및 전자 주입/수송층은 화소(PX)의 구분없이 전면적으로 배치될 수 있다.
다만, 이에 제한되지 않고 발광층(152)은 각 화소(PX)별로 구분되어 배치될 수 있다. 구체적으로 발광층(152)은 화소 정의막(PDL)이 노출하는 화소 전극(151) 상에 배치되어, 화소 전극(151)의 상면 및 화소 정의막(PDL)의 측면을 부분적으로 덮을 수 있다.
상술한 바와 같이, 발광층(152)은 표시 영역(DA)에 전면적으로 배치되며, 비표시 영역(NDA)까지 일부 확장되어 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에 배치되는 발광층(152)의 외측 가장자리는 후술하는 공통 전극(153) 및 제1 박막 봉지층(160)에 의해 덮일 수 있다. 후술하겠지만, 발광층(152)은 제1 박막 봉지층(160)에 의해 봉지될 수 있다.
발광층(152) 상에는 공통 전극(153)이 배치될 수 있다. 공통 전극(153)은 화소(PX)의 구분없이 전면적으로 배치될 수 있다. 공통 전극(153)은 캐소드 전극일 수 있다.
공통 전극(153)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)과 같은 일함수가 작은 물질층을 포함할 수 있다. 공통 전극(153)은 상기 일함수가 작은 물질층 상에 배치된 투명 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다.
화소 전극(151), 발광층(152) 및 공통 전극(153)은 발광 소자층(150)을 구성할 수 있다.
공통 전극(153) 상부에는 제1 박막 봉지층(160)이 배치될 수 있다. 제1 박막 봉지층(160)은 하부의 발광 소자층(150)을 봉지할 수 있다. 구체적으로, 제1 박막 봉지층(160)은 발광 소자층(150)의 발광층(162)을 봉지할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 박막 봉지층(160)의 하면은 발광 소자층(150)에 접하고, 상면은 후술하는 파장 변환층(WCL) 및 뱅크층(BL)에 접할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 제1 박막 봉지층(160)과 발광 소자층(150) 사이 또는 제1 박막 봉지층(160)과 파장 변환층(WCL) 사이에는 다른 층이 개재될 수도 있다.
제1 박막 봉지층(160)의 상면은 화소 전극(151)과 중첩하는 영역에서 하측으로 함몰된 단차를 포함할 수 있다. 제1 박막 봉지층(160)의 상면의 단차는 상술한 화소 전극(151)을 부분적으로 노출하는 화소 정의막(PDL)에 의해 형성될 수 있다. 제1 박막 봉지층(160)의 상면은 발광 소자층(150)의 상면과 나란할 수 있다. 구체적으로, 제1 박막 봉지층(160)의 상면은 공통 전극(153)의 상면과 나란할 수 있다.
다시 말하면, 제1 박막 봉지층(160)의 상면은 하부 구조물의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 봉지층(160)의 상면은 공통 전극(153)의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되고, 발광층(152)의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다. 또한, 제1 박막 봉지층(160)의 상면은 영역별로 각각 중첩하는 화소 전극(151)의 상면, 화소 정의막(PDL)의 상면 및 측면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다.
또한, 제1 박막 봉지층(160)의 두께(도 4의 't1'참조)는 영역별로 균일한 값을 가질 수 있다. 따라서, 제1 박막 봉지층(160)의 상면과 하면은 서로 컨포멀하게 배치될 수 있다. 제1 박막 봉지층(160)의 두께(t1)에 대한 상세한 설명은 도 4를 참조하여 후술하기로 한다.
제1 박막 봉지층(160)은 부분적으로 하측으로 함몰된 요입부(OP1)를 포함할 수 있다. 요입부(OP1)는 화소 전극(151)과 중첩하며, 화소 정의막(PDL)과 비중첩할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 요입부(OP1)의 외측 가장자리는 화소 정의막(PDL)과 부분적으로 중첩할 수도 있다. 요입부(OP1)는 후술하는 개구부(OP2)와 중첩하며, 공간적으로 연결될 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서, 제1 박막 봉지층(160)은 화소 정의막(PDL) 및 비아층(VIA) 상에 배치되되, 화소 정의막(PDL) 및 비아층(VIA)을 관통하는 제1 트렌치(TR1) 및 제2 트렌치(TR2)를 통해 회로층(CCL)에 직접 접할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 제1 트렌치(TR1)에서 제1 박막 봉지층(160)과 회로층(CCL) 사이에 다른 층이 개재될 수도 있다. 비표시 영역(NDA)에서 제1 박막 봉지층(160)은 화소 정의막(PDL) 및 비아층(VIA)을 덮으며, 제1 박막 봉지층(160)의 가장자리는 화소 정의막(PDL) 및 비아층(VIA)의 가장자리보다 외측에 배치될 수 있다.
제1 박막 봉지층(160)은 무기 물질로 이루어진 무기막일 수 있다. 예를 들어 제1 박막 봉지층(160)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
제1 박막 봉지층(160)은 약 10-5 g/m2day이하의 투습도를 가질 수 있다. 따라서, 발광 소자층(150)에 수분이나 외기의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다.
제1 박막 봉지층(160)은 약 1.6 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 봉지층(160)은 약 1.2 내지 1.3의 굴절률을 가질 수 있다.
제1 박막 봉지층(160) 상에는 뱅크층(BL)이 배치될 수 있다. 뱅크층(BL)은 격벽(BK) 및 격벽(BK) 내부에 배치되며 제1 박막 봉지층(160)을 노출하는 개구부(OP2)를 포함할 수 있다. 격벽(BK)은 화소(PX)의 경계를 따라 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 격벽(BK)은 상측으로부터 하측으로 갈수록 횡단면적이 좁아지는 역테이퍼 구조를 가질 수 있다. 한편, 개구부(OP2)의 폭은 하측로부터 상측으로 갈수록 좁아질 수 있다. 개구부(OP2)는 요입부(OP1)와 부분적으로 중첩하며, 공간적으로 연결될 수 있다.
뱅크층(BL)은 비표시 영역(NDA)에 배치되는 댐(DM)을 더 포함할 수 있다. 댐(DM)은 후술하는 제1 유기막(172)을 형성할 때, 제1 유기막(172) 형성에 필요한 유기 물질이 외부로 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 댐(DM)은 경사진 외측 측면을 포함할 수 있다. 댐(DM)의 외측 가장자리는 제1 박막 봉지층(160)의 외측 가장자리보다 외측에 배치될 수 있다. 댐(DM) 상에는 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)이 배치될 수 있다. 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)은 댐(DM)의 경사진 외측 측면 상에도 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 비표시 영역(NDA)에 배치되며 뱅크층(BL)을 관통하는 제3 트렌치(TR3)를 포함할 수 있다. 뱅크층(BL)에서, 제3 트렌치(TR3)를 기준으로 격벽(BK)은 내측에 배치되고, 댐(DM)은 외측에 배치될 수 있다.
제3 트렌치(TR3)는 제1 트렌치(TR1)와 중첩할 수 있다. 제3 트렌치(TR3)는 제1 트렌치(TR1)의 내부에 배치될 수 있다. 제3 트렌치(TR3)의 내부 폭은 제1 트렌치(TR1)의 내부 폭보다 작을 수 있다. 제3 트렌치(TR3)의 저면은 제1 트렌치(TR1)의 저면 상에 위치할 수 있다.
제3 트렌치(TR3)의 내부 폭은 하측으로부터 상측으로 갈수록 좁아질 수 있다.
댐(DM)의 일부는 제1 트렌치(TR1)의 내부에 배치될 수 있다. 제1 트렌치(TR1)의 내부에는 격벽(BK)의 일부 또한 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 트렌치(TR1)에서 표시 장치(1)의 내측에는 격벽(BK)의 일부가 배치되고, 외측에는 댐(DM)이 배치될 수 있다.
요입부(OP1) 및 개구부(OP2) 내부에는 파장 변환층(WCL)이 배치될 수 있다. 파장 변환층(WCL)은 발광 소자층(150)으로부터 제공된 광을 투과하거나 파장을 변환시킬 수 있다.
일 실시예에서, 발광 소자층(150)이 발광하는 빛의 파장은 화소(PX)별로 동일할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1)는 각 화소(PX)의 발광 소자층(150)이 청색광 또는 자외선을 발광하고, 파장 변환층(WCL)을 포함함으로써, 각 화소(PX)별 색상을 표시할 수 있다.
다른 실시예에서, 각 발광 소자층(150)이 발광하는 빛의 파장은 화소(PX) 별로 발광 파장이 상이할 수도 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1)에 배치된 발광 소자층(150)은 제1 색을 발광하고, 제2 화소(PX2)에 배치된 발광 소자층(150)은 제2 색을 발광하고, 제3 화소(PX3)에 배치된 발광 소자층(150)은 제3 색을 발광할 수도 있다.
파장 변환층(WCL)은 발광 소자층(150)과 중첩할 수 있다. 파장 변환층(WCL)은 개구부(OP2) 뿐만 아니라 요입부(OP1)의 내부에도 일부 배치될 수 있다. 파장 변환층(WCL)은 격벽(PTL)을 이용한 잉크젯 공정으로 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
파장 변환층(WCL)의 적어도 일부는 요입부(OP1) 내에 배치될 수 있다. 다시 말해, 파장 변환층(WCL)의 적어도 일부는 제1 박막 봉지층(160)에 의해 둘러싸여 배치될 수 있다.
파장 변환층(WCL)의 상면은 하측으로 오목한 형상을 가질 수 있다. 파장 변환층(WCL)의 상면의 높이는 파장 변환층(WCL)의 가장자리로부터 중앙부로 갈수록 낮아질 수 있다. 후술하겠지만, 파장 변환층(WCL)의 상면의 형상은 파장 변환층(WCL)을 구성하는 물질을 잉크 형태로 프린팅한 후 경화하는 과정을 통해 형성될 수 있다.
파장 변환층(WCL)은 제1 화소(PX1)에 배치되는 제1 파장 변환 패턴(WCL1), 제2 화소(PX2)에 배치되는 제2 파장 변환 패턴(WCL2) 및 제3 화소(PX3)에 배치되는 제3 파장 변환 패턴(WCL3)을 포함할 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(WCL1)은 발광 소자층(150)으로부터 입사된 제3 색의 광의 파장을 제1 색의 광의 파장으로 변환시킬 수 있다. 제2 파장 변환 패턴(WCL2)은 발광 소자층(150)으로부터 입사된 제3 색의 광을 제2 색의 광으로 변환시킬 수 있다. 제3 파장 변환 패턴(WCL3)은 투광층으로서, 입사된 제3 색의 광의 파장을 변환시키지 않을 수 있다.
각 파장 변환 패턴(WCL1, WCL2, WCL3)은 각각 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3) 및 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3) 내에 분산된 산란체(SCP)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 파장 변환 패턴(WCL1, WCL2)은 베이스 수지(BRS1, BRS2) 내에 배치된 파장 변환 입자(WCP1, WCP2)을 더 포함할 수 있다. 베이스 수지(BRS1, BRS2)는 투명한 유기물을 포함할 수 있다. 파장 변환 입자(WCP1, WCP2)은 양자점, 양자 막대, 형광체 등일 수 있다. 상기 양자점은 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
뱅크층(BL) 및 파장 변환층(WCL) 상에는 제2 박막 봉지층(170)이 배치될 수 있다. 제2 박막 봉지층(170)은 하부의 파장 변환층(WCL)을 봉지할 수 있다.
제2 박막 봉지층(170)은 제1 무기막(171), 제1 무기막(171) 상에 배치되는 제1 유기막(172) 및 제1 유기막(172) 상에 배치되는 제2 무기막(173)을 포함할 수 있다. 제1 무기막(171)과 제2 무기막(173)은 비표시 영역(NDA)에서 서로 접할 수 있다. 구체적으로, 제1 무기막(171)과 제2 무기막(173)은 댐(DM) 상에서 서로 접할 수 있다. 이를 통해 제1 유기막(172)은 제1 무기막(171)과 제2 무기막(173)에 의해 밀봉될 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서, 제1 무기막(171)은 격벽(BK) 및 댐(DM) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기막(171)은 댐(DM)의 경사진 외측 측면 상에도 배치될 수 있다. 제1 무기막(171)의 외측 가장자리는 댐(DM)의 외측 가장자리보다 외측에 위치하며, 회로층(CCL) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제1 무기막(171)은 제3 트렌치(TR3)를 통해 뱅크층(BL)을 관통하여 제1 박막 봉지층(160)에 직접 접할 수 있다. 댐(DM) 상에서 제1 무기막(171)은 제2 무기막(173)과 직접 접할 수 있다.
제1 무기막(171)의 하면은 파장 변환층(WCL)에 접할 수 있다. 파장 변환층(WCL)과 중첩하는 제1 무기막(171)의 하면은 파장 변환층(WCL)의 상면과 동일한 형상을 가질 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)과 중첩하는 제1 무기막(171)의 하면은 하측으로 오목한 형상을 가질 수 있다.
표시 영역(DA)에서 제1 유기막(172)은 평탄한 상면을 포함할 수 있다. 반면, 비표시 영역(NDA)에서 제1 유기막(172)은 하측으로 굴곡진 상면을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 유기막(172)은 제3 트렌치(TR3)와 중첩하는 영역에서 외측으로 갈수록 높이가 낮아지는 상면을 포함할 수 있다. 제1 유기막(172)은 제3 트렌치(TR3)보다 외측에는 배치되지 않을 수 있으나, 이에 제한되지 않고 경우에 따라 제1 유기막(172)을 형성하기 위한 유기 물질이 제3 트렌치(TR3)를 충진한 후 외측으로 넘치도록 과도하게 도포된 경우 제3 트렌치(TR3)보다 외측에 일부 배치될 수도 있다.
제1 유기막(172)은 제3 트렌치(TR3) 내부를 충진할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 유기막(172)을 형성할 때 제1 유기막(172) 형성을 위한 유기 물질이 제3 트렌치(TR3)를 채우고, 상기 유기 물질은 댐(DM)에 의해 외측으로 흘러 넘치는 것이 방지될 수 있다.
제2 무기막(173)은 표시 영역(DA)에서 제1 유기막(172) 상에 배치되며, 평탄한 상면 및 하면을 포함할 수 있다. 제2 무기막(173)은 영역별로 균일한 두께를 가질 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서, 제2 무기막(173)은 제1 유기막(172)의 굴곡진 상면 상에 배치될 수 있다. 제2 무기막(173)은 제1 유기막(172)보다 외측으로 연장되어 댐(DM) 상에 배치된 제1 무기막(171) 상으로 연장될 수 있다. 댐(DM) 상에서 제2 무기막(173)은 제1 무기막(171)과 접할 수 있다. 제2 무기막(173)은 회로층(CCL) 상에 배치된 제1 무기막(171)의 외측 가장자리를 덮을 수 있다. 제2 무기막(173)의 외측 가장자리는 제1 무기막(171)의 외측 가장자리보다 외측에 배치될 수 있다.
제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)은 동일 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)은 제1 박막 봉지층(160)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 유기막(172)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제2 박막 봉지층(170) 상에는 화소(PX)의 경계를 따라 차광 부재(BML)가 배치될 수 있다. 차광 부재(BML)는 화소 정의막(PDL)과 중첩할 수 있다. 차광 부재(BML)는 평면도상 격자 형상으로 형성되며, 제2 박막 봉지층(170)의 상면을 부분적으로 노출하는 개구부를 포함할 수 있다.
컬러 필터층(CFL)은 차광 부재(BML)의 개구부를 통해 부분적으로 노출되는 제2 박막 봉지층(170)의 일면 상에 배치될 수 있다.
컬러 필터층(CFL)은 제1 화소(PX1)에 배치되는 제1 컬러 필터층(CFL1), 제2 화소(PX2)에 배치되는 제2 컬러 필터층(CFL2) 및 제3 화소(PX3)에 배치되는 제3 컬러 필터층(CFL3)을 포함할 수 있다. 각 컬러 필터층(CFL)은 해당하는 색 파장 이외의 파장을 흡수하는 염료나 안료 같은 색료(colorant)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터층(CFL1)은 적색 컬러 필터층이고, 제2 컬러 필터층(CFL2)은 녹색 컬러 필터층이고, 제3 컬러 필터층(CFL3)은 청색 컬러 필터층일 수 있다.
도시되지 않았지만, 표시 장치(1)는 컬러 필터층(CFL) 상에 배치되며, 수분 또는 공기 등의 불순물 침투를 방지하는 캡핑층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
도 4는 도 2의 Q 영역의 확대도이다. 도 5는 도 4의 P 영역의 확대도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상술한 바와 같이 제1 박막 봉지층(160)은 단일층의 무기막으로 구성될 수 있다. 제1 박막 봉지층(160)의 두께(t1)는 영역별로 대체로 동일할 수 있다. 제1 박막 봉지층(160)의 두께(t1)는 약 0.8um 내지 1.5um의 값을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 제1 박막 봉지층(160)에 포함된 물질에 따라 다양한 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 봉지층(160)의 두께(t1)는 박막 봉지 효과가 뛰어난 물질을 포함할수록 작은 값을 가질 수 있다.
표시 장치(1)에서 빛은 발광 소자층(150)에서 발광할 수 있다. 구체적으로, 발광 소자층(150)의 발광층(152)에서 발광할 수 있다. 상술한 바와 같이, 발광층(152)으로부터 발광하는 빛은 파장 변환층(WCL)을 경유하여 외부로 방출될 수 있다. 본 명세서에서 표시 장치(1)의 광학 효율은 발광층(152)에서 발광하는 빛 중에서 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 비율을 의미할 수 있다.
발광 소자층(150)의 상면과 파장 변환층(WCL)의 하면 간의 간격이 클수록 발광 소자층(150)에서 발광하는 빛 중 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 양이 감소하여 낮은 광학 효율을 나타낼 수 있다. 반대로, 발광 소자층(150)의 상면과 파장 변환층(WCL)의 하면 간의 간격이 작을수록 발광 소자층(150)에서 발광하는 빛 중 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 양이 증가하여 높은 광학 효율을 나타낼 수 있다.
구체적으로, 발광 소자층(150)에서 발광하는 빛은 모든 방향으로 발광할 수 있다. 그 중에서, 베이스 기판(101)에 수직하는 방향으로 파장 변환 각도(θ) 내에 있는 빛이 파장 변환층(WCL)으로 진입할 수 있다. 발광 소자층(150)의 상면과 그와 중첩하는 파장 변환층(WCL)의 하면 간의 간격이 클수록 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 각도 범위인 파장 변환 각도(θ)는 감소할 수 있다. 발광 소자층(150)의 상면과 그와 중첩하는 파장 변환층(WCL)의 하면 간의 간격이 작을수록 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 각도 범위인 파장 변환 각도(θ)는 증가할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(1)에서, 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에는 제1 박막 봉지층(160)이 배치되므로, 발광 소자층(150)의 상면과 그와 중첩하는 파장 변환층(WCL)의 하면 간의 간격은 제1 박막 봉지층(160)의 두께(t1)에 의해 결정될 수 있다.
즉, 제1 박막 봉지층(160)의 두께(t1)가 두꺼울수록 낮은 광학 효율을 나타내고, 제1 박막 봉지층(160)의 두께(t1)가 얇을수록 높은 광학 효율을 나타낼 수 있다.
제1 박막 봉지층(160)의 상면은 요입부(OP1) 내부 및 외부를 기준으로 단차(d1)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 박막 봉지층(160)에서 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 영역의 상면과 화소 정의막(PDL)과 비중첩하는 영역의 상면 간에 단차(d1)가 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 박막 봉지층(160)의 상면과 공통 전극(153)의 상면은 나란할 수 있다. 즉, 제1 박막 봉지층(160)과 마찬가지로 공통 전극(153)의 상면은 요입부(OP1)의 내부 및 외부를 기준으로 단차(d2)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 공통 전극(153)에서 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 영역의 상면과 화소 정의막(PDL)과 비중첩하는 영역의 상면 간에 단차(d2)가 형성될 수 있다. 공통 전극(153)의 상면의 단차(d2)는 제1 박막 봉지층(160)의 상면의 단차(d1)와 동일한 값을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 제1 박막 봉지층(160)의 상면의 단차(d1)보다 큰 값을 갖거나 더 작은 값을 가질 수도 있다.
상술한 바와 같이, 파장 변환층(WCL)의 상면은 하측으로 오목한 형상을 가지며, 파장 변환층(WCL) 상에는 제2 박막 봉지층(170)의 제1 무기막(171)이 배치될 수 있다. 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL) 상에서 영역별로 대체로 동일한 두께(t2)를 가질 수 있다. 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL)에 비해 작은 굴절률을 가질 수 있다. 이를 통해, 파장 변환층(WCL)으로부터 진입하는 빛은 제1 무기막(171)이 오목 렌즈 역할을 하여 분산될 수 있다.
예를 들어, 파장 변환층(WCL)으로부터 제1 무기막(171)으로 진입하는 경우, 빛의 입사각(α)은 굴절각(β)보다 작을 수 있다. 제1 무기막(171)으로부터 제1 유기막(172)으로 진입하는 경우의 빛의 입사각(γ)은, 하측으로 오목한 제1 무기막(171)의 형상으로 인하여 파장 변환층(WCL)으로부터 제1 무기막(171)으로 진입한 빛의 굴절각(β)보다 클 수 있다.
제1 무기막(171)으로부터 제1 유기막(172)으로 진입하는 경우의 빛의 입사각(γ)과 굴절각(δ)의 관계는 제1 무기막(171)과 제1 유기막(172)의 굴절률 차이에 의해 결정될 수 있다.
예를 들어, 제1 유기막(172)의 굴절률이 제1 무기막(171)보다 클 경우, 굴절각(δ)은 제1 무기막(171)으로부터 제1 유기막(172)으로 진입하는 경우의 빛의 입사각(γ)보다 작을 수 있다. 반대로, 제1 유기막(172)의 굴절률이 제1 무기막(171)보다 작을 경우, 굴절각(δ)은 제1 무기막(171)으로부터 제1 유기막(172)으로 진입하는 경우의 빛의 입사각(γ)보다 클 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(1)에서 파장 변환층(WCL)의 상면에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1)의 시야각이 증가할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 7 내지 도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 개략도이다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계(S11), 발광 소자층 상에 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계(S21), 제1 박막 봉지층 상에 개구부를 포함하는 뱅크층을 형성하는 단계(S31), 뱅크층의 개구부에 파장 변환층을 잉크젯 프린팅하는 단계(S41) 및 뱅크층 및 파장 변환층 상에 제2 박막 봉지층을 형성하는 단계(S51)를 포함할 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 우선적으로 기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계(S11)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 회로층(CCL) 및 비아층(VIA)이 적층된 베이스 기판(101) 상에 화소 전극(151), 발광층(152) 및 공통 전극(153)을 포함하는 발광 소자층(150)을 형성할 수 있다. 베이스 기판(101), 회로층(CCL) 및 비아층(VIA)에 대한 설명은 도 2 내지 도 5를 참조하여 상술한 바와 동일하므로 추가적인 설명은 생략하기로 한다.
기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계(S11)는 비아층(VIA) 상에 화소 전극(151)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 화소(PX1)에 제1 화소 전극(151a)을 형성하고, 제2 화소(PX2)에 제2 화소 전극(151b)을 형성하고, 제3 화소(PX3)에 제3 화소 전극(151c)을 형성할 수 있다. 제1 내지 제3 화소 전극(151a, 151b, 151c) 각각은 서로 이격되어 형성될 수 있다.
기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계(S11)는 각 화소(PX)의 경계를 따라 화소 전극(151) 상에 화소 정의막(PDL)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 내지 제3 화소 전극(151a, 151b, 151c) 각각을 부분적으로 노출할 수 있다.
기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계(S11)는 화소 전극(151) 및 화소 정의막(PDL) 상에 발광층(152) 및 공통 전극(153)을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에서, 발광층(152) 및 공통 전극(153)은 화소(PX)의 구분없이 전면적으로 배치될 수 있다. 다만, 비표시 영역(NDA)에서 발광층(152) 및 공통 전극(153)은 부분적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)에서 발광층(152) 및 공통 전극(153)의 가장 자리는 제1 트렌치(TR1)보다 내측에 배치될 수 있다.
기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계(S11) 이후에는 발광 소자층 상에 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계(S21)가 수행될 수 있다.
제1 박막 봉지층(160)은 발광 소자층(150) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 표시 영역(DA)에서 제1 박막 봉지층(160)은 공통 전극(153) 상에 화소(PX)의 구분없이 전면적으로 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서 제1 박막 봉지층(160)은 공통 전극(153), 화소 정의막(PDL) 및 비아층(VIA) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 제1 박막 봉지층(160)은 화소 정의막(PDL) 및 비아층(VIA)을 관통하는 제1 트렌치(TR1)를 통해 비아층(VIA) 하부의 회로층(CCL)에 직접 접할 수 있다.
제1 박막 봉지층(160)의 상면은 발광 소자층(150)의 상면과 나란할 수 있다. 즉, 제1 박막 봉지층(160)의 상면은 공통 전극(153)의 상면과 나란할 수 있다. 다시 말해, 제1 박막 봉지층(160)의 상면은 발광 소자층(150)의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되며, 공통 전극(153)의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다.
도 6, 도 8 및 도 9를 참조하면, 발광 소자층 상에 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계(S21) 이후에는 제1 박막 봉지층 상에 개구부를 포함하는 뱅크층을 형성하는 단계(S31)가 수행될 수 있다. 뱅크층(BL)은 격벽(BK) 및 격벽(BK) 외측에 배치되는 댐(DM)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 개구부(OP2)를 포함하는 격벽(BK)이 배치될 수 있다. 개구부(OP2)는 상술한 요입부(OP1)를 노출하며, 요입부(OP1)와 공간적으로 연결될 수 있다. 개구부(OP2)는 제1 박막 봉지층(160)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 도 2를 참조하여 상술한 바와 같이, 격벽(BK)은 상측으로부터 하측으로 갈수록 횡단면적이 좁아지는 역테이퍼 구조를 질 수 있다. 한편, 개구부(OP2)의 폭은 상측으로부터 하측으로 갈수록 넓어질 수 있다.
역테이퍼 구조의 격벽(BK)은 다양한 방법을 통해 형성할 수 있다. 예를 들어, 네거티브 포토레지스트 물질을 이용하여 역테이퍼 구조의 격벽(BK)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 제1 박막 봉지층(160) 상에 뱅크층(BL)을 이루는 물질을 도포한 후, 그 위를 전면적으로 덮도록 네거티브 포토레지스트 물질을 도포해 포토레지스트층을 형성하고, 최종 구조에서 역테이퍼 구조의 격벽(BK)이 되는 부분을 노광시킨다. 이후 현상 과정에서 네거티브 포토레지스트의 경우 노광되지 않은 부분이 제거되므로 화소 전극(151)과 중첩하는 제1 박막 봉지층(160)의 일부 영역이 노출될 수 있다. 이 때, 노광 과정에서 포토레지스트층의 상부에는 하부보다 상대적으로 더 많은 광이 조사되므로, 현상 과정에서 포토레지스트층의 상부보다 하부 부분이 상대적으로 더 많이 제거되게 되고, 이에 따라 역테이퍼 구조의 격벽(BK)을 형성할 수 있다.
비표시 영역(NDA)에는 격벽(BK)의 일부와 격벽(BK) 외측에 배치되는 댐(DM)이 형성될 수 있다. 격벽(BK)과 댐(DM) 사이에는 제1 박막 봉지층(160)을 부분적으로 노출하는 제3 트렌치(TR3)가 형성될 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 격벽(BK)과 댐(DM) 또한 표시 영역(DA)과 마찬가지로 역테이퍼 구조를 가질 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 격벽(BK) 및 댐(DM)의 형성은 상술한 표시 영역(DA)의 격벽(BK)의 형성과 동일한 방법으로 이루어질 수 있다. 표시 영역(DA)의 격벽(BK) 형성 및 비표시 영역(NDA)의 격벽(BK)과 댐(DM)의 형성은 동시에 이루어질 수 있다.
제1 박막 봉지층 상에 개구부를 포함하는 뱅크층을 형성하는 단계(S31) 이후에는 뱅크층의 개구부에 파장 변환층을 잉크젯 프린팅하는 단계(S41)가 수행될 수 있다.
뱅크층의 개구부에 파장 변환층을 잉크젯 프린팅하는 단계(S41)는 잉크젯 프린트 장치(ID)를 이용하여 파장 변환층(WCL) 형성을 위한 잉크(IK)를 요입부(OP1) 및 개구부(OP2)에 잉크젯 프린팅하여 파장 변환 물질(WCL1a, WCL2a, WCL3a)을 형성하는 단계와 파장 변환 물질(WCL1a, WCL2a, WCL3a)을 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
잉크젯 프린트 공정을 통해 파장 변환 물질(WCL1a, WCL2a, WCL3a)을 형성할 수 있다. 잉크(IK)는 요입부(OP1) 및 개구부(OP2)에 잉크젯 프린팅되며, 제3 트렌치(TR3)에는 도포되지 않을 수 있다. 파장 변환 물질(WCL1a, WCL2a, WCL3a)은 제1 화소(PX1)에 배치되는 제1 파장 변환 물질(WCL1a), 제2 화소(PX2)에 배치되는 제2 파장 변환 물질(WCL2a) 및 제3 화소(PX3)에 배치되는 제3 파장 변환 물질(WCL3a)을 포함할 수 있다.
잉크젯 프린트 공정을 통해 형성한 각 파장 변환 물질(WCL1a, WCL2a, WCL3a)의 상면은 상측으로 볼록한 형상을 가질 수 있다. 각 파장 변환 물질(WCL1a, WCL2a, WCL3a)은 경화 과정을 거쳐 도 9에 도시된 바와 같이 상면이 하측으로 오목한 파장 변환층(WCL)으로 변화할 수 있다. 파장 변환층(WCL)의 하면은 단차를 포함할 수 있다. 또한, 파장 변환층(WCL)의 하면은 제1 박막 봉지층(160)의 상면에 나란할 수 있다. 다시 말해, 파장 변환층(WCL)의 하면은 제1 박막 봉지층(160)의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다.
도 6 및 도 10 내지 도 12를 참조하면, 뱅크층의 개구부에 파장 변환층을 잉크젯 프린팅하는 단계(S41) 이후에는 뱅크층 및 파장 변환층 상에 제2 박막 봉지층을 형성하는 단계(S51)가 수행될 수 있다.
뱅크층 및 파장 변환층 상에 제2 박막 봉지층을 형성하는 단계(S51)는 뱅크층(BL) 및 파장 변환층(WCL) 상에 제1 무기막(171)을 형성하는 단계, 제1 무기막(171) 상에 제1 유기막(172)을 형성하는 단계 및 제1 유기막(172) 상에 제2 무기막(173)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
뱅크층(BL) 및 파장 변환층(WCL) 상에는 화소(PX) 구분없이 제1 무기막(171)이 형성될 수 있다. 제1 무기막(171)은 영역별로 균일한 두께를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 하부의 단차에 따라 다양한 두께를 가질 수도 있다.
제1 무기막(171) 상에는 제1 유기막(172)이 형성될 수 있다. 제1 유기막(172)은 유기 물질을 도포한 후 경화시키는 방식으로 형성될 수 있다. 제1 유기막(172) 형성을 위한 유기 물질은 표시 영역(DA)에서 제1 무기막(171)을 전면적으로 덮고, 비표시 영역(NDA)에서 제3 트렌치(TR3)의 내부를 충진할 수 있다. 이 때, 제1 유기막(172) 형성을 위한 유기 물질은 제3 트렌치(TR3)의 내부에 충진되어 제3 트렌치(TR3)의 외측으로 흘러넘치지 않을 수 있다.
이와 같이 형성된 제1 유기막(172)은 상술한 바와 같이 표시 영역(DA)에서 평탄한 상면을 포함하고, 비표시 영역(NDA)에서 하측으로 굴곡진 상면을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 유기막(172)은 제3 트렌치(TR3)와 중첩하는 영역에서, 외측으로 갈수록 높이가 낮아지는 상면을 포함할 수 있다.
제1 유기막(172) 상에는 제2 무기막(173)이 배치될 수 있다. 제2 무기막(173)은 제1 유기막(172) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 제2 무기막(173)은 비표시 영역(NDA)에서 제1 무기막(171)과 접할 수 있다. 이를 통해 제1 유기막(172)은 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)에 의해 봉지될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 단일층의 무기막인 제1 박막 봉지층(160)이 배치되어 광학 효율이 향상된 표시 장치(1)를 제조할 수 있다.
이하, 표시 장치(1)의 다른 실시예에 대해 설명한다. 후술하는 다른 실시예에 따른 표시 장치(1)에 대한 설명은 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 중복되는 설명은 생략하고, 차이점 위주로 설명하기로 한다.
도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 뱅크층(BL)이 생략되고, 파장 변환층(WCL)이 화소 정의막(PDL_1)에 포함되는 개구부(OP_1)의 내부에 배치된다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 차이가 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 베이스 기판(101), 베이스 기판(101) 상에 배치된 회로층(CCL), 회로층(CCL) 상에 배치된 비아층(VIA), 비아층(VIA) 상에 배치된 화소 전극(151), 화소 전극(151) 상에 배치된 화소 정의막(PDL_1), 화소 정의막(PDL_1) 상에 배치된 발광층(152), 발광층(152) 상에 배치된 공통 전극(153), 공통 전극(153) 상에 배치된 제1 박막 봉지층(160), 제1 박막 봉지층(160) 상의 화소 정의막(PDL_1)의 개구부(OP_1) 내부에 배치되는 파장 변환층(WCL) 및 제1 박막 봉지층(160)과 파장 변환층(WCL) 상에 배치되는 제2 박막 봉지층(170)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 화소 정의막(PDL_1)은 화소(PX)의 경계를 따라 배치되며, 표시 영역(DA)에 배치되는 개구부(OP_1) 및 비표시 영역(NDA)에 배치되는 트렌치(TR_1)를 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL_1)은 횡단면적이 상측으로부터 하측으로 갈수록 넓어지는 구조를 가질 수 있다. 반면, 개구부(OP_1)와 트렌치(TR_1)는 상측으로부터 하측으로 갈수록 폭이 좁아지는 구조를 가질 수 있다.
개구부(OP_1)는 화소 전극(151)과 중첩할 수 있다. 발광층(152)은 개구부(OP_1)를 통해 화소 전극(151)과 접할 수 있다.
본 실시예에서, 화소 정의막(PDL_1)은 파장 변환층(WCL) 형성 시 뱅크로 기능할 수 있다. 파장 변환층(WCL)은 개구부(OP_1) 내부에 배치되며, 제1 박막 봉지층(160) 상에 배치될 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)은 화소 정의막(PDL_1)과 직접 접촉하지 않을 수 있다. 파장 변환층(WCL)의 상면은 하측으로 오목한 형상을 가질 수 있다.
제2 박막 봉지층(170)은 제1 박막 봉지층(160)과 파장 변환층(WCL) 상에 배치되는 제1 무기막(171), 제1 무기막(171) 상에 배치되는 제1 유기막(172) 및 제1 유기막(172) 상에 배치되는 제2 무기막(173)을 포함할 수 있다.
제1 무기막(171)과 파장 변환층(WCL)이 비중첩하는 영역에서, 제1 무기막(171)과 제1 박막 봉지층(160)은 서로 접할 수 있다. 제1 무기막(171)의 하면은 파장 변환층(WCL)과 중첩하는 영역에서 하측으로 볼록한 형상을 가질 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서 제1 박막 봉지층(160)은 화소 정의막(PDL_1)과 비아층(VIA)을 관통하는 트렌치(TR_1)를 통해 회로층(CCL)에 접할 수 있다. 트렌치(TR_1)의 내부에는 제1 유기막(172)이 충진될 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)의 비표시 영역(NDA)에서 비아층(VIA) 및 화소 정의막(PDL_1)은 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 댐(DM)과 동일한 기능을 할 수 있다. 즉, 비표시 영역(NDA)에서 비아층(VIA)과 화소 정의막(PDL_1)은 제1 유기막(172) 형성 시 제1 유기막(172) 형성을 위한 유기 물질이 외측으로 흘러넘치는 것을 방지할 수 있다. 트렌치(TR_1)의 외측에서 제1 무기막(171)과 제2 무기막(173)은 서로 접할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)에서 파장 변환층(WCL)의 상면에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_1)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1_1)의 시야각이 증가할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 화소(PX)를 구분하는 화소 정의막(PDL_1)이 파장 변환층(WCL) 형성 시 뱅크로 기능할 수 있다. 따라서, 별도의 뱅크를 형성하지 않더라도 파장 변환층(WCL)을 형성할 수 있어 표시 장치(1_1)의 제조 공정의 공정 효율이 향상될 수 있다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)는 상측으로부터 하측으로 갈수록 횡단면적이 증가하는 구조의 격벽(BK_2)을 포함하는 뱅크층(BL_2)을 포함한다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 차이가 있다.
본 실시예에서, 격벽(BK_2)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 격벽(BK_2)의 가장 자리 또한 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)에서 뱅크층(BL_1)은 하측으로부터 상측으로 갈수록 폭이 넓어지는 개구부(OP2_2)를 포함할 수 있다. 개구부(OP2_2)는 화소 정의막(PDL)에 포함되는 요입부(OP1_2)와 중첩할 수 있다. 개구부(OP2_2)의 폭은 요입부(OP1_2)의 폭보다 클 수 있다. 상측으로 갈수록 폭이 넓어지는 개구부(OP2_2)를 통해, 발광 소자층(150)으로부터 발광하는 빛은 보다 넓은 범위의 각도로 방출될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 즉, 표시 장치(1_2)의 시야각이 증가할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)에서 파장 변환층(WCL)의 상면에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_2)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 즉, 표시 장치(1_2)의 시야각이 증가할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)는 상측으로 갈수록 폭이 넓어지는 개구부(OP2_2)를 포함하여 발광 소자층(150)으로부터 발광하는 빛은 보다 넓은 범위의 각도로 방출될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)로부터 방출되는 빛은 더욱 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1_2)의 시야각이 더욱 증가할 수 있다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 다른 형상의 파장 변환층(WCL)을 포함한다는 점에서 차이가 있다. 파장 변환층(WCL)의 형상은 해당 파장 변환층(WCL) 형성에 필요한 잉크(도 8의 'IK' 참조)가 함유하는 용매의 함량에 따라 다양하게 형성될 수 있다.
이하, 도 15를 참조하여 파장 변환층(WCL) 중 제3 파장 변환 패턴(WCL3_3)을 기준으로 설명하나 제1 및 제2 파장 변환 패턴(미도시) 또한 동일한 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(WCL3_3)은 평탄한 상면을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 제3 파장 변환 패턴(WCL3_3) 형성에 필요한 잉크(IK)는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(도 2의 'WCL3' 참조) 형성에 필요한 잉크(IK)보다 많은 양의 용매를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(WCL3_3)은 상대적으로 많은 양의 용매를 포함하는 잉크(IK)를 사용하여 제조되므로, 경화 과정에서 많은 양의 용매가 휘발되어 평탄한 상면이 나타날 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)에 포함되는 제2 박막 봉지층(170_3)의 형상 또한 달라질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 박막 봉지층(170_3)에 포함되는 제1 무기막(171_3), 제1 유기막(172_3) 및 제2 무기막(173_3)은 각각 평탄한 상면 및 하면을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)에 포함된 파장 변환층(WCL)은 평탄한 상면을 포함하고, 파장 변환층(WCL) 상에 배치된 제2 박막 봉지층(170_3) 또한 평탄한 상면 및 하면을 포함하여, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛의 광 경로에 영향을 주지 않을 수 있다. 이를 통해, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_3)는 화소(PX) 별로 동일한 방향으로 빛을 방출할 수 있다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_4)는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 다른 형상의 파장 변환층(WCL)을 포함한다는 점에서 차이가 있다. 파장 변환층(WCL)의 형상은 해당 파장 변환층(WCL) 형성에 필요한 잉크(도 8의 'IK' 참조)가 함유하는 용매의 함량에 따라 다양하게 형성될 수 있다.
이하, 도 16을 참조하여 파장 변환층(WCL) 중 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4)을 기준으로 설명하나 제1 및 제2 파장 변환 패턴(미도시) 또한 동일한 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_4)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4)은 상측으로 볼록한 상면을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4) 형성에 필요한 잉크(IK)는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(도 2의 'WCL3' 참조) 형성에 필요한 잉크(IK)보다 적은 양의 용매를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(1_4)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4)은 상대적으로 적은 양의 용매를 포함하는 잉크(IK)를 사용하여 제조되므로, 경화 과정에서 적은 양의 용매가 휘발되어 상측으로 볼록한 상면이 나타날 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_4)에 포함되는 제2 박막 봉지층(170_4)의 형상 또한 달라질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 박막 봉지층(170_4)에 포함되는 제1 무기막(171_4)은 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4)과 중첩하는 영역에서 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4)의 상면에 대해 컨포멀하게 배치될 수 있다. 즉, 제1 무기막(171_4)은 그와 중첩하는 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4)의 상면의 형상에 대응하여 상측으로 볼록한 형상을 가질 수 있다. 다시 말하면, 제3 파장 변환 패턴(WCL3_4)의 상면은 가장자리로부터 중앙부로 갈수록 높이가 증가할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_4)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_4)에서 파장 변환층(WCL)의 상면에 배치되며, 상측으로 볼록한 형상을 갖는 제1 무기막(171_4)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 볼록 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 포커싱되며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_4)로부터 방출되는 빛은 포커싱되어 특정 위치에서 많은 양의 빛이 시인될 수 있다. 즉, 표시 장치(1_4)의 휘도가 증가할 수 있다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_5)는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 다른 형상의 파장 변환층(WCL)을 포함한다는 점에서 차이가 있다. 파장 변환층(WCL)의 형상은 해당 파장 변환층(WCL) 형성에 필요한 잉크(도 8의 'IK' 참조)가 함유하는 용매의 함량에 따라 다양하게 형성될 수 있다.
이하, 도 17을 참조하여 파장 변환층(WCL) 중 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)을 기준으로 설명하나 제1 및 제2 파장 변환 패턴(미도시) 또한 동일한 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_5)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)은 개구부(OP2)를 형성하는 격벽(BK)의 측면과 접하며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 상면을 포함할 수 있다. 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)은 개구부(OP2)의 내부로 함몰된 구조를 가질 수 있다. 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)의 가장자리의 높이는 그와 접하는 격벽(BK)의 높이보다 낮을 수 있다.
본 실시예에 따른 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5) 형성에 필요한 잉크(IK)는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(도 2의 'WCL3' 참조) 형성에 필요한 잉크(IK)보다 많은 양의 용매를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(1_5)에 포함된 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)은 상대적으로 많은 양의 용매를 포함하는 잉크(IK)를 사용하여 제조되므로, 경화 과정에서 많은 양의 용매가 휘발되어 하측으로 오목한 상면이 나타날 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_5)에 포함되는 제2 박막 봉지층(170_5)의 형상 또한 달라질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 박막 봉지층(170_5)에 포함되는 제1 무기막(171_5)은 격벽(BK) 및 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)과 접할 수 있다.
제1 무기막(171_5)은 개구부(OP2) 내부로 함몰된 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)의 상면의 형상에 대응하여 개구부(OP2) 측으로 함몰되어 들어간 형상을 가질 수 있다. 제1 무기막(171_5)은 격벽(BK)의 상면 상에 배치되며, 격벽(BK)의 경사진 측면 상에도 배치될 수 있다. 제1 무기막(171_5)은 격벽(BK)의 상면과 측면이 만나는 모서리에서 절곡될 수 있다.
도시되지 않았지만, 제1 무기막(171_5)은 격벽(BK)의 역테이퍼 구조로 인하여, 격벽(BK)의 측면과 접하는 영역과 제3 파장 변환 패턴(WCL3_5)의 가장자리와 접하는 영역에서, 다른 영역에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_5)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_5)에서 파장 변환층(WCL)의 상면에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171_5)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_5)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1_5)의 시야각이 증가할 수 있다.
도 18은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_6)의 비표시 영역(NDA)은 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 다른 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_6)는 비표시 영역(NDA)에 배치되며 댐(DM_6)을 관통하는 제4 트렌치(TR4)를 더 포함할 수 있다. 제4 트렌치(TR4)는 댐(DM_6)의 내부에 위치할 수 있다.
제4 트렌치(TR4)는 제2 트렌치(TR2)와 중첩할 수 있다. 제4 트렌치(TR4)는 제2 트렌치(TR2)의 내부에 배치될 수 있다. 제4 트렌치(TR4)의 내부 폭은 제2 트렌치(TR2)의 내부 폭보다 작을 수 있다. 제4 트렌치(TR4)의 저면은 제2 트렌치(TR2)의 저면 상에 위치할 수 있다. 제4 트렌치(TR4)의 내부 폭은 하측으로부터 상측으로 갈수록 좁아질 수 있다.
댐(DM_6) 상에는 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)이 순차적으로 배치될 수 있다. 댐(DM_6)의 제4 트렌치(TR4)에서 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)은 제4 트렌치(TR4) 내부에 배치될 수 있다. 제1 무기막(171) 및 제2 무기막(173)은 제4 트렌치(TR4)를 둘러싸며 배치될 수 있다.
제4 트렌치(TR4)를 통해 제1 무기막(171)은 제1 박막 봉지층(160)에 접할 수 있다. 제1 무기막(171)이 제1 박막 봉지층(160)과 접하는 영역에서, 제1 무기막(171) 상에는 제2 무기막(173)이 배치될 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_6)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_6)에서 파장 변환층(WCL)의 상면 상에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_6)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1_6)의 시야각이 증가할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_6)는 제4 트렌치(TR4)를 포함하는 댐(DM_6) 구조를 통해 외부의 충격으로부터 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_7)의 비표시 영역(NDA)은 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 다른 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_7)는 비표시 영역(NDA)에서 뱅크층(BL)을 관통하며 제1 트렌치(TR1)와 비중첩하는 제2 트렌치(TR2_7)를 포함할 수 있다. 제2 트렌치(TR2_7)의 저면은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 제2 트렌치(TR2_7)는 제1 트렌치(TR1)보다 외측에 배치될 수 있다. 제2 트렌치(TR2_7)의 저면은 제1 트렌치(TR1)의 저면보다 높은 곳에 위치할 수 있다.
제2 트렌치(TR2_7)의 내부는 제1 유기층(172)으로 충진될 수 있다. 제2 트렌치(TR2_7)는 제1 유기막(172) 형성 시, 제1 유기막(172) 형성에 필요한 유기 물질이 외부로 흘러넘치는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
뱅크층(BL)에서, 제2 트렌치(TR2_7)를 기준으로 내측에는 격벽(BK)이 배치되고 외측에는 댐(DM_7)이 배치될 수 있다. 제2 트렌치(TR2_7)는 하측에서 상측으로 갈수록 내부 폭이 줄어드는 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_7)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_7)에서 파장 변환층(WCL)의 상면 상에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_7)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1_7)의 시야각이 증가할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_7)는 제1 트렌치(TR1)와 비중첩하는 제2 트렌치(TR2_7)를 포함하여 외부의 충격으로부터 크랙이 발생하는 것을 이중으로 방지하는 구조를 가질 수 있다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_8)의 비표시 영역(NDA)은 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 다른 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_8)에서, 제1 박막 봉지층(160_8)은 댐(DM_8) 외측에서 제1 무기막(171_8)과 접할 수 있다. 제1 박막 봉지층(160_8)의 외측 가장자리 상에는 제1 무기막(171_8) 및 제2 무기막(173_8)이 배치될 수 있다.
댐(DM_8)은 제1 박막 봉지층(160_8) 및 제1 무기막(171_8)에 사이에 배치될 수 있다. 댐(DM_8)은 제1 박막 봉지층(160_8) 및 제1 무기막(171_8)에 의해 봉지될 수 있다. 제1 박막 봉지층(160_8)은 회로층(CCL)과의 결합력이 제1 무기막(171_8) 및 제2 무기막(173_8)보다 클 수 있다. 또한, 제1 박막 봉지층(160_8)은 제1 무기막(171_8) 및 제2 무기막(173_8) 보다 우수한 투습도를 가져 강력한 봉지 성능을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 봉지층(160_8)은 약 10-5 g/m2day이하의 투습도를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_8)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160_8)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_8)에서 파장 변환층(WCL)의 상면 상에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171_8)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_8)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1_8)의 시야각이 증가할 수 있다.
뿐만 아니라, 표시 장치(1_8)는 외측 가장자리에서 제1 박막 봉지층(160_8)에 의해 봉지되어 보다 안정적인 구조를 형성할 수 있다.
도 21은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_9)의 비표시 영역(NDA)은 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 다른 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_9)는 비표시 영역(NDA)에서 뱅크층(BL)을 관통하는 트렌치(TR_9)를 포함할 수 있다. 뱅크층(BL)에서 트렌치(TR_9)를 기준으로 내측에는 격벽(BK)이 배치되고, 외측에는 댐(DM_9)이 배치될 수 있다.
트렌치(TR_9)의 저면은 제1 박막 봉지층(160) 상에 배치될 수 있다. 트렌치(TR_9)의 저면 및 벽면 상에는 제1 무기막(171)이 배치되며, 트렌치(TR_9)의 내부는 제1 유기층(172)으로 충진될 수 있다. 트렌치(TR_9)는 제1 유기막(172) 형성 시, 제1 유기막(172) 형성에 필요한 유기 물질이 외부로 흘러넘치는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 트렌치(TR_9)는 하측에서 상측으로 갈수록 내부 폭이 줄어들 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_9)는 발광 소자층(150)과 파장 변환층(WCL) 사이에 배치되며 무기 물질로 구성된 제1 박막 봉지층(160)을 통해 발광 소자층(150)으로부터 파장 변환층(WCL)으로 진입하는 빛의 광학 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1_9)에서 파장 변환층(WCL)의 상면 상에 배치되며, 하측으로 오목한 형상을 갖는 제1 무기막(171)은 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛에 오목 렌즈와 동일한 효과를 제공할 수 있다. 즉, 파장 변환층(WCL)으로부터 방출되는 빛은 분산되어 퍼지며 방출될 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(1_9)로부터 방출되는 빛은 다양한 각도에서 시인될 수 있다. 다시 말해, 표시 장치(1_9)의 시야각이 증가할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_9)는 단일 트렌치(TR_9)를 포함하여 간이한 공정을 통해 표시 장치(1_9)를 제조할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치
101: 베이스 기판
110: 반도체층
120: 제1 도전층
130: 제2 도전층
150: 발광 소자층
160: 제1 박막 봉지층
170: 제2 박막 봉지층
WCL: 파장 변환층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상면이 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되며, 요입부를 포함하는 제1 박막 봉지층;
    상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며, 상기 요입부와 중첩하는 개구부를 포함하는 뱅크층;
    상기 제1 박막 봉지층 상에서 상기 개구부 내에 배치되며, 적어도 일부가 상기 요입부 내에 배치되는 파장 변환층;
    상기 뱅크층 및 상기 파장 변환층 상에 배치되는 제1 무기층;
    상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및
    상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 박막 봉지층의 두께는 영역별로 균일한 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 파장 변환층의 하면은 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 복수의 화소가 배치되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하되,
    상기 비표시 영역에서 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은 상호 접촉하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 비표시 영역에서 상기 제1 박막 봉지층 및 상기 제1 무기층은 상호 접촉하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 복수의 화소를 포함하되,
    상기 각 화소의 경계를 따라 배치되며, 상기 뱅크층과 부분적으로 중첩하는 화소 정의막을 더 포함하며,
    상기 제1 박막 봉지층은 상기 화소 정의막 및 상기 뱅크층 사이에 배치되는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 개구부의 폭은 상측으로 갈수록 좁아지는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 뱅크층은 역테이퍼 구조의 격벽을 포함하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 파장 변환층은 오목한 상면을 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 무기층의 굴절률은 상기 파장 변환층의 굴절률보다 작은 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 개구부 및 상기 요입부는 공간적으로 연결되는 표시 장치.
  12. 복수의 화소를 포함하는 기판;
    상기 각 화소의 경계를 따라 배치되는 화소 정의막;
    상기 기판 상에서 화소 정의막을 덮으며 배치되는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되며, 상기 화소 정의막과 비중첩하는 요입부를 포함하는 제1 박막 봉지층;
    상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며, 적어도 일부가 상기 요입부 내에 배치되는 파장 변환층;
    상기 파장 변환층 상에 배치되는 제1 무기층;
    상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및
    상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 박막 봉지층의 상면은 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 박막 봉지층의 두께는 영역별로 균일한 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 파장 변환층의 하면은 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되는 표시 장치.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며, 상기 요입부와 부분적으로 중첩하며 공간적으로 연결되는 개구부를 포함하는 뱅크층을 더 포함하되,
    상기 파장 변환층의 적어도 일부는 상기 개구부 내에 배치되는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 개구부의 폭은 상측으로 갈수록 좁아지는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 뱅크층은 역테이퍼 구조의 격벽을 포함하는 표시 장치.
  19. 기판 상에 발광 소자층을 형성하는 단계;
    상기 발광 소자층 상에 상면이 상기 발광 소자층의 상면에 대해 컨포멀하게 배치되며, 요입부를 포함하는 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 제1 박막 봉지층 상에 개구부를 포함하는 뱅크층을 형성하는 단계;
    상기 요입부 및 개구부에 파장 변환층을 잉크젯 프린팅하는 단계;
    상기 뱅크층 및 상기 파장 변환층 상에 제1 무기층을 형성하는 단계;
    상기 제1 무기층 상에 유기층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 개구부는 상기 요입부를 노출하며,
    상기 뱅크층은 역테이퍼 구조의 격벽을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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