CN112310159A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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姜泰旭
金泰圣
崔大元
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基体；像素电极，位于第一基体上；像素限定层，具有至少部分地暴露像素电极的开口；发光层，位于像素电极上；辅助电极，与像素电极位于同一层上；分隔壁，位于辅助电极上，并且至少部分地暴露辅助电极的侧表面；有机层，位于分隔壁上；以及共电极，连续地布置在发光层和有机层上，其中，分隔壁的侧表面具有倒锥形形状，并且共电极接触辅助电极的侧表面。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
技术领域
本公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置正变得越来越重要。因此，正在开发诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光二极管显示装置(OLED)等的各种显示装置。
在这些显示装置之中，OLED包括作为自发光装置的有机发光装置(或有机发光二极管)。有机发光装置可以包括两个相对的电极和置于所述两个相对的电极之间的有机发光层。从所述两个电极提供的电子和空穴在发光层中复合以产生激子，并且所产生的激子从激发态跃迁到基态，使得可以发射光。
因为不需要单独的光源，所以OLED不仅可以形成为具有低功耗并轻薄，而且可以形成为具有高质量特性，诸如宽视角、高亮度和对比度、快速响应速度等。因此，OLED作为下一代显示装置正引起关注。
发明内容
本公开的实施例的方面提供了一种能够使电压降最小化或者减小电压降的可能性的显示装置。
本公开的实施例的方面还提供了一种制造能够使显示装置的电压降最小化并同时确保工艺的经济可行性的显示装置的方法。
根据本公开的实施例的方面，显示装置包括：第一基体；像素电极，位于第一基体上；像素限定层，具有至少部分地暴露像素电极的开口；发光层，位于像素电极上；辅助电极，与像素电极位于同一层处；分隔壁，位于辅助电极上，并且至少部分地暴露辅助电极的侧表面；有机层，位于分隔壁上；以及共电极，连续地布置在发光层和有机层上，其中，分隔壁的侧表面具有倒锥形形状，并且其中，共电极接触辅助电极的侧表面。
在示例性实施例中，分隔壁的侧表面与辅助电极的上表面之间的第一锥形角可以比像素限定层的侧表面与像素电极的上表面之间的第二锥形角大。
在示例性实施例中，分隔壁的侧表面可以接触共电极。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括电连接到辅助电极的补偿电极。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括位于第一基体与像素电极之间的源电极或漏电极，像素电极可以电连接到源电极或漏电极，并且补偿电极可以与源电极或漏电极位于同一层处。
在示例性实施例中，共电极可以电连接到补偿电极。
在示例性实施例中，分隔壁的下表面可以接触辅助电极，并且分隔壁的上表面可以接触有机层。
在示例性实施例中，分隔壁和像素限定层可以由相同的材料制成。
在示例性实施例中，分隔壁和像素限定层可以包括SiNx、SiOx或SiOxNy。
在示例性实施例中，分隔壁可以包括导电材料。
在示例性实施例中，有机层的下表面可以接触分隔壁，并且有机层的上表面可以接触共电极。
在示例性实施例中，有机层和发光层可以由相同的材料制成。
在示例性实施例中，有机层可以与发光层间隔开。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括位于共电极上的波长转换图案和透光图案，并且波长转换图案或透光图案可以在厚度方向上与像素限定层的开口叠置。
根据本公开的实施例的另一方面，显示装置包括：第一基体；像素电极，位于第一基体上；像素限定层，具有至少部分地暴露像素电极的开口；发光层，位于像素电极上；辅助电极，与像素电极位于同一层上；导电分隔壁，位于辅助电极上，并且包括位于辅助电极上的第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层；有机层，位于导电分隔壁上；以及共电极，连续地布置在发光层和有机层上，其中，第二金属层的端部比第一金属层的上表面的端部突出的远，并且其中，共电极接触第一金属层的侧表面。
在示例性实施例中，辅助电极可以电连接到共电极。
在示例性实施例中，第一金属层的下表面可以接触辅助电极，并且第一金属层的上表面可以接触第二金属层。
在示例性实施例中，第一金属层的下表面在第一方向上的宽度可以比第一金属层的上表面在第一方向上的宽度大。
在示例性实施例中，第一金属层在第三方向上的厚度可以比第二金属层在第三方向上的厚度大。
附图说明
本公开的上面和其它的方面和特征将通过参照附图描述本公开的示例性实施例而变得更清楚，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的透视图；
图2是图1的显示装置的平面图；
图3是沿着图2的线III-III′截取的剖视图；
图4是沿着图2的线IV-IV′截取的剖视图；
图5是图2的发光装置的放大剖视图；
图6至图7是示出图5的发光装置的修改示例的剖视图；
图8是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；
图9是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；
图10是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；
图11是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；以及
图12至图18是示出根据本公开的示例实施例的制造显示装置的方法的每个工艺的剖视图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照其中示出了公开的示例性实施例的附图更充分地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达公开的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层、元件或基底上、“连接到”或“结合到”另一层、元件或基底时，该层、元件或基底可以直接地在所述另一层、元件或基底上，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。贯穿说明书，相同的附图标记指示相同的组件。在附图中，为了清楚，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于说明，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含装置在使用中或在操作中的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”或“下方”的元件于是将被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下面”和“在……下方”可以包含上方和下面两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且在这里使用的空间相对描述符应该被相应地解释。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为本公开的限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的，单数形式“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，术语“包含”、“包括”及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
如在这里使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用是指“本公开的一个或更多个实施例”。另外，当描述本公开的实施例时，诸如“或”的选择性语言的使用是指针对列出的每个对应项的“本公开的一个或更多个实施例”。如在这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指代示例或说明。此外，如在这里使用的，“平面图”或“平面视图”可以是指自顶向下的视图或者从与显示面板的显示表面正交的方向观看的视图。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域和/或本说明书的上下文中它们的意思一致的意思，而不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
在下文中，参照附图描述本公开的示例实施例。
图1是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的透视图。图2是图1的显示装置的平面图。图3是沿着图2的线III-III'截取的剖视图。图4是沿着图2的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图1，显示装置1可以应用于各种电子装置，诸如中小型电子装置(诸如平板个人计算机(PC)、智能电话、汽车导航单元、相机、设置在车辆中的中央信息显示器(CID)、腕表型电子装置、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、游戏机等)以及大中型电子装置(诸如电视、外部广告牌、监视器、PC、笔记本计算机等)。以上描述仅作为示例呈现，可选地，在不脱离本公开的概念的情况下，显示装置1可以被应用在其它合适的电子装置中。
当在平面图中观看时，显示装置1可以形成为矩形形状。显示装置1可以包括在一个方向(例如，第一方向D1)上延伸的两条长边和在与第一方向D1交叉的另一方向(例如，第二方向D2)上延伸的两条短边。当在平面图中观看时，显示装置1的长边和短边在其处交汇的角部可以是直角，但是本公开不限于此，并且角部可以具有例如圆形弯曲形状。显示装置1的平面形状不限于图1中所示的平面形状，并且显示装置1可以具有正方形形状、圆形形状、椭圆形形状或任何其它合适的形状。
显示装置1可以包括其中显示图像(或者被构造为显示图像)的显示区域DA和设置在显示区域DA外部且其中不显示图像(或者被构造为不显示图像)的非显示区域NDA。显示区域DA可以设置在显示装置1的中心部分中，但是本公开不限于此。例如，显示区域DA可以设置在显示装置1的边缘区域中。
显示装置1可以包括第一基底10、面对第一基底10的第二基底30以及在第一基底10和第二基底30的边缘(或外围)处将第一基底10接合到第二基底30的密封构件50。
第一基底10可以包括用于显示图像的元件和电路(例如，诸如开关元件等的像素电路、限定显示区域DA的发光区域和非发光区域的像素限定层以及有机发光装置)。第一基底10可以是显示基底。
第二基底30设置在第一基底10上方并且面对第一基底10。第二基底30可以是包括用于转换入射光的颜色的颜色转换图案的颜色转换基底，但本公开不限于此。
在非显示区域NDA中，密封构件50可以设置在第一基底10与第二基底30之间。当在平面图中观看时，密封构件50可以在非显示区域NDA中沿着第一基底10和第二基底30的边缘(或外围)设置以围绕显示区域DA。第一基底10可以经由密封构件50结合到第二基底30。密封构件50可以包括有机材料(诸如环氧类树脂)，但本公开不限于此。
现在参照图3，被密封构件50围绕的填充层70可以进一步设置在第一基底10与第二基底30之间的空间中。填充层70可以填充第一基底10与第二基底30之间的空间。下面参照图3进一步详细描述填充层70。
参照图2，显示装置1的显示区域DA可以包括多个像素PX和补偿部CP。
补偿部CP可以通过减小由共电极150的高电阻引起的电压降(IR降)或使由共电极150的高电阻引起的电压降(IR降)最小化来用于提高多个像素PX的亮度均匀性，这将在下面进一步描述。
补偿部CP可以在多个像素PX之间(或设置在多个像素PX之间)。补偿部CP在图2中示出为沿着第一方向D1设置在多个像素PX之间，但多个像素PX和补偿部CP的布置不限于此。例如，补偿部CP可以沿着第二方向D2设置在多个像素PX之间或者可以部分地设置在多个像素PX的一侧或另一侧上。此外，补偿部CP可以与多个像素PX部分地叠置。
参照图3和图4，补偿部CP的第一基底10可以包括第一基体101、缓冲层BF、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第二导电层120、第三绝缘层IL3、第一电极130、分隔壁163、有机层143和共电极150。
上述层中的每个可以由单层形成，或者还可以由包括多个层的堆叠层形成。一个或更多个其它层可以进一步设置在上述层之间。
第一基体101可以由具有透光率的材料制成。例如，第一基体101可以是玻璃基底或塑料基底。当第一基体101是塑料基底时，第一基体101可以具有柔性。
缓冲层BF在第一基体101上(或设置在第一基体101上)。缓冲层BF可以大体在第一基体101的整个表面上(或设置在第一基体101的整个表面上)(或在整个第一基体101的表面上)。缓冲层BF可以防止杂质离子的扩散和水渗入，或者减小杂质离子的扩散和水渗入的可能性，并且可以执行表面平坦化功能(或者可以在设置(多个)附加层之前使表面平坦化)。缓冲层BF可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
第一绝缘层IL1在缓冲层BF上(或设置在缓冲层BF上)。第一绝缘层IL1可以大体设置在缓冲层BF的整个表面上(或者在整个缓冲层BF的表面上)。第一绝缘层IL1可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘层。第一绝缘层IL1可以包括硅化物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层IL1可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等中的一种或更多种。第一绝缘层IL1可以是单层或由不同材料的堆叠层制成的多层。
第二绝缘层IL2在第一绝缘层IL1上(或设置在第一绝缘层IL1上)。第二绝缘层IL2可以设置在第一基体101的整个表面之上(或上方)(或者可以在整个第一基体101的表面之上)。第二绝缘层IL2用于将第一导电层110与第二导电层120绝缘，这在下面进一步描述。
第二绝缘层IL2可以是层间绝缘层。第二绝缘层IL2可以包括与上述第一绝缘层IL1相同的材料，或者可以包括选自被例示为第一绝缘层IL1的构成材料的材料之中的一种或更多种材料。
第二导电层120在第二绝缘层IL2上(或设置在第二绝缘层IL2上)(例如，见图4)。第二导电层120可以是单层或者可以具有多层结构。例如，第二导电层120可以以Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等的堆叠结构形成。
第二导电层120可以包括补偿电极123。补偿电极123可以电连接到下面进一步描述的共电极150，并且可以用于补偿共电极150的电压降，以提高亮度均匀性。
补偿电极123可以由低电阻材料制成，以便减小由于因下面进一步描述的共电极150的厚度减小引起的高电阻而导致的电压降。
补偿电极123可以包括选自铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种金属。
第三绝缘层IL3覆盖第二导电层120。第三绝缘层IL3可以是过孔层。第三绝缘层IL3可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸类树脂(聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯撑类树脂、聚苯硫醚类树脂和/或苯并环丁烯(BCB)。
第一电极130可以在第三绝缘层IL3上(或设置在第三绝缘层IL3上)。第一电极130可以包括具有促进空穴注入的高逸出功的材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等。
第一电极130可以包括辅助电极135。辅助电极135可以用于将下面进一步描述的共电极150连接到补偿电极123。
辅助电极135可以通过穿过第三绝缘层IL3的开口(例如，接触孔)连接到补偿电极123。辅助电极135可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与补偿电极123叠置。
分隔壁163可以在第一电极130上(或设置在第一电极130上)。分隔壁163的下表面可以与辅助电极135的上表面直接接触，分隔壁163的上表面可以与有机层143的下表面直接接触。
分隔壁163的剖面形状可以具有倒锥形形状(或梯形形状)，也就是说，分隔壁163具有被截去顶端的倒锥形形状。例如，分隔壁163的侧表面可以具有倒锥形形状，也就是说，分隔壁163的侧表面可以是倒锥形形状的侧表面的一部分。分隔壁163的侧表面与辅助电极135的上表面之间的第一锥形角θ1可以在从约100°至约150°的范围内。可选地，第一锥形角θ1可以在从约110°至约130°的范围内，但本公开不限于此。
分隔壁163的上表面的宽度(例如，沿着第一方向D1的宽度)可以比分隔壁163的下表面的宽度大。分隔壁163的下表面可以被限定为与辅助电极135接触的表面，分隔壁163的上表面可以被限定为与分隔壁163的下表面相对的表面。
分隔壁163的下表面(例如，沿着第一方向D1)的宽度可以比辅助电极135的上表面的宽度小。此外，分隔壁163的上表面的宽度可以比辅助电极135的上表面的宽度大。如此，辅助电极135的侧表面可以由于分隔壁163的下表面而暴露并且被分隔壁163的上表面覆盖(例如，可以在平面图中被分隔壁163的上表面覆盖)。
具体地，分隔壁163的下表面可以暴露设置在辅助电极135的上表面的一侧(例如，第一侧)上的第一侧表面135a和设置在辅助电极135的上表面的另一侧(例如，第二侧)上的第二侧表面135b两者。辅助电极135的由于分隔壁163而暴露的第一侧表面135a和第二侧表面135b可以与下面进一步描述的共电极150直接接触。因此，可以减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降或使由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降最小化。
此外，辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与分隔壁163的上表面叠置，从而被分隔壁163的上表面覆盖。因此，即使在第一基体101之上形成有机层143或发光层141时，有机层143或发光层141也不设置在辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b上。因此，能够确保辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b与下面进一步描述的共电极150之间的接触。
分隔壁163可以由无机材料制成。无机材料可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
分隔壁163可以包括与下面进一步描述的像素限定层161相同的材料。此外，分隔壁163可以与下面进一步描述的像素限定层161同时地(或同步地)形成。
有机层143可以在分隔壁163上(或设置在分隔壁163上)。有机层143的下表面可以与分隔壁163的上表面直接接触，并且有机层143的上表面可以与共电极150直接接触。
有机层143可以包括发光材料，但是可以是其中基本上不发生发光的非发光层。有机层143和下面进一步描述的发光层141可以包括相同的材料并且可以具有相同的堆叠结构。有机层143可以包括空穴传输层、发光材料层、电子传输层等。此外，有机层143可以与发光层141同时地(或同步地)形成，如下面参照图4至图7进一步描述的。
通常，用作有机层143的材料可以具有低台阶覆盖率。因此，当分隔壁163形成为倒锥形形状时，有机层143可以仅部分地设置在分隔壁163的上表面上，并且可以不设置在分隔壁163的侧表面上。例如，有机层143可以不与分隔壁163的侧表面接触。
此外，如上所述，辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b可以在厚度方向上与分隔壁163的上表面叠置，从而被分隔壁163的上表面覆盖。因此，有机层143可以基本上不设置在辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b上。例如，有机层143可以不与辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b接触。因此，如上所述，能够确保辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b与如下面进一步描述的共电极150之间的接触。
有机层143是与发光层141同时地(或同步地)形成的公共层。然而，有机层143由于因分隔壁163引起的台阶而与发光层141间隔开，使得有机层143可以不与发光层141接触。
共电极150可以在有机层143上(或设置在有机层143上)。共电极150可以是形成在第一基体101之上的公共层。共电极150的下表面可以与有机层143、分隔壁163的侧表面以及辅助电极135直接接触，并且共电极150的上表面可以与第一无机封装层171直接接触。
共电极150可以具有半透射率或透射率。共电极150可以包括具有低逸出功以易于电子注入的材料，例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF2、Ba或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。共电极150还可以包括设置在具有低逸出功的材料层上的透明导电氧化物。例如，共电极150可以包括透明导电氧化物，诸如ITO、IZO、铟锡锌氧化物(ITZO)、ZnO、氧化锡等。
为了增加共电极150的透光率，共电极150可以以相对小(或非常薄)的厚度形成。由于共电极150的厚度的减小，共电极150的电阻会增大从而引起显示装置1的电压降。例如，显示装置1的中心部分的亮度会劣化，并且随着显示装置1具有大面积，电压降的现象会严重。因此，在根据本公开的实施例的显示装置1中，共电极150电连接到补偿电极123，使得可以使由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降最小化或减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降。
具体地，因为共电极150具有比有机层143高的台阶覆盖率，所以即使当分隔壁163形成为倒锥形形状时，共电极150也可以沉积在分隔壁163下方的结构的一个表面上。例如，共电极150可以设置为覆盖辅助电极135、分隔壁163和有机层143中的每个的一个表面。也就是说，共电极150可以在辅助电极135、分隔壁163和有机层143上连接而不断开。
共电极150可以设置在分隔壁163的侧表面上。也就是说，共电极150可以与分隔壁163的侧表面直接接触。此外，共电极150可以设置在辅助电极135的由于分隔壁163而暴露的第一侧表面135a和第二侧表面135b上。也就是说，共电极150可以与辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b直接接触。共电极150可以通过辅助电极135电连接到补偿电极123。因此，即使当共电极150的厚度形成为小(或薄)时，也可以由于补偿电极123而减小电压降或使电压降最小化，使得可以防止显示装置1的亮度的劣化，或者可以减小显示装置1的亮度的劣化的可能性。
薄膜封装层170在共电极150上(或设置在共电极150上)。薄膜封装层170可以是形成在共电极150之上的公共层。薄膜封装层170可以直接覆盖共电极150。薄膜封装层170可以包括顺序地堆叠在共电极150上的第一无机封装层171、有机封装层172和第二无机封装层173。
第一无机封装层171和第二无机封装层173中的每个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiOxNy)、氟化锂等制成。
有机封装层172可以由丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、苝类树脂等制成。
然而，薄膜封装层170的结构不限于上述示例，并且可以对薄膜封装层170的堆叠结构进行各种修改。
第二基底30可以设置在第一基底10上方。
第二基底30可以包括第二基体301、光阻挡层390、第一盖层PS1和第二盖层PS2。
第二基体301可以由具有透光率的材料制成。第二基体301可以包括玻璃基底或塑料基底。第二基体301还可以包括设置在玻璃基底或塑料基底上的单独的层，例如，诸如无机层等的绝缘层。
光阻挡层390可以在第二基体301的面对第一基底10的一个表面上(或设置在第二基体301的面对第一基底10的一个表面上)，例如，在第二基体301的下表面上。光阻挡层390可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过涂覆并曝光有机光阻挡材料的工艺形成。光阻挡层390可以吸收外部光以用于防止补偿部CP的设置在光阻挡层390下面的结构被从外部观看，或者可以减小补偿部CP的在光阻挡层390下面的结构对于外部可见的可能性。
第一盖层PS1可以在第二基体301和光阻挡层390上(或设置在第二基体301和光阻挡层390上)。第一盖层PS1可以由无机材料制成。例如，第一盖层PS1可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、SiOxNy等。
第二盖层PS2可以在第一盖层PS1上(或设置在第一盖层PS1上)。第二盖层PS2可以由无机材料制成。第二盖层PS2可以由与第一盖层PS1相同的材料制成，或者可以包括被例示为第一盖层PS1的构成材料的材料中的至少一种。
填充层70可以在第二基底30的第二盖层PS2与第一基底10的薄膜封装层170之间(或设置在第二基底30的第二盖层PS2与第一基底10的薄膜封装层170之间)。填充层70可以与第二盖层PS2直接接触。填充层70可以由能够透射光的材料制成。填充层70可以由有机材料制成。有机材料的示例可以包括硅类有机材料和环氧类有机材料，但本公开不限于此。可选地，在一些实施例中，可以省略填充层70。
如上所述，补偿部CP的补偿电极123可以电连接到共电极150。因此，即使当共电极150的厚度减小并且因此电阻增大时，也可以由于补偿电极123而使电压降最小化或减小电压降，使得可以防止显示装置1的亮度的劣化，或者可以减小显示装置1的亮度的劣化的可能性。
在下文中，进一步详细地描述像素PX。
再次参照图2，多个像素PX可以设置在第一方向D1上或第二方向D2上。
像素PX中的每个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。
第一子像素SP1可以发射具有第一颜色的第一发射光L1，第二子像素SP2可以发射具有第二颜色的第二发射光L2，第三子像素SP3可以发射具有第三颜色的第三发射光L3。例如，具有第一颜色的第一发射光L1可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，具有第二颜色的第二发射光L2可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，具有第三颜色的第三发射光L3可以是具有在约430nm至约470nm的范围内的峰值波长的蓝光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以在行方向和列方向上交替地布置。可选地，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以以条形(stripe，也被称为条带)方式布置，但本公开不限于此，并且第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以以诸如具有包括两个第一子像素SP1、两个第二子像素SP2和一个中心的第三子像素SP3的五个像素的簇的
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(
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是三星显示有限公司的注册商标)方式的各种方式(例如，以梅花形等方式)设置。
参照图4，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以分别包括与第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3对应的光透射区域PA1、PA2和PA3以及光阻挡区域PB。光透射区域PA1、PA2和PA3可以是其中从第一基底10发射的光穿过第二基底30以行进到显示装置1的外部的区域。光阻挡区域PB可以是其中不透射从第一基底10发射的光的区域。光阻挡区域PB可以设置为围绕光透射区域PA1、PA2和PA3。光透射区域PA1、PA2和PA3以及光阻挡区域PB可以通过下面进一步描述的光阻挡层390来区分。光透射区域PA1、PA2和PA3以及光阻挡区域PB可以限定在第二基底30上。
此外，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以包括分别与第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3对应的发光区域。发光区域可以是由于下面进一步描述的发光层141而发光的区域。非发光区域可以设置在发光区域周围。例如，非发光区域可以设置为围绕发光区域。发光区域和非发光区域可以通过下面进一步描述的像素限定层161来区分。从发光区域发射的所有类型的光L可以具有相同的峰值波长，并且可以通过设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的波长转换图案341和343、透光图案345和/或如下面进一步描述的滤色器层330转换为第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的对应的发射颜色。
像素PX的第一基底10可以包括第一基体101、缓冲层BF、半导体层ACT、第一绝缘层IL1、第一导电层110、第二绝缘层IL2、第二导电层120、第三绝缘层IL3、像素限定层161以及发光装置ED1、ED2和ED3。上述层中的每个可以由单层形成或者还可以由多个层形成，例如，可以具有堆叠结构。另一层可以进一步设置在上述层之间。参照图3描述第一基体101、缓冲层BF、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3，因此可以省略其重复的描述。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BF与第一绝缘层IL1之间。半导体层ACT可以形成像素PX的多个晶体管的沟道。半导体层ACT可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。
当半导体层ACT由多晶硅制成并且掺杂有离子时，离子掺杂的半导体层ACT可以具有导电性。因此，半导体层ACT不仅可以包括多个晶体管的沟道区，而且可以包括所述多个晶体管的源区和漏区。源区和漏区可以连接到沟道区中的每个的两侧。
在另一实施例中，半导体层ACT可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四元化合物(ABxCyDz)。在实施例中，半导体层ACT可以包括ITZO(其是包括铟、锡和锌的氧化物)或铟镓锌氧化物(IGZO)(其是包括铟、镓和锌的氧化物)。
第一导电层110可以设置在第一绝缘层IL1与第二绝缘层IL2之间。第一导电层110可以包括选自Mo、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Ti、Ta、W和Cu之中的一种或更多种金属。第一导电层110可以是单层或者可以具有多层结构。第一导电层110可以包括晶体管的栅电极和存储电容器的第一电极。
第二导电层120可以设置在第二绝缘层IL2与第三绝缘层IL3之间。第二导电层120不仅可以包括上述补偿电极123，而且可以包括晶体管的源电极121和漏电极122。源电极121和漏电极122可以通过穿过第二绝缘层IL2和第一绝缘层IL1的开口(例如，接触孔)分别连接到半导体层ACT的源区和漏区。
第一电极130可以设置在第三绝缘层IL3上。第一电极130不仅可以包括上述辅助电极135，而且可以包括第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133。第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133可以分别设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中。第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133中的每个可以通过穿过第三绝缘层IL3的开口(例如，接触孔)连接到源电极121或漏电极122。
像素限定层161可以在第一电极130上(或设置在第一电极130上)。像素限定层161沿着第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的边界设置。像素限定层161可以包括部分地暴露第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133的开口。像素限定层161可以设置为暴露第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133的中心部分并且设置为覆盖第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133的侧表面。
像素限定层161的开口可以限定第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的发光区域。
像素限定层161可以包括与上述分隔壁163相同的材料。例如，像素限定层161可以由无机材料制成。无机材料可以包括SiOx、SiNx或SiOxNy。根据实施例，像素限定层161可以用于阻挡从相邻层产生的排气被引入到发光层141中。
例如，当第三绝缘层IL3由有机材料形成时，排气会从第三绝缘层IL3产生并被引入到发光层141中从而引起发光装置的劣化。因此，当设置在第三绝缘层IL3上的像素限定层161由无机材料形成时，能够有效地防止元件由于排气而劣化，或者减小由于排气而劣化的可能性。
与分隔壁163不同，像素限定层161的剖面形状可以具有正锥形形状。也就是说，像素限定层161的侧表面可以具有正锥形形状。像素限定层161的侧表面与第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133中的每个的上表面之间的第二锥形角θ2可以比分隔壁163的侧表面与辅助电极135的上表面之间的第一锥形角θ1小。
像素限定层161可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与光阻挡层390和/或间隔壁370至少部分地叠置。下面提供其附加描述。
发光层141可以设置在第一电极130和像素限定层161上。发光层141可以具有形成在第一电极130和像素限定层161之上的连续层的形状。发光层141可以设置在被像素限定层161的开口暴露(例如，至少部分地暴露)的第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133上，以与第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133接触。
参照图5至图7进一步详细描述发光层141。
图5是图2的发光装置的放大剖视图。图6和图7是示出图5的发光装置的修改示例的剖视图。
参照图5，发光层141可以具有其中堆叠有多个层的结构。例如，发光层141可以包括第一空穴传输层HTL1、第一发光材料层EL11和第一电子传输层ETL1。第一空穴传输层HTL1可以设置在第一像素电极131上，第一发光材料层EL11可以设置在第一空穴传输层HTL1上，第一电子传输层ETL1可以设置在第一发光材料层EL11上。第一发光材料层EL11可以发射蓝光，但本公开不限于此。
此外，如图6中所示，发光层141还可以包括第一电荷生成层CGL11和第二发光材料层EL12。第一电荷生成层CGL11可以设置在第一发光材料层EL11上，并且第二发光材料层EL12可以设置在第一电荷生成层CGL11上。
第一电荷生成层CGL11可以用于将电荷注入到相邻的发光材料层EL11和EL12中，并且用于调节第一发光材料层EL11与第二发光材料层EL12之间的电荷平衡。第一电荷生成层CGL11可以包括n型电荷生成层和p型电荷生成层。p型电荷生成层可以设置在n型电荷生成层上。
第二发光材料层EL12可以发射与第一发光材料层EL11的颜色的光相同的颜色的光。例如，第二发光材料层EL12可以发射具有与第一发光材料层EL11相同的峰值波长的蓝光，或者可以发射具有与第一发光材料层EL11的峰值波长不同的峰值波长的蓝光。然而，本公开不限于此，并且第二发光材料层EL12可以发射与第一发光材料层EL11的颜色的光不同的颜色的光。例如，第二发光材料层EL12可以发射绿光，并且第一发光材料层EL11可以发射蓝光。与图5中所示的实施例相比，根据图6中所示的实施例，发光层141包括两个发光材料层EL11和EL12，使得发光效率和寿命可以提高。
此外，如图7中所示，发光层141还可以包括第二电荷生成层CGL12和第三发光材料层EL13。第二电荷生成层CGL12可以设置在第二发光材料层EL12上，并且第三发光材料层EL13可以设置在第二电荷生成层CGL12上。
第三发光材料层EL13可以发射与第一发光材料层EL11和/或第二发光材料层EL12的颜色的光相同的颜色的光。例如，第三发光材料层EL13可以发射具有与第一发光材料层EL11和/或第二发光材料层EL12的峰值波长相同的峰值波长的蓝光，或者可以发射具有与第一发光材料层EL11和/或第二发光材料层EL12的峰值波长不同的峰值波长的蓝光。然而，本公开不限于此，第三发光材料层EL13可以发射与第一发光材料层EL11和/或第二发光材料层EL12的颜色的光不同的颜色的光。例如，第一发光材料层EL11、第二发光材料层EL12和第三发光材料层EL13中的每个可以发射蓝光或绿光，或者第一发光材料层EL11、第二发光材料层EL12和第三发光材料层EL13可以发射红光、绿光和蓝光，使得发光材料层EL11、EL12和EL13的整体可以发射白光(或者使得第一发光材料层EL11、第二发光材料层EL12和第三发光材料层EL13一起发射白光)。
再次参照图4，共电极150可以设置在发光层141上。共电极150可以是形成在发光层141之上的公共层。
第一像素电极131、发光层141和共电极150可以构成第一发光装置ED1，第二像素电极132、发光层141和共电极150可以构成第二发光装置ED2，第三像素电极133、发光层141和共电极150可以构成第三发光装置ED3。从第一发光装置ED1、第二发光装置ED2和第三发光装置ED3发射的光L可以被提供到第二基底30。
薄膜封装层170在共电极150上(或设置在共电极150上)。参照图3描述了薄膜封装层170，因此可以省略其重复的描述。
面板光阻挡层180可以在薄膜封装层170上(或设置在薄膜封装层170上)。面板光阻挡层180可以设置为与非发光区域(例如，像素限定层161)叠置。面板光阻挡层180可以防止由于相邻的发光区域之间的光侵入而导致的混色发生或减小混色发生的可能性，使得可以进一步提高颜色再现性。面板光阻挡层180可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过涂覆并曝光有机光阻挡材料的工艺形成。
第二基底30可以设置在第一基底10的面板光阻挡层180上方。
第二基底30可以包括第二基体301、光阻挡层390、滤色器层330、间隔壁370、波长转换图案341和343、透光图案345、第一盖层PS1和第二盖层PS2。参照图3描述了第二基体301、第一盖层PS1和第二盖层PS2，因此可以省略其重复的描述。
光阻挡层390在第二基体301上(或设置在第二基体301上)。光阻挡层390可以设置为沿着多个光透射区域PA1、PA2和PA3的边界与光阻挡区域PB叠置。光阻挡层390可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与下面进一步描述的间隔壁370叠置。光阻挡层390可以吸收外部光以减少由于外部光的反射而造成的颜色失真。此外，光阻挡层390可以防止由于相邻的光透射区域PA1、PA2和PA3之间的光侵入而导致的混色发生或减小混色发生的可能性，使得可以进一步提高颜色再现性。
滤色器层330可以设置在光阻挡层390与第一盖层PS1之间。滤色器层330可以包括第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333。第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333可以设置为分别与第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3叠置。此外，第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333可以分别设置为与第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的光透射区域PA1、PA2和PA3叠置。此外，第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333之间的边界可以位于光阻挡区域PB中。
第一滤色器331、第二滤色器332和第三滤色器333中的每个可以选择性地透射特定颜色的光并且吸收与特定颜色的光不同的颜色的光，从而防止不同的颜色的光穿过其行进，或者可以减小不同的颜色的光穿过其行进的可能性。
例如，第一滤色器331可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)并且阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。第一滤色器331可以是红色滤色器，并且可以包括红色着色剂，诸如红色染料或红色颜料。在本公开中，着色剂可以被理解为包括染料和颜料两者的概念。
此外，第二滤色器332可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。第二滤色器332可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色着色剂，诸如绿色染料或绿色颜料。
此外，第三滤色器333可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。第三滤色器333可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色着色剂，诸如蓝色染料或蓝色颜料。
滤色器层330可以与第一盖层PS1直接接触。第一盖层PS1可以防止杂质(诸如从外部渗入的湿气或空气)损坏或污染滤色器层330，或者可以减小杂质(诸如从外部渗入的湿气或空气)损坏或污染滤色器层330的可能性。此外，第一盖层PS1可以防止包括在滤色器层330中的着色剂扩散到另一构造，或者可以减小包括在滤色器层330中的着色剂扩散到另一构造的可能性。
间隔壁370可以设置在第一盖层PS1与第二盖层PS2之间。间隔壁370可以设置为沿着多个光透射区域PA1、PA2和PA3的边界与光阻挡区域PB叠置。间隔壁370可以包括暴露第一盖层PS1的一个表面的与光透射区域PA1、PA2和PA3叠置的区域的开口。下面进一步描述的波长转换图案341和343以及透光图案345可以设置在间隔壁370的开口中。间隔壁370可以用作用于将用于形成波长转换图案341和343以及透光图案345的油墨组合物稳定地定位在期望位置处的引导件。
间隔壁370可以由有机材料制成，例如，可以由光敏有机材料制成。光敏有机材料可以是其中在光照射部分中发生固化的负光敏材料，但本公开不限于此。间隔壁370还可以包括光阻挡材料。根据实施例，间隔壁370可以设置为与光阻挡区域PB叠置以阻挡光透射。
波长转换图案341和343以及透光图案345可以设置在间隔壁370的开口中。波长转换图案341和343以及透光图案345可以设置在基本上相同的水平处(或者可以沿着第三方向D3具有相同或基本上相同的高度)。
波长转换图案341和343以及透光图案345可以设置在间隔壁370的开口内。因此，波长转换图案341和343以及透光图案345的上表面可以与第一盖层PS1接触，波长转换图案341和343以及透光图案345的侧表面可以与间隔壁370接触。波长转换图案341和343以及透光图案345可以使用油墨组合物以喷墨方式形成。然而，本公开不限于此，波长转换图案341和343以及透光图案345可以通过施用光敏材料并且曝光并显影光敏材料来形成。
波长转换图案341和343可以将入射光的峰值波长转换为特定峰值波长，以发射具有特定峰值波长的光。波长转换图案341和343可以包括第一波长转换图案341和第二波长转换图案343。
第一波长转换图案341可以设置为与第一子像素SP1的光透射区域PA1(以下也被称为第一光透射区域PA1)叠置，并且可以不设置在第二子像素SP2和第三子像素SP3的光透射区域PA2和PA3中。也就是说，第一波长转换图案341可以不与第二子像素SP2和第三子像素SP3叠置。
第一波长转换图案341可以将蓝光转换为在从约610nm至约650nm的范围内的红光以发射红光。第一波长转换图案341的厚度可以在从约3μm至约15μm的范围内。
第一波长转换图案341可以包括第一基体树脂341a以及分布在第一基体树脂341a中的第一波长转换材料341b和/或第一散射体341c。
只要第一基体树脂341a是具有高透光率且针对第一波长转换材料341b和第一散射体341c具有优异的分布性质的材料，第一基体树脂341a就不受具体限制。例如，第一基体树脂341a可以由具有高透光率的有机材料制成。有机材料的示例可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂和酰亚胺类树脂中的一种或更多种。
第一波长转换材料341b可以将入射光的峰值波长转换为特定峰值波长。第一波长转换材料341b的示例包括量子点、量子棒和磷光体。量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射特定波长的光的粒子物质。
量子点可以是半导体纳米晶材料。量子点可以根据成分和尺寸具有特定带隙，并且吸收光以发射具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶材料的示例可以包括基于IV族的纳米晶材料、基于II-VI族的纳米晶化合物、基于III-V族的纳米晶化合物、基于IV-VI族的纳米晶化合物或它们的组合。
基于IV族的纳米晶材料的示例可以包括硅(Si)、锗(Ge)或二元化合物(诸如碳化硅(SiC)、硅-锗(SiGe)等)，但本公开不限于此。
此外，基于II-VI族的纳米晶化合物的示例可以包括二元化合物(诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物)、三元化合物(诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物)或四元化合物(诸如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物)，但本公开不限于此。
此外，基于III-V族的纳米晶化合物的示例可以包括二元化合物(诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物)、三元化合物(诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物)或四元化合物(诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlNP、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物)，但本公开不限于此。
基于IV-VI族的纳米晶化合物的示例可以包括二元化合物(诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物)、三元化合物(诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物)或四元化合物(诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物)，但本公开不限于此。
量子点可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括具有上述纳米晶的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作用于防止核的化学改性以保持半导体特性的保护层和/或用作用于赋予量子点电泳特性的荷电层。壳可以是单层或多层。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
金属或非金属氧化物的示例可以包括二元化合物(诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO)或三元化合物(诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4)，但本公开不限于此。
此外，半导体化合物的示例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP和AlSb，但本公开不限于此。
相对于光发射波长光谱，从第一波长转换材料341b发射的光可以具有约45nm或更小、或者约40nm或更小、或者约30nm或更小的半峰全宽(FWHM)。因此，可以提高由显示装置1显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。此外，从第一波长转换材料341b发射的光可以在各个方向上照射，而与入射光的入射方向无关。因此，可以提高显示装置1的侧表面的可见性。
从第一发光装置ED1发射的一定量的光L可以穿过第一波长转换图案341以发射，而未被第一波长转换材料341b转换为红光。光L中的未被第一波长转换图案341转换而入射在第一滤色器331上的分量可以被第一滤色器331阻挡。另一方面，被第一波长转换图案341转换的红光可以穿过第一滤色器331而发射到外部。因此，从第一光透射区域PA1发射到外部的第一发射光L1可以是红光。
第一散射体341c可以具有与第一基体树脂341a的折射率不同的折射率，并且与第一基体树脂341a形成光学界面。例如，第一散射体341c可以是光散射颗粒。只要第一散射体341c是能够散射至少一定量的透射光的材料，第一散射体341c就不受具体限制。例如，第一散射体341c可以是金属氧化物或有机颗粒材料的颗粒。金属氧化物的示例可以包括二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)，有机颗粒材料的示例可以包括丙烯酸类树脂和氨基甲酸酯类树脂。第一散射体341c可以沿着随机方向散射穿过第一波长转换图案341的光，而与入射光的入射方向无关且基本上不转换光的波长。因此，可以增加穿过第一波长转换图案341的光的路径长度，并且可以增加第一波长转换材料341b的颜色转换效率。
第二波长转换图案343可以设置为与第二子像素SP2的第二光透射区域PA2叠置，并且可以不设置在第一子像素SP1的第一光透射区域PA1和第三子像素SP3的第三光透射区域PA3中。也就是说，第二波长转换图案343可以不与第一光透射区域PA1和第三光透射区域PA3叠置。
第二波长转换图案343可以将蓝光转换为在从约510nm至约550nm的范围内的绿光以发射绿光。
第二波长转换图案343可以包括第二基体树脂343a以及分布在第二基体树脂343a中的第二波长转换材料343b和/或第二散射体343c。
只要第二基体树脂343a是具有高透光率且针对第二波长转换材料343b和第二散射体343c具有优异的分布性质的材料，第二基体树脂343a就不受具体限制。例如，第二基体树脂343a可以包括与上述第一基体树脂341a相同的材料，或者可以包括选自被例示为第一基体树脂341a的构成材料的材料之中的一种或更多种材料。
第二波长转换材料343b可以将入射光的峰值波长转换为特定峰值波长。第二波长转换材料343b可以将具有在从约430nm至约470nm的范围内的峰值波长的蓝光转换为具有在从约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光。
第二波长转换材料343b的示例包括量子点、量子棒和/或磷光体。当第二波长转换材料343b和第一波长转换材料341b两者由量子点制成时，构成第一波长转换材料341b的量子点的直径可以比构成第二波长转换材料343b的量子点的直径大。例如，第一波长转换材料341b的量子点的尺寸可以在从约
Figure BDA0002598706970000221
至
Figure BDA0002598706970000222
的范围内。此外，第二波长转换材料343b的量子点的尺寸可以在从约
Figure BDA0002598706970000231
至约
Figure BDA0002598706970000232
的范围内。
从第二发光装置ED2提供的一定量的光L可以穿过第二波长转换图案343以发射，而未被第二波长转换材料343b转换为绿光。光L中的未被第二波长转换图案343转换而入射在第二滤色器332上的分量可以被第二滤色器332阻挡。另一方面，被第二波长转换图案343转换的绿光可以穿过第二滤色器332而发射到外部。因此，从第二光透射区域PA2发射到外部的第二发射光L2可以是绿光。除了以上描述之外，第二波长转换材料343b可以与上述第一波长转换材料341b基本上相同或相似，因此可以省略其重复的描述。
第二散射体343c可以具有与第二基体树脂343a的折射率不同的折射率，并且可以与第二基体树脂343a形成光学界面。例如，第二散射体343c可以是光散射颗粒。除了以上描述之外，第二散射体343c可以与上述第一散射体341c基本上相同或相似，因此可以省略其重复的描述。
透光图案345可以设置为与第三子像素SP3的第三光透射区域PA3叠置。此外，透光图案345可以不设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2的光透射区域PA1和PA2中。也就是说，透光图案345可以不与第一子像素SP1和第二子像素SP2叠置。
透光图案345可以透射从第三发光装置ED3提供的光L以将光L提供到第三滤色器333。也就是说，被提供到第三滤色器333的光可以是蓝光，并且可以具有与从第三发光装置ED3发射的光L相同的波长。
透光图案345可以包括第三基体树脂345a和分布在第三基体树脂345a中的第三散射体345b。
只要第三基体树脂345a是具有高透光率且针对第三散射体345b具有优异的分布性质的材料，第三基体树脂345a就不受具体限制。例如，第三基体树脂345a可以由与上述第一基体树脂341a相同的材料形成，或者可以包括选自被例示为第一基体树脂341a的构成材料的材料之中的一种或更多种材料。
第三散射体345b可以具有与第三基体树脂345a的折射率不同的折射率，并且可以与第三基体树脂345a形成光学界面。例如，第三散射体345b可以是光散射颗粒。除了以上描述之外，第三散射体345b可以与上述第一散射体341c基本上相同或相似，因此可以省略其重复的描述。
第二盖层PS2可以设置在波长转换图案341和343以及透光图案345上。第二盖层PS2可以覆盖透光图案345、波长转换图案341和343以及间隔壁370中的每个的一个表面。第二盖层PS2可以与第一盖层PS1一起密封波长转换图案341和343以及透光图案345。因此，能够防止或基本上防止杂质(诸如从外部渗入的湿气或空气)损坏或污染波长转换图案341和343以及透光图案345。
第二盖层PS2可以覆盖透光图案345、波长转换图案341和343以及间隔壁370中的每个的一个表面。第二盖层PS2可以与第一盖层PS1一起密封波长转换图案341和343以及透光图案345。因此，能够防止或基本上防止杂质(诸如从外部渗入的湿气或空气)损坏或污染波长转换图案341和343以及透光图案345。
根据上述显示装置1，补偿部CP的补偿电极123可以电连接到共电极150，以使显示装置1的电压降最小化或减小显示装置1的电压降。因此，即使当共电极150的厚度形成为小，或者显示装置1被实现为大面积显示装置时，也能够使显示装置1的亮度的劣化最小化或防止显示装置1的亮度的劣化，或者减小显示装置1的亮度的劣化的可能性。
在下文中，描述另一实施例。在下面的实施例中，相同的附图标记将被分配给与上述组件相同的组件，并且可以省略或简化重复的描述。
图8是示出根据本公开的另一实施例的补偿部的剖视图。
参照图8，根据本实施例的补偿部CP2与根据图1至图7的实施例的补偿部CP的不同之处在于补偿部CP2包括导电分隔壁165。
例如，导电分隔壁165可以设置在第一电极130上。导电分隔壁165可以设置在辅助电极135与有机层143之间。导电分隔壁165的下表面可以与辅助电极135的上表面接触，导电分隔壁165的上表面可以与有机层143的下表面直接接触。
导电分隔壁165可以包括选自Mo、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Ti、Ta、W和Cu之中的一种或更多种金属。
导电分隔壁165的剖面形状可以具有倒锥形形状。也就是说，导电分隔壁165的侧表面可以具有倒锥形形状。导电分隔壁165的侧表面与辅助电极135的上表面之间的第一锥形角θ1可以在从约95°至约150°的范围内。可选地，第一锥形角θ1可以在从约105°至约120°的范围内，但本公开不限于此。
导电分隔壁165的上表面的宽度可以比其下表面的宽度大。导电分隔壁165的下表面可以被限定为与辅助电极135接触的表面，导电分隔壁165的上表面可以被限定为与导电分隔壁165的下表面相对的表面。
导电分隔壁165的下表面的宽度可以比辅助电极135的上表面的宽度小。可选地，导电分隔壁165的上表面的宽度可以比辅助电极135的上表面的宽度大。导电分隔壁165的下表面可以暴露设置在辅助电极135的上表面的一侧上的第一侧表面135a和设置在辅助电极135的上表面的另一侧上的第二侧表面135b两者。
辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与导电分隔壁165的上表面叠置，从而被导电分隔壁165的上表面覆盖。因此，即使在第一基体101之上形成有机层143或发光层141时，有机层143或发光层141也不设置在辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b上。因此，能够确保辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b与共电极150之间的接触。因此，如上所述，可以使由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降最小化或减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降。
此外，如上所述，当导电分隔壁165形成为倒锥形形状时，有机层143可以仅设置在导电分隔壁165的上表面上，并且可以实际上未设置在导电分隔壁165的侧表面上。也就是说，导电分隔壁165的侧表面可以不被有机层143覆盖而是可以被暴露。另一方面，具有比有机层143的台阶覆盖率高的台阶覆盖率的共电极150也可以设置在导电分隔壁165的侧表面上。也就是说，共电极150可以与导电分隔壁165的侧表面直接接触。因此，导电分隔壁165可以用作与辅助电极135基本上相同的电极。也就是说，共电极150可以通过导电分隔壁165和辅助电极135电连接到补偿电极123。因此，可以较有效地防止由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降，或者可以减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降的可能性。
除了上述组件之外的其它组件与参照图3描述的组件基本上相同或相似，因此可以省略其重复的描述。
图9是示出根据本公开的又一实施例的补偿部的剖视图。
参照图9，根据本实施例的补偿部CP3与根据图8的实施例的补偿部CP2的不同之处在于导电分隔壁165_1包括第一金属层165a和第二金属层165b。
第一金属层165a和第二金属层165b可以顺序地堆叠。也就是说，第一金属层165a可以设置在辅助电极135与第二金属层165b之间，并且第二金属层165b可以设置在第一金属层165a与有机层143之间。
第一金属层165a和第二金属层165b可以包括选自Mo、甲基三氧化铼(MTO)、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Ti、Ta、W和Cu之中的一种或更多种金属。第一金属层165a和第二金属层165b可以由不同的材料制成。例如，第一金属层165a可以由Mo形成，并且第二金属层165b可以包括MTO。
第一金属层165a的厚度可以比第二金属层165b的厚度大。
第一金属层165a的上表面的宽度可以比其下表面的宽度小。可选地，第一金属层165a的上表面的宽度可以比第二金属层165b的下表面的宽度小。第一金属层165a的下表面的宽度可以比第二金属层165b的下表面的宽度小。
第一金属层165a可以暴露辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b。辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与第二金属层165b叠置，从而被第二金属层165b覆盖。因此，即使在第一基体101之上形成有机层143或发光层141时，有机层143或发光层141也不设置在辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b上。因此，能够确保辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b与共电极150之间的接触。因此，如上所述，可以使由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降最小化或减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降。
此外，第二金属层165b的端部可以比第一金属层165a的上表面的端部突出。第一金属层165a的侧表面可以被第二金属层165b至少部分地覆盖。因此，有机层143可以设置在第二金属层165b的上表面上，并且可以不设置在第一金属层165a的侧表面上。也就是说，第一金属层165a的侧表面可以不被有机层143覆盖而是可以被暴露。另一方面，具有比有机层143的台阶覆盖率高的台阶覆盖率的共电极150也可以设置在第一金属层165a的侧表面上。也就是说，共电极150可以与第一金属层165a的侧表面直接接触。因此，第一金属层165a的侧表面可以用作与辅助电极135基本上相同的电极。也就是说，共电极150可以通过第一金属层165a和辅助电极135电连接到补偿电极123。因此，如上所述，可以较有效地防止或者可以减小由于共电极150的厚度的减小而引起的电压降。
图10是示出根据本公开的另一实施例的补偿部的剖视图。
参照图10，根据本实施例的补偿部CP4与根据图8和图9的实施例的补偿部CP2和CP3的不同之处在于导电分隔壁165_2包括第一金属层165a'、第二金属层165b'和第三金属层165c'。
第一金属层165a'、第二金属层165b'和第三金属层165c'顺序地堆叠。第一金属层165a'的下表面可以与辅助电极135接触，并且第一金属层165a'的上表面可以与第二金属层165b'的下表面接触。此外，第二金属层165b'的上表面可以与第三金属层165c'的下表面接触，并且第三金属层165c'的上表面可以与有机层143的下表面接触。
第一金属层165a'、第二金属层165b'和第三金属层165c'可以包括选自Al、Ti、Mo、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Ta、W和Cu之中的一种或更多种金属。第一金属层165a'和第三金属层165c'可以由相同的材料制成，并且第一金属层165a'和第二金属层165b'可以由不同的材料制成。例如，第一金属层165a'和第三金属层165c'可以由Ti制成，并且第二金属层165b'可以由Al制成。
第一金属层165a'的厚度(例如，在第三方向D3上的厚度)可以比第二金属层165b'的厚度小。此外，第三金属层165c'的厚度可以比第二金属层165b'的厚度小。第三金属层165c'的厚度可以与第一金属层165a'的厚度基本上相同(或相等)。
第一金属层165a'的宽度(例如，在第一方向D1上的宽度)可以比第二金属层165b'的上表面或下表面的宽度大。此外，第三金属层165c'的宽度可以比第二金属层165b'的上表面或下表面的宽度大。第二金属层165b'的上表面的宽度可以比其下表面的宽度小。
第一金属层165a'可以暴露辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b。辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与第三金属层165c'叠置，因此在厚度方向上被第三金属层165c'覆盖。因此，即使在第一基体101之上形成有机层143或发光层141时，有机层143或发光层141也不设置在辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b上。因此，能够确保辅助电极135的第一侧表面135a和第二侧表面135b与共电极150之间的接触。因此，如上所述，可以使由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降最小化或减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降。
此外，第三金属层165c'的端部可以比第二金属层165b'的上表面的端部突出。第二金属层165b'的侧表面可以被第三金属层165c'至少部分地覆盖。因此，有机层143可以设置在第三金属层165c'的上表面上，并且可以不设置在第二金属层165b'的侧表面上。也就是说，第二金属层165b'的侧表面可以不被有机层143覆盖而是可以被暴露。另一方面，具有比有机层143的台阶覆盖率高的台阶覆盖率的共电极150也可以设置在第二金属层165b'的侧表面上。也就是说，共电极150可以与第二金属层165b'的侧表面直接接触。因此，第二金属层165b'的侧表面可以用作与辅助电极135基本上相同的电极。也就是说，共电极150可以通过第一金属层165a'、第二金属层165b'和辅助电极135电连接到补偿电极123。因此，如上所述，可以更有效地防止由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降，或者可以减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降的可能性。
此外，当第三金属层165c'的侧表面比第一金属层165a'的侧表面突出得远时，有机层143也可以不设置在第一金属层165a'的侧表面上。也就是说，第一金属层165a'的侧表面可以与共电极150直接接触。如此，第一金属层165a'的侧表面可以用作与辅助电极135基本上相同的电极。因此，如上所述，可以较有效地防止由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降，或者可以减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降的可能性。
图11是示出根据本公开的另一实施例的补偿部的剖视图。
参照图11，根据本实施例的补偿部CP5与根据图1至图7的实施例的补偿部CP的不同之处在于第三绝缘层IL3包括孔区域HA，并且补偿电极123在孔区域HA中与共电极150接触。
具体地，第三绝缘层IL3可以包括穿过其的孔区域HA。
由于孔区域HA，有机层143可以与发光层141间隔开。有机层143可以部分地设置在辅助电极135上。具有相对高的台阶覆盖率的共电极150可以连续地设置在孔区域HA中的每个的一个表面上。
孔区域HA可以沿着第一方向D1形成在补偿电极123的两侧处(例如，可以形成在补偿电极123的第一侧和补偿电极123的第二侧处)。设置在补偿电极123的第一侧上的孔区域HA可以暴露补偿电极123的第一侧表面123a，设置在补偿电极123的第二侧上的孔区域HA可以暴露补偿电极123的第二侧表面123b。
补偿电极123的第一侧表面123a和第二侧表面123b可以在厚度方向(例如，第三方向D3)上与辅助电极135叠置，从而被辅助电极135覆盖。因此，即使在第一基体101之上形成有机层143或发光层141时，有机层143或发光层141也不设置在孔区域HA中的补偿电极123的第一侧表面123a和第二侧表面123b上。因此，能够确保补偿电极123的第一侧表面123a和第二侧表面123b与共电极150之间的接触。因此，如上所述，可以使由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降最小化或减小由于共电极150的厚度的减小而导致的电压降。
孔区域HA可以通过利用辅助电极135作为掩模蚀刻第三绝缘层IL3来形成。孔区域HA可以具有其中孔区域HA的直径(或宽度)朝向第一基体101减小的梯形形状，但本公开不限于此。
同时，已经在图11中示出了利用由第一电极130形成的辅助电极135作为掩模形成的孔区域HA，但本公开不限于此。也就是说，可以包括单独的硬掩模层来代替辅助电极135。然后可以省略辅助电极135。
在下文中，描述制造根据实施例的显示装置1的方法。在根据各种实施例的显示装置1之中，描述了制造图1至图7的显示装置1的方法的示例。与图1至图7中的组件基本上相同的组件由相同的附图标记表示，并且可以省略详细的附图标记。
图12至图18是示出制造根据本公开的实施例的显示装置的方法的每个工艺的剖视图。
参照图12，首先在第一基体101上形成无机层160'，其中，在第一基体101上形成有上述第一导电层110和第二导电层120、上述第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3以及第一电极130。在无机层160'的形成中可以使用真空沉积或溅射，但本公开不限于此。可以使用用于包含SiOx、SiNx或SiOxNy的无机层的组合物形成无机层160'。
随后，参照图13，在无机层160'上形成第一光致抗蚀剂PR1、第二光致抗蚀剂PR2和第三光致抗蚀剂PR3。
可以在像素PX的发光区域中形成第一光致抗蚀剂PR1。也就是说，第一光致抗蚀剂PR1可以形成为与第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133叠置。
可以在像素PX的非发光区域中形成第二光致抗蚀剂PR2。第二光致抗蚀剂PR2可以设置为与第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133的侧表面部分地叠置。第二光致抗蚀剂PR2可以形成为相对厚，以便形成上述像素限定层161。第二光致抗蚀剂PR2的第二厚度d2可以比第一光致抗蚀剂PR1的第一厚度d1大。
可以在补偿部CP中形成第三光致抗蚀剂PR3。第三光致抗蚀剂PR3可以形成为与补偿部CP的辅助电极135叠置。第三光致抗蚀剂PR3可以形成为相对厚，以便形成分隔壁163的上述倒锥形结构。第三光致抗蚀剂PR3的第三厚度d3可以比第一光致抗蚀剂PR1的第一厚度d1大。
随后，参照图14，蚀刻第一光致抗蚀剂PR1、第二光致抗蚀剂PR2和第三光致抗蚀剂PR3。通过蚀刻去除像素PX的第一光致抗蚀剂PR1，使得可以暴露第一无机层161'的上表面。在蚀刻第一光致抗蚀剂PR1期间，第二光致抗蚀剂PR2的一部分被蚀刻，使得第二光致抗蚀剂PR2'的厚度可以减小。
在蚀刻像素PX的第一光致抗蚀剂PR1和第二光致抗蚀剂PR2期间，补偿部CP的第三光致抗蚀剂PR3和无机层160'被蚀刻，使得第三光致抗蚀剂PR3'的厚度可以减小。此外，可以去除由于第三光致抗蚀剂PR3而暴露的无机层160'，并且可以暴露第三绝缘层IL3的上表面。涂覆有第三光致抗蚀剂PR3'的第二无机层163'可以被保护以不被蚀刻。
参照图15，继续蚀刻以完全去除第一无机层161'上的第二光致抗蚀剂PR2'和第二无机层163'上的第三光致抗蚀剂PR3'。去除第二光致抗蚀剂PR2'和由于第二光致抗蚀剂PR2'而暴露的第一无机层161'来形成像素限定层161，像素限定层161包括暴露第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133的开口。
在蚀刻像素PX的第二光致抗蚀剂PR2'和第一无机层161'期间，可以蚀刻补偿部CP的第三光致抗蚀剂PR3'和第二无机层163'。可以对第二无机层163'进行过蚀刻，以形成具有倒锥形结构的分隔壁163。分隔壁163与辅助电极135之间的第一锥形角θ1可以在约100°至约150°之间的范围内调节。可选地，第一锥角θ1可以在约110°至约130°之间的范围内调整，但公开不限于此。
随后，参照图16，形成有机层143和发光层141。有机层143可以与发光层141同时地(或同步地)形成。此外，有机层143和发光层141可以由相同的材料形成。
可以通过在第一基体101的整个表面上沉积用于有机发光层的材料来形成有机层143和发光层141。如上所述，因为用于有机发光层的材料具有低台阶覆盖率，所以当沉积用于有机发光层的材料时，有机层143或发光层141可以仅形成在一些区域中。也就是说，在像素PX的第一像素电极131、第二像素电极132和第三像素电极133以及像素限定层161上形成发光层141，并且在补偿部CP的分隔壁163的上表面上形成有机层143，并且在第三绝缘层IL3的一些区域上方形成发光层141，并且有机层143不形成在分隔壁163的侧表面和辅助电极135的侧表面上。
随后，参照图17，在有机层143和发光层141上形成共电极150。可以通过在有机层143和发光层141上沉积用于共电极的材料来连续地形成共电极150。用于共电极的材料可以包括具有低逸出功以易于电子注入的材料，例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF2、Ba或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。此外，用于共电极的材料还可以包括透明导电氧化物，诸如ITO、IZO、ITZO、ZnO、氧化锡等。
如上所述，因为共电极150具有比有机层143和发光层141高的台阶覆盖率，所以即使当分隔壁163形成为倒锥形结构时，共电极150也可以不仅沉积在分隔壁163的侧表面上，而且沉积在分隔壁163下方的每个结构的一个表面上。因此，因为共电极150可以与辅助电极135接触，所以可以省略用于将共电极150连接到辅助电极135的单独的接触孔形成工艺。也就是说，能够使显示装置1的电压降最小化或减小显示装置1的电压降，并且同时确保工艺的经济可行性。
随后，参照图18，在共电极150上形成薄膜封装层170以完成第一基底10。填充层70置于完成的第一基底10与第二基底30之间，使得可以完成图1至图7中所示的显示装置1。
根据依照上述实施例的显示装置1的制造方法，补偿部CP的补偿电极123可以电连接到共电极150，以使显示装置1的电压降最小化或减小显示装置1的电压降。因此，即使当共电极150的厚度形成为相对小(或薄)，或者显示装置1被实现为大面积显示装置时，也能够使显示装置1的亮度的劣化最小化，防止或减少显示装置1的亮度的劣化。
此外，分隔壁163形成为倒锥形结构，使得可以省略用于将共电极150连接到辅助电极135的单独的接触孔形成工艺。也就是说，能够使显示装置1的电压降最小化或减小显示装置1的电压降，并且同时确保工艺的经济可行性。
根据依照实施例的显示装置及制造该显示装置的方法，像素的共电极电连接到补偿部的补偿电极，使得可以使显示装置的电压降最小化或减小显示装置的电压降。因此，即使当共电极以薄的厚度形成或者显示装置被实现为大面积显示装置时，也能够使显示装置的亮度的劣化最小化，防止或减少显示装置的亮度的劣化。
此外，以倒锥形结构形成分隔壁，使得可以省略用于将共电极连接到辅助电极的单独的接触孔形成工艺。也就是说，能够使显示装置的电压降最小化或减小显示装置的电压降，并且同时确保工艺的经济可行性。
根据实施例的效果不受上面的例示的内容限制，并且在本公开的实施例中包括更多的各种效果。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本公开的原理的情况下，可以对示例实施例进行许多改变和修改。因此，公开的所公开的示例实施例仅用于一般性和描述性的意义，而不是出于限制的目的。

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基体；
像素电极，位于所述第一基体上；
像素限定层，具有至少部分地暴露所述像素电极的开口；
发光层，位于所述像素电极上；
辅助电极，与所述像素电极位于同一层处；
分隔壁，位于所述辅助电极上，并且至少部分地暴露所述辅助电极的侧表面；
有机层，位于所述分隔壁上；以及
共电极，连续地布置在所述发光层和所述有机层上，
其中，所述分隔壁的侧表面具有倒锥形形状，并且
其中，所述共电极接触所述辅助电极的所述侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁的所述侧表面与所述辅助电极的上表面之间的第一锥形角比所述像素限定层的侧表面与所述像素电极的上表面之间的第二锥形角大。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述分隔壁的所述侧表面接触所述共电极。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述辅助电极的补偿电极。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一基体与所述像素电极之间的源电极或漏电极，
其中，所述像素电极电连接到所述源电极或所述漏电极，并且
其中，所述补偿电极与所述源电极或所述漏电极位于同一层处。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述共电极电连接到所述补偿电极。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁的下表面接触所述辅助电极，并且所述分隔壁的上表面接触所述有机层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁和所述像素限定层包括相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述分隔壁和所述像素限定层包括SiNx、SiOx或SiOxNy。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述分隔壁包括导电材料。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层的下表面接触所述分隔壁，并且所述有机层的上表面接触所述共电极。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述有机层和所述发光层包括相同的材料。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述有机层与所述发光层间隔开。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述共电极上的波长转换图案和透光图案，并且
其中，所述波长转换图案或所述透光图案在厚度方向上与所述像素限定层的所述开口叠置。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基体；
像素电极，位于所述第一基体上；
像素限定层，具有至少部分地暴露所述像素电极的开口；
发光层，位于所述像素电极上；
辅助电极，与所述像素电极位于同一层处；
导电分隔壁，位于所述辅助电极上，并且包括位于所述辅助电极上的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层；
有机层，位于所述导电分隔壁上；以及
共电极，连续地布置在所述发光层和所述有机层上，
其中，所述第二金属层的端部比所述第一金属层的上表面的端部突出的远，并且
其中，所述共电极接触所述第一金属层的侧表面。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述辅助电极电连接到所述共电极。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一金属层的下表面接触所述辅助电极，并且所述第一金属层的所述上表面接触所述第二金属层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一金属层的所述下表面在第一方向上的宽度比所述第一金属层的所述上表面在所述第一方向上的宽度大。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一金属层在第三方向上的厚度比所述第二金属层在所述第三方向上的厚度大。
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