CN112635283A - 控制装置、处理装置和控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制清洁导致的过蚀刻和膜残留的控制装置、处理装置和控制方法。本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含上述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于上述温度获取部获取到的上述温度和存储于上述存储部中的上述关系信息来计算上述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于上述速度计算部计算出的上述蚀刻速度和存储于上述存储部中的上述膜厚信息来计算用于除去上述沉积膜的蚀刻时间。

Description

控制装置、处理装置和控制方法
技术领域
本发明涉及控制装置、处理装置和控制方法。
背景技术
半导体工艺中使用的处理装置，在基片上形成膜时，在装置内部也沉积膜。因此，在处理装置中，进行对被加热到规定温度的处理容器内供给清洁气体来除去沉积于装置内部的沉积膜的清洁处理(例如参照专利文献1)。在专利文献1中，测量从处理容器排出的排出气体中所含的气体的浓度，对装置内部进行清洁直到该浓度成为规定浓度，由此管理处理装置的清洗时间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-066540号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够抑制清洁处理导致的过蚀刻和膜残留的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含上述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于上述温度获取部获取到的上述温度和存储于上述存储部中的上述关系信息来计算上述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于上述速度计算部计算出的上述蚀刻速度和存储于上述存储部中的上述膜厚信息来计算用于除去上述沉积膜的蚀刻时间。
发明效果
依照本发明，能够抑制清洁处理导致的过蚀刻和膜残留。
附图说明
图1是表示一个实施方式的处理装置的结构例的概要图。
图2是表示控制装置的功能结构例的图。
图3是表示温度传感器检测出的温度的一例的图。
图4是表示处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息的一例的图。
图5是表示蚀刻时间计算处理的一例的流程图。
附图标记说明
1 处理装置
10 处理容器
60 冷却部
70 温度传感器
100 控制装置
102 温度获取部
103 压力获取部
104 存储部
106 速度计算部
107 时间计算部
108 清洁处理执行部
W 晶片。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在所附的全部附图中，对于相同或相应的部件或零件，标注相同或相应的附图标记并省略重复的说明。
[关于蚀刻反应]
在室温下，用氟化氢(HF)气体对硅氧化膜(SiO2)进行蚀刻时，以如下面的反应式(1)所示，产生水(H2O)。
SiO2(s)+4HF(g)→SiF4+2H2O(l)……(1)
产生的水以如下面的反应式(2)所示，与氟化氢气体反应而生成氢氟酸(HF(aq))。
HF(g)+H2O(l)→HF(aq)……(2)
进而，氢氟酸以如下面的反应式(3)所示，对硅氧化膜进行蚀刻。
SiO2(s)+4HF(aq)→SiF4+6H2O(l)……(3)
上述的反应式(1)的反应速度，与反应式(2)和反应式(3)的反应速度相比非常小。因此，室温下的硅氧化膜的由氟化氢气体进行的蚀刻反应，是水(H2O)的产生成为关键的反应方式。即，从蒸气压的观点出发，受到蚀刻时的温度的影响很大。
另外，在室温或室温附近的温度下进行除去沉积于处理容器内的沉积膜的清洁处理的情况下，因装置个体差异(设置环境、冷却能力等)，难以在所有装置中将处理容器内的温度控制为相同温度。因此，因处理容器内的温度的不同而蚀刻速度会变化，有可能发生过蚀刻或膜残留。
于是，在一个实施方式中，基于处理容器内的实测温度、表示温度与蚀刻速度的关系的关系信息以及沉积膜的累积膜厚计算蚀刻时间，基于计算出的蚀刻时间执行清洁处理。由此，能够抑制在难以进行温度控制的温度范围(例如室温或室温附近)进行的清洁处理导致的过蚀刻和膜残留。以下，进行详细说明。
[处理装置]
图1是表示一个实施方式的处理装置的结构例的概要图。如图1所示，处理装置1具有：处理容器10、气体供给部30、排气部40、加热部50、冷却部60、温度传感器70、控制装置100等。
处理容器10收纳作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片W”)。处理容器10具有：下端开放的有顶的圆筒形状的内管11；和下端开放且覆盖内管11的外侧的有顶的圆筒形状的外管12。内管11和外管12由石英等耐热性材料形成，同轴状地配置而成为双重管结构。
内管11的顶例如是平坦的。在内管11的一侧沿其长边方向(上下方向)形成有收纳气体喷嘴的收纳部13。在一个实施方式中，使内管11的侧壁的一部分向外侧突出而形成凸部14，将凸部14内作为收纳部13形成。
在与收纳部13相对的内管11的相反侧的侧壁，沿其长边方向(上下方向)形成有矩形的开口15。
开口15是形成为能够排出内管11内的气体的气体排出口。开口15的长度与晶片舟16的长度相同、或者以比晶片舟16的长度长地向上下方向分别延伸地形成。
处理容器10的下端被例如由不锈钢形成的圆筒形状的岐管(manifold)17支承。在岐管17的上端形成有凸缘18，在凸缘18上设置外管12的下端来支承它。在凸缘18与外管12的下端之间设置有O形环等密封部件19而使外管12内成为气密状态。
在岐管17的上部的内壁设有圆环状的支承部20，在支承部20上设置内管11的下端来支承它。在岐管17的下端的开口经由O形环等密封部件22气密地安装有盖体21，气密地封闭处理容器10的下端的开口即岐管17的开口。盖体21由例如不锈钢形成。
在盖体21的中央部贯通旋转轴24，该旋转轴24经由磁性流体密封部23以晶片舟16可旋转的方式支承晶片舟16。旋转轴24的下部可旋转地支承于由舟升降部构成的升降机构25的臂25A。
在旋转轴24的上端设有旋转板26，在旋转板26上经由石英制的保温台27载置保持晶片W的晶片舟16。因此，通过升降机构25升降能够使盖体21和晶片舟16一体地上下活动，使晶片舟16相对于处理容器10内可插入脱离。晶片舟16能够收纳于处理容器10内，是以规定间隔搁架状地保持多个晶片W的基片保持件。
气体供给部30设置于岐管17。气体供给部30向内管11内导入处理气体、清洁气体、吹扫气体等规定的气体。气体供给部30具有气体喷嘴31和气体喷嘴32。
气体喷嘴31例如是石英制的，在内管11内沿其长边方向设置并且气体喷嘴31的根端以L字状弯折地贯通岐管17而被支承。在气体喷嘴31沿其长边方向以规定的间隔形成有多个气体孔31h，由气体孔31h向水平方向释放气体。规定的间隔被设定成例如与晶片舟16所支承的晶片W的间隔相同。此外，高度方向的位置，被设定成气体孔31h位于上下方向上相邻的晶片W间的中间，以能够将气体供给到晶片W间的空间。气体喷嘴31是供给例如处理气体、吹扫气体的气体喷嘴，一边控制流量一边根据需要对处理容器10内供给处理气体和吹扫气体。处理气体能够根据要形成的膜种来选择。例如在形成硅氧化膜的情况下，作为处理气体，能够使用例如二氯硅烷(DCS)气体等含硅气体和臭氧(O3)气体等氧化气体。吹扫气体可以为例如氮(N2)气、氩(Ar)气。
气体喷嘴32例如是石英制的，在内管11内的下部沿其长边方向设置并且气体喷嘴32的根端以L字状弯折地贯通岐管17而被支承。气体喷嘴32其前端开口，从开口向上方释放气体。气体喷嘴32是供给例如清洁气体、吹扫气体的气体喷嘴，一边控制流量一边根据需要对处理容器10内供给清洁气体和吹扫气体。清洁气体能够根据要在处理容器10内形成的膜的膜种来选择。例如在处理容器10内形成的膜为硅氧化膜的情况下，作为清洁气体，能够使用例如氟化氢(HF)气体、氟(F2)气、三氟化氯(ClF3)气体、三氟化氮(NF3)气体等含氟气体。
另外，气体供给部30也可以为从一个气体喷嘴向处理容器10内供给处理气体、清洁气体和吹扫气体的方式，气体喷嘴的个数并不限定于图1的例子。
排气部40排出从内管11内经由开口15排出的、经由内管11与外管12之间的空间P1从气体出口41排出的气体。气体出口41是岐管17的上部的侧壁，形成于支承部20的上方。在气体出口41连接有排气通路42。在排气通路42依次设置有压力调节阀43和真空泵44，能够对处理容器10内进行排气。
在处理容器10的周围设置有加热部50。加热部50设置于例如底板28上。加热部50对处理容器10内的晶片W进行加热。加热部50具有例如圆筒形状的隔热件51。隔热件51以二氧化硅和氧化铝为主成分形成。加热部50只要能够加热处理容器10内的晶片W就没有特别限定，例如可以为辐射红外线来加热处理容器10的红外线加热器。在隔热件51的内周螺旋状或蜿蜒状地设置有线状的发热体52。发热体52能够在加热部50的高度方向上分成多个区域进行温度控制。以下，将多个区域从上到下依次称为“TOP”、“C-T”、“CTR”、“C-B”和“BTM”。发热体52经由保持部件(未图示)被保持于隔热件51的内壁面。但是，发热体52也可以为在隔热件51的内壁面形成凹部，将其收纳在凹部内。
为了保持隔热件51的形状并且加强隔热件51，隔热件51的外周被不锈钢等金属制的外皮53覆盖。此外，为了抑制加热部50对外部的热影响，外皮53的外周被水冷护套(未图示)覆盖。
冷却部60向处理容器10内供给冷却流体，将处理容器10内的晶片W冷却。冷却流体例如可以为空气。冷却部60例如在热处理之后使晶片W急速降温时向处理容器10供给冷却流体。此外，冷却部60例如在进行除去处理容器10内的沉积膜的清洁处理时向处理容器10内供给冷却流体。冷却部60具有：流体流路61、吹出孔62、分配流路63、流量调节部64、排热口65。
流体流路61在隔热件51与外皮53之间在高度方向上形成有多个。流体流路61是例如在隔热件51的外侧沿周向形成的流路。
吹出孔62从各流体流路61贯通隔热件51形成，向外管12与隔热件51之间的空间P2吹出冷却流体。
分配流路63设置于外皮53的外部，将冷却流体分配地供给到各流体流路61。
流量调节部64设置于分配流路63，调节要供给到流体流路61的冷却流体的流量。
排热口65设置于比多个吹出孔62靠上方处，将供给到空间P2内的冷却流体排出到处理装置1的外部。排出到处理装置1的外部的冷却流体，例如被热交换器冷却后再次供给到分配流路63。但是，排出到处理装置1的外部的冷却流体，也可以不进行再利用而被排出。
温度传感器70检测处理容器10内的温度。温度传感器70例如设置于内管11内。但是，温度传感器70只要设置在能够检测处理容器10内的温度的位置即可，也可以设置在例如内管11与外管12之间的空间P1。温度传感器70具有例如与多个区域对应地设置在高度方向的不同的位置的多个测温部71～75。测温部71～75分别与区域“TOP”“C-T”、“CTR”、“C-B”和“BTM”对应地设置。多个测温部71～75例如可以为热电偶、测温电阻体。温度传感器70将由多个测温部71～75检测出的温度发送到控制装置100。
控制装置100控制处理装置1的动作。控制装置100例如可以为计算机。进行处理装置1的整体的动作的计算机的程序，存储于存储介质110中。存储介质110可以为例如软盘、光盘、硬盘、闪存、DVD等。
[控制装置]
图2是表示控制装置100的功能结构例的图。如图2所示，控制装置100具有：获取部101、存储部104、计算部105、清洁处理执行部108。获取部101、存储部104、计算部105和清洁处理执行部108例如在计算机中实现。
获取部101获取关于处理装置1的信息。获取部101具有温度获取部102和压力获取部103。
温度获取部102获取处理容器10内的温度。温度获取部102获取的处理容器10内的温度，可以为例如设置于处理容器10内的温度传感器70检测的温度。在一个实施方式中，温度获取部102获取与多个区域对应地设置于高度方向的不同的位置的多个测温部71～75检测的温度。图3是表示温度传感器70检测出的温度的一例的图。在图3的例子中，“TOP”位置的温度为30℃，“C-T”位置的温度为32℃，“CTR”位置的温度为34℃，“C-B”位置的温度为32℃，“BTM”位置的温度为32℃。其中，温度获取部102将获取到的处理容器10内的温度存储在存储部104中。
压力获取部103获取处理容器10内的压力。压力获取部103获取的处理容器10内的压力，可以为例如执行清洁处理时的设定压力。该设定压力可以为例如由清洁处理的方案决定的压力。但是，压力获取部103获取的处理容器10内的压力，也可以为设置在处理容器10的压力传感器(未图示)检测的压力。此外，压力获取部103将获取到的处理容器10内的压力存储在存储部104中。
存储部104存储表示处理容器10内的温度与蚀刻速度(E/R)的关系的关系信息(以下称为“温度-E/R信息”)以及关于处理容器10内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息。而且，存储部104存储获取部101获取到的关于处理装置1的信息、计算部105计算出的计算结果。
温度-E/R信息可以为例如表、计算式。图4是表示处理容器10内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息的一例的图。如图4所示，存储部104例如按处理容器10内的每个压力存储温度-E/R信息。在图4的例子中，在处理容器10内的压力为4000Pa的情况下，温度为30℃、32℃、34℃、36℃时的蚀刻速度(E/R)分别表示为A1、B1、C1、D1。此外，在处理容器10内的压力为5000Pa的情况下，温度为30℃、32℃、34℃、36℃时的蚀刻速度(E/R)分别表示为A2、B2、C2、D2。此外，在处理容器10内的压力为6000Pa的情况下，温度为30℃、32℃、34℃、36℃时的蚀刻速度(E/R)分别表示为A3、B3、C3、D3。例如在用HF气体对硅氧化膜进行蚀刻的情况下，处理容器10内的温度越低，蚀刻速度变得越高。即，满足A1＞B1＞C1＞D1、A2＞B2＞C2＞D2、A3＞B3＞C3＞D3的关系。
关于处理容器10内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息，例如通过将处理容器10内进行了一次热处理时的沉积膜的膜厚乘以处理容器10内进行的热处理的次数来计算。
计算部105基于获取部101获取到的关于处理装置1的信息和存储于存储部104的各种信息进行运算。计算部105具有速度计算部106和时间计算部107。
速度计算部106基于温度获取部102获取到的温度和存储于存储部104的温度-E/R信息，计算沉积于处理容器10内的沉积膜的蚀刻速度。例如在温度获取部102获取到的温度为30℃、压力获取部103获取到的压力为4000Pa，存储部104中存储了图4所示的温度-E/R信息的情况下，速度计算部106计算出蚀刻速度为A1。此外，例如在温度获取部102获取到的温度包含多个温度的情况下，速度计算部106基于温度获取部102获取到的多个温度中表示蚀刻速度为最低值的温度和存储于存储部104的温度-E/R信息计算蚀刻速度。具体而言，在存储部104中存储了温度-E/R信息(A1＞B1＞C1＞D1)的情况下，速度计算部106基于温度获取部102获取到的多个温度中最高的温度和温度-E/R信息计算蚀刻速度。即，速度计算部106在压力获取部103获取到的压力为4000Pa的情况下，速度计算部106计算出蚀刻速度为C1。
时间计算部107基于速度计算部106计算出的蚀刻速度和存储于存储部104的膜厚信息来计算用于除去沉积膜的蚀刻时间。例如，时间计算部107通过将存储于存储部104的累积膜厚除以速度计算部106计算出的蚀刻速度来计算蚀刻时间。
清洁处理执行部108基于时间计算部107计算出的蚀刻时间控制处理装置1的动作来执行清洁处理，以除去处理容器10内的沉积膜。
[蚀刻时间计算处理]
对计算在处理装置1中在晶片W形成薄膜时除去附着于处理容器10内的沉积膜的清洁处理的时间的处理(以下称为“蚀刻时间计算处理”)的一例进行说明。图5是表示蚀刻时间计算处理的一例的流程图。图5所示的蚀刻时间计算处理，例如在清洁处理开始、处理容器10内的温度稳定后执行。但是，图5所示的蚀刻时间计算处理，也可以在例如在执行清洁处理的期间每经过规定时间反复执行。
在步骤S1中，温度获取部102获取设置于处理容器10内的温度传感器70检测的温度。
在步骤S2中，压力获取部103获取执行清洁处理时的设定压力。
在步骤S3中，速度计算部106基于步骤S1中温度获取部102获取到的温度和存储于存储部104的温度-E/R信息，来计算沉积于处理容器10内的沉积膜的蚀刻速度。
在步骤S4中，时间计算部107基于步骤S3中速度计算部106计算出的蚀刻速度和存储于存储部104的膜厚信息来计算用于除去沉积膜的蚀刻时间。
[处理装置的动作]
作为处理装置1的动作的一例，对在晶片W形成硅氧化膜的成膜处理进行说明。
首先，利用升降机构25将保持多个晶片W的晶片舟16送入到处理容器10内，用盖体21将处理容器10的下端的开口气密地封闭。
接着，利用排气部40进行排气以使处理容器10内的压力成为规定的真空度，并且利用加热部50将处理容器10内的晶片W加热到规定温度，使晶片舟16旋转。接着，利用气体供给部30向处理容器10内供给作为处理气体的含硅气体和氧化气体。由此，在晶片W形成硅氧化膜。
接着，停止从气体供给部30供给处理气体，停止由加热部50对晶片W进行加热，使晶片舟16停止旋转。
接着，利用冷却部60使处理容器10内的晶片W急速降温。然后，在处理容器10内的晶片W成为规定温度以下后，利用升降机构25将晶片舟16从处理容器10内送出，结束成膜处理。
作为处理装置1的动作的另一例，对除去因反复进行成膜处理而沉积在处理容器10内的包含硅氧化膜的沉积膜的清洁处理进行说明。清洁处理例如每进行多次成膜处理执行一次。但是，清洁处理也可以例如每进行一次成膜处理执行一次。
首先，在处理容器10内不存在晶片舟16的状态下，利用盖体21将处理容器10的下端的开口气密地封闭。
接着，利用排气部40进行排气以使处理容器10内的压力成为规定的真空度，并且利用冷却部60将处理容器10内冷却到室温或室温附近。接着，利用气体供给部30对处理容器10内供给作为清洁气体的HF气体，以除去沉积于处理容器10内的包含硅氧化膜的沉积膜。此时，以在清洁处理前执行的上述蚀刻时间计算处理中计算出的蚀刻时间，供给HF气体。由此，能够抑制因在作为难以进行温度控制的温度范围的室温或室温附近进行的清洁处理导致的过蚀刻和膜残留。
接着，停止从气体供给部30供给清洁气体，结束清洁处理。
此外，在上述例子中，对在处理容器10内不存在晶片舟16的状态下执行清洁处理的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，也可以在处理容器10内存在保持仿真晶片等的晶片舟16或空的晶片舟16的状态下执行清洁处理。
另外，在上述的例子中，对以在清洁处理前执行的蚀刻时间计算处理中计算出的时间供给HF气体的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，也可以在清洁处理中供给HF气体的期间执行蚀刻时间计算处理，将该蚀刻时间计算处理中计算出的时间实时地反馈到清洁处理中的供给HF气体的时间。在清洁处理中的HF气体的供给期间，由于硅氧化膜与HF气体反应而生成的热量，处理容器10内的温度可能发生变化，但通过实时地控制蚀刻时间，能够根据处理容器10内的温度来调整蚀刻时间。因此，能够更高精度地抑制清洁处理导致的过蚀刻和膜残留。
如以上说明的那样，在一个实施方式中，控制装置100基于处理容器10内的实测温度以及表示温度与蚀刻速度的关系的关系信息，来计算蚀刻速度。而且，控制装置100基于计算出的蚀刻速度和沉积膜的累积膜厚来计算蚀刻时间。由此，在难以进行温度控制的温度范围(例如室温或室温附近)执行清洁处理时，能够根据处理容器10内的温度调整蚀刻时间，因此能够抑制清洁处理导致的过蚀刻和膜残留。
本发明公开的实施方式在所有方面均是例示，而不应认为是限制性的。上述实施方式只要不脱离所附的权利要求及其主旨就可以以各种方式进行省略、替换、改变。
在上述的实施方式中，对处理容器为双重管结构的容器的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，处理容器也可以为单重管结构的容器。
在上述的实施方式中，对处理装置是从沿处理容器的长边方向配置的气体喷嘴供给气体，从与该气体喷嘴相对地配置的狭缝排出气体的装置的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，处理装置也可以是从沿晶片舟的长边方向配置的气体喷嘴供给气体，从配置于该晶片舟的上方的排气口排出气体的装置。此外，例如处理装置也可以是从配置于处理容器的下方的气体喷嘴供给处理气体，从配置于该处理容器的上方的排气口排出气体的装置。
在上述的实施方式中，对处理装置是不使用等离子体的装置的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，处理装置也可以是使用电容耦合型等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)等的等离子体的装置。
在上述的实施方式中，对处理装置是对多个晶片一次性进行处理的批处理式的装置的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，处理装置也可以是逐片处理晶片的单片式的装置。此外，例如处理装置也可以是通过旋转台使配置于处理容器内的旋转台上的多个晶片公转，使之依次通过供给第一气体的区域和供给第二气体的区域以对晶片进行处理的半批处理式的装置。
在上述的实施方式中，对基片是半导体晶片的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，基片也可以为平板显示器(FPD：Flat Panel Display)用的大型基片、有机EL面板用的基片、太阳能电池用的基片。

Claims (10)

1.一种控制装置，其控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，所述控制装置的特征在于，包括：
获取所述处理容器内的温度的温度获取部；
存储部，其存储表示所述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含所述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；
速度计算部，其基于所述温度获取部获取到的所述温度和存储于所述存储部中的所述关系信息来计算所述沉积膜的蚀刻速度；以及
时间计算部，其基于所述速度计算部计算出的所述蚀刻速度和存储于所述存储部中的所述膜厚信息来计算用于除去所述沉积膜的蚀刻时间。
2.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于：
所述温度获取部获取的所述温度，是设置于所述处理容器内的温度传感器检测的温度。
3.如权利要求1或2所述的控制装置，其特征在于：
所述温度获取部获取的所述温度，是所述处理容器内的不同位置的多个温度，
所述速度计算部基于所述温度获取部获取到的所述多个温度中最高的温度和存储于所述存储部中的所述关系信息来计算所述沉积膜的蚀刻速度。
4.如权利要求1～3中任一项所述的控制装置，其特征在于：
还包括获取所述处理容器内的压力的压力获取部，
所述存储部按每个所述压力存储所述关系信息，
所述速度计算部基于所述温度获取部获取到的所述温度、所述压力获取部获取到的压力和存储于所述存储部中的所述关系信息来计算该温度和该压力下的所述沉积膜的蚀刻速度。
5.如权利要求4所述的控制装置，其特征在于：
所述压力获取部获取的所述压力，是执行除去所述处理容器内的沉积膜的清洁处理时的设定压力。
6.如权利要求1～5中任一项所述的控制装置，其特征在于：
还包括清洁处理执行部，其基于所述时间计算部计算出的所述蚀刻时间控制所述处理装置的动作来执行清洁处理，以除去所述处理容器内的沉积膜。
7.一种处理装置，其特征在于，包括：
能够收纳基片的处理容器；
能够检测所述处理容器内的温度的温度传感器；和
控制装置，
所述处理装置的特征在于：
所述控制装置包括：
获取所述温度传感器检测的所述处理容器内的温度的温度获取部；
存储部，其存储表示所述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含所述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；
速度计算部，其基于所述温度获取部获取到的所述温度和存储于所述存储部中的所述关系信息来计算所述沉积膜的蚀刻速度；
时间计算部，其基于所述速度计算部计算出的所述蚀刻速度和存储于所述存储部中的所述膜厚信息来计算用于除去所述沉积膜的蚀刻时间；以及
清洁处理执行部，其基于所述时间计算部计算出的所述蚀刻时间控制所述处理装置的动作来执行清洁处理，以除去所述处理容器内的沉积膜。
8.如权利要求7所述的处理装置，其特征在于：
还包括对所述处理容器内进行冷却的冷却部，
所述清洁处理执行部控制所述冷却部以在将所述处理容器内的温度冷却到室温或室温附近的状态下执行所述清洁处理。
9.一种控制方法，其控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，所述控制方法的特征在于，包括：
获取所述处理容器内的温度的步骤；
存储表示所述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含所述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息的步骤；
基于所述获取温度的步骤中获取到的所述温度和所述进行存储的步骤中存储的所述关系信息来计算所述沉积膜的蚀刻速度的步骤；以及
基于所述计算蚀刻速度的步骤中计算出的所述蚀刻速度和所述进行存储的步骤中存储的所述膜厚信息来计算用于除去所述沉积膜的蚀刻时间的步骤。
10.如权利要求9所述的控制方法，其特征在于：
还包括基于所述计算蚀刻时间的步骤中计算出的所述蚀刻时间来除去所述处理容器内的沉积膜的步骤，
所述获取温度的步骤、计算蚀刻速度的步骤和计算蚀刻时间的步骤，在执行除去所述沉积膜的步骤的期间反复被执行。
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