CN112631450A - 电子装置 - Google Patents

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李冠锋
陈嘉源
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Abstract

本发明提供了一种电子装置，其包括发光结构、至少一触控结构以及至少两个邻近的光转换结构。触控结构设置在发光结构上，一触控结构位于两个邻近的光转换结构之间。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特是涉及一种具有触控结构及光转换结构的电子装置。
背景技术
现今一些电子装置须具有触控感测的功能，例如笔记本计算机、平板计算机、智能型手机、手表或车用显示器都朝具有(触控)感测的功能发展，但目前对于(触控)感测元件与面板的整合上还有很多需要改进的地方。
发明内容
本发明提出一些电子装置，将触控结构及光转换结构整合于面板中的电子装置，可以降低电子装置的厚度或成本，或提高触控感测的功能。
在一实施例中，本发明提供了一种电子装置，其包括发光结构、至少一触控结构以及至少两个邻近的光转换结构。触控结构设置在发光结构上，一触控结构位于两个邻近的光转换结构之间。
在另一实施例中，本发明提供了一种电子装置，其包括发光结构、多个光转换结构以及至少一触控结构。光转换结构设置在发光结构上，触控结构设置在发光结构与光转换结构之间。
在另一实施例中，本发明提供了一种电子装置，其包括发光结构、光转换结构及触控结构。光转换结构设置在发光结构上，触控结构邻近光转换结构，且于一俯视方向上，触控结构重叠于光转换结构。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图。
图2为本发明第一实施例的电子装置于A-A’的剖面示意图。
图3为本发明第一实施例的发光结构的剖面示意图。
图4为图1的区域R中的触控层的放大示意图。
图5为本发明第二实施例的电子装置的剖面示意图。
图6为本发明第三实施例的电子装置的剖面示意图。
图7为本发明第四实施例的电子装置的剖面示意图。
图8为本发明第五实施例的电子装置的剖面示意图。
图9为本发明第六实施例的电子装置的剖面示意图。
图10为本发明第七实施例的电子装置的剖面示意图。
图11为本发明第八实施例的电子装置的剖面示意图。
图12为本发明第九实施例的电子装置的剖面示意图。
图13为本发明第十实施例的电子装置的剖面示意图。
附图标记说明：100、100a、200、300、400、500、600、700、800、900-电子装置；110-第一基板；110a、160a-外表面；110S-第一基板结构；120-电路元件层；132a、132b、132c-光转换结构；132a_1、132b_1-第一部；132a_2、132b_2-第二部；140-光阻挡结构；142、144-光阻挡层；150-感测层；152-第一触控层；154-第二触控层；156-第一电极；156b-第一连接部分；158-第二电极；158b-第二连接部分；160-覆盖层；310-第二基板；310S-第二基板结构；320-偏光片；710、730、CP-连接件；720-接合垫；AL-黏着层；BF-缓冲层；D1-第一方向；D2-第二方向；D3-第三方向；D4-第四方向；Dt-俯视方向；E1-第一电极；E2-第二电极；EIL-电子注入层；ETL-电子传输层；HIL-电洞注入层；HTL-电洞传输层；IN1、IN2、IN3、IN4-绝缘层；LE-发光层；LG-主动层；LR-反射层；LS-发光结构；ML1、ML2-导电层；OP-开口；PDL-像素定义层；PL1、PL2-保护层；R-区域；S-距离；SM-半导体层；SM1-第一半导体层；SM2-第二半导体层；SPX1-绿色子像素；SPX2-红色子像素；SPX3-蓝色子像素；SW-开关元件；T、T1、T2-厚度；TIN-透明绝缘层；TIS-透明绝缘结构；TS-触控结构；W1、W2、W3-宽度。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。因此，当本发明的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各图式绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
当相应的构件例如膜层或区域被称为「在另一个构件上」时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接在另一个构件上」时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为「在另一个构件上」时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
应当理解到，当构件或膜层被称为「连接至」另一个构件或膜层时，它可以直接连接到此另一构件或膜层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。当构件被称为「直接连接至」另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为「耦接于另一个构件(或其变体)」时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。
术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求书中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
在本发明中，电子装置可包括触控装置、显示设备、天线装置、发光装置、拼接装置、其他适合的电子装置、或上述装置的组合，但不限于此。电子装置可包括有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emittingdiode,LED)，例如微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)、量子点(quantum dots,QDs)材料、量子点发光二极管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他适合的材料或上述的组合，但不限于此。此外，电子装置可为彩色显示器或单色显示器，且电子装置的形状可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状，但不以此为限。下文的电子装置以触控显示器为例进行说明，并可显示彩色画面，但不以此为限。
图1为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图，图2为第一实施例的电子装置于A-A’的剖面示意图，图3为第一实施例的发光结构的剖面示意图，图4为图1的区域R中的触控层的放大示意图。如图1与图2所示，电子装置100包括第一基板110、电路元件层120、发光结构LS、光转换结构(例如132a、132b及/或132c)以及触控结构TS，但不限于此。在一些实施例，电子装置100可选择性地包括例如覆盖层160或第二基板(可参考后续实施例)，但不限于此。在一些实施例中(如图2)，触控结构TS例如可为复合层结构。举例来说，触控结构TS例如包括至少一触控层(例如第一触控层152)及至少一光阻挡层(142)，但不限于此。
在一些实施例中，第一基板110的材料可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、其他适合的材料、或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一基板110可包括硬性基板、软性基板或可挠式基板。在一些实施例中，覆盖层160可包括透明材料、绝缘材料、其它合适材料或上述的组合。在一些实施例中，覆盖层160可具有保护特性、阻水氧特性、缓冲特性或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，覆盖层160可为单层结构或复合层结构，例如包括无机绝缘层、有机绝缘层或上述的组合，但不以此为限。在一些实施例中(如图1)，电子装置100例如是向上发光，覆盖层160的外表面160a例如可为电子装置100的出光面(即，使用者的观看面)，且覆盖层160的外表面160a可例如为用以触控的表面，但不限于此。
在一些实施例中，电子装置100可例如包括一主动区(未绘示)及一周边区(未绘示)，周边区例如邻近或环绕主动区设置，其中主动区可根据电子装置的应用而选择性包括显示区、感测区、发光区、触控区、工作区，但不限于此。举例来说(如图1)，电子装置100可例如为显示设备，电子装置100可包括多个像素(Pixel)，像素例如由多个子像素(Sub-pixel)所组成，而上述的显示区例如为包括所有子像素的发光区的区域，详细后面会再做介绍。另外，触控区例如为包括所有触控结构TS的区域。在一些实施例中，触控区可例如于俯视方向Dt上重叠于显示区。在一些实施例中，触控区可大于或小于显示区域。
在一些实施例中，电子装置100例如包括控制电路(例如芯片)设置于周边区(未绘示)，控制电路例如与电路元件层120的接合垫(未绘示)电性连接，但不以此为限。
在一些实施例中，子像素所提供的光线颜色可包括绿色、红色、蓝色、黄色或其它颜色，可依据需求设计。在一些实施例中(如图1或图2)，像素可包括三个子像素，例如绿色子像素SPX1、红色子像素SPX2与蓝色子像素SPX3，但不以此为限。需注意的是，图示中所示的像素与子像素的数量或排列方式仅为举例，可依据实际需求而设计。在一些实施例中(如图1)，子像素例如呈数组排列，但不以此为限。此外，在俯视方向Dt上，子像素的形状可例如包括矩形、平行四边形、「>」型、弧形或任何适合的形状，而图1所示的子像素以矩形为例。在此，子像素的形状例如定义为子像素的发光区投影至第一基板110的轮廓的形状，而发光区例如以光阻挡层的开口OP来定义，后续会再做说明。
在一些实施例中(如图2)，子像素(包括SPX1～SPX3)可例如包括至少一发光结构LS。发光结构LS可包括有机发光二极管、微型发光二极管(mini-LED或micro-LED)、其他适合的发光结构或上述的组合，发光结构LS中的膜层可依据发光结构LS的类型而改变。在一些实施例中(如图2)，发光结构LS举例可为有机发光二极管，发光结构LS可包括第一电极E1(例如阳极)、发光层LE及第二电极E2(例如阴极)，发光层LE设置在第一电极E1及第二电极E2之间。在一些实施例中(如图2)，多个第一电极E1例如彼此分离，且一个第一电极E1例如对应于一子像素(包括SPX1～SPX3)，多个子像素的发光层LE例如彼此连接成一共享的发光层，多个子像素的第二电极E2例如彼此连接成一共享的第二电极，但不以此为限。须说明的是，虽然多个子像素共享同一个发光层，但不同子像素的发光层所发光的区域为与第一电极E1及第二电极E2所重叠的区域。在一些实施例中(未绘示)，对应于不同子像素中的发光结构LS，其发光层LE(或第二电极E2)之间例如彼此分离，但不限于此。
在一些实施例中，发光层LE可依据需求而为单层或多层结构。如图2与图3所示，发光层LE可包括电洞注入层HIL、电洞传输层HTL、主动层LG、电子传输层ETL及/或电子注入层EIL依序堆栈在第一电极E1上，但不以此为限。另外，发光层LE可包括至少一电洞注入层HIL、电洞传输层HTL、主动层LG、电子传输层ETL及/或电子注入层EIL。
在一些实施例中(如图2)，子像素(包括SPX1～SPX3)可包括至少一晶体管，例如包括开关元件SW，开关元件SW例如电连接于所对应的发光结构LS，子像素可选择性包括其他元件(例如其它晶体管、电容)。在图2中，开关元件SW的闸极可由导电层ML1所形成，闸极绝缘层可由绝缘层IN1所形成，信道结构可由半导体层SM所形成，源极及/或汲极可由导电层ML2所形成。另外，至少一绝缘层IN2例如设置于导电层ML2与发光结构LS(例如第一电极E1)之间，但不以此为限。在一些实施例中，第一电极E1与第二电极E2可根据需求或应用包括金属材料、透明导电材料(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等)、其他适合的导电材料或其组合。在一些实施例中，电子装置例如为向上发光，第一电极E1包括金属，用以反射发光层LE所产生的光线，而第二电极E2可包括透明导电材料，但不以此为限。
在一些实施例中(如图2)，光转换结构(例如132a、132b及/或132c)可依据子像素所提供的颜色的光而选择性设置，光转换结构(例如132a、132b及/或132c)例如设置在发光结构LS上且分别对应一个子像素。相对于发光结构LS，光转换结构(例如132a、132b及/或132c)例如更邻近于电子装置100的出光面(例如覆盖层160的外表面160a)。在一些实施例中，光转换结构可包括滤光材料(例如色阻)、量子点材料、荧光材料、磷光材料、光散射粒子、其他适合的光转换材料或上述的组合。在一些实施例中，发光结构LS例如用以发射一入射光，入射光例如包括蓝光、UV光或其它合适的颜色(或波段)的光。举例来说，光转换结构132a可对应设置于绿色子像素SPX1中、光转换结构132b可对应设置于红色子像素SPX2中，光转换结构132c可对应设置于蓝色子像素SPX3中，光转换结构132a用以将入射光转换为绿光，光转换结构132b用以将入射光转换为红光，光转换结构132c可将入射光转换成不同波段的光(例如不同波段的蓝光)，但不限于此。详细而言，在图2中，光转换结构132a与光转换结构132b可例如分别具有第一部(例如132a_1、132b_1)及第二部(例如132a_2、132b_2)，第一部132a_1、132b_1可包括量子点材料，第二部132a_2、132b_2可包括色阻。在一些实施例中，发光结构LS所发射的入射光例如为蓝光，光转换结构132a的第一部132a_1可用以将蓝光转换为绿光，而第二部132a_2可用以吸收或过滤没转换的至少部分入射光。光转换结构132b的第一部132b_1可用以将蓝光转换为红光，而第二部132b_2可用以吸收或过滤没转换的至少部分入射光。光转换结构132c可包括光散射粒子，以提升蓝光的散射效果，但不限于此。光转换结构(例如132a、132b及/或132c)的设置并不以上述为限。在一些实施例中(未绘示)，上述的光转换结构可例如仅分别包括第一部。在一些实施例中(未绘示)，光转换结构132c可选择性地包括第一部及/或第二部，第一部可用以将入射光转换为其他波段的蓝光，而第二部可用以吸收或过滤至少部分入射光。在一些实施例中，电子装置100还可包括光学膜层，例如抗反射层及/或偏光片，而光学膜层可设置在任何适合的位置。
另外(如图2)，上述的触控结构TS中的光阻挡层142的材料可包括光遮蔽材料，例如包括吸光材料或反射光材料，但不限于此。光阻挡层142例如包括黑色光阻、黑色油墨、黑色树酯(resin)、色料(pigment)、其他适合的材料或上述的组合。光阻挡层142例如用以遮蔽下层元件(例如晶体管或走线)、或降低外界光经由电子装置中的元件(例如晶体管或走线)所反射的机率，但不限于此。另外，光阻挡层142具有多个开口OP，于俯视方向Dt上，可通过此些光阻挡层142的多个开口OP来定义出多个子像素的发光区。光阻挡层142可用以降低对应于不同子像素中的发光结构LS所发射的光线之间彼此干扰。
在一些实施例中，使用者例如将手指或触控件(例如触控笔及/或触控手套)触碰到电子装置100的感测区(即如上所述，包含所有触控结构TS的区域)时，触控结构TS可例如感测到触控信号，且通过与触控结构TS所连接的走线将触控信号传递至运算电路(未绘示，例如芯片)，以计算出触控的位置或手势。
在一些实施例中，电子装置可包括感测层150，感测层150可利用电容式进行感测，例如自容式(self-capacitance)或互容式(mutual-capacitance)，但并不以此为限。在一些实施例中，感测层150可利用任何其他适合的方式进行感测。
请参考图1至图2，在一些实施例中，感测层150可例如通过互容式方式进行感测，感测层150例如可包括多个第一电极156及多个第二电极158，相邻的第一电极156可例如沿第三方向D3排列，相邻的第二电极158可例如沿第四方向D4排列，第三方向D3例如与第四方向D4相交。在一些实施例中，第三方向D3可大致垂直第四方向D4。在一些实施例中，第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3及/或第四方向D4可不平行，但不以此为限。须注意的是，至少于如图1至图4的实施例中，第一电极156及第二电极158中例如分别包括多个触控结构TS中的第一触控层152。于俯视方向Dt上，第一电极156中的多个触控结构TS中的第一触控层152之间例如彼此电性连接，多个触控结构TS中的第一触控层152可形成网格状，但不限于此。于俯视方向Dt上，第二电极158中的多个触控结构TS中的第一触控层152之间例如彼此电性连接，多个触控结构TS中的第一触控层152可形成网格状，但不限于此。在一些实施例中(如图1)，第一电极156及第二电极158例如为同层导电材料，但不限于此。
请参考图1，在一些实施例中，感测层150可例如包括第一连接部分156b(以粗虚线表示)及第二连接部分158b(以粗虚线底下的细线表示)。在一些实施例中，相邻的第一电极156之间可通过第一连接部分156b而彼此电性连接。在一些实施例中，相邻的第二电极158可通过第二连接部分158b而彼此电性连接。在一些实施例中，第一连接部分156b与第二连接部分158b可例如于俯视方向Dt上至少部分重叠，但第一连接部分156b与第二连接部分158b彼此电性绝缘。在一些实施例中，第一连接部分156b可例如与第一电极156为不同层材料，即第一电极156与第一连接部分156b例如经由至少一导通孔(未绘示)而电性连接。详细来说，第一连接部分156例如设置于第一电极156上，至少一绝缘层(未绘示)设置于第一电极156与第一连接部分156b之间，且此至少一绝缘层例如具有多个穿孔(via)，此些穿孔中例如设置或填入导电材料而形成导通孔，第一连接部分156b例如通过导通孔将相邻的第一电极156电性连接。在一些实施例中，穿孔(via)中所设置或填入的导电材料例如与第一连接部分156的材料相同或不同。在一些实施例中(如图1)，第二连接部分158b可例如与第二电极158为同层材料，而第二连接部分158b可例如将相邻的第二电极158电性连接，但不限于此。在一些实施例中，第一电极156、第二电极158、第一连接部分156b及/或第二连接部分158b可包括不透明导电材料、半透明导电材料、透明导电材料或上述的组合。其中，第一电极156、第二电极158、第一连接部分156b及/或第二连接部分158b可包括金属材料(例如金、银、铝、铁、铜、镁及/或金属粒子等)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或其他合适材料或上述的组合，但不以此为限。
请参考图1至图2，在一些实施例中，触控结构TS可例如设置在发光结构LS上，并在俯视方向Dt上位于两个邻近的光转换结构(例如132a、132b及/或132c)之间，但不以此为限。在一些实施例，于俯视方向Dt上，光阻挡层142例如为触控结构TS中的最上层层别(即，最远离第一基板110的层别)，而覆盖层160例如为电子装置100的出光面(即，使用者的观看面)，通过光阻挡层142的设置可用以提高上述元件中的导电层(例如第一触控层152)被遮蔽的机会，或降低外界光经由上述元件中的导电层而反射的机会。在一些实施例，第一电极156、第二电极158、第一连接部分156b及/或第二连接部分158b可例如与子像素的发光区(及/或光转换结构132)不重叠。在一些实施例，于俯视方向Dt上，第一电极156、第二电极158、第一连接部分156b及/或第二连接部分158b例如邻近或环绕于子像素(及/或光转换结构(例如132a、132b及/或132c))。
图4为图1的区域R中的触控层的放大示意图。如图1与图4所示，于第二电极158邻近于第一电极156的区域(例如图1的区域R)，第二电极158可例如部分环绕子像素(例如子像素SPX3)，使第二电极158与第一电极156之间在俯视方向Dt上具有一距离S，距离S可定义为第二电极158与第一电极156之间在俯视方向Dt上的最小距离。距离S例如用以分隔第二电极158与第一电极156，使第二电极158与第一电极156之间彼此电性绝缘。在一些实施例中，在第一电极156邻近于第二电极158的其它区域(图1中未标示)，第一电极156可例如部分环绕子像素，使第二电极158与第一电极156之间具有一距离S。在一些实施例中(如图4)，距离S可例如大于或等于第一电极156的线宽W1(例如第一电极156中的第一触控层152的线宽)及/或第二电极158的线宽W2(例如第二电极158中的第一触控层152的线宽)。上述线宽W1、线宽W2可例如通过光学显微镜(optical microscopy,OM)或扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)拍摄局部的区域来测量。当以光学显微镜来测量，上述线宽W1、线宽W2可例如拍摄显示局部的第一触控层152的影像下，测量于该影像中，垂直于第一电极156(或第二电极158)的第一触控层152延伸方向上的最大宽度(可参考如图4的线宽W1及/或线宽W2)。当以扫描式电子显微镜来测量，上述线宽W1、线宽W2可例如拍摄具有局部的第一电极156(或第二电极158)中的第一触控层152的SEM影像，而此SEM影像的切线例如垂直于第一电极156(或第二电极158)中的第一触控层152的延伸方向，于此SEM影像中测量第一触控层152的最大宽度(可参考如图2的第一触控层152的的线宽W1)来获得，但不以此为限。
在一些实施例中，电子装置100可选择性地包括其他所需的膜层及/或结构。在一些实施例中(如图2)，电子装置100可包括像素定义层PDL，用以分隔出不同子像素所对应的发光结构LS，但不限于此。在一些实施例中，如图2所示，电子装置100可包括保护层PL1，保护层PL1例如设置在发光结构LS与光转换结构132a、光转换结构132b及/或光转换结构132c之间，用以保护发光结构LS与光转换结构，藉此减少水气、氧气及/或其他物质对发光结构LS的影响。在一些实施例中(如图2)，保护层PL1可具有平坦化的功能。在一些实施例中，保护层PL1可包括单层结构或多层结构，举例保护层PL1可包括无机绝缘层、有机绝缘层或上述的组合。在一些实施例中(如图2)，触控结构TS例如设置或形成在保护层PL1上。在一些实施例中(如图2)，触控结构TS于剖视方向上可具有不同的宽度。在一些实施例中(如图2)，于剖面方向上，触控结构TS邻近于保护层PL1的一侧的宽度例如大于或等于触控结构TS远离于保护层PL1的一侧的宽度，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，触控结构TS邻近于保护层PL1的一侧的宽度例如小于或等于触控结构TS远离于保护层PL1的一侧的宽度。
在一些实施例，为了降低光转换结构(例如132a、132b及/或132c)中的材料于制程中受到影响或破坏，故电子装置于制作中，可例如先设置触控结构TS，再设置光转换结构(例如132a、132b及/或132c)，但不以此为限。在一些实施例中，可先设置光转换结构(例如132a、132b及/或132c)，并对光转换层进行适当的保护后，再制作触控结构TS。
本发明的电子装置不以上述实施例为限，下文将继续揭示其它实施例，然为了简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。
请参考图5，图5为本发明第二实施例的电子装置的剖面示意图。如图5所示，本实施例的电子装置100a与第一实施例(如图2)的差异在于触控结构TS可包括第一触控层152及第二触控层154，且更包括光阻挡层144。详细来说，第一触控层152、光阻挡层142、第二触控层154、光阻挡层144例如依序设置在保护层PL1上，但不以此为限。在一些实施例中(图5)，在俯视方向Dt上，第一触控层152例如可被光阻挡层142所覆盖，而第二触控层154例如可分别被光阻挡层144所部分覆盖，但不限于此。换句话说，在俯视方向Dt上，部分的第二触控层154例如无重叠于光阻挡层144，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，在俯视方向Dt上，第二触控层154例如可被光阻挡层144所覆盖。当光阻挡层144及/或光阻挡层142覆盖或包覆触控层(例如第二触控层154或第一触控层152)，可提高电子装置的观看效果，或提高触控层被光阻挡层保护的效果，例如降低光阻挡层与其它电路元件不适当的短路或受水气、氧气影响触控层的效能。在一些实施例中(如图5)，相对于发光结构LS(即以发光结构LS为基准)，第一触控层152可位于光阻挡层142的下方，且第二触控层154可位于光阻挡层144的下方，但不限于此。在一些实施例中(如图5)，相对于发光结构LS(即以发光结构LS为基准)，光阻挡层142可位于第二触控层154的下方。在一些实施例中，第二触控层154例如夹设于光阻挡层中，或夹设于光阻挡层142及光阻挡层144之间，但不以此为限。触控层(第一触控层152及第二触控层154)与光阻挡层(142及144)的设置关系可依据需求而设计，其他可能的实施方式将于后续实施例与附图进行说明。在一些实施例中(如图5)，光阻挡层142及/或光阻挡层144的材料可相同或不同，例如包括绝缘材料。在一些实施例中(如图5)，第一触控层152及第二触控层154的材料可相同或不同。
在一些实施例中(如图5)，触控结构TS的厚度T可介于3微米(μm)至35微米之间(3微米≤厚度T≤35微米)，但不限于此。举例来说，触控结构TS的厚度T可介于3微米(μm)至17.5微米之间(3微米≤厚度T≤17.5微米)或介于18微米(μm)至35微米之间(18微米≤厚度T≤35微米)，但不限于此。触控结构TS的厚度T例如定义为于一剖面下，触控结构TS于俯视方向Dt上的最大厚度。举例来说(如图5)，厚度T例如为触控结构TS的邻近于覆盖层160的表面(例如光阻挡层144的邻近于覆盖层160的表面)与触控结构TS的邻近于第一基板110的表面(例如光阻挡层142的邻近于第一基板110的表面)之间的最大厚度。在一些实施例中(如图5)，第一触控层152的厚度T1及/或第二触控层154的厚度T2可约介于0.1微米至0.2微米之间(0.1微米≤厚度T1或厚度T2≤0.2微米)。厚度T1和厚度T2例如定义为于一剖面下，第一触控层152和第二触控层154分别的最小厚度。上述厚度T、厚度T1或厚度T2可例如通过扫描式电子显微镜来拍摄具有局部的该结构的影像，测量该影像中的该结构的最小厚度(参考如图5)，但不以此为限。在一些实施例中，触控结构TS的宽度W3可约介于1.5微米至12微米之间(1.5微米≤宽度W3≤12微米)，但不限于此。在一些实施例中，触控结构TS的宽度W3可介于1.5微米至6微米之间(1.5微米≤宽度≤6微米)或6微米至12微米之间(6微米≤宽度W3≤12微米)。触控结构TS的宽度W3例如定义为于一剖视方向上，触控结构TS的最大宽度。上述触控结构TS的宽度W3可例如通过光学显微镜或扫描式电子显微镜来测量，但不以此为限。在一些实施例中(如图5)，光阻挡层142的侧边例如与第二触控层154的侧边大致切齐，但不限于此。
须说明的是，通过本案设计，将触控层(例如第一触控层152及/或第二触控层154)与光阻挡层(例如光阻挡层142及/或光阻挡层144)组合成触控结构TS，可减少电子装置100的厚度，或缩短发光结构LS与光转换结构(例如132a、132b及/或132c)之间的距离、或短发光结构LS至出光面的距离，藉此提升光强度，但不限于此。在一些实施例中，电子装置100(或100a)可为可挠式电子装置100，通过上述设计可使电子装置100(或100a)的厚度减小，利于可挠式电子装置100的弯曲。
请参考图6，图6为本发明第三实施例的电子装置的剖面示意图。如图6所示，本实施例的电子装置200与第一实施例的差异在于触控结构TS例如设置在发光结构LS与光转换结构(例如132a、132b及/或132c)之间。详细而言，在图6中，触控结构TS例如包括第一触控层152及第二触控层154，部分的绝缘层IN4设置于第一触控层152及第二触控层154之间，用以分隔第一触控层152与第二触控层154，而第一触控层152及第二触控层154之间例如形成一电容用以感测。另外，电子装置200可包括一绝缘层IN3设置在第一触控层152与发光结构LS之间，绝缘层IN3可具有平坦化的效果，以利于触控结构TS的设置，减少不同触控结构TS之间所分别形成的电容的差异。在一些实施例中(如图6)，触控结构TS相对于发光结构LS(即，以发光结构LS为基准)位于光阻挡结构140的下方，而触控结构TS中例如无包括光阻挡层。在一些实施例(如图6)，于俯视方向Dt上，触控结构TS(包括第一触控层152及/或第二触控层154)可例如与光阻挡结构140重叠。在一些实施例(如图6)，于俯视方向Dt上，触控结构TS(第一触控层152及/或第二触控层154)可例如不重叠于光转换结构(例如132a、132b及/或132c)及/或发光结构LS。在一些实施例(如图6)，在俯视方向Dt上，触控结构TS例如位于两个邻近的光转换结构(例如132a、132b及/或132c)之间。在一些实施例中，绝缘层IN4的材料可包括无机绝缘层、有机绝缘层或上述的组合。
在一些实施例中(如图6)，第一触控层152可作为发光结构LS的辅助电极。详细而言，在图6中，第一触控层152可通过连接件CP电性连接至发光结构LS(例如第二电极E2)。在一些实施例(如图6)，绝缘层IN3例如有一穿孔(未标示)露出至少部分发光结构LS(例如第二电极E2)的表面，而导电材料例如设置或填入该穿孔而形成连接件CP，但不限于此。在一些实施例，连接件CP的材料可包括任一合适的导电材料，且连接件CP的材料例如与第一触控层152相同或不同。在一些实施例中(未绘示)，电子装置200的第一触控层152可例如设置在发光结构LS的第二电极E2上并接触第二电极E2，以作为发光结构LS的辅助电极。在一些实施例中，第一触控层152的材料可选用金属材料，可用以降低阻抗，提高信号传递至发光结构LS(例如第二电极E2)的效果，例如信号可均匀地传递至发光结构LS。在一些实施例中，第一触控层152可不电性连接至发光结构LS(例如第二电极E2)，故第一触控层152可不作为辅助电极，而电子装置中可选择性增设其它辅助电极(未绘示)。
在一些实施例中，电子装置例如为触控显示设备，此时触控功能与显示功能例如在不同的时序中分别进行。在触控时序中，第一触控层152及/或第二触控层154例如可用以接收触控信号，并通过连接于第一触控层152及/或第二触控层154的走线(未绘示)将触控信号传递至运算电路(未绘示)。另外，在显示时序中，当第一触控层152可作为辅助电极，电压源可例如经由第一触控层152传送到第二电极E2，但不以此为限，电压源例如包括共享电源(Vcom)或其他合适电压源。在一些实施例中(未绘示)，电子装置200的触控结构TS可通过自容式触控方式进行感测，因此，触控结构TS可只包括一层触控层(例如上述的第一触控层152与第二触控层154中的其中一个)。
请参考图7，图7为本发明第四实施例的电子装置的剖面示意图。如图7所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置300包括第二基板310，第二基板310相对于第一基板110。第一基板110上例如设置第一基板结构110S，第一基板结构110S定义为设置或形成在第一基板110上的所有膜层(及/或结构)。第二基板310上例如设置第二基板结构310S，第二基板结构310S定义为设置或形成在第二基板310上的所有膜层(及/或结构)。在一些实施例(如图7)，第一基板结构110S与第二基板结构310S可通过黏着层AL贴合。在一些实施例中(如图7)，第一基板结构110S包括电路元件层120与发光结构LS。另外，第二基板结构310S可包括光转换结构(例如132a、132b及/或132c)及触控结构TS，但不以此为限。在一些实施例中，第二基板结构310S还包括保护层PL2，保护层PL2设置在黏着层AL与光转换结构(例如132a、132b及/或132c)之间，用以保护光转换结构(例如132a、132b及/或132c)、触控结构TS与光阻挡层(144及/或142)。需注意的是，第一基板结构110S与第二基板结构310S中的层别(或结构)可依据需求而调整，例如可选择性删除部分层别(或结构)，或增加其他额外的层别(或结构)。另外，第二基板310的材料例如可与第一基板110相同或不同，在此不在重复叙述。
请参考图7，在一些实施例中，于剖视方向Dt上，触控结构TS可具有不同的宽度。换句话说，触控结构TS邻近于第二基板310的一侧的宽度例如大于或等于触控结构TS远离于第二基板310的一侧的宽度。在一些实施例中，触控结构TS的第二触控层154例如夹设于光阻挡层142及光阻挡层144之间。在一些实施例中，于剖视方向Dt上，第一触控层152及/或第二触控层154的外型例如为倒U型或其他合适的外型。在一些实施例中，于剖视方向Dt上，第一触控层152及第二触控层154的外型例如相同或不同。在一些实施例中，第二触控层154投影至第二基板310的面积例如小于第一触控层152的投影至第二基板310的面积，但不限于此。在一些实施例中，第二触控层154可例如未与光转换结构(如132a、132b及/或132c)接触。在一些实施例中(未绘示)，第一触控层152可例如未与光转换结构(如132a、132b及/或132c)接触。
在一些实施例中(如图7)，在俯视方向Dt上，部分的第一触控层152及/或第二触控层154例如未被光阻挡层142及/或光阻挡层144所覆盖或遮蔽，为了降低外界光线被触控结构TS中的第一触控层152及/或第二触控层154所反射，可例如设置一偏光片320或降反射层(未绘示)在第二基板310或触控结构TS上，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，第一触控层152亦可通过连接件CP电性连接至第一基板结构110S的发光结构LS(例如第二电极E2)，以作为发光结构LS的辅助电极。
在一些实施例中(未绘示)，触控结构TS可包括于第二基板结构310S中，其中第一触控层152例如设置于保护层PL2与光阻挡层142之间，而第二触控层154例如设置于光阻挡层142与第二基板310之间，但不以此为限。在一些实施例中(未绘示)，第一触控层152可包括于第一基板结构110S中，而第二触控层154可包括于第二基板结构310S。
请参考图8，图8为本发明第五实施例的电子装置的剖面示意图。如图8所示，本实施例与第四实施例的差异在于本实施例的电子装置400的触控结构TS可利用自容式触控方式进行感测，电子装置400的触控结构TS可仅包括一层的第一触控层152。在一些实施例中(如图8)，相对于发光结构LS，光阻挡层142可位于第一触控层152的下方，但不以此为限。在一些实施例中(如图8)，在俯视方向Dt上，由于触控结构TS上未被光阻挡层142所覆盖或遮蔽，为了降低外界光线被触控结构TS所反射，例如可设置一偏光片320或降反射层(未绘示)在第二基板310/或触控结构TS上。
请参考图9，图9为本发明第六实施例的电子装置的剖面示意图。如图9所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置500的触控结构TS的设置方式。在图9中，触控结构TS的第一触控层152可设置在发光结构LS与保护层PL1之间，第二触控层154可设置在光阻挡层142与覆盖层160之间，而第一触控层152与第二触控层154之间例如设置光阻挡层142及/或保护层PL1，但不以此为限。换句话说，相对于发光结构LS，第一触控层152可位于光阻挡层142下方，光阻挡层142可位于第二触控层154下方。在一些实施例中(如图9)，触控结构TS可包括第一触控层152、第二触控层154、光阻挡层142及/或部分的保护层PL1，且在俯视方向Dt上，触控结构TS位于两个邻近的光转换结构(例如132a、132b及/或132c)之间。
请参考图10，图10为本发明第七实施例的电子装置的剖面示意图。如图10所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置600为向下发光，即第一基板110的外表面110a为电子装置600的出光面(即使用者的观看面)，且第一基板110的外表面110a可例如为用以触控的表面，但不限于此。在一些实施例中(如图10)，光阻挡层142、光阻挡层144及/或光转换结构(例如132a、132b及/或132c)例如也包括于第一基板结构110S中，但不限于此。在一些实施例中(如图10)，光阻挡层142、光阻挡层144及/或光转换结构(例如132a、132b及/或132c)例如设置于第一基板110与电路元件层120(或发光结构LS)之间。在一些实施例中(如图10)，电子装置600例如为向下发光，不透光的电子结构(例如开关元件SW、数据线(未绘示)及/或扫描线(未绘示)，但不限于此)例如在俯视方向Dt上与发光结构LS不重叠，藉此可提高发光亮度或观看品质。在一些实施例中(如图10)，不透光的电子结构例如在俯视方向Dt与光阻挡层142及/或光阻挡层144重叠，可降低外界光被不透光的电子结构所反射的机率。在一些实施例中(如图10)，电子装置600例如为向下发光，第一电极E1可包括透明导电材料，第二电极E2可为金属(可用以反射发光层LE所产生的光线)，但不以此为限。在一些实施例中(如图10)，触控结构TS例如包括于第一基板结构110S中，触控结构TS于剖面下可具有不同的宽度。换句话说，触控结构TS邻近于第一基板110的一侧的宽度例如大于或等于触控结构TS远离于第一基板110的一侧的宽度，但不限于此。
在图10中，绝缘层IN3例如设置于开关元件SW与触控结构TS之间，用以分隔开关元件SW与触控结构TS，使开关元件SW与触控结构TS之间电性绝缘。另外，第二触控层154与第一触控层152之间可设置绝缘层IN4及/或光阻挡层144，通过绝缘层IN4及/或光阻挡层144用以分隔第二触控层154与第一触控层152而形成一电容，但不以此为限。
请参考图11，图11为本发明第八实施例的电子装置的剖面示意图，其中图11例如仅绘示绿色子像素SPX1与红色子像素SPX2，但不限于此。如图11所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置700的发光结构LS例如为发光二极管(包括微型发光二极管)。发光二极管可包括第一半导体层SM1、第二半导体层SM2及位于第一半导体层SM1和第二半导体层SM2之间的发光层LE，且第一半导体层SM1与第二半导体层SM2可通过连接件710接合至第一基板110上的接合垫(bonding pad)720，但不以此为限，发光二极管中的层别或层别之间的设置关系可依据需求而调整。另外，为了提升发光二极管的光利用效率，电路元件层120可包括反射层LR，用以将部分由发光结构LS所提供或发射的光线向上反射。在一些实施例中(如图11)，反射层LR可由导电层ML2所形成，但不以此为限。在一些实施例中(未绘示)，反射层LR可设置(或覆盖)在像素定义层PDL上。在一些实施例中(如图11)，电子装置700可包括缓冲层BF，设置在第一基板110与开关元件SW之间，但不以此为限。
在图11中，触控结构TS是通过自容式方式进行感测，电子装置700可只包括一层第一触控层152，且部分的第一触控层152可例如被夹设于光阻挡层142及/或光阻挡层144之间。在一些实施例(未绘示)，部分的第一触控层152可例如露出而与其他电路元件(未绘示)连接，其中电路元件可包括芯片、(软性或硬性)电路板，但不以此为限。
请参考图12，图12为本发明第九实施例的电子装置的剖面示意图，其中图12仅绘示绿色子像素SPX1与红色子像素SPX2，但不限于此。如图12所示，本实施例与第八实施例的差异在于本实施例的电子装置800的发光二极管的类型。在图12中，发光结构LS可例如包括垂直式(vertical type)发光二极管。在一些实施例中(如图12)，光转换结构(例如132a、132b及/或132c)例如包括于第一基板结构110S中，光转换结构(例如132a、132b及/或132c)可例如邻近且覆盖于发光结构LS上，而光转换结构(例如132a、132b及/或132c)与发光结构LS之间可选择性设置透明绝缘结构TIS，但不以此为限。在一些实施例中(如图12)，发光结构LS可包括第一半导体层SM1、第二半导体层SM2及位于第一半导体层SM1和第二半导体层SM2之间的发光层LE，且第一半导体层SM1可通过连接件710接合至第一基板110上的接合垫(bonding pad)720，而第二半导体层SM2可通过连接件710及连接件730连接合至导电层ML2，但不以此为限，发光二极管中的层别或层别之间的设置关系可依据需求而调整。在一些实施例中(如图12)，像素定义层PDL可包括单一结构或复合结构，例如像素定义层PDL可包括绝缘材料、反射材料、其它合适的材料或上述材料的组合，但不限于此。举例来说，像素定义层PDL可例如为绝缘结构外涂布反射材料，而反射材料例如位于像素定义层PDL中邻近光转换结构(例如132a、132b及/或132c)的侧面上，藉此提高光线反射回光转换结构做转换的机率，提高光转换效率。
请参考图13，图13为本发明第十实施例的电子装置的剖面示意图。如图13所示，本实施例与第一实施例的差别在于本实施例的电子装置900的触控结构TS例如在俯视方向Dt上重叠于至少一光转换结构(例如132a、132b及/或132c)或发光结构LS，且触控结构TS中的第一触控层152及/或第二触控层154例如包括透明导电材料。在一些实施例中(如图13)，触控结构TS是通过互容式触控方式进行感测，触控结构TS可包括第一触控层152与第二触控层154，及设置于第一触控层152与第二触控层154之间的至少部分的透明绝缘层TIN。在一些实施例中(如图13)，触控结构TS可例如对应设置于光阻挡结构140的开口OP中，换句话说，光阻挡结构140例如邻近或环绕触控结构TS设置，但不以此为限。在一些实施例中(如图13)，触控结构TS可设置在光转换结构(例如132a、132b及/或132c)与发光结构LS之间，但不以此为限。在一些实施例中(未绘示)，在俯视方向Dt上，触控结构TS可重叠于光转换结构(例如132a、132b及/或132c)，且光转换结构(例如132a、132b及/或132c)设置于触控结构TS与发光结构LS之间，即触控结构TS比光转换结构(例如132a、132b及/或132c)更邻近于出光面。在一些实施例中，第一触控层152与第二触控层154可例如分别位于光转换结构(例如132a、132b及/或132c)的两侧，通过光转换结构分隔第一触控层152与第二触控层154而形成一电容，但不限于此。
需注意的是，上述实施例可选择性为自容式触控感测或互容式触控感测，触控结构TS可根据感测类型而选择性包括一层触控层或多层触控层，本发明并无限制。综上所述，本发明所提供的电子装置具有光转换结构与触控结构，且例如将光转换结构及触控结构整合于一面板中，但不限于此。
虽然本发明的实施例及其优点已发明如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一发光结构；
至少一触控结构，设置在所述发光结构上；以及
至少两个邻近的光转换结构；
其中所述至少一触控结构位于所述至少两个邻近的光转换结构之间。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一触控结构包括一触控层以及一光阻挡层。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，相对于所述发光结构，所述触控层位于所述光阻挡层的下方。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，相对于所述发光结构，所述光阻挡层位于所述触控层的下方。
5.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述触控层夹设于所述光阻挡层中。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述触控结构为一复合层结构。
7.一种电子装置，其特征在于，包括：
一发光结构；
多个光转换结构，设置在所述发光结构上；以及
至少一触控结构，设置在所述发光结构与所述多个光转换结构之间。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，于一俯视方向上，所述触控结构不重叠于所述多个光转换结构。
9.一种电子装置，其特征在于，包括：
一发光结构；
一光转换结构，设置在所述发光结构上；以及
一触控结构，邻近所述光转换结构，且于一俯视方向上重叠于所述光转换结构。
10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述触控结构包括一触控层以及一透明绝缘层。
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