CN112630288A - 一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法 - Google Patents

一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112630288A
CN112630288A CN202011287205.4A CN202011287205A CN112630288A CN 112630288 A CN112630288 A CN 112630288A CN 202011287205 A CN202011287205 A CN 202011287205A CN 112630288 A CN112630288 A CN 112630288A
Authority
CN
China
Prior art keywords
discharge
plate
cavity
electron emission
secondary electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011287205.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112630288B (zh
Inventor
王春生
孙含笑
薛晨博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Minglong Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Yanshan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yanshan University filed Critical Yanshan University
Priority to CN202011287205.4A priority Critical patent/CN112630288B/zh
Publication of CN112630288A publication Critical patent/CN112630288A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112630288B publication Critical patent/CN112630288B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/62—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/92—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating breakdown voltage

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

本发明公开一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法，该装置包括放电箱内设置两个放电腔，分别为上放电腔和下放电腔，上放电腔包括上放电板，上放电板与放电箱上内侧壁构成上放电腔，下放电腔包括下放电板，下放电板与放电箱下内侧壁构成下放电腔；该测量方法利用利用汤生自持放电条件公式结合放电平衡时上下放电板长度求得电子发射系数，装置制作简单，测量方法可肉眼观测，方便检测与验证。

Description

一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法
技术领域
本发明本发明涉及材料特性参数测量领域，尤其涉及一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法。
背景技术
二次电子发射系数是材料的基本属性之一，它表达了材料发射电子数量与打到材料表面的离子数量之比。材料的二次电子发射系数是材料航空应用，放电材料选取的重要参考依据，而现有二次电子发射系数的测量需要专业的大型设备，并测量发射电子的数量，不利于材料的应用推广。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足，提供一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
一种基于放电的二次电子发射系数测量装置，包括放电箱，所述放电箱内设置两个放电腔，分别为上放电腔和下放电腔，所述上放电腔包括上放电板，所述上放电板与放电箱上内侧壁构成上放电腔，所述下放电腔包括下放电板，所述下放电板与放电箱下内侧壁构成下放电腔，所述放电箱左端内侧壁上设置阴极板，所述上放电腔右端内侧壁上设置上阳极板，所述下放电腔右端内侧壁上设置下阳极板，所述上放电板和下放电板均可与放电箱相对来回移动。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述放电箱采用透明石英材料。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述放电箱侧壁上设置气压孔。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述下放电板横向长度大于上放电板横向长度。
一种基于放电的二次电子发射系数测量方法，包括以下步骤，S1：将上放电板左端内侧壁上贴上待测材料，下放电板左端内侧壁上贴上基准材料；
S2：S1步骤完成后，阴极板引出导线接电源负极，上阳极板和下阳极板引出导线共接电源正极；
S3：移动上放电板，使上放电腔的空间体积小于下放电腔，逐渐增大电源电压，使下放电腔能够放电，进一步移动上放电板，直到上放电腔能够放电，此时分别记录上放电腔和上放电腔的长度L2和L1；
S4：利用汤生自持放电条件公式：γ·(eα·L-1)＝1，其中α为汤生第一电离系数，代表的是电子与中性气体碰撞的电离倍增作用；γ为阴极发射的二次电子数与入射到阴极电子数之比，也就是二次电子发射系数，L为放电时两个极板之间的距离。对于相同气体，气压，电场的情况下，α值相同；将两个放电腔二次电子发射系数之间的关系分别改写成：
Figure BDA0002782764910000021
Figure BDA0002782764910000022
两个方程取自然对数后，相除可以进一步得到：
Figure BDA0002782764910000023
该方程整理后得到
Figure BDA0002782764910000024
因此根据已知材料的γ1和两种情况下的自维持放电长度L1,L2，可得到未知材料的二次电子发射系数γ2。
由于采用了上述技术方案，本发明取得的技术进步是：
本发明结构简单便于制作，可肉眼观察其实验现象方便进行实验，且运用原理易于理解，涉及变量参数较少使实验具有较强可控性。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
其中，1、放电箱，2、阴极板，3、上放电腔，4、下放电腔，5、上阳极板，6、下阳极板，7、气压孔，8、待测材料，9、基准材料，10、上放电板，11、下放电板。
具体实施方式
一种基于放电的二次电子发射系数测量装置，包括放电箱1，放电箱1采用透明的石英材料易于使实验便于观察放电现象，放电箱1内设置两个放电腔，分别为上放电腔3和下放电腔4，上放电腔3包括上放电板10，上放电板10与放电箱1上内侧壁构成上放电腔3，下放电腔4包括下放电板11，下放电板11与放电箱1下内侧壁构成下放电腔4，下放电板11横向长度大于上放电板10横向长度，放电箱1左端内侧壁上设置阴极板2，上放电腔3右端内侧壁上设置上阳极板5，下放电腔4右端内侧壁上设置下阳极板6，所述上放电板10和下放电板11均可与放电箱1相对来回移动来改变上放电腔3和下放电腔4空间大小,为保证实验过程中放电腔内气压平衡，放电箱1侧壁上设置气压孔7。
在上述装置基础上，进行放电实验来测量材料的二次电子发射系数测量装置，其实验步骤如下，一种基于放电的二次电子发射系数测量方法，S1：将上放电板10左端内侧壁上贴上待测材料8，下放电板11左端内侧壁上贴上基准材料9；
S2：S1步骤完成后，阴极板引出导线接电源负极，上阳极板5和下阳极板6引出导线共接电源正极；
S3：移动上放电板10，使上放电腔3的空间体积小于下放电腔4，逐渐增大电源电压，使下放电腔4能够放电，进一步移动上放电板10，直到上放电腔3能够放电，此时分别记录上放电腔4和上放电腔3的长度L2和L1；
S4：利用汤生自持放电条件公式：γ·(eα·L-1)＝1，其中α为汤生第一电离系数，代表的是电子与中性气体碰撞的电离倍增作用；γ为阴极发射的二次电子数与入射到阴极电子数之比，也就是二次电子发射系数，L为放电时两个极板之间的距离。对于相同气体，气压，电场的情况下，α值相同；将两个放电腔二次电子发射系数之间的关系分别改写成：
Figure BDA0002782764910000041
Figure BDA0002782764910000042
两个方程取自然对数后，相除可以进一步得到：
Figure BDA0002782764910000043
该方程整理后得到
Figure BDA0002782764910000044
因此根据已知材料的γ1和两种情况下的自维持放电长度L1,L2，通过代入上式可得到未知材料的二次电子发射系数γ2。

Claims (5)

1.一种基于放电的二次电子发射系数测量装置，包括放电箱(1)，其特征在于：所述放电箱(1)内设置两个放电腔，分别为上放电腔(3)和下放电腔(4)，所述上放电腔(3)包括上放电板(10)，所述上放电板(10)与放电箱(1)上内侧壁构成上放电腔(3)，所述下放电腔(4)包括下放电板(11)，所述下放电板(11)与放电箱(1)下内侧壁构成下放电腔(4)，所述放电箱(1)左端内侧壁上设置阴极板(2)，所述上放电腔(3)右端内侧壁上设置上阳极板(5)，所述下放电腔(4)右端内侧壁上设置下阳极板(6)，所述上放电板(10)和下放电板(11)均可与放电箱(1)相对来回移动来改变上放电腔(3)和下放电腔(4)空间大小。
2.根据权利要求1所述的一种基于放电的二次电子发射系数测量装置，其特征在于：所述放电箱(1)采用透明的石英材料。
3.根据权利要求1所述的一种基于放电的二次电子发射系数测量装置，其特征在于：所述放电箱(1)侧壁上设置气压孔(7)。
4.根据权利要求1所述的一种基于放电的二次电子发射系数测量装置，其特征在于：所述下放电板(11)横向长度大于上放电板(10)横向长度。
5.一种基于放电的二次电子发射系数测量方法，其特征在于：包括以下步骤，S1：将上放电板(10)左端内侧壁上贴上待测材料(8)，下放电板(11)左端内侧壁上贴上基准材料(9)；
S2：S1步骤完成后，阴极板引出导线接电源负极，上阳极板(5)和下阳极板(6)引出导线共接电源正极；
S3：移动上放电板(10)，使上放电腔(3)的空间体积小于下放电腔(4)，逐渐增大电源电压，使下放电腔(4)能够放电，进一步移动上放电板(10)，直到上放电腔(3)能够放电，此时分别记录上放电腔(4)和上放电腔(3)的长度L2和L1；
S4：利用汤生自持放电条件公式：γ·(eα·L-1)＝1，其中α为汤生第一电离系数，代表的是电子与中性气体碰撞的电离倍增作用；γ为阴极发射的二次电子数与入射到阴极电子数之比，也就是二次电子发射系数，L为放电时两个极板之间的距离。对于相同气体，气压，电场的情况下，α值相同；将两个放电腔二次电子发射系数之间的关系分别改写成：
Figure FDA0002782764900000021
Figure FDA0002782764900000022
两个方程取自然对数后，相除可以进一步得到：
Figure FDA0002782764900000023
该方程整理后得到
Figure FDA0002782764900000024
因此根据已知材料的γ1和两种情况下的自维持放电长度L1,L2，可得到未知材料的二次电子发射系数γ2。
CN202011287205.4A 2020-11-17 2020-11-17 一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法 Active CN112630288B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011287205.4A CN112630288B (zh) 2020-11-17 2020-11-17 一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011287205.4A CN112630288B (zh) 2020-11-17 2020-11-17 一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112630288A true CN112630288A (zh) 2021-04-09
CN112630288B CN112630288B (zh) 2021-10-12

Family

ID=75303421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011287205.4A Active CN112630288B (zh) 2020-11-17 2020-11-17 一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112630288B (zh)

Citations (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1027731A (fr) * 1949-11-18 1953-05-15 Cathodeon Ltd Perfectionnement aux tubes d'émission de télévision
GB1297127A (zh) * 1968-12-14 1972-11-22
EP0046154A1 (en) * 1980-08-08 1982-02-24 Battelle Development Corporation Apparatus for coating substrates by high-rate cathodic sputtering, as well as sputtering cathode for such apparatus
EP0158970A1 (en) * 1984-04-16 1985-10-23 SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) Nonthermionic hollow anode gas discharge electron beam source
EP0169391A1 (de) * 1984-06-26 1986-01-29 Siemens Aktiengesellschaft Gaslaser
EP0396398A1 (en) * 1989-05-05 1990-11-07 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma etching apparatus with surface magnetic fields
EP0400751A1 (en) * 1989-06-01 1990-12-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electric discharge element
CN1076546A (zh) * 1993-03-18 1993-09-22 清华大学 气体电离型高能x.r辐射成象阵列探测装置
WO1999028528A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-10 Pacific Solar Pty. Ltd. High rate deposition of amorphous silicon films
JP2000182559A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Fujitsu Ltd ２次電子測定装置
JP2000321040A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Toshiba Corp パターン寸法測定装置およびパターン寸法測定方法
EP1080942A1 (en) * 1999-08-31 2001-03-07 Agfa-Gevaert N.V. Method for erasing a lithographic printing master
EP1221709A2 (en) * 1995-12-15 2002-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel suitable for high-quality display and production method
JP2002313862A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の検査方法および検査装置
DE102004043441A1 (de) * 2003-10-29 2005-05-25 Bergische Universität Wuppertal Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Konzentration metastabil angeregter Atome oder Moleküle
JP2005147671A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Hitachi Ltd 荷電粒子線調整方法および装置
CN1666311A (zh) * 2002-07-09 2005-09-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 矩阵显示装置
CN1707724A (zh) * 2004-06-07 2005-12-14 清华大学 场发射装置及其制造方法
CN101047093A (zh) * 2006-03-29 2007-10-03 三星Sdi株式会社 具有被覆盖以介电层的电极的等离子体显示面板
CN101373196A (zh) * 2008-10-10 2009-02-25 东南大学 一种测量MgO外逸电子发射电流的方法及其装置
CN101720163A (zh) * 2008-10-10 2010-06-02 河南理工大学 大气压下介质阻挡类辉光放电反应器
US20100320372A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-23 Blick Robert H Molecule mass detection via field emission of electrons from membranes
CN102098858A (zh) * 2011-01-18 2011-06-15 武汉和隆电子有限公司 气体放电灯启动器
CN102706914A (zh) * 2012-06-29 2012-10-03 北京卫星环境工程研究所 介质材料二次电子发射系数测量系统及测量方法
CN102925893A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 西安空间无线电技术研究所 一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法
EP2639579A1 (en) * 2006-12-14 2013-09-18 Life Technologies Corporation Apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US8618733B1 (en) * 2006-01-26 2013-12-31 Imaging Systems Technology, Inc. Electrode configurations for plasma-shell gas discharge device
US20140051181A1 (en) * 2008-07-28 2014-02-20 Micromass Uk Limited Glow Discharge Ion Source
CN103776858A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 西安交通大学 一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法
CN104569014A (zh) * 2014-10-27 2015-04-29 西安空间无线电技术研究所 测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置
CN205786981U (zh) * 2016-06-17 2016-12-07 华北电力大学 气体放电参数的测量设备
US20170080253A1 (en) * 2015-09-23 2017-03-23 Varian Medical Systems, Inc. Systems, methods, and devices for high-energy irradiation
CN107340285A (zh) * 2017-07-26 2017-11-10 大连理工大学 一种面壁材料3d微区燃料滞留无损定量分析方法
CN109358237A (zh) * 2018-09-26 2019-02-19 台州学院 一种等离子体碰撞频率对电磁传播影响的实验平台及使用方法
CN110146529A (zh) * 2019-05-16 2019-08-20 中国科学院高能物理研究所 一种测量介质材料二次电子发射系数的方法
CN110220929A (zh) * 2019-06-14 2019-09-10 北方夜视技术股份有限公司 一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法
CN110645490A (zh) * 2019-09-23 2020-01-03 周孔礼 采用磁控溅射法进行uvled灯玻璃件封装的结构及方法
CN111353259A (zh) * 2020-02-27 2020-06-30 长安大学 一种金属二次电子发射系数计算方法
WO2020205086A1 (en) * 2019-04-02 2020-10-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for angled etching
CN111880051A (zh) * 2020-05-29 2020-11-03 西安交通大学 一种气体脉冲放电参数测量方法及装置

Patent Citations (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1027731A (fr) * 1949-11-18 1953-05-15 Cathodeon Ltd Perfectionnement aux tubes d'émission de télévision
GB1297127A (zh) * 1968-12-14 1972-11-22
EP0046154A1 (en) * 1980-08-08 1982-02-24 Battelle Development Corporation Apparatus for coating substrates by high-rate cathodic sputtering, as well as sputtering cathode for such apparatus
EP0158970A1 (en) * 1984-04-16 1985-10-23 SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) Nonthermionic hollow anode gas discharge electron beam source
EP0169391A1 (de) * 1984-06-26 1986-01-29 Siemens Aktiengesellschaft Gaslaser
EP0396398A1 (en) * 1989-05-05 1990-11-07 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma etching apparatus with surface magnetic fields
EP0400751A1 (en) * 1989-06-01 1990-12-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electric discharge element
CN1076546A (zh) * 1993-03-18 1993-09-22 清华大学 气体电离型高能x.r辐射成象阵列探测装置
EP1221709A2 (en) * 1995-12-15 2002-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel suitable for high-quality display and production method
EP1221711A2 (en) * 1995-12-15 2002-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel suitable for high-quality display and production method
WO1999028528A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-10 Pacific Solar Pty. Ltd. High rate deposition of amorphous silicon films
JP2000182559A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Fujitsu Ltd ２次電子測定装置
JP2000321040A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Toshiba Corp パターン寸法測定装置およびパターン寸法測定方法
EP1080942A1 (en) * 1999-08-31 2001-03-07 Agfa-Gevaert N.V. Method for erasing a lithographic printing master
JP2002313862A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の検査方法および検査装置
CN1666311A (zh) * 2002-07-09 2005-09-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 矩阵显示装置
DE102004043441A1 (de) * 2003-10-29 2005-05-25 Bergische Universität Wuppertal Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Konzentration metastabil angeregter Atome oder Moleküle
JP2005147671A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Hitachi Ltd 荷電粒子線調整方法および装置
CN1707724A (zh) * 2004-06-07 2005-12-14 清华大学 场发射装置及其制造方法
US8618733B1 (en) * 2006-01-26 2013-12-31 Imaging Systems Technology, Inc. Electrode configurations for plasma-shell gas discharge device
CN101047093A (zh) * 2006-03-29 2007-10-03 三星Sdi株式会社 具有被覆盖以介电层的电极的等离子体显示面板
EP2639579A1 (en) * 2006-12-14 2013-09-18 Life Technologies Corporation Apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US20140051181A1 (en) * 2008-07-28 2014-02-20 Micromass Uk Limited Glow Discharge Ion Source
CN101373196A (zh) * 2008-10-10 2009-02-25 东南大学 一种测量MgO外逸电子发射电流的方法及其装置
CN101720163A (zh) * 2008-10-10 2010-06-02 河南理工大学 大气压下介质阻挡类辉光放电反应器
US20100320372A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-23 Blick Robert H Molecule mass detection via field emission of electrons from membranes
CN102098858A (zh) * 2011-01-18 2011-06-15 武汉和隆电子有限公司 气体放电灯启动器
CN102706914A (zh) * 2012-06-29 2012-10-03 北京卫星环境工程研究所 介质材料二次电子发射系数测量系统及测量方法
CN102925893A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 西安空间无线电技术研究所 一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法
CN103776858A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 西安交通大学 一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法
CN104569014A (zh) * 2014-10-27 2015-04-29 西安空间无线电技术研究所 测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置
US20170080253A1 (en) * 2015-09-23 2017-03-23 Varian Medical Systems, Inc. Systems, methods, and devices for high-energy irradiation
CN205786981U (zh) * 2016-06-17 2016-12-07 华北电力大学 气体放电参数的测量设备
CN107340285A (zh) * 2017-07-26 2017-11-10 大连理工大学 一种面壁材料3d微区燃料滞留无损定量分析方法
CN109358237A (zh) * 2018-09-26 2019-02-19 台州学院 一种等离子体碰撞频率对电磁传播影响的实验平台及使用方法
WO2020205086A1 (en) * 2019-04-02 2020-10-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for angled etching
CN110146529A (zh) * 2019-05-16 2019-08-20 中国科学院高能物理研究所 一种测量介质材料二次电子发射系数的方法
CN110220929A (zh) * 2019-06-14 2019-09-10 北方夜视技术股份有限公司 一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法
CN110645490A (zh) * 2019-09-23 2020-01-03 周孔礼 采用磁控溅射法进行uvled灯玻璃件封装的结构及方法
CN111353259A (zh) * 2020-02-27 2020-06-30 长安大学 一种金属二次电子发射系数计算方法
CN111880051A (zh) * 2020-05-29 2020-11-03 西安交通大学 一种气体脉冲放电参数测量方法及装置

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A.M. SHAGAR.ET: "Performance of the Secondary Townsend Emission through the Electric Discharge Characteristics in Coaxial Vircator", 《ARAB JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCES AND APPLICATIONS》 *
DRAGANAMARI.ET: "Gas breakdown and secondary electron yields", 《THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D》 *
QIAN LIU.ET: "Numerical study of effect of secondary electron emission on discharge characteristics in low pressure capacitive RF argon discharge", 《PHYSICS OF PLASMAS》 *
SAMAH I. RADWAN.ET: "Study of the secondary electron emission coefficient using disc and conical electrodes", 《CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS》 *
TOMOKAZU YOSHINAGA.ET: "Effects of Secondary Electron Emission Coefficients on Townsend’s Second Ionization Coefficient in Argon Dielectric Barrier Discharges", 《IEEJ TRANS》 *
徐慧敏: "大气压DBD等离子体炬对几种有机基体表面的聚合改性研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 (工程科技Ⅰ辑)》 *
李亚: "导电衬垫电磁脉冲适应性试验装置的研制", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 (工程科技Ⅱ辑)》 *
李力波: "细长圆管内低气压氩气射频辉光放电中放电结构的数值研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库基础科学辑》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112630288B (zh) 2021-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ITMI941380A1 (it) Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter
CN108896913A (zh) 一种锂离子电池健康状态的估算方法
CN110797569B (zh) 四电极锂离子电池及其电位测量方法
CN106199451B (zh) 一种测试锂离子电池磷酸亚铁锂正极片最优压实密度的方法
CN107526881B (zh) 一种基于连续性推导的锂电池电极阻抗建模方法
CN109614754B (zh) 一种锂离子电池三维简化模型的仿真方法
CN110828886A (zh) 一种三电极锂离子电池及其制备方法
CN103604789B (zh) 一种荧光粉性能测试系统以及测试方法
CN112630288B (zh) 一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法
CN113533981A (zh) 锂离子电池自放电检测方法、设备及计算机可读存储介质
Li et al. Revealing the mechanism of stress rebound during discharging in lithium-ion batteries
CN107064812B (zh) 电池内部水分含量的测试方法
JP6032485B2 (ja) 非水電解質二次電池の検査方法
CN107528093A (zh) 一种磷酸铁锂动力电池的老化工艺
CN109411806A (zh) 一种低温锂离子电池及其制备方法
CN108732203B (zh) 一种钛酸锂电池胀气程度的检测方法
CN109916769A (zh) 一种用于粉体物料的压实密度的测试方法
Schulz et al. Evaluating the effect of solid electrolyte interphase formers on lithium depth profiles of the solid electrolyte interphase layer and bulk electrode material in LiNi0. 4Mn0. 4Co0. 2O2/graphite pouch cells obtained with lithium nuclear reaction analysis
CN113761716A (zh) 一种锂离子电池循环寿命预测方法及其应用
CN111413631A (zh) 一种用阻抗谱测试锂电池中锂离子嵌入活化能的方法
CN111856293B (zh) 一种锂离子电池硅负极材料容量的测试方法
CN112421118A (zh) 一种锂离子电池负压化成方法及锂离子电池
CN114384111B (zh) 一种检测锂离子电极表面死锂的方法
CN116973783B (zh) 一种极板原位电流电位测量方法
CN111682273B (zh) 一种铅蓄电池化成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230412

Address after: 230000 B-1015, wo Yuan Garden, 81 Ganquan Road, Shushan District, Hefei, Anhui.

Patentee after: HEFEI MINGLONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 066004 No. 438, Hebei Avenue, seaport District, Hebei, Qinhuangdao

Patentee before: Yanshan University

TR01 Transfer of patent right