CN112626452A - 掩膜结构 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种掩膜结构，包括：掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背的支撑面和背面，框架本体上开设有由支撑面向背面下沉的下沉部，下沉部具有与背面相交设置的斜面；对位掩膜板，设置于支撑面，对位掩膜板开设有间隔设置且分别与下沉部连通的对位孔以及辅助孔，其中，沿垂直于背面的第一方向，对位孔以及辅助孔的正投影均位于下沉部的正投影内且斜面的正投影覆盖对位孔的正投影设置。本发明实施例提供的掩膜结构，在清洗时，能够减少药液残留，保证蒸镀机对对位孔位置区的对位抓取精度，降低误抓风险。

Description

掩膜结构

技术领域

本发明涉及掩膜技术领域，特别是涉及一种掩膜结构。

背景技术

目前蒸镀过程多使用精密掩膜结构(FMM)将有机发光材料蒸镀至基板指定位置，通常使用焊接在掩膜框架上的对位掩膜板的对位孔建立坐标系进行FMM精密张网。

多次蒸镀使用后，FMM上会残留蒸镀用有机材料，影响FMM蒸镀效果。故需要对Mask进行清洗，保证FMM再次使用时的清洁。经药液清洗后风刀吹干的过程中，容易在对位掩膜板的对位孔周边与掩膜框架的搭接间隙处形成药液残留，这部分药液最终会在掩膜板的对位孔周边形成残留药液污渍，过多的药液残留将使得蒸镀机在利用对位孔建立坐标系进行精密张网的过程中，蒸镀机对对位孔的对位抓取精度低，且误抓风险高。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜结构，在清洗时，能够减少药液残留污渍，保证蒸镀机对对位孔的对位抓取精度，降低误抓风险。

一方面，根据本发明实施例提出了一种掩膜结构，包括：掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背设置的支撑面和背面，框架本体上开设有由支撑面向背面下沉的下沉部，下沉部具有与背面相交设置的斜面；对位掩膜板，设置于支撑面，对位掩膜板开设有间隔设置且分别与下沉部连通的对位孔以及辅助孔，其中，沿垂直于背面的第一方向，对位孔以及辅助孔的正投影均位于下沉部的正投影内且斜面的正投影覆盖对位孔的正投影设置。

根据本发明实施例的一个方面，沿第一方向，辅助孔在背面的正投影的面积大于对位孔在背面的正投影的面积。

根据本发明实施例的一个方面，辅助孔沿第一方向的正投影的形状为圆形、椭圆形以及多边形中的一者。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部的数量为多个且在框架本体上间隔分布，对位掩膜板上对应每个下沉部均设置有辅助孔以及对位孔，与同一下沉部对应设置的辅助孔与对位孔之间的最小距离为0.2mm。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部包括贯通孔，贯通孔贯穿支撑面以及背面且轴线与背面相交设置，斜面形成于贯通孔的侧壁，沿第一方向，对位孔以及辅助孔的正投影均位于贯通孔的正投影内。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部包括贯通孔以及凹部，贯通孔贯穿支撑面以及背面且轴线与背面相交设置，斜面形成于贯通孔的侧壁，凹部围绕贯通孔设置并由支撑面起始沿第一方向凹陷预定深度，沿第一方向，对位孔的正投影位于贯通孔的正投影内，辅助孔的正投影位于贯通孔和/或凹部的正投影内。

根据本发明实施例的一个方面，框架本体上还设置有由支撑面起始并沿第一方向凹陷预定深度的导槽，框架本体还包括连接支撑面以及背面的侧壁面，导槽贯穿侧壁面，凹部与导槽连通。

根据本发明实施例的一个方面，沿与第一方向相交的第二方向，凹部包括相继设置的围合区以及导流区，围合区在第二方向的截面尺寸大于导流区在第二方向的截面尺寸，凹部通过导流区与导槽连通。

根据本发明实施例的一个方面，导流区包括平滑过渡段以及连接段，平滑过渡段连接于围合区以及连接段之间，沿第二方向并由围合区至连接段，平滑过渡段的截面尺寸逐渐减小。

根据本发明实施例的一个方面，凹部在支撑面上形成有开口，对位孔的面积与相对设置的开口的面积比值范围为1/2000至1/200。

根据本发明实施例的一个方面，框架本体包括在第一方向层叠设置的基体以及凸起，下沉部设置于凸起并由凸起背离基体的一侧起始向基体所在侧下沉形成。

根据本发明实施例的一个方面，基体为矩形框架结构，凸起呈条形块状结构体。

根据本发明实施例的一个方面，基体在自身顶角处分别设置有凸起，各凸起上设置均有下沉部。

根据本发明实施例提供的掩膜框架以及对位掩膜板，掩膜框架包括围合形成有中空部的框架本体以及对位掩膜板，通过设置对位孔以及下沉部，并使得在与掩膜框架的背面相垂直的第一方向上，下沉部具有的斜面的正投影覆盖对位孔的正投影，在对位抓取时使得镜头发出的光通过对位孔到达斜面后被反射至其他位置，不会垂直向上反射，在镜头拍摄的图片中孔的颜色是黑的，容易识别。并且，在对位掩膜板上设置的辅助孔与下沉部连通且在第一方向上的正投影位于下沉部内，能够有效增强对位孔两侧清洗药液的流动性，减少在对位孔周测药液残留污渍，保证蒸镀机对对位孔的对位抓取精度，降低误抓风险。

附图说明

下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。

图1是本发明一个实施例的掩膜结构的轴测图；

图2是本发明一个实施例的掩膜结构的正视图；

图3是图2中A处放大图；

图4是本发明一个实施例的掩膜结构的局部剖视图；

图5是本发明一个实施例的掩膜框架的轴测图；

图6是本发明一个实施例的掩膜框架的正视图；

图7是图6中B处放大图。

其中：

1-掩膜框架；

10-框架本体；10a-中空部；10b-支撑面；10c-背面；11-基体；12-凸起；

20-下沉部；21-贯通孔；22-凹部；221-围合区；222-导流区；222a-平滑过渡段；222b-连接段；30-导槽；

2-对位掩膜板；201-对位孔；202-辅助孔；

X-第一方向；Y-第二方向。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的掩膜结构的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在显示领域，蒸镀过程中多使用精密掩膜结构(FMM)将有机发光材料蒸镀至基板指定位置，通常使用连接在掩膜框架上的对位掩膜板的对位孔建立坐标系进行FMM精密张网。多次蒸镀使用后，FMM上会残留蒸镀用有机材料，影响FMM蒸镀效果，故需要对掩膜结构进行清洗，保证掩膜结构再次使用时的清洁。

已有的掩膜结构，由于其对位掩膜板的对位孔尺寸较小，在进行清洗时，对位掩膜板围绕对位孔周边的区域与掩膜框架的对接处容易有药液残留，过多的药液残留将使得蒸镀机在利用对位孔建立坐标系进行精密张网的过程中，蒸镀机对对位孔的对位抓取精度低，且误抓风险高。同时若过多的药液残留污渍在蒸镀机腔室内挥发，将影响真空度，并可能使得生产的显示面板产生Mura等显示的问题。

基于上述技术问题，本发明实施例提供了一种新的掩膜结构，掩膜结构能够满足显示器件的蒸镀需求，且掩膜结构在清洗时，能够减少药液残留，保证蒸镀机对对位孔位置区的对位抓取精度，降低误抓风险。为了更好地理解本发明，下面结合图1至图7根据本发明实施例的掩膜结构进行详细描述。

如图1至图5所示，图1示出了本发明一个实施例的掩膜结构的轴测图，图2示出了本发明一个实施例的掩膜结构的正视图，图3示出了图2中A处放大图，图4示出了本发明一个实施例的掩膜结构的局部剖视图，图5示出了本发明一个实施例的掩膜框架的轴测图。

本发明实施例提供的一种掩膜结构，包括掩膜框架1以及对位掩膜板2，掩膜框架1包括围合形成有中空部10a的框架本体10，框架本体10具有相背设置的支撑面10b和背面10c，框架本体10上开设有由支撑面10b向背面10c下沉的下沉部20，下沉部20具有与背面10c相交设置的斜面。对位掩膜板2设置于支撑面10b，对位掩膜板2开设有间隔设置且分别与下沉部20连通的对位孔201以及辅助孔202，其中，沿垂直于背面10c的第一方向X，对位孔201以及辅助孔202的正投影均位于下沉部20的正投影内且斜面的正投影覆盖对位孔201的正投影设置。

本发明实施例提供的掩膜结构，通过设置对位孔201以及下沉部20，并使得在与掩膜框架1的背面10c相垂直的第一方向X上，下沉部20具有的斜面的正投影覆盖对位孔201的正投影，在对位抓取时使得镜头发出的光通过对位孔201到达斜面后被反射至其他位置，不会垂直向上反射，在镜头拍摄的图片中孔的颜色是黑的，容易识别。并且，在对位掩膜板2上设置的辅助孔202与下沉部20连通且在第一方向X上的正投影位于下沉部20内，能够有效增强对位孔201两侧清洗药液流动性，减少在对位孔201周测药液残留污渍，保证蒸镀机对对位孔201的对位抓取精度，降低误抓风险。同时，还能够使得掩膜结构在蒸镀使用时有效的减少药液残留污渍在蒸镀机腔室内挥发，保证所形成显示面板的显示效果。

作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的掩膜结构，沿第一方向X，辅助孔202在背面10c的正投影的面积大于对位孔201在背面10c的正投影的面积。通过使得辅助孔202在背面10c上的正投影面积大于对位孔201在背面10c上的正投影面积，能够进一步提高对位孔201两侧药液的流动性能，减少药液残留。同时，上述设置，能够使得辅助孔202与对位孔201进行区分，有效的避免给对位抓取带来不利的影响，降低误抓取的概率。

在具体实施时，辅助孔202的尺寸可以根据下沉部20的尺寸设置，只要能够保证其在第一方向X上的正投影位于下沉部20的正投影内，且能够与对位孔201进行区分，以保证对位抓取精度即可。

在一些可选的实施例中，本发明实施例提供的掩膜结构，辅助孔202沿第一方向X的正投影的形状为多边形。示例性地，辅助孔202在第一方向X上的正投影形状可以为四边形，如矩形结构。当然，辅助孔202在第一方向X上的正投影形状不限于为四边形，在有些实施例中，其还可以采用五边形、六边形等，只要能够满足提高对位孔201周测清洗药液的流动性均可。

可以理解的是，辅助孔202在第一方向X上的正投影形状为多边形只是一种可选的实施方式，在有些实施例中，辅助孔202在第一方向X上的正投影形状还可以为圆形或者椭圆形的一者。

在一些可选的实施例中，下沉部20的数量为多个且在框架本体10上间隔分布，对位掩膜板2上对应每个下沉部20均设置有辅助孔202以及对位孔201。通过在框架本体10上设置多个下沉部20，并在对位掩膜板2上对应每个下沉部20均设置有辅助孔202以及对位孔201，能够利用多点定位原理，进一步提高对位精度，保证精密掩膜板的张网需求。

可选的，与同一下沉部20对应设置的辅助孔202与对位孔201之间的最小距离为0.2mm。通过使得辅助孔202与对位孔201之间的最小距离为0.2mm，能够降低辅助孔202的加工难度，避免辅助孔202对于对位孔201性能的影响。

示例性的，可以使与每个下沉部20对应设置的对位孔201以及辅助孔202的数量分别为一个，易于加工，且能够保证对位掩膜板2的性能要求。

作为一种可选的实施方式，下沉部20包括贯通孔21，贯通孔21贯穿支撑面10b以及背面10c且轴线与背面10c相交设置，斜面形成于贯通孔21的侧壁，沿第一方向X，对位孔201以及辅助孔202在背面10c的正投影均位于贯通孔21在背面10c的正投影内。通过设置贯通孔21，使得斜面形成于贯通孔21的侧壁，利用贯通孔21的侧壁将对位光线反射至其他位置，有效的避免光线被垂直反射，利于对位抓取，并且贯通孔21的设置，能够使得药液流通并排出掩膜框架10，减少药液残留。

一些可选的实施例中，贯通孔21的轴向与第一方向X相交，利于斜面的形成。

作为一种可选的实施方式，将对位孔201以及辅助孔202的在第一方向X上的正投影均位于贯通孔21的正投影内只是一种可选的实施方式，在有些实施例中，也可以使得下沉部20包括贯通孔21以及凹部22，贯通孔21贯穿支撑面10b以及背面10c且轴线与背面10c相交设置，斜面形成于贯通孔21的侧壁，凹部22围绕贯通孔21设置并由支撑面10b起始沿第一方向X凹陷预定深度。沿第一方向X，对位孔201在背面10c的正投影位于贯通孔21在背面10c的正投影内，辅助孔202的正投影位于贯通孔21和/或凹部22在背面10c的正投影内。通过同时设置凹部22以及贯通孔21，既能够利于斜面的形成，并且，通过限定凹部22围绕贯通孔21设置并由支撑面10b起始沿第一方向X凹陷预定深度，能够减小对位掩膜板2设置对位孔201的区域与掩膜框架1之间的搭接面积，有效的减小间隙内的药液残留，进而提高蒸镀机的对位精度以及对位效率，降低由于药液残留引起的显示不良问题的发生概率。

如图6以及图7所示，图6示出了本发明一个实施例的掩膜框架1的正视图，图7示出了图6中B处放大图。

在一些可选的实施中，框架本体10上还设置有由支撑面10b起始并沿第一方向X凹陷预定深度的导槽30，框架本体10还包括连接支撑面10b以及背面10c的侧壁面，导槽30贯穿侧壁面，凹部22与导槽30连通。通过设置导槽30，可以使得凹部22内残留的清洗药液一部分可以通过贯通孔21排出掩膜框架1，另一部分可以排入导槽30，进而通过导槽30排出掩膜框架1，有效的减少凹部22内形成有药液残留。

一些可选的实施例中，可以使得凹部22在第一方向X上凹陷的深度小于导槽30在第一方向X上凹陷的深度，使得凹部22与导槽30之间形成有高低差，利于残留药液的排出。

作为一种可选的实施方式，每个下沉部20的凹部22可以分别对应设置有导槽30，当然，也可以使得两个及以上的凹部22与同一导槽30连通，只要能够满足各下沉部20的残留药液的排出需求均可。

作为一种可选的实施方式，沿与第一方向X相交的第二方向Y，凹部22包括相继设置的围合区221以及导流区222，围合区221在第二方向Y的截面尺寸大于导流区222在第二方向Y的截面尺寸，也就是说，围合区221在与第一方向X以及第二方向Y均相交的方向上的宽度大于导流区的宽度，凹部22通过导流区222与导槽30连通。通过使得凹部22包括围合区221以及导流区222，可以利用围合区221与对位掩膜板2上的对位孔201以及辅助孔202相对设置，而通过导流区222将残留药液引导至对应的导槽30内，利于残留药液的排出。可选的，第二方向Y可以与第一方向X相垂直。

在一些可选的实施例中，本发明实施例提供的掩膜结构，导流区222包括平滑过渡段222a以及连接段222b，平滑过渡段222a连接于围合区221以及连接段222b之间，沿第二方向Y并由围合区221至连接段222b，平滑过渡段222a的截面尺寸逐渐减小。导流区222采用上述结构形式，能对残留药液进行平缓导流，通过使得沿第二方向Y并由围合区221至连接段222b，平滑过渡段222a的截面尺寸逐渐减小，当清洗后的掩膜结构在被风刀吹扫时，在导流区222由于截面尺寸的变化，能够起到增加风速的作用，更利于残留药液的流动，使其排出凹部22。

作为一种可选的实施方式，凹部22在支撑面10b上形成有开口，对位孔201的面积与相对设置的凹部22的开口的面积比值范围为1/2000至1/200之间的任意数值，包括1/2000以及1/200两个端值，对位孔201的面积与相对设置的下沉部20的开口的面积采用上述比值范围，能够进一步减少掩膜板与掩膜框架1对接间隙处的药液残留。

如图1至图7所示，在一些可选的实施例中，框架本体10可以包括在第一方向X层叠设置的基体11以及凸起12，下沉部20设置于凸起12并由凸起12背离基体11的一侧起始向基体11所在侧凹陷形成。框架本体10采用上述结构形式，利于下沉部20成型，且能够减小下沉部20的尺寸，使其与对位掩膜板2上的对位孔201尺寸相匹配，保证对位精度，并能够降低药液残留概率。

作为一种可选的实施方式，本发明实施例提供的掩膜框架1，基体11为矩形框架结构，凸起12呈条形块状结构体，利于下沉部20的成型，并利于与对位掩膜板2的连接定位。

在一些可选的实施例中，基体11在自身顶角处分别设置有凸起12，各凸起12上设置均有下沉部20。通过上述设置，利于掩膜框架1以及对位掩膜板2之间坐标系的建立。

本发明实施例提供的掩膜结构，还包括精密掩膜板(图未示)，精密掩膜板与对位掩膜板2连接，精密掩膜板可以利用对位掩膜板2的对位孔201与相应设置的下沉部20建立坐标系进行精密张网。由于对位掩膜板2上辅助孔202的设置，能够有效增强对位孔201两侧清洗药液流动性，减少在对位孔201周测药液残留，以保证与对位掩膜板2连接后对位抓取对位孔201的精度，降低误抓风险。并且，相应设置的凹部22可以进一步减小对位掩膜板2与框架本体10之间的搭接面积，减小对接间隙造成的药液残留，更好的满足精密掩膜板的精密张网需求，同时能够降低掩膜结构在工作时药液残留对待生产的显示器件的性能影响，易于推广使用。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种掩膜结构，其特征在于，包括：

掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，所述框架本体具有相背设置的支撑面和背面，所述框架本体上开设有由所述支撑面向所述背面下沉的下沉部，所述下沉部具有与所述背面相交设置的斜面；

对位掩膜板，设置于所述支撑面，所述对位掩膜板开设有间隔设置且分别与所述下沉部连通的对位孔以及辅助孔，其中，沿垂直于所述背面的第一方向，所述对位孔以及所述辅助孔的正投影均位于所述下沉部的正投影内且所述斜面的正投影覆盖所述对位孔的正投影设置。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述辅助孔在所述背面的正投影的面积大于所述对位孔在所述背面的正投影的面积。

3.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述辅助孔沿所述第一方向的正投影的形状为圆形、椭圆形以及多边形中的一者。

4.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述下沉部的数量为多个且在所述框架本体上间隔分布，所述对位掩膜板上对应每个所述下沉部均设置有所述辅助孔以及所述对位孔，与同一所述下沉部对应设置的所述辅助孔与所述对位孔之间的最小距离为0.2mm。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构，其特征在于，所述下沉部包括贯通孔，所述贯通孔贯穿所述支撑面以及所述背面且轴线与所述背面相交设置，所述斜面形成于所述贯通孔的侧壁，沿所述第一方向，所述对位孔以及所述辅助孔的正投影均位于所述贯通孔的正投影内。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构，其特征在于，所述下沉部包括贯通孔以及凹部，所述贯通孔贯穿所述支撑面以及所述背面且轴线与所述背面相交设置，所述斜面形成于所述贯通孔的侧壁，所述凹部围绕所述贯通孔设置并由所述支撑面起始沿所述第一方向凹陷预定深度，沿所述第一方向，所述对位孔的正投影位于所述贯通孔的正投影内，所述辅助孔的正投影位于所述贯通孔和/或所述凹部的正投影内。

7.根据权利要求6所述的掩膜结构，其特征在于，所述框架本体上还设置有由所述支撑面起始并沿所述第一方向凹陷预定深度的导槽，所述框架本体还包括连接所述支撑面以及所述背面的侧壁面，所述导槽贯穿所述侧壁面，所述凹部与所述导槽连通。

8.根据权利要求7所述的掩膜结构，其特征在于，沿与所述第一方向相交的第二方向，所述凹部包括相继设置的围合区以及导流区，所述围合区在所述第二方向的截面尺寸大于所述导流区在所述第二方向的截面尺寸，所述凹部通过所述导流区与所述导槽连通；

优选地，所述导流区包括平滑过渡段以及连接段，所述平滑过渡段连接于所述围合区以及所述连接段之间，沿所述第二方向并由所述围合区至所述连接段，所述平滑过渡段的截面尺寸逐渐减小。

9.根据权利要求6所述的掩膜结构，其特征在于，所述凹部在所述支撑面上形成有开口，所述对位孔的面积与相对设置的所述开口的面积比值范围为1/2000至1/200。

10.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构，其特征在于，所述框架本体包括在所述第一方向层叠设置的基体以及凸起，所述下沉部设置于所述凸起并由所述凸起背离所述基体的一侧起始向所述基体所在侧下沉形成；

优选地，所述基体为矩形框架结构，所述凸起呈条形块状结构体；

优选地，所述基体在自身顶角处分别设置有所述凸起，各所述凸起上设置均有所述下沉部。

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