CN112609154B - 掩膜框架及掩膜结构 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种掩膜框架及掩膜结构，掩膜框架包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背的支撑面和背面，通过支撑面支撑掩膜版，框架本体上开设有由支撑面向背面的第一方向上凹陷预设厚度的多个下沉部，下沉部在与第一方向垂直的第二方向上贯穿框架本体且与中空部连通，下沉部在第二方向延伸预定长度，下沉部具有位于支撑面的开口以及与开口相对的底面，底面至少部分与背面呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。本发明实施例提供的掩膜框架及掩膜结构，掩膜框架用于掩膜结构时能够减少药液残留，保证与掩膜版连接后对位抓取对位孔的精度。

Description

掩膜框架及掩膜结构

技术领域

本发明涉及掩膜技术领域，特别是涉及一种掩膜框架及掩膜结构。

背景技术

目前蒸镀过程多使用精密掩膜结构(FMM)将有机发光材料蒸镀至基板指定位置，通常使用焊接在掩膜框架上的掩膜版的对位孔建立坐标系进行FMM精密张网。

多次蒸镀使用后，FMM上会残留蒸镀用有机材料，影响FMM蒸镀效果。故需要对Mask进行清洗，保证FMM再次使用时的清洁。经药液清洗后风刀吹干的过程中，掩膜框架内容易有药液残留无法有效的吹出，这部分药液最终会在掩膜版的对位孔周边形成残留污渍，蒸镀对位抓取对位孔过程中会由于残留污渍难以抓取。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜框架及掩膜结构，掩膜框架用于掩膜结构并在清洗时，能够减少药液残留，保证与掩膜版连接后对位抓取对位孔的精度。

一方面，根据本发明实施例提出了一种掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背的支撑面和背面，通过支撑面支撑掩膜版，框架本体上开设有由支撑面向背面的第一方向上凹陷预设厚度的多个下沉部，下沉部在与第一方向垂直的第二方向上贯穿框架本体且与中空部连通，下沉部在第二方向延伸预定长度，下沉部具有位于支撑面的开口以及与开口相对的底面，底面至少部分与背面呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部在第二方向的延伸尺寸小于框架本体在第一方向的厚度。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部在第二方向的延伸尺寸的数值范围为15mm～45mm。

根据本发明实施例的一个方面，下沉部在第二方向的延伸尺寸的数值范围为20mm～30mm。

根据本发明实施例的一个方面，沿第二方向，下沉部具有第一端口以及第二端口，第一端口的开口面积小于第二端口的开口面积。

根据本发明实施例的一个方面，底面的外轮廓呈梯形，底面的其中一个腰边与底边的夹角为α，底面的另一个腰边与底边的夹角为β，其中，β>α，下沉部还具有第一侧壁以及第二侧壁，在第一方向，第一侧壁的一端与其中一个腰边重合且另一端位于支撑面，第二侧壁的一端与另一个腰边重合且另一端位于支撑面。

根据本发明实施例的一个方面，底面的其中一个腰边与底边的夹角α的数值范围为30°～85°，底面的另一个腰边与底边的夹角β的数值范围为100°～150°。

根据本发明实施例的一个方面，底面整体与背面呈预设角度倾斜。

根据本发明实施例的一个方面，底面与背面之间的夹角的数值范围为5°～30°。

根据本发明实施例的一个方面，底面包括基础面以及沿背离背面的方向隆起并凸出于基础面设置的凸出面，凸出面与背面呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。

根据本发明实施例的一个方面，凸出面与背面之间的夹角的数值范围为5°～60°。

根据本发明实施例的一个方面，凸出面在背面上的正投影为圆形、椭圆形或者多边形。

根据本发明实施例的一个方面，基础面与背面相平行；或者，基础面与背面相交设置且夹角的数值范围为5°～30°。

根据本发明实施例的一个方面，框架本体包括在第一方向层叠设置的基体以及凸起，下沉部设置于凸起并由凸起背离基体的一侧起始向基体所在侧凹陷形成。

根据本发明实施例的一个方面，基体为矩形框架结构，凸起呈条形块状结构体。

根据本发明实施例的一个方面，基体在自身顶角处分别设置有凸起，各凸起上均设置有下沉部。

另一方面，根据本发明实施例提出了一种掩膜结构，包括：上述的掩膜框架；掩膜版，设置于掩膜框架，掩膜版上设置有对位孔，对位孔与下沉部相对设置并与下沉部连通，底面与背面呈预设角度倾斜设置的部分在背面的正投影覆盖对位孔在背面的正投影。

根据本发明实施例的另一个方面，对位孔的面积与相对设置的下沉部的开口的面积比值范围为1/2000至1/200。

根据本发明实施例提供的掩膜框架及掩膜结构，掩膜框架包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体上开设有由支撑面向背面的第一方向上凹陷预设厚度的多个下沉部，下沉部在与第一方向垂直的第二方向上贯穿框架本体且与中空部连通，并且下沉部具有位于支撑面的开口以及与开口相对的底面。掩膜框架在用于掩膜结构时，可以通过下沉部与上的对位孔相对设置并相互连通，当二者在被药液清洗后，在风刀的作用下，下沉部内的药液以及掩膜版与下沉部相对接位置的药液将在第二方向上流动并最终与下沉部以及掩膜版分离，以保证与掩膜版连接后对位抓取对位孔的精度。并且底面至少部分与所述背面呈预设角度倾斜，使得镜头发出光通过掩膜版上面的对位孔到达底面倾斜设置的部分，光线可反射至其他位置，不会垂直向上反射，在镜头拍摄的图片中孔的颜色是黑的，容易识别。

附图说明

下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。

图1是本发明一个实施例的掩膜框架的轴测图；

图2是本发明一个实施例的掩膜框架的正视图；

图3是本发明一个实施例的掩膜框架的局部结构示意图；

图4是图3所示结构的主视图；

图5是图3所示结构的俯视图；

图6是图3所示结构的侧视图；

图7是本发明另一个实施例的掩膜框架的局部结构示意图；

图8是图7所示结构的俯视图；

图9是图7所示结构的正视图；

图10是本发明一个实施例的掩膜结构的局部剖视图。

其中：

1-掩膜框架；

10-框架本体；101-中空部；102-支撑面；103-背面；11-基体；12-凸起；

20-下沉部；21-开口；22-底面；22a-顶边；22b-底边；22c-腰边；221-基础面；222-凸出面；23-第一侧壁；24-第二侧壁；25-第一端口；26-第二端口；

2-掩膜版；2a-对位孔；

X-第一方向；Y-第二方向。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的掩膜框架及掩膜结构的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在显示领域，蒸镀过程中多使用精密掩膜结构(FMM)将有机发光材料蒸镀至基板指定位置，通常使用连接在掩膜框架上的掩膜版的对位孔建立坐标系进行FMM精密张网。多次蒸镀使用后，FMM上会残留蒸镀用有机材料，影响FMM蒸镀效果，故需要对掩膜结构进行清洗，保证掩膜结构再次使用时的清洁。

已有的掩膜结构，其掩膜框架上用于定位的定位结构大多采用孔状结构，如倾斜设置的孔状形式，该种结构形式的掩膜框架存在相应不足，主要表现为其孔的周侧封闭，且孔的深度值过长，在进行清洗时风刀无法吹入孔在深度方向的各处位置，尤其是掩膜框架与掩膜版的对接位置，使得掩膜框架内容易有药液残留且无法有效的吹出，这部分药液最终会在掩膜版的对位孔周边形成残留污渍，蒸镀对位抓取对位孔过程中会由于残留污渍难以抓取。

基于上述技术问题，本发明实施例提供了一种新的掩膜框架以及掩膜结构，掩膜框架用于掩膜结构时能够减少药液残留，保证与掩膜版连接后对位抓取对位孔的精度。为了更好地理解本发明，下面结合图1至图10根据本发明实施例的掩膜框架及掩膜结构进行详细描述。

如图1至图4所示，本发明实施例提供的掩膜框架1，包括围合形成有中空部101的框架本体10，框架本体10具有相背的支撑面102和背面103，通过支撑面102支撑掩膜版，框架本体10上开设有由支撑面102向背面103的第一方向X上凹陷预设厚度的多个下沉部20，下沉部20在与第一方向X垂直的第二方向Y上贯穿框架本体10且与中空部101连通，下沉部20在第二方向Y延伸预定长度，下沉部20具有位于支撑面102的开口21以及与开口21相对的底面22，底面22至少部分与背面103呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。

本发明实施例提供的掩膜框架1，在用于掩膜结构时，可以通过下沉部20与掩膜版上的对位孔相对设置并相互连通，当二者在被药液清洗后，在风刀的作用下，下沉部20内的药液以及掩膜版与下沉部20相对接位置的药液将在第二方向Y上流动并最终与下沉部20以及掩膜版分离。同时，由于下沉部20在第二方向Y上是贯穿框架本体10设置，使其在对于掩膜版2接触时，在第二方向Y上贯穿的位置没有接触，能够减小掩膜框架1与掩膜版2之间的接触面积，降低清洗难度，且减少药液残留，以保证与掩膜版连接后对位抓取对位孔的精度。并且底面22至少部分与所述背面103呈预设角度倾斜，使得镜头发出光通过掩膜版上面的对位孔到达底面22倾斜设置的部分，使得光线反射至其他位置，不会垂直向上反射，在镜头拍摄的图片中孔的颜色是黑的，容易识别。

在一些可选地实施例中，掩膜框架1整体可以为矩形的框架结构体，下沉部20的数量可以根据掩膜框架1所应用的掩膜结构的定位需求以及掩膜框架1自身的形状进行设置。一些可选地示例中，当掩膜框架1整体为矩形的框架结构体时，其下沉部20的数量可以为四个且大致分布在掩膜框架1的各顶角处。

作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的掩膜框架1，下沉部20在第二方向Y的延伸尺寸小于框架本体10在第一方向X的厚度。通过上述设置，能够进一步减少下沉部20内药液的残留，尤其相对下沉部采用在第一方向上贯通的结构形式，本发明实施例提供的掩膜框架1，其下沉部20的延伸长度更短，利于清洗药液的排出。

作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的掩膜框架1，其下沉部20在第二方向Y的延伸尺寸的数值范围为15mm～45mm任意数值，包括15mm、45mm两个端值，下沉部20采用上述数值范围，在满足对位需求的基础上，能够减少药液的残留，保证对位精度。

可选地，下沉部20在第二方向Y的延伸尺寸的数值范围为20mm～30mm之间的任意数值，包括20mm、30mm两个端值，进一步可选为26.5mm，下沉部20采用上述数值，能够进一步减小或者避免药液残留，优化对位效果。

如图4、图5所示，作为一种可选地实施方式，下沉部20具有第一端口25以及第二端口26，第一端口25的开口面积小于第二端口26的开口面积。通过上述设置，可以使得沿第二方向Y且由框架本体10远离中空部101的一侧至中空部101，下沉部20的横截面尺寸逐渐减小，使得掩膜框架1在清洗时满足风道的吹扫方向要求，提高在靠近第一端口25周围区域吹扫力，优化清洗后药液的清洗效果。

如图3至图5所示，在一些可选地实施例中，下沉部20的底面22的外轮廓呈梯形，其底面22的外轮廓包括相对设置的顶边22a、底边22b以及连接于顶边22a与底边22b之间的两个腰边22c，其底面22的其中一个腰边22c与底边22b的夹角为α，底面22的另一个腰边22c与底边22b的夹角为β，其中，β>α。下沉部20还具有第一侧壁22以及第二侧壁24，在第一方向X，第一侧壁22的一端与其中一个腰边22c重合且另一端位于支撑面102，第二侧壁24的一端与另一个腰边22c重合且另一端位于支撑面102。通过上述设置，使得下沉部20通透的方向与风刀的方向尽可能一致，降低了掩膜框架1及其所应用的掩膜结构的清洗难度。

为了更清楚的理解本发明实施例提供的掩膜框架1，上述所提及的底面22的外轮廓的顶边22a可以为其底面22靠近中空部101一侧设置的边，底边22b为底面22远离中空部101一侧设置的边。

在一些可选地实施例中，底面22的其中一个腰边22c与底边22b的夹角α的数值范围为30°～85°之间的任意数值，包括30°、85°两个端值，底面22的另一个腰边22c与底边22b的夹角β的数值范围为100°～150°之间的任意数值，包括100°、150°两个端值。底面22的两个腰边22c采用上述数值范围，能够进一步保证下沉部20的通透方向与风刀的方向趋近于一致，保证对掩膜框架1清洗后药液的清除效果。

在一些可选地实施例中，下沉部20的底面22整体与背面103呈倾斜预定角度设置。通过上述设置，能够有效的保证掩膜框架1在使用时，镜头发出光通过掩膜版上面的对位孔到达底面22倾斜设置的部分，使得光线反射至其他位置，不会垂直向上反射，在镜头拍摄的图片中对位孔的颜色是黑的，容易识别。

一些可选地实施例中，底面22的倾斜方向可以是朝向下沉部20的第一侧壁22设置，当然，也可以是朝向第二侧壁24设置，使得镜头的光线可以通过底面22反射至第一侧壁22或者第二侧壁24。也就是说，在具体实施时，可以使得第一侧壁22以及第二侧壁24均由支撑面102起始且在第一方向X上的延伸尺寸之间存在有差值。进而使得连接二者之间的底面22倾斜设置。

示例性地，可以使得第一侧壁22在第一方向X上的延伸尺寸大于第二侧壁24在第一方向X上的延伸尺寸。

如图6所示，作为一种可以选的实施方式，底面22还可以同时朝向背离中空部101的一侧倾斜，通过上述设置，使得底面22在两个方向上都为倾斜的表面，使得在掩膜框架1在清洗完成后通过风刀吹干时，风刀吹出的风在靠近中空部101的一侧风速加快，更容易将清洗药液吹出。

在一些可选地实施例中，底面22与背面103之间的夹角M的数值范围可以为5°～30°之间的任意数值，包括5°、30°两个端值。该倾斜角度可以是底面22在背离中空部101方向倾斜的角度。通过采用上述数值范围，能够有效的提高进入下沉部20的风在下沉部20末端的风速，且利于清洗药液在重力的作用下自行流出下沉部20，并且不会对镜头的光线产生垂直反射，保证定位效果。

作为一种可选地实施方式，上述各实施例均是以下沉部20的底面22整体与背面103呈预设角度倾斜设置，此为一种可选地实施方式，但不限于上述方式。

如图7以及图9所示，在有些实施例中，可以使得底面22包括基础面221以及沿背离背面103的方向隆起并凸出于基础面221设置的凸出面222，凸出面222与背面103呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。也就是说底面22的凸出面222相对于背面103倾斜设置，以满足镜头发出光通过掩膜版上面的对位孔到达底面22时，能够照射至底面22的凸出面222上，避免其垂直反射。

可选地，凸出面222在背离背面103的方向上凸出于基础面221的尺寸不做具体限定，只要能够避免对镜头发出的光线垂直反射均可。

在一些可选地实施例中，凸出面222与背面103之间的夹角N的数值范围为5°～60°之间的任意数值，包括5°、60°两个端值，凸出面222采用上述数值范围，能够有效的保证对光线的反射需求，避免垂直反射现象的发生。

作为一种可选地实施方式，凸出面222在背面103上的正投影为圆形、椭圆形或者正多边形。当为正多边形时，可以为四边形、五边形或者更多多边形，此处不做具体限定。

在一些可选地实施例中，基础面221可以与背面103之间平行设置，当然，此为一种可选地实施方式，在有些实施例中，也可以使得基础面221倾斜设置，使其与背面103之间相交设置。一些可选地实施例中，如上述在底面22整体与背面103呈预设角度倾斜设置的实施例，该基础面221也可以采用与背面103在两个方向均都为倾斜的表面设置形式，以保证对进入下沉部20内风速的提高需求以及药液在重力作用下流出下沉部20的需求。

作为一种可选地实施方式，下沉部20在第一方向X上的下沉深度为3mm～10mm之间的任意数值，包括3mm、10mm两个端值。

如图1至图9所示，在一些可选地实施例中，框架本体10可以包括在第一方向X层叠设置的基体11以及凸起12，下沉部20设置于凸起12并由凸起12背离基体11的一侧起始向基体11所在侧凹陷形成。框架本体10采用上述结构形式，利于下沉部20成型，在保证下沉部20在第二方向Y上贯穿框架本体10设置要求的基础上，能够减小下沉部20的尺寸，使其与掩膜版上的对位孔尺寸相匹配，保证对位精度，并能够降低药液残留概率。

作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的掩膜框架1，基体11为矩形框架结构，凸起12呈条形块状结构体，利于下沉部20的成型，并利于与掩膜版2的连接定位。

在一些可选地实施例中，基体11在自身顶角处分别设置有凸起12，各凸起12上均设置有下沉部20。通过上述设置，利于掩膜框架1以及掩膜版2之间坐标系的建立。

结合图1至图10所示，另一方面，本发明实施还提供一种掩膜结构，包括上述各实施例的掩膜框架1以及掩膜版2。掩膜版2设置于掩膜框架1，掩膜版2上设置有对位孔2a，对位孔2a与下沉部20相对设置并与下沉部20连通，底面22与背面103呈预设角度倾斜设置的部分在背面103的正投影覆盖对位孔2a在背面103上的正投影。

可选地，下沉部20的开口21的面积可以远大于对位孔2a的面积，通过上述设置，能够减小掩膜版2与掩膜框架1之间的搭接面积，减少掩膜版2与掩膜框架1对接间隙处的药液残留。

一些可选地实施例中，当底面22包括基础面221以及沿背离背面103的方向隆起并凸出于基础面221设置的凸出面222时，凸出面222在背面103上的正投影覆盖对位孔2a在背面103上的正投影。

一些可选地实施例中，对位孔2a的面积与相对设置的下沉部20的开口21的面积比值范围为1/2000至1/200之间的任意数值，包括1/2000以及1/200两个端值，对位孔2a的面积与相对设置的下沉部20的开口21的面积采用上述比值范围，能够进一步减少掩膜版2与掩膜框架1对接间隙处的药液残留。

在一些可选地实施例中，掩膜版2可以包括对位掩膜版2以及精密掩膜版2，对位孔2a设置于对位掩膜版2，掩膜版2整体通过对位掩膜版2与掩膜框架1连接。

本发明实施提供的掩膜结构，其包括上述各实施例提供的掩膜框架1，由于掩膜框架1上设置有下沉部20，使其对位孔2a可以与下沉部20相对设置并相互连通，当二者在被药液清洗时，在风刀的作用下，下沉部20内的药液以及掩膜版2与下沉部20相对接位置的药液将在第二方向Y上流动并最终与下沉部20以及掩膜版2分离，同时，由于下沉部20在第二方向Y上是贯穿掩膜框架1设置，使其在对于掩膜版2接触时，在第二方向Y上贯穿的位置没有接触，能够减小掩膜框架1与掩膜版2之间的接触面积，降低清洗难度，且减少药液残留，以保证与掩膜版2连接后对位抓取对位孔2a的精度。并且底面22至少部分与所述背面103呈预设角度倾斜，使得镜头发出光通过掩膜版2上面的对位孔2a到达底面22倾斜设置的部分，使得光线反射至其他位置，不会垂直向上反射，在镜头拍摄的图片中孔的颜色是黑的，容易识别。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (17)

1.一种掩膜框架，其特征在于，包括围合形成有中空部的框架本体，所述框架本体具有相背的支撑面和背面，通过所述支撑面支撑掩膜版，所述框架本体上开设有由所述支撑面向所述背面的第一方向上凹陷预设厚度的多个下沉部，所述下沉部在与所述第一方向垂直的第二方向上贯穿所述框架本体且与所述中空部连通，所述下沉部在所述第二方向延伸预定长度，所述下沉部具有位于所述支撑面的开口以及与所述开口相对的底面，所述底面至少部分与所述背面呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位；

所述底面包括基础面以及沿背离所述背面的方向隆起并凸出于所述基础面设置的凸出面，所述凸出面与所述背面呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。

2.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述下沉部在所述第二方向的延伸尺寸小于所述框架本体在所述第一方向的厚度尺寸。

3.根据权利要求2所述的掩膜框架，其特征在于，所述下沉部在所述第二方向的延伸尺寸的数值范围为15mm～45mm。

4.根据权利要求3所述的掩膜框架，其特征在于，所述下沉部在所述第二方向的延伸尺寸的数值范围为20mm～30mm。

5.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，沿所述第二方向，所述下沉部具有第一端口以及第二端口，所述第一端口的开口面积小于所述第二端口的开口面积。

6.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述底面的外轮廓呈梯形，所述底面的其中一个腰边与底边的夹角为α，所述底面的另一个腰边与所述底边的夹角为β，其中，β>α，所述下沉部还具有第一侧壁以及第二侧壁，在所述第一方向，所述第一侧壁的一端与其中一个所述腰边重合且另一端位于所述支撑面，所述第二侧壁的一端与另一个所述腰边重合且另一端位于所述支撑面。

7.根据权利要求6所述的掩膜框架，其特征在于，所述底面的其中一个所述腰边与所述底边的夹角α的数值范围为30°～85°，所述底面的另一个所述腰边与所述底边的夹角β的数值范围为100°～150°。

8.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述底面整体与所述背面呈预设角度倾斜。

9.根据权利要求8所述的掩膜框架，其特征在于，所述底面与所述背面之间的夹角的数值范围为5°～30°。

10.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述凸出面与所述背面之间的夹角的数值范围为5°～60°。

11.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述凸出面在所述背面上的正投影为圆形、椭圆形或者多边形。

12.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述基础面与所述背面相平行；或者，所述基础面与所述背面相交设置且夹角的数值范围为5°～30°。

13.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述框架本体包括在所述第一方向层叠设置的基体以及凸起，所述下沉部设置于所述凸起并由所述凸起背离所述基体的一侧起始向所述基体所在侧凹陷形成。

14.根据权利要求13所述的掩膜框架，其特征在于，所述基体为矩形框架结构，所述凸起呈条形块状结构体。

15.根据权利要求13所述的掩膜框架，其特征在于，所述基体在自身顶角处分别设置有所述凸起，各所述凸起上均设置有所述下沉部。

16.一种掩膜结构，其特征在于，包括：

如权利要求1至15任意一项所述的掩膜框架；

掩膜版，设置于所述掩膜框架，所述掩膜版上设置有对位孔，所述对位孔与所述下沉部相对设置并与所述下沉部连通，所述底面与所述背面呈预设角度倾斜设置的部分在所述背面的正投影覆盖所述对位孔在所述背面的正投影。

17.根据权利要求16所述的掩膜结构，其特征在于，所述对位孔的面积与相对设置的所述下沉部的所述开口的面积比值范围为1/2000至1/200。

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