CN112624428A - 集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺。该三级过滤回用水工艺由斜管沉淀、超滤和纳滤等工艺流程组成。该用水技术的特征在于：该回用水技术可去除95％以上的SiO2，回用水水质保证，运行成本较低。

Description

集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺
技术领域
本发明涉及环境保护领域，特别涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺。
背景技术
随着电子和半导体工业技术的快速发展，由芯片封装排放产生的研磨废水水量日益增加。研磨废水具有高浓度的细微颗粒、高分子物质胶体等，难分离处理，是废水处理的难点之一。
在现有技术中，对于研磨废水的中水回用处理技术缺乏成熟的处理技术，中水中的成分复杂，使用传统处理方法处理很难达到国家排放标准。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而进行的，目的在于提供一种涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺。其特征在于：所述三级过滤回用水工艺由斜管沉淀、超滤和纳滤等工艺流程组成，然后回用至纯水间。
进一步地，所述研磨废水主要针对研磨水、划片水和反渗透浓水。斜管沉淀药剂为聚合氯化铝和聚丙烯酰胺，沉淀后SiO2去除率95-98％。聚合氯化铝加药量为100-200mg/L。聚丙烯酰胺为阴离子型，其分子量大小为1200万，加药量为2-3mg/L。
进一步地，超滤，作为纳滤的预处理作用。纳滤，主要特征为选择低压纳滤，压力为3-5kg，纳滤可去除浓水中的悬浮物、硬度，研磨水、划片水中的纳米级硅粉、有机溶剂等。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段与功效易于明白了解，以下实施例对本发明的涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺作具体阐述。
一、涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺
一种涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺，主要由斜管沉淀、超滤和纳滤等工艺流程组成，然后回用至纯水间。
二、涉及集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺参数
研磨废水主要包括研磨水、划片水和反渗透浓水。斜管沉淀工艺使用的药剂为高分子聚合氯化铝和聚丙烯酰胺，聚合氯化铝加药量为100-200mg/L。聚丙烯酰胺为阴离子型，其分子量大小为1200万，加药量为2-3mg/L。经沉淀工艺后SiO2去除率达到95％以上。
超滤处理作为纳滤的预处理操作。纳滤主要特征为低压纳滤，压力设置为3-5kg，纳滤可针对浓水中的悬浮物、硬度，研磨水、划片水中的纳米级硅粉、有机溶剂等进行有效处理。

Claims (11)

1.一种集成电路行业研磨废水三级过滤回用水工艺，其特征在于：所述三级过滤回用水工艺由斜管沉淀、超滤和纳滤等工艺流程组成，然后回用至纯水间。
2.如权利要求1所述的研磨废水，其特征在于：所述研磨废水主要针对研磨水、划片水和反渗透浓水。
3.如权利要求1所述的斜管沉淀，其特征在于：所述斜管沉淀药剂为聚合氯化铝和聚丙烯酰胺。
4.如权利要求1所述的斜管沉淀，其特征在于：所述斜管沉淀后SiO2去除率95％以上。
5.如权利要求3所述的聚合氯化铝，其特征在于：聚合氯化铝加药量为100-200mg/L。
6.如权利要求3所述的聚丙烯酰胺，其特征在于：聚丙烯酰胺为阴离子型，其分子量大小为1200万。
7.如权利要求3所述的聚丙烯酰胺，其特征在于：聚丙烯酰胺加药量为2-3mg/L。
8.如权利要求1所述的超滤，其特征在于：所述超滤，主要是作为纳滤的预处理作用。
9.如权利要求1所述的纳滤，其特征在于：所述纳滤，主要特征为选择低压纳滤。
10.如权利要求1所述的纳滤，其特征在于：所述纳滤压力为，3-5kg。
11.如权利要求1所述的纳滤，其特征在于：所述纳滤可去除浓水中的悬浮物、硬度，研磨水、划片水中的纳米级硅粉、有机溶剂等。
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