CN112614859B - 图像传感器的制备方法 - Google Patents
图像传感器的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112614859B CN112614859B CN202011483214.0A CN202011483214A CN112614859B CN 112614859 B CN112614859 B CN 112614859B CN 202011483214 A CN202011483214 A CN 202011483214A CN 112614859 B CN112614859 B CN 112614859B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- annealing
- setting range
- substrate
- annealing process
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 234
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 144
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括：提供衬底，对所述衬底进行离子注入形成阱区；对所述衬底进行第一退火工艺，所述第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，所述第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内；在所述衬底上形成栅极结构，对所述衬底进行离子注入以在所述阱区中形成源区及漏区；对所述衬底进行第二退火工艺；在所述源区、所述漏区及所述栅极结构上形成硅化物层；对所述硅化物层进行第三退火工艺。本发明在合适的工艺位置添加不同工艺参数的退火工艺，减少漏电流的产生，以改善图像传感器中白色像素点的现象。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图像传感器的制备方法。
背景技术
图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件，图像传感器广泛应用于手机摄像、工业检测、安防等领域，而白色像素是表征图像传感器性能的重要参数之一，大量的白色像素点会影响整个图像的质量。图像传感器包括像素区和逻辑区，其中像素区包括用来检测光信号的电路，逻辑区包括用来将检测的光信号处理为电信号以获取光学数据的电路。在图像传感器制造过程中，每一个工艺步骤都有可能引入金属杂质原子或是出现晶格缺陷，而金属杂质原子在像素区之间移动会形成漏电流，或是由于晶格缺陷而产生漏电流，而漏电流的表征就是在图像传感器工作时出现白色像素点，过多的白色像素点会严重影响整个图像的质量，为了改善图像传感器中白色像素点的现象，减少白色像素点的数量，于是本发明提供一种图像传感器的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器的制备方法，在合适的工艺位置添加不同工艺参数的退火工艺，减少漏电流的产生，以改善图像传感器中白色像素点的现象。
为了达到上述目的，本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括：
提供衬底，对所述衬底进行离子注入以形成阱区；
对所述衬底进行第一退火工艺，所述第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，所述第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内；
在所述衬底上形成栅极结构，对所述衬底进行离子注入以在所述阱区中形成源区和漏区；
对所述衬底进行第二退火工艺，所述第二退火工艺的退火温度位于第二温度设定范围内，所述第二退火工艺的退火时间位于第二时间设定范围内；
在所述源区、所述漏区及所述栅极结构上形成硅化物层；
对所述硅化物层进行第三退火工艺，所述第三退火工艺的退火温度位于第三温度设定范围内，所述第三退火工艺的退火时间位于第三时间设定范围内，所述第二温度设定范围的最大值及所述第三温度设定范围的最大值均小于所述第一温度设定范围的最小值，且所述第二时间设定范围的最小值及所述第三时间设定范围的最小值均大于所述第一时间设定范围的最大值。
可选的，所述第三温度设定范围的最小值大于所述第二温度设定范围的最大值，所述第二时间设定范围的最小值及最大值与所述第三时间设定范围的最小值及最大值均相同。
可选的，所述衬底具有逻辑区及像素区，对所述衬底进行离子注入时，同步对所述衬底的逻辑区及像素区进行离子注入。
可选的，对所述硅化物层进行第三退火工艺时，所述源区、所述漏区及所述栅极结构中的缺陷和杂质原子移动至所述硅化物层中。
可选的，所述第一温度设定范围为950℃～1050℃，所述第一时间设定范围为20S～40S。
可选的，所述第一退火工艺的退火温度为1000℃，所述第一退火工艺的退火时间为30S。
可选的，所述第二温度设定范围为550℃～600℃，所述第二时间设定范围为30min～120min。
可选的，所述第二退火工艺的退火温度为580℃，所述第二退火工艺的退火时间为60min。
可选的，所述第三温度设定范围为650℃～700℃，所述第三时间设定范围为30min～120min。
可选的，所述第三退火工艺的退火温度为680℃，所述第三退火工艺的退火时间为60min。
可选的，在所述衬底上形成栅极结构的步骤包括：
在所述衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层及图形化的掩模层；
以所述图形化的掩模层为掩模刻蚀所述栅氧化层及所述多晶硅层，剩余的所述栅氧化层及所述多晶硅层构成所述栅极结构。
在本发明提供的图像传感器的制备方法中，提供衬底，对衬底进行离子注入形成阱区；对衬底进行第一退火工艺，第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内，第一退火工艺是将像素区和逻辑区中的离子活化，减少晶格缺陷，减少漏电流的产生；在衬底上形成栅极结构，对衬底进行离子注入以在阱区中形成源区和漏区；再对衬底进行第二退火工艺，第二退火工艺的退火温度位于第二温度设定范围内，第二退火工艺的退火时间位于第二时间设定范围内，第二退火工艺是将离子注入后的区域中的离子活化，减少晶格缺陷，减少漏电流的产生；然后在源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层，再对硅化物层进行第三退火工艺，第三退火工艺的退火温度位于第三温度设定范围内，第三退火工艺的退火时间位于第三时间设定范围内，第三退火工艺能够减少中间能级的杂质和缺陷，从而减少漏电流的产生，以改善图像传感器中白色像素点的现象；并且第二温度设定范围的最大值及第三温度设定范围的最大值均小于第一温度设定范围的最小值，且第二时间设定范围的最小值及第三时间设定范围的最小值均大于第一时间设定范围的最大值。在本发明中，在不同的工艺位置加入不同工艺参数的退火步骤，最大程度的减少漏电流的产生，以改善图像传感器中白色像素点的现象。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的图像传感器的制备方法的方法流程图；
图2为本发明一实施例提供的不同退火工艺后图像传感器中白色像素点的对比图；
图3为本发明一实施例提供的不同退火位置后图像传感器中白色像素点的对比图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1为本实施例提供的图像传感器的制备方法的方法流程图，图2为本实施例提供的不同退火工艺后图像传感器中白色像素点的对比图，图3为本实施例提供的不同退火位置后图像传感器中白色像素点的对比图。本实施例提供了一种图像传感器的制备方法，在合适的工艺位置添加不同工艺参数的退火工艺，减少漏电流的产生，以改善图像传感器中白色像素点的现象，请参考图1，包括：
步骤S1：提供衬底，对衬底进行离子注入形成阱区；
步骤S2：对衬底进行第一退火工艺，第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内；
步骤S3：在衬底上形成栅极结构，对衬底进行离子注入以在阱区中形成源区和漏区；
步骤S4：对衬底进行第二退火工艺，第二退火工艺的退火温度位于第二温度设定范围内，第二退火工艺的退火时间位于第二时间设定范围内；
步骤S5：在源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层；
步骤S6：对硅化物层进行第三退火工艺，第三退火工艺的退火温度位于第三温度设定范围内，第三退火工艺的退火时间位于第三时间设定范围内，第二温度设定范围的最大值及第三温度设定范围的最大值均小于第一温度设定范围的最小值，且第二时间设定范围的最小值及第三时间设定范围的最小值均大于第一时间设定范围的最大值。
下面对本发明提供的图像传感器的制备方法进行详细的描述，以下为本发明的优选实施例。
执行步骤S1：提供衬底，对衬底进行离子注入形成阱区。
具体的，提供衬底，衬底的材质包括硅、锗、镓、氮或碳中的一种或多种。对衬底进行离子注入形成阱区，其中衬底具有逻辑区及像素区，对衬底进行离子注入时，同步对衬底的逻辑区及像素区进行离子注入，即在衬底的逻辑区及像素区中形成阱区。图像传感器包括像素区和逻辑区，其中像素区包括用来检测光信号的电路，逻辑区包括用来将检测的光信号处理为电信号以获取光学数据的电路。
执行步骤S2：对衬底进行第一退火工艺，第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内。
具体的，对衬底进行离子注入形成阱区后，由于工艺过程中有可能引入金属杂质，出现晶格缺陷，导致漏电流的产生，所以需要对衬底进行第一退火工艺。第一退火工艺采用尖峰退火，尖峰退火在高温下快速将离子活化，修复晶格缺陷，减少漏电流的产生。在本实施例中，尖峰退火温度高时间长，第一温度设定范围为950℃～1050℃，第一时间设定范围为20S～40S，第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内，其中第一退火工艺的优选退火温度为1000℃，优选退火时间为30S，此优选退火温度和优选退火时间是实验得来的最优选择，但不限于此，退火温度和退火时间示实际情况而定。
执行步骤S3：在衬底上形成栅极结构，对衬底进行离子注入以在阱区中形成源区和漏区。
具体的，在经过第一退火工艺后，在衬底上形成栅极结构，在衬底的像素区和逻辑区上均形成有栅极结构，即在衬底的像素区和逻辑区上均形成晶体管。栅极结构的具体形成步骤是：在衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层及图形化的掩模层；再以图形化的掩模层为掩模刻蚀栅氧化层及多晶硅层，剩余的栅氧化层及多晶硅层构成栅极结构。
在形成栅极结构后，对衬底进行离子注入以在阱区中形成源区及漏区，具体是在栅极结构两侧的衬底上进行离子注入以形成漏区及源区。
执行步骤S4：对衬底进行第二退火工艺，第二退火工艺的退火温度位于第二温度设定范围内，第二退火工艺的退火时间位于第二时间设定范围内。
具体的，对衬底进行离子注入以在阱区中形成源区及漏区后，对衬底进行第二退火工艺，同样前道工艺步骤中有可能引入金属杂质原子，或出现晶格缺陷，导致漏电流的产生，所以需要对衬底进行第二退火工艺。第二退火工艺采用长时间退火，长时间退火能够较好的修复晶格缺陷，减少漏电流的产生。在本实施例中，第二退火工艺的时间长温度低，第二温度设定范围为550℃～600℃，第二时间设定范围为30min～120min，第二退火工艺的退火温度位于第二温度设定范围内，第二退火工艺的退火时间位于第二时间设定范围内，其中第二退火工艺的优选退火温度为580℃，优选退火时间为60min，随着退火温度的升高，对漏电流的改善较好，但需考虑器件的稳定性，不宜过高，此优选退火温度和优选退火时间是实验得来的最优选择，但不限于此，退火温度和退火时间示实际情况而定。
执行步骤S5：在源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层。
具体的，在对衬底进行第二退火工艺后，在源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层，硅化物层覆盖源区、漏区及栅极结构的表面。在本实施例中，可采用物理气相沉积的方式在源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层，硅化物层用于在后续吸收金属杂质原子。
执行步骤S6：对硅化物层进行第三退火工艺，第三退火工艺的退火温度位于第三温度设定范围内，第三退火工艺的退火时间位于第三时间设定范围内，第二温度设定范围的最大值及第三温度设定范围的最大值均小于第一温度设定范围的最小值，且第二时间设定范围的最小值及第三时间设定范围的最小值均大于第一时间设定范围的最大值。
具体的，在形成硅化物层后，对硅化物层进行第三退火工艺，对所述硅化物层进行第三退火工艺时，衬底中源区、漏区及栅极结构中的缺陷和杂质原子移动至硅化物层中，并通过退火将金属杂质及缺陷固定在硅化物层中，金属杂质原子和缺陷移动到硅化物层中后，源区、漏区及栅极结构中的金属杂质原子和缺陷减少，以减少由于金属杂质的移动而产生的漏电流。第三退火工艺采用长时间退火，在本实施例中，第三退火工艺的时间长温度低，第三温度设定范围为650℃～700℃，第三时间设定范围为30min～120min，第三退火工艺的退火温度位于第三温度设定范围内，第三退火工艺的退火时间位于第三时间设定范围内，第三退火工艺的优选退火温度为680℃，优选退火时间为60min，随着退火温度的升高，对漏电流的改善较好，但需考虑器件的稳定性，不宜过高，此优选退火温度和优选退火时间是实验得来的最优选择，但不限于此，退火温度和退火时间示实际情况而定。其中第二温度设定范围的最大值及第三温度设定范围的最大值均小于第一温度设定范围的最小值，且第二时间设定范围的最小值及第三时间设定范围的最小值均大于第一时间设定范围的最大值；第三温度设定范围的最小值大于第二温度设定范围的最大值，第二时间设定范围的最小值及最大值与第三时间设定范围的最小值及最大值均相同。在不同的工艺步骤后添加不同工艺参数的退火步骤，不同工艺参数的退火步骤所产生的效果不同，能够较好的减少漏电流，改善图像传感器中白色像素点的现象。
请参考图2，在对进行第二退火工艺和第三退火工艺后，分别对图像传感器进行测量，图2中的横坐标中A点代表不退火、B点代表退火温度为580℃、C点代表退火温度为650℃和D点代表退火温度为680℃，图2中的纵坐标代表图像传感器中白色像素点的个数，图2中有两条曲线，一条为在第二次退火工艺后，不同退火温度对应的白色像素点的数量，另外一条为在第三次退火工艺后，不同退火温度对应的白色像素点的数量。从图2中得知，在不采取第二退火工艺和第三退火工艺时，图像传感器中白色像素点的数量最多，在进行第二退火工艺和第三退火工艺后，图像传感器中白色像素点的数量减少，尤其当第三次退火工艺的退火温度为680℃时，图像传感器中白色像素点的数量大幅度降低，以表明随着温度升高对暗电流的改善效果越好，但也需注意退火温度太高会影响器件的稳定性。
请参考图3，图3中的横坐标中A1代表在离子注入形成源区及漏区后进行退火，也就是第二退火工艺，第二退火工艺的退火温度和退火时间是580℃和40min；B1代表对硅化物层进行退火，也就是第三退火工艺，第三退火工艺的退火温度和退火时间同样是580℃和40min；A2与A1退火步骤一样，也是在离子注入形成源区及漏区后进行退火，B2与B1退火步骤一样，也是对硅化物层进行退火，退火温度和退火时间变为680℃和60min；A3代表在形成栅极结构后进行退火，B3代表在离子注入形成源区及漏区后进行退火，A3和B3的退火温度和退火时间是750℃和60min；图3中的纵坐标是代表白色像素点的数量。从图3中得知，在不同的工艺位置添加的退火工艺的效果是不同的，而在本实施例中的不同工艺位置添加退火步骤，能够较好的减少漏电流，减少白色像素点的数量，有利于改善图像传感器中的白色像素点现象。若再添加过多的退火步骤，不仅工艺繁杂，对改善白色像素点现象的效果也会产生饱和，本实施例中三次退火步骤对应的退火时间及退火温度是多次试验得来的较优的参考值。
综上，在本发明提供的图像传感器的制备方法中，提供衬底，对衬底进行离子注入形成阱区；对衬底进行第一退火工艺，第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内，第一退火工艺是将像素区和逻辑区中的离子活化，减少晶格缺陷，减少漏电流的产生；在衬底上形成栅极结构，对衬底进行离子注入以在阱区中形成源区和漏区；再对衬底进行第二退火工艺，第二退火工艺的退火温度位于第二温度设定范围内，第二退火工艺的退火时间位于第二时间设定范围内，第二退火工艺是将离子注入后的区域中的离子活化，减少晶格缺陷，减少漏电流的产生；然后在源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层，再对硅化物层进行第三退火工艺，第三退火工艺的退火温度位于第三温度设定范围内，第三退火工艺的退火时间位于第三时间设定范围内，第三退火工艺能够减少中间能级的杂质和缺陷，从而减少漏电流的产生，以改善图像传感器中白色像素点的现象；并且第二温度设定范围的最大值及第三温度设定范围的最大值均小于第一温度设定范围的最小值，且第二时间设定范围的最小值及第三时间设定范围的最小值均大于第一时间设定范围的最大值。在本发明中，在不同的工艺位置加入不同工艺参数的退火步骤，最大程度的减少漏电流的产生，以改善图像传感器中白色像素点的现象。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，对所述衬底进行离子注入以形成阱区；
对所述衬底进行第一退火工艺，所述第一退火工艺的退火温度位于第一温度设定范围内，所述第一退火工艺的退火时间位于第一时间设定范围内，所述第一温度设定范围为950℃～1050℃，所述第一时间设定范围为20S～40S；
在所述衬底上形成栅极结构，对所述衬底进行离子注入以在所述阱区中形成源区和漏区；
对所述衬底进行第二退火工艺，所述第二退火工艺的退火温度位于第二温度设定范围内，所述第二退火工艺的退火时间位于第二时间设定范围内，所述第二温度设定范围为550℃～600℃，所述第二时间设定范围为30min～120min；
在所述源区、所述漏区及所述栅极结构上形成硅化物层；
对所述硅化物层进行第三退火工艺，所述第三退火工艺的退火温度位于第三温度设定范围内，所述第三退火工艺的退火时间位于第三时间设定范围内，所述第三温度设定范围为650℃～700℃，所述第三时间设定范围为30min～120min；其中，所述第二温度设定范围的最大值及所述第三温度设定范围的最大值均小于所述第一温度设定范围的最小值，且所述第二时间设定范围的最小值及所述第三时间设定范围的最小值均大于所述第一时间设定范围的最大值，所述第三温度设定范围的最小值大于所述第二温度设定范围的最大值，所述第二时间设定范围的最小值及最大值与所述第三时间设定范围的最小值及最大值均相同。
2.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述衬底具有逻辑区及像素区，对所述衬底进行离子注入时，同步对所述衬底的逻辑区及像素区进行离子注入。
3.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，对所述硅化物层进行第三退火工艺时，所述源区、所述漏区及所述栅极结构中的缺陷和杂质原子移动至所述硅化物层中。
4.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述第一退火工艺的退火温度为1000℃，所述第一退火工艺的退火时间为30S。
5.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述第二退火工艺的退火温度为580℃，所述第二退火工艺的退火时间为60min。
6.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述第三退火工艺的退火温度为680℃，所述第三退火工艺的退火时间为60min。
7.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极结构的步骤包括：
在所述衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层及图形化的掩模层；
以所述图形化的掩模层为掩模刻蚀所述栅氧化层及所述多晶硅层，剩余的所述栅氧化层及所述多晶硅层构成所述栅极结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011483214.0A CN112614859B (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 图像传感器的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011483214.0A CN112614859B (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 图像传感器的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112614859A CN112614859A (zh) | 2021-04-06 |
| CN112614859B true CN112614859B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=75239421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011483214.0A Active CN112614859B (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 图像传感器的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112614859B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252283B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-06-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS transistor design for shared N+/P+ electrode with enhanced device performance |
| JP2013051317A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN110047862A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-23 | 上海华力微电子有限公司 | Cmos图像传感器的形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368212A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| US20080233695A1 (en) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Texas Instruments Inc. | Integration method of inversion oxide (TOXinv) thickness reduction in CMOS flow without added pattern |
-
2020
- 2020-12-16 CN CN202011483214.0A patent/CN112614859B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252283B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-06-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS transistor design for shared N+/P+ electrode with enhanced device performance |
| JP2013051317A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN110047862A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-23 | 上海华力微电子有限公司 | Cmos图像传感器的形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112614859A (zh) | 2021-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1279602C (zh) | 形成半导体器件的方法 | |
| JP3122403B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| CN112614859B (zh) | 图像传感器的制备方法 | |
| CN108511464B (zh) | Cmos型ltps tft基板的制作方法 | |
| US7638415B2 (en) | Method for reducing dislocation threading using a suppression implant | |
| CN101764088B (zh) | 轻掺杂离子注入方法和i/o金属氧化物半导体场效应管 | |
| US6518150B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH04287332A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US6107173A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR100358067B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 | |
| JPS5856417A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN102468162B (zh) | Nmos晶体管的制作方法 | |
| US6348384B1 (en) | Method of using organic polymer as covering layer for device lightly doped drain structure | |
| JPH04101428A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN116314233A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
| CN116013943A (zh) | Cmos图像传感器的工艺方法 | |
| US7045376B2 (en) | Method of passivating semiconductor device | |
| JP2004228528A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960006702B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택 저항 감소방법 | |
| JPH02302043A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04368131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2011243908A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06204419A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0423427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0479216A (ja) | Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |