CN110047862A - Cmos图像传感器的形成方法 - Google Patents
Cmos图像传感器的形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110047862A CN110047862A CN201910358958.0A CN201910358958A CN110047862A CN 110047862 A CN110047862 A CN 110047862A CN 201910358958 A CN201910358958 A CN 201910358958A CN 110047862 A CN110047862 A CN 110047862A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel region
- cmos image
- image sensor
- forming method
- stress memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 27
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100373011 Drosophila melanogaster wapl gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001415849 Strigiformes Species 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 210000004483 pasc Anatomy 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种CMOS图像传感器的形成方法，包括形成自对准硅化物区域阻挡层，覆盖像素区；形成应力记忆介电层，覆盖所述像素区和像素区的栅极以及侧墙；对像素区上的应力记忆介电层进行退火处理；去除像素区上的应力记忆介电层；本发明还提供了一种CMOS图像传感器，包括半导体基底，半导体基底上包括像素区和逻辑区，所述像素区和所述逻辑区上分别形成有栅极和侧墙，所述像素区和像素区上的栅极与侧墙上形成自对准硅化物区域阻挡层，在像素区形成应力记忆介质层，通过退火将应力记忆介电层的高应力转移到像素区中，通过应力的方式能够增加近红外光产生电子的迁移率，从而增加近红外光产生电子成为信号电荷，提高近红外光的收集效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种CMOS图像传感器的形成方法。
背景技术
随着汽车工业、物联网和监控设备的发展，图像传感器的消耗逐步增加，而最近用于车载记录仪和监控设备的近红外需求也随之增加。近红外技术，主要用于暗光条件下的图像捕捉，使图像可以获取更多细节。
对于近红外光(波长大于760nm)的获取，目前对于FSI(Frontside Illumination，前照式)常用的结构和方法主要分为两种：一种是利用超高能注入在N型的衬底上来实现超深的硼(B)注入(能量大于4MeV)，和磷(P)注入(能量大于7MeV)。这些钉扎二极管可以达到6um的深度，并且具有很好的电学隔离，和强的势垒来隔离照明的像素和邻近像素。另一种是使用厚的高阻值的P型衬底，在这种方法中，收集的效率取决于初始硅片的厚度和经历的热预算。高阻值的衬底主要用于降低钉扎二极管诱导的电势导致的相邻像素的干扰。随着像素单元的减小，为增加进光量，采用BSI(Backside Illumination，背照式)构型，由于需要减薄硅片来增加透光，同时考虑可见光红光的吸收，一般定义，波长为2.4μm时的近红外光的光强为红光光强最大值的1/e，近红外光的光强小于此值时，近红外光的吸收可忽略。对于BSI照明的结构，最近索尼公司提出一种利用硅晶面的金字塔型表面来增加近红外光量子效率的结构，并结合深隔离能够在不增加暗电流的情况下，有效提升近红外光的量子效率。豪威公司推出的夜鹰Nyxel科技的原理是将增加硅基底厚度的像素架构与扩展深隔离(Deep Trench Isolation,DTI)相结合，从而改善量子效率(Quantum Efficiency,QE)，再通过操作晶圆的表面纹理，以保持调制传递函数，并不影响传感器的暗电流。实现相同的近红外光量下更清晰的成像，或覆盖更远的区域；或者减少对LED(Light Emitting Diode)灯的需求，降低总功耗。
现有近红外设计注重对于连续图像处理的要求(视频监控、行车记录仪、自动驾驶用摄像头)，而对于结合静态高速的考量较少。对于高速拍照的全局快门(Global shutter)而言，由于其需要对存储管进行完全的光遮挡，从而实现精确的信号转移。但是对于近红外要实现不影响存储节点(storage node)较为困难，由于近红外的波长较大，以及为增强光程而增厚的硅衬底使这些区域的也会受到光的影响而产生光电子。同时由于对于存储节点的完全阻挡，也降低了光电二极管(Photo-Diode，PD)区域的有效面积，使整体的光响应降低。
由于近红外的波长较长，光致产生的电子能量较小，能够成为自由电子从而对于信号其起作用的概率降低，实际上，波长大于1100nm的光对于硅是完全透明的，不会产生有效的信号电荷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器的形成方法，以解决现有CMOS图像传感器对近红外光的收集效率低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：
提供一半导体基底，所述半导体基底包括像素区；
形成应力记忆介电层，所述应力记忆介电层覆盖所述像素区；
对所述应力记忆介电层执行退火处理；以及
去除经过退火处理的所述应力记忆介电层。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述应力记忆介电层为应力记忆氮化硅层。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述应力记忆氮化硅层的沉积方式为CVD。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述应力记忆氮化硅层的厚度为300-360埃。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述沉积应力记忆氮化硅层之前还沉积了一层氧化硅层。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述氧化硅层的厚度为63-77埃。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述退火温度高于1100摄氏度。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述有效退火时间小于1秒。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述去除经过退火处理的所述应力记忆介电层方法为湿法刻蚀。
可选的，在所述的CMOS图像传感器的形成方法中，所述湿法刻蚀的刻蚀液为磷酸。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明提出的CMOS图像传感器的形成方法包括：提供一半导体基底，所述半导体基底包括像素区；形成应力记忆介电层，所述应力记忆介电层覆盖像素区；对所述应力记忆介电层执行退火处理；以及去除经过退火处理的所述应力记忆介电层。经过退火处理，像素区上的应力记忆介电层的高应力转移到像素区中，通过应力转移的方式能够增加近红外光产生电子的迁移率，从而增加近红外光产生电子成为信号电荷，同时增加底部近红外区域的电子越过势垒形成光电子，提高单位面积的光子数量。
附图说明
图1是本发明实施例的CMOS图像传感器的形成方法的流程图；
图2-图5是本发明实施例的CMOS图像传感器的形成方法的各步骤结构示意图；
其中，
100-半导体基底；
110-像素区，111-自对准硅化物区域阻挡层；
120-逻辑区，121-栅极与侧墙，122-源区和漏区，123-浅沟槽隔离结构；
130-应力记忆氮化硅层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种CMOS图像传感器的形成方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
请参考图1-图5，图1是本发明实施例的CMOS图像传感器的形成方法的流程图；图2-图5是本发明实施例的CMOS图像传感器的形成方法的各步骤结构示意图。本发明提供一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：
步骤S10：提供一半导体基底，所述半导体基底包括像素区；
步骤S20：形成应力记忆介电层，所述应力记忆介电层覆盖所述像素区；
步骤S30：对所述应力记忆介电层执行退火处理；以及
步骤S40：去除经过退火处理的所述应力记忆介电层
首先，请参考图2，提供半导体基底100，并在所述半导体基底100中形成像素区110和逻辑区120，在所述像素区110和逻辑区120上分别形成栅极121，并且在所述栅极两侧形成侧墙(未图示)，所述逻辑区120包括N阱和P阱以及浅沟槽隔离(Shallow TrenchIsolation，STI)结构123，所述浅沟槽隔离结构123用于隔离N阱和P阱，对半导体基底100进行离子注入以形成源区和漏区122，然后进行自对准硅化物阻挡层(Salicide Block，SAB)制程，首先沉积氧化物层，所述氧化物层为TEOS氧化物层，所述氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积，所述氧化物层的厚度为130埃，接着进行源漏极SD热处理，所述源漏极热处理采用快速加热退火(Rapid Thermal Anneal,RTA)处理。所述源漏极热处理SDRTA的温度为1050℃，以推进NP/PP SD的离子注入，稳定器件源漏极的离子浓度，然后进行氮化物层沉积，所述氮化物层采用空阴极高密度等离子体制备HC D Nitride(Hollow cathode highdensity plasma Nitride)，进一步的，所述氮化物层的厚度为270埃。随后进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理SAB ANN，所述退火处理的温度为650℃，进一步的，所述退火处理的时间为60分钟。所述自对准硅化物阻挡层111覆盖像素区110和所述像素区110上的栅极121以及侧墙，暴露出逻辑区120以暴露出逻辑区120的源区和漏区122以及栅极121顶部的多晶硅，从而在逻辑区120的源区和漏区122以及栅极121顶部的多晶硅进行硅化物(salicide)处理。
接着，请参考图3，形成应力记忆介质层，所述应力记忆介质层为应力记忆氮化硅层130，覆盖所述像素区110和逻辑区120；在沉积应力记忆氮化硅层130之前，还在像素区110和逻辑区120上形成有一层氧化硅层(未图示)，所述氧化硅层沉积方式为CVD(化学气相沉积)，所述氧化硅层的厚度63-77埃，优选的，所述氧化硅层的厚度为70埃，用于逻辑区120湿法刻蚀去除应力记忆氮化硅层130时，保护半导体基底100不受磷酸的腐蚀；在像素区110和逻辑区120上沉积应力记忆技术(Stress Memorization Technique，SMT)氮化硅层130，所述应力记忆氮化硅层130的沉积方式为CVD，所述应力记忆氮化硅层130厚度为300-360埃，优选的，所述应力记忆氮化硅层130厚度为330埃。
接着，请参考图4，去除逻辑区120上的应力记忆氮化硅层130；在像素区110和逻辑区120上的应力记忆氮化硅层130上涂光刻胶，使用像素区110的掩膜版放在光刻胶上，以形成和原像素区自对准硅化物区域阻挡层111相同的掩膜图案，所述掩膜版覆盖像素区110，暴露逻辑区120，进行光照，去除逻辑区120的光刻胶，用湿法刻蚀的方法去除逻辑区120上的应力记忆氮化硅层130，所述湿法刻蚀的刻蚀液为磷酸，所述磷酸与氮化硅反应，但不与氧化硅层反应，湿法刻蚀逻辑区120上的应力记忆氮化硅130时，之前沉积的氧化硅层可以保护半导体基底100不受腐蚀；去掉逻辑区120上的应力记忆氮化硅层130后，再将像素区110上的光刻胶剥离，形成像素区110上有应力记忆氮化硅层130，而逻辑区120上没有应力记忆氮化硅层130。在退火之前去除逻辑区120上的应力记忆氮化硅层130，这样就不会影响逻辑区120，仅会改善像素区110的性能。
接着，对像素区110上的应力记忆氮化硅层130进行退火处理，所述退火温度大于1100摄氏度，所述退火时间小于1s，在惰性气体中，采用瞬时高温的方法实现应力记忆氮化硅层130的应力转移，将应力记忆氮化硅层130的高应力转移到像素区110上，通过应力的方式增加近红外光产生电子的迁移率，从而增加近红外光产生电子成为信号电荷，增加底部近红外区域的电子越过势垒形成光电子，提高单位面积的光子数量。
接着，请参考图5，去除像素区110上的应力记忆氮化硅层130；采用湿法刻蚀去除像素区110上的应力记忆氮化硅层130，所述湿法刻蚀溶液为磷酸。
最后，逻辑区120上的源区、漏区122和栅极121顶部形成金属硅化物；在逻辑区120的源区、漏区122和栅极121上沉积钴(Co)、钛(Ti)和氮化钛(TiN),通过第一次快速热处理形成金属硅化物，将未反应的钴或者钛去除，再进行第二次快速热处理，形成Ti的晶相转化，降低金属硅化物的接触电阻值，所述金属硅化物层为后续的接触孔和源区或者漏区之间提供一个金属与半导体的欧姆接触，可以降低后续形成的金属互连结构的电阻。
通过上述方法，本发明还可以提供一种CMOS图像传感器，包括半导体基底100，半导体基底100上包括像素区110和逻辑区120，所述像素区110和所述逻辑区120上分别形成有栅极和侧墙121，所述像素区110和像素区上的栅极与侧墙上形成自对准硅化物区域阻挡层111，经过沉积应力记忆氮化硅层130，并退火处理将应力记忆氮化硅层130高应力转移到像素区110上，增加像素区110对近红外光产生电子的迁移率，从而增加近红外光产生电子成为信号电荷，增加底部近红外区域的电子越过势垒形成光电子，提高单位面积的光子数量。
由于近红外的波长长，光致产生的电子能量较小，能够成为自由电子从而对于信号其起作用的概率降低。(实际上，波长大于1100nm的光对于硅是完全透明的，不会产生有效的信号电荷)。本发明通过应力的方式增加近红外光产生电子的迁移率，从而增加近红外光产生电子成为信号电荷，增加底部近红外区域的电子越过势垒形成光电子，提高单位面积的光子数量，加快近红外光的收集速度，提高近红外光的收集效率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基底，所述半导体基底包括像素区；
形成应力记忆介电层，所述应力记忆介电层覆盖所述像素区；
对所述应力记忆介电层执行退火处理；以及
去除经过退火处理的所述应力记忆介电层。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述应力记忆介电层为应力记忆氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述应力记忆氮化硅层的形成方式为CVD。
4.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述应力记忆氮化硅层的厚度为300-360埃。
5.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述应力记忆介电层之前，所述的CMOS图像传感器形成方法还包括：在所述半导体基底上形成氧化硅层。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为63-77埃。
7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺温度高于1100摄氏度。
8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺时间小于1秒。
9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀去除经过退火处理的所述应力记忆介电层。
10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为磷酸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910358958.0A CN110047862B (zh) | 2019-04-29 | 2019-04-29 | Cmos图像传感器的形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910358958.0A CN110047862B (zh) | 2019-04-29 | 2019-04-29 | Cmos图像传感器的形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110047862A true CN110047862A (zh) | 2019-07-23 |
| CN110047862B CN110047862B (zh) | 2021-04-30 |
Family
ID=67280467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910358958.0A Active CN110047862B (zh) | 2019-04-29 | 2019-04-29 | Cmos图像传感器的形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110047862B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112565642A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种具有线性对数输出的cis传感器 |
| CN112614859A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-06 | 上海华力微电子有限公司 | 图像传感器的制备方法 |
| WO2021102836A1 (zh) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 感光器件及其制作方法与装置、硅衬底及其制作方法与装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101527312A (zh) * | 2008-03-05 | 2009-09-09 | 索尼株式会社 | 固体摄像装置及其制造方法 |
| US20100032735A1 (en) * | 2006-06-30 | 2010-02-11 | Byung-Jun Park | CMOS Image Sensor and Manufacturing Method Thereof |
| CN102105768A (zh) * | 2008-07-25 | 2011-06-22 | 松下电工株式会社 | 红外线图像传感器的制造方法及红外线图像传感器 |
| CN102194749A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 |
| US20130089947A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN103646954A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 双应力薄膜的制造方法及具有双应力薄膜的半导体器件 |
| CN104022083A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 瑞萨电子株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
| CN109216392A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-15 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
| CN109244092A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 佳能株式会社 | 光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备 |
-
2019
- 2019-04-29 CN CN201910358958.0A patent/CN110047862B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100032735A1 (en) * | 2006-06-30 | 2010-02-11 | Byung-Jun Park | CMOS Image Sensor and Manufacturing Method Thereof |
| CN101527312A (zh) * | 2008-03-05 | 2009-09-09 | 索尼株式会社 | 固体摄像装置及其制造方法 |
| CN102105768A (zh) * | 2008-07-25 | 2011-06-22 | 松下电工株式会社 | 红外线图像传感器的制造方法及红外线图像传感器 |
| CN102194749A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 |
| US20130089947A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN104022083A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 瑞萨电子株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
| CN103646954A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 双应力薄膜的制造方法及具有双应力薄膜的半导体器件 |
| CN109244092A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 佳能株式会社 | 光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备 |
| CN109216392A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-15 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021102836A1 (zh) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 感光器件及其制作方法与装置、硅衬底及其制作方法与装置 |
| CN112565642A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种具有线性对数输出的cis传感器 |
| CN112614859A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-06 | 上海华力微电子有限公司 | 图像传感器的制备方法 |
| CN112614859B (zh) * | 2020-12-16 | 2024-04-16 | 上海华力微电子有限公司 | 图像传感器的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110047862B (zh) | 2021-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI683430B (zh) | 具有吸收增強半導體層的影像感測器 | |
| US10971534B2 (en) | Image sensor having improved full well capacity and related method of formation | |
| CN102856333B (zh) | 固体摄像装置、其制造方法以及电子设备 | |
| US8574945B2 (en) | Array of mutually insulated Geiger-mode avalanche photodiodes, and corresponding manufacturing process | |
| US8283195B2 (en) | Method of manufacture of a backside illuminated image sensor | |
| US7102184B2 (en) | Image device and photodiode structure | |
| US7560330B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
| CN110047862A (zh) | Cmos图像传感器的形成方法 | |
| CN103904089A (zh) | 用于bsi图像传感器的表面处理 | |
| US20230343883A1 (en) | Full well capacity for image sensor | |
| US11610927B2 (en) | Capping structure along image sensor element to mitigate damage to active layer | |
| TWI548074B (zh) | 影像感測元件及其形成方法 | |
| US11817469B2 (en) | Light absorbing layer to enhance P-type diffusion for DTI in image sensors | |
| TWI476911B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| TW202013759A (zh) | 光偵測器 | |
| US20140217541A1 (en) | Back-side illuminated image sensor with a junction insulation | |
| CN115881749A (zh) | 具有成形结区的单光子雪崩二极管装置 | |
| TWI814043B (zh) | 集成晶片以及用於形成集成晶片的方法 | |
| US11721774B2 (en) | Full well capacity for image sensor | |
| JP2010251628A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| CN110931578A (zh) | 光电探测器 | |
| US20220293642A1 (en) | Isolation epitaxial bi-layer for backside deep trench isolation structure in an image sensor | |
| US20220302194A1 (en) | Image sensor with scattering structure | |
| CN113725241A (zh) | 图像传感器和用于形成图像传感器的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |