CN112611956B - 一种新能源汽车集成电路芯片测试系统 - Google Patents

一种新能源汽车集成电路芯片测试系统 Download PDF

Info

Publication number
CN112611956B
CN112611956B CN202011559562.1A CN202011559562A CN112611956B CN 112611956 B CN112611956 B CN 112611956B CN 202011559562 A CN202011559562 A CN 202011559562A CN 112611956 B CN112611956 B CN 112611956B
Authority
CN
China
Prior art keywords
integrated circuit
test
circuit chip
chip
vibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011559562.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112611956A (zh
Inventor
陈益群
陈泓翰
顾汉玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Qunxin Microelectronics Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Qunxin Microelectronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Qunxin Microelectronics Co ltd filed Critical Shenzhen Qunxin Microelectronics Co ltd
Priority to CN202011559562.1A priority Critical patent/CN112611956B/zh
Publication of CN112611956A publication Critical patent/CN112611956A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112611956B publication Critical patent/CN112611956B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2856—Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G01N25/72—Investigating presence of flaws
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
    • G01R31/287—Procedures; Software aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2881—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to environmental aspects other than temperature, e.g. humidity or vibrations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，包括测试环境参数调控模块、电流检测模块、芯片损耗分析模块、芯片缺陷测试获取模块、测试管理平台、振动检测模块、红外集成管理存储器、芯片测试显示终端，本发明通过测试管理平台对各测试箱体环境下的功率损耗系数进行预估分析评估，统计出集成电路芯片的动态损坏变动系数，以准确地分析随着测试箱体内的温度和湿度变化，对集成电路芯片性能的影响程度，并分析出各元器件在测试过程中的元器件性能突变系数，能够准确定位发生性能突变的元器件的位置，能够准确获取各元器件是否功能异常，提高了芯片测试的准确性，且能够准确获取异常元器件的位置，便于对异常元器件进行更换或修复。

Description

一种新能源汽车集成电路芯片测试系统
技术领域
本发明属于集成电路芯片测试技术领域，涉及到一种新能源汽车集成电路芯片测试系统。
背景技术
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元器件及布线互连一起，并安装在硅基板上，以形成一体化集成电路芯片。
集成电路芯片在制作完成后，需对集成电路芯片进行测试，集成电路芯片测试流程是将封装后的芯片置于各环境下进行电气特性测试，以判断封装后的芯片是否符合要求，现有测试技术中常采用粗略的电气特征测试方法，即仅分析集成电路芯片通电后参数是否正常，不能准确分析各元器件在环境参数变化下是否均正常运行，导致测试的准确性差，进而测试完成后的集成电路芯片在实际使用的过程中寿命短，且在对集成电路芯片进行振动测试过程中，由于测试设备与集成电路芯片间的碰撞导致集成电路芯片部分失效，影响振动测试的结果且增加了对集成电路芯片的损坏程度，另外，现有技术无法准确地分析集成电路芯片在不同测试环境下的集成电路芯片的功率损耗程度，以及随着环境参数的变化影响，无法分析出集成电路芯片上的各元器件性能是否异常，而导致组成集成电路芯片的元器件因环境参数的变化而导致性能故障，无法适应变动的环境参数。
发明内容
本发明的目的在于提供的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，解决了现有技术中存在的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，包括测试环境参数调控模块、电流检测模块、芯片损耗分析模块、芯片缺陷测试获取模块、测试管理平台、振动检测模块、红外集成管理存储器、芯片测试显示终端；
测试环境参数调控模块用于动态控制集成电路芯片所在测试箱体环境中的温度和湿度参数，并将检测的测试箱体内的温度和湿度发送至测试管理平台；
电流检测模块串联在电源电压U与集成电路芯片所构成的回路间，用于实时检测在当前测试箱体环境参数影响下电源电压U为集成电路芯片提供的输出电流，并将检测的回路中的输出电流分别发送至芯片损耗分析模块和测试管理平台；
芯片损耗分析模块用于提取新能源汽车的集成电路芯片输入固定的电源电压，并接收电流检测模块发送的集成电路芯片在当前测试箱体环境影响下的输出电流，分析集成电路芯片在当前测试箱体环境下的实时功率，并将各测试箱体环境下的集成电路芯片的实时功率发送至测试管理平台，同时，芯片损耗分析模块获取红外集成管理存储器存储的标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，统计当前测试箱体环境下的集成电路芯片的功率损耗系数，并将统计的集成电路芯片的功率损耗系数发送至测试管理平台；
芯片缺陷测试获取模块用于对受电源电压提供电源的集成电路芯片进行红外图像采集，获取集成电路芯片在电源电压U的供电状态下的芯片红外图像，并将获取的芯片红外图像分别发送至测试管理平台和红外集成管理存储器；
红外集成管理存储器用于存储不同颜色深浅等级F所对应的温度范围以及存储各颜色深浅等级对应的损坏异常比例系数，颜色深浅等级F分别为Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6，各颜色深浅等级F对应的危险数值分别为R1,R2,R3,R4,R5,R6,0＜R1＜R2＜R3＜R4＜R5＜R6＜1，
Figure 660333DEST_PATH_IMAGE001
依次表示为各颜色深浅等级F对应的损坏异常比例系数，且
Figure 632356DEST_PATH_IMAGE002
，存储标准集成电路芯片在电源电压U的供电状态下的标准芯片红外图像以及存储标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，且存储各待检测的集成电路芯片上各元器件在芯片红外图像上的位置坐标以及标准集成电路芯片上各元器件在芯片红外图像上的标准颜色深浅等级，将各符合测试条件的标准集成电路芯片上的各元器件进行标号，分别为1,2,....,i,...,k,将该标准集成电路芯片上的各元器件在芯片红外图像上的标准颜色深浅等级构成标准芯片深浅等级集合
Figure 318552DEST_PATH_IMAGE003
，yi表示为标准集成电路芯片上的第i个元器件所对应的标准颜色深浅等级,i=1,2,...,k，
Figure 56701DEST_PATH_IMAGE004
；
测试管理平台用于提取测试环境参数调控模块发送的集成电路芯片所在测试箱体环境中的温度和湿度，并同步接收芯片损耗分析模块发送该测试箱体环境下的集成电路芯片的实时功率和功率损耗系数，提取该测试箱体环境下的集成电路芯片的功率损耗系数，对各功率损耗系数进行预估分析评估，获取动态损坏变动系数，若动态损坏变动系数大于设定的变动阈值，则发送集成电路芯片加工工艺不合格至芯片测试显示终端，若动态损坏变动系数小于设定的变动阈值，则测试管理平台发送触发控制指令至振动检测模块，测试管理平台触发振动检测模块对通电状态下的集成电路芯片进行振动测试，在测试过程中以固定振动次数依次接收电流检测模块发送的集成电路芯片所在回路中的输出电流，分析各固定振动次数后的电流变动异常系数，提取电流变动异常系数大于0所对应的累计固定振动次数，并发送集成电路芯片振动测试的累计固定振动次数以及该累计固定振动次数对应的电流变动异常系数至芯片测试显示终端，同时，接收芯片缺陷测试获取模块发送的集成电路芯片在经各固定振动次数后的芯片红外图像，筛选出芯片红外图像中各元器件对应的颜色深浅等级，构成待测试芯片深浅等级集合
Figure 435729DEST_PATH_IMAGE005
，将待测试芯片深浅等级集合与标准芯片深浅等级集合进行对比，采用芯片测试异常追踪模型获取各元器件在测试过程中的元器件性能突变系数；
芯片测试显示终端与测试管理平台连接，用于显示测试的集成电路芯片加工工艺是否符合要求、集成电路芯片振动测试的累计固定振动次数以及该累计固定振动次数对应的电流变动异常系数；
所述振动检测模块用于对放置在测试箱体内的集成电路芯片进行压紧固定，并进行振动测试，以分析出振动次数对集成电路芯片性能的影响程度。
进一步地，所述功率损耗系数
Figure 626539DEST_PATH_IMAGE006
，
Figure 382006DEST_PATH_IMAGE007
表示为标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，当
Figure 709082DEST_PATH_IMAGE007
大于I时，功率损耗系数v大于0，当
Figure 259012DEST_PATH_IMAGE007
小于I时，功率损耗系数v小于0。
进一步地，所述电流变动异常系数
Figure 202697DEST_PATH_IMAGE008
，
Figure 496275DEST_PATH_IMAGE010
表示为集成电路芯片在振动过程中可允许的最大安全电流变动异常系数，
Figure 943437DEST_PATH_IMAGE011
为经固定振动次数C后集成电路芯片所在回路中的输出电流，
Figure 664268DEST_PATH_IMAGE012
为集成电路芯片未振动测试时集成电路芯片所在回路中的输出电流。
进一步地，所述芯片测试异常追踪模型为
Figure 829670DEST_PATH_IMAGE013
，
Figure 661360DEST_PATH_IMAGE014
表示为第i个元器件的性能突变系数，e为自然数，
Figure 228608DEST_PATH_IMAGE015
为集成电路芯片上的第i个元器件在经第j个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的危险数值，
Figure 854761DEST_PATH_IMAGE016
，
Figure 773039DEST_PATH_IMAGE017
为集成电路芯片上的第i个元器件在经第j个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的损坏异常比例系数，
Figure 408419DEST_PATH_IMAGE018
，
Figure 564594DEST_PATH_IMAGE019
为第j个固定振动次数和第j-1个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的危险数值间的最大差值，n为经固定振动次数的个数，每个固定振动次数对应的具体振动次数为D片经测试符合要求，属于合格品，提高了集成电路芯片测试的准确性和可靠性。
进一步地，所述测试管理平台对各功率损耗系数进行预估分析评估，包括以下步骤:
W1、依次提取m个不同测试环境下的集成电路芯片所对应的功率损耗系数，不同测试环境下的温度和湿度条件不同；
W2、获取m个不同测试环境下的功率损耗系数所对应的平均值
Figure 627228DEST_PATH_IMAGE020
；
W3、采用功率动态损坏变动公式统计出动态损坏变动系数
Figure 767222DEST_PATH_IMAGE021
，
Figure DEST_PATH_IMAGE023
表示为第i个测试环境下的集成电路芯片所对应的功率损耗系数，m表示为抽取的不同测试环境的次数。
进一步地，所述振动检测模块包括测试箱体和振动夹持机构，测试箱体包括测试下箱体和测试上箱体，测试下箱体与测试上箱体相配合，振动夹持机构安装在测试下箱体内；
测试下箱体包括测试下箱体本体，测试下箱体本体两侧面开有安装孔，测试下箱体本体上端面开有与测试上箱体下端的插接柱相配合的插接孔，测试箱体本体内侧分布有若干导向柱，导向柱上端连接有第一缓冲弹簧，下端连接有第二缓冲弹簧；
振动夹持机构包括振动夹持底板，振动夹持底板上固定有限位针，限位针与集成电路芯片上的限位孔配合，以初步固定集成电路芯片的位置，振动夹持底板周侧开有与导向柱滑动配合的导向限位孔，振动夹持底板上端与第一缓冲弹簧连接，振动夹持底板两侧分别对称铰接有反复振动调节件，以带动振动夹持底板沿导向柱的轴线方向进行反复运动；
振动夹持底板上安装有拱形支撑板，拱形支撑板上端开有限位槽，电动推杆一端与限位槽连接，另一端与压紧固定集成电路芯片两端的移动夹持架连接，以对集成电路芯片进行压紧固定。
进一步地，所述测试下箱体本体内侧安装有测试环境参数调控模块，测试环境参数调控模块包括温度传感器和湿度传感器，且测试下箱体本体内侧还安装有电源电压输入端和用于检测集成电路芯片输出电流的电流检测模块，电源电压输入端与集成电路芯片的输入端连接，电流检测模块与集成电路芯片的输出端连接，电源电压正极与集成电路芯片的输入端连接，集成电路芯片的输出端分别与电流检测模块和电源电压负极连接，构成通电回路。
进一步地，所述反复振动调节件包括与振动夹持底板相铰接的第二联动杆、第一联动杆以及传动电机，传动电机输出轴贯穿安装孔与第一联动杆一端固定连接，第一联动杆另一端与第二联动杆一端相铰接，第二联动杆另一端与振动夹持底板相铰接，且第一联动杆小于第二联动杆的长度。
进一步地，所述移动夹持架包括回型架，回型架上固定安装有与限位槽滑动配合的滑动块，回型架两侧对称开有滑动限位槽，位于滑动限位槽上方安装有双向传动丝杠，双向传动丝杠一端通过轴承安装有执行电机，双向传动丝杠两端的螺纹方向相反，双向传动丝杠两端分别安装有螺纹块，螺纹块与双向传动丝杠相配合，螺纹块通过连接板与压紧执行板连接，连接板分别与螺纹块和压紧执行板相铰接，压紧执行板两端分别在滑动限位槽内滑动，压紧柱贯穿回型架下端面与压紧执行板固定连接。
本发明的有益效果：
本发明通过调控集成电路芯片所在环境中的温度和湿度，并提取所在环境条件下的输出电流，以采用功率损耗系数计算公式统计出集成电路芯片在测试箱体环境下受环境参数所造成的功率损耗程度，能够直接分析出测试环境中的温度和湿度对集成电路芯片在实际工作过程中性能的影响程度。
本发明通过测试管理平台对各测试箱体环境下的功率损耗系数进行预估分析评估，统计出集成电路芯片的动态损坏变动系数，以准确地分析随着测试箱体内的温度和湿度变化，对集成电路芯片性能的影响程度，并结合芯片缺陷测试获取模块分析集成电路芯片在测试过程中组成芯片的各元器件的红外图像，进而通过测试管理平台统计出各元器件在测试过程中的元器件性能突变系数，并能够准确定位发生性能突变的元器件的位置，能够准确获取各元器件是否功能异常，提高了芯片测试的准确性，且能够准确获取异常元器件的位置，便于对异常元器件进行更换或修复。
本发明采用软硬件相结合的方式，通过采用振动检测模块可对测试的集成电路芯片进行自适应夹持压紧调节，并反复带动集成电路芯片进行振动，提高了对集成电路芯片振动检测过程中的稳定性，避免芯片振动测试导致芯片与振动检测模块相脱离，减少芯片与振动夹持机构的碰撞，有效地保护了集成电路芯片的性能，且为集成电路芯片测试提供可靠的结构。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中一种新能源汽车集成电路芯片测试系统的示意图；
图2为本发明中振动检测模块的示意图；
图3为本发明中振动检测模块的爆炸示意图；
图4为本发明中图2中A-A的剖视图；
图5为本发明中图2中C-C的剖视图；
图6为本发明中振动夹持机构的剖视图；
图7为本发明中振动夹持机构的局部剖视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-7所示，一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，包括测试环境参数调控模块、电流检测模块、芯片损耗分析模块、芯片缺陷测试获取模块、测试管理平台、振动检测模块、红外集成管理存储器、芯片测试显示终端。
测试环境参数调控模块用于动态控制集成电路芯片所在测试箱体环境中的温度和湿度参数，以实现对集成电路芯片运行过程中的温度和湿度进行调控，并将检测的测试箱体内的温度和湿度发送至测试管理平台。
电流检测模块串联在电源电压U与集成电路芯片所构成的回路间，用于实时检测在当前测试箱体环境参数影响下电源电压U为集成电路芯片提供的输出电流，并将检测的回路中的输出电流分别发送至芯片损耗分析模块和测试管理平台。
芯片损耗分析模块用于提取新能源汽车的集成电路芯片输入固定的电源电压，并接收电流检测模块发送的集成电路芯片在当前测试箱体环境影响下的输出电流，分析集成电路芯片在当前测试箱体环境下的实时功率，并将各测试箱体环境下的集成电路芯片的实时功率发送至测试管理平台，集成电路芯片的实时功率P=U*I，I为电源电压U输入至集成电路芯片内的实时总电流，即集成电路芯片的输出电流，同时，芯片损耗分析模块获取红外集成管理存储器存储的标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，统计当前测试箱体环境下的集成电路芯片的功率损耗系数，并将统计的集成电路芯片的功率损耗系数发送至测试管理平台，其中，功率损耗系数
Figure 3032DEST_PATH_IMAGE006
，
Figure 559520DEST_PATH_IMAGE007
表示为标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，当
Figure 324214DEST_PATH_IMAGE007
大于I时，功率损耗系数v大于0，当
Figure 951504DEST_PATH_IMAGE007
小于I时，功率损耗系数v小于0。
芯片缺陷测试获取模块用于对受电源电压U提供电源的集成电路芯片进行红外图像采集，获取集成电路芯片在电源电压U的供电状态下的芯片红外图像，并将获取的芯片红外图像分别发送至测试管理平台和红外集成管理存储器，芯片红外图像中根据集成电路芯片上的元器件在通电后产生的热量所形成，组成芯片的元器件表面的温度越高，在芯片红外图像中所对应的颜色深浅等级越高，即元器件表面的温度与颜色深浅等级相关联。
红外集成管理存储器用于存储不同颜色深浅等级F所对应的温度范围以及存储各颜色深浅等级对应的损坏异常比例系数，颜色深浅等级F分别为Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6，各颜色深浅等级F对应的危险数值分别为R1,R2,R3,R4,R5,R6,0＜R1＜R2＜R3＜R4＜R5＜R6＜1，
Figure 928687DEST_PATH_IMAGE001
依次表示为各颜色深浅等级F对应的损坏异常比例系数，且
Figure 59454DEST_PATH_IMAGE002
，存储标准集成电路芯片在电源电压U的供电状态下的标准芯片红外图像以及存储标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，且存储各待检测的集成电路芯片上各元器件在芯片红外图像上的位置坐标以及标准集成电路芯片上各元器件在芯片红外图像上的标准颜色深浅等级，将各符合测试条件的标准集成电路芯片上的各元器件进行标号，分别为1,2,....,i,...,k,将该标准集成电路芯片上的各元器件在芯片红外图像上的标准颜色深浅等级构成标准芯片深浅等级集合
Figure 463891DEST_PATH_IMAGE003
，yi表示为标准集成电路芯片上的第i个元器件所对应的标准颜色深浅等级,i=1,2,...,k，
Figure 312898DEST_PATH_IMAGE004
。
测试管理平台用于提取测试环境参数调控模块发送的集成电路芯片所在测试箱体环境中的温度和湿度，并同步接收芯片损耗分析模块发送该测试箱体环境下的集成电路芯片的实时功率和功率损耗系数，提取该测试箱体环境下的集成电路芯片的功率损耗系数，对各功率损耗系数进行预估分析评估，获取动态损坏变动系数，以判断随着测试箱体中的温度和湿度对集成电路芯片性能的影响，若动态损坏变动系数大于设定的变动阈值，则发送集成电路芯片加工工艺不合格至芯片测试显示终端，若动态损坏变动系数小于设定的变动阈值，则测试管理平台发送触发控制指令至振动检测模块，触发振动检测模块对通电状态下的集成电路芯片进行振动测试，在测试过程中以固定振动次数依次接收电流检测模块发送的集成电路芯片所在回路中的输出电流，分析各固定振动次数后的电流变动异常系数，电流变动异常系数
Figure 828193DEST_PATH_IMAGE008
，
Figure 344625DEST_PATH_IMAGE010
表示为集成电路芯片在振动过程中可允许的最大安全电流变动异常系数，
Figure 919963DEST_PATH_IMAGE011
为经固定振动次数C后集成电路芯片所在回路中的输出电流，
Figure 256266DEST_PATH_IMAGE012
为集成电路芯片未振动测试时集成电路芯片所在回路中的输出电流，判断是否存在电流变动异常系数大于0，若大于0，则表明集成电路芯片振动导致电路或元器件发生损坏，提取电流变动异常系数大于0所对应的累计固定振动次数，并发送集成电路芯片振动测试的累计固定振动次数以及该累计固定振动次数对应的电流变动异常系数至芯片测试显示终端，同时，接收芯片缺陷测试获取模块发送的集成电路芯片在经各固定振动次数后的芯片红外图像，筛选出芯片红外图像中各元器件对应的颜色深浅等级，构成待测试芯片深浅等级集合
Figure 575252DEST_PATH_IMAGE005
，将待测试芯片深浅等级集合与标准芯片深浅等级集合进行对比，采用芯片测试异常追踪模型获取各元器件在测试过程中的元器件性能突变系数，其中，芯片测试异常追踪模型为
Figure 680612DEST_PATH_IMAGE013
，
Figure 426851DEST_PATH_IMAGE014
表示为第i个元器件的性能突变系数，e为自然数，
Figure 250450DEST_PATH_IMAGE015
为集成电路芯片上的第i个元器件在经第j个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的危险数值，
Figure 373127DEST_PATH_IMAGE016
，
Figure 598572DEST_PATH_IMAGE017
为集成电路芯片上的第i个元器件在经第j个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的损坏异常比例系数，
Figure 781292DEST_PATH_IMAGE018
，
Figure 357766DEST_PATH_IMAGE019
为第j个固定振动次数和第j-1个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的危险数值间的最大差值，n为经固定振动次数的个数，每个固定振动次数对应的具体振动次数为D，各元器件的性能突变系数越大，表明该元器件经测试符合生产应用的可能性越小，无法成为合格品安装在新能源汽车上使用，当集成电路芯片上的所有元器件所对应的元器件性能系数均小于设定的测试性能突变系数阈值，则表明该集成电路芯片经测试符合要求，属于合格品，提高了集成电路芯片测试的准确性和可靠性，通过判断各元器件的性能突变系数，筛选出异常的元器件，且能够准确定位发生性能突变的元器件的位置，提高了芯片测试的准确性，且能够准确获取异常元器件的位置，便于对异常元器件进行更换或修复。
其中，测试管理平台对各功率损耗系数进行预估分析评估，包括以下步骤:
W1、依次提取m个不同测试环境下的集成电路芯片所对应的功率损耗系数，不同测试环境下的温度和湿度条件不同；
W2、获取m个不同测试环境下的功率损耗系数所对应的平均值
Figure 18555DEST_PATH_IMAGE020
；
W3、采用功率动态损坏变动公式统计出动态损坏变动系数
Figure 98506DEST_PATH_IMAGE021
，
Figure 717707DEST_PATH_IMAGE023
表示为第i个测试环境下的集成电路芯片所对应的功率损耗系数，m表示为抽取的不同测试环境的次数，当动态损坏变动系数大于设定的变动阈值，表明测试环境中的温度和湿度会影响集成电路芯片的功率变动，导致集成电路芯片变动幅度不定，进而导致集成电路芯片在该测试环境下的性能不稳定，易受到环境的影响。
芯片测试显示终端与测试管理平台连接，用于显示测试的集成电路芯片加工工艺是否符合要求、集成电路芯片振动测试的累计固定振动次数以及该累计固定振动次数对应的电流变动异常系数，便于芯片测试人员直观地了解测试集成电路芯片的性能是否符合供新能源汽车使用的要求。
振动检测模块用于对放置在测试箱体内的集成电路芯片进行振动测试，以分析出振动次数对集成电路芯片性能的影响程度，并对固定振动次数下的集成电路芯片下的输出电流发送至测试管理平台。
振动检测模块包括测试箱体和振动夹持机构3，测试箱体包括测试下箱体1和测试上箱体2，测试下箱体1与测试上箱体2相配合，振动夹持机构3安装在测试下箱体1内。
测试下箱体1包括测试下箱体本体，测试下箱体本体两侧面开有安装孔11，测试下箱体本体上端面开有与测试上箱体2下端的插接柱21相配合的插接孔12，测试箱体本体内侧分布有若干导向柱13，导向柱13上端连接有第一缓冲弹簧15，下端连接有第二缓冲弹簧14，测试下箱体本体内侧安装有测试环境参数调控模块，分别为温度传感器16和湿度传感器17，同时，测试下箱体本体内侧还安装有电源电压输入端19和用于检测集成电路芯片输出电流的电流检测模块18，电源电压输入端19与集成电路芯片的输入端连接，电流检测模块18与集成电路芯片的输出端连接，电源电压正极与集成电路芯片的输入端连接，集成电路芯片的输出端分别与电流检测模块18和电源电压负极连接，使得电源电压、集成电路芯片和电流检测模块18构成通电回路。
振动夹持机构3包括振动夹持底板31，振动夹持底板31上固定有限位针311，限位针311与集成电路芯片上的限位孔配合，以初步固定集成电路芯片的位置，振动夹持底板31周侧开有与导向柱13滑动配合的导向限位孔，振动夹持底板31上端与第一缓冲弹簧15连接，振动夹持底板31两侧分别对称铰接有反复振动调节件36，以带动振动夹持底板31沿导向柱13的轴线方向进行反复运动，且通过第一缓冲弹簧15和第二缓冲弹簧14减少振动夹持底板31对测试箱体的碰撞，其中，反复振动调节件36包括与振动夹持底板31相铰接的第二联动杆363、第一联动杆362以及传动电机361，传动电机361输出轴贯穿安装孔11与第一联动杆362一端固定连接，第一联动杆362另一端与第二联动杆363一端相铰接，第二联动杆363另一端与振动夹持底板31相铰接，且第一联动杆362小于第二联动杆363的长度。
振动夹持底板31上安装有拱形支撑板32，拱形支撑板32上端开有限位槽33，电动推杆34一端与限位槽33连接，另一端与压紧固定集成电路芯片两端的移动夹持架35连接，通过控制电动推杆34的伸缩，可调节两移动夹持架35间的距离，实现根据集成电路芯片的宽度进行自动调节，以满足对集成电路芯片在进行振动测试过程中的压紧固定，避免压紧固定不符合要求导致振动测试受影响以及无法集成电路芯片的尺寸进行夹持调节，移动夹持架35包括回型架351，回型架351上固定安装有与限位槽33滑动配合的滑动块352，回型架351两侧对称开有滑动限位槽3511，位于滑动限位槽3511上方安装有双向传动丝杠353，双向传动丝杠353一端通过轴承安装有执行电机354，双向传动丝杠353两端的螺纹方向相反，双向传动丝杠353两端分别安装有螺纹块355，螺纹块355与双向传动丝杠353相配合，螺纹块355通过连接板356与压紧执行板357连接，连接板356分别与螺纹块355和压紧执行板357相铰接，压紧执行板357两端分别在滑动限位槽3511内滑动，压紧柱358贯穿回型架351下端面与压紧执行板357固定连接，压紧柱358下端设有橡胶垫，当执行电机354顺时针转动时，双向传动丝杠353转动带动两螺纹块355逐渐靠近，此时压紧执行板357向远离双向传动丝杠353的方向移动，进而带动压紧柱358对放置在振动夹持底板31上的集成电路芯片进行压紧，当执行电机354逆时针转动时，双向传动丝杠353转动带动两螺纹块355逐渐远离，此时压紧执行板357向靠近双向传动丝杠353的方向移动，进而带动压紧柱358对压紧在振动夹持底板31上的集成电路芯片进行松开。
当传动电机361工作时，带动第一联动杆362绕传动电机361的的输出轴进行转动，第一联动杆362带动363进行转动，进而在传动电机361的安装限位下，使得第二联动杆363带动振动夹持底板31进行沿导向柱13进行往复振动操作，实现对集成电路芯片的往复振动，并将往复振动过程中的集成电路芯片的输出电流发送至测试管理平台。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：包括测试环境参数调控模块、电流检测模块、芯片损耗分析模块、芯片缺陷测试获取模块、测试管理平台、振动检测模块、红外集成管理存储器、芯片测试显示终端；
测试环境参数调控模块用于动态控制集成电路芯片所在测试箱体环境中的温度和湿度参数，并将检测的测试箱体内的温度和湿度发送至测试管理平台；
电流检测模块串联在电源电压U与集成电路芯片所构成的回路间，用于实时检测在当前测试箱体环境参数影响下电源电压U为集成电路芯片提供的输出电流，并将检测的回路中的输出电流分别发送至芯片损耗分析模块和测试管理平台；
芯片损耗分析模块用于提取新能源汽车的集成电路芯片输入固定的电源电压，并接收电流检测模块发送的集成电路芯片在当前测试箱体环境影响下的输出电流，分析集成电路芯片在当前测试箱体环境下的实时功率，并将各测试箱体环境下的集成电路芯片的实时功率发送至测试管理平台，同时，芯片损耗分析模块获取红外集成管理存储器存储的标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，统计当前测试箱体环境下的集成电路芯片的功率损耗系数，并将统计的集成电路芯片的功率损耗系数发送至测试管理平台；
芯片缺陷测试获取模块用于对受电源电压提供电源的集成电路芯片进行红外图像采集，获取集成电路芯片在电源电压U的供电状态下的芯片红外图像，并将获取的芯片红外图像分别发送至测试管理平台和红外集成管理存储器；
红外集成管理存储器用于存储不同颜色深浅等级F所对应的温度范围以及存储各颜色深浅等级对应的损坏异常比例系数，颜色深浅等级F分别为Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6，各颜色深浅等级F对应的危险数值分别为R1,R2,R3,R4,R5,R6,0＜R1＜R2＜R3＜R4＜R5＜R6＜1，
Figure 916268DEST_PATH_IMAGE001
依次表示为各颜色深浅等级F对应的损坏异常比例系数，且
Figure 234117DEST_PATH_IMAGE002
，存储标准集成电路芯片在电源电压U的供电状态下的标准芯片红外图像以及存储标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，且存储各待检测的集成电路芯片上各元器件在芯片红外图像上的位置坐标以及标准集成电路芯片上各元器件在芯片红外图像上的标准颜色深浅等级，将各符合测试条件的标准集成电路芯片上的各元器件进行标号，分别为1,2,....,i,...,k,将该标准集成电路芯片上的各元器件在芯片红外图像上的标准颜色深浅等级构成标准芯片深浅等级集合
Figure 881568DEST_PATH_IMAGE003
，yi表示为标准集成电路芯片上的第i个元器件所对应的标准颜色深浅等级,i=1,2,...,k，
Figure 398000DEST_PATH_IMAGE004
；
测试管理平台用于提取测试环境参数调控模块发送的集成电路芯片所在测试箱体环境中的温度和湿度，并同步接收芯片损耗分析模块发送该测试箱体环境下的集成电路芯片的实时功率和功率损耗系数，提取该测试箱体环境下的集成电路芯片的功率损耗系数，对各功率损耗系数进行预估分析评估，获取动态损坏变动系数，若动态损坏变动系数大于设定的变动阈值，则发送集成电路芯片加工工艺不合格至芯片测试显示终端，若动态损坏变动系数小于设定的变动阈值，则测试管理平台发送触发控制指令至振动检测模块，测试管理平台触发振动检测模块对通电状态下的集成电路芯片进行振动测试，在测试过程中以固定振动次数依次接收电流检测模块发送的集成电路芯片所在回路中的输出电流，分析各固定振动次数后的电流变动异常系数，提取电流变动异常系数大于0所对应的累计固定振动次数，并发送集成电路芯片振动测试的累计固定振动次数以及该累计固定振动次数对应的电流变动异常系数至芯片测试显示终端，同时，接收芯片缺陷测试获取模块发送的集成电路芯片在经各固定振动次数后的芯片红外图像，筛选出芯片红外图像中各元器件对应的颜色深浅等级，构成待测试芯片深浅等级集合
Figure 379863DEST_PATH_IMAGE005
，将待测试芯片深浅等级集合与标准芯片深浅等级集合进行对比，采用芯片测试异常追踪模型获取各元器件在测试过程中的元器件性能突变系数；
其中，动态损坏变动系数
Figure 981746DEST_PATH_IMAGE006
，
Figure 769573DEST_PATH_IMAGE007
表示为第i个测试环境下的集成电路芯片所对应的功率损耗系数，m表示为抽取的不同测试环境的次数；
其中，所述芯片测试异常追踪模型为
Figure 15878DEST_PATH_IMAGE008
，
Figure 699800DEST_PATH_IMAGE009
表示为第i个元器件的性能突变系数，e为自然数，
Figure 726662DEST_PATH_IMAGE010
为集成电路芯片上的第i个元器件在经第j个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的危险数值，
Figure 114918DEST_PATH_IMAGE011
，
Figure 481308DEST_PATH_IMAGE012
为集成电路芯片上的第i个元器件在经第j个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的损坏异常比例系数，
Figure 664028DEST_PATH_IMAGE013
，
Figure 115869DEST_PATH_IMAGE014
为第j个固定振动次数和第j-1个固定振动次数后展示在芯片红外图像上的颜色深浅等级所对应的危险数值间的最大差值，n为经固定振动次数的个数，每个固定振动次数对应的具体振动次数为D；
芯片测试显示终端与测试管理平台连接，用于显示测试的集成电路芯片加工工艺是否符合要求、集成电路芯片振动测试的累计固定振动次数以及该累计固定振动次数对应的电流变动异常系数；
所述振动检测模块用于对放置在测试箱体内的集成电路芯片进行压紧固定，并进行振动测试，以分析出振动次数对集成电路芯片性能的影响程度。
2.根据权利要求1所述的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：所述功率损耗系数
Figure 42237DEST_PATH_IMAGE015
，
Figure 997554DEST_PATH_IMAGE016
表示为标准集成电路芯片在电源电压U的供应下的回路电流，当
Figure 820017DEST_PATH_IMAGE016
大于I时，功率损耗系数v大于0，当
Figure 618208DEST_PATH_IMAGE016
小于I时，功率损耗系数v小于0。
3.根据权利要求2所述的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：所述电流变动异常系数
Figure 223633DEST_PATH_IMAGE017
，
Figure 423670DEST_PATH_IMAGE018
表示为集成电路芯片在振动过程中可允许的最大安全电流变动异常系数，
Figure 86208DEST_PATH_IMAGE019
为经固定振动次数C后集成电路芯片所在回路中的输出电流，
Figure 371696DEST_PATH_IMAGE020
为集成电路芯片未振动测试时集成电路芯片所在回路中的输出电流。
4.根据权利要求3所述的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：所述测试管理平台对各功率损耗系数进行预估分析评估，包括以下步骤:
W1、依次提取m个不同测试环境下的集成电路芯片所对应的功率损耗系数，不同测试环境下的温度和湿度条件不同；
W2、获取m个不同测试环境下的功率损耗系数所对应的平均值
Figure 515233DEST_PATH_IMAGE021
；
W3、采用功率动态损坏变动公式统计出动态损坏变动系数
Figure 569776DEST_PATH_IMAGE006
，
Figure 734042DEST_PATH_IMAGE007
表示为第i个测试环境下的集成电路芯片所对应的功率损耗系数，m表示为抽取的不同测试环境的次数。
5.根据权利要求4所述的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：所述振动检测模块包括测试箱体和振动夹持机构（3），测试箱体包括测试下箱体（1）和测试上箱体（2），测试下箱体（1）与测试上箱体（2）相配合，振动夹持机构（3）安装在测试下箱体（1）内；
测试下箱体（1）包括测试下箱体本体，测试下箱体本体两侧面开有安装孔（11），测试下箱体本体上端面开有与测试上箱体（2）下端的插接柱（21）相配合的插接孔（12），测试箱体本体内侧分布有若干导向柱（13），导向柱（13）上端连接有第一缓冲弹簧（15），下端连接有第二缓冲弹簧（14）；
振动夹持机构（3）包括振动夹持底板（31），振动夹持底板（31）上固定有限位针（311），限位针（311）与集成电路芯片上的限位孔配合，以初步固定集成电路芯片的位置，振动夹持底板（31）周侧开有与导向柱（13）滑动配合的导向限位孔，振动夹持底板（31）上端与第一缓冲弹簧（15）连接，振动夹持底板（31）两侧分别对称铰接有反复振动调节件（36），以带动振动夹持底板（31）沿导向柱（13）的轴线方向进行反复运动；
振动夹持底板（31）上安装有拱形支撑板（32），拱形支撑板（32）上端开有限位槽（33），电动推杆（34）一端与限位槽（33）连接，另一端与压紧固定集成电路芯片两端的移动夹持架（35）连接，以对集成电路芯片进行压紧固定。
6.根据权利要求5所述的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：所述测试下箱体本体内侧安装有测试环境参数调控模块，测试环境参数调控模块包括温度传感器（16）和湿度传感器（17），且测试下箱体本体内侧还安装有电源电压输入端（19）和用于检测集成电路芯片输出电流的电流检测模块（18），电源电压输入端（19）与集成电路芯片的输入端连接，电流检测模块（18）与集成电路芯片的输出端连接，电源电压正极与集成电路芯片的输入端连接，集成电路芯片的输出端分别与电流检测模块（18）和电源电压负极连接，构成通电回路。
7.根据权利要求6所述的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：所述反复振动调节件（36）包括与振动夹持底板（31）相铰接的第二联动杆（363）、第一联动杆（362）以及传动电机（361），传动电机（361）输出轴贯穿安装孔（11）与第一联动杆（362）一端固定连接，第一联动杆（362）另一端与第二联动杆（363）一端相铰接，第二联动杆（363）另一端与振动夹持底板（31）相铰接，且第一联动杆（362）小于第二联动杆（363）的长度。
8.根据权利要求7所述的一种新能源汽车集成电路芯片测试系统，其特征在于：所述移动夹持架（35）包括回型架（351），回型架（351）上固定安装有与限位槽（33）滑动配合的滑动块（352），回型架（351）两侧对称开有滑动限位槽（3511），位于滑动限位槽（3511）上方安装有双向传动丝杠（353），双向传动丝杠（353）一端通过轴承安装有执行电机（354），双向传动丝杠（353）两端的螺纹方向相反，双向传动丝杠（353）两端分别安装有螺纹块（355），螺纹块（355）与双向传动丝杠（353）相配合，螺纹块（355）通过连接板（356）与压紧执行板（357）连接，连接板（356）分别与螺纹块（355）和压紧执行板（357）相铰接，压紧执行板（357）两端分别在滑动限位槽（3511）内滑动，压紧柱（358）贯穿回型架（351）下端面与压紧执行板（357）固定连接。
CN202011559562.1A 2020-12-25 2020-12-25 一种新能源汽车集成电路芯片测试系统 Active CN112611956B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011559562.1A CN112611956B (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种新能源汽车集成电路芯片测试系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011559562.1A CN112611956B (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种新能源汽车集成电路芯片测试系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112611956A CN112611956A (zh) 2021-04-06
CN112611956B true CN112611956B (zh) 2021-07-06

Family

ID=75245082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011559562.1A Active CN112611956B (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种新能源汽车集成电路芯片测试系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112611956B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113406483B (zh) * 2021-08-17 2021-10-29 湖南省计量检测研究院 一种计量芯片的抗干扰检测系统及计算机可读存储介质
CN113671354A (zh) * 2021-09-03 2021-11-19 贝兹维仪器(苏州)有限公司 一种随钻测井仪器的线路板测试装置
CN113567842B (zh) * 2021-09-26 2021-12-10 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于梯度自校验的芯片筛选方法
CN114441515B (zh) * 2021-12-15 2023-12-05 航天科工防御技术研究试验中心 用于对塑封器件进行湿气检测的装置及方法
CN114264933B (zh) * 2021-12-21 2024-02-13 厦门宇昊软件有限公司 一种集成电路板的故障检测方法和故障检测系统
CN116184174B (zh) * 2023-03-10 2023-08-18 深圳市创达电子有限公司 一种芯片测试系统及芯片测试装置
CN117007946B (zh) * 2023-10-07 2023-12-22 深圳市拓普泰克技术股份有限公司 Pcba的自动化测试管理方法及相关装置
CN117214673B (zh) * 2023-11-07 2024-03-08 蓝芯存储技术(赣州)有限公司 芯片的测试方法、装置、设备和存储介质
CN117706413B (zh) * 2024-02-02 2024-04-19 青岛元通电子有限公司 一种基于数据分析的标准电源模块运行自检系统
CN117929418B (zh) * 2024-03-22 2024-06-07 西安源易通电子科技有限公司 一种集成电路缺陷检测方法及系统

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166453A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源電流遮断装置
CN104035048A (zh) * 2014-06-20 2014-09-10 上海出入境检验检疫局工业品与原材料检测技术中心 一种锂离子电池过充安全性能的热电检测方法及其装置
CN104251965A (zh) * 2014-09-24 2014-12-31 河北工业大学 一种igbt动态性能测试装置及其运行方法
CN104731044A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 洪明强 一种锂电池堆动态监测管理系统
CN106019111A (zh) * 2016-05-17 2016-10-12 杰华特微电子（杭州）有限公司 芯片测试方法
CN107037347A (zh) * 2017-03-24 2017-08-11 宁波北仑国际集装箱码头有限公司 一种港口装卸设备使用的功率器件测量装置
CN107894560A (zh) * 2017-11-29 2018-04-10 英特尔产品（成都）有限公司 无油空气用量降低的芯片测试系统及其方法
CN108508343A (zh) * 2017-02-24 2018-09-07 北京普源精电科技有限公司 一种印制电路板的检测装置及方法
CN108594106A (zh) * 2018-04-12 2018-09-28 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） 系统级芯片测评装置和方法
CN109747467A (zh) * 2019-03-07 2019-05-14 合肥禾成信息科技有限公司 一种用于电动车充电桩的智能管理系统
CN109856529A (zh) * 2019-03-01 2019-06-07 哈工大机器人（山东）智能装备研究院 一种基于labview的红外探测器芯片测试及分析系统
CN111289832A (zh) * 2020-03-27 2020-06-16 福州大学 测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071174A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Renesas Electronics Corp 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法
CN209014707U (zh) * 2018-10-02 2019-06-21 深圳市凯之成智能装备有限公司 一种动力电池模组测试设备

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166453A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源電流遮断装置
CN104731044A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 洪明强 一种锂电池堆动态监测管理系统
CN104035048A (zh) * 2014-06-20 2014-09-10 上海出入境检验检疫局工业品与原材料检测技术中心 一种锂离子电池过充安全性能的热电检测方法及其装置
CN104251965A (zh) * 2014-09-24 2014-12-31 河北工业大学 一种igbt动态性能测试装置及其运行方法
CN106019111A (zh) * 2016-05-17 2016-10-12 杰华特微电子（杭州）有限公司 芯片测试方法
CN108508343A (zh) * 2017-02-24 2018-09-07 北京普源精电科技有限公司 一种印制电路板的检测装置及方法
CN107037347A (zh) * 2017-03-24 2017-08-11 宁波北仑国际集装箱码头有限公司 一种港口装卸设备使用的功率器件测量装置
CN107894560A (zh) * 2017-11-29 2018-04-10 英特尔产品（成都）有限公司 无油空气用量降低的芯片测试系统及其方法
CN108594106A (zh) * 2018-04-12 2018-09-28 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） 系统级芯片测评装置和方法
CN109856529A (zh) * 2019-03-01 2019-06-07 哈工大机器人（山东）智能装备研究院 一种基于labview的红外探测器芯片测试及分析系统
CN109747467A (zh) * 2019-03-07 2019-05-14 合肥禾成信息科技有限公司 一种用于电动车充电桩的智能管理系统
CN111289832A (zh) * 2020-03-27 2020-06-16 福州大学 测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IGBT Junction Temperature Measurement Under Active-Short-Circuit and Locked-Rotor Modes in New Energy Vehicles;YUAN ZHU 等;《IEEE Access》;20200619;第8卷;第114401-114412页 *
具有同步整流功能的智慧环保设备运行监测系统设计;李亚娟;《计算机测量与控制》;20191231;第27卷(第11期);第6-10页 *
基于智能监测器的避雷器状态诊断系统;彭珑 等;《绝缘材料》;20141231;第47卷(第4期);第97-99+104页 *
芯片内置测试电路的设计;丁东民 等;《电子测试》;20181231(第14期);第18-19+24页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112611956A (zh) 2021-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112611956B (zh) 一种新能源汽车集成电路芯片测试系统
US9331447B2 (en) Crimping apparatus having a crimp quality monitoring system
CN111354366B (zh) 一种异常声音检测方法及异常声音检测装置
US4660416A (en) Motor operated valve analysis and testing system with monitoring of spring pack movement through side by side monitoring device
US5937505A (en) Method of evaluating a crimped electrical connection
CN104155593A (zh) 一种车载pcba在线测试系统及测试方法
CN110954826B (zh) 基于音频分析的步进丝杆马达缺陷诊断装置及缺陷识别方法
CN113109039A (zh) 一种开关元件寿命测试方法及测试装置
CN113324753A (zh) 一种电磁阀延迟时间及响应时间的测试装置及其测试方法
CN103439620A (zh) 压电陶瓷蜂鸣片电性能自动检测装置及检测方法
CN212693963U (zh) 断路器的监测装置
CN108375733A (zh) 一种数控伺服电机多参数性能测试系统及方法
CN102237263A (zh) 监测结合表面反弹的设备和方法、线结合设备及记录介质
CN115103289A (zh) 耳机老化监测方法、装置、计算机设备和存储介质
CN115790944A (zh) 一种直线电机推力测试机测试预警方法及系统
CN115452031A (zh) 一种旋转编码开关生产用检测系统
CN103727030A (zh) 螺杆泵采油实时监控装置
CN112345648A (zh) 一种高压断路器凸轮裂纹故障检测装置及方法
CN215525027U (zh) 一种开关元件寿命测试装置
CN105865698A (zh) 一种丝线张力测量装置
CN114113939B (zh) 基于暂态振动信号的变压器故障检测方法
CN110146772A (zh) 一种基于振动频谱矩阵的变压器铁心松散缺陷诊断方法
CN117929174B (zh) 一种带有缺陷报警的电线电缆曲挠试验装置
TWI712944B (zh) 利用聲音監控設備之方法
CN219551852U (zh) 一种水轮发电机组主轴中心补气阀试验装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220608

Address after: 315000 workshops 23 and 24, 68 Yuhai East Road, Hangzhou Bay New District, Ningbo City, Zhejiang Province

Patentee after: Ningbo Qunxin Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: Room d4f07, 4th floor, CLP Plaza building, 2070 Shennan Middle Road, Fuqiang community, Huaqiangbei street, Futian District, Shenzhen, Guangdong 518000

Patentee before: Shenzhen Qunxin Microelectronics Co.,Ltd.