CN112599713A - 一种高分辨率微显示器缺陷修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，所述方法具体包括如下步骤：S1、定义亮点的亮度阈值，定位微显示器中的亮点坐标；S2、将亮点坐标导入聚焦粒子束设备，聚焦粒子束设备对亮点坐标对应的像素进行缺陷修复。本发明通过使用自动点屏和光学测试设备自动定位缺陷坐标，FIB设备根据缺陷坐标自动定位，FIB直接沉积遮挡层或者先切割再沉积保护层，从而实现缺陷的自动定位和自动修补，解决了激光修补精度差，不能修补微显的问题，同时避免了激光修补热效应导致的邻近像素失效和封装失效的问题。

Description

一种高分辨率微显示器缺陷修复方法
技术领域
本发明属于微显示器技术领域，更具体地，本发明涉及一种高分辨率微显示器缺陷修复方法。
背景技术
缺陷修复技术是一种在显示中常用的使用激光修复工艺中产生的缺陷，提升良率的技术，用于点缺陷修补、线缺陷修补、AA区像素缺陷修补、表面异物排除等。由于激光光斑的限制，修复精度≥1μm，针对不良产品的亮点、特别是微亮点的检测及修复，修复切割的最小线宽为1μm。且由于利用的是激光的热效应，熔融烧断金属进行修复，所以会影响附近像素点。
微显示一般使用硅基CMOS驱动芯片，CMOS工艺中的缺陷，例如刻蚀残留，线宽过小，离子注入剂量偏差等会导致驱动芯片漏电较大，所以微显示的亮点、暗态下的微亮点很多，需要使用修复技术。由于微显示分辨率比一般显示高很多，驱动电路金属线宽和线间距≤0.2um，激光烧蚀很容易烧断附近的金属线，或者烧蚀到下层的金属线，导致亮线、暗线或黑屏。同时由于微显示像素间距一般≤0.4um，激光修复的热效应容易扩散到附近像素，影响附近像素，导致较大的黑点。而且激光修复可能破坏薄膜封装层，导致封装失效，影响屏体可靠性。
发明内容
本发明提供了一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，旨在改善上述问题。
本发明是这样实现的，一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，所述方法具体包括如下步骤：
S1、定义亮点的亮度阈值，定位微显示器中的亮点坐标；
S2、将亮点坐标导入聚焦粒子束设备，聚焦粒子束设备对亮点坐标对应的像素进行缺陷修复。
进一步的，缺陷修复的方法具体如下：
聚焦粒子束设备在亮点坐标对应的像素处沉积不透光材料，使得亮点坐标对应的像素不透光。
进一步的，不透光材料为碳、钨、铂或铜。
进一步的，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束沉积不透光的金属膜层；
电子束沉积条件：电压0.5KV-5KV，电流0.1nA-10nA，气源打开；
离子束沉积条件：电压5KV-50KV，电流2pA/um2-50pA/um2，气源打开；
在不透光材料为铂时，气源为甲基环戊二烯基铂，在不透光材料为钨时，气源为六羰基钨沉积钨，在不透光材料为铜时，气源为双六氟乙酰丙酮合铜，在不透光材料为碳时，气源为烷烃类。
进一步的，缺陷修复的方法具体如下：
用聚焦粒子束设备的离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上进行切割，切割掉微显示器上阴极或发光层；
再用离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上沉积一层氧化硅，进行封装保护。
进一步的，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束辅助沉积氧化硅，
电子束沉积条件：电压0.5-5KV，电流0.1-10nA，通入硅烷气源；
离子束沉积条件：电压5-50KV，电流2-50pA/um2，通入硅烷气源。
本发明通过使用自动点屏和光学测试设备自动定位缺陷坐标，FIB设备根据缺陷坐标自动定位，FIB直接沉积遮挡层或者先切割再沉积保护层，从而实现缺陷的自动定位和自动修补，解决了激光修补精度差，不能修补微显的问题，同时避免了激光修补热效应导致的邻近像素失效和封装失效的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的高分辨率微显示器缺陷修复方法流程图；
图2为本发明实施例提供的微显示器中的亮点坐标示意图。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
图1为本发明实施例提供的高分辨率微显示器缺陷修复方法流程图，该方法具体包括如下步骤：
S1、定义亮点的亮度阈值，定位微显示器中的亮点坐标；
使用自动点屏和光学测试设备点亮屏体，进行亮点坐标的定位，本发明中的亮点是指亮度大于亮度阈值上的点，亮度阈值根据用户的需求进行设定，如图2所示，输出亮点坐标文件(即Klarf文件)；亮点坐标文件数据导入到聚焦离子束(FIB)设备。
S2、将亮点坐标导入聚焦粒子束设备，聚焦粒子束设备对亮点坐标对应的像素进行缺陷修复。
在本发明实施例中，上述缺陷修复的方法具体如下：
通过聚焦粒子束设备在亮点坐标对应的像素处沉积不透光材料，使得亮点所在的像素不透光，本发明实施例中，不透光材料优选为碳、钨、铂或铜。
聚焦粒子束设备FIB沉积基本原理：静电透镜聚焦的高能量离子，经高压电场加速后撞击基板表面，在特定气体协作下产生图像并移除或沉淀薄膜，广泛应用于掩模修正、电路修改和失效分析。本发明为了遮光，使用有机金属源作为气源，电子束或者离子束辅助沉积不透光的金属膜层，例如(三甲基)甲基环戊二烯基铂沉积铂，六羰基钨沉积钨，二甲基(三氟乙酰丙酮)金沉积金，双(六氟乙酰丙酮)合铜沉积铜，烷烃类气源沉积碳等。
电子束沉积条件：电压0.5KV-5KV，电流0.1-10nA，气源打开；
离子束沉积条件：电压5KV-50KV，电流2-50pA/um2，气源打开。
沉积不同材料，只是气源不一样，电压和电流影响沉积速率。
在本发明的另一实施例中，上述缺陷的修复方法具体如下：
用离子束或电子束在亮点坐标所在像素上进行切割，切掉微显示器的阴极或发光层；
再用离子束或电子束在亮点坐标所在像素上辅助沉积一层氧化硅，进行封装保护，使用硅烷SiH4作为气源，电子束或者离子束辅助沉积氧化硅；
电子束沉积条件：电压0.5KV-5KV，电流0.1nA-10nA，通入硅烷；离子束沉积条件：电压5KV-50KV，电流2pA/um2-50pA/um2，通入硅烷，因为FIB可以控制深度，所以不会损伤下层金属，同时又沉积一层氧化硅作封装层，不会导致封装失效。
本发明通过使用自动点屏和光学测试设备自动定位缺陷坐标，FIB设备根据缺陷坐标自动定位，FIB直接沉积遮挡层或者先切割再沉积保护层，从而实现缺陷的自动定位和自动修补，解决了激光修补精度差，不能修补微显的问题，同时避免了激光修补热效应导致的邻近像素失效和封装失效的问题。
此外，修补精度高，能满足≤2um的像素修复，解决激光修补精度差，不能修补微显的问题；2.FIB修补没有热效应，避免了激光修补热效应导致的邻近像素失效和封装失效的问题；3.如果使用金属作为遮挡层，稳定性很高，避免了碳或其它有机遮挡层易吸水的问题；4.喷涂，喷墨打印或涂布的有机遮挡层工艺，线宽≥50um，形貌很难控制，且需要紫外或热固化，影响显示屏可靠性，而FIB沉积的不透光遮挡层，线宽可以做到≤1um，形貌容易控制，且不需要后续紫外或热固化，工艺流程更简单；5.对于颗粒，封装脱膜或者其它原因导致的异常，点屏后自动光学检测到，还可以通过在缺陷上沉积氧化硅或氮化硅保护层，避免封装失效或失效的恶化，提升良率和可靠性，而单纯的有机物遮蔽层没有该功能。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：
S1、定义亮点的亮度阈值，定位微显示器中的亮点坐标；
S2、将亮点坐标导入聚焦粒子束设备，聚焦粒子束设备对亮点坐标对应的像素进行缺陷修复。
2.如权利要求1所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，缺陷修复的方法具体如下：
聚焦粒子束设备在亮点坐标对应的像素处沉积不透光材料，使得亮点坐标对应的像素不透光。
3.如权利要求2所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，不透光材料为碳、钨、铂或铜。
4.如权利要求3所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束沉积不透光的金属膜层；
电子束沉积条件：电压0.5KV-5KV，电流0.1nA-10nA，气源打开；
离子束沉积条件：电压5KV-50KV，电流2pA/um2-50pA/um2，气源打开；
在不透光材料为铂时，气源为甲基环戊二烯基铂，在不透光材料为钨时，气源为六羰基钨沉积钨，在不透光材料为铜时，气源为双六氟乙酰丙酮合铜，在不透光材料为碳时，气源为烷烃类。
5.如权利要求1所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，缺陷修复的方法具体如下：
用聚焦粒子束设备的离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上进行切割，切割掉微显示器上阴极或发光层；
再用离子束或电子束在亮点坐标对应的像素上沉积一层氧化硅，进行封装保护。
6.如权利要求5所述高分辨率微显示器缺陷修复方法，其特征在于，聚焦粒子束设备通过电子束或者离子束辅助沉积氧化硅，
电子束沉积条件：电压0.5-5KV，电流0.1-10nA，通入硅烷气源；
离子束沉积条件：电压5-50KV，电流2-50pA/um2，通入硅烷气源。
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