CN112582285B - 封装结构的减薄方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种封装结构的减薄方法，包括步骤：提供一基板，所述基板包括封装有电子单元的封装结构，所述封装结构的厚度大于预设厚度；对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。本发明制作封装结构可利用现有的常规型号封装模具进行制作，再利用激光技术进行镭射减薄即可，无需重新制作适配的封装模具，省略了制作封装模具的过程，大大缩短了生产周期，且节省了生产成本，并加快了快速打样的进程，生产效率高。利用激光技术对封装结构的封装表面进行镭射减薄后，封装表面的粗糙度小于20um，封装表面精度高。并且，本发明采用相关镭射设备就可实现镭射减薄过程，可实现自动化以及批量化生产，大大提高生产效率。

Description

封装结构的减薄方法
技术领域
本发明涉及封装技术领域，特别涉及一种封装结构的减薄方法。
背景技术
随着SIP产品朝着小型化、低功耗及高功能方向的发展，Mold技术成为SIP快速发展的关键技术之一。目前，封装产品时，针对不同厚度的封装产品，需选用不同型号的封装模具。常规型号的封装模具为1.2mm、0.85mm或0.7mm封装模具，用以分别塑封成型出厚度为1.2mm、0.85mm或0.7mm的封装产品，对厚度低于1.2mm、0.85mm或0.7mm的封装产品，比如厚度为1.0mm的封装产品，则需要重新制作适配的封装模具，但是封装模具的生产周期长，制作昂贵，生产成本高，且制约了快速打样的进程，生产效率低。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种封装结构的减薄方法，旨在解决现有技术中针对不同厚度的封装产品需制作不同型号封装模具导致的生产成本高以及生产效率低的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出一种封装结构的减薄方法，所述封装结构的减薄方法包括如下步骤：
提供一基板，所述基板包括封装有电子单元的封装结构，所述封装结构的厚度大于预设厚度；
对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
优选地，所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
对所述封装结构的封装表面沿S形路径进行镭射，并在S形路径折弯处控制镭射光线延迟第一预设时间，直至对封装表面完成全面镭射。
优选地，所述第一预设时间为0.1ms～0.3ms。
优选地，所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤，还包括：
对所述封装结构的封装表面沿直线路径进行多次镭射，并在任意相邻的两次镭射路径切换时控制镭射光线延迟第二预设时间，直至对封装表面完成全面镭射。
优选地，所述第二预设时间为0.1ms～0.3ms。
优选地，所述基板包括多个所述封装结构，多个所述封装结构阵列布置；
所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
按照预设顺序对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
优选地，任意相邻的两个封装结构之间相互拼接并形成拼缝；
所述按照预设顺序对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
控制镭射光线以第一预设镭射深度对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，并在镭射至拼缝处时，控制镭射光线以第二预设镭射深度对拼缝处进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度；其中，所述第一预设镭射深度为H1，所述第二预设镭射深度为H2，H2＝H1±0.05mm。
优选地，任意相邻的两个所述封装结构之间的拼缝宽度小于镭射光线的光线宽度。
优选地，在所述按照预设顺序对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤之后，还包括：
对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述封装结构。
优选地，所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
以1200mm/s～2500mm/s的镭射速度对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
通过采用本发明封装结构的减薄方法，在需要制作预设厚度比对应的常规型号封装模具小的封装结构时，无需重新制作适配的封装模具，而是先采用对应的常规型号的封装模具塑封成型出比预设厚度大的封装结构，再利用激光技术对封装结构的封装表面进行镭射，使得封装结构的封装表面被镭射掉一部分，进而使得整个封装结构的厚度减薄，直至减薄至预设厚度，满足产品使用需求。本发明制作封装结构可利用现有的常规型号封装模具进行制作，再利用激光技术进行镭射减薄即可，无需重新制作适配的封装模具，省略了制作封装模具的过程，大大缩短了生产周期，且节省了生产成本，并加快了快速打样的进程，生产效率高。另外，利用激光技术对封装结构的封装表面进行镭射减薄后，封装表面的粗糙度小于20um，封装表面精度高，提高产品良率和性能。并且，本发明采用相关镭射设备就可实现镭射减薄过程，可实现自动化以及批量化生产，大大提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明封装结构的减薄方法第一实施例的流程示意图；
图2为本发明封装结构的减薄方法第二实施例的流程示意图；
图3为本发明封装结构的减薄方法第三实施例的流程示意图；
图4为本发明基板上封装结构的结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
10 基板 30 拼缝
20 封装结构
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种封装结构的减薄方法。
参照图1，为本发明封封装结构的减薄方法第一实施例的流程示意图，该方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一基板，所述基板包括封装有电子单元的封装结构，所述封装结构的厚度大于预设厚度；
参照图4，基板10包括封装结构20，封装结构20内封装有电子单元。本实施例的封装结构20可以采用常规型号的封装模具进行塑封形成，比如，采用1.2mm、0.85mm或0.7mm封装模具分别塑封成型出厚度为1.2mm、0.85mm或0.7mm的封装产品，本实施例以1.2mm的封装模具塑封塑封成型出厚度为1.2mm的封装产品为例进行说明。预设厚度则为封装结构20的既定厚度，比如，想要制作出预设厚度为1.0mm的封装产品，则先采用现有的1.2mm的封装模具塑封成型出1.2mm的封装产品，再进行后续镭射减薄工序。
步骤S20，对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
采用常规型号的封装模具塑封成型出比预设厚度大的封装结构20后，可利用激光技术在封装表面进行镭射，使得封装结构20的封装表面被镭射掉一部分，进而使得整个封装结构20的厚度减薄，直至减薄至预设厚度。具体地，想要制作出预设厚度为1.0mm的封装产品，则先采用现有的1.2mm的封装模具塑封成型出1.2mm的封装产品，再对封装产品的表面进行镭射，以将封装产品的表面镭射掉0.2mm，最终形成厚度为1.0mm的封装产品，满足产品使用需求。可以理解地，若想要制作出预设厚度为0.75mm封装产品，可先采用现有的0.85mm的封装模具塑封成型出0.85mm的封装产品，再对封装产品的表面进行镭射，以将封装产品的表面镭射掉0.1mm，最终形成厚度为0.75mm的封装产品，满足产品使用需求。
通过采用本实施例封装结构20的减薄方法，在需要制作预设厚度比对应的常规型号封装模具小的封装结构20时，无需重新制作适配的封装模具，而是先采用对应的常规型号的封装模具塑封成型出比预设厚度大的封装结构20，再利用激光技术对封装结构20的封装表面进行镭射，使得封装结构20的封装表面被镭射掉一部分，进而使得整个封装结构20的厚度减薄，直至减薄至预设厚度，满足产品使用需求。本实施例制作封装结构20可利用现有的常规型号封装模具进行制作，再利用激光技术进行镭射减薄即可，无需重新制作适配的封装模具，省略了制作封装模具的过程，大大缩短了生产周期，且节省了生产成本，并加快了快速打样的进程，生产效率高。另外，利用激光技术对封装结构20的封装表面进行镭射减薄后，封装表面的粗糙度小于20um，封装表面精度高，提高产品良率和性能。并且，本实施例采用相关镭射设备就可实现镭射减薄过程，可实现自动化以及批量化生产，大大提高生产效率。
参照图2，为本发明封装结构的减薄方法第二实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S20包括：
步骤S21，对所述封装结构的封装表面沿S形路径进行镭射，并在S形路径折弯处控制镭射光线延迟第一预设时间，直至对封装表面完成全面镭射。
在对封装结构20进行镭射的过程中，可选择镭射设备的填满类型为弓形。选择填满类型为弓形时，可对封装结构20的封装表面沿S形路径进行镭射。为了避免在S形路径折弯处镭射光线对封装结构20的表面镭射深度(雕刻深度)过大，需在S形路径折弯处控制镭射光线延迟第一预设时间，使得镭射光线在S形路径折弯处无需重复镭射，进而保证封装结构20的整个表面镭射深度一致，提高封装结构20的厚度均匀性。
进一步的，所述第一预设时间为0.1ms～0.3ms，即，对所述封装结构20的封装表面沿S形路径进行镭射的过程中，在S形路径折弯处控制镭射光线延迟0.1ms～0.3ms即可，既保证镭射深度的一致性，又能同时保证生产效率。优选地，第一预设时间为0.18ms～0.24ms。
参照图3，为本发明封装结构的减薄方法第三实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S20，还包括：
步骤S22，对所述封装结构的封装表面沿直线路径进行多次镭射，并在任意相邻的两次镭射路径切换时控制镭射光线延迟第二预设时间，直至对封装表面完成全面镭射。
在对封装结构20进行镭射的过程中，可选择镭射设备的填满类型为划线。选择填满类型为划线时，可对封装结构20的封装表面沿直线路径进行多次镭射。为了避免在任意相邻的两次镭射路径切换时镭射光线对封装结构20的表面镭射深度(雕刻深度)过大，需在任意相邻的两次镭射路径切换时控制镭射光线延迟第二预设时间，使得镭射光线在任意相邻的两次镭射路径切换时无需重复镭射，进而保证封装结构20的整个表面镭射深度一致，提高封装结构20的厚度均匀性。
进一步的，所述第二预设时间为0.1ms～0.3ms，即，对所述封装结构20的封装表面沿直线路径进行多次镭射的过程中，在任意相邻的两次镭射路径切换时控制镭射光线延迟0.1ms～0.3ms即可，既保证镭射深度的一致性，又能同时保证生产效率。优选地，第二预设时间为0.18ms～0.24ms。
若镭射设备的填满类型为回形，即对封装结构20的封装表面沿8字形路径进行镭射，会在封装结构20的封装表面对角线位置重复镭射，导致雕刻深度过大，在封装表面的对角线位置留下两条明显地痕迹，镭射深度一致性差，导致封装产品薄厚不均。本发明在对封装结构20进行镭射的过程中，选择镭射设备的填满类型为弓形或划线，相较于填满类型为回形而言，采用弓形或划线不会在封装结构20的封装表面留下两条明显地痕迹，且本发明在S形路径折弯处或任意相邻的两次镭射路径切换时控制镭射光线延迟0.1ms～0.3ms，镭射深度一致性高，封装产品厚度均匀。
在一实施例中，所述基板10包括多个所述封装结构20，多个所述封装结构20阵列布置；所述步骤S20包括：
步骤S23，按照预设顺序对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
参照图4，基板10包括多个封装结构20，多个封装结构20呈横纵向阵列布置。镭射过程中，可按照预设顺序对多个封装结构20的封装表面一次进行镭射，比如，可先从左至右对最前方一行封装结构20进行依次镭射后，再接着从左至右对下一行封装结构20进行依次镭射，直至完成对所有封装结构20的封装表面的镭射工作，使所有封装结构20的厚度减薄至预设厚度，实现批量化生产，提高生产效率。进一步的，任意相邻的两个封装结构20之间相互拼接并形成拼缝30；
步骤S23包括：
步骤S231，控制镭射光线以第一预设镭射深度对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，并在镭射至拼缝处时，控制镭射光线以第二预设镭射深度对拼缝处进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度；其中，所述第一预设镭射深度为H1，所述第二预设镭射深度为H2，H2＝H1±0.05mm。
参照图4，阵列布置的多个封装结构20中，任意相邻的两个封装结构20之间相互拼接并形成拼缝30，在镭射过程中，可对拼缝30处的镭射深度灵活调整，具体地，在按照预设顺序对多个封装结构20的封装表面依次进行镭射的过程中，控制镭射光线以第一预设镭射深度对多个封装结构20的封装表面依次进行镭射，在镭射至拼缝30处时，控制镭射光线以第二预设镭射深度对拼缝30处进行镭射，直至将所有的封装结构20的厚度减薄至预设厚度。其中，第一预设镭射深度H1，第二预设镭射深度为H2，H2＝H1±0.05mm。比如，第一预设镭射深度为0.2mm，第二预设镭射深度为0.15mm～0.25mm，从而可以根据实际情况灵活设置拼缝30处的镭射深度，方便镭射。
进一步的，任意相邻的两个所述封装结构20之间的拼缝30宽度小于镭射光线的光线宽度。任意相邻的两个封装结构20之间的拼缝30宽度为0.014mm～0.02mm，在镭射过程中，控制镭射光线的光线宽度大于拼缝30宽度，以使镭射光线可对拼缝30进行全面镭射，避免出现镭射不到位的情况。
在步骤S23之后，还包括：
步骤S30，对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述封装结构。
具体地，将所有封装结构20的厚度镭射减薄至预设厚度后，可采用激光技术对基板10进行激光切割，可以理解地，激光切割过程可沿拼缝30进行，从而将各封装结构20分离。
在一实施例中，步骤S20还包括：
步骤S24，以1200mm/s～2500mm/s的镭射速度对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
将镭射速度设置为1200mm/s～2500mm/s，即防止镭射速度过快对封装结构20的封装表面造成镭射不均匀的情况，又能防止镭射速度过慢对封装结构20的封装表面造成镭射深度过大的情况，提高镭射效果，保证封装结构20的厚度一致性。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种封装结构的减薄方法，其特征在于，所述封装结构的减薄方法包括如下步骤：
提供一基板，所述基板包括封装有电子单元的封装结构，所述封装结构的厚度大于预设厚度，其中，所述封装结构由厚度大于所述预设厚度的常规封装模具塑封成型，所述预设厚度为所述封装结构的既定厚度；
对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度；
所述基板包括多个所述封装结构，多个所述封装结构阵列布置；
所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
按照预设顺序对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度；
任意相邻的两个封装结构之间相互拼接并形成拼缝；
所述按照预设顺序对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
控制镭射光线以第一预设镭射深度对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，并在镭射至拼缝处时，控制镭射光线以第二预设镭射深度对拼缝处进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
2.如权利要求1所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
对所述封装结构的封装表面沿S形路径进行镭射，并在S形路径折弯处控制镭射光线延迟第一预设时间，直至对封装表面完成全面镭射。
3.如权利要求2所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，所述第一预设时间为0.1ms～0.3ms。
4.如权利要求1所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤，还包括：
对所述封装结构的封装表面沿直线路径进行多次镭射，并在任意相邻的两次镭射路径切换时控制镭射光线延迟第二预设时间，直至对封装表面完成全面镭射。
5.如权利要求4所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，所述第二预设时间为0.1ms～0.3ms。
6.如权利要求1-5中任一项所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，
其中，所述第一预设镭射深度为H1，所述第二预设镭射深度为H2，H2＝H1±0.05mm。
7.如权利要求1-5中任一项所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，任意相邻的两个所述封装结构之间的拼缝宽度小于镭射光线的光线宽度。
8.如权利要求1-5中任一项所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，在所述按照预设顺序对多个所述封装结构的封装表面依次进行镭射，直至所有所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤之后，还包括：
对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述封装结构。
9.如权利要求1-5中任一项所述的封装结构的减薄方法，其特征在于，所述对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度的步骤包括：
以1200mm/s～2500mm/s的镭射速度对所述封装结构的封装表面进行镭射，直至所述封装结构的厚度减薄至预设厚度。
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