CN112578585A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本文提供了一种显示面板及其制备方案、显示装置。显示面板包括多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的显示侧为阵列基板远离彩膜基板一侧，第二显示区域的显示侧为彩膜基板远离阵列基板的一侧，第一显示区域的彩膜基板包括第一反射层和设置于第一反射层远离阵列基板一侧的黑矩阵，第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内。本文通过在第一显示区域的彩膜基板的第一反射层远离阵列基板一侧设置黑矩阵，且第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内，保证了显示面板的色彩纯度和对比度。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技术产业的逐步发展，多元化产品形态成为LTPS产业的主流趋势，由于低温多晶硅薄膜晶体管在载流子迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅等方面比传统非晶硅薄膜晶体管优越，且其器件具有小型化等特点，新的产品形态，例如：AR/VR、车载、平板电脑(TabletPersonal Computer，TPC)、笔记本电脑(Note Book Computer，NB)、反射式液晶显示器(Reflective Type Liquid CrystalDisplay，RLCD)等，成为了未来LTPS产业发展的新方向。

RLCD是一种没有背光，直接通过反射环境光来充当屏幕光源的显示技术。目前，RLCD还存在显示效果不理想的问题。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供了一种显示面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，显示面板包括多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的显示侧为阵列基板远离彩膜基板一侧，第二显示区域的显示侧为彩膜基板远离阵列基板的一侧，第一显示区域的彩膜基板包括第一反射层和设置于第一反射层远离阵列基板一侧的黑矩阵，第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内。

在一些示例性实施例中，黑矩阵限定多个像素开口，像素开口位于第二显示区域，第一反射层邻近像素开口的一侧与像素开口的边缘齐平。

在一些示例性实施例中，彩膜基板还包括覆盖像素开口和第一反射层的彩膜单元。

在一些示例性实施例中，第二显示区域的阵列基板包括第二反射层，第二反射层在第一反射层所在平面的正投影邻近第一反射层的一侧和第一反射层邻近第二反射层的一侧对齐或者交叠。

在一些示例性实施例中，显示面板还包括沿第一方向间隔设置的多条数据信号线和沿第二方向间隔设置的多条扫描信号线，多条数据信号线和多条扫描信号线交叉限定多个像素单元，第一方向和第二方向相交，第一显示区域和第二显示区域沿着第一方向排列，在第一方向上，第二反射层在第一反射层所在平面的正投影和第一反射层的交叠的宽度为2微米到4微米。

在一些示例性实施例中，像素单元的彩膜基板还包括设置于第一反射层远离黑矩阵一侧的公共电极，像素单元的阵列基板还包括像素电极，第一显示区域和第二显示区域位于像素电极在公共电极所在平面的正投影和公共电极的交叠区域内。

在一些示例性实施例中，像素电极包括叠设的第一透明电极和第二透明电极，第二反射层设置于第一透明电极和第二透明电极之间，第二透明电极在彩膜基板上的正投影包含第一透明电极在彩膜基板上的正投影，第二反射层在彩膜基板上的正投影位于第二透明电极在彩膜基板上正投影的范围内。

在一些示例性实施例中，像素单元的阵列基板还包括薄膜晶体管和设置于薄膜晶体管朝向彩膜基板一侧的平坦层，薄膜晶体管包括栅极、与栅极位置对应的有源层、与有源层一端连接的第一极和与有源层另一端连接的第二极，第一透明电极邻近薄膜晶体管，并通过设置于平坦层上并暴露第二极的第一连接过孔与第二极连接。

在一些示例性实施例中，第一透明电极上设置有暴露第二极的第二连接过孔，第二连接过孔位于第一连接过孔内，第二反射层通过第二连接过孔与第二极连接。

在一些示例性实施例中，像素单元的阵列基板还包括环形的第一电容电极和环形的第二电容电极，第一电容电极和第二电容电极位置对应构成存储电容，第一电容电极与栅极同层设置，第二电容电极与第二极同层设置，第一显示区域和第二显示区域位于第一电容电极和第二电容电极围成的区域内。

在一些示例性实施例中，第一显示区域的彩膜基板还包括设置于第一反射层远离黑矩阵一侧的第一透明保护层，第一透明保护层在黑矩阵上的正投影包含第一反射层在黑矩阵上的正投影。

在一些示例性实施例中，第一显示区域的彩膜基板还包括设置于第一反射层朝向黑矩阵一侧的第二透明保护层，第二透明保护层在黑矩阵上的正投影包含第一反射层在黑矩阵上的正投影。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示面板。

本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，其特征在于，制备方法包括：

形成多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的显示侧为阵列基板远离彩膜基板一侧，第二显示区域的显示侧为彩膜基板远离阵列基板的一侧，第一显示区域的彩膜基板包括第一反射层和设置于第一反射层远离阵列基板一侧的黑矩阵，第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内。

本发明实施例提供一种显示面板及其制备方案、显示装置，包括多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的显示侧为阵列基板远离彩膜基板的一侧，第二显示区域的显示侧为彩膜基板远离阵列基板的一侧，通过在第一显示区域的彩膜基板的第一反射层远离阵列基板一侧设置黑矩阵，且第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内，黑矩阵可以吸收彩膜基板远离阵列基板一侧的入射光，保证了显示面板的色彩纯度和对比度，提升了第二显示区域的显示效果。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为双面反射式显示面板的工作原理图；

图2为本发明示例性实施例一种显示面板的结构图；

图3为本发明示例性实施例一种显示面板的平面图；

图4为本发明示例性实施例另一种显示面板结构图；

图5为本发明示例性实施例显示面板第二显示区域的光路图；

图6为本发明示例性实施例形成黑矩阵后的结构示意图；

图7a为本发明示例性实施例形成一种第一反射层后的结构示意图；

图7b为本发明示例性实施例形成另一种第一反射层后的结构示意图；

图8为本发明示例性实施例形成彩膜单元后的结构示意图；

图9为本发明示例性实施例一种彩膜基板的结构示意图；

图10为本发明示例性实施例形成第一连接过孔后的结构示意图；

图11为本发明示例性实施例形成第一透明电极后的结构示意图；

图12为本发明示例性实施例形成第二反射层后的结构示意图；

图13为本发明示例性实施例一种阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本申请不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本申请的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

在本说明书中，A的正投影包含B的正投影包括B的正投影的边界位于A的正投影边界内，和B的正投影的边界与A的正投影边界重合。

图1为双面反射式显示面板的工作原理图。如图1所示，显示面板1包括对盒设置的彩膜基板100和阵列基板200，以及设置于彩膜基板100和阵列基板200之间的液晶300，彩膜基板100包括第一反射层101，阵列基板200包括第二反射层201，环境光作为反射光源，第一反射层101反射透过阵列基板200的偏振光，在阵列基板200远离彩膜基板100一侧显示画面，第二反射层201反射透过彩膜基板100的偏振光，在彩膜基板100远离阵列基板200一侧显示画面，因此显示面板1为反射式显示面板，显示面板1可以实现双面显示，显示面板1可以为TN显示模式，其中，在阵列基板200远离彩膜基板100一侧显示画面可以称为反面显示，在彩膜基板100远离阵列基板200一侧显示画面可以称为正面显示。在实际应用中，正面显示存在色度不纯和对比度较差的问题，显示效果不理想。经本申请发明人研究发现，由于第一反射层101远离阵列基板200的一侧也会反射环境光，在正面显示过程中，正面的出射光不仅包括第二反射层201反射并用于显示的显示光，还包括第一反射层101远离阵列基板200一侧反射环境光产生的杂散光，杂散光和显示光混合，造成正面显示的色度不纯，对比度降低，进而引起显示不良。

为此，本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方案、显示装置。显示面板包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，显示面板包括多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的显示侧为阵列基板远离彩膜基板一侧，第二显示区域的显示侧为彩膜基板远离阵列基板的一侧，第一显示区域的彩膜基板包括第一反射层和设置于第一反射层远离阵列基板一侧的黑矩阵，第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内。

本发明实施例提供一种显示面板及其制备方案、显示装置，包括多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的显示侧为阵列基板远离彩膜基板的一侧，第二显示区域的显示侧为彩膜基板远离阵列基板的一侧，通过在第一显示区域的彩膜基板的第一反射层远离阵列基板一侧设置黑矩阵，且第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内，黑矩阵可以吸收彩膜基板远离阵列基板一侧的入射光，保证了显示面板的色彩纯度和对比度，提升了第二显示区域的显示效果。

下面结合附图示例性说明本发明实施例技术方案。

图2为本发明示例性实施例一种显示面板的结构图。在一些示例性实施例中，如图2所示，显示面板1包括对盒设置的阵列基板200和彩膜基板100和设置于阵列基板200和彩膜基板100之间的液晶300。显示面板1包括多个像素单元，多个像素单元实现画面显示。多个像素单元中至少一个包括第一显示区域11和第二显示区域12，第一显示区域11的显示侧为阵列基板200远离彩膜基板100一侧，第二显示区域12的显示侧为彩膜基板100远离阵列基板200一侧，进而显示面板1实现双面显示。第一显示区域11的彩膜基板100包括第一反射层101和设置于第一反射层101远离阵列基板200一侧的黑矩阵102，第一显示区域11可以采用环境光作为反射光源，环境光经第一反射层101反射后，在阵列基板200远离彩膜基板100一侧出射，实现反射式显示模式，其中，第一反射层101在阵列基板200上的正投影位于黑矩阵102在阵列基板200上的正投影的范围内。

本发明示例性实施例提供了一种显示面板1，包括多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域11和第二显示区域12，第一显示区域11的显示侧为阵列基板200远离彩膜基板100的一侧，第二显示区域12的显示侧为彩膜基板100远离阵列基板200的一侧，显示面板1可以实现双面显示，第一显示区域11的显示可以称为反面显示，第二显示区域12的显示可以称为正面显示，第一显示区域11的彩膜基板100包括第一反射层101，第一显示区域11采用环境光作为反射光进行显示，为了避免第一反射层101反射自彩膜基板100远离阵列基板200一侧入射的偏振光，影响第一显示区域11的显示效果，第一显示区域11的彩膜基板100在第一反射层101远离阵列基板200一侧还设置有黑矩阵102，第一反射层101在阵列基板200上的正投影位于黑矩阵102在阵列基板200上的正投影的范围内，黑矩阵102可以吸收彩膜基板100远离阵列基板200一侧的入射光，保证第二显示区域12的显示效果，提升显示面板1的显示质量。

在一些示例性实施例中，如图2所示，黑矩阵102限定多个像素开口103，像素开口103位于第二显示区域12，第二显示区域12的光线经像素开口103出射，第一反射层101邻近像素开口103的一侧与像素开口103的边缘齐平。

在一些示例性实施例中，如图2所示，彩膜基板100还包括覆盖像素开口103和第一反射层101的彩膜单元104，也就是说，彩膜单元104位于第一显示区域11和第二显示区域12。这样，彩膜单元104可以为红色彩膜单元、蓝色彩膜单元和绿色彩膜单元中一种，包括红色彩膜单元的像素单元、包括蓝色彩膜单元的像素单元和包括绿色彩膜单元的像素单元构成RGB像素单元，由于彩膜单元104覆盖覆盖像素开口103和第一反射层101，显示面板1的双面均可以实现全彩显示。

在一些示例性实施例中，如图2所示，第二显示区域12的阵列基板200包括第二反射层201，第二反射层201在第一反射层101所在平面的正投影邻近第一反射层101的一侧和第一反射层101邻近第二反射层201的一侧对齐或者交叠，这样防止了显示面板1双面漏光。

图3为本发明示例性实施例一种显示面板的平面图，图3仅为示意第一显示区域11和第二显示区域12的排布方向，因此省略了显示面板的部分结构。在一些示例性实施例中，如图3所示，显示面板1包括沿第一方向X间隔设置的多条数据信号线202和沿第二方向Y间隔设置的多条扫描信号线203，多条数据信号线202和多条扫描信号线203交叉限定多个像素单元，第一方向X和第二方向Y相交，第一显示区域11和第二显示区域12沿着第一方向X排列。在一示例中，在第一方向X上，第二反射层201在第一反射层101所在平面的正投影和第一反射层101的交叠的宽度为2微米到4微米。

在一些示例性实施例中，如图2所示，像素单元的彩膜基板100还包括设置于第一反射层101远离黑矩阵102一侧的公共电极105，像素单元的阵列基板200还包括像素电极204，第一显示区域11和第二显示区域12位于像素电极204在公共电极105所在平面的正投影和公共电极105的交叠区域内。像素电极204和公共电极105之间形成电场，控制液晶300的偏转，实现偏振光的偏振方向调节。公共电极105和像素电极204为透明电极。

在一些示例性实施例中，如图2所示，像素单元的彩膜基板100还包括覆盖彩膜单元104和黑矩阵102的第一平坦层106，公共电极105设置于第一平坦层106远离黑矩阵102一侧。像素单元的彩膜基板100还包括第一基底107，第一基底107设置于黑矩阵102远离第一反射层101一侧。

在一些示例性实施例中，如图2所示，像素电极204包括叠设的第一透明电极205和第二透明电极206，第二反射层201设置于第一透明电极205和第二透明电极206之间，第二透明电极206在彩膜基板100上的正投影包含第一透明电极205在彩膜基板100上的正投影，第二反射层201在彩膜基板100上的正投影位于第二透明电极206在彩膜基板100上正投影的范围内。像素单元的阵列基板200还包括薄膜晶体管和设置于薄膜晶体管朝向彩膜基板100一侧的第二平坦层214，薄膜晶体管包括栅极215、与栅极215对应的有源层207、与有源层207一端连接的第一极208和与有源层207另一端连接的第二极209，第一透明电极205邻近薄膜晶体管，并通过设置于第二平坦层上并暴露第二极209的第一连接过孔与第二极209连接。在一示例中，像素单元的阵列基板200主体结构可以包括第二基底210、设置于第二基底210上的缓冲层211、设置于缓冲层211远离第二基底210一侧的有源层207、覆盖有源层207的第一绝缘层212、设置于第一绝缘层212远离有源层207一侧的栅金属层、设置于栅金属层远离有源层207一侧的第二绝缘层213、设置于第二绝缘层213远离栅金属层一侧的源漏金属层、设置于源漏金属层远离第二绝缘层213一侧的第二平坦层214，像素电极204和第二反射层201设置于第二平坦层214远离源漏金属层一侧。栅金属层包括栅极215和与栅极215对应连接的扫描信号线，栅极215与有源层207的位置对应，此处的位置对应可以理解为，栅极215在第二基底210上的正投影与有源层207在第二基底210上的正投影至少部分重叠。源漏金属层包括第一极208、第二极209和数据信号线，第二绝缘层213上设置有暴露有源层207的有源过孔，第一极208和第二极209通过有源过孔与有源层207连接，第一极208可以为源电极，与数据信号线连接，第二极209可以为漏电极。第二平坦层214设置有暴露第二极209的第一连接过孔，第一透明电极205通过第一连接过孔与第二极209连接。在另一示例中，第一透明电极205上设置有暴露第二极209的第二连接过孔，第二连接过孔在第二基底210上的正投影位于第一连接过孔在第二基底210上的正投影的范围内，即第二连接过孔位于第一连接过孔内，第二反射层201通过第二连接过孔与第二极209连接。第二反射层201一般采用金属，第一透明电极、第二透明电极一般采用金属氧化物，金属的导电性强于金属氧化物，第二反射层201直接与第二极209连接，可以降低压降，保证像素电压信号的稳定性。第二透明电极206也可以防止第二反射层201被氧化。在本示例中，栅极215设置于有源层207靠近第一极208和第二极209的一侧，即薄膜晶体管为顶栅型结构，在其它示例中，薄膜晶体管也可以为底栅结构，在此不做限定。

在上述实施例中，第一平坦层106和第二平坦层214均可以称为平坦层，第一和第二是为了便于描述以及区分位置。

在一些示例性实施例中，如图2所示，栅金属层还包括环形的第一电容电极217，和源漏金属层还包括环形的第二电容电极218，第一电容电极217和第二电容电极218位置对应，第一电容电极217和第二电容电极218构成存储电容，显示面板包括显示区域和非显示区域，栅金属层还包括设置于非显示区域的公共连接电极216，公共连接电极216通过导电金球400与公共电极105连接，为公共电极105提供公共电压信号。第一电容电极217与公共信号电极216连接，第二电容电极218与第二极209连接。第一显示区域11和第二显示区域12位于第一电容电极217和第二电容电极218围成的区域内。也就是说，像素单元的阵列基板200还包括环形的第一电容电极217和环形第二电容电极218，第一电容电极217和第二电容电极218位置对应构成存储电容，第一电容电极217与栅极215同层设置，第二电容电极218与第二极209同层设置，第一显示区域11和第二显示区域12位于第一电容电极217和第二电容电极218围成的区域内。

在一些示例性实施例中，第二反射层201在第二基底210上的正投影覆盖有源层207在第二基底210上的正投影，可以防止外界光对薄膜晶体管的影响，保证薄膜晶体管的工作稳定性。

图4为本发明示例性实施例另一种显示面板结构图。在一些示例性实施例中，第一反射层可以采用金属，例如银(Ag)或铝(AL)，可以为一层、多层或者复合层结构。在一示例中，如图4所示，第一显示区域11的彩膜基板100还包括设置于第一反射层101远离黑矩阵102一侧的第一透明保护层108，第一透明保护层108在黑矩阵102上的正投影包含第一反射层101在黑矩阵102上的正投影。第一透明保护层108可以防止第一反射层101被氧化。第一透明保护层108远离第一反射层101的表面可以为粗糙面，进而可以防止炫目。在另一示例中，第一显示区域11的彩膜基板100还包括设置于第一反射层101朝向黑矩阵102一侧的第二透明保护层109，第二透明保护层109在黑矩阵102上的正投影包含第一反射层101在黑矩阵102上的正投影，第二透明保护层109可以防止第一反射层101被氧化。第一透明保护层108和第二透明保护层109的材料可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SixNy)和氧化铝(Al₂O₃)中的一种或多种，也可以采用透明导电材料，例如掺铟氧化锡(ITO)或掺铝氧化锌(AZO)等。

在一些示例性实施例中，第二反射层可以采用金属，例如银(Ag)或铝(AL)，可以为一层、多层或者复合层结构。

图5为本发明示例性实施例显示面板第二显示区域的光路图。在一些示例性实施例中，显示面板在显示过程中，彩膜基板远离阵列基板一侧和阵列基板远离彩膜基板一侧均需要设置偏光片。以设置于彩膜基板远离阵列基板一侧的偏光片为例，如图5所示，偏光片沿着靠近彩膜基板的方向依次包括偏光膜(聚乙烯醇膜，PVA)401、散光膜402、1/2波片403和1/4波片404。以第二显示区域的光路图为例，环境光经过偏光膜401后变成第一线性偏振光，第一线性偏振光经散射膜402匀光后入射到1/2波片103，经过1/2波片403后形成第二线偏振光，第二线偏振光与第一线偏振光的偏振方向垂直，第二线偏振光经1/4波片404后，偏振方向再次改变，形成左旋椭圆偏振光，经过液晶300和第二反射层201反射后，左旋椭圆偏振光转化成右旋椭圆偏振光，然后依次经过1/4波片404、1/2波片403、散光片402和偏光膜401后，以线性偏振光的方式出射，实现画面显示。

下面通过显示面板的制备过程进行示例性说明。在制备过程中，所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成。

显示面板的制备过程可以包括彩膜基板的制备过程、阵列基板的制备过程和对盒过程，彩膜基板的制备过程和阵列基板的制备过程不分先后，可以同步进行。

一、在一些示例性实施例中，彩膜基板的制备过程可以包括：

(1)形成黑矩阵图案。形成黑矩阵图案包括：在第一基底107上涂覆黑矩阵102薄膜，经掩膜、曝光和显影后，如图6所示，形成黑矩阵102图案。黑矩阵102限定多个像素开口103，像素开口103位于第二显示区域12。图6为本发明示例性实施例形成黑矩阵后的结构示意图。

(2)形成第一反射层图案。形成第一反射层图案包括：在形成前述图案的第一基底107上，沉积第一金属薄膜，经过图案化工艺，如图7a所示，形成第一反射层101图案。第一反射层101位于第一显示区域11，第一反射层101在第一基底107上的正投影位于黑矩阵102在第一基底107上正投影的范围内，第一反射层101邻近像素开口103的一侧与像素开口103的边缘齐平。图7a为本发明示例性实施例形成一种第一反射层后的结构示意图。

在另一示例性实施例中，形成第一反射层图案包括：在形成前述图案的第一基底107上，依次沉积第一透明薄膜、第一金属薄膜和第二透明薄膜，经过图案化工艺，如图7b所示，形成第一反射层101图案。第一反射层101位于第一显示区域11，第一反射层101在第一基底107上的正投影位于黑矩阵102在第一基底107上正投影的范围内，第一反射层101邻近像素开口103的一侧与像素开口103的边缘齐平，第一反射层101远离黑矩阵102一侧形成第一透明保护层108，第一反射层101朝向黑矩阵102一侧形成第二透明保护层109。图7b为本发明示例性实施例形成另一种第一反射层后的结构示意图。

下文以图7a所示结构继续说明彩膜基板的制备过程。

(3)形成彩膜单元图案。形成彩膜单元图案包括：在形成前述图案的第一基底107上涂覆彩膜薄膜，经掩膜、曝光和显影后，如图8所示，形成彩膜单元104图案。彩膜单元104位于第一显示区域11和第二显示区域12，彩膜单元104覆盖第一反射层101和像素开口103。图8为本发明示例性实施例形成彩膜单元后的结构示意图。

(4)形成公共电极图案。形成公共电极图案包括：在形成前述图案的第一基底107上涂覆第一平坦薄膜，固化后，如图9所示，形成第一平坦层106，在第一平坦层106上沉积第一透明导电薄膜，经图案化工艺后，形成公共电极105图案。公共电极105位于第一显示区域11和第二显示区域12。

(5)形成隔垫柱110图案。形成隔垫柱110图案包括：在形成前述图案的第一基底107上，涂覆隔垫薄膜，经掩膜、曝光和显影后，如图9所示，形成隔垫柱110图案。隔垫柱110包括多个，可以均布于公共电极105和第一平坦层106上。

图9为本发明示例性实施例一种彩膜基板的结构示意图。如图9所示，通过上述步骤(1)-(5)完成了彩膜基板100的制备，制备的彩膜基板100包括：

第一基底107；

设置于第一基底107上的黑矩阵102，黑矩阵102上设置有多个像素开口，像素开口位于第二显示区域12；

设置于黑矩阵102远离第一基底107一侧的第一反射层101和彩膜单元104，第一反射层101位于第一显示区域11，第一反射层101在第一基底107上的正投影位于黑矩阵102在第一基底107上正投影的范围内，第一反射层101邻近像素开口103的一侧与像素开口103的边缘齐平，彩膜单元104位于第一显示区域11和第二显示区域12，彩膜单元104覆盖第二反射层201和像素开口；

覆盖前述结构的第一平坦层106；

设置于第一平坦层106远离黑矩阵102一侧的公共电极105，公共电极105位于第一显示区域11和第二显示区域12；

设置于公共电极105和第一平坦层106远离黑矩阵102一侧的多个隔垫柱110。

二、在一些示例性实施例中，阵列基板的制备过程可以包括：

(1)形成有源层图案。形成有源层图案包括：在第二基底210上依次沉积缓冲薄膜和有源薄膜，经过图案化工艺后，如图10所示，形成有源层207图案，缓冲薄膜形成缓冲层211。

(2)形成栅金属图案。栅金属图案包括：在形成前述图案的第二基底210上，沉积第一绝缘薄膜和第二金属薄膜，经过图案化工艺，如图10所示，形成栅金属图案。栅金属图案包括栅极215、与栅极215对应连接的扫描信号线和环形的第一电容电极217以及公共连接电极216，栅极215与有源层207位置对应，阵列基板200包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，公共连接电极216位于非显示区域，第一电容电极217与公共连接电极216连接。

(3)形成有源过孔图案。形成有源过孔图案包括：在形成前述图案的第二基底210上，沉积第二绝缘薄膜，经过图案化工艺后，如图10所示，形成有源过孔图案，第二绝缘薄膜形成第二绝缘层213。有源过孔内的第一绝缘层212和第二绝缘层213被刻蚀掉，暴露出有源层207相对的两端。经过本次图案化后，非显示区域的公共连接电极216上的第二绝缘薄膜至少部分被刻蚀掉，暴露出公共连接电极216。

(4)形成源漏金属图案。形成源漏金属图案包括：在形成前述图案的第二基底210上，沉积第三金属薄膜，经过图案化工艺后，如图10所示，形成源漏金属图案，源漏金属图案包括第一极208、第二极209和数据信号线以及第二电容电极218，第一极208与数据信号线连接，第一极208和第二极209通过有源过孔与有源层207连接，第二极209与第二电容电极218连接，第二电容电极218和第一电容电极217位置对应，构成存储电容，第一显示区域11和第二显示区域12位于第一电容电极217和第二电容电极218围成的区域内。经过本次图案化后，非显示区域的公共连接电极216上的第三金属薄膜至少部分被刻蚀掉，暴露出公共连接电极216。

(5)形成第一连接过孔图案。形成第一连接过孔图案包括：在形成前述图案的第二基底210上，涂覆第二平坦薄膜，通过掩膜、曝光和显影后，如图10所示，形成第一连接过孔k1图案。第一连接过孔k1内的第二平坦薄膜被显影掉，暴露出第二极209。第二平坦薄膜形成第二平坦层214。经过本次图案化后，非显示区域的公共连接电极216上的第二平坦薄膜至少部分被刻蚀掉，暴露出公共连接电极216。图10为本发明示例性实施例形成第一连接过孔后的结构示意图。

(6)形成第一透明电极图案。形成第一透明电极图案包括：在形成前述图案的第二基底210上，沉积第二透明导电薄膜，经过图案化工艺后，如图11所示，形成第一透明电极205图案。第一透明电极205通过第一连接过孔与第二极209连接，第一透明电极205覆盖第一连接过孔的侧壁，第一透明电极205还设置有暴露第二极209的第二连接过孔k2，第二连接过孔k2在第二基底210上的正投影位于第一连接过孔在第二基底210上正投影的范围内，第一透明电极205位于第一显示区域11和第二显示区域12。经过本次图案化后，非显示区域的公共连接电极216上的第二透明导电薄膜至少部分被刻蚀掉，暴露出公共连接电极216。图11为本发明示例性实施例形成第一透明电极后的结构示意图。

(7)形成第二反射层图案。形成第二反射层图案包括：在形成前述图案的第二基底210上，沉积第四金属薄膜，经过图案化工艺后，如图12所示，形成第二反射层201图案。第二反射层201覆盖第二显示区域12，第二反射层201通过第二连接过孔与第二极209连接，第二反射层201在第二基底210上的正投影位于第一透明电极205在第二基底210上正投影的边缘内侧。经过本次图案化后，非显示区域的公共连接电极216上的第四金属薄膜至少部分被刻蚀掉，暴露出公共连接电极216。图12为本发明示例性实施例形成第二反射层后的结构示意图。

(8)形成第二透明电极图案。形成第二透明电极图案包括：在形成前述图案的第二基底210上，沉积第三透明导电薄膜，经过图案化工艺后，如图13所示，形成第二透明电极206图案。第二透明电极206位于第一显示区域11和第二显示区域12，第二透明电极206在第二基底210上的正投影包含第一透明电极205在第二基底210上的正投影。经过本次图案化后，非显示区域的公共连接电极216上的第三透明导电薄膜至少部分被刻蚀掉，暴露出公共连接电极216。

图13为本发明示例性实施例一种阵列基板的结构示意图。如图13所示，通过上述制备过程(1)-(8)完成阵列基板200的制备，制备完成的阵列基板200包括：

第二基底210；

设置于第二基底210上的缓冲层211；

设置于缓冲层211远离第二基底210一侧的有源层207；

设置于有源层207远离缓冲层211一侧的第一绝缘层212；

设置于第一绝缘层212远离有源层207一侧的栅金属层，栅金属层包括栅极215、与栅极215连接的扫描信号线、环形的第一电容电极217以及公共连接电极216，公共连接电极216位于非显示区域，第一电容电极217与公共连接电极216；

设置于栅金属层远离第一绝缘层212一侧的第二绝缘层213，第二绝缘层213上设置有暴露有源层207的有源过孔；

设置于第二绝缘层213远离栅金属层一侧的源漏金属层，源漏金属层包括第一极208、第二极209和数据信号线以及环形的第二电容电极218，数据信号线与第一极208连接，第一极208和第二极209通过有源过孔与有源层207连接，第二电容电极218与第二极209连接，第二电容电极218和第一电容电极217位置对应，构成存储电容，第一显示区域11和第二显示区域12位于第一电容电极217和第二电容电极218围成的区域内；

设置于源漏金属层远离第二绝缘层213一侧的第二平坦层214，第二平坦层214上设置有暴露第二极209的第一连接过孔；

设置于第二平坦层214远离源漏金属层一侧的第一透明电极205，第一透明电极205通过第一连接过孔与第二极209连接，第一透明电极205覆盖第一连接过孔的侧壁，第一透明电极205还设置有暴露第二极209的第二连接过孔，第二连接过孔在第二基底210上的正投影位于第一连接过孔在第二基底210上正投影的范围内，第一透明电极205位于第一显示区域11和第二显示区域12；

设置于第一透明电极205远离第二平坦层214一侧的第二反射层201，第二反射层201通过第二连接过孔与第二极209连接，第二反射层201在第二基底210上的正投影位于第一透明电极205在第二基底210上正投影的边缘内侧，第二反射层201覆盖第二显示区域12；

设置于第二反射层201远离第一透明电极205一侧的第二透明电极206，第二透明电极206位于第一显示区域11和第二显示区域12，第二透明电极206在第二基底210上的正投影包含第一透明电极205在第二基底210上的正投影。

三、对盒阵列基板和彩膜基板

在阵列基板200的显示区域滴涂液晶300分子，在彩膜基板100的非显示区域涂覆封框胶，在公共连接电极216位置涂覆含有导电金球400的导电胶；彩膜基板100与阵列基板200进行对位；在真空条件下进行压合和封框胶固化，如图2所示，完成显示面板1制备。对盒后的彩膜基板100和整列基板，第二反射层201在第一反射层101所在平面的正投影邻近第一反射层101的一侧和第一反射层101邻近第二反射层201的一侧对齐或者交叠。

在一些示例性实施例中，缓冲层211、第一绝缘层212和第二绝缘层213可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层212称为栅绝缘(GI)层，第二绝缘层213称为钝化(PVX)层。第一金属薄膜和第四金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)或铝(Al)。第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层207可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即阵列基板200适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。第一透明导电薄膜、第二透明导电薄膜和第三透明导电薄膜可以采用金属氧化物，如掺铟氧化锡(ITO)和掺铝氧化锌(AZO)中的任意一种或多种。第一平坦薄膜和第二平坦薄膜可以无机材料，例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，也可以采用有机材料，例如光刻胶。

通过本发明示例性实施例显示面板1的制备过程可以看出，第一显示区域11的彩膜基板100上设置有第一反射层101，第二显示区域12的阵列基板200上设置有第二反射层201，第一反射层101反射的环境光可以在阵列基板200远离彩膜基板100的一侧形成显示画面，第二反射层201反射的环境光可以在彩膜基板100远离阵列基板200的一侧形成显示画面，也就是说显示面板1实现双面显示。此外，将第一反射层101设置于黑矩阵102上，黑矩阵102可以防止第一反射层101反射彩膜基板100远离阵列基板200一侧的环境光，进而可以保证第二显示区域12的色纯度，提升显示对比度，改善显示效果。

在一些示例性实施例中，现有技术中，实现双面显示的方法一般采用两块显示面板1，相比于现有技术，本发明示例性实施例采用一块显示面板1既可以实现双面显示，进而极大的减轻产品的重量和降低产品成本。

本发明示例性实施例还提供了一种显示面板的制备方法，显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，制备方法包括：

形成多个像素单元，多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的显示侧为阵列基板远离彩膜基板一侧，第二显示区域的显示侧为彩膜基板远离阵列基板的一侧，第一显示区域的彩膜基板包括第一反射层和设置于第一反射层远离阵列基板一侧的黑矩阵，第一反射层在阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板上的正投影的范围内。

本发明示例性实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示面板。显示装置包括但不局限于手机、电子广告牌、公交站牌和电子价签中的一种或多种。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (14)

1.一种显示面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述显示面板包括多个像素单元，所述多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域的显示侧为所述阵列基板远离所述彩膜基板一侧，所述第二显示区域的显示侧为所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧，所述第一显示区域的彩膜基板包括第一反射层和设置于所述第一反射层远离所述阵列基板一侧的黑矩阵，所述第一反射层在所述阵列基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述阵列基板上的正投影的范围内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述黑矩阵限定多个像素开口，所述像素开口位于所述第二显示区域，所述第一反射层邻近所述像素开口的一侧与所述像素开口的边缘齐平。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述彩膜基板还包括覆盖所述像素开口和所述第一反射层的彩膜单元。

4.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板，其特征在于：所述第二显示区域的阵列基板包括第二反射层，所述第二反射层在所述第一反射层所在平面的正投影邻近所述第一反射层的一侧和所述第一反射层邻近所述第二反射层的一侧对齐或者交叠。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板还包括沿第一方向间隔设置的多条数据信号线和沿第二方向间隔设置的多条扫描信号线，所述多条数据信号线和所述多条扫描信号线交叉限定所述多个像素单元，所述第一方向和所述第二方向相交，所述第一显示区域和所述第二显示区域沿着所述第一方向排列，在所述第一方向上，所述第二反射层在所述第一反射层所在平面的正投影和所述第一反射层的交叠的宽度为2微米到4微米。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于：所述像素单元的彩膜基板还包括设置于所述第一反射层远离所述黑矩阵一侧的公共电极，所述像素单元的阵列基板还包括像素电极，所述第一显示区域和所述第二显示区域位于所述像素电极在所述公共电极所在平面的正投影和所述公共电极的交叠区域内。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于：所述像素电极包括叠设的第一透明电极和第二透明电极，所述第二反射层设置于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间，所述第二透明电极在所述彩膜基板上的正投影包含所述第一透明电极在所述彩膜基板上的正投影，所述第二反射层在所述彩膜基板上的正投影位于所述第二透明电极在所述彩膜基板上正投影的范围内。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于：所述像素单元的阵列基板还包括薄膜晶体管和设置于所述薄膜晶体管朝向所述彩膜基板一侧的平坦层，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极位置对应的有源层、与所述有源层一端连接的第一极和与所述有源层另一端连接的第二极，所述第一透明电极邻近所述薄膜晶体管，并通过设置于所述平坦层上并暴露所述第二极的第一连接过孔与所述第二极连接。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于：所述第一透明电极上设置有暴露所述第二极的第二连接过孔，所述第二连接过孔位于所述第一连接过孔内，所述第二反射层通过所述第二连接过孔与所述第二极连接。

10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于：所述像素单元的阵列基板还包括环形的第一电容电极和环形的第二电容电极，所述第一电容电极和所述第二电容电极位置对应，并构成存储电容，所述第一电容电极与所述栅极同层设置，所述第二电容电极与所述第二极同层设置，所述第一显示区域和所述第二显示区域位于所述第一电容电极和所述第二电容电极围成的区域内。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述第一显示区域的彩膜基板还包括设置于所述第一反射层远离所述黑矩阵一侧的第一透明保护层，所述第一透明保护层在所述黑矩阵上的正投影包含所述第一反射层在所述黑矩阵上的正投影。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述第一显示区域的彩膜基板还包括设置于所述第一反射层朝向所述黑矩阵一侧的第二透明保护层，所述第二透明保护层在所述黑矩阵上的正投影包含所述第一反射层在所述黑矩阵上的正投影。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的显示面板。

14.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，其特征在于，所述制备方法包括：

形成多个像素单元，所述多个像素单元中至少一个包括第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域的显示侧为所述阵列基板远离所述彩膜基板一侧，所述第二显示区域的显示侧为所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧，所述第一显示区域的彩膜基板包括第一反射层和设置于所述第一反射层远离所述阵列基板一侧的黑矩阵，所述第一反射层在所述阵列基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述阵列基板上的正投影的范围内。

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