CN112573833A - 对型材的表面进行处理的方法 - Google Patents
对型材的表面进行处理的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112573833A CN112573833A CN201910934944.9A CN201910934944A CN112573833A CN 112573833 A CN112573833 A CN 112573833A CN 201910934944 A CN201910934944 A CN 201910934944A CN 112573833 A CN112573833 A CN 112573833A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- treatment
- preset area
- profile
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Abstract
本发明提供了对型材的表面进行处理的方法。该型材的表面包括至少两个预定区域,所述方法包括:对所述预定区域进行冷却处理;逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。该方法操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产,且由于在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理之前,先对所述预定区域进行了冷却处理,故在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理时,先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢,其与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应程度的差异变小,从而使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证。
Description
技术领域
本发明涉及材料加工技术领域,具体地,涉及对型材的表面进行处理的方法。
背景技术
目前,采用喷淋蚀刻处理的方式对型材的表面进行处理的方法,存在经过喷淋蚀刻处理以后型材表面的均匀性、一致性不好的问题。
因而,现有的对型材的表面进行处理的方法仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人的以下发现而完成的:
发明人对于目前采用的喷淋蚀刻处理方式进行了深入研究后发现,由于在进行喷淋蚀刻处理的过程中,通常是将型材放置在传送带上传送至喷淋蚀刻液的区域的,因此型材表面上的不同区域会先后与蚀刻液接触。为了防止型材的脱落和偏位,传送带的传送速度不能过快,因而型材表面先接触蚀刻液的部分发生蚀刻反应的时间较长,型材表面后接触蚀刻液的部分发生蚀刻反应的时间较短,从而导致在整个型材表面出现了不一致的蚀刻效果,先接触蚀刻液的部分被蚀刻的程度较高,后接触蚀刻液的部分被蚀刻的程度较低,因而导致目前对型材表面进行蚀刻处理的方法会导致型材表面具有蚀刻均匀性、一致性较差的问题;另外,在目前对型材的表面进行处理的方法中,进行蚀刻处理后直接对型材的表面进行抛光处理,而抛光处理会使得型材严重减薄,从而如果前面的蚀刻过程中出现不良,没有办法进行返工蚀刻。也就是说,发明人经过研究后发现,在进行抛光处理前,应当先对蚀刻后的产品进行检查,以筛选出发生不良蚀刻的产品。
基于此,本发明的一个目的在于提出一种操作简单、方便、容易实现、易于工业化生产、在逐个对型材表面的预定区域进行喷淋蚀刻处理时先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢、其与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应程度的差异变小、或者可使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证的对型材的表面进行处理的方法。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种对型材的表面进行处理的方法。根据本发明的实施例,所述表面包括至少两个预定区域,该方法包括:对所述预定区域进行冷却处理;逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。发明人发现,该方法操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产,且在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理时,先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢,此时后接触蚀刻液的预定区域尚未与蚀刻液接触。在此之后,后接触蚀刻液的预定区域也与蚀刻液发生接触,此时先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域同时发生蚀刻。那么,由于在进行蚀刻处理之前,先对所述预定区域进行了冷却处理,减缓了只有先接触蚀刻液的预定区域接触蚀刻液而后接触蚀刻液的预定区域未接触蚀刻液时,发生蚀刻反应的反应速率,从而使得先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应的程度尽可能相同,进而使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证。
附图说明
图1显示了本发明一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。
图2显示了本发明另一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。
图3显示了本发明又一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。
图4显示了本发明再一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。
图5显示了本发明再一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。
图6显示了本发明一个实施例的型材表面的结构示意图。
附图标记:
10:型材 100:第一预定区域 200:第二预定区域
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种对型材的表面进行处理的方法。根据本发明的实施例,所述表面包括至少两个预定区域,参照图1,该方法包括:
S100:对所述预定区域进行冷却处理。
根据本发明的实施例,所述冷却处理的具体方式不受特别限制。在本发明的一些实施例中,所述冷却处理的具体方式可以为使用冷却液体对所述预定区域进行第一喷淋处理。由此,操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
在本发明的一些实施例中,所述冷却液体的种类不受特别限制,具体可以是去离子水,或者其他对于后续处理的步骤没有影响的液体。由此,材料来源广泛、易得,且成本较低。
根据本发明的实施例,所述冷却液体的温度可以为2℃~20℃,优选地,所述冷却液体的温度可以为5℃~10℃。在本发明的一些实施例中,所述冷却液体的温度可以是5℃、6℃、7℃、8℃、9℃或者10℃等。由此,冷却液体的温度合适,可以较好地对对所述预定区域进行冷却处理,冷却液体的温度既不会过高而导致对预定区域冷却的效果较差,也不会过低而导致后续蚀刻反应的速率较慢,工艺效率较低。
根据本发明的实施例,所述第一喷淋处理的时间可以为5s~120s,优选地,所述第一喷淋处理的时间可以为10s~20s。在本发明的一些实施例中,所述第一喷淋处理的时间可以为10s、12s、14s、16s、18s或者20s等。由此,第一喷淋处理的时间比较合适,可以较好地对所述预定区域进行冷却处理,第一喷淋处理的时间既不会过长而导致后续蚀刻反应的速率较慢,工艺效率较低,也不会过短而导致对预定区域冷却的效果较差。
根据本发明的实施例,所述型材的材质可以为玻璃。由此,该材质的所述型材特别适合使用本发明所述的方法对其进行表面处理。
在本发明的一些实施例中,所述型材可以用于制作电子设备的后壳,本领域技术人员可以理解,所述电子设备可以是手机、游戏机、平板电脑或者汽车电子显示屏等,在此不再过多赘述。
由此,在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理时,先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢,此时后接触蚀刻液的预定区域尚未与蚀刻液接触。在此之后,后接触蚀刻液的预定区域也与蚀刻液发生接触,此时先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域同时发生蚀刻。那么,由于在进行蚀刻处理之前,先对所述预定区域进行了冷却处理,减缓了只有先接触蚀刻液的预定区域接触蚀刻液而后接触蚀刻液的预定区域未接触蚀刻液时,发生蚀刻反应的反应速率,从而使得先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应的程度尽可能相同,进而使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证。
S200:逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。
根据本发明的实施例,所述喷淋蚀刻处理是在28℃~35℃下,使用蚀刻液对所述预定区域持续进行喷淋处理1min~5min,具体地,所述喷淋处理的可以是在33℃下,使用蚀刻液对所述预定区域持续进行喷淋处理1min,由此,所述温度和时间均较为合适,所述温度既不会过高而导致蚀刻液中的氟化氢大量溢出从而产生污染,也不会过低而导致反应速率过慢,增长蚀刻时间,浪费产能;所述时间同样也既不会过高而导致蚀刻程度过高,也不会过低而导致蚀刻不完全,产品良率低。
根据本发明的实施例,所述蚀刻液为含有蒙砂粉的溶液。在本发明的一些实施例中,含有蒙砂粉的溶液中蒙砂粉与水的质量比可以是(3~7):2,具体地,可以是3:2、4:2、5:2、6:2或者7:2等。在本发明的一些实施例中,蒙砂粉的粗糙度可以是0.1μm~0.2μm,具体可以是0.1μm、0.15μm或者0.2μm等。另外,蒙砂粉可以包括40重量份~50重量份的柠檬酸、40重量份~50重量份的氟化氢铵、1重量份~3重量份的硫酸钡、5重量份~10重量份的氟硅酸铵以及1重量份~5重量份的缓冲剂,所述缓冲剂可以具体为氟硅酸铵、六氟硅酸铵等。由此,可以使得对所述型材的蚀刻效果较好,该蚀刻液特别适合应用于蚀刻玻璃,且成本较低。
在本发明的另一些实施例中,参照图2,在对所述预定区域进行所述冷却处理之前,还包括:
S300:去除预定区域的风化层。
根据本发明的实施例,去除所述预定区域的风化层的具体方式不受特别限制,在本发明的一些实施例中,去除所述预定区域的风化层可以具体为使用预蚀刻液对所述预定区域进行第二喷淋处理。由此,操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
根据本发明的实施例,所述第二喷淋处理的温度可以为20℃~30℃。具体地,在本发明的一些实施例中,所述第二喷淋处理的温度可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃或者30℃等。由此,可以使得第二喷淋处理的效果较佳,同时所述第二喷淋处理的温度既不会过高而导致挥发较快,浪费产能,也不会过低而导致反应速率过慢,时间过长,生产效率低。
根据本发明的实施例,所述第二喷淋处理的时间为5s~10s,具体地,所述第二喷淋处理的时间为5s、6s、7s、8s、9s或者10s等。由此,第二喷淋处理的效果较佳,时间既不会过短而导致无法完全去除所述风化层,也不会过长而导致对预定区域产生破坏。
根据本发明的实施例,当所述型材为玻璃时,所述预蚀刻液可以为体积百分含量为1%~3%的氢氟酸溶液。在本发明的一些实施例中,所述预蚀刻液可以为体积百分含量为1%的氢氟酸溶液、2%的氢氟酸溶液、3%的氢氟酸溶液等。优选的,所述预蚀刻液为体积百分含量为2%的氢氟酸溶液。由此,预蚀刻液的浓度适中,可以较好地去除预定区域的风化层,预蚀刻液的浓度既不会过短而导致无法完全去除所述风化层,也不会过长而对预定区域产生破坏。
在本发明的又一些实施例中,参照图3,在对所述预定区域进行所述喷淋蚀刻处理之后,还包括:
S400:去除所述喷淋蚀刻处理时在所述预定区域内形成的钝化层。
根据本发明的实施例,去除所述喷淋蚀刻处理时在所述预定区域内形成的钝化层的具体方式不受特别限制,在本发明的一些实施例中,去除钝化层的具体方式可以为使用后蚀刻液对所述预定区域进行第三喷淋处理。由此,操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
根据本发明的实施例,所述第三喷淋处理的温度为18℃~30℃。具体地,在本发明的一些实施例中,所述第三喷淋处理的温度可以是18℃、20℃、22℃、24℃、25℃、26℃、28℃或者30℃等。由此,可以使得第三喷淋处理的效果较佳,同时所述第三喷淋处理的温度既不会过高而导致挥发较快,浪费产能,也不会过低而导致反应速率过慢,时间过长,生产效率低。
根据本发明的实施例,所述第三喷淋处理的时间为5s~10s,具体地,所述第三喷淋处理的时间为5s、6s、7s、8s、9s或者10s等。由此,第三喷淋处理的效果较佳,时间既不会过短而导致无法完全去除所述风化层,也不会过长而导致对预定区域产生破坏。
根据本发明的实施例,当所述型材为玻璃时,所述预蚀刻液可以为体积百分含量为1%~3%的氢氟酸溶液。在本发明的一些实施例中,所述预蚀刻液可以为体积百分含量为1%的氢氟酸溶液、2%的氢氟酸溶液、3%的氢氟酸溶液等。优选的,所述预蚀刻液为体积百分含量为2%的氢氟酸溶液。由此,预蚀刻液的浓度适中,可以较好地去除预定区域的风化层,预蚀刻液的浓度既不会过短而导致无法完全去除所述风化层,也不会过长而对预定区域产生破坏。
在本发明的再一些实施例中,参照图4,在去除所述钝化层之后,还包括:
S500:对所述预定区域进行抛光处理。
根据本发明的实施例,具体地,对所述预定区域进行抛光处理的具体方式可以为化学抛光处理。由此,可以使得蚀刻以后的产品降低到理想的雾度。
在本发明的再一些实施例中,参照图5,在去除所述钝化层之后,对所述预定区域进行所述抛光处理之前,还包括:
S600:对所述预定区域进行干燥处理。
根据本发明的实施例,发明人对于对型材的表面进行处理的方法进行了大量深入的考察和实验验证后发现,在对所述预定区域进行所述抛光处理之前,先对所述预定区域进行干燥处理,可以去除前面步骤中对型材的预定区域进行处理时对其表面的影响,从而可以使得用目视法即可轻易检查区分处前述蚀刻过程中产生不良的产品,以便能够实现将前述蚀刻得到的不良品进行返工蚀刻处理,而将良品直接进行后面的抛光处理的步骤,进而避免了将不良品进行抛光处理后导致的型材严重减薄,无法返工蚀刻,造成浪费。
根据本发明的实施例,具体地,所述干燥处理的方式可以是热风刀干燥处理。由此,可以更好地使得可以用目视法即可轻易检查区分处前述蚀刻过程中产生不良的产品,以便进一步实现将前述蚀刻得到的不良品进行返工蚀刻处理,而将良品直接进行后面的抛光处理的步骤,进而避免了将不良品进行抛光处理后导致的型材严重减薄,无法返工蚀刻,造成浪费。
根据本发明的实施例,本领域技术人员可以理解,在本发明所述的方法中,去除风化层之前、进行冷却处理之前,去除所述钝化层之前,以及进行干燥处理之前,还可以包括对所述型材的表面进行清洗处理的步骤,具体地,例如可以是采用去离子水进行喷淋处理,喷淋处理的时间可以是10s~20s,在本发明的一些实施例中,喷淋处理的时间可以是10s、12s、14s、16s、18s或者20s等。由此,利于前面所述各步骤的进行,且操作简单、方便,易于产业化。
下面详细描述本发明的实施例。
实施例1
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为7℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为10s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果如下:
第一预定区域100的雾度为99.1%,透过率为92.9%,粗糙度为0.250μm;
第二预定区域200的雾度为98.2%,透过率为93.8%,粗糙度为0.249μm。
上述型材的表面的各参数的一致性较好。
实施例2
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为5℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为10s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。
采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果与实施例1类似,上述型材的表面的各参数的一致性较好。
实施例3
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为10℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为10s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。
采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果与实施例1类似,上述型材的表面的各参数的一致性较好。
实施例4
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为7℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为15s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。
采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果与实施例1类似,上述型材的表面的各参数的一致性较好。
实施例5
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为7℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为20s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。
采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果与实施例1类似,上述型材的表面的各参数的一致性较好。
实施例6
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为10℃~18℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为10s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。
使用上述步骤共处理3256个型材,采用目视法观察经过上述步骤处理过的型材的表面,出现雨点状蚀刻不均的型材数量为40个;出现水滴状蚀刻不均的型材数量为32个;出现白点的型材数量为38个。
实施例7
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为2℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为5s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果较好,但工艺效率较低。
实施例8
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为2℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为10s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果较好,但工艺效率较低。
实施例9
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为2℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为20s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果较好,但工艺效率较低。
实施例10
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为2℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为50s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果较好,但工艺效率较低。
实施例11
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为2℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为100s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果较好,但工艺效率较低。
实施例12
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为2℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为120s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果较好,但工艺效率较低。
实施例13
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为15℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为5s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果劣于实施例1~6,但优于对比例1。
实施例14
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为15℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为50s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果劣于实施例1~6,但优于对比例1。
实施例15
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为15℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为120s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果劣于实施例1~6,但优于对比例1。
实施例16
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)使用温度为20℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为120s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(4)先后对所述型材10的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果劣于实施例1~6,但优于对比例1。
对比例1
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层。
(2)使用温度为25℃的去离子水对型材10(材质为玻璃)表面的第一预定区域100和第二预定区域200进行第一喷淋处理,所述第一喷淋处理的时间为10s;
(3)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min。
采用粗糙度仪、雾度透过率仪对经过上述步骤处理的第一预定区域100和第二预定区域200的雾度、透过率以及粗糙度进行测试,测试结果如下:
第一预定区域100的雾度为101.0%,透过率为91.1%,粗糙度为0.246μm;
第二预定区域200的雾度为95.0%,透过率为94.0%,粗糙度为0.252μm。
上述型材出现了表面不均匀的情况,且第二预定区域200由于第一预定区域100在进行喷淋处理时,含有蒙砂粉的溶液发生飞溅,导致第二预定区域200内出现了较多的雨点状的蚀刻不良。
对比例2
(1)参照图6,去除型材10表面的第一预定区域100和第二预定区域200的风化层;
(2)在33℃下,使用含有蒙砂粉的溶液先后对经过第一喷淋处理的第一预定区域100和第二预定区域200进行喷淋处理,所述喷淋处理的时间共1min;
(3)先后对所述型材10(材质为玻璃)的表面进行清洗处理,干燥处理和抛光处理。
使用上述步骤共处理3819个型材,采用目视法观察经过上述步骤处理过的型材的表面,出现雨点状蚀刻不均的型材数量为265个;出现水滴状蚀刻不均的型材数量为200个;出现白点的型材数量为397个。
在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种对型材的表面进行处理的方法,所述表面包括至少两个预定区域,其特征在于,包括:
对所述预定区域进行冷却处理;
逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述冷却处理为使用冷却液体对所述预定区域进行第一喷淋处理。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述冷却液体的温度为2℃~20℃。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一喷淋处理的时间为5s~120s。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对所述预定区域进行所述冷却处理之前,还包括:
去除所述预定区域的风化层,
任选地,去除所述预定区域的风化层为使用预蚀刻液对所述预定区域进行第二喷淋处理,
任选地,所述第二喷淋处理的温度为20℃~30℃,
任选地,所述第二喷淋处理的时间为5s~10s,
任选地,所述预蚀刻液为体积百分含量为1%~3%的氢氟酸溶液,优选为体积百分含量为2%的氢氟酸溶液。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对所述预定区域进行所述喷淋蚀刻处理之后,还包括:
去除所述喷淋蚀刻处理时在所述预定区域内形成的钝化层,
任选地,去除所述喷淋蚀刻处理时在所述预定区域内形成的钝化层为使用后蚀刻液对所述预定区域进行第三喷淋处理,
任选地,所述第三喷淋处理的温度为18℃~30℃,
任选地,所述第三喷淋处理的时间为5s~10s,
任选地,所述后蚀刻液为体积百分含量为1%~3%的氢氟酸溶液,优选为体积为百分含量2%的氢氟酸溶液。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述喷淋蚀刻处理是在28℃~35℃下,使用蚀刻液对所述预定区域持续进行喷淋处理1min~5min,
任选地,所述蚀刻液为含有蒙砂粉的溶液。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在去除所述钝化层之后,还包括:
对所述预定区域进行抛光处理。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在去除所述钝化层之后,对所述预定区域进行所述抛光处理之前,还包括:
对所述预定区域进行干燥处理。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述型材的材质为玻璃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910934944.9A CN112573833B (zh) | 2019-09-29 | 2019-09-29 | 对型材的表面进行处理的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910934944.9A CN112573833B (zh) | 2019-09-29 | 2019-09-29 | 对型材的表面进行处理的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112573833A true CN112573833A (zh) | 2021-03-30 |
CN112573833B CN112573833B (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=75110760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910934944.9A Active CN112573833B (zh) | 2019-09-29 | 2019-09-29 | 对型材的表面进行处理的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112573833B (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1713359A (zh) * | 2004-06-22 | 2005-12-28 | 茂德科技股份有限公司 | 蚀刻系统及其蚀刻液处理方法 |
US20070029519A1 (en) * | 2001-08-24 | 2007-02-08 | Hirohisa Kikuyama | Surface treating solution for fine processing of glass base plate having a plurality of components |
CN103693855A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 杜邦公司 | 蚀刻切割玻璃基材的方法 |
CN103880295A (zh) * | 2014-02-26 | 2014-06-25 | 江西沃格光电股份有限公司 | 玻璃减薄设备及玻璃减薄方法 |
CN106277814A (zh) * | 2016-07-28 | 2017-01-04 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种熔石英光学元件表面的处理方法 |
CN108975718A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 三星显示有限公司 | 玻璃蚀刻装置和玻璃蚀刻方法 |
-
2019
- 2019-09-29 CN CN201910934944.9A patent/CN112573833B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070029519A1 (en) * | 2001-08-24 | 2007-02-08 | Hirohisa Kikuyama | Surface treating solution for fine processing of glass base plate having a plurality of components |
CN1713359A (zh) * | 2004-06-22 | 2005-12-28 | 茂德科技股份有限公司 | 蚀刻系统及其蚀刻液处理方法 |
CN103693855A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 杜邦公司 | 蚀刻切割玻璃基材的方法 |
CN103880295A (zh) * | 2014-02-26 | 2014-06-25 | 江西沃格光电股份有限公司 | 玻璃减薄设备及玻璃减薄方法 |
CN106277814A (zh) * | 2016-07-28 | 2017-01-04 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种熔石英光学元件表面的处理方法 |
CN108975718A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 三星显示有限公司 | 玻璃蚀刻装置和玻璃蚀刻方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112573833B (zh) | 2022-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080063840A1 (en) | Silicon-on Insulator Substrate and Method for manufacturing the Same | |
KR101264448B1 (ko) | 실리콘 전극 어셈블리 에칭 레이트 및 에칭 균일도 복원을위한 방법 | |
US9896371B2 (en) | Tempered glass cutting method and cutting apparatus | |
CN102017069A (zh) | 单晶硅晶片、单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法 | |
US20060144822A1 (en) | Apparatus and method for wet-etching | |
CN112573833B (zh) | 对型材的表面进行处理的方法 | |
US20020034881A1 (en) | Process for etching silicon wafers | |
JP3523239B2 (ja) | ガラス基板の化学加工方法及びガラス基板 | |
KR100473705B1 (ko) | 샌드 블라스트 처리된 표면을 가지는 석영 유리 제품과상기 제품을 청정하는 방법 | |
KR100558164B1 (ko) | 질화물 제거용 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의질화막 제거방법 | |
Shu et al. | SSD evolution model in HF etching of fused silica optics | |
US20060027535A1 (en) | Method and equipment for manufacturing liquid crystal display device | |
CN112062476A (zh) | 垂直式玻璃防炫目处理系统及处理工艺 | |
KR102597824B1 (ko) | 디스플레이용 유리 기판 및 그의 제조 방법 | |
JP2009137788A (ja) | フラットパネルディスプレイ用のガラス基板 | |
KR20190027636A (ko) | 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법 | |
JP2007180485A (ja) | 半導体基板の品質評価方法、半導体基板の製造方法 | |
CN101526555B (zh) | 一种制探针的方法 | |
JPH0888221A (ja) | 石英上のリンを含有するシリコン酸化膜の除去方法 | |
CN114985365B (zh) | 多晶硅样芯清洗分析方法以及系统 | |
TW201901146A (zh) | 玻璃板、玻璃板的端面檢查方法以及玻璃板的製造方法 | |
JP2004002205A (ja) | ガラス基板の化学加工方法 | |
JP2004099437A (ja) | ガラス基板の化学加工方法及び化学加工装置 | |
Byun et al. | 59.4: A novel route for thinning of LCD glass substrates | |
JPS59107532A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |