CN112570385A - Pcb的无炭黑式激光铣边工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及PCB加工技术领域，公开了一种PCB的无炭黑式激光铣边工艺，包括如下步骤：S1、在PCB的上表面和下表面贴上保护膜；S2、对PCB进行激光铣边；S3、采用物理除胶的方式去除截面上残留的炭黑；S4、去除PCB上表面和下表面的保护膜。本工艺在激光铣边的过程中，可以避免PCB的上表面和下表面产生炭黑，激光铣边结束后，采用物理除胶的方法及时将截面上残留的炭黑去除，去除炭黑的过程中可以避免PCB的上表面和下表面受到影响，去除截面的炭黑之后，再去除PCB上表面和下表面的保护膜，从而可以加工得到整体均无炭黑的PCB，避免影响PCB的整体性能，并使得PCB的整体外观较为整洁美观。

Description

PCB的无炭黑式激光铣边工艺
技术领域
本发明涉及PCB加工技术领域，具体涉及一种PCB的无炭黑式激光铣边工艺。
背景技术
随着电子技术的飞速发展，电子产品的组装密度、产品性能以及多功能化受到越来越高的要求，因此对PCB的性能要求也越来越高，在加工PCB时，需要对PCB进行激光铣边处理。激光铣边的原理是在瞬间高温的热作用下，材料被熔化或焦化，从而实现PCB外形加工。但是在瞬间高温的热作用下，PCB激光铣边产生的截面以及PCB靠近激光铣边截面的上表面和下表面都会产生炭黑，在激光铣边的过程中，这些炭黑会沉积在PCB的激光铣边的截面以及PCB的上表面和下表面，容易使得PCB的耐电压性能降低，影响PCB的性能，PCB的外表也不美观，若是采用传统的方法去除PCB的上表面、下表面以及截面上的炭黑，由于PCB的上表面和下表面沉积的炭黑较多，去除较为复杂困难，还容易破坏PCB的上表面和下表面的结构。
发明内容
针对现有技术存在的上述技术问题，本发明提供一种PCB的无炭黑式激光铣边工艺，对PCB进行激光铣边处理时，能避免PCB的上表面和下表面产生炭黑，并能去除激光铣边的截面残留的炭黑。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种PCB的无炭黑式激光铣边工艺，包括如下步骤：
S1、在PCB的上表面和下表面贴上保护膜，并使保护膜无间隙地贴合于PCB的上表面和下表面；
S2、对PCB进行激光铣边，激光铣边后的PCB产生截面；
S3、采用物理除胶的方式去除截面上残留的炭黑；
S4、去除PCB上表面和下表面的保护膜。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，步骤S3具体包括如下步骤：
S31、提供具有反应腔的等离子清洗机，并将PCB放入反应腔内；
S32、在反应腔内充入O2和N2，排尽反应腔内的空气，并将反应腔内的温度加热至70℃，将电极功率调节至3500～4500W；
S33、在反应腔内充入CF4，将反应腔内的温度加热至70～130℃，并将电极功率调节至3500～4500W；
S34、在反应腔内充入O2，排尽步骤S33中反应腔内的气体，并将反应腔内的温度加热至70～130℃，将电极功率调节至2500～3500W；
S35、关闭等离子清洗机的电源，等待反应腔冷却后，取出PCB。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，在步骤S32中，O2的体积分数为80％，N2的体积分数为20％。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，在步骤S32中，反应时间为3～10min。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，在步骤S33中，O2的体积分数为80％，N2的体积分数为10％，CF4的体积分数为10％。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，在步骤S33中，反应时间为20～30min。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，在步骤S34中，O2的体积分数为100％。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，在步骤S34中，反应时间为3～5min。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，保护膜为干膜、蓝胶或PE膜。
上述的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，保护膜通过热压工艺贴合在PCB的上表面和下表面。
本发明的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，至少具有如下有益效果：本工艺先在PCB的上表面和下表面贴上保护膜，在激光铣边的过程中，可以避免PCB的上表面和下表面产生炭黑，激光铣边结束后，采用物理除胶的方法及时将截面上残留的炭黑去除，去除炭黑的过程中，PCB的上表面和下表面被保护膜覆盖，从而可以避免PCB的上表面和下表面受到影响，去除截面的炭黑之后，再去除PCB上表面和下表面的保护膜，从而可以加工得到整体均无炭黑的PCB，避免影响PCB的整体性能，并使得PCB的整体外观较为整洁美观。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步地说明，其中：
图1为本发明的PCB的无炭黑式激光铣边工艺的流程图；
图2为本发明实施例中未进行激光铣边的PCB的结构示意图；
图3为本发明实施例中激光铣边之后，但还未去除截面炭黑的PCB的结构示意图；
图4为本发明实施例中去除截面炭黑之后的PCB的结构示意图；
图5为本发明实施例中去除保护膜之后的PCB的结构示意图。
附图中：100PCB、110截面、200保护膜、300炭黑。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，参照图1至图5，本发明的实施例提供了一种PCB的无炭黑式激光铣边工艺，包括如下步骤：
步骤S1：在PCB100的上表面和下表面贴上保护膜200，并使保护膜200无间隙地贴合于PCB100的上表面和下表面。
参照图2，此时PCB100还未进行激光铣边处理，在步骤S1中，先在PCB100的上表面和下表面贴上保护膜200，可以避免在激光铣边的过程中，PCB100的上表面和下表面产生炭黑300，保护膜200无间隙地贴合在PCB100的上表面和下表面，可以进一步增加保护效果。具体地，保护膜200可以是干膜、蓝胶或者PE膜，当然也可以是其它材料的保护膜200，只要能有效保护PCB100的上表面和下表面即可，优选地，可以选用蓝胶作为保护膜200，贴合之后，可以保证保护膜200的边沿不起皮和不脱落，在去除保护膜200时，可以一次性剥离干净，不会影响PCB100的上表面和下表面。具体地，保护膜200可以通过热压或者手工贴附的方式贴合在PCB100的上表面和下表面，优选地，可以采用自动化热压的方式，将保护膜200贴附在PCB100的上表面和下表面，可以有效保证保护膜200无间隙地贴合PCB100的上表面和下表面。
步骤S2：对PCB100进行激光铣边，激光铣边后的PCB100产生截面110。
参照图3，对PCB100进行激光铣边之后，PCB100的上表面和下表面均无炭黑300，但是激光铣边之后PCB100产生的截面110上残留有不少的炭黑300，在一定程度上影响着PCB100的性能，并影响着PCB100的外观。
步骤S3：采用物理除胶的方式去除截面110上残留的炭黑300，包括如下步骤：
步骤S31、提供具有反应腔的等离子清洗机，并将PCB100放入反应腔内；
步骤S32、在反应腔内充入O2和N2，排尽反应腔内的空气，并将反应腔内的温度加热至70℃，将电极功率调节至3500～4500W，其中，O2的体积分数为80％，N2的体积分数为20％，反应时间为3～10min；
在此过程中，反应腔内的空气被排尽，反应时间经过3～10min后，反应腔内充满O2和N2，反应腔内的温度逐渐上升至70℃，达到工作的预定值，在高温和电场的作用下，反应腔内的O2形成高活性的等离子状态，以便于冲击咬蚀PCB100的截面110上残留的炭黑300。优选地，O2的体积分数为80％，N2的体积分数为20％，在保证有足够多的等离子体冲击咬蚀PCB100的截面110的同时，等离子状态的氮可以提高PCB100的材料的硬度和耐磨性，防止PCB100的截面110受到损坏。
步骤S33、在反应腔内充入CF4，将反应腔内的温度加热至70～130℃，并将电极功率调节至3500～4500W，O2的体积分数为80％，N2的体积分数为10％，CF4的体积分数为10％，反应时间为20～30min；
在此过程中，可以将反应腔内的混合气体逐渐升温，提高等离子状态的氧的运动速率，能有效冲击PCB100截面110上的炭黑300，同时，充入的CF4可以加快咬蚀速度，以便于快速地咬蚀PCB100截面110的炭黑300。
步骤S34、在反应腔内充入O2，排尽步骤S33中反应腔内的气体，并将反应腔内的温度加热至70～130℃，将电极功率调节至2500～3500W，O2的体积分数为100％，反应时间为3～5min；
在此过程中，PCB100截面110上的炭黑300已被咬蚀脱落，在反应腔内充满O2，在排尽反应腔内原有气体的同时，可以将咬蚀后的炭黑300粒子排尽，以免炭黑300粒子沾附在PCB100的截面110。
步骤S35、关闭等离子清洗机的电源，等待反应腔冷却后，取出PCB100；
去除PCB100截面110上的炭黑300之后的PCB100的结构如图4所示，此时截面110上的炭黑300已被除尽，PCB100的整体外观较为美观，在去除截面110炭黑300的过程中，保护膜200可以有效保护PCB100的上表面和下表面，避免PCB100的上表面和下表面受到影响。
步骤S4、去除PCB100上表面和下表面的保护膜200。
参照图5，此时的PCB100的整体均没有炭黑300，达到了无炭黑式激光铣边的效果，保证了PCB100的性能，并使得PCB100的整体外观较为整洁美观。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (10)

1.一种PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在PCB(100)的上表面和下表面贴上保护膜(200)，并使保护膜(200)无间隙地贴合于PCB(100)的上表面和下表面；
S2、对PCB(100)进行激光铣边，激光铣边后的PCB(100)产生截面(110)；
S3、采用物理除胶的方式去除截面(110)上残留的炭黑(300)；
S4、去除PCB(100)上表面和下表面的保护膜(200)。
2.根据权利要求1的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，步骤S3具体包括如下步骤：
S31、提供具有反应腔的等离子清洗机，并将PCB(100)放入反应腔内；
S32、在反应腔内充入O2和N2，排尽反应腔内的空气，并将反应腔内的温度加热至70℃，将电极功率调节至3500～4500W；
S33、在反应腔内充入CF4，将反应腔内的温度加热至70～130℃，并将电极功率调节至3500～4500W；
S34、在反应腔内充入O2，排尽步骤S33中反应腔内的气体，并将反应腔内的温度加热至70～130℃，将电极功率调节至2500～3500W；
S35、关闭等离子清洗机的电源，等待反应腔冷却后，取出PCB(100)。
3.根据权利要求2的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，在步骤S32中，O2的体积分数为80％，N2的体积分数为20％。
4.根据权利要求2或3的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，在步骤S32中，反应时间为3～10min。
5.根据权利要求2的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，在步骤S33中，O2的体积分数为80％，N2的体积分数为10％，CF4的体积分数为10％。
6.根据权利要求2或5的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，在步骤S33中，反应时间为20～30min。
7.根据权利要求2的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，在步骤S34中，O2的体积分数为100％。
8.根据权利要求2或7的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，在步骤S34中，反应时间为3～5min。
9.根据权利要求1或2的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，保护膜(200)为干膜、蓝胶或PE膜。
10.根据权利要求1或2的PCB的无炭黑式激光铣边工艺，其特征在于，保护膜(200)通过热压工艺贴合在PCB(100)的上表面和下表面。
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