CN112563044A - 一种基于纳米多孔独立电极制备方法 - Google Patents
一种基于纳米多孔独立电极制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112563044A CN112563044A CN202011403357.6A CN202011403357A CN112563044A CN 112563044 A CN112563044 A CN 112563044A CN 202011403357 A CN202011403357 A CN 202011403357A CN 112563044 A CN112563044 A CN 112563044A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- smelting
- putting
- metal
- ingot
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 4
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N copper;oxido(oxo)iron Chemical compound [Cu+2].[O-][Fe]=O.[O-][Fe]=O DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010277 constant-current charging Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
- H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/46—Metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/66—Current collectors
- H01G11/68—Current collectors characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/66—Current collectors
- H01G11/70—Current collectors characterised by their structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于纳米多孔独立电极制备方法,包括以下步骤:(1)将摩尔比为8:9:3或2:2:1,且纯度在99.99%以上的Al、Cu和Fe的金属颗粒分别放在稀Hcl溶液中进行酸洗;(2)熔炼之前将金属Ti锭放在一个水冷铜坩埚中,Al、Cu和Fe的颗粒混合物放入另外一个坩埚中,首先熔炼放有金属Ti锭的坩埚,然后开始对金属颗粒进行磁搅拌真空熔炼;(3)采用线切割将合金锭切割成块状,清除表面油渍,干燥;(4)将干燥后的合金块放入70℃恒温Hcl腐蚀液中,化学脱合金12 h;(5)清洗,干燥。本发明提供的制备方法,增加了离子和电子的快速传质过程,加速了响应动力学,弥补了金属氧化物导电性差的缺陷。极大程度上增加了电极材料的面积比电容,具有比较好的可控性。
Description
技术领域
本发明涉及一种脱合金策略制备无粘结剂独立电极的方法,具体是一种双金属氧化物电极的制备方法,属于超级电容器电极材料领域。
背景技术
当今储能领域对兼具高能量与高功率密度的储能设备的需求日益增长,推动了以电容器为代表的新兴储能系统的发展。目前制约超级电容器的发展依然是其能量密度低,制备过程复杂和循环稳定性差的缺陷。因此,亟需研制一种具有能量密度高,结构易于调控,结构稳定,循环寿命长的新型电极材料。
过渡金属氧化物由于具有较高的理论比电容,一直被认为是具有前途的电极材料。Fe和Cu具有丰度高、成本低、环境友好等一系列优点一直是研究的热点材料。导电良好的Cu有利于提高过渡金属氧化物的导电性。此外,混合的过渡金属氧化物具有很强的协同效应,极大程度的增加电极材料的比电容,被认为是一种具有广阔的应用前景的超级电容器电极材料。但需要注意的是,制备这些材料的方法往往涉及高温、精细控制和对整个操作条件苛刻等难点,而且,由于过渡金属氧化物体积变化大、电导率低,其容量衰减速度快,循环稳定性差,进一步阻碍了其实际应用。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题,本发明的目的是提出一种基于纳米多孔独立电极制备方法,以改善电极材料的导电性,制备工艺,优化成本,使得电极材料的形貌得以精确调控,同时,提高电极材料的循环稳定性,并简化制作流程,提高制备效率。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种基于纳米多孔独立电极制备方法,包括以下步骤:
一种纳米多孔独立电极制备方法,包括以下步骤:
(1)将摩尔比为8:9:3或2:2:1,且纯度在99.99%以上的Al、Cu和Fe的金属颗粒分别放在稀Hcl溶液中进行超声波酸洗,以去除金属颗粒表面的氧化层,接着放在真空干燥箱中进行干燥,去除金属颗粒表面的氧化层;
(2)熔炼之前将金属Ti锭放在一个水冷铜坩埚中,Al、Cu和Fe的颗粒混合物放入另外一个坩埚中,对周围环境进行抽真空处理,接着通入氩气作保护气体,对两个坩埚分别熔炼,熔炼前,炉腔内的真空度为5×10-3 Pa,充入高纯氩气时压强为0.3 atm,电磁搅拌电流为18 A,引弧电流为80 A,增加电流的增量为50 A,最高熔炼电流为450 A,熔炼次数为4次;首先熔炼放有金属Ti锭的坩埚,以彻底清除炉膛内的残余氧气,金属Ti锭熔炼两次,然后开始对三种金属的颗粒原料进行磁搅拌真空熔炼,合金锭重复熔炼4次,以保证合金成分的均匀性,制成成分均匀的金属合金锭;
(3)采用线切割将金属合金锭切割成1×1×1 cm3的块状,再清除表面的油渍,然后进行干燥,制备合金块;
(4)将干燥后的合金块放入70 ℃恒温Hcl腐蚀液中,化学脱合金12 h;
(5)化学脱合金之后的合金块用无水乙醇和去离子水交替进行清洗,并且在真空干燥箱中干燥,即可制备纳米多孔独立电极。
优选的,步骤(1)中,酸洗过程选用稀Hcl溶液的浓度为0.001 M L-1,超声时间为30 min,然后进行真空干燥。
优选的,步骤(4)中合金块的Hcl腐蚀液的浓度为0.5 M L-1,腐蚀时间为12 h。
优选的,所有真空干燥步骤中条件均为:真空度为-10 Mpa,温度为70 ℃,干燥时间为12 h。
和现有的技术相比,本发明提供的无粘结剂独立电极的制备方法,是通过一系列的凝固腐蚀氧化处理制备金属铜铁氧化物独立电极。铜铁氧化物电极作为一种选择性腐蚀形成多孔结构的电极材料,本身可以作为独立的集流体,无需任何粘结剂的添加,极大程度上减少了由粘结剂和集流体之间的粘结而导致的内阻,有利于电解液的浸润和扩散,增加了离子和电子的快速传质过程,加速了响应动力学,弥补了金属氧化物导电性差的缺陷。同时,多孔结构提供了丰富有效的氧化还原反应活性位点,极大程度上增加了电极材料的面积比电容。最重要的是通过控制合金成分、腐蚀参数和热处理条件可以调控电极材料的微观结构,具有比较好的可控性。
附图说明
图1是铜铁氧化物独立电极扫描电镜图,其中(a)为Al:Cu:Fe比例为8:9:3的SEM图,(b)为2:2:1比例为40:40:20的SEM图;
图2是实施步骤(3)所得到的铜铁氧化物电化学性能测试图。
具体实施方式
具体实施下面结合例对本发明作进一步详细说明。
实施例1
一种纳米多孔独立电极制备方法,包括以下步骤:
(1)将摩尔比为8:9:3且纯度在99.99%以上的Al、Cu和Fe的金属颗粒分别放在稀Hcl溶液中进行超声波酸洗,以去除金属颗粒表面的氧化层,接着放在真空干燥箱中进行干燥,去除金属颗粒表面的氧化层,为了在酸洗过程中不腐蚀金属颗粒,并且能够有效去除表面的氧化层的情况下,作为优选方案,酸洗过程选用稀Hcl溶液的浓度为0.001 M L-1,超声时间为30 min,然后进行真空干燥,真空干燥步骤中条件为:真空度为-10 Mpa,温度为70℃,干燥时间为12 h,此条件不影响金属颗粒表面发生氧化。
(2)熔炼之前将金属Ti锭放在一个水冷铜坩埚中,Al、Cu和Fe的颗粒混合物放入另外一个坩埚中,对周围环境进行抽真空处理,接着通入氩气作保护气体,对两个坩埚分别熔炼,熔炼前,炉腔内的真空度为5×10-3 Pa,充入高纯氩气时压强为0.3 atm,电磁搅拌电流为18 A,引弧电流为80 A,增加电流的增量为50 A,最高熔炼电流为450 A,熔炼次数为4次;首先熔炼放有金属Ti锭的坩埚,以彻底清除炉膛内的残余氧气,金属Ti锭熔炼两次,然后开始对三种金属的颗粒原料进行磁搅拌真空熔炼,合金锭重复熔炼4次,以保证合金成分的均匀性,制成成分均匀的金属合金锭;
(3)采用线切割将金属合金锭切割成1×1×1 cm3的块状,再清除表面的油渍,然后进行干燥,真空干燥步骤中条件均为:真空度为-10 Mpa,温度为70 ℃,干燥时间为12 h,以制备合金块;
(4)将干燥后的合金块放入70 ℃恒温Hcl腐蚀液中,化学脱合金12 h,为了得到均匀的纳米多孔结构,同时结合合金的成分,Hcl腐蚀液的浓度为0.5 M L-1,腐蚀时间为12h。
(5)化学脱合金之后的合金块用无水乙醇和去离子水交替进行清洗,并且在真空干燥箱中干燥,真空干燥步骤中条件均为:真空度为-10 Mpa,温度为70 ℃,干燥时间为12h,即可制备纳米多孔独立电极。
如图1所示,通过本实例制备得到的金属氧化物独立电极,具有三维多尺度微纳米多孔的形貌结构,该结构具有较好的结构一体性,较大的比表面积等优点,通过扫描电镜可以清楚被证实。
如图2所示,电化学性能测试方法:将制备的金属氧化物多孔独立电极材料直接作为工作电极,以铂片为对电极,以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,在此三电极体系连接在电化学工作站上(上海辰华,CHI660E)测试其电化学性能。电解液为1 M KOH溶液,利用循环伏安法(CV),恒电流充放电(GCD)和电化学阻抗(EIS)技术测试电极的电化学性能,循环稳定性测试在蓝电电池测试系统上进行。
通过上述的电化学性能测试可得,本实施例制备的材料在10 A cm-2时,比电容为1.26F cm-2;循环充放电5000圈,循环效率为94.26%。
实施例2
一种纳米多孔独立电极制备方法,包括以下步骤:
(1)将摩尔比为8:9:3且纯度在99.99%以上的Al、Cu和Fe的金属颗粒分别放在稀Hcl溶液中进行超声波酸洗,以去除金属颗粒表面的氧化层,接着放在真空干燥箱中进行干燥,去除金属颗粒表面的氧化层,为了在酸洗过程中不腐蚀金属颗粒,并且能够有效去除表面的氧化层的情况下,作为优选方案,酸洗过程选用稀Hcl溶液的浓度为0.001 M L-1,超声时间为30 min,然后进行真空干燥,真空干燥步骤中条件为:真空度为-10 Mpa,温度为70℃,干燥时间为12 h,此条件不影响金属颗粒表面发生氧化。
(2)熔炼之前将金属Ti锭放在一个水冷铜坩埚中,Al、Cu和Fe的颗粒混合物放入另外一个坩埚中,对周围环境进行抽真空处理,接着通入氩气作保护气体,对两个坩埚分别熔炼,熔炼前,炉腔内的真空度为5×10-3 Pa,充入高纯氩气时压强为0.3 atm,电磁搅拌电流为18 A,引弧电流为80 A,增加电流的增量为50 A,最高熔炼电流为450 A,熔炼次数为4次;首先熔炼放有金属Ti锭的坩埚,以彻底清除炉膛内的残余氧气,金属Ti锭熔炼两次,然后开始对三种金属的颗粒原料进行磁搅拌真空熔炼,合金锭重复熔炼4次,以保证合金成分的均匀性,制成成分均匀的金属合金锭;
(3)采用线切割将金属合金锭切割成1×1×1 cm3的块状,再清除表面的油渍,然后进行干燥,真空干燥步骤中条件均为:真空度为-10 Mpa,温度为70 ℃,干燥时间为12 h,以制备合金块;
(4)将干燥后的合金块放入70 ℃恒温Hcl腐蚀液中,化学脱合金12 h,为了得到均匀的纳米多孔结构,结合合金的成分,Hcl腐蚀液的浓度为0.5 M L-1,腐蚀时间为12 h;
(5)化学脱合金之后的合金块用无水乙醇和去离子水交替进行清洗,并且在真空干燥箱中干燥,真空干燥步骤中条件均为:真空度为-10 Mpa,温度为70 ℃,干燥时间为12h,即可制备纳米多孔独立电极。
如图1所示,通过本实例制备得到的金属氧化物独立电极,具有三维多尺度微纳米多孔的形貌结构,该结构具有较好的结构一体性,较大的比表面积等优点,通过扫描电镜可以清楚被证实。
如图2所示,电化学性能测试方法:将制备的金属氧化物多孔独立电极材料直接作为工作电极,以铂片为对电极,以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,在此三电极体系连接在电化学工作站上(上海辰华,CHI660E)测试其电化学性能。电解液为1 M KOH溶液,利用循环伏安法(CV),恒电流充放电(GCD)和电化学阻抗(EIS)技术测试电极的电化学性能,循环稳定性测试在蓝电电池测试系统上进行。
通过上述的电化学性能测试可得,本实施例制备的材料在10 A cm-2时,比电容为0.84F cm-2;循环充放电5000圈,循环效率为92.64%。
脱合金法具体是指二元或多元合金在特定的腐蚀条件下,合金中不同组分由于电负性的差别,相对活泼的组分优先溶解,相对惰性的组分在表面张力作用下通过扩散、聚集等方式自组装成一种具有三维多尺度微纳米多孔结构的方法。脱合金策略制备的多尺度微纳米多孔过渡金属氧化物,具有结构可调,高比表面积,丰富的活性位点等优点,双金属元素的协同作用表现出与其他宏观材料不同的物理、化学、力学性能,具有响应速度快、传质效率高的特点;另外,可以作为独立的电极材料使用,避免了粘结剂的添加,减小了内阻,有效的提高了电子的传输速度,增加了材料的导电性。最后,采用脱合金法制备的多尺度微纳米多孔结构可以有效改善重复充放电循环中体积的变化,制备的多孔电极材料具有良好的结构一体性,在储能领域有很高的应用和发展潜力。
Claims (4)
1.一种纳米多孔独立电极制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将摩尔比为8:9:3或2:2:1,且纯度在99.99%以上的Al、Cu和Fe的金属颗粒分别放在稀Hcl溶液中进行超声波酸洗,以去除金属颗粒表面的氧化层,接着放在真空干燥箱中进行干燥,去除金属颗粒表面的氧化层;
(2)熔炼之前将金属Ti锭放在一个水冷铜坩埚中,Al、Cu和Fe的颗粒混合物放入另外一个坩埚中,对周围环境进行抽真空处理,接着通入氩气作保护气体,对两个坩埚分别熔炼,熔炼前,炉腔内的真空度为5×10-3 Pa,充入高纯氩气时压强为0.3 atm,电磁搅拌电流为18A,引弧电流为80 A,增加电流的增量为50 A,最高熔炼电流为450 A,熔炼次数为4次;首先熔炼放有金属Ti锭的坩埚,以彻底清除炉膛内的残余氧气,金属Ti锭熔炼两次,然后开始对三种金属的颗粒原料进行磁搅拌真空熔炼,合金锭重复熔炼4次,以保证合金成分的均匀性,制成成分均匀的金属合金锭;
(3)采用线切割将金属合金锭切割成1×1×1cm3的块状,再清除表面的油渍,然后进行干燥,制备合金块;
(4)将干燥后的合金块放入70℃恒温Hcl腐蚀液中,化学脱合金12 h;
(5)化学脱合金之后的合金块用无水乙醇和去离子水交替进行清洗,并且在真空干燥箱中干燥,即可制备纳米多孔独立电极。
2.根据权利要求1所述的一种纳米多孔独立电极制备方法,其特征在于:步骤(1)中,酸洗过程选用稀Hcl溶液的浓度为0.001 M L-1,超声时间为30 min,然后进行真空干燥。
3.根据权利要求1所述的一种纳米多孔独立电极制备方法,其特征在于:步骤(4)中合金块的Hcl腐蚀液的浓度为0.5 M L-1,腐蚀时间为12h。
4.根据权利要求1所述的一种纳米多孔独立电极制备方法,其特征在于:所有真空干燥步骤中条件均为:真空度为-10 Mpa,温度为70℃,干燥时间为12h。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011403357.6A CN112563044A (zh) | 2020-12-04 | 2020-12-04 | 一种基于纳米多孔独立电极制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011403357.6A CN112563044A (zh) | 2020-12-04 | 2020-12-04 | 一种基于纳米多孔独立电极制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112563044A true CN112563044A (zh) | 2021-03-26 |
Family
ID=75048089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011403357.6A Pending CN112563044A (zh) | 2020-12-04 | 2020-12-04 | 一种基于纳米多孔独立电极制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112563044A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106099086A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-11-09 | 华南理工大学 | 微纳多孔铜锌铝形状记忆合金复合材料及其制备方法与应用 |
CN106935864A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-07-07 | 华南理工大学 | 一种纳米多孔铜锌铝形状记忆合金及其制备方法与应用 |
US20180057912A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Seoul National University R&Db Foundation | Water-leachable alloy-melt-swapping process and porous metal manufactured using the same |
CN108963213A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-12-07 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种锂硫电池正极材料的制备方法 |
CN109607620A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-12 | 北京科技大学 | 一种Cu-Fe-Al-O纳米颗粒材料的制备方法 |
CN110306076A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-08 | 天津大学 | 一种柔性、无裂纹纳米多孔Ag金属材料及其制备方法 |
-
2020
- 2020-12-04 CN CN202011403357.6A patent/CN112563044A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106099086A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-11-09 | 华南理工大学 | 微纳多孔铜锌铝形状记忆合金复合材料及其制备方法与应用 |
US20180057912A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Seoul National University R&Db Foundation | Water-leachable alloy-melt-swapping process and porous metal manufactured using the same |
CN106935864A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-07-07 | 华南理工大学 | 一种纳米多孔铜锌铝形状记忆合金及其制备方法与应用 |
CN108963213A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-12-07 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种锂硫电池正极材料的制备方法 |
CN109607620A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-12 | 北京科技大学 | 一种Cu-Fe-Al-O纳米颗粒材料的制备方法 |
CN110306076A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-08 | 天津大学 | 一种柔性、无裂纹纳米多孔Ag金属材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
LIJIE ZOU等: "Designing Multiscale Porous Metal by Simple Dealloying with 3D Morphological Evolution Mechanism Revealed via X-ray Nano-tomography(Article)", 《ACS APPLIED MATERIALS AND INTERFACES》 * |
LIU, H (LIU, HUAN)等: "High electrochemical performance of nanoporous Fe3O4/CuO/Cu composites synthesized by dealloying Al-Cu-Fe quasicrystal", 《JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS》 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107887587A (zh) | 锂离子电池复合负极材料及其制备方法 | |
CN108511714B (zh) | 一种过渡金属磷化物-碳复合材料及其制备方法和应用 | |
CN109888237B (zh) | 一种钠离子电池负极材料及其制备方法 | |
CN106784752B (zh) | 锂离子电池多孔结构Si/Cu复合电极及其制造方法 | |
CN113054183A (zh) | 一种CoNi双金属有机框架衍生碳硫复合材料的制备方法 | |
CN110391408B (zh) | 一种内嵌锡基氧化物的热解碳电池负极材料及其制备方法 | |
CN109817921A (zh) | 一种硫掺杂MXene负极材料及其制备方法和应用 | |
Lei et al. | CNTs–Cu composite layer enhanced Sn–Cu alloy as high performance anode materials for lithium-ion batteries | |
CN109524622B (zh) | 基于铜锡合金的三维氧化亚铜-纳米多孔铜锂离子电池负极的一步制备法 | |
CN103682343B (zh) | 锡化钴/聚苯胺复合材料及其制备方法和应用 | |
CN108346793A (zh) | 一种具有多孔结构的纳米硅制备方法及应用 | |
CN113161533A (zh) | 一种MOF衍生的ZnO@C复合材料及其应用 | |
Liu et al. | Freestanding 3D nanoporous Cu@ 1D Cu 2 O nanowire heterostructures: From a facile one-step protocol to robust application in Li storage | |
CN116395657A (zh) | 一种锂离子电池正极材料磷酸铁锂/碳的合成方法 | |
CN113659124B (zh) | 一种锗掺杂类硅负极材料及制备方法和应用 | |
CN113782731B (zh) | 一种水系锌二次电池用负极材料及其制备方法 | |
CN107946552A (zh) | 一种用于锂电池的负极活性材料及其制备方法 | |
Zheng et al. | Ti3C2T x-Based Electrodes with Enhanced Pseudocapacitance for High-Performance Lithium-ion Batteries | |
CN112289985A (zh) | 一种C@MgAl2O4复合包覆改性的硅基负极材料及其制备方法 | |
CN116854141A (zh) | 一种水系锌离子电池用氧化亚锰多面体材料及其制备方法 | |
CN112563044A (zh) | 一种基于纳米多孔独立电极制备方法 | |
CN114105145B (zh) | 碳外包覆三维多孔硅负极材料及其制备方法和应用 | |
CN110649243B (zh) | 一种超细磷掺杂多孔硅纳米材料的制备方法及应用 | |
CN114620758A (zh) | 一种氧化铜修饰铁基普鲁士蓝正极材料的制备方法 | |
CN114134382A (zh) | 一种多孔铜锗铝锂电负极材料的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210326 |