CN112540508B - 一种波长转换胶膜材料及其制备方法 - Google Patents

一种波长转换胶膜材料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

一种波长转换胶膜材料及其制备方法，涉及光功能材料。所述波长转换胶膜材料由光敏感聚合物、复合荧光转换材料、包覆基质组成，复合荧光转换材料制备时通过溶剂溶解，高温煅烧后所得粉末均匀分散在光敏感聚合物中。光敏感聚合物为对紫外光敏感的负性光刻胶；复合荧光转换材料为纳米晶发光中心的复合发光材料；包覆基质为二氧化硅多孔分子筛。通过与介孔分子筛混合高温烧结的方式，增强钙钛矿量子点的光、热、水稳定性，且在与负性光刻胶混合后仍具有高的量子产率。具有良好稳定性和紫外/蓝光下转换功能；采用光刻技术制备全彩化色转换层的方式降低工艺成本，有利于实际应用以及商业化；制备方法简单，可大批量制备，适于实际操作和应用。

Description

一种波长转换胶膜材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及光功能材料，尤其是涉及应用于Micro-LED全彩化显示的一种波长转换胶膜材料及其制备方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)显示被认为是下一代显示技术，其性能优于当前使用的显示技术。Micro-LED显示技术将传统的LED设计结构微小化到微米等级，尺寸仅为传统LED的1％。移除了蓝宝石衬底，将这些微小的芯片阵列化，成为可以单一驱动控制的显示像素，实现高亮度，低能耗，高分辨率，超长寿命的显示效果，其耗电量约为LCD的10％、OLED的50％。与同样是自发光显示的OLED相比较，亮度比其高30倍，且分辨率可达1500PPI，比OLED高5倍。虽然Micro-LED显示技术在研究中不断取得突破，但是目前Micro-LED在研究到应用的道路上还面临的主要问题之一全彩化问题亟待解决。Micro-LED全彩化显示有两种技术路线：(1)通过巨量转移将红绿蓝(RGB)Micro-LED芯片组装成阵列，可以实现全彩化显示，由于巨量转移效率低，通量低，制造成本高，巨量转移工艺仍然具有较大困难。(2)采用单色的Micro-LED芯片作成阵列光源，通过量子点(QD)的颜色转换实现全彩化，该量子点仅需要蓝光或紫外芯片一种作为光源，就可以减少巨量转移的难度。
近几年，钙钛矿量子点作为发光材料，制备条件简单，常用制备钙钛矿量子点的方法有热注入法、室温法等。通过调节无机钙钛矿量子点(CsPbX3,X＝Cl,Br,I)中卤素成分，可制备出从蓝光到红光的纳米尺度发光材料。已有文献报道钙钛矿量子点在钙钛矿太阳能电池、白光LED、探测器等方向的应用。实现量子点Micro-LED全彩化显示的一种方式是利用光刻技术，实现低成本、大批量、高精确度的色转换层制造。目前已有硒化镉量子点混合光刻胶实现色转换胶膜的报导。相比CdSe类量子点材料，钙钛矿量子点具有波长范围光，工艺简单，成本低廉的优势，然而，利用光刻胶结合钙钛矿量子点制成复合色转换层材料目前还未见报导，其主要原因是离子结构的钙钛矿量子点极易在光刻胶或是极性溶剂中猝灭，失去发光性能，亦或由于钙钛矿量子点本身稳定性较差、在光刻胶中量子效率低的原因，无法将其应用于光刻技术。
有关具有波长转换功能的胶膜，如本申请人在中国发明专利CN 108034391 A公开将无机钙钛矿量子(CsPbX3,X＝Cl,Br,I)分散到有机溶剂中形成分散液，分散液加入到EVA的二氯甲烷溶液中，再加入交联剂过氧化苯甲酰反应后烘干成膜，压膜得到透射率不小于90％的透明光转换胶膜材料，用于太阳能电池封装领域。中国发明专利CN 105339996 A公开一种具有波长转换层的LED显示器及其制造方法。在每个子像素内安装微型LED阵列，可实现每个子像素对应不同的可调谐的颜色发射光谱从而实现色转换显示。未见使用将无机钙钛矿量子点与光刻胶复合成的光转换功能材料。
发明内容
本发明的目的旨在提供应用于Micro-LED全彩化显示的一种波长转换胶膜材料及其制备方法。
所述波长转换胶膜材料由光敏感聚合物、复合荧光转换材料、包覆基质组成，按质量百分比的含量为光敏感聚合物30％～45％、复合荧光转换材料0.005％～3％，余为包覆基质；所述复合荧光转换材料制备时通过溶剂溶解，高温煅烧后所得粉末均匀分散在所述光敏感聚合物中。
所述光敏感聚合物为对紫外光敏感的负性光刻胶；所述负性光刻胶可选自JR-220、JR-210、SU-8 2005、SU-8 2015、SU-8 2025、SU-8 2035、SU-8 2075等透光负性光刻胶中的一种；所述波长转换胶膜材料中负性光刻胶的含量为30％～45％，优选30％～40％。
所述复合荧光转换材料为纳米晶发光中心的复合发光材料；所述纳米晶发光中心为无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶，所述无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶的粒径小于100nm。所述无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶的化学通式为CsPbX3，X＝Cl,Br,I；所述无机钙钛矿量子点为纳米级尺度且具有荧光下转换功能。所述无机钙钛矿量子点的质量为波长转换胶膜材料质量的0.005％～3％，优选0.02％～3％。
所述包覆基质为二氧化硅多孔分子筛；
所述溶剂选自去离子水、无水乙醇、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)等中的一种；
所述煅烧后所得粉末为二氧化硅包覆的复合荧光转换材料；
所述波长转换胶膜材料的厚度为5～80μm。
一种波长转换胶膜材料的制备方法，包括以下步骤：
1)将包覆基质浸入20mL溶剂为极性溶剂前体盐CsX和PbX2(X＝Cl，Br，I)溶液中，混合后蒸干溶剂，所得混合物再放入高温炉中加热，形成致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末；
2)向所述固体粉末中加入200mL去离子水，得到CsPbBr3-SiO2悬浮液；
3)对所述悬浮液进行超声清洗，随后对悬浮液进行过滤、筛分、蒸干，得到精细CsPbBr3-SiO2固体粉末；
4)在20～40℃条件下，按5mL负性光刻胶混合1g精细CsPbBr3-SiO2固体粉末的比例，以500rpm的速率搅拌20min，使精细CsPbBr3-SiO2固体粉末在光刻胶中均匀分散；
5)取上述负性光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体1mL滴加到玻璃基板上，以1000rpm的速率旋转12s，然后以4000rpm的速率旋转40s，旋涂完后，去除边缘珠粒；
6)将涂有光刻胶-钙钛矿量子点胶体的玻璃基板在热板上烘烤，然后从热板上取下玻璃基板，冷却至室温；
7)使用滤光片消除350nm以下的紫外线，并以250W的功率将含量子点光刻胶曝光10s；
8)曝光后立即进行烘烤，将玻璃基板在95℃的热板上烘烤，然后在热板上缓慢降低至室温；
9)将玻璃基板放置在显影液中显影10min后，再进行超声浴10min；
10)显影后，将样品用新鲜显影液冲洗10s，然后再用异丙醇溶液冲洗10s，最后用氮气吹干样品，形成光刻图案，即得应用于Micro-LED全彩化显示的一种波长转换胶膜材料。
在步骤1)中，所述形成致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末的具体步骤可为：在室温条件下，将多孔分子筛模板按照质量比为2︰1的比例浸入溶剂为极性溶剂前体盐CsX和PbX2(X＝Cl，Br，I)溶液中，充分搅拌使之混合均匀，然后在80℃下蒸干溶剂；将蒸干所得混合物放入高温炉中并加热至600～900℃，在这种高温下，分子筛的密闭孔中形成CsPbBr3纳米晶，同时，分子筛的孔结构逐渐塌陷并包裹了CsPbBr3纳米晶，最终形成了致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末；所述高温炉可采用箱式炉、管式炉、气氛管式炉或气氛箱式炉；所述加热的温度优选800℃；所述极性溶剂包括去离子水、无水乙醇、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中的一种。
在步骤3)中，所述超声清洗的条件可为功率80W，清洗时间20min。
在步骤4)中，所述混合的温度条件可为20～40℃，优选25～30℃。
在步骤6)中，所述烘烤是以95℃的温度烘烤2～4min，优选烘烤3min。
在步骤8)中，所述烘烤的时间可为4～6min；优选5min。
本发明提出了利用钙钛矿量子点结合负性光刻胶制备Micro-LED全彩化色转换层胶膜的方法，并将其应用于光刻技术。通过与介孔分子筛混合高温烧结的方式，极大增强了钙钛矿量子点的光、热、水稳定性，并且在与负性光刻胶混合后仍具有高的量子产率。通过在透明玻璃上先后沉积黑矩阵、滤光膜、光阻、红光钙钛矿量子点光刻胶、绿钙钛矿量子点光刻胶、保护膜等结构，制备出波长转换层，通过波长转换胶膜材料的性能分析以及光刻工艺参数的定制优化，建立可利用光刻技术规模化制备钙钛矿量子点光刻胶波长转换胶膜材料的工艺方法。
与现有技术相比，本发明具有以下突出的优点：
1、采用高温烧结的方法制备了致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末，具有良好的稳定性；
2、所述无机钙钛矿量子点为纳米级尺度且由SiO2进行无机包覆，具有紫外/蓝光下转换功能；
3、采用光刻技术制备全彩化色转换层的方式降低了工艺操作上的成本，有利于实际应用以及商业化；光刻胶为高对比度、环氧基光刻胶，用于微加工和其他微电子应用；
4、制备方法简单，可大批量制备，适于实际操作和应用。
附图说明
图1为CsPbBr3-SiO2和CsPbI3-SiO2固体粉末量子点在365nm紫外线激发下的发射光谱；
图2为采用高温烧结的方式制备CsPbBr3-SiO2固体粉末的原理图；
图3为波长转换胶膜材料结构示意图。
具体实施方式
以下通过实施例和附图对本发明作进一步的说明，但不应将其理解为对本发明保护范围的限制。
CsPbBr3-SiO2和CsPbI3-SiO2固体粉末量子点在365nm紫外线激发下的发射光谱参见图1，从图1可以看出CsPbBr3-SiO2固体粉末量子点通过365nm紫外光源高效激发出峰值波长为520nm的绿色荧光，其半高宽为23.5nm；CsPbI3-SiO2固体粉末量子点通过365nm紫外光源高效激发出峰值波长为627nm的红色荧光，其半高宽为38nm，所激发出的红光和绿光符合显示应用上色纯度的要求。
CsPbX3-SiO2固体粉末的基本制备过程可参见图2，将钙钛矿量子点的前体盐充分溶解与分子筛混合浸泡后，前体盐浸入分子筛孔洞，经过高温煅烧后，分子筛结构崩塌孔洞闭合，随后在冷却降温过程中钙钛矿量子点逐渐在分子筛孔洞内成核结晶，最终形成二氧化硅包覆CsPbX3钙钛矿量子点的固体粉末。
所述波长转换材料由光敏感聚合物、复合荧光转换材料、溶剂组成，按质量百分比的含量为光敏感聚合物30％～40％、复合荧光转换材料0.005％～3％，余为溶剂；所述复合荧光转换材料通过溶剂均匀分散在所述光敏感聚合物中。
所述光敏感聚合物为对紫外光敏感的光刻胶。
所述复合荧光转换材料为二氧化硅多孔分子筛包覆纳米晶发光中心的复合发光材料。
所述溶剂包括去离子水、无水乙醇、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)等中的一种。
所述纳米晶发光中心为无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶，所述无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶的粒径小于100nm。
所述无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶的化学通式为CsPbX3，(X＝Cl,Br,I)；所述无机钙钛矿量子点为纳米级尺度且具有荧光下转换功能。
所述无机钙钛矿量子点的质量为所述波长转换胶膜材料质量的0.02％～3％。
所述波长转换胶膜材料中负性光刻胶的含量为30％～40％。
所述波长转换胶膜材料的厚度为5～80μm。
应用于Micro-LED全彩化显示的波长转换材料的制备，包括以下步骤：
(1)在室温条件下，前体盐按照PbX2和CsX(X＝Cl,Br,I)与二氧化硅多孔分子筛质量比为1︰2的比例溶解20mL极性溶剂的比例，将多孔分子筛模板浸入分散液中，所述分散液中无机钙钛矿量子点的浓度为0.05～0.2g/mL；随后在80℃下蒸发分散液至干燥。将所得混合物放入高温炉中并加热至800℃，随后自然降温得到固体粉末；所述极性溶剂包括去离子水、无水乙醇、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)；所述高温炉指箱式炉、管式炉、气氛管式炉或气氛箱式炉；
(2)向所述固体粉末中加入200mL去离子水，得到CsPbX3-SiO2悬浮液；对所述悬浮液进行超声清洗(功率80W，清洗时间20min)，随后对悬浮液进行过滤，筛分，蒸干，得到精细CsPbX3-SiO2固体粉末；
(3)按照5mL负性光刻胶混合1g CsPbX3-SiO2固体粉末的比例，直接得到光刻胶-CsPbX3-SiO2粉末复合胶；所述负性光刻胶选自JR-220，JR-210，SU-8 2005，SU-8 2015,SU-82025,SU-8 2035,SU-8 2075等透光负性光刻胶；所述混合的温度为20～40℃。
(4)随后以500rpm的速率搅拌20min，最终使粉末在光刻胶中均匀分散；
(5)取上述负性光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体1mL滴加到玻璃基板上，以1000rpm的速率旋转12s，然后以4000rpm的速率旋转40s，旋涂完后，应去除边缘珠粒；
(6)将涂有光刻胶-钙钛矿量子点胶体的玻璃基板在热板上以95℃的温度烘烤2～4min，从热板上取下玻璃基板，冷却至室温；
(7)使用滤光片消除350nm以下的紫外线，并以250W的功率将含量子点光刻胶曝光10s；
(8)曝光后立即进行烘烤，将玻璃基板在95℃的热板上烘烤4～6min，然后在热板上缓慢降低至室温；
(9)将玻璃基板放置在显影液中显影10min后，再进行超声浴10min；
(10)显影后，将样品用新鲜显影液冲洗10s，然后再用异丙醇溶液冲洗10s，最后用氮气吹干样品，形成光刻图案。
以下给出具体的制备方法实施例。
实施例1
可实现紫外-绿光转换的波长转换胶膜材料的其制备方法如下：
将若干克CsBr和PbBr2粉末按摩尔比为1︰1的比例溶解于20mL去离子水中，形成钙钛矿前体分散液，将多孔分子筛模板浸入分散液中，其中分子筛与前体盐粉末的质量比为2︰1，然后在80℃下干燥。将所得混合物放入高温炉(例如TF-1200X-S型高温烧结炉)中并加热至900℃，随后自然降温，得到致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末。
向所述固体粉末中加入200mL去离子水，得到CsPbBr3-SiO2悬浮液；对所述悬浮液进行超声清洗(功率80W，清洗时间20min)，随后对悬浮液进行过滤，筛分，蒸干，得到精细CsPbBr3-SiO2固体粉末。
在20℃条件下，将5mL负性光刻胶(例如SU-8 2015光刻胶)混合若干克CsPbBr3-SiO2固体粉末，形成光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体；取上述SU-8负性光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体1mL滴加到玻璃基板上，以1000rpm的速率旋转12s，然后以4000rpm的速率旋转40s，旋涂完后，应去除边缘珠粒；
将涂有光刻胶-钙钛矿量子点胶体的玻璃基板在热板上以95℃的温度烘烤2min，从热板上取下玻璃基板，冷却至室温；使用滤光片消除350nm以下的紫外线，并以250W的功率将含量子点光刻胶曝光10s；曝光后立即进行烘烤，将玻璃基板在95℃的热板上烘烤3min，然后在热板上缓慢降低至室温；将玻璃基板放置在显影液中显影10min后，再进行超声浴10min；显影后，将样品用新鲜显影液冲洗10s，然后再用异丙醇溶液冲洗10s，最后用氮气吹干样品，形成光刻图案，得到波长转换胶膜材料的厚度为20μm。
实施例2
可实现紫外-红光转换的波长转换胶膜材料的其制备方法如下：
将若干克CsI和PbI2粉末按摩尔比为1︰1的比例溶解于20mL去离子水中，形成钙钛矿前体分散液，将多孔分子筛模板浸入分散液中，其中分子筛与前体盐粉末的质量比为2︰1，然后在80℃下干燥。将所得混合物放入高温炉(例如TF-1200X-S型高温烧结炉)中并加热800℃，随后自然降温，得到致密的CsPbI3-SiO2固体粉末。
向所述固体粉末中加入200mL去离子水，得到CsPbI3-SiO2悬浮液；对所述悬浮液进行超声清洗(功率80W，清洗时间20min)，随后对悬浮液进行过滤、筛分、蒸干，得到精细CsPbI3-SiO2固体粉末。
在30℃条件下，将5mL负性光刻胶(例如SU-8 2015光刻胶)混合若干克CsPbI3-SiO2固体粉末，形成光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体；取上述SU-8负性光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体1mL滴加到玻璃基板上，以1000rpm的速率旋转12s，然后以4000rpm的速率旋转40s，旋涂完后，应去除边缘珠粒；
将涂有光刻胶-钙钛矿量子点胶体的玻璃基板在热板上以95℃的温度烘烤3min，从热板上取下玻璃基板，冷却至室温；使用滤光片消除350nm以下的紫外线，并以250W的功率将含量子点光刻胶曝光10s；曝光后立即进行烘烤，将玻璃基板在95℃的热板上烘烤5min，然后在热板上缓慢降低至室温；将玻璃基板放置在显影液中显影10min后，再进行超声浴10min；显影后，将样品用新鲜显影液冲洗10s，然后再用异丙醇溶液冲洗10s，最后用氮气吹干样品，形成光刻图案。得到波长转换胶膜材料的厚度约为20μm。
实施例3
可实现紫外-绿光转换的波长转换胶膜材料的其制备方法如下：
将若干克CsBr和PbBr2粉末按摩尔比为1︰1的比例溶解于20mL去离子水中，形成钙钛矿前体分散液，将多孔分子筛模板浸入分散液中，其中分子筛与前体盐粉末的质量比为2︰1，然后在80℃下干燥。将所得混合物放入高温炉(例如TF-1200X-S型高温烧结炉)中并加热至900℃，随后自然降温，得到致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末。
向所述固体粉末中加入200mL去离子水，得到CsPbBr3-SiO2悬浮液；对所述悬浮液进行超声清洗(功率80W，清洗时间20min)，随后对悬浮液进行过滤，筛分，蒸干，得到精细CsPbBr3-SiO2固体粉末。
在40℃条件下，将5mL负性光刻胶(例如SU-8 2015光刻胶)混合若干克CsPbBr3-SiO2固体粉末，形成光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体；取上述SU-8负性光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体1mL滴加到玻璃基板上，以1000rpm的速率旋转12s，然后以4000rpm的速率旋转40s，旋涂完后，应去除边缘珠粒；
将涂有光刻胶-钙钛矿量子点胶体的玻璃基板在热板上以95℃的温度烘烤4min，从热板上取下玻璃基板，冷却至室温；使用滤光片消除350nm以下的紫外线，并以250W的功率将含量子点光刻胶曝光10s；曝光后立即进行烘烤，将玻璃基板在95℃的热板上烘烤6min，然后在热板上缓慢降低至室温；将玻璃基板放置在显影液中显影10min后，再进行超声浴10min；显影后，将样品用新鲜显影液冲洗10s，然后再用异丙醇溶液冲洗10s，最后用氮气吹干样品，形成光刻图案，得到波长转换胶膜材料的厚度为20μm。
钙钛矿量子点光刻胶波长转换胶膜材料结构示意图参见图3，本发明实施时，分别设计多个掩膜，在同一玻璃基板上首先沉积黑色光刻胶作为隔绝不同像素的黑色矩阵和灰色光刻胶作为光阻挡层；而后沉积红绿蓝三色滤光层使之单色通光减少光串扰；并在滤光层上沉积包覆钙钛矿量子点的红色及绿色光刻胶；在蓝色滤光层下选择沉积没有包覆量子点的透明光刻胶；最后在色转换层上覆盖一层光保护膜。所有对光敏材料的处理，如甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜等皆遵照标准光刻工艺流程，制备出钙钛矿量子点光刻胶色转换层。通过色转换层的性能分析以及光刻工艺参数的定制优化，建立可利用光刻技术规模化制备量子点光刻胶色转换层的工艺方法。

Claims (11)

1.一种波长转换胶膜材料，其特征在于由光敏感聚合物、复合荧光转换材料、包覆基质组成，按质量百分比的含量为光敏感聚合物30％～45％、复合荧光转换材料0.005％～3％，余为包覆基质；所述复合荧光转换材料制备时通过溶剂溶解，高温煅烧后所得粉末均匀分散在所述光敏感聚合物中；
所述光敏感聚合物为对紫外光敏感的负性光刻胶；所述负性光刻胶选自JR-220、JR-210、SU-8 2005、SU-8 2015、SU-8 2025、SU-8 2035、SU-8 2075中的一种；所述波长转换胶膜材料中负性光刻胶的含量为30％～40％；
所述复合荧光转换材料为纳米晶发光中心的复合发光材料；所述纳米晶发光中心为无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶，所述无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶的粒径小于100nm；
所述无机钙钛矿量子点或钙钛矿纳米晶的化学通式为CsPbX3，X＝Cl ,Br ,I；所述无机钙钛矿量子点为纳米级尺度且具有荧光下转换功能；所述无机钙钛矿量子点的质量为波长转换胶膜材料质量的0.005％～3％；所述包覆基质为二氧化硅多孔分子筛；所述溶剂选自去离子水、无水乙醇、N，N-二甲基甲酰胺中的一种。
2.如权利要求1所述一种波长转换胶膜材料，其特征在于所述无机钙钛矿量子点的质量为波长转换胶膜材料质量的0.02％～3％。
3.如权利要求1所述一种波长转换胶膜材料，其特征在于所述煅烧后所得粉末为二氧化硅包覆的复合荧光转换材料；
所述波长转换胶膜材料的厚度为5～80 μm。
4.如权利要求1所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）将包覆基质浸入20 mL溶剂为极性溶剂前体盐CsX和PbX2（X=Cl，Br，I）溶液中，混合后蒸干溶剂，所得混合物再放入高温炉中加热，形成致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末；
2）向所述固体粉末中加入200 mL去离子水，得到CsPbBr3-SiO2悬浮液；
3）对所述悬浮液进行超声清洗，随后对悬浮液进行过滤、筛分、蒸干，得到精细CsPbBr3-SiO2固体粉末；
4）在20～40 ℃条件下，按5 mL 负性光刻胶混合1 g精细CsPbBr3-SiO2固体粉末的比例，以500 rpm的速率搅拌20 min，使精细CsPbBr3-SiO2固体粉末在光刻胶中均匀分散；
5）取上述负性光刻胶包覆下的光刻胶-钙钛矿量子点胶体1 mL滴加到玻璃基板上，以1000 rpm的速率旋转12 s，然后以4000 rpm的速率旋转40 s，旋涂完后，去除边缘珠粒；
6）将涂有光刻胶-钙钛矿量子点胶体的玻璃基板在热板上烘烤，然后从热板上取下玻璃基板，冷却至室温；
7）使用滤光片消除350nm以下的紫外线，并以250 W的功率将含量子点光刻胶曝光10s；
8）曝光后立即进行烘烤，将玻璃基板在95 ℃的热板上烘烤，然后在热板上缓慢降低至室温；
9）将玻璃基板放置在显影液中显影10 min后，再进行超声浴10 min；
10）显影后，将样品用新鲜显影液冲洗10 s，然后再用异丙醇溶液冲洗10 s，最后用氮气吹干样品，形成光刻图案，即得应用于Micro-LED全彩化显示的一种波长转换胶膜材料。
5.如权利要求4所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述形成致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末的具体步骤为：在室温条件下，将多孔分子筛模板按照质量比为2︰1的比例浸入溶剂为极性溶剂前体盐CsX和PbX2（X=Cl，Br，I）溶液中，充分搅拌使之混合均匀，然后在80℃下蒸干溶剂；将蒸干所得混合物放入高温炉中并加热至600～900℃，在这种高温下，分子筛的密闭孔中形成CsPbBr3纳米晶，同时，分子筛的孔结构逐渐塌陷并包裹了CsPbBr3纳米晶，最终形成了致密的CsPbBr3-SiO2固体粉末；所述高温炉采用箱式炉、管式炉、气氛管式炉或气氛箱式炉；所述极性溶剂包括去离子水、无水乙醇、N，N-二甲基甲酰胺中的一种。
6.如权利要求5所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于所述加热的温度为800 ℃。
7.如权利要求4所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于在步骤3）中，所述超声清洗的条件为功率80 W，清洗时间20 min。
8.如权利要求4所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于在步骤4）中，所述混合的温度条件为20～40 ℃。
9.如权利要求8所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于所述混合的温度条件25～30 ℃。
10.如权利要求4所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于在步骤6）中，所述烘烤是以95 ℃的温度烘烤2～4 min；
在步骤8）中，所述烘烤的时间为4～6 min。
11.如权利要求10所述一种波长转换胶膜材料的制备方法，其特征在于所述烘烤是以95 ℃的温度烘烤3 min；
在步骤8）中，所述烘烤的时间为5 min 。
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