CN112536722A - 研磨浆供应系统及无尘室 - Google Patents

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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
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Abstract

本发明提供一种研磨浆供应系统，所述研磨浆供应系统包括供应装置和微波单元；所述供应装置包括接收研磨用研磨浆的研磨浆输入端、用于输出所述研磨浆至研磨机台的研磨浆输出端、设置在所述研磨浆输入端与所述研磨浆输出端之间的其他功能部件、及连接所述研磨浆输入端、所述其他功能部件及所述研磨浆输出端的传输管，所述微波单元至少向所述供应装置的所述其他功能部件及所述传输管中的研磨浆发射微波。本发明还提供一种无尘室。本发明的研磨浆供应系统通过微波单元可以抑制研磨浆中的微生物生长。

Description

研磨浆供应系统及无尘室
技术领域
本发明涉及一种研磨浆供应系统及一种无尘室。
背景技术
随着集成电路制造过程中特征尺寸的缩小和金属互联的增加，对晶圆表面平整度的要求也越来越高。化学机械研磨(chemical mechanical polish；CMP)是将机械研磨和化学腐蚀结合的技术，是目前最有效的晶圆平坦化方法，其广泛应用于半导体工业制造生产中。
在CMP制程中，研磨浆(slurry)的品质对CMP的制程良率具有非常重要的影响。研磨浆中微生物(如细菌等)的存在可能会影响研磨浆的品质，污染CMP制程并且影响研磨质量。
发明内容
鉴于此，本发明提供一种能够抑制研磨浆中的微生物生长的研磨浆供应系统。
一种研磨浆供应系统，应用于制造半导体元件的化学机械研磨工艺中提供所需的研磨浆，所述研磨浆供应系统包括供应装置和微波单元；
所述供应装置包括研磨浆输入端、用于输出所述研磨浆至研磨机台的研磨浆输出端、设置在所述研磨浆输入端与所述研磨浆输出端之间的用于供应研磨浆的其他功能部件、以及连接所述研磨浆输入端、所述其他功能部件与所述研磨浆输出端的传输管；
所述微波单元至少向所述供应装置的所述其他功能部件及所述传输管中的研磨浆发射微波。
本发明还提供一种无尘室。
一种无尘室，所述无尘室包括用于设置供应研磨浆的供应装置的无尘空间，所述无尘空间包括底面、侧壁和顶面，所述供应装置放置在所述底面上，其包括接收研磨用研磨浆的研磨浆输入端、用于输出所述研磨浆至研磨机台的研磨浆输出端、设置在所述研磨浆输入端与所述研磨浆输出端之间的用于供应研磨浆的其他功能部件、及连接所述研磨浆输入端、所述其他功能部件及所述研磨浆输出端的传输管，所述无尘室进一步包括微波单元，所述微波单元设置于所述无尘空间的所述底面、侧壁和顶面中的至少一者。
相较于现有技术，本发明的研磨浆供应系统包括微波单元，所述微波单元向供应装置的其他功能部件及传输管中的研磨浆发射微波，可以抑制研磨浆中的微生物生长。
附图说明
图1是本发明一示例性实施例的研磨浆供应系统的平面示意图。
图2是本发明一示例性实施例的微波单元的平面示意图。
图3是本发明一示例性实施例的无尘室的立体示意图。
图4示出了抑制研磨浆中的微生物生长的方法的流程图。
主要元件符号说明
研磨浆供应系统 100
供应装置 11
存储槽 111
第一泵 112
第一过滤器 113
混合槽 114
第二过滤器 115
第二泵 116
供应槽 117
传输管 118
第一传输管 1181
第二传输管 1182
微波单元 12
微波发射器 120
第一微波单元 121
第二微波单元 122
第三微波单元 123
第四微波单元 124
第五微波单元 125
第六微波单元 126
无尘室 200
无尘空间 20
底面 201
侧壁 202
顶面 203
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参考图1，图1是本发明一示例性实施例的研磨浆供应系统100的平面示意图。所述研磨浆供应系统100应用于制造半导体元件的化学机械研磨(chemical mechanicalpolish；CMP)工艺，包括供应装置11和微波单元12。供应装置11包括研磨浆输入端(图未示)、用于输出所述研磨浆至研磨机台(图未示)的研磨浆输出端(图未示)、设置在所述研磨浆输入端和所述研磨浆输出端之间的用于供应研磨浆的其他功能部件、以及连接所述研磨浆输入端、所述其他功能部件与所述研磨浆输出端的传输管118。所述微波单元12至少向供应装置11的所述其他功能部件及传输管118中的研磨浆发射微波，抑制所述研磨浆中的微生物的生长。可以理解的,微波单元12可以在整个供应过程中发射微波,也可以仅仅是在供应过程中的部分时间发射微波。在研磨浆供应系统100中使用微波单元12抑制了所述研磨浆中的微生物的生长，减少了研磨浆中的微生物，可以提高研磨浆的品质、避免污染CMP制程及影响研磨质量。
如图1所示，在一实施例中，所述其他功能部件包括依次连接的存储槽111、混合槽114、供应槽117、第一泵112、第一过滤器113、第二泵116和第二过滤器115。存储槽111连接所述研磨浆输入端，所述研磨浆从所述研磨浆输入端注入并存储在存储槽111中。混合槽114用于混合来自存储槽111中的研磨浆。在一实施例中，存储槽111中的研磨浆通过第一泵112输出，并通过第一过滤器113过滤沉淀物之后，注入混合槽114。供应槽117接收来自混合槽114的研磨浆，并借由所述研磨浆输出端向所述研磨机台供应研磨浆。在一实施例中，所述供应槽117连接有第二泵116和第二过滤器115，供应槽117中的研磨浆可以在第二泵116、第二过滤器115和供应槽117中循环，避免供应槽117中的研磨浆出现沉淀，影响研磨品质。
在一实施例中，存储槽111、第一泵112、第一过滤器113、第一混合槽114、供应槽117、第二泵116和第二过滤器115依次通过传输管118连接，供应装置11中的研磨浆通过传输管118传输至相应的部件。
微波单元12设置于供应装置11的外部。微波单元12可以设置于供应装置11的至少任意一侧。在一实施例中，微波单元12均设置于供应装置11的同一侧边，在其他实施例中，微波单元12还可以同时设置于供应装置11的上侧和下侧，微波单元12还可以横跨供应装置11中的多个部件及传输管，使微波单元12发射的微波尽可能地辐射供应装置11中的多个部件(如存储槽111、混合槽114等)及传输管。
在一实施例中，微波单元12包括横向(沿图1中X方向)延伸的第一微波单元121、第二微波单元122和第三微波单元123，微波单元12沿着传输管118的排列方向设置，以确保更全面地辐射供应装置11中的所述其他功能部件和传输管118中的研磨浆。可以理解的，微波单元12的数量并不受限制，在其他实施例中，研磨浆供应系统100可以仅具有一个微波单元12。
传输管118包括沿横向(沿图1中X方向)延伸的第一传输管1181和沿纵向(沿图1中Y方向)延伸的第二传输管1182。一实施例中的供应装置11中的所述其他功能部件主要沿横向布置，至少一个微波单元12对应第一传输管1181的位置设置，可以理解的，在其他实施例中，微波单元12的延伸方向并不受限制，微波单元12可以纵向延伸、或者与X方向/Y方向成一定角度延伸。在一实施例中，微波单元12为条形，但不限于此，在其他实施例中，微波单元12可以为环形、圆形、三角形、棱形等其他任何合适的形状。
微波单元12发射的微波的波长的范围为1毫米～1米，频率为300MHz～300GHz。在一优选的实施例中，微波单元的发射频率为1.0GHz～4.0GHz，输入电压为AC220V或AC110V，所述微波单元的输出功率为1000W～7000W。
第一微波单元121、第二微波单元122和第三微波单元123中的至少任意一者可以包括多个发射微波的微波发射器120。请参考图2,以第一微波单元121为例，在一实施例中，第一微波单元121包括多个微波发射器120，多个微波发射器120可以沿横向(沿图2中X方向)排列，但不限于此，多个微波发射器120可以以任何合适的方式排布，比如呈矩阵排布等。在其他实施例中，第一微波单元121也可以仅有一个微波发射器120，只要微波发射器120发射的微波能够充分辐射所述供应装置11中的研磨浆。
请参考图3，本发明还提供一种无尘室200，其容纳有上述供应装置11。无尘室200具有无尘空间20，无尘空间20由底面201、侧壁202和顶面203包围形成。供应装置11放置在底面201上。
至少一个微波单元12设置于无尘空间20的底面201、侧壁202和顶面203中的至少一者。在本实施例中，微波单元12包括第四微波单元124、第五微波单元125和第六微波单元126。第四微波单元124设置于无尘空间20的底面201；第五微波单元125设置于无尘空间20的侧壁202，第六微波单元126设置于无尘空间20的顶面203。
微波单元12可以平行于传输管118设置。在本实施例中，传输管118包括沿横向(沿图1中X方向)延伸的第一传输管1181和沿纵向(沿图1中Y方向)延伸的第二传输管1182。本实施例中,第四微波单元124和第六微波单元126沿第一传输管1181的长度方向延伸,第五微波单元125沿第二传输管1182的长度方向延伸，更好地确保微波单元12发出的微波能够全面辐射传输管118和其他功能部件中的研磨浆。
请参考图4，图4示出了抑制研磨浆中的微生物生长的方法的流程图。一种抑制研磨浆中的微生物生长的方法包括：
步骤S401：提供供应装置11，供应装置11容纳有研磨浆，供应装置11用于在化学机械研磨工艺中供应研磨浆。
供应装置11的结构并不受限制，供应装置11可以为如图1中所示的供应装置11。
步骤S402：提供至少一微波单元12，至少一微波单元120设置于供应装置11的至少一侧。
如图1所示，至少一微波单元12可以为第一微波单元121、第二微波单元122和第三微波单元123，第一微波单元121、第二微波单元122和第三微波单元123均设置于供应装置11的同一侧边。
步骤S403：从至少一个微波单元12发射微波至供应装置11中的研磨浆，抑制所述研磨浆中的微生物生长。
在本实施例中，微波单元的发射频率为1.0GHz～4.0GHz，输入电压为AC220V或AC110V，所述微波单元的输出功率为1000W～7000W。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种研磨浆供应系统，应用于制造半导体元件的化学机械研磨工艺中提供所需的研磨浆，其特征在于：所述研磨浆供应系统包括供应装置和微波单元；
所述供应装置包括研磨浆输入端、用于输出所述研磨浆至研磨机台的研磨浆输出端、设置在所述研磨浆输入端与所述研磨浆输出端之间的用于供应研磨浆的其他功能部件、以及连接所述研磨浆输入端、所述其他功能部件与所述研磨浆输出端的传输管；
所述微波单元至少向所述供应装置的所述其他功能部件及所述传输管中的研磨浆发射微波。
2.如权利要求1所述的研磨浆供应系统，其特征在于，所述微波单元位于所述供应装置的外部。
3.如权利要求2所述的研磨浆供应系统，其特征在于，所述微波单元沿所述传输管的排列方向设置。
4.如权利要求2所述的研磨浆供应系统,其特征在于：所述传输管包括沿横向方向排列的第一传输管及沿纵向方向排列的第二传输管，所述微波单元对应所述第一传输管的位置设置。
5.如权利要求1所示的研磨浆供应系统，其特征在于，所述微波单元发射的微波的频率为1.0GHz～4.0GHz。
6.如权利要求1所示的研磨浆供应系统，其特征在于，所述微波单元的输入电压为AC220V或AC110V，所述微波单元的输出功率为1000W～7000W。
7.如权利要求5所示的研磨浆供应系统，其特征在于，所述其他功能部件包括存储槽、混合槽及供应槽；
所述存储槽连接所述研磨浆输入端，用于存储研磨浆；所述混合槽用于混合来自所述存储槽中的研磨浆；所述供应槽接收来自所述混合槽的研磨浆，并借由所述研磨浆输出端向研磨机台供应所述研磨浆。
8.一种无尘室，所述无尘室包括用于设置供应研磨浆的供应装置的无尘空间，所述无尘空间包括底面、侧壁和顶面，所述供应装置放置在所述底面上，其包括接收研磨用研磨浆的研磨浆输入端、用于输出所述研磨浆至研磨机台的研磨浆输出端、设置在所述研磨浆输入端与所述研磨浆输出端之间的用于供应研磨浆的其他功能部件、及连接所述研磨浆输入端、所述其他功能部件及所述研磨浆输出端的传输管，其特征在于：所述无尘室进一步包括微波单元，所述微波单元设置于所述无尘空间的所述底面、侧壁和顶面中的至少一者。
9.如权利要求8所述的无尘室，其特征在于：所述微波单元平行所述传输管设置。
10.如权利要求8所述的无尘室，其特征在于：所述传输管包括沿横向方向排列的第一传输管及沿纵向方向排列的第二传输管，至少一个微波单元对应所述第一传输管的位置设置，至少一个。
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