CN112526822A - 含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法 - Google Patents

含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112526822A
CN112526822A CN202010979904.9A CN202010979904A CN112526822A CN 112526822 A CN112526822 A CN 112526822A CN 202010979904 A CN202010979904 A CN 202010979904A CN 112526822 A CN112526822 A CN 112526822A
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
silicon
pattern
film
resist underlayer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010979904.9A
Other languages
English (en)
Inventor
甲斐佑典
渡边武
美谷岛祐介
荻原勤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN112526822A publication Critical patent/CN112526822A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/26—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0335—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by their behaviour during the process, e.g. soluble masks, redeposited masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0338—Process specially adapted to improve the resolution of the mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]
Figure DDA0002687176210000011
式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。

Description

含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法
技术领域
本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。
背景技术
伴随大规模集成电路(LSI)的高集成化与高速化，图案尺寸的微细化正急速进展。光刻技术随着该微细化，利用光源的短波长化及适当选择与其对应的抗蚀剂组合物，而达成了微细图案的形成。成为其中心的是以单层使用的正型光致抗蚀剂组合物。该单层正型光致抗蚀剂组合物，是通过使抗蚀剂树脂中拥有对于利用氯系或氟系的气体等离子体所为的干蚀刻具有蚀刻耐性的骨架，且拥有曝光部会溶解之类的开关机制，而使曝光部溶解来形成图案，并以残存的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对被加工基板进行干蚀刻加工。
但是，在维持所使用的光致抗蚀剂膜的膜厚的状态下进行微细化，即将图案宽缩得更小的情况，光致抗蚀剂膜的解析性能会降低，此外，欲利用显影液来对光致抗蚀剂膜进行图案显影的话，会发生所谓纵横比变得过大，结果造成图案崩坏的问题。因此，伴随图案的微细化，光致抗蚀剂膜也逐渐薄膜化。
另一方面，被加工基板的加工，通常使用如下方法：以形成有图案的光致抗蚀剂膜作为蚀刻掩模，并利用干蚀刻来对基板进行加工；但现实中并不存在能于光致抗蚀剂膜与被加工基板之间取得完全的蚀刻选择性的干蚀刻方法。因此，会有在基板的加工中，抗蚀剂膜也受到损坏而崩坏，且抗蚀剂图案变得无法正确地转印到被加工基板的问题。于是，伴随图案的微细化，光致抗蚀剂组合物也逐渐寻求更高的干蚀刻耐性。但是，另一方面，为了将分辨率提高，光致抗蚀剂组合物所使用的树脂已逐渐寻求在曝光波长的光吸收小的树脂。因此，随着曝光光短波长化成为i射线、KrF、ArF，光致抗蚀剂组合物所使用的树脂也逐渐变化成酚醛清漆树脂、拥有多羟基苯乙烯、脂肪族多环状骨架的树脂，但现实中基板加工时的干蚀刻条件下的蚀刻速度逐渐变快，分辨率高的最近的光致抗蚀剂组合物反而会有蚀刻耐性变弱的倾向。
考虑该情形，而变得必须要以因为较薄而蚀刻耐性较弱的光致抗蚀剂膜来对被加工基板进行干蚀刻加工，确保该加工步骤中的材料及处理已逐渐成为当务之急。
多层抗蚀剂法是作为解决这样的问题的方法之一。该方法是使与光致抗蚀剂膜(即抗蚀剂上层膜)具有不同蚀刻选择性的下层膜插入在抗蚀剂上层膜与被加工基板之间，在抗蚀剂上层膜获得图案后，以抗蚀剂上层膜图案作为干蚀刻掩模，利用干蚀刻将图案转印到下层膜，再以下层膜作为干蚀刻掩模，利用干蚀刻将图案转印到被加工基板的方法。
多层抗蚀剂法中之一，有能使用单层抗蚀剂法所使用的一般的抗蚀剂组合物来实施的3层抗蚀剂法。该3层抗蚀剂法例如：在被加工基板上将源自酚醛清漆树脂等的有机膜予以成膜，于其上将含硅的抗蚀剂下层膜予以成膜，再于其上形成通常的有机系光致抗蚀剂膜作为抗蚀剂上层膜。在实施利用氟系气体等离子体所为的干蚀刻时，有机系的抗蚀剂上层膜由于可取得对比于含硅的抗蚀剂下层膜为良好的蚀刻选择比，因此抗蚀剂上层膜图案可利用氟系气体等离子体所为的干蚀刻而转印到含硅的抗蚀剂下层膜。根据该方法，即使使用难以形成具有用于直接对被加工基板进行加工的充分的膜厚的图案的抗蚀剂组合物、或对于基板的加工不具有充分的干蚀刻耐性的抗蚀剂组合物，仍可将图案转印到含硅的膜(抗蚀剂下层膜)，然后实施利用氧系或氢系气体等离子体所为的干蚀刻的图案转印，则可获得对于基板的加工具有充分的干蚀刻耐性的源自酚醛清漆树脂等的有机膜图案。形成有机膜图案后所残留的含硅的膜通常会利用氟系气体等离子体所为的干蚀刻、或碱系、氟系等蚀刻液所为的湿式蚀刻，以不成为造成缺陷的原因的残渣的方式予以去除。蚀刻速度不足时，发生来自含硅的膜的残渣残留而成为缺陷、或需要进行长时间的蚀刻处理而对被加工基板造成损坏等问题的可能性提高。如此为了正确的图案化、及顺利的去除，含硅的抗蚀剂下层膜需要适当的蚀刻速度。
一方面，近年已开发出ArF浸润式光刻、EUV光刻等，会逐渐趋于可形成更微细的图案，另一方面，超微细图案由于接地面积小，因此极易崩塌，抑制图案崩塌为非常大的课题。因此，抑止图案崩塌的效果高的含硅的抗蚀剂下层膜的开发成为当务之急。
在此，有人提出含有固化催化剂的ArF或EUV光刻用含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物(专利文献1、2)。该固化催化剂催化硅醇的缩合反应，并具有适于促进形成作为含硅的抗蚀剂下层膜的主骨架的硅氧烷键结的结构。此外，现已逐渐理解固化催化剂的选择会对抗蚀剂下层膜的性质造成各种影响。例如可列举酸-碱性程度、亲-疏水性、硬度、膜密度、蚀刻速度等。通过它们，进而也会对和上层抗蚀剂的交互作用造成影响，而引起因密接性劣化导致的图案崩塌、或抗蚀剂拖尾的形状，最后的基板加工不良会成为严重的问题。
另外还有人提出含有具有作为固化催化剂而作用的基团的硅烷化合物的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物作为含有固化催化剂的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物(专利文献3)。但是，在使用了EUV光刻等的微细化更进一步的最先进的用途，有时会有图案崩塌成为问题的情况，需要改善。
现有技术文件
专利文献
[专利文献1]日本特开2007-302873号
[专利文献2]WO2013/161372号
[专利文献3]WO2010/021290号
发明内容
发明要解决的问题
本发明目的为提供：在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，可形成良好的抗蚀剂图案，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。
用于解决问题的方案
本发明是为了解决上述课题而成，提供一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征为至少含有下述通式(A-1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。
[化1]
Figure BDA0002687176200000041
式中，Ar1表示也可具有取代基的碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11分别独立地表示碳数1～12的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。R11中的2个也可互相键结并形成环。Z-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物所含的上述通式(A-1)表示的季铵盐作为交联催化剂而发挥功能，促进含硅的抗蚀剂下层膜的热固化。热固化后的下层膜会兼具充分的蚀刻速度、及防止上层抗蚀剂的图案崩塌的效果、形成良好的抗蚀剂图案的效果。
本发明中，上述通式(A-1)表示的季铵盐优选以下述通式(A-2)表示。
[化2]
Figure BDA0002687176200000051
式中，R11如上所述。Z1-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子，且Z1-的共轭酸Z1-H的沸点为200℃以下。
上述通式(A-1)表示的季铵盐以上述通式(A-2)表示时，本发明的效果会更充分地发挥。
上述热交联性聚硅氧烷(Sx)优选含有下述通式(Sx-1)表示的重复单元、下述通式(Sx-2)表示的重复单元、及下述通式(Sx-3)表示的部分结构中的任一种以上。
[化3]
Figure BDA0002687176200000052
[化4]
Figure BDA0002687176200000053
[化5]
Figure BDA0002687176200000061
式中，R1、R2、R3分别为可相同也可不同的碳数1～30的1价有机基团。
上述热交联性聚硅氧烷(Sx)含有上述特定结构时，本发明的效果会更充分地发挥。
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物可更含有产酸剂。
通过根据需要添加产酸剂，可微调图案形状、曝光感度等。
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有产酸剂时，产酸剂优选为锍盐，且优选为利用高能射线的作用而产生酸的光致产酸剂。
此时，可将其它性能的降低控制在最小限度，同时可适度地调整抗蚀剂上层膜的图案形状、曝光感度等，并且有时也会有对于减少来自抗蚀剂上层膜的残渣有效的情况。
本发明提供一种图案形成方法，其特征为包含下列步骤：于被加工体上使用涂布型有机膜材料来形成有机膜、于前述有机膜之上使用上述所记载的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的抗蚀剂下层膜、于前述含硅的抗蚀剂下层膜上使用由光致抗蚀剂组合物构成的抗蚀剂上层膜用组合物来形成抗蚀剂上层膜、于前述抗蚀剂上层膜形成电路图案、以前述形成有电路图案的前述抗蚀剂上层膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到前述含硅的抗蚀剂下层膜、以前述转印有图案的前述含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用蚀刻对前述有机膜进行图案转印、及以前述转印有图案的前述有机膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到前述被加工体。
此外，本发明提供一种图案形成方法，其特征为包含下列步骤：于被加工体上利用CVD法形成以碳作为主成分的硬掩模、于前述硬掩模之上使用上述所记载的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的抗蚀剂下层膜、于前述含硅的抗蚀剂下层膜上使用由光致抗蚀剂组合物构成的抗蚀剂上层膜用组合物来形成抗蚀剂上层膜、于前述抗蚀剂上层膜形成电路图案、以前述形成有电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到前述含硅的抗蚀剂下层膜、以前述转印有图案的前述含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用干蚀刻对前述硬掩模进行图案转印、及以前述转印有图案的前述硬掩模作为掩模并利用干蚀刻将图案转印到前述被加工体。
上述图案形成方法会抑制抗蚀剂上层膜的图案崩塌，且可提供良好的抗蚀剂图案。此外，干蚀刻所为的朝含硅的抗蚀剂下层膜的图案转印优良，此外，图案化结束后所残留的含硅的抗蚀剂下层膜的去除容易且不易产生残渣所导致的缺陷，因此尤其在形成微细的图案时为实用的图案形成方法。
于上述抗蚀剂上层膜形成电路图案的步骤中的图案形成优选为利用波长为10nm以上且300nm以下的光学光刻、利用电子束所为的直接刻写、纳米压印或它们的组合所为的图案形成。
上述抗蚀剂上层膜的图案形成方法为上述特定的图案形成方法时，本发明的效果会更充分地发挥。
上述被加工体可为半导体装置基板、金属膜、金属碳化膜、金属氧化膜、金属氮化膜、金属氧化碳化膜或金属氧化氮化膜。
上述被加工体为上述特定者时，本发明的效果会更充分地发挥。
此外，构成上述被加工体的金属优选为硅、镓、钛、钨、铪、锆、铬、锗、铜、银、金、铟、砷、钯、钽、铱、铝、铁、钼、钴或它们的合金。
构成上述被加工体的金属为上述特定金属时，本发明的效果会更充分地发挥。
发明的效果
含有特定结构的季铵盐的本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物不仅可形成超微细的上层抗蚀剂图案而不会崩塌，还能形成良好的图案形状。此外，由于抗蚀剂上层膜与有机膜或硬掩模的干蚀刻选择性优良，因此能以良好产率于基板形成半导体装置用的图案。此外，本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物可在和有机材料之间获得高蚀刻选择性，因此可将形成的光致抗蚀剂图案按顺序使用干蚀刻处理转印到含硅的抗蚀剂下层膜、有机膜或硬掩模。此外，本发明中，由于形成的含硅的抗蚀剂下层膜具有充分的蚀刻速度，因此图案化结束后所残留的含硅的抗蚀剂下层膜可轻易去除，不易产生残渣所导致的缺陷，因此于微细的图案的形成特别有效。
具体实施方式
本发明涉及用于形成半导体元件等的制造步骤中的光刻所使用的涂布型含硅的膜的组合物及使用该组合物的图案形成方法。
如前所述，寻求可提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且可形成良好的抗蚀剂图案，并具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，及寻求使用该组合物的超微细图案形成方法。
本发明人们为了达成前述目的而反复深入探讨后的结果发现，通过将特定结构的季铵盐调配于含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物中，可提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案的崩塌，且可形成良好的抗蚀剂图案，更于加工时具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜，从而完成本发明。
即，本发明为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有后述通式(A-1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。
以下，针对本发明进行详细地说明，但本发明不限于此。
<抗蚀剂下层膜形成用组合物>
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物为至少含有下述通式(A-1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
[化6]
Figure BDA0002687176200000091
式中，Ar1表示也可具有取代基的碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11分别独立地表示碳数1～12的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。R11中的2个也可互相键结并形成环。Z-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
[通式(A-1)或(A-2)表示的季铵盐]
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物至少含有上述通式(A-1)表示的季铵盐中的1种或2种以上。该季铵盐作为交联催化剂而发挥功能，从而促进热固化，形成的含硅的抗蚀剂下层膜由适当的组成、结构构成，具有足以用于加工的蚀刻速度。此外，一般认为该季铵盐中，氮原子具有的非共享电子对并不集中于直接键结的芳香环，因此碱性度可维持于适度，抑制上层抗蚀剂的拖尾形状同时成为适当的表面状态，因而抑制了上层抗蚀剂的图案崩塌。
上述通式中，Ar1表示也可具有取代基的碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。碳数6～20的芳香族基具体可例示：苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基。碳数4～20的杂芳香族基具体可例示：呋喃基、硫代苯基、吡咯基、苯并呋喃基、吡啶基、吲哚基、噁唑基、咪唑基、苯并咪唑基。也可具有的取代基可列举：碳数1～12的直链状或支链状或环状饱和或不饱和烃基、芳香族烃基、杂芳香族基、烷氧基、羟基、酯基、羰基、氨基、卤素基团、硫醚基、羧基、磺基、酰胺基、酰亚胺基、氰基、醛基、亚氨基、脲基、氨基甲酸酯基、碳酸酯基、硝基、磺酰基、及这些基团组合而成的基团。
上述通式中，R11分别独立地表示碳数1～12的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经烷氧基等取代。烷基可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环戊基、环己基、环庚基、环丙基甲基、4-甲基环己基、环己基甲基、降冰片基、金刚烷基等。烯基可列举：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基等。氧代烷基可列举：2-氧代环戊基、2-氧代环己基、2-氧代丙基、2-氧代乙基、2-环戊基-2-氧代乙基、2-环己基-2-氧代乙基、2-(4-甲基环己基)-2-氧代乙基等。氧代烯基可列举：3-氧代丙烯基等。芳基可列举：苯基、萘基、噻吩基等、或4-羟基苯基、4-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、2-甲氧基苯基、4-乙氧基苯基、4-叔丁氧基苯基、3-叔丁氧基苯基等烷氧基苯基；2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙基苯基、4-叔丁基苯基、4-正丁基苯基、2,4-二甲基苯基等烷基苯基；甲基萘基、乙基萘基等烷基萘基；甲氧基萘基、乙氧基萘基、正丙氧基萘基、正丁氧基萘基等烷氧基萘基；二甲基萘基、二乙基萘基等二烷基萘基；二甲氧基萘基、二乙氧基萘基等二烷氧基萘基等。芳烷基可列举：苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基等。芳基氧代烷基可列举：2-苯基-2-氧代乙基、2-(1-萘基)-2-氧代乙基、2-(2-萘基)-2-氧代乙基等2-芳基-2-氧代乙基等。烷氧基可例示：甲氧基、乙氧基、叔丁氧基。此外，R11中的2个也可互相键结并形成环。此时，2个R11键结而形成2价基团。形成的2价基团具体可例示：三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、3-氧杂五亚甲基、3-氧代五亚甲基。
上述通式中，Z-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。有机阴离子具体可例示：甲酸根、乙酸根、丙酸根、丁酸根、己酸根、苯甲酸根、叔丁基苯甲酸根、三氯乙酸根、三氟乙酸根、2-羟基-2,2-双(三氟甲基)乙酸根、三甲基乙酸根、五氟丙酸根、甲烷磺酸根、丁烷磺酸根、苯磺酸根、甲苯磺酸根、三氟甲烷磺酸根、甲基硫酸根离子。无机阴离子具体可例示：氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、氟化物离子、氰化物离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子、氢氧化物离子。
本发明中，上述通式(A-1)表示的季铵盐可单独使用一种，也可混合使用二种以上。上述通式(A-1)表示的季铵盐的调配量相对于后述基础聚合物(Sx)100质量份，优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～40质量份。
此外，上述通式(A-1)表示的季铵盐优选以下述通式(A-2)表示。
[化7]
Figure BDA0002687176200000111
式中，R11如上所述。Z1-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子，且Z1-的共轭酸Z1-H的沸点为200℃以下。
上述通式(A-2)表示的季铵盐的反荷离子Z1-以其共轭酸Z1-H的沸点成为200℃以下的方式进行选择。共轭酸的沸点如果为200℃以下，则不会有对抗蚀剂的图案崩塌表现负面作用的疑虑。共轭酸的沸点的下限并没有特别限制，优选为-90℃以上。
上述通式(A-2)中，R11与前述同样。特征为Z1-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子，且Z1-的共轭酸Z1-H的沸点为200℃以下。Z1-具体可例示：甲酸根、乙酸根、丙酸根、丁酸根、异丁酸根、三氯乙酸根、三氟乙酸根、一氯二氟乙酸根、2-羟基-2,2-双(三氟甲基)乙酸根、三甲基乙酸根、五氟丙酸根、全氟丁酸根、甲烷磺酸根、三氟甲烷磺酸根、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、氟化物离子、氰化物离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子、氢氧化物离子。在提高本发明的效果的方面，其中，更优选为三氟乙酸根、2-羟基-2,2-双(三氟甲基)乙酸根、五氟丙酸根、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、硝酸根离子。
前述通式(A-1)或(A-2)表示的季铵盐更具体可例示下述化合物，但不限于此。下式中，Me表示甲基，Et表示乙基，Ph表示苯基，以下皆同样。
[化8]
Figure BDA0002687176200000131
[化9]
Figure BDA0002687176200000141
[化10]
Figure BDA0002687176200000151
[热交联性聚硅氧烷(Sx)]
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物除了含有上述通式(A-1)或(A-2)表示的季铵盐中的1种或2种以上之外，还含有热交联性聚硅氧烷(Sx)。
本发明所使用的热交联性聚硅氧烷(Sx)优选含有下述通式(Sx-1)表示的重复单元、下述通式(Sx-2)表示的重复单元、及下述通式(Sx-3)表示的部分结构中的任一种以上。
[化11]
Figure BDA0002687176200000161
[化12]
Figure BDA0002687176200000162
[化13]
Figure BDA0002687176200000163
式中，R1、R2、R3分别为可相同也可不同的碳数1～30的1价有机基团。
上述热交联性聚硅氧烷(Sx)可通过将如下的水解性单体(Sm)进行水解缩合而制造。
水解性单体(Sm)具体而言可例示：四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、三异丙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三丙氧基硅烷、乙基三异丙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丙基三丙氧基硅烷、丙基三异丙氧基硅烷、异丙基三甲氧基硅烷、异丙基三乙氧基硅烷、异丙基三丙氧基硅烷、异丙基三异丙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、丁基三丙氧基硅烷、丁基三异丙氧基硅烷、仲丁基三甲氧基硅烷、仲丁基三乙氧基硅烷、仲丁基三丙氧基硅烷、仲丁基三异丙氧基硅烷、叔丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三乙氧基硅烷、叔丁基三丙氧基硅烷、叔丁基三异丙氧基硅烷、环丙基三甲氧基硅烷、环丙基三乙氧基硅烷、环丙基三丙氧基硅烷、环丙基三异丙氧基硅烷、环丁基三甲氧基硅烷、环丁基三乙氧基硅烷、环丁基三丙氧基硅烷、环丁基三异丙氧基硅烷、环戊基三甲氧基硅烷、环戊基三乙氧基硅烷、环戊基三丙氧基硅烷、环戊基三异丙氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、环己基三乙氧基硅烷、环己基三丙氧基硅烷、环己基三异丙氧基硅烷、环己烯基三甲氧基硅烷、环己烯基三乙氧基硅烷、环己烯基三丙氧基硅烷、环己烯基三异丙氧基硅烷、环己烯基乙基三甲氧基硅烷、环己烯基乙基三乙氧基硅烷、环己烯基乙基三丙氧基硅烷、环己烯基乙基三异丙氧基硅烷、环辛基三甲氧基硅烷、环辛基三乙氧基硅烷、环辛基三丙氧基硅烷、环辛基三异丙氧基硅烷、环戊二烯基丙基三甲氧基硅烷、环戊二烯基丙基三乙氧基硅烷、环戊二烯基丙基三丙氧基硅烷、环戊二烯基丙基三异丙氧基硅烷、双环庚烯基三甲氧基硅烷、双环庚烯基三乙氧基硅烷、双环庚烯基三丙氧基硅烷、双环庚烯基三异丙氧基硅烷、双环庚基三甲氧基硅烷、双环庚基三乙氧基硅烷、双环庚基三丙氧基硅烷、双环庚基三异丙氧基硅烷、金刚烷基三甲氧基硅烷、金刚烷基三乙氧基硅烷、金刚烷基三丙氧基硅烷、金刚烷基三异丙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三丙氧基硅烷、苯基三异丙氧基硅烷、苄基三甲氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、苄基三丙氧基硅烷、苄基三异丙氧基硅烷、甲氧基苄基三甲氧基硅烷、甲氧基苄基三乙氧基硅烷、甲氧基苄基三丙氧基硅烷、甲氧基苄基三异丙氧基硅烷、甲苯基三甲氧基硅烷、甲苯基三乙氧基硅烷、甲苯基三丙氧基硅烷、甲苯基三异丙氧基硅烷、苯乙基三甲氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅烷、苯乙基三丙氧基硅烷、苯乙基三异丙氧基硅烷、萘基三甲氧基硅烷、萘基三乙氧基硅烷、萘基三丙氧基硅烷、萘基三异丙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、甲基乙基二乙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅烷、二甲基二异丙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二丙氧基硅烷、二乙基二异丙氧基硅烷、二丙基二甲氧基硅烷、二丙基二乙氧基硅烷、二丙基二丙氧基硅烷、二丙基二异丙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、二异丙基二乙氧基硅烷、二异丙基二丙氧基硅烷、二异丙基二异丙氧基硅烷、二丁基二甲氧基硅烷、二丁基二乙氧基硅烷、二丁基二丙氧基硅烷、二丁基二异丙氧基硅烷、二(仲丁基)二甲氧基硅烷、二(仲丁基)二乙氧基硅烷、二(仲丁基)二丙氧基硅烷、二(仲丁基)二异丙氧基硅烷、二(叔丁基)二甲氧基硅烷、二(叔丁基)二乙氧基硅烷、二(叔丁基)二丙氧基硅烷、二(叔丁基)二异丙氧基硅烷、二环丙基二甲氧基硅烷、二环丙基二乙氧基硅烷、二环丙基二丙氧基硅烷、二环丙基二异丙氧基硅烷、二环丁基二甲氧基硅烷、二环丁基二乙氧基硅烷、二环丁基二丙氧基硅烷、二环丁基二异丙氧基硅烷、二环戊基二甲氧基硅烷、二环戊基二乙氧基硅烷、二环戊基二丙氧基硅烷、二环戊基二异丙氧基硅烷、二环己基二甲氧基硅烷、二环己基二乙氧基硅烷、二环己基二丙氧基硅烷、二环己基二异丙氧基硅烷、二环己烯基二甲氧基硅烷、二环己烯基二乙氧基硅烷、二环己烯基二丙氧基硅烷、二环己烯基二异丙氧基硅烷、二环己烯基乙基二甲氧基硅烷、二环己烯基乙基二乙氧基硅烷、二环己烯基乙基二丙氧基硅烷、二环己烯基乙基二异丙氧基硅烷、二环辛基二甲氧基硅烷、二环辛基二乙氧基硅烷、二环辛基二丙氧基硅烷、二环辛基二异丙氧基硅烷、二环戊二烯基丙基二甲氧基硅烷、二环戊二烯基丙基二乙氧基硅烷、二环戊二烯基丙基二丙氧基硅烷、二环戊二烯基丙基二异丙氧基硅烷、二(双环庚烯基)二甲氧基硅烷、二(双环庚烯基)二乙氧基硅烷、二(双环庚烯基)二丙氧基硅烷、二(双环庚烯基)二异丙氧基硅烷、二(双环庚基)二甲氧基硅烷、二(双环庚基)二乙氧基硅烷、二(双环庚基)二丙氧基硅烷、二(双环庚基)二异丙氧基硅烷、二金刚烷基二甲氧基硅烷、二金刚烷基二乙氧基硅烷、二金刚烷基二丙氧基硅烷、二金刚烷基二异丙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅烷、二苯基二丙氧基硅烷、二苯基二异丙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、二甲基乙基甲氧基硅烷、二甲基乙基乙氧基硅烷、二甲基苯基甲氧基硅烷、二甲基苯基乙氧基硅烷、二甲基苄基甲氧基硅烷、二甲基苄基乙氧基硅烷、二甲基苯乙基甲氧基硅烷、二甲基苯乙基乙氧基硅烷等。
上述化合物优选例示：四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、异丙基三甲氧基硅烷、异丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、环戊基三甲氧基硅烷、环戊基三乙氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、环己基三乙氧基硅烷、环己烯基三甲氧基硅烷、环己烯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苄基三甲氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、苯乙基三甲氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、甲基乙基二乙氧基硅烷、二丙基二甲氧基硅烷、二丁基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、二甲基乙基甲氧基硅烷、二甲基苯基甲氧基硅烷、二甲基苄基甲氧基硅烷、二甲基苯乙基甲氧基硅烷等。
对应如上所例示作为水解性单体(Sm)的化合物的上述R1、R2、R3表示的有机基团的另外的例子可列举具有1个以上的碳-氧单键或碳-氧双键的有机基团。具体而言，为具有选自由醚键、酯键、烷氧基、羟基等组成的群组中的1种以上的基团的有机基团。该例可列举如下通式(Sm-R)表示的有机基团。
(P-Q1-(S1)v1-Q2-)u-(T)v2-Q3-(S2)v3-Q4-(Sm-R)
通式(Sm-R)中，P为氢原子、环状醚基、羟基、碳数1～4的烷氧基、碳数1～6的烷基羰基氧基、或碳数1～6的烷基羰基，Q1、Q2、Q3、及Q4各自独立地为-CqH(2q-p)Pp-，式中，P同于上述，p为0～3的整数，q为0～10的整数，但是，q＝0表示单键，u为0～3的整数，S1与S2各自独立地表示-O-、-CO-、-OCO-、-COO-或-OCOO-。v1、v2、及v3各自独立地表示0或1。T为由碳以外的2价原子、脂环、芳香环或杂环构成的2价基团。T为也可含有氧原子等杂原子的脂环、芳香环或杂环的例子如下所示。T和Q2与和Q3键结的位置并没有特别限制，可考虑立体性因素所致的反应性、反应所使用的市售试剂的取得性等而适当地选择。
[化14]
Figure BDA0002687176200000211
通式(Sm-R)中的具有1个以上的碳-氧单键或碳-氧双键的有机基团的理想例可列举如下。另外，下式中，(Si)是用来表示和Si的键结位置而记载。
[化15]
Figure BDA0002687176200000221
[化16]
Figure BDA0002687176200000231
此外，R1、R2、R3的有机基团的例子也可使用含有硅-硅键的有机基团。具体而言可列举如下所述的有机基团。
[化17]
Figure BDA0002687176200000241
此外，R1、R2、R3的有机基团的例子也可使用具有因酸而分解的保护基的有机基团。具体而言可列举：日本特开2013-167669号公报的(0043)段落至(0048)段落所列举的有机基团、得自于日本特开2013-224279号公报的(0056)段落所例示的硅化合物的有机基团。
此外，R1、R2、R3的有机基团的例子也可使用具有氟原子的有机基团。具体而言可列举：得自于日本特开2012-53253号公报的(0059)段落至(0065)段落所例示的硅化合物的有机基团。
上述水解性单体(Sm)是于上述部分结构中，在以(Si)表示的硅上键结1个、2个或3个氯、溴、碘、乙酰氧基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基等作为水解性基团。
[热交联性聚硅氧烷(Sx)的合成方法]
(合成方法1：酸催化剂)
本发明的热交联性聚硅氧烷(Sx)可通过将1种水解性单体(Sm)或2种以上的混合物在酸催化剂的存在下实施水解缩合来制造。
此时使用的酸催化剂可列举甲酸、乙酸、草酸、马来酸、甲磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸等有机酸；氢氟酸、盐酸、氢溴酸、硫酸、硝酸、过氯酸、磷酸等无机酸。催化剂的使用量相对于单体1摩尔，为1×10-6～10摩尔，优选为1×10-5～5摩尔，更优选为1×10-4～1摩尔。
从这些单体利用水解缩合来获得热交联性聚硅氧烷(Sx)时的水的量就键结于单体的水解性取代基每1摩尔而言，优选添加0.01～100摩尔，更优选添加0.05～50摩尔，进一步优选添加0.1～30摩尔。如果为100摩尔以下，则反应所使用的装置较小，较为经济。
操作方法为在催化剂水溶液中添加单体并使水解缩合反应开始。此时，也可在催化剂水溶液中添加有机溶剂，也可将单体利用有机溶剂进行稀释，也可实施两者。反应温度为0～100℃，优选为5～80℃。优选为在单体滴加时保持温度于5～80℃，其后在20～80℃使其熟成的方法。
可添加到催化剂水溶液中的有机溶剂、或可稀释单体的有机溶剂优选为甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、乙腈、四氢呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、甲基戊基酮、丁烷二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丁烷二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸叔丁酯、丙酸叔丁酯、丙二醇单叔丁醚乙酸酯、γ-丁内酯及它们的混合物等。
这些溶剂之中，理想为水溶性的溶剂。例如可例举：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇类；乙二醇、丙二醇等多元醇；丁烷二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丁烷二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丁烷二醇单丙醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚等多元醇缩合物衍生物；丙酮、乙腈、四氢呋喃等。其中特别理想为沸点为100℃以下的溶剂。
另外，有机溶剂的使用量相对于单体1摩尔，为0～1,000ml，特别优选为0～500ml。有机溶剂的使用量较少的话，反应容器较小，较为经济。
其后，如果有需要则实施催化剂的中和反应，并获得反应混合物水溶液。此时，中和能使用的碱性物质的量相对于催化剂所使用的酸，优选为0.1～2当量。该碱性物质如果在水中呈现碱性，则可为任意的物质。
然后，优选利用减压去除等从反应混合物去除水解缩合反应所生成的醇等副产物。此时加热反应混合物的温度取决于所添加的有机溶剂与反应所产生的醇等的种类，优选为0～100℃，更优选为10～90℃，进一步优选为15～80℃。此外，此时的减压度取决于欲去除的有机溶剂及醇等的种类、排气装置、冷凝浓缩装置及加热温度而不同，优选为大气压力以下，更优选为以绝对压力计80kPa以下，进一步优选为以绝对压力计50kPa以下。正确地得知此时去除的醇量并不容易，但去除约80质量％以上的生成的醇等较为理想。
然后，也可从反应混合物将水解缩合所使用的酸催化剂去除。去除酸催化剂的方法为将水与热交联性聚硅氧烷溶液混合，并利用有机溶剂萃取热交联性聚硅氧烷。此时使用的有机溶剂优选为可溶解热交联性聚硅氧烷，且使其和水混合的话会分离成2层的有机溶剂。例如可列举：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氢呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、环己酮、甲基戊基酮、丁烷二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丁烷二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丁烷二醇单丙醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸叔丁酯、丙酸叔丁酯、丙二醇单叔丁醚乙酸酯、γ-丁内酯、甲基异丁基酮、环戊基甲醚及它们的混合物等。
此外，也可使用水溶性有机溶剂与水难溶性有机溶剂的混合物。例如优选为甲醇-乙酸乙酯混合物、乙醇-乙酸乙酯混合物、1-丙醇-乙酸乙酯混合物、2-丙醇-乙酸乙酯混合物、丁烷二醇单甲醚-乙酸乙酯混合物、丙二醇单甲醚-乙酸乙酯混合物、乙二醇单甲醚-乙酸乙酯混合物、丁烷二醇单乙醚-乙酸乙酯混合物、丙二醇单乙醚-乙酸乙酯混合物、乙二醇单乙醚-乙酸乙酯混合物、丁烷二醇单丙醚-乙酸乙酯混合物、丙二醇单丙醚-乙酸乙酯混合物、乙二醇单丙醚-乙酸乙酯混合物、甲醇-甲基异丁基酮混合物、乙醇-甲基异丁基酮混合物、1-丙醇-甲基异丁基酮混合物、2-丙醇-甲基异丁基酮混合物、丙二醇单甲醚-甲基异丁基酮混合物、乙二醇单甲醚-甲基异丁基酮混合物、丙二醇单乙醚-甲基异丁基酮混合物、乙二醇单乙醚-甲基异丁基酮混合物、丙二醇单丙醚-甲基异丁基酮混合物、乙二醇单丙醚-甲基异丁基酮混合物、甲醇-环戊基甲醚混合物、乙醇-环戊基甲醚混合物、1-丙醇-环戊基甲醚混合物、2-丙醇-环戊基甲醚混合物、丙二醇单甲醚-环戊基甲醚混合物、乙二醇单甲醚-环戊基甲醚混合物、丙二醇单乙醚-环戊基甲醚混合物、乙二醇单乙醚-环戊基甲醚混合物、丙二醇单丙醚-环戊基甲醚混合物、乙二醇单丙醚-环戊基甲醚混合物、甲醇-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、乙醇-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、1-丙醇-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、2-丙醇-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、丙二醇单甲醚-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、乙二醇单甲醚-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、丙二醇单乙醚-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、乙二醇单乙醚-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、丙二醇单丙醚-丙二醇甲醚乙酸酯混合物、乙二醇单丙醚-丙二醇甲醚乙酸酯混合物等，但组合并不限于此。
另外，水溶性有机溶剂与水难溶性有机溶剂的混合比例可适当地选择，水溶性有机溶剂相对于水难溶性有机溶剂100质量份，为0.1～1,000质量份，优选为1～500质量份，更优选为2～100质量份。
然后，也可以中性水进行清洗。该水如果使用通常被称为去离子水、超纯水者即可。该水的量相对于热交联性聚硅氧烷溶液1L，为0.01～100L，优选为0.05～50L，更优选为0.1～5L。该清洗方法如果为将两者放入相同的容器并搅拌后静置将水层分离即可。清洗次数为1次以上即可，即使清洗10次以上也无法获得相应的清洗效果，因此优选为约1～5次。
其它将酸催化剂去除的方法可列举利用离子交换树脂所为的方法、以环氧乙烷、环氧丙烷等环氧化合物中和后予以去除的方法。这些方法可配合反应所使用的酸催化剂而适当地选择。
利用此时的水洗操作，热交联性聚硅氧烷的一部分会逃往水层，有时会得到实质上和分级操作同等的效果，因此水洗次数、清洗水的量视催化剂去除效果与分级效果而适当地选择即可。
无论将最终的溶剂添加于残留有酸催化剂的热交联性聚硅氧烷溶液及去除了酸催化剂的热交联性聚硅氧烷溶液中的任一种，并于减压下进行溶剂交换，都会获得期望的热交联性聚硅氧烷溶液。此时溶剂交换的温度取决于欲去除的反应溶剂、萃取溶剂的种类，优选为0～100℃，更优选为10～90℃，进一步优选为15～80℃。此外，此时的减压度取决于欲去除的萃取溶剂的种类、排气装置、冷凝浓缩装置及加热温度而不同，优选为大气压力以下，更优选为以绝对压力计80kPa以下，进一步优选为以绝对压力计50kPa以下。
此时，因为变更溶剂有时会有热交联性聚硅氧烷变得不稳定的情况。这是取决于最终的溶剂与热交联性聚硅氧烷的兼容性(compatibility)而会发生，为了防止该情况，也可添加日本特开2009-126940号公报(0181)～(0182)段落所记载的具有环状醚作为取代基的1元或2元以上的醇作为稳定剂。添加量相对于溶剂交换前的溶液中的热交联性聚硅氧烷100质量份，为0～25质量份，优选为0～15质量份，更优选为0～5质量份，但有添加时优选为0.5质量份以上。溶剂交换前的溶液中如果有需要，也可添加具有环状醚作为取代基的1元或2元以上的醇后实施溶剂交换操作。
热交联性聚硅氧烷如果浓缩到一定浓度以上的话，会有缩合反应更进一步进行，并变化成无法再溶解于有机溶剂的状态的疑虑，因此优选事先制成适当的浓度的溶液状态。此外，过于稀薄的话，溶剂的量变得过多，因此事先制成适当的浓度的溶液状态较为经济且理想。此时的浓度优选为0.1～20质量％。
添加于热交联性聚硅氧烷溶液中的最终的溶剂优选为醇系溶剂，特别优选为乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、丁烷二醇等的单烷基醚衍生物。具体而言，优选为丁烷二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丁烷二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丁烷二醇单丙醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚、二丙酮醇等。
这些溶剂如果为主成分，则也可添加非醇系溶剂作为辅助溶剂。该辅助溶剂可例示丙酮、四氢呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、环己酮、甲基戊基酮、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸叔丁酯、丙酸叔丁酯、丙二醇单叔丁醚乙酸酯、γ-丁内酯、甲基异丁基酮、环戊基甲醚等。
此外，使用了酸催化剂的另一反应操作是于单体或单体的有机溶液中添加水或含水有机溶剂并使水解反应开始。此时催化剂可添加在单体或单体的有机溶液中，也可添加在水或含水有机溶剂中。反应温度为0～100℃，优选为10～80℃。优选为在水滴加时加热到10～50℃，其后升温到20～80℃使其熟成的方法。
使用有机溶剂时，优选为水溶性的有机溶剂，可列举：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氢呋喃、乙腈、丁烷二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丁烷二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丁烷二醇单丙醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单丙醚等多元醇缩合物衍生物及它们的混合物等。
有机溶剂的使用量相对于单体1摩尔，为0～1,000ml，特别优选为0～500ml。有机溶剂的使用量较少则反应容器较小，较为经济。得到的反应混合物的后处理可和前述方法同样地进行后处理，并获得热交联性聚硅氧烷。
(合成方法2：碱催化剂)
此外，热交联性聚硅氧烷(Sx)可通过将1种水解性单体(Sm)或2种以上的混合物在碱催化剂的存在下实施水解缩合来制造。此时使用的碱催化剂可列举：甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙二胺、六亚甲二胺、二甲胺、二乙胺、乙基甲胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、环己胺、二环己胺、单乙醇胺、二乙醇胺、二甲基单乙醇胺、单甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮杂双环辛烷、二氮杂双环环壬烯、二氮杂双环十一烯、六亚甲四胺、苯胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、N,N-二甲基氨基吡啶、吡咯、哌嗪、吡咯烷、哌啶、甲吡啶、氢氧化四甲基铵、氢氧化胆碱、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、氨、氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡、氢氧化钙等。催化剂的使用量相对于硅单体1摩尔，为1×10-6摩尔～10摩尔，优选为1×10-5摩尔～5摩尔，更优选为1×10-4摩尔～1摩尔。
从上述单体利用水解缩合来获得热交联性聚硅氧烷时的水的量就键结于单体的水解性取代基每1摩尔而言，优选添加0.1～50摩尔。如果为50摩尔以下，则反应所使用的装置较小，较为经济。
操作方法为在催化剂水溶液中添加单体并使水解缩合反应开始。此时，也可在催化剂水溶液中添加有机溶剂，也可将单体利用有机溶剂进行稀释，也可实施两者。反应温度为0～100℃，优选为5～80℃。优选为在单体滴加时保持温度于5～80℃，其后在20～80℃使其熟成的方法。
可添加到碱催化剂水溶液中的有机溶剂、或可稀释单体的有机溶剂优选使用和例示作为可添加到酸催化剂水溶液中的有机溶剂同样者。另外，为了经济地实施反应，有机溶剂的使用量相对于单体1摩尔优选为0～1,000ml。
其后，如果有需要则实施催化剂的中和反应，并获得反应混合物水溶液。此时，中和能使用的酸性物质的量相对于催化剂所使用的碱性物质，优选为0.1～2当量。该酸性物质如果在水中呈现酸性，则可为任意的物质。
然后，优选利用减压去除等从反应混合物去除水解缩合反应所生成的醇等副产物。此时加热反应混合物的温度取决于所添加的有机溶剂与反应所产生的醇的种类，但优选为0～100℃，更优选为10～90℃，进一步优选为15～80℃。此外，此时的减压度取决于欲去除的有机溶剂及醇的种类、排气装置、冷凝浓缩装置及加热温度而不同，优选为大气压力以下，更优选为以绝对压力计80kPa以下，进一步优选为以绝对压力计50kPa以下。正确地得知此时去除的醇量并不容易，但去除约80质量％以上的生成的醇较为理想。
然后，为了去除水解缩合所使用的碱催化剂，而利用有机溶剂萃取热交联性聚硅氧烷。此时使用的有机溶剂优选为可溶解热交联性聚硅氧烷，且使其和水混合的话会分离成2层的有机溶剂。例如可列举：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氢呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、环己酮、甲基戊基酮、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸叔丁酯、丙酸叔丁酯、丙二醇单叔丁醚乙酸酯、γ-丁内酯、甲基异丁基酮、环戊基甲醚、及它们的混合物等。
此外，也可使用水溶性有机溶剂与水难溶性有机溶剂的混合物。
去除碱催化剂时所使用的有机溶剂的具体例可使用：作为去除酸催化剂时所使用者而具体地例示的上述有机溶剂、或和水溶性有机溶剂与水难性有机溶剂的混合物同样者。
另外，水溶性有机溶剂与水难溶性有机溶剂的混合比例可适当地选择，水溶性有机溶剂相对于难溶性有机溶剂100质量份，为0.1～1,000质量份，优选为1～500质量份，更优选为2～100质量份。
然后，以中性水进行清洗。该水如果使用通常被称为去离子水、超纯水者即可。该水的量相对于热交联性聚硅氧烷溶液1L，为0.01～100L，优选为0.05～50L，更优选为0.1～5L。该清洗方法如果为将两者放入相同的容器并搅拌后静置将水层分离即可。清洗次数为1次以上即可，即使清洗10次以上也无法获得相应的清洗效果，因此优选为约1～5次。
于清洗完毕的热交联性聚硅氧烷溶液中添加最终的溶剂，并于减压下进行溶剂交换，从而获得期望的热交联性聚硅氧烷溶液。此时溶剂交换的温度取决于欲去除的萃取溶剂的种类，优选为0～100℃，更优选为10～90℃，进一步优选为15～80℃。此外，此时的减压度取决于欲去除的萃取溶剂的种类、排气装置、冷凝浓缩装置及加热温度而不同，优选为大气压力以下，更优选为以绝对压力计80kPa以下，进一步优选为以绝对压力计50kPa以下。
添加于热交联性聚硅氧烷溶液中的最终的溶剂优选为醇系溶剂，特别优选为乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等的单烷基醚、丙二醇、二丙二醇等的单烷基醚。具体而言，优选为丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚、二丙酮醇等。
此外，使用了碱催化剂的另一反应操作是于单体或单体的有机溶液中添加水或含水有机溶剂并使水解反应开始。此时催化剂可添加在单体或单体的有机溶液中，也可添加在水或含水有机溶剂中。反应温度为0～100℃，优选为10～80℃。优选为在水滴加时加热到10～50℃，其后升温到20～80℃使其熟成的方法。
可使用作为单体的有机溶液或含水有机溶剂的有机溶剂优选为水溶性者，可列举：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氢呋喃、乙腈、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单丙醚等多元醇缩合物衍生物及它们的混合物等。
利用上述合成方法1或2获得的热交联性聚硅氧烷的分子量不仅可通过单体的选择来调整，还可通过控制聚合时的反应条件来调整，优选使用重均分子量100,000以下者，更优选使用200～50,000者，进一步优选使用300～30,000者。重均分子量如果为100,000以下，则不会有异物的产生、发生涂布不均的情况。另外，上述重均分子量相关的数据是利用使用RI作为检测器并使用四氢呋喃作为洗脱溶剂的凝胶渗透色谱法(GPC)，并使用聚苯乙烯作为标准物质，以聚苯乙烯换算来表示分子量。
本发明使用的热交联性聚硅氧烷的物性取决于水解缩合时所使用的酸或碱催化剂的种类、反应条件而不同。因此，可配合作为目的的抗蚀剂下层膜的性能而适当地选择。
此外，还可使用将1种或2种以上的水解性单体(Sm)与下述通式(Mm)表示的水解性金属化合物的混合物以使用前述酸或碱催化剂的条件制造而得的聚硅氧烷衍生物，作为抗蚀剂下层膜形成用组合物的成分。
[化18]
U(OR7)m7(OR8)m8 (Mm)
式中，R7、R8为碳数1～30的有机基团，m7+m8为依U的种类而决定的和价数相同的数，m7、m8为0以上的整数，U为周期表的III族、IV族、或V族的元素，且排除碳及硅。
此时使用的上述通式(Mm)表示的水解性金属化合物可例示如下。
U为硼时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基硼、乙氧基硼、丙氧基硼、丁氧基硼、戊氧基硼、己氧基硼、环戊氧基硼、环己氧基硼、烯丙氧基硼、苯氧基硼、甲氧基乙氧基硼、硼酸、氧化硼等作为单体。
U为铝时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基铝、乙氧基铝、丙氧基铝、丁氧基铝、戊氧基铝、己氧基铝、环戊氧基铝、环己氧基铝、烯丙氧基铝、苯氧基铝、甲氧基乙氧基铝、乙氧基乙氧基铝、二丙氧基乙基乙酰乙酸铝、二丁氧基乙基乙酰乙酸铝、丙氧基双乙基乙酰乙酸铝、丁氧基双乙基乙酰乙酸铝、2,4-戊二酮酸铝、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸铝等作为单体。
U为镓时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基镓、乙氧基镓、丙氧基镓、丁氧基镓、戊氧基镓、己氧基镓、环戊氧基镓、环己氧基镓、烯丙氧基镓、苯氧基镓、甲氧基乙氧基镓、乙氧基乙氧基镓、二丙氧基乙基乙酰乙酸镓、二丁氧基乙基乙酰乙酸镓、丙氧基双乙基乙酰乙酸镓、丁氧基双乙基乙酰乙酸镓、2,4-戊二酮酸镓、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸镓等作为单体。
U为钇时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基钇、乙氧基钇、丙氧基钇、丁氧基钇、戊氧基钇、己氧基钇、环戊氧基钇、环己氧基钇、烯丙氧基钇、苯氧基钇、甲氧基乙氧基钇、乙氧基乙氧基钇、二丙氧基乙基乙酰乙酸钇、二丁氧基乙基乙酰乙酸钇、丙氧基双乙基乙酰乙酸钇、丁氧基双乙基乙酰乙酸钇、2,4-戊二酮酸钇、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸钇等作为单体。
U为锗时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基锗、乙氧基锗、丙氧基锗、丁氧基锗、戊氧基锗、己氧基锗、环戊氧基锗、环己氧基锗、烯丙氧基锗、苯氧基锗、甲氧基乙氧基锗、乙氧基乙氧基锗等作为单体。
U为钛时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基钛、乙氧基钛、丙氧基钛、丁氧基钛、戊氧基钛、己氧基钛、环戊氧基钛、环己氧基钛、烯丙氧基钛、苯氧基钛、甲氧基乙氧基钛、乙氧基乙氧基钛、二丙氧基双乙基乙酰乙酸钛、二丁氧基双乙基乙酰乙酸钛、二丙氧基双2,4-戊二酮酸钛、二丁氧基双2,4-戊二酮酸钛等作为单体。
U为铪时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基铪、乙氧基铪、丙氧基铪、丁氧基铪、戊氧基铪、己氧基铪、环戊氧基铪、环己氧基铪、烯丙氧基铪、苯氧基铪、甲氧基乙氧基铪、乙氧基乙氧基铪、二丙氧基双乙基乙酰乙酸铪、二丁氧基双乙基乙酰乙酸铪、二丙氧基双2,4-戊二酮酸铪、二丁氧基双2,4-戊二酮酸铪等作为单体。
U为锡时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基锡、乙氧基锡、丙氧基锡、丁氧基锡、苯氧基锡、甲氧基乙氧基锡、乙氧基乙氧基锡、2,4-戊二酮酸锡、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸锡等作为单体。
U为砷时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基砷、乙氧基砷、丙氧基砷、丁氧基砷、苯氧基砷等作为单体。
U为锑时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基锑、乙氧基锑、丙氧基锑、丁氧基锑、苯氧基锑、乙酸锑、丙酸锑等作为单体。
U为铌时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基铌、乙氧基铌、丙氧基铌、丁氧基铌、苯氧基铌等作为单体。
U为钽时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基钽、乙氧基钽、丙氧基钽、丁氧基钽、苯氧基钽等作为单体。
U为铋时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基铋、乙氧基铋、丙氧基铋、丁氧基铋、苯氧基铋等作为单体。
U为磷时，通式(Mm)表示的化合物可例示磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、亚磷酸三甲酯、亚磷酸三乙酯、亚磷酸三丙酯、五氧化二磷等作为单体。
U为钒时，通式(Mm)表示的化合物可例示双(2,4-戊二酮酸)氧化钒、2,4-戊二酮酸钒、三丁氧基氧化钒、三丙氧基氧化钒等作为单体。
U为锆时，通式(Mm)表示的化合物可例示甲氧基锆、乙氧基锆、丙氧基锆、丁氧基锆、苯氧基锆、双(2,4-戊二酮酸)二丁氧基锆、双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)二丙氧基锆等作为单体。
(产酸剂)
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物也可更调配1种或2种以上的产酸剂。产酸剂如果为以热致产酸剂、光致产酸剂、酸增殖剂等酸前驱体的形式而作用的物质，则可使用任一种，本发明中调配的产酸剂更优选为作为锍盐且利用高能射线的作用而产生酸的光致产酸剂。更具体而言，可例示：日本特开2009-126940号公报(0160)～(0179)段落所记载的材料，但不限于此。
[其它成分]
(交联催化剂(Xc))
本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物除了调配前述通式(A-1)表示的季铵盐之外，也可调配其它交联催化剂(Xc)。可调配的交联催化剂(Xc)可列举下述通式(Xc0)表示的化合物。
LaHbA (Xc0)
式中，L为锂、钠、钾、铷、铯、锍、碘鎓、鏻或铵，A为非亲核性反荷离子，a为1以上的整数，b为0或1以上的整数，且a+b为非亲核性反荷离子的价数。
就具体的(Xc0)而言，本发明使用的交联催化剂(Xc)可列举下述通式(Xc-1)的锍盐、(Xc-2)的碘鎓盐、(Xc-3)的鏻盐、(Xc-4)的铵盐、碱金属盐等。
锍盐(Xc-1)、碘鎓盐(Xc-2)、鏻盐(Xc-3)可例示如下。
[化19]
Figure BDA0002687176200000371
此外，铵盐(Xc-4)可例示如下。
[化20]
Figure BDA0002687176200000372
式中，R204、R205、R206、R207分别表示碳数1～12的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基等。此外，R205和R206也可形成环，形成环时，R205、R206分别表示碳数1～6的亚烷基。A-表示非亲核性反荷离子。R208、R209、R210、R211是和R204、R205、R206、R207同样，但也可为氢原子。R208和R209、R208和R209和R210也可形成环，形成环时，R208和R209以及R208和R209和R210表示碳数3～10的亚烷基。
上述R204、R205、R206、R207、R208、R209、R210、R211可互为相同也可不同，具体而言可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基等烷基；环戊基、环己基、环庚基、环丙基甲基、4-甲基环己基、环己基甲基、降冰片基、金刚烷基等。烯基可列举乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基等。氧代烷基可列举2-氧代环戊基、2-氧代环己基等，还可列举2-氧代丙基、2-环戊基-2-氧代乙基、2-环己基-2-氧代乙基、2-(4-甲基环己基)-2-氧代乙基等。芳基可列举苯基、萘基等、或对甲氧基苯基、间甲氧基苯基、邻甲氧基苯基、乙氧基苯基、对叔丁氧基苯基、间叔丁氧基苯基等烷氧基苯基；2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、乙基苯基、4-叔丁基苯基、4-丁基苯基、二甲基苯基等烷基苯基；甲基萘基、乙基萘基等烷基萘基；甲氧基萘基、乙氧基萘基等烷氧基萘基；二甲基萘基、二乙基萘基等二烷基萘基；二甲氧基萘基、二乙氧基萘基等二烷氧基萘基等。芳烷基可列举苄基、苯基乙基、苯乙基等。芳基氧代烷基可列举2-苯基-2-氧代乙基、2-(1-萘基)-2-氧代乙基、2-(2-萘基)-2-氧代乙基等2-芳基-2-氧代乙基等。
A-的非亲核性反荷离子可列举氢氧根离子、甲酸根离子、乙酸根离子、丙酸根离子、丁酸根离子、戊酸根离子、己酸根离子、庚酸根离子、辛酸根离子、壬酸根离子、癸酸根离子、油酸根离子、硬脂酸根离子、亚麻油酸根离子、次亚麻油酸根离子、苯甲酸根离子、邻苯二甲酸根离子、间苯二甲酸根离子、对苯二甲酸根离子、水杨酸根离子、三氟乙酸根离子、单氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子、氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子、氯酸根离子、溴酸根离子、甲磺酸根离子、对甲苯磺酸根离子、单甲基硫酸根离子等1价离子；1价或2价的草酸根离子、丙二酸根离子、甲基丙二酸根离子、乙基丙二酸根离子、丙基丙二酸根离子、丁基丙二酸根离子、二甲基丙二酸根离子、二乙基丙二酸根离子、琥珀酸根离子、甲基琥珀酸根离子、戊二酸根离子、己二酸根离子、衣康酸根离子、马来酸根离子、富马酸根离子、柠康酸根离子、柠檬酸根离子、碳酸根离子、硫酸根离子等。
碱金属盐可列举锂、钠、钾、铯、镁、钙的氢氧化盐、甲酸盐、乙酸盐、丙酸盐、丁酸盐、戊酸盐、己酸盐、庚酸盐、辛酸盐、壬酸盐、癸酸盐、油酸盐、硬脂酸盐、亚麻油酸盐、次亚麻油酸盐、苯甲酸盐、邻苯二甲酸盐、间苯二甲酸盐、对苯二甲酸盐、水杨酸盐、三氟乙酸盐、单氯乙酸盐、二氯乙酸盐、三氯乙酸盐等1价盐；1价或2价的草酸盐、丙二酸盐、甲基丙二酸盐、乙基丙二酸盐、丙基丙二酸盐、丁基丙二酸盐、二甲基丙二酸盐、二乙基丙二酸盐、琥珀酸盐、甲基琥珀酸盐、戊二酸盐、己二酸盐、衣康酸盐、马来酸盐、富马酸盐、柠康酸盐、柠檬酸盐、碳酸盐等。
具体而言，锍盐(Xc-1)可列举甲酸三苯基锍、乙酸三苯基锍、丙酸三苯基锍、丁酸三苯基锍、苯甲酸三苯基锍、邻苯二甲酸三苯基锍、间苯二甲酸三苯基锍、对苯二甲酸三苯基锍、水杨酸三苯基锍、三氟甲磺酸三苯基锍、三氟乙酸三苯基锍、单氯乙酸三苯基锍、二氯乙酸三苯基锍、三氯乙酸三苯基锍、氢氧化三苯基锍、硝酸三苯基锍、氯化三苯基锍、溴化三苯基锍、草酸三苯基锍、丙二酸三苯基锍、甲基丙二酸三苯基锍、乙基丙二酸三苯基锍、丙基丙二酸三苯基锍、丁基丙二酸三苯基锍、二甲基丙二酸三苯基锍、二乙基丙二酸三苯基锍、琥珀酸三苯基锍、甲基琥珀酸三苯基锍、戊二酸三苯基锍、己二酸三苯基锍、衣康酸三苯基锍、马来酸三苯基锍、富马酸三苯基锍、柠康酸三苯基锍、柠檬酸三苯基锍、碳酸三苯基锍、草酸双三苯基锍、马来酸双三苯基锍、富马酸双三苯基锍、柠康酸双三苯基锍、柠檬酸双三苯基锍、碳酸双三苯基锍等。
此外，碘鎓盐(Xc-2)具体而言可列举甲酸二苯基碘鎓盐、乙酸二苯基碘鎓盐、丙酸二苯基碘鎓盐、丁酸二苯基碘鎓盐、苯甲酸二苯基碘鎓盐、邻苯二甲酸二苯基碘鎓盐、间苯二甲酸二苯基碘鎓盐、对苯二甲酸二苯基碘鎓盐、水杨酸二苯基碘鎓盐、三氟甲磺酸二苯基碘鎓盐、三氟乙酸二苯基碘鎓盐、单氯乙酸二苯基碘鎓盐、二氯乙酸二苯基碘鎓盐、三氯乙酸二苯基碘鎓盐、氢氧化二苯基碘鎓盐、硝酸二苯基碘鎓盐、氯化二苯基碘鎓盐、溴化二苯基碘鎓盐、碘化二苯基碘鎓盐、草酸二苯基碘鎓盐、马来酸二苯基碘鎓盐、富马酸二苯基碘鎓盐、柠康酸二苯基碘鎓盐、柠檬酸二苯基碘鎓盐、碳酸二苯基碘鎓盐、草酸双二苯基碘鎓盐、马来酸双二苯基碘鎓盐、富马酸双二苯基碘鎓盐、柠康酸双二苯基碘鎓盐、柠檬酸双二苯基碘鎓盐、碳酸双二苯基碘鎓盐等。
此外，鏻盐(Xc-3)具体而言可列举甲酸四乙基鏻、乙酸四乙基鏻、丙酸四乙基鏻、丁酸四乙基鏻、苯甲酸四乙基鏻、邻苯二甲酸四乙基鏻、间苯二甲酸四乙基鏻、对苯二甲酸四乙基鏻、水杨酸四乙基鏻、三氟甲磺酸四乙基鏻、三氟乙酸四乙基鏻、单氯乙酸四乙基鏻、二氯乙酸四乙基鏻、三氯乙酸四乙基鏻、氢氧化四乙基鏻、硝酸四乙基鏻、氯化四乙基鏻、溴化四乙基鏻、碘化四乙基鏻、草酸四乙基鏻、马来酸四乙基鏻、富马酸四乙基鏻、柠康酸四乙基鏻、柠檬酸四乙基鏻、碳酸四乙基鏻、草酸双四乙基鏻、马来酸双四乙基鏻、富马酸双四乙基鏻、柠康酸双四乙基鏻、柠檬酸双四乙基鏻、碳酸双四乙基鏻、甲酸四苯基鏻、乙酸四苯基鏻、丙酸四苯基鏻、丁酸四苯基鏻、苯甲酸四苯基鏻、邻苯二甲酸四苯基鏻、间苯二甲酸四苯基鏻、对苯二甲酸四苯基鏻、水杨酸四苯基鏻、三氟甲磺酸四苯基鏻、三氟乙酸四苯基鏻、单氯乙酸四苯基鏻、二氯乙酸四苯基鏻、三氯乙酸四苯基鏻、氢氧化四苯基鏻、硝酸四苯基鏻、氯化四苯基鏻、溴化四苯基鏻、碘化四苯基鏻、草酸四苯基鏻、马来酸四苯基鏻、富马酸四苯基鏻、柠康酸四苯基鏻、柠檬酸四苯基鏻、碳酸四苯基鏻、草酸双四苯基鏻、马来酸双四苯基鏻、富马酸双四苯基鏻、柠康酸双四苯基鏻、柠檬酸双四苯基鏻、碳酸双四苯基鏻等。
另一方面，铵盐(Xc-4)具体而言可例示甲酸四甲基铵、乙酸四甲基铵、丙酸四甲基铵、丁酸四甲基铵、苯甲酸四甲基铵、邻苯二甲酸四甲基铵、间苯二甲酸四甲基铵、对苯二甲酸四甲基铵、水杨酸四甲基铵、三氟甲磺酸四甲基铵、三氟乙酸四甲基铵、单氯乙酸四甲基铵、二氯乙酸四甲基铵、三氯乙酸四甲基铵、氢氧化四甲基铵、硝酸四甲基铵、氯化四甲基铵、溴化四甲基铵、碘化四甲基铵、单甲基硫酸四甲基铵、草酸四甲基铵、丙二酸四甲基铵、马来酸四甲基铵、富马酸四甲基铵、柠康酸四甲基铵、柠檬酸四甲基铵、碳酸四甲基铵、草酸双四甲基铵、丙二酸双四甲基铵、马来酸双四甲基铵、富马酸双四甲基铵、柠康酸双四甲基铵、柠檬酸双四甲基铵、碳酸双四甲基铵、甲酸四乙基铵、乙酸四乙基铵、丙酸四乙基铵、丁酸四乙基铵、苯甲酸四乙基铵、邻苯二甲酸四乙基铵、间苯二甲酸四乙基铵、对苯二甲酸四乙基铵、水杨酸四乙基铵、三氟甲磺酸四乙基铵、三氟乙酸四乙基铵、单氯乙酸四乙基铵、二氯乙酸四乙基铵、三氯乙酸四乙基铵、氢氧化四乙基铵、硝酸四乙基铵、氯化四乙基铵、溴化四乙基铵、碘化四乙基铵、单甲基硫酸四乙基铵、草酸四乙基铵、丙二酸四乙基铵、马来酸四乙基铵、富马酸四乙基铵、柠康酸四乙基铵、柠檬酸四乙基铵、碳酸四乙基铵、草酸双四乙基铵、丙二酸双四乙基铵、马来酸双四乙基铵、富马酸双四乙基铵、柠康酸双四乙基铵、柠檬酸双四乙基铵、碳酸双四乙基铵、甲酸四丙基铵、乙酸四丙基铵、丙酸四丙基铵、丁酸四丙基铵、苯甲酸四丙基铵、邻苯二甲酸四丙基铵、间苯二甲酸四丙基铵、对苯二甲酸四丙基铵、水杨酸四丙基铵、三氟甲磺酸四丙基铵、三氟乙酸四丙基铵、单氯乙酸四丙基铵、二氯乙酸四丙基铵、三氯乙酸四丙基铵、氢氧化四丙基铵、硝酸四丙基铵、氯化四丙基铵、溴化四丙基铵、碘化四丙基铵、单甲基硫酸四丙基铵、草酸四丙基铵、丙二酸四丙基铵、马来酸四丙基铵、富马酸四丙基铵、柠康酸四丙基铵、柠檬酸四丙基铵、碳酸四丙基铵、草酸双四丙基铵、丙二酸双四丙基铵、马来酸双四丙基铵、富马酸双四丙基铵、柠康酸双四丙基铵、柠檬酸双四丙基铵、碳酸双四丙基铵、甲酸四丁基铵、乙酸四丁基铵、丙酸四丁基铵、丁酸四丁基铵、苯甲酸四丁基铵、邻苯二甲酸四丁基铵、间苯二甲酸四丁基铵、对苯二甲酸四丁基铵、水杨酸四丁基铵、三氟甲磺酸四丁基铵、三氟乙酸四丁基铵、单氯乙酸四丁基铵、二氯乙酸四丁基铵、三氯乙酸四丁基铵、氢氧化四丁基铵、硝酸四丁基铵、氯化四丁基铵、溴化四丁基铵、碘化四丁基铵、甲磺酸四丁基铵、单甲基硫酸四丁基铵、草酸四丁基铵、丙二酸四丁基铵、马来酸四丁基铵、富马酸四丁基铵、柠康酸四丁基铵、柠檬酸四丁基铵、碳酸四丁基铵、草酸双四丁基铵、丙二酸双四丁基铵、马来酸双四丁基铵、富马酸双四丁基铵、柠康酸双四丁基铵、柠檬酸双四丁基铵、碳酸双四丁基铵等。
碱金属盐可例示甲酸锂、乙酸锂、丙酸锂、丁酸锂、苯甲酸锂、邻苯二甲酸锂、间苯二甲酸锂、对苯二甲酸锂、水杨酸锂、三氟甲磺酸锂、三氟乙酸锂、单氯乙酸锂、二氯乙酸锂、三氯乙酸锂、氢氧化锂、硝酸锂、氯化锂、溴化锂、碘化锂、甲磺酸锂、草酸氢锂、丙二酸氢锂、马来酸氢锂、富马酸氢锂、柠康酸氢锂、柠檬酸氢锂、碳酸氢锂、草酸锂、丙二酸锂、马来酸锂、富马酸锂、柠康酸锂、柠檬酸锂、碳酸锂、甲酸钠、乙酸钠、丙酸钠、丁酸钠、苯甲酸钠、邻苯二甲酸钠、间苯二甲酸钠、对苯二甲酸钠、水杨酸钠、三氟甲磺酸钠、三氟乙酸钠、单氯乙酸钠、二氯乙酸钠、三氯乙酸钠、氢氧化钠、硝酸钠、氯化钠、溴化钠、碘化钠、甲磺酸钠、草酸氢钠、丙二酸氢钠、马来酸氢钠、富马酸氢钠、柠康酸氢钠、柠檬酸氢钠、碳酸氢钠、草酸钠、丙二酸钠、马来酸钠、富马酸钠、柠康酸钠、柠檬酸钠、碳酸钠、甲酸钾、乙酸钾、丙酸钾、丁酸钾、苯甲酸钾、邻苯二甲酸钾、间苯二甲酸钾、对苯二甲酸钾、水杨酸钾、三氟甲磺酸钾、三氟乙酸钾、单氯乙酸钾、二氯乙酸钾、三氯乙酸钾、氢氧化钾、硝酸钾、氯化钾、溴化钾、碘化钾、甲磺酸钾、草酸氢钾、丙二酸氢钾、马来酸氢钾、富马酸氢钾、柠康酸氢钾、柠檬酸氢钾、碳酸氢钾、草酸钾、丙二酸钾、马来酸钾、富马酸钾、柠康酸钾、柠檬酸钾、碳酸钾等。
本发明中，也可在抗蚀剂下层膜形成用组合物中调配含有铵盐、锍盐、鏻盐、碘鎓盐作为结构的一部分的聚硅氧烷(Xc-10)作为交联催化剂(Xc)。
用于制造此处使用的(Xc-10)的原料可使用下述通式(Xm)表示的化合物。
R1A A1R2A A2R3A A3Si(OR0A)(4-A1-A2-A3) (Xm)
式中，R0A为碳数1～6的烃基，R1A、R2A、R3A之中，至少一个为具有铵盐、锍盐、鏻盐、碘鎓盐的有机基团，其它则为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。A1、A2、A3为0或1，且1≤A1+A2+A3≤3。
在此，R0A可例示甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、苯基。
Xm例如可例示为具有锍盐作为结构的一部分的水解性硅化合物的下述通式(Xm-1)表示的化合物。
[化21]
Figure BDA0002687176200000431
式中，RSA1、RSA2分别表示碳数1～20的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、或碳数7～20的芳烷基或芳氧基烷基，且为这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基、卤素原子等的1价有机基团。此外，RSA1和RSA2也可和它们所键结的硫原子一起形成环，形成环时，RSA1、RSA2分别表示碳数1～6的亚烷基。RSA3为碳数1～20的直链状或支链状或环状亚烷基、亚烯基、碳数6～20的有取代或无取代的亚芳基或亚芳烷基、这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基等的2价有机基团。RSA1～RSA3在其链或环的中间也可具有氧原子或氮原子。
另外，上述通式(Xm-1)中，(Si)是用来表示和Si的键结位置而记载。
X-可列举氢氧根离子、氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、甲酸根离子、乙酸根离子、丙酸根离子、丁酸根离子、戊酸根离子、己酸根离子、庚酸根离子、辛酸根离子、壬酸根离子、癸酸根离子、油酸根离子、硬脂酸根离子、亚麻油酸根离子、次亚麻油酸根离子、苯甲酸根离子、对甲基苯甲酸根离子、对叔丁基苯甲酸根离子、邻苯二甲酸根离子、间苯二甲酸根离子、对苯二甲酸根离子、水杨酸根离子、三氟乙酸根离子、单氯乙酸根离子、二氯乙酸根离子、三氯乙酸根离子、硝酸根离子、氯酸根离子、过氯酸根离子、溴酸根离子、碘酸根离子、甲磺酸根离子、苯磺酸根离子、甲苯磺酸根离子、单甲基硫酸根离子、硫酸氢根离子、草酸根离子、丙二酸根离子、甲基丙二酸根离子、乙基丙二酸根离子、丙基丙二酸根离子、丁基丙二酸根离子、二甲基丙二酸根离子、二乙基丙二酸根离子、琥珀酸根离子、甲基琥珀酸根离子、戊二酸根离子、己二酸根离子、衣康酸根离子、马来酸根离子、富马酸根离子、柠康酸根离子、柠檬酸根离子、碳酸根离子等。
上述通式(Xm-1)表示的化合物的阳离子部分，具体而言可例示如下的离子。
[化22]
Figure BDA0002687176200000451
例如，具有碘鎓盐作为结构的一部分的水解性硅化合物可例示下述通式(Xm-2)。
[化23]
Figure BDA0002687176200000452
式中，RIA1表示碳数1～20的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、碳数7～20的芳烷基或芳基氧代烷基，且为这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基、卤素原子等的1价有机基团。RIA2为碳数1～20的直链状或支链状或环状亚烷基、亚烯基、碳数6～20的有取代或无取代的亚芳基或亚芳烷基、这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基等的2价有机基团。RIA1、RIA2在其链或环的中间也可具有氧原子或氮原子。
另外，上述通式(Xm-2)中，(Si)是用来表示和Si的键结位置而记载。X-同于上述。
上述通式(Xm-2)表示的化合物的阳离子部分，具体而言可例示如下的离子。
[化24]
Figure BDA0002687176200000461
例如，具有鏻盐作为结构的一部分的水解性硅化合物可例示下述通式(Xm-3)。
[化25]
Figure BDA0002687176200000462
式中，RPA1、RPA2、RPA3分别表示碳数1～20的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、碳数7～20的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基、卤素原子等。此外，RPA1和RPA2也可和它们所键结的磷原子一起形成环，形成环时，RPA1、RPA2分别表示碳数1～6的亚烷基。RPA4为碳数1～20的直链状或支链状或环状亚烷基、亚烯基、碳数6～20的有取代或无取代的亚芳基或亚芳烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基等。RPA1～RPA4在其链或环的中间也可具有氧原子或氮原子。
另外，上述通式(Xm-3)中，(Si)是用来表示和Si的键结位置而记载。X-同于上述。
上述通式(Xm-3)表示的化合物的阳离子部分，具体而言可例示如下的离子。
[化26]
Figure BDA0002687176200000481
[化27]
Figure BDA0002687176200000491
例如，具有铵盐作为结构的一部分的水解性硅化合物可例示下述通式(Xm-4)。
[化28]
Figure BDA0002687176200000492
式中，RNA1、RNA2、RNA3分别表示氢、碳数1～20的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、碳数7～20的芳烷基或芳氧基烷基，且为这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基等的1价有机基团。此外，RNA1和RNA2也可和它们所键结的氮原子一起形成环，形成环时，RNA1、RNA2分别表示碳数1～6的亚烷基或含氮的环状杂环、杂芳香环。RNA4为碳数1～23的直链状或支链状或环状亚烷基、亚烯基、碳数6～29的有取代或无取代的亚芳基或亚芳烷基，且为这些基团的一部分或全部的氢原子也可取代为烷氧基、氨基、烷基氨基等的2价有机基团，RNA1和RNA2、RNA1和RNA4形成环状结构且含有不饱和氮时nNA3＝0，除此之外nNA3＝1。RNA4在其链或环的中间也可具有氧原子或氮原子。
另外，上述通式(Xm-4)中，(Si)是用来表示和Si的键结位置而记载。X-同于上述。
上述通式(Xm-4)表示的化合物的阳离子部分，具体而言可例示如下的离子。
[化29]
Figure BDA0002687176200000501
[化30]
Figure BDA0002687176200000511
[化31]
Figure BDA0002687176200000521
[化32]
Figure BDA0002687176200000522
[化33]
Figure BDA0002687176200000531
[化34]
Figure BDA0002687176200000532
[化35]
Figure BDA0002687176200000541
[化36]
Figure BDA0002687176200000542
[化37]
Figure BDA0002687176200000551
[化38]
Figure BDA0002687176200000552
[化39]
Figure BDA0002687176200000561
[化40]
Figure BDA0002687176200000562
[化41]
Figure BDA0002687176200000571
为了制造(Xc-10)而和上述(Xm-1)、(Xm-2)、(Xm-3)、(Xm-4)同时使用的水解性硅化合物可例示上述水解性单体(Sm)。更可添加上述通式(Mm)表示的水解性金属化合物(Mm)。
如此，可选择所例示的单体(Xm-1)、(Xm-2)、(Xm-3)、(Xm-4)中的1种以上与(Sm)中的1种以上，如果有必要再选择(Mm)中的1种以上，并于反应前或反应中进行混合来制成形成(Xc-10)的反应原料。反应条件以和热交联性聚硅氧烷(Sx)的合成方法同样的方法即可。
得到的含硅的化合物(Xc-10)的分子量不仅可通过单体的选择来调整，还可通过控制聚合时的反应条件来调整，优选使用重均分子量100,000以下者，更优选使用200～50,000者，进一步优选使用300～30,000者。重均分子量如果为100,000以下，则不会有异物的产生、发生涂布不均的情况。另外，上述重均分子量相关的数据是利用使用RI作为检测器并使用四氢呋喃作为洗脱溶剂的凝胶渗透色谱法(GPC)，并使用聚苯乙烯作为标准物质，以聚苯乙烯换算来表示分子量。
另外，上述交联催化剂(Xc-1)、(Xc-2)、(Xc-3)、(Xc-4)、(Xc-10)可单独使用1种或将2种以上组合使用。交联催化剂的添加量，以和通式(A-1)表示的季铵盐的合计来表示，相对于基础聚合物(利用上述方法得到的含硅的化合物(Sx))100质量份，优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～40质量份。
(有机酸)
为了使本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物的稳定性改善，优选添加碳数为1～30的1价或2价以上的有机酸。此时所添加的酸可例示甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、油酸、硬脂酸、亚麻油酸、次亚麻油酸、苯甲酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、水杨酸、三氟乙酸、单氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、草酸、丙二酸、甲基丙二酸、乙基丙二酸、丙基丙二酸、丁基丙二酸、二甲基丙二酸、二乙基丙二酸、琥珀酸、甲基琥珀酸、戊二酸、己二酸、衣康酸、马来酸、富马酸、柠康酸、柠檬酸等。特别优选为草酸、马来酸、甲酸、乙酸、丙酸、柠檬酸等。此外，为了保持稳定性，也可将2种以上的酸混合使用。
有机酸的添加量相对于本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物所含的硅100质量份，为0.001～25质量份，优选为0.01～15质量份，更优选为0.1～5质量份。
或也可调配上述有机酸以使换算成本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物的pH成为0≤pH≤7较理想，更优选成为0.3≤pH≤6.5，进一步优选成为0.5≤pH≤6。
(水)
本发明中，也可在组合物中添加水。添加水的话，本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物中的聚硅氧烷化合物会进行水合，因此光刻性能会改善。本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物的溶剂成分中的水的含有率超过0质量％且低于50质量％，特别优选为0.3～30质量％，更优选为0.5～20质量％。水的添加量如果为上述范围内，则含硅的抗蚀剂下层膜的均匀性良好，也不会有产生缩孔的疑虑，也无光刻性能降低的疑虑。
包含水的全部溶剂的使用量相对于基础聚合物即聚硅氧烷化合物(Sx)100质量份，为100～100,000质量份，为200～50,000质量份特别理想。
(稳定剂)
此外，本发明可在组合物中添加稳定剂。稳定剂可添加具有环状醚作为取代基的1元或2元以上的醇。尤其添加日本特开2009-126940号公报(0181)～(0182)段落所记载的稳定剂的话，可使含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物的稳定性改善。
(表面活性剂)
此外，本发明可根据需要在组合物中调配表面活性剂。这样的表面活性剂，具体而言可添加日本特开2009-126940号公报(0185)段落所记载的材料。
(高沸点溶剂)
此外，本发明还可根据需要在组合物中添加沸点为180度以上的高沸点溶剂。该高沸点溶剂可例示1-辛醇、2-乙基己醇、1-壬醇、1-癸醇、1-十一醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、2,4-戊烷二醇、2-甲基-2,4-戊烷二醇、2,5-己烷二醇、2,4-庚烷二醇、2-乙基-1,3-己烷二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、甘油、γ-丁内酯、三丙二醇单甲醚、二丙酮醇、乙酸正壬酯、乙酸乙二醇单乙醚、1,2-二乙酰氧基乙烷、1-乙酰氧基-2-甲氧基乙烷、1,2-二乙酰氧基丙烷、乙酸二乙二醇单甲醚、乙酸二乙二醇单乙醚、乙酸二乙二醇单正丁醚、乙酸丙二醇单甲醚、乙酸丙二醇单丙醚、乙酸丙二醇单丁醚、乙酸二丙二醇单甲醚、乙酸二丙二醇单乙醚等。
[图案形成方法]
本发明的图案形成方法中的一种图案形成方法(所谓“多层抗蚀剂法”)，其特征为包含下列步骤：于被加工体上使用涂布型有机膜材料来形成有机膜、于上述有机膜之上使用上述本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的抗蚀剂下层膜、于上述含硅的抗蚀剂下层膜上使用由光致抗蚀剂组合物构成的抗蚀剂上层膜用组合物来形成抗蚀剂上层膜、于上述抗蚀剂上层膜形成电路图案、以上述形成有电路图案的上述抗蚀剂上层膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到上述含硅的抗蚀剂下层膜、以上述转印有图案的上述含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用蚀刻对有机膜进行图案转印、以上述转印有图案的上述有机膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到上述被加工体。
本发明的图案形成方法的另一种图案形成方法(所谓“多层抗蚀剂法”)，其特征为包含下列步骤：于被加工体上利用CVD法形成以碳作为主成分的硬掩模、于上述硬掩模之上使用上述本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的抗蚀剂下层膜、于上述含硅的抗蚀剂下层膜上使用由光致抗蚀剂组合物构成的抗蚀剂上层膜用组合物来形成抗蚀剂上层膜、于上述抗蚀剂上层膜形成电路图案、以上述形成有电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到上述含硅的抗蚀剂下层膜、以上述转印有图案的上述含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用干蚀刻对上述硬掩模进行图案转印、以上述转印有图案的上述硬掩模作为掩模并利用干蚀刻将图案转印到上述被加工体。
使用本发明的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成图案的话，如上所述般通过将硬掩模、有机膜的组合最适化，可将光致抗蚀剂所形成的超微细图案，以抑制图案崩塌且为良好的形状的方式形成于基板上。此外，图案形成后所残留的含硅的抗蚀剂下层膜的利用蚀刻等所为的去除容易，因此可抑制成为缺陷的原因的残渣，还可防止过量的蚀刻条件所导致的基板损坏。
如此般本发明的图案形成方法会抑制抗蚀剂上层膜的图案崩塌，且可形成良好的图案形状。此外，利用干蚀刻所为的朝含硅的抗蚀剂下层膜的图案转印优良，此外，图案化结束后所残留的含硅的抗蚀剂下层膜的去除容易，而不易产生残渣所导致的缺陷，因此尤其于微细的图案的形成为实用的图案形成方法。
另外，正型图案形成方法在光致抗蚀剂膜形成、加热处理后，实施曝光，通常使用碱显影液来实施碱显影，获得正型抗蚀剂图案。此外，曝光后优选实施曝光后烘烤(PEB)。
该碱显影液可使用氢氧化四甲基铵(TMAH)水溶液等。
于上述抗蚀剂上层膜形成电路图案的步骤中的图案形成优选利用波长为10nm以上且300nm以下的光学光刻、利用电子束所为的直接刻写、纳米压印或它们的组合所为的图案形成。
上述被加工体优选为半导体装置基板、金属膜、金属碳化膜、金属氧化膜、金属氮化膜、金属氧化碳化膜或金属氧化氮化膜。
上述被加工体为如此时，本发明的效果会更充分地发挥。
构成上述被加工体的金属优选为硅、镓、钛、钨、铪、锆、铬、锗、铜、银、金、铟、砷、钯、钽、铱、铝、铁、钼、钴或它们的合金。
构成上述被加工体的金属为上述特定金属时，本发明的效果会更充分地发挥。
[实施例]
以下，例示合成例及实施例与比较例来具体地说明本发明，但本发明不受这些记载限制。另外，下述例中％表示质量％，分子量Mw是利用GPC测定获得的经聚苯乙烯换算的重均分子量。
[合成例1]
于甲醇120g、10％硝酸0.1g及去离子水60g的混合物中，添加化合物(101)30.6g、化合物(102)38.1g及化合物(110)5.9g的混合物，于40℃保持12小时，使其进行水解缩合。反应结束后，添加丙二醇乙醚(PGEE)600g，于减压下馏去供于水解缩合的水分及副产物醇，获得聚硅氧烷化合物1的PGEE溶液440g(化合物浓度10％)。测定聚硅氧烷化合物1的经聚苯乙烯换算的分子量时，Mw＝2,900。
[合成例2～16]
以和合成例1同样的条件，使用表1所示的单体实施[合成例2]至[合成例16]，分别获得标的物。
[表1]
Figure BDA0002687176200000621
Figure BDA0002687176200000631
于下表示实施例、比较例所使用的化合物。
PhSi(OCH3)3…化合物(100)
CH3Si(OCH3)3…化合物(101)
Si(OCH3)4…化合物(102)
[化42]
Figure BDA0002687176200000632
[交联催化剂的合成例]
于甲醇120g、10％硝酸0.1g及去离子水60g的混合物中，添加化合物(101)61.3g及化合物(117)12.9g的混合物，于40℃保持12小时，使其进行水解缩合。反应结束后，添加丙二醇乙醚(PGEE)300g，于减压下馏去供于水解缩合的水分及副产物醇，获得含铵盐的聚硅氧烷化合物17的PGEE溶液250g(化合物浓度20％)。测定聚硅氧烷化合物17的经聚苯乙烯换算的分子量时，Mw＝1,500。
[实施例、比较例]
以表2～6所示的比例混合上述合成例得到的聚硅氧烷化合物1～16、作为交联催化剂的上述通式(A-1)表示的季铵盐或作为比较的交联催化剂、光致产酸剂(表7记载的PAG-1～7)、酸、溶剂、水，并利用0.1μm的氟树脂制的过滤器进行过滤，从而分别制备含硅的下层膜形成用组合物溶液，分别为溶液1～96。
[表2]
Figure BDA0002687176200000641
Figure BDA0002687176200000651
Figure BDA0002687176200000661
[表3]
Figure BDA0002687176200000662
Figure BDA0002687176200000671
[表4]
Figure BDA0002687176200000672
Figure BDA0002687176200000681
Figure BDA0002687176200000691
[表5]
Figure BDA0002687176200000692
Figure BDA0002687176200000701
Figure BDA0002687176200000711
[表6]
Figure BDA0002687176200000712
使用的交联催化剂如下所述。
XL-1…氢氧化三甲基苯基铵
XL-2…硝酸三甲基苯基铵
XL-3…碘化三乙基苯基铵
XL-4…氯化苄基二甲基苯基铵
XL-5…氯化二甲基二苯基铵
XL-6…氢氧化3-(三氟甲基)苯基三甲基铵
XL-7～17…参照下式
XL-18…硝酸四甲基铵
XL-19…硝酸四辛基铵
XL-20…碘化三甲基锍
XL-21··含铵盐的聚硅氧烷化合物17
[化43]
Figure BDA0002687176200000721
使用的溶剂如下所述。
PGEE…丙二醇乙醚
PGME…丙二醇甲醚
GBL…γ-丁内酯
DAA…二丙酮醇
[表7]
Figure BDA0002687176200000731
(EUV图案化试验)
于硅晶圆上，将含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物溶液1～96旋涂于硅基板上，并于220℃加热60秒，制得膜厚25nm的含硅的膜即膜1～96(聚硅氧烷抗蚀剂下层膜)。
然后，将以表8的比例使下述成分溶解而成的抗蚀剂材料旋涂于膜1～96上，并使用加热板于105℃预烘60秒，制得膜厚35nm的抗蚀剂膜。使用ASML公司制EUV扫描式曝光机NXE3300(NA0.33，σ0.9/0.6，四极照明，晶圆上尺寸为节距36nm的L/S图案)对其进行曝光，并于加热板上实施100℃、60秒的PEB，再以2.38质量％TMAH水溶液实施30秒的显影，获得尺寸18nm的线图案。
使用日立高新技术(股)制的测长SEM(CG5000)测定该线尺寸，于线宽15nm未观察到图案崩塌时评价为良好，观察到图案崩塌时评价为不良。此外，剖面形状利用日立高新技术(股)制电子显微镜(S-4800)进行观测，未观察到拖尾形状时评价为良好，观察到明显的拖尾形状时评价为不良。
使用的聚合物、淬灭剂、增感剂、表面活性剂及有机溶剂如下所述。
[化44]
Figure BDA0002687176200000741
[化45]
Figure BDA0002687176200000742
表面活性剂：3M公司制FC-4430
PGMEA：丙二醇单甲醚乙酸酯
CyHO：环己酮
PGME：丙二醇单甲醚
[表8]
Figure BDA0002687176200000751
(涂布膜蚀刻试验)
于硅晶圆上旋涂含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物溶液1～96，并于220℃加热60秒，于硅基板上制得膜厚25nm的含硅的膜即膜1～96。
利用下述蚀刻条件对这些膜实施蚀刻试验。
在下述条件下如果干蚀刻速度为44nm/min以上，则可谓具有充分的蚀刻速度。
利用CHF3/CF4系气体的蚀刻试验
装置：东京电子(股)制干蚀刻装置Telius SP
蚀刻试验：
Figure BDA0002687176200000752
上述试验的结果如表9～11所示。
[表9]
Figure BDA0002687176200000753
Figure BDA0002687176200000761
Figure BDA0002687176200000771
[表10]
Figure BDA0002687176200000772
Figure BDA0002687176200000781
Figure BDA0002687176200000791
[表11]
Figure BDA0002687176200000792
如表9～11所示，在使用本发明的上述通式(A-1)表示的季铵盐(XL-1～XL-17)作为交联催化剂的实施例1-1～1-92中，可观察到抑止图案崩塌的效果、良好的图案形状，且可确认具有充分的蚀刻速度。
另一方面，在使用和上述通式(A-1)表示的季铵盐不同的盐(XL-18～XL-21)作为交联催化剂的比较例1-1、1-3、1-4中，于线宽15nm可观察到图案崩塌，在比较例1-2、1-3、1-4中，可观察到明显的拖尾形状。此外，在比较例1-2、1-4中，确认不具有充分的蚀刻速度。
由上可确认使用本发明的上述通式(A-1)表示的季铵盐(XL-1～XL-17)作为交联催化剂时，具有比起现有技术优良的抑制图案崩塌的效果与良好的图案形成效果、及具有充分的蚀刻速度。
另外，本发明不限于上述实施形态。上述实施形态为例示，具有和本发明权利要求所记载的技术思想实质相同的构成、发挥同样的作用效果的形态，均意欲包含于本发明的技术范围内。

Claims (10)

1.一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征为至少含有：
下述通式(A-1)表示的季铵盐中的1种或2种以上，及
热交联性聚硅氧烷(Sx)；
Figure FDA0002687176190000012
式中，Ar1表示也可具有取代基的碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基；R11分别独立地表示碳数1～12的直链状或支链状或环状烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的有取代或无取代的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代；R11中的2个也可互相键结并形成环；Z-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
2.根据权利要求1所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述通式(A-1)表示的季铵盐以下述通式(A-2)表示；
Figure FDA0002687176190000011
式中，R11如上所述；Z1-表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子，且Z1-的共轭酸Z1-H的沸点为200℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述热交联性聚硅氧烷(Sx)含有下述通式(Sx-1)表示的重复单元、下述通式(Sx-2)表示的重复单元、及下述通式(Sx-3)表示的部分结构中的任一种以上；
Figure FDA0002687176190000021
式中，R1、R2、R3分别为可相同也可不同的碳数1～30的1价有机基团。
4.根据权利要求1或2所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，更含有产酸剂。
5.根据权利要求4所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述产酸剂为锍盐，且为利用高能射线的作用而产生酸的光致产酸剂。
6.一种图案形成方法，其特征为包含下列步骤：
于被加工体上使用涂布型有机膜材料来形成有机膜，
于所述有机膜之上使用根据权利要求1至5中任一项所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的抗蚀剂下层膜，
于所述含硅的抗蚀剂下层膜上使用由光致抗蚀剂组合物构成的抗蚀剂上层膜用组合物来形成抗蚀剂上层膜，
于所述抗蚀剂上层膜形成电路图案，
以所述形成有电路图案的所述抗蚀剂上层膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到所述含硅的抗蚀剂下层膜，
以所述转印有图案的所述含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用蚀刻对所述有机膜进行图案转印，及
以所述转印有图案的所述有机膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到所述被加工体。
7.一种图案形成方法，其特征为包含下列步骤：
于被加工体上利用CVD法形成以碳作为主成分的硬掩模，
于所述硬掩模之上使用根据权利要求1至5中任一项所述的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物来形成含硅的抗蚀剂下层膜，
于所述含硅的抗蚀剂下层膜上使用由光致抗蚀剂组合物构成的抗蚀剂上层膜用组合物来形成抗蚀剂上层膜，
于所述抗蚀剂上层膜形成电路图案，
以所述形成有电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩模并利用蚀刻将图案转印到所述含硅的抗蚀剂下层膜，
以所述转印有图案的所述含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模并利用干蚀刻对所述硬掩模进行图案转印，及
以所述转印有图案的所述硬掩模作为掩模并利用干蚀刻将图案转印到所述被加工体。
8.根据权利要求6或7所述的图案形成方法，其中，于所述抗蚀剂上层膜形成电路图案的步骤中的图案形成是利用波长为10nm以上且300nm以下的光学光刻、利用电子束所为的直接刻写、纳米压印或它们的组合所为的图案形成。
9.根据权利要求6或7所述的图案形成方法，其中，所述被加工体为半导体装置基板、金属膜、金属碳化膜、金属氧化膜、金属氮化膜、金属氧化碳化膜或金属氧化氮化膜。
10.根据权利要求6或7所述的图案形成方法，其中，构成所述被加工体的金属为硅、镓、钛、钨、铪、锆、铬、锗、铜、银、金、铟、砷、钯、钽、铱、铝、铁、钼、钴或它们的合金。
CN202010979904.9A 2019-09-19 2020-09-17 含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法 Pending CN112526822A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019169969 2019-09-19
JP2019-169969 2019-09-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112526822A true CN112526822A (zh) 2021-03-19

Family

ID=72613820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010979904.9A Pending CN112526822A (zh) 2019-09-19 2020-09-17 含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP3796086B1 (zh)
JP (1) JP7373470B2 (zh)
KR (1) KR102466095B1 (zh)
CN (1) CN112526822A (zh)
TW (1) TWI747505B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022244682A1 (ja) * 2021-05-19 2022-11-24 Jsr株式会社 半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物
WO2023054127A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
WO2024063044A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日産化学株式会社 シリコン含有レジスト下層膜形成用組成物

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050215713A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Hessell Edward T Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits
US20070172759A1 (en) * 2006-01-25 2007-07-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Antireflection film composition, substrate, and patterning process
US20090136869A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Tsutomu Ogihara Metal oxide-containing film-forming composition, metal oxide-containing film, metal oxide-containing film-bearing substrate, and patterning method
US20100210765A1 (en) * 2007-10-01 2010-08-19 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film-forming composition, production method of semiconductor device using the same, and additive for resist underlayer film-forming composition
US20130164545A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-27 Rohm And Haas Electric Materials Llc Compositions for antireflective coatings
JP2013173916A (ja) * 2011-12-21 2013-09-05 Dow Global Technologies Llc 反射防止被膜用の組成物
US20150357204A1 (en) * 2014-06-04 2015-12-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Quaternary ammonium salt compound, composition for forming a resist under layer film, and patterning process

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4781280B2 (ja) * 2006-01-25 2011-09-28 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、基板、及びパターン形成方法
JP4716037B2 (ja) 2006-04-11 2011-07-06 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
JP5621982B2 (ja) 2008-08-18 2014-11-12 日産化学工業株式会社 オニウム基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP5399347B2 (ja) 2010-09-01 2014-01-29 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
EP2669737A1 (en) * 2011-01-24 2013-12-04 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming resist underlayer films, containing silicon that bears diketone-structure-containing organic group
JP5882776B2 (ja) 2012-02-14 2016-03-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP5833492B2 (ja) 2012-04-23 2015-12-16 信越化学工業株式会社 ケイ素化合物、ポリシロキサン化合物、これを含むレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
CN104246614B (zh) 2012-04-23 2020-09-08 日产化学工业株式会社 含有添加剂的含硅极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物
JP5830041B2 (ja) * 2013-01-24 2015-12-09 信越化学工業株式会社 ポリシロキサン含有レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたパターン形成方法
KR20170140149A (ko) * 2015-04-17 2017-12-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 전자 디바이스용 밀봉제 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP6807226B2 (ja) * 2016-12-09 2021-01-06 東京応化工業株式会社 基材上に平坦化膜又はマイクロレンズを形成するために用いられるエネルギー感受性組成物、硬化体の製造方法、硬化体、マイクロレンズの製造方法、及びｃｍｏｓイメージセンサ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050215713A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Hessell Edward T Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits
US20070172759A1 (en) * 2006-01-25 2007-07-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Antireflection film composition, substrate, and patterning process
US20100210765A1 (en) * 2007-10-01 2010-08-19 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film-forming composition, production method of semiconductor device using the same, and additive for resist underlayer film-forming composition
US20090136869A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Tsutomu Ogihara Metal oxide-containing film-forming composition, metal oxide-containing film, metal oxide-containing film-bearing substrate, and patterning method
US20130164545A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-27 Rohm And Haas Electric Materials Llc Compositions for antireflective coatings
JP2013173916A (ja) * 2011-12-21 2013-09-05 Dow Global Technologies Llc 反射防止被膜用の組成物
US20150357204A1 (en) * 2014-06-04 2015-12-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Quaternary ammonium salt compound, composition for forming a resist under layer film, and patterning process

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210033922A (ko) 2021-03-29
EP3796086A1 (en) 2021-03-24
US20210088908A1 (en) 2021-03-25
EP3796086B1 (en) 2024-02-28
KR102466095B1 (ko) 2022-11-10
TW202116936A (zh) 2021-05-01
JP7373470B2 (ja) 2023-11-02
JP2021051292A (ja) 2021-04-01
TWI747505B (zh) 2021-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111208710B (zh) 含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法
CN111458980B (zh) 含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法
EP3680275B1 (en) Thermosetting silicon-containing compound, composition for forming a silicon-containing film, and patterning process
KR102473605B1 (ko) 규소 함유 레지스트 하층 막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법
CN112526822A (zh) 含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法
KR102477334B1 (ko) 규소 함유 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법
US12001138B2 (en) Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process
CN114660896A (zh) 含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination