CN112514184A - 光波导路型光合波器、光波导路型合波光源光学装置以及图像投射装置 - Google Patents

光波导路型光合波器、光波导路型合波光源光学装置以及图像投射装置 Download PDF

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Abstract

涉及光波导路型光合波器、光波导路型合波光源光学装置以及图像投射装置，在不设置附加的光衰减要素的情况下将来自光源的光束强度衰减至期望的值。射出在光合波器部分进行分配和合波后的光的多个光出射侧光波导路中的除了在驱动了多个光源的情况下能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路。

Description

光波导路型光合波器、光波导路型合波光源光学装置以及图 像投射装置
技术领域
本发明涉及光波导路型光合波器、光波导路型合波光源光学装置以及图像投射装置，例如，涉及用于在不设置附加的光衰减要素的情况下将来自光源的光束强度衰减至期望的值的结构等。
背景技术
以往，作为对多个激光束等光束进行合波并作为一个光束而放射的装置，公知有各种类型的光束合波光源装置。其中，组合半导体激光器和光波导路型合波器而得到的光束合波光源装置具有能够使装置小型化、低电力化的优点，应用于激光束扫描型彩色图像投射装置(例如，参照专利文献1至专利文献3)。
作为现有的组合半导体激光器和光波导路型光合波器而得到的光束合波光源，例如，具有专利文献3所示那样的对三原色的激光束进行合波的光束合波光源。
图28是本发明人的现有的光波导路型光合波器的概念的结构图(参照专利文献2)。具有由芯部层和包覆层构成的光入射用光波导路23～25、光合波部30以及光出射侧光波导路28，光入射用光波导路23在光合波部30的光耦合器31、32中与光入射用光波导路24进行光耦合。光入射用光波导路25在光合波部30的光耦合器33中与光入射用光波导路24进行光耦合。
蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42、红色半导体激光器芯片43设置于与各色对应的光入射用光波导路23～25的入射端。这里，光束在光入射用光波导路23～25的芯部层中传播，在光波导路型光合波器30中进行合波，之后从作为光入射用光波导路24的延长部的光出射侧光波导路28的出射端作为合波光而射出。
图29是本发明人提出的二维光扫描装置的概略立体图(参照专利文献6)，只要在形成有可动反射镜部84的基板85上设置光波导路型光合波器30，并使蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43与该光波导路型光合波器30耦合即可。由于可动反射镜部84被小型化，因此即使在与产生光束的光源一体化的情况下，一体化后的整体尺寸也能够变小。尤其是，在光束从半导体激光器芯片或光波导路型光合波器射出的光源的情况下，该半导体激光器芯片或光波导路型光合波器只要形成在Si基板或金属板基板之上即可，因此通过在该基板上形成光源和二维光扫描反射镜装置，具有一体化后的整体尺寸也能够变小的效果。
图30是本发明人提出的图像投射装置的概略的立体图(参照专利文献6)，组合了上述的二维扫描装置、对电磁线圈86施加二维光扫描信号而使从光源射出的出射光进行二维扫描的二维扫描控制部以及将进行扫描的出射光投射到被投射面的图像形成部。这里，作为眼镜型视网膜扫描显示器而进行说明。
在该图像形成装置中，控制单元90具有控制部91、操作部92、外部接口(I/F)93、R激光器驱动器94、G激光器驱动器95、B激光器驱动器96以及二维扫描驱动器97。控制部91例如由包含CPU、ROM、RAM的微型计算机等构成。控制部91根据从PC等外部设备经由外部I/F93提供的图像数据，产生作为用于对图像进行合成的要素的R信号、G信号、B信号、水平信号以及垂直信号。控制部91将R信号发送给R激光器驱动器94，将G信号发送给G激光器驱动器95，将B信号发送给B激光器驱动器96。此外，控制部91将水平信号和垂直信号发送给二维扫描驱动器97，对施加于电磁线圈86的电流进行控制而对可动反射镜部84的动作进行控制。
R激光器驱动器94对红色半导体激光器芯片43进行驱动，使得产生与来自控制部91的R信号相应的光量的红色激光。G激光器驱动器95对绿色半导体激光器芯片42进行驱动，使得产生与来自控制部91的G信号相应的光量的绿色激光。B激光器驱动器96对蓝色半导体激光器芯片41进行驱动，使得产生与来自控制部91的B信号相应的光量的蓝色激光。通过调整各色激光的强度比，能够合成具有期望颜色的激光。
由蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43产生的各激光在光波导路型光合波器的光合波部30中进行合波，之后通过可动反射镜部84而进行二维扫描。进行扫描的合波激光在凹面反射镜98发生反射而经由瞳孔99成像于视网膜100。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-242207号公报
专利文献2：日本特开2013-195603号公报
专利文献3：国际公开第2015/170505号
专利文献4：美国专利申请公开2010/0073262号说明书
专利文献5：国际公开第2017/065225号
专利文献6：日本特开2018-072591号公报
发明内容
发明要解决的课题
组合半导体激光器和光波导路型合波器而得到的现有的光束合波光源装置，例如对三原色的激光束进行合波的光束合波光源装置是通过由芯部和包覆层构成的光波导路而构成的，产生红色、蓝色、绿色的光束的半导体激光器设置于与各色对应的光波导路入射端。这里，光束在光波导路的芯部中传播，从光合波器的出射端作为合波的光束而射出。
以往，在这种光束合波光源装置中，努力进行了用于使从半导体激光器输出至光源装置输出的传递效率最大化的开发。通过改善半导体激光器～合波器光波导路之间的耦合效率和光合波效率，能够具有90％以上的传递效率。在该情况下，当使当前的半导体激光器以额定输出进行动作时，合波器输出为几mW。
另一方面，在作为合波光源装置的主要应用对象的视网膜扫描型显示器中，最终向观察者瞳孔入射的光功率例如为10μW左右。在以小电流来驱动半导体激光器以减小瞳孔入射光功率的情况下，由于自然发光成分，因此存在光动态范围缩小的问题。
作为降低光功率的其他方法，具有将光吸收体、反射体或者光轴偏移耦合部等光衰减要素插入于光路中的方法。在该情况下，除了需要产生光衰减的附加要素之外，还担心由于附加光学要素的特性变化或者对准变动而导致可靠性降低。
本发明的目的在于，在具有光入射用光波导路、光出射侧光波导路以及光合波部的光波导路型光合波器中，在不设置附加的光衰减要素的情况下将来自光源的光束强度衰减至期望的值。
用于解决课题的手段
在一个方式中，光波导路型光合波器具有：多个光入射用光波导路，其供来自波长不同的多个光源的光入射；光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，在驱动了所述多个光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路，所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路不是直到出射端为止呈直线。
在其他方式中，光波导路型光合波器具有：多个光入射用光波导路，其供来自波长不同的三个以上的光源的光入射；光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，在以同一输出驱动了所述三个以上的光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路以外的能够在至少一个波长获得最大输出光功率的光出射侧光波导路作为光出射用光波导路，所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路不是直到出射端为止呈直线。
进一步，在其他方式中，光波导路型合波光源光学装置具有：多个光源；多个光入射用光波导路，其供来自所述多个光源的光入射；光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及多个光出射侧光波导路，其射出对在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，在驱动了所述多个光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路，所述光波导路型合波光源光学装置具有与来自所述光出射用光波导路的信号光进行了光学耦合的光学部件。
进一步，在其他方式中，光波导路型合波光源光学装置具有：波长不同的三个以上的光源；多个光入射用光波导路，其供来自所述波长不同的三个以上的光源的光入射；光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，在以同一输出驱动了所述三个以上的光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路以外的能够在至少一个波长获得最大输出光功率的光出射侧光波导路作为光出射用光波导路，所述光波导路型合波光源光学装置具有与来自所述光出射用光波导路的信号光进行了光学耦合的光学部件。
进一步，在其他方式中，图像投射装置具有：上述的光波导路型合波光源光学装置；以及图像形成部，其将借助所述光波导路型合波光源光学装置的所述光扫描用光学部件而进行扫描的所述合波后的光投射到被投射面。
发明效果
作为一个侧面，在具有光入射用光波导路、光出射侧光波导路以及光合波器部分的光波导路型光合波器中，能够在不设置附加的光衰减要素的情况下将来自光源的光束强度衰减至期望的值。通过使用该光波导路型光合波器，能够获得在对比度方面具有高可靠性的视网膜扫描型显示器。
附图说明
图1是本发明的实施方式的光波导路型光合波器的概念的俯视图。
图2是本发明的实施方式的光耦合部分的构造的说明图。
图3是本发明的实施例1的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图4是本发明的实施例3的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图5是本发明的实施例4的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图6是本发明的实施例6的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图7是本发明的实施例7的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图8是本发明的实施例8的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图9是本发明的实施例9的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图10是本发明的实施例10的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图11是本发明的实施例11的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图12是本发明的实施例12的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图13是本发明的实施例13的光波导路型光合波器的概念的结构图。
图14是本发明的实施例14的光源模块的概念的结构图。
图15是本发明的实施例15的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图16是本发明的实施例16的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图17是本发明的实施例17的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图18是本发明的实施例18的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图19是本发明的实施例19的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图20是本发明的实施例20的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图21是本发明的实施例21的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图22是本发明的实施例22的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图23是本发明的实施例23的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图24是本发明的实施例24的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图25是本发明的实施例26的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图26是本发明的实施例27的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图27是本发明的实施例28的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图。
图28是本发明人的现有的光波导路型光合波器的概念的俯视图。
图29是现有的二维光扫描装置的一例的概略的立体图。
图30是现有的图像形成装置的概略的立体图。
具体实施方式
这里，参照图1对本发明的实施方式的光波导路型光合波器的一例进行说明。图1是本发明的实施方式的光波导路型光合波器的概念的俯视图。另外，这里，添加了光源111～113而以光源模块的形式进行说明。如图1所示，本发明的实施方式的光波导路型光合波器具有：多个光入射用光波导路2～4，其供来自波长不同的多个光源111～113的光入射；光合波器部分5，其对在光入射用光波导路2～4中传播的光进行分配和合波；以及多个光出射侧光波导路8～10，其射出在光合波器部分5中进行分配和合波后的光。在该情况下，在驱动了多个光源111～113的情况下，将光出射侧光波导路8～10中的除了能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路9以外的光出射侧光波导路8、10之一作为光出射用光波导路。在图1中，将光出射侧光波导路8作为光出射用光波导路。光出射用光波导路不是直到出射端为止呈直线状，优选为，至少在出射端附近以外的区域是直线状的光波导路，光出射用光波导路以外的光出射侧光波导路9、10优选为相对于光合波器部分5的传播轴线倾斜。
另外，用于调整输出光功率的衰减率是通过构成各光耦合部61、62、7的定向耦合器的长度以及构成定向耦合器的光波导路之间的间隔等来设定的。在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路(8)中，至少出射端附近以外的区域内的直线状的光波导路与光合波器部分5的传播轴线在±10°以内一致。另外，传播轴线是指以下这样轴线：与构成合波器部分5的光波导路内的光作为整体在合波器部分5中前进的方向一致，并且与合波器部分5的中心轴几乎一致。此外，各波长下的输出功率的大小与入射用光波导路2～4的入射光量相对于从光出射侧光波导路8～10射出的光量(光功率)的比率的大小成比例。
此外，作为其变形例，具有：多个光入射用光波导路2～4，其供来自波长不同的三个以上的光源111～113的光入射；光合波器部分5，其对在光入射用光波导路2～4中传播的光进行分配和合波；以及多个光出射侧光波导路8～10，其射出在光合波器部分5中进行分配和合波后的光。在以同一输出驱动了光源111～113的情况下，将光出射侧光波导路8～10中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路以外的能够在至少一个波长获得最大输出光功率的光出射侧光波导路作为光出射用光波导路。光出射用光波导路不是直到出射端为止呈直线，优选为，至少在出射端附近以外的区域是直线状的光波导路，光出射用光波导路以外的光出射侧光波导路优选为相对于光合波器部分的传播轴线倾斜。这里，将构成各光耦合部61、62、7的定向耦合器的长度以及构成定向耦合器的光波导路之间的间隔设定为与实施方式不同。
在该情况下，优选将从光入射用光波导路2～4的输入功率至光出射用光波导路(8)的输出功率的光衰减量为5dB～40dB的范围。即，虽然依赖于半导体激光器的额定输出PId(＝1mW～10mW)、与光波导路的耦合损耗αcp以及显示器光学系统的传递损耗αsys，但针对从入射到输入光波导路2～4的入射功率至从光出射用光波导路(8)输出的光合波输出功率的光衰减量αmpx(＝10log(Pld/Pdp)-αcp-αsys)的要求值为5dB～40dB，更优选为10dB～30dB的范围。其中，Pdp是所需显示器光功率，为1μW～10μW左右。此外，损耗(αcp+αsys)为15dB以下。如果衰减量小于5dB，则即使在PId为最小1mW并且损耗(αcp+αsys)为最大15dB的情况下，显示器光功率也会成为超过所需范围Pdp的值。另一方面，如果衰减量大于40dB，则无法获得所需的光量。
作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路(在图1的情况下为8)至少在出射端附近以外的区域是直线状的光波导路，但也可以在出射端附近像图中虚线所示的屈曲部12那样相对于直线状的光波导路8以85°～95°的角度倾斜。这样，通过设置屈曲部12，能够可靠地防止从光合波器部分5的光耦合部61、62、7漏出的杂散光与合波光重叠。
另外，将光出射用光波导路(8)以外的光出射侧光波导路9、10作为光废弃用光波导路或者监视用光波导路。光入射用光波导路2～4的数量是任意的(在图1的情况下为三条)，也可以是两条，也可以是四条以上，在四条以上的情况下，除了三原色以外也可以增加黄色或红外线光。光出射侧光波导路8～10的数量可以与光入射用光波导路2～4的数量相同，也可以少于光入射用光波导路2～4的数量。
另外，作为光合波部分5，至少对红色光、蓝色光以及绿色光这三原色进行合波的光合波部部分是典型的。另外，光源111～113的配置以及进行光耦合的顺序是任意的。
或者可以是，使多个光入射用光波导路2～4的输入端附近的波导方向相对于直线状的光波导路(8)以85°～95°的角度倾斜。通过这样配置，能够缩小光波导路型光合波器的长度方向的尺寸，并且能够降低来自光源的杂散光的影响。
在该情况下，可以将多个光源111～113配置于基板1的一条边侧，使得多个光入射用光波导路2～4的输入端附近的波导方向与直线状的光波导路(8)的光轴成85°～95°的角度。或者可以是，将多个光源111～113中的至少一个(111)配置于基板1的第1边侧，并且将其余的光源(112、113)配置于与第1边对置的第2边，使得多个光入射用光波导路2～4的输入端附近的波导方向与直线状的光波导路(8)的光轴成85°～95°的角度。
在构成光波导路型合波光源光学装置的情况下，只要在实施方式所示的波导路型光耦合器或其变形例中设置多个光源，并且将光学部件与来自作为光出射用光波导路的光出射用光波导路(8)的信号光进行光学耦合即可。
作为该情况下的光学部件，包含会聚透镜、光纤、光扫描用光学部件或者它们的组合的光学部件是典型的。另外，作为光源111～113，半导体激光器是典型的，但也可以是发光二极管(LED)、经由光纤或透镜端光纤的光源，在使用透镜端光纤或光纤的情况下，可以使用液体激光器或固体激光器作为其光源。此外，在透镜端光纤以外的情况下，可以在光源111～113与光入射用光波导路2～4之间设置会聚透镜。
也可以是，将光出射用光波导路以外的光出射侧光波导路(9、10)的出射端配置于基板1的第1边，将作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路(8)的出射端配置于与第1边交叉的第2边。
为了形成图像投射装置，可以如图30所示，组合上述的光扫描用光学部件(84)、对电磁线圈86施加二维光扫描信号而使从光源射出的出射光进行二维扫描的二维扫描控制部以及将进行扫描的出射光投射到被投射面的图像形成部。作为图像投射装置，眼镜型视网膜扫描显示器(例如，参照专利文献6)是典型的。
另外，作为基板1，可以是Si基板、玻璃基板、蓝宝石基板、金属基板、塑料基板等任意基板。此外，作为下部包覆层、芯部层以及上部包覆层的材料，可以使用SiO2玻璃系的材料，但也可以使用这以外的材料，例如丙烯酸树脂等透明塑料或其他透明材料。在RGB以外的波长的情况下，可以使用Si、GaN系等的半导体材料作为包覆层和芯部层。
另外，作为各光波导路的构造，可以是用共用的上部包覆层来覆盖各芯部层的构造，也可以是用单独的上部包覆层来覆盖各芯部层的构造，或者可以是用单独的下部包覆层和单独的上部包覆层来覆盖各芯部层的构造。
光合波器部分5的构造是任意的，但这里参照图2对光合波器部分的一例进行说明。图2是本发明的实施方式的光合波器部分的构造的说明图。在图2的(a)中，光合波器部分具有：直线状的光波导路132，其引导绿色光；光波导路131，其引导蓝色光，与引导绿色光的光波导路132在两处的光耦合部141、143进行光耦合；以及光波导路133，其引导红色光，与引导绿色光的光波导路132在两处的光耦合部141、143之间的光耦合部142进行光耦合。这里，引导绿色光的光波导路132的输出端与光出射侧光波导路中的能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路连接，从这以外的光出射侧光波导路中的任意光出射侧光波导路输出有信号光151、152。另外，在图2的(a)中，引导绿色光的光波导路132是直线状的光波导路，但不是必须为直线状，也可以在两处的光耦合部141、143之间向下侧弯曲。在该情况下，引导红色光的光波导路133可以采用直线状的光波导路，或者可以采用具有弯曲部的光波导路，该弯曲部朝向设置于引导绿色光的光波导路中的弯曲部。
在图2的(b)中，光合波器部分具有：直线状的光波导路133，其引导散射大的红色光；光波导路131，其引导蓝色光，与引导红色光的光波导路133在光耦合部144进行光耦合；以及光波导路132，其引导绿色光，与引导红色光的光波导路133在光耦合部145进行光耦合。引导红色光的光波导路133与光出射侧光波导路中的能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路连接，光信号153从引导绿色光并且与引导红色光的光波导路133在后级的光耦合部145进行光耦合的光波导路132输出，在引导蓝色光的光波导路131中被引导的信号光154被废弃。另外，在图2的(b)中，引导红色光的光波导路133是直线状的光波导路，但不必须是直线状，也可以向下侧弯曲。在该情况下，只要引导绿色光的光波导路132采用直线状的光波导路即可，与设置于引导红色光的光波导路133中的弯曲部进行光耦合。
在图2的(c)中，示出了设置有四条以上的光入射用光波导路的情况，利用Y分歧型合波部146将引导黄色光的光波导路134耦合到图2的(a)所示的光波导路部分的引导红色光的光波导路133。另外，在图2的(c)中，引导绿色光的光波导路132是直线状的光波导路，但不必须是直线状，也可以向下侧弯曲。在该情况下，只要引导红色光的光波导路133采用直线状的光波导路即可，与设置于引导绿色光的光波导路133中的弯曲部进行光耦合。
实施例1
这里，参照图3对本发明的实施例1的光波导路型光合波器进行说明。图3是本发明的实施例1的光波导路型光合波器的概念的结构图，图3的(a)是概略的俯视图，图3的(b)是输入端侧的剖视图。另外，本发明的实施例1的光波导路型光合波器是变更了图28所示的现有的光波导路型光合波器中的光出射用光波导路而得到的，这里，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。
如图3的(a)所示，将来自蓝色半导体激光器芯片41的光束输入到光入射用光波导路23，将来自绿色半导体激光器芯片42的光束输入到光入射用光波导路24，将来自红色半导体激光器芯片43的光束输入到光入射用光波导路25。
如图3的(b)所示，关于各光波导路，通过将设置在厚度为1mm并且主面为(100)面的Si基板21上的厚度为20μm的SiO2层22作为下部包覆层，对设置在SiO2层22上的掺Ge的SiO2玻璃进行刻蚀而形成宽度×高度为2μm×2μm的芯部层，在芯部层上设置由芯部层上的厚度为9μm的SiO2层构成的上部包覆层26(SiO2层22上的厚度为11μm)，由此形成光入射用光波导路23～25和光出射侧光波导路27～29。该情况下的芯部层与包覆层的折射率差为0.5％。
这里，光波导路型光合波器的尺寸为长度3mm、宽度3.1mm。光耦合部31的长度为240μm，光耦合部32的长度为240μm，光耦合部33的长度为200μm。蓝色半导体激光器芯片41的发光波长为450nm，绿色半导体激光器芯片42的发光波长为520nm，红色半导体激光器芯片43的发光波长为638nm。
将蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43的出射口安装为分别在横向和高度方向上与光入射用光波导路23～25的入射口一致，并且与光入射用光波导路23～25的入射端之间的间隔为10μm。光出射侧光波导路27～29的出射端可以是简单的劈开面等平面，但例如可以使用光斑尺寸转换器等来控制光束形状。
这里，对构成光合波部31～33的定向耦合器的长度以及光波导路的间隔进行控制，使得从光出射侧光波导路射出的光量相对于入射到各光入射用光波导路23～25的入射光的入射光光量的比率成为下述的值。关于使波长638nm的光入射到入射用光波导路25的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为4.5％(光衰减量为13.5dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为74％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为19％。
关于使波长520nm的光入射到入射用光波导路24的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为4％(光衰减量为14dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为95％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为1％。
关于使波长450nm的光入射到入射用光波导路23的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为21.5％(光衰减量为6.7dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为72.5％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为4％。
像以上那样，将获得了平均11.4dB的光衰减量的光出射侧光波导路27作为了光出射用光波导路，将输出最大出射功率的光出射侧光波导路28和出射功率小的光出射侧光波导路29作为了光废弃用光波导路。在本发明的实施例1中，获得了兼具光合波功能和光衰减功能的光波导路型光耦合器，因此能够在不设置附加的光衰减要素的情况下将来自光源的光束强度衰减至期望的值。此外，几乎不存在光波导路中途的光泄露等，也不会在光合波器中途产生杂散光，获得了不受杂散光影响的高品质的输出光。
实施例2
接下来，对本发明的实施例2的光波导路型光耦合器进行说明，基本的结构与实施例1相同，仅是光合波部的尺寸不同，因此借用图3进行说明。这里，在光波导路型光合波器中，光耦合部31的长度为240μm，光耦合部32的长度为240μm，光耦合部33的长度为50μm。
设定了以上的尺寸的结果为，关于使波长638nm的光入射到入射用光波导路25的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为1％(光衰减量为20dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为23.5％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为73％。
关于使波长520nm的光入射到入射用光波导路24的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为4％(光衰减量为14dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为95％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为1％。
关于使波长450nm的光入射到入射用光波导路23的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为23.5％(光衰减量为6.3dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为74.5％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为1％。
像以上那样，对于波长520nm和450nm的光，从中心的光出射侧光波导路28获得了最大的光量，对于波长638nm的光，在不是中心的光波导路的光出射侧光波导路29中获得了最大的光量，而在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27中获得了平均13.4dB的光衰减量。在本发明的实施例2中也获得了兼具光合波功能和光衰减功能的光波导路型光耦合器，因此能够在不设置附加的光衰减要素的情况下将来自光源的光束强度衰减至期望的值。此外，几乎不存在光波导路中途的光泄露等，也不会在合波器中途产生杂散光，获得了不受杂散光影响的高品质的输出光。
实施例3
接下来，参照图4对本发明的实施例3的光波导路型光耦合器进行说明。图4是本发明的实施例3的光波导路型光合波器的概念的结构图，图4的(a)是概略的俯视图，图4的(b)是输入端侧的剖视图。另外，基本的结构与实施例1的光波导路型光耦合器相同，仅是与本发明的实施例1的光波导路型光合波器中的光废弃用波导路的输出端的位置不同。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。
如图4的(a)所示，将作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27以外的光废弃用的光出射侧光波导路28、29的出射端配置于光出射侧光波导路27的出射端以外的基板端面。另外，基板端面利用劈开等。
实施例4
接下来，参照图5对本发明的实施例4的光波导路型光耦合器进行说明。图5是本发明的实施例4的光波导路型光合波器的概念的结构图，图5的(a)是概略的俯视图，图5的(b)是输入端侧的剖视图。另外，除了本发明的实施例1的光波导路型光合波器中的光出射用光波导路采用了光出射侧光波导路29之外，其余与实施例1的光波导路型光耦合器相同。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。
如图5的(a)所示，将光出射侧光波导路29作为了光出射用光波导路，将光出射侧光波导路27、28作为了光废弃用光波导路。在该情况下，在使光合波部31～33的结构与实施例1相同的情况下，对于红色光的，从光出射侧光波导路29输出的光的光量比率为19％，对于绿色光，该光量比率为1％，对于蓝色光，该光量比率为4％。该比率能够通过变更光合波部31～33的尺寸来调整的。另外，如图5的(b)所示，关于各光波导路，通过将设置在厚度为1mm并且主面为(100)面的Si基板21上的厚度为20μm的SiO2层22作为下部包覆层，对设置在SiO2层22上的掺Ge的SiO2玻璃进行刻蚀而形成宽度×高度为2μm×2μm的芯部层，在芯部层上设置由芯部层上的厚度为9μm的SiO2层构成的上部包覆层26(SiO2层22上的厚度为11μm)，由此形成光入射用光波导路23～25和光出射侧光波导路27～29。该情况下的芯部层与包覆层的折射率差为0.5％。
实施例5
接下来，对本发明的实施例5进行说明，由于基本的构造与图5所示的实施例4相同，因此借用图5对本发明的实施例5的光波导路型光合波器进行说明。如图5的(a)所示，将来自蓝色半导体激光器芯片41的光束输入到光入射用光波导路23，将来自绿色半导体激光器芯片42的光束输入到光入射用光波导路24，将来自红色半导体激光器芯片43的光束输入到光入射用光波导路25。这里，光波导路型光合波器的尺寸为长度3mm、宽度3.1mm。光耦合部31的长度为240μm，光耦合部32的长度为240μm，光耦合部33的长度为60μm。蓝色半导体激光器芯片41的发光波长为450nm，绿色半导体激光器芯片42的发光波长为520nm，红色半导体激光器芯片43的发光波长为638nm。
将蓝色半导体激光器芯片41和绿色半导体激光器芯片42安装为分别在横向和高度方向上与光入射用光波导路23、24的入射口一致，并且与光入射用光波导路23、24的入射端之间的间隔为10μm。与此相对，将红色半导体激光器芯片43安装为出射口在横向上与光入射用光波导路25的入射端一致，并且与光入射用光波导路25的入射端之间的间隔为10μm，而在高度方向上与光入射用光波导路25的入射端稍微错开。光出射侧光波导路27～29的出射端可以是简单的劈开面等平面，但例如可以使用光斑尺寸转换器等来控制光束形状。
这里，对构成光合波部31～33的定向耦合器的长度以及光波导路的间隔进行控制，使得从光出射侧光波导路27～29射出的光量相对于入射到各光入射用光波导路23～25的入射光的入射光光量的比率成为下述的值。关于使波长638nm的光入射到入射用光波导路25的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为2％，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为42.5％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为52％。
关于使波长520nm的光入射到入射用光波导路24的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为3％，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为94％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为0.5％。
关于使波长450nm的光入射到入射用光波导路23的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为22.5％，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为74％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为1％。
像以上那样，获得了光波导路型光合波器的特性，但在以同一输出使蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43进行动作的情况下，由于红色半导体激光器芯片43的出射口与光入射用光波导路25的入射端在高度方向上是错开的，因此关于来自各出射侧光波导路27、28、29的输出光功率，获得了以下的结果。即，来自红色半导体激光器芯片43的波长638nm的光从光出射侧光波导路27射出的光量(光功率)为0.02mW，从光出射侧光波导路28射出的光量(光功率)为0.4mW，从光出射侧光波导路29射出的光量(光功率)为0.5mW。来自绿色半导体激光器芯片42的波长520nm的光从光出射侧光波导路27射出的光量(光功率)为0.3mW，从光出射侧光波导路28射出的光量(光功率)为9.4mW，从光出射侧光波导路29射出的光量(光功率)为0.05mW。来自蓝色半导体激光器芯片41的波长450nm的光从光出射侧光波导路27射出的光量(光功率)为2.25mW，从光出射侧光波导路28射出的光量(光功率)为7.4mW，从光出射侧光波导路29射出的光量(光功率)为0.1mW。
其结果为，从光出射侧光波导路27射出的合波输出光量(光功率)为2.57mW，从光出射侧光波导路28射出的合波输出光量(光功率)为17.2mW，从光出射侧光波导路29射出的合波输出光量(光功率)为0.65mW。由此，在以同一输出驱动了蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43这三个光源的情况下，将光出射侧光波导路中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路28以外的至少能够在波长638nm获得最大输出光功率的光出射侧光波导路29作为了光出射用光波导路。
在本发明的实施例5中，能够获得兼具光合波功能和光衰减功能的光波导路型光耦合器，因此能够在不设置附加的光衰减要素的情况下将来自光源的光束强度衰减至期望的值。此外，几乎不存在光波导路中途的光泄露等，也不会在光合波器中途产生杂散光，获得了不受杂散光影响的高品质的输出光。
实施例6
接下来，参照图6对本发明的实施例6的光波导路型光耦合器进行说明。图6是本发明的实施例6的光波导路型光合波器的概念的结构图，这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。如图6所示，将蓝色半导体激光器芯片41配置于Si基板的一条长边，将绿色半导体激光器芯片42和红色半导体激光器芯片43配置于Si基板的另一条长边。这里，各半导体激光器的光轴与光出射侧光波导路27的中心轴之间的交叉角为90°。交叉角是任意的，但考虑到制造误差，只要处于85°～95°的范围即可。因此，成为了在光入射用光波导路23～25的中途直角弯曲的构造。为了直角弯曲，使用了波导路型反射镜，但也可以使用曲率半径小的弯曲波导路。在该情况下也获得了与实施例1相同的特性。
在本发明的实施例6中，将各半导体激光器芯片配置于Si基板的长边，因此能够在构成了光源模块的情况下缩短光源模块的长度。此外，通过这样的结构，能够实现杂散光的影响小并且兼具光合波功能和光衰减功能的极其简单的结构的光合波光源装置。
实施例7
接下来，参照图7对本发明的实施例7的光波导路型光耦合器进行说明。图7是本发明的实施例7的光波导路型光合波器的概念的结构图，这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。如图7所示，将蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43配置于Si基板的一条长边。这里，各半导体激光器的光轴与光出射侧光波导路27的中心轴之间的交叉角为90°。交叉角是任意的，但考虑到制造误差，只要处于85°～95°的范围即可。因此，成为了在光入射用光波导路23～25的中途直角弯曲的构造。为了直角弯曲，使用了波导路型反射镜，但也可以使用曲率半径小的弯曲波导路。在该情况下也能够获得与实施例1相同的特性。
在本发明的实施例7中，将各半导体激光器芯片配置于Si基板的一条长边，因此能够在构成了光源模块的情况下缩短光源模块的长度，并也能够缩短宽度。此外，通过这样的结构，能够实现杂散光的影响小并且兼具光合波功能和光衰减功能的极其简单的结构的光合波光源装置。
实施例8
接下来，参照图8对本发明的实施例8的光波导路型光耦合器进行说明。图8是本发明的实施例8的光波导路型光合波器的概念的结构图，图8的(a)是概略的俯视图，图8的(b)是输入端侧的剖视图。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。在该实施例8中，除了使用了图2的(b)所示的光合波器部分作为光合波器部分30之外，其他结构与实施例1的光波导路型光耦合器相同。
如图8的(a)所示，将引导散射大的红色光的光入射用光波导路25配置于中间，使引导绿色光的光入射用光波导路24在光耦合部34与光入射用光波导路25进行光耦合，使引导蓝色光的光入射用光波导路23在后级的光耦合部35与光入射用光波导路25进行光耦合。引导红色光的光入射用光波导路25与光出射侧光波导路中的能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路28连接，光信号从在光耦合部35的后级与入射用光波导路23连接的光出射侧光波导路29输出。在该情况下也能够获得与实施例1相同的特性。
实施例9
接下来，参照图9对本发明的实施例9的光波导路型光耦合器进行说明。图9是本发明的实施例9的光波导路型光合波器的概念的结构图，图9的(a)是概略的俯视图，图9的(b)是输入端侧的剖视图。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。在该实施例9中，设置有光废弃专用光波导路36，此外与实施例1的光波导路型光耦合器相同。
如图9的(a)所示，设置有与引导蓝色光的光入射用光波导路23在光耦合部37进行光耦合的光废弃专用光波导路36。该实施例9能够在来自蓝色半导体激光器芯片41的输出过大的情况下独立地设定衰减量，因此设计变得容易。
实施例10
接下来，参照图10对本发明的实施例10的光波导路型光耦合器进行说明。图10是本发明的实施例10的光波导路型光合波器的概念的结构图，图10的(a)是概略的俯视图，图10的(b)是输入端侧的剖视图。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。在该实施例10中，设置有光废弃专用光波导路36，此外与实施例4的光波导路型光耦合器相同。
如图10的(a)所示，设置有与引导蓝色光的入射用光波导路23在光耦合部37进行光耦合的光废弃专用光波导路36。该实施例10能够在来自蓝色半导体激光器芯片41的输出过大的情况下独立地设定衰减量，因此设计变得容易。
实施例11
接下来，参照图11对本发明的实施例11的光波导路型光耦合器进行说明。图11是本发明的实施例11的光波导路型光合波器的概念的结构图，这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。如图11所示，该光合波部分50与光入射用光波导路23～25、51和光出射侧光波导路27～29、55一同形成了光波导路型光合波器。蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42、红色半导体激光器芯片43的放射光不是直接与作为光废弃用光波导路的光出射侧光波导路55耦合，作为信号光的合波光输出从与最后级的光耦合部54连接的光出射侧光波导路28输出。
在本发明的实施例11中，能够通过调整光入射用光波导路23～25与光入射用光波导路51的光耦合率而进一步任意地设定来自各半导体激光器芯片的输出的衰减量，因此设计变得容易。
实施例12
接下来，参照图12对本发明的实施例12的光波导路型光耦合器进行说明。图12是本发明的实施例12的光波导路型光合波器的概念的结构图，图12的(a)是概略的俯视图，图12的(b)是输入端侧的剖视图。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。该实施例12的光波导路型光合波器是在实施例1的光波导路型光耦合器中的作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端附近设置有屈曲光波导路38而得到的，其他结构与上述的实施例1的波导路型光耦合器相同。屈曲光波导路38相对于直线状的光出射侧光波导路27以85°～95°的角度倾斜。
在本发明的实施例12中，在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端附近设置有屈曲波导路38，因此能够可靠地防止从光合波部分30的光耦合部31～33漏出的杂散光与合波光重叠。
实施例13
接下来，参照图13对本发明的实施例13的光波导路型光耦合器进行说明。图13是本发明的实施例13的光波导路型光合波器的概念的结构图，图13的(a)是概略的俯视图，图13的(b)是输入端侧的剖视图。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块，是在上述的实施例1的光波导路型光合波器中增加了传播黄色光的入射侧光波导路而得到的。
如图13的(a)所示，将蓝色半导体激光器芯片41配置于光入射用光波导路23的入射端面，将绿色半导体激光器芯片42配置于光入射用光波导路24的入射端面，将红色半导体激光器芯片43配置于光入射用光波导路25的入射端面，将黄色半导体激光器芯片47配置于光入射用光波导路48的入射端面，光入射到各个光入射用光波导路23～25、48。这里，增加了Y分歧型合波器39来形成合波器部分30。
如图13的(b)所示，关于各光波导路，通过将设置在厚度为1mm的(100)面的Si基板21上的厚度为20μm的SiO2层22作为下部包覆层，对设置在SiO2层22上的掺Ge的SiO2玻璃进行刻蚀而形成宽度×高度为2μm×2μm的芯部层，在芯部层上设置由芯部层上的厚度为9μm的SiO2层构成的上部包覆层26(SiO2层22上的厚度为11μm)，由此形成光入射用光波导路23～25、48和光出射侧光波导路27～29。该情况下的芯部层与包覆层的折射率差为0.5％。
关于使波长638nm的光入射到入射用光波导路25的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为1.5％(光衰减量为18.2dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为41％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为8％。
关于使波长520nm的光入射到入射用光波导路24的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为4％(光衰减量为14dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为95％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为1％。
关于使波长450nm的光入射到入射用光波导路23的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为21.5％(光衰减量为6.7dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为72.5％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为4％。
关于使波长570nm的光入射到入射用光波导路48的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为12.5％(光衰减量为9dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为7.5％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为22.5％。
其中，传播波长638nm的红色光的光入射用光波导路25与传播波长570nm的黄色光的光入射用光波导路48在Y分歧型合波器中合波，因此在Y分歧型合波器中产生3dB的损耗。其结果为，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路29射出的光量相对于入射到各光入射用光波导路23～25、48的光量，对于波长638nm的光，为16dB，对于波长570nm的黄色光，为20dB。像以上那样，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量相对于入射到光入射用光波导路的光为平均16.1dB的光衰减量。
实施例14
接下来，参照图14对本发明的实施例14的光源模块进行说明。图14是本发明的实施例14的光源模块的概念的结构图。即，是对上述的实施例1的光波导路型光合波器增加了作为光源的蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42、红色半导体激光器芯片43而得到的。通过在该作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端侧配置一些光学部件而成为光波导路型合波光源光学装置。
实施例15
接下来，参照图15对本发明的实施例15的光波导路型合波光源光学装置进行说明。图15是本发明的实施例15的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图，在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端侧配置有光扫描用MEMS反射镜74作为光学部件。从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的出射光束在二维光扫描用MEMS反射镜74的中央的反射面上发生反射而得到反射光束。该反射光束在设置在其前方的屏幕上生成影像。
该情况下的二维光扫描用MEMS反射镜74是电磁驱动型MEMS反射镜，反射面是使用金属玻璃而形成的。该金属玻璃也用作反射镜旋转用的光扫描旋转轴。二维光扫描用MEMS反射镜74是在以(100)面作为主面的厚度100μm的Si基板之上依次形成Fe-Pt薄膜(142nm厚)和金属玻璃膜(10μm厚)而制作的。作为反射部的反射镜尺寸为500μm×300μm。二维光扫描用MEMS反射镜74整体的大小为2.7mm×2.5mm，反射镜部分的光扫描旋转轴与以(100)面作为主面的Si基板的〈010〉方向一致。在该二维光扫描用MEMS反射镜74的光扫描反射镜部的下方像图29所示那样设置有由螺线管线圈构成的电磁线圈。电磁线圈的大小为外径5mm、高度3mm，导线的圈数为800匝。电磁线圈以与光扫描反射镜部的外周的基板直接接触的方式放置，电磁线圈的中心部与作为反射部的反射镜部分的中心一致。
将反射光束投射到屏幕上而对光束的偏转角进行了评价。其结果为，获得了纵向上30度、横向上5度的光束偏转角，能够投射影像。
实施例16
接下来，参照图16对本发明的实施例16的光波导路型合波光源光学装置进行说明。图16是本发明的实施例16的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图，在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端侧配置有二维光扫描用MEMS反射镜74作为光学部件，并且在光出射侧光波导路29的出射端侧配置有监视用光电二极管75。
在该实施例16中，将原本要废弃的光输出用于监视，因此能够对来自作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的信号光的变动进行控制。
实施例17
接下来，参照图17对本发明的实施例17的光波导路型合波光源光学装置进行说明。图17是本发明的实施例17的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图，在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端侧隔着会聚透镜71而配置有二维光扫描用MEMS反射镜74作为光学部件。这里，作为会聚透镜71，使用焦距为10mm并且口径为3mmφ的双凸透镜。会聚透镜71的中心与光扫描用MEMS反射镜74的反射面的中心之间的距离为10mm。在该情况下也能够获得与实施例15相同的特性。
实施例18
接下来，参照图18对本发明的实施例18的光波导路型合波光源光学装置进行说明。图18是本发明的实施例18的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图，在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端侧配置有透镜端光纤73作为光学部件。从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的出射光束入射到透镜端光纤73，入射后的光从透镜端光纤73的相反侧射出，使用例如二维光扫描用MEMS反射镜而将影像投射到屏幕上。这里，作为透镜端光纤73，使用了光纤直径：125μmφ、束斑直径：2.5μmφ、工作距离：14μm的在可见光区域中单模传播的透镜端光纤。另外，这里使用透镜端光纤进行了描述，但切有端面的普通光纤也能够获得相同的结果。
实施例19
接下来，参照图19对本发明的实施例19的光波导路型合波光源光学装置进行说明。图19是本发明的实施例19的光波导路型合波光源光学装置的概念的结构图，在作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端侧配置有会聚透镜71和光纤72作为光学部件。
这里，作为光纤72，使用光纤直径：125μmφ的在可见光区域中单模传播的光纤。作为会聚透镜71，使用焦距为10mm并且口径为3mmφ的双凸透镜。光出射侧光波导路27与会聚透镜71的中心之间的距离为20mm，会聚透镜71的中心与光纤72的入射端之间的距离为20mm。
在该情况下，也能够将经由会聚透镜71入射的光束从光纤72的相反侧射出，通过二维光扫描用MEMS反射镜将其反射而投射到屏幕上。
实施例20
接下来，参照图20对本发明的实施例20的光波导路型合波光源光学装置进行说明，但以省略了光学部件的光源模块的形式进行说明。是在上述的实施例14的光源模块中在各半导体激光器与各光入射用光波导路之间设置有会聚透镜44～46而得到的。如图20所示，将蓝色半导体激光器芯片41配置于光入射用光波导路23的入射端面，将绿色半导体激光器芯片42配置于光入射用光波导路24的入射端面，将红色半导体激光器芯片43配置于光入射用光波导路25的入射端面，通过会聚透镜44～46使分别射出的光束会聚，并入射到各个光入射用光波导路23～25。
这里，作为会聚透镜44～46，使用焦距为10mm并且口径为3mmφ的双凸透镜。蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43的出射端与会聚透镜44～46的中心之间的距离为20mm，会聚透镜44～46的中心与光入射用光波导路23～25的入射端之间的距离为20mm。
关于使波长638nm的光入射到入射用光波导路25的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为4.5％(光衰减量为13.5dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为74％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为19％。
关于使波长520nm的光入射到入射用光波导路24的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为4％(光衰减量为14dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为95％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为1％。
关于使波长450nm的光入射到入射用光波导路23的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为21.5％(光衰减量为6.7dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为72.5％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为4％。
像以上那样，获得了平均11.4dB的光衰减量。此外，几乎不存在光波导路中途的光泄露等，也不会在合波器中途产生杂散光，获得了不受杂散光影响的高品质的输出光。此外，能够使从作为光出射用光波导路光出射侧光波导路27的出射端射出的光束与实施例17同样地经由会聚透镜而入射到二维光扫描用MEMS反射镜，进行光扫描，其结果为，能够将影像投射到屏幕上。
实施例21
接下来，参照图21对本发明的实施例21的光波导路型合波光源光学装置进行说明，以省略了光学部件的光源模块的形式进行说明。是在上述的实施例14的光源模块中将半导体激光器置换为透镜端光纤而得到的，其他结构与实施例14的光源模块相同。
如图21所示，将传播蓝色光的透镜端光纤64配置于光入射用光波导路23的入射端面，将传播绿色光的透镜端光纤65配置于光入射用光波导路24的入射端面，将传播红色光的透镜端光纤66配置于光入射用光波导路25的入射端面，光入射到各个光入射用光波导路23～25。
这里，作为透镜端光纤64～66，使用光纤直径：125μmφ、术斑直径：2.5μmφ、工作距离：14μm的在可见光区域中单模传播的透镜端光纤。透镜端光纤64的传播光的波长为450nm，透镜端光纤65的传播光的波长为520nm，透镜端光纤66的传播光的波长为638nm。
在该情况下也获得了与实施例14几乎相同的特性。此外，使从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端射出的光束与实施例17同样地经由会聚透镜入射到二维光扫描用MEMS反射镜，进行光扫描，其结果为，能够将影像投射到屏幕上。此外，这里使用了透镜端光纤64～66，但在切有端面的普通光纤的情况下，虽然入射效率下降了3dB，但也获得了相同的结果。
实施例22
接下来，参照图22对本发明的实施例22的光波导路型合波光源光学装置进行说明，以省略了光学部件的光源模块的形式进行说明。将上述的实施例14的光源模块中的半导体激光器置换为光纤，并且介插有会聚透镜，其他结构与实施例14的光源模块相同。
如图22所示，将传播蓝色光的光纤61配置于光入射用光波导路23的入射端面，将传播绿色光的光纤62配置于光入射用光波导路24的入射端面，将传播红色光的光纤63配置于光入射用光波导路25的入射端面，通过会聚透镜44～46而使分别射出的光束会聚，并入射到各个光入射用光波导路23～25。
这里，作为光纤61～63，使用光纤直径：125μmφ的在可见光区域中单模传播的光纤。作为会聚透镜44～46，使用焦距为10mm并且口径为3mmφ的双凸透镜。光纤61～63的出射端与会聚透镜44～46的中心之间的距离为20mm，会聚透镜44～46的中心与光入射用光波导路23～25的入射端之间的距离为20mm。
在该情况下也获得了与实施例14几乎相同的特性。此外，使从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端射出的光束与实施例17同样地经由会聚透镜而入射到二维光扫描用MEMS反射镜，进行光扫描，其结果为，能够将影像投射到屏幕上。
实施例23
接下来，参照图23对本发明的实施例23的光源模块进行说明，是在上述的实施例14的光源模块中使用了端面发射型发光二极管(Light Emitting Diode)来代替各半导体激光器而得到的。如图23所示，将发光波长为452nm的蓝色LED芯片81配置于光入射用光波导路23的入射端面，将发光波长为522nm的绿色LED芯片82配置于光入射用光波导路24的入射端面，将发光波长为640nm的红色LED芯片83配置于光入射用光波导路25的入射端面，使分别射出的光束入射到各个光入射用光波导路23～25。
关于使波长640nm的光入射到入射用光波导路25的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为5％(光衰减量为13dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为75％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为18％。
关于使波长522nm的光入射到入射用光波导路24的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为4％(光衰减量为14dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为95％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为1％。
关于使波长452nm的光入射到入射用光波导路23的情况下从各光出射侧光波导路27～29射出的光量(光功率)相对于入射光光量的比率，从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27射出的光量比率为20％(光衰减量为7dB)，从光出射侧光波导路28射出的光量比率为73％，从光出射侧光波导路29射出的光量比率为4％。
像以上那样，获得了平均11.3dB的光衰减量。此外，几乎不存在光波导路中途的光泄露等，也不会在合波器中途产生杂散光，获得了不受杂散光影响的高品质的输出光。此外，使从作为光出射用光波导路的光出射侧光波导路27的出射端射出的光束与实施例17同样地经由会聚透镜而入射到二维光扫描用MEMS反射镜，进行光扫描，其结果为，能够将影像投射到屏幕上。另外，在该实施例22中，使用了端面发射型发光二极管，但也可以使用其他发光二极管，例如面发光型发光二极管。
实施例24
接下来，参照图24对本发明的实施例24的光波导路型合波光源光学装置进行说明，是在上述的实施例14的光源模块中将红色半导体激光器芯片置换为端面发射型的红色LED芯片而得到的。如图24所示，将发光波长为450nm的蓝色半导体激光器芯片41配置于光入射用光波导路23的入射端面，将发光波长为520nm的绿色半导体激光器芯片42配置于光入射用光波导路24的入射端面，将发光波长为640nm的红色LED芯片83配置于光入射用光波导路25的入射端面，使分别射出的光束入射到各个光入射用光波导路23～25。另外，这里，将红色置换为了LED，但也可以将其他颜色置换为LED，也可以将两个半导体激光器置换为LED。
实施例25
接下来，对本发明的实施例25的图像形成装置进行说明，基本的结构与图30所示的图像形成装置相同，仅是光波导路型光合波器的结构不同，因此借用图30进行说明。本发明的实施例25的图像形成装置是将图30的图像形成装置中的光波导路型光合波器30置换为上述的实施例1所示的光波导路型光合波器30而得到的。另外，该光波导路型光合波器30可以置换为实施例2至实施例13所示的光波导路型光合波器。此外，光源的配置也可以是实施例6或者实施例7所示的配置。而且，也可以如图19至图24所示设置有透镜，也可以将光源置换为光纤、透镜端光纤或者至少将光源的一部分置换为LED。
在该图像形成装置中，与以往同样地，控制单元90具有控制部91、操作部92、外部接口(I/F)93、R激光器驱动器94、G激光器驱动器95、B激光器驱动器96以及二维扫描驱动器97。控制部91例如由包含CPU、ROM、RAM的微型计算机等构成。控制部91根据从PC等外部设备经由外部I/F 93提供的图像数据，产生作为用于对图像进行合成的要素的R信号、G信号、B信号、水平信号以及垂直信号。控制部91将R信号发送给R激光器驱动器94，将G信号发送给G激光器驱动器95，将B信号发送给B激光器驱动器96。此外，控制部91将水平信号和垂直信号发送给二维扫描驱动器97，对施加于电磁线圈86的电流进行控制而对可动反射镜部84的动作进行控制。
R激光器驱动器94对红色半导体激光器芯片43进行驱动，使得产生与来自控制部91的R信号相应的光量的红色激光。G激光器驱动器95对绿色半导体激光器芯片42进行控制，使得产生与来自控制部91的G信号相应的光量的绿色激光。B激光器驱动器96对蓝色半导体激光器芯片41进行控制，使得产生与来自控制部91的B信号相应的光量的蓝色激光。能够通过调整各色激光的强度比而合成具有期望颜色的激光。
由蓝色半导体激光器芯片41、绿色半导体激光器芯片42以及红色半导体激光器芯片43产生的各激光在光波导路型光合波器的光合波部30中进行合波，然后通过可动反射镜部84而进行二维扫描。进行扫描的合波激光在凹面反射镜98发生反射而经由瞳孔99成像于视网膜100。
实施例26
接下来，参照图25对本发明的实施例26的光波导路型光耦合器进行说明。图25是本发明的实施例26的光波导路型光合波器的概念的结构图，图25的(a)是概略的俯视图，图25的(b)是输入端侧的剖视图。另外，除了在本发明的实施例4的光波导路型光合波器中的光入射用光波导路24中设置有弯曲部作为光耦合部33，光入射用光波导路25采用了直线状的光波导路之外，其余与实施例4的光波导路型光耦合器相同。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。
如图25的(a)所示，将光出射侧光波导路29作为了光出射用光波导路，将光出射侧光波导路27、28作为了光废弃用光波导路。如图25的(b)所示，关于各光波导路，通过将设置在厚度为1mm并且主面为(100)面的Si基板21上的厚度为20μm的SiO2层22作为下部包覆层，对设置在SiO2层22上的掺Ge的SiO2玻璃进行刻蚀而形成宽度×高度为2μm×2μm的芯部层，在芯部层上设置由芯部层上的厚度为9μm的SiO2层构成的上部包覆层26(SiO2层22上的厚度为11μm)，由此形成光入射用光波导路23～25和光出射侧光波导路27～29。该情况下的芯部层与包覆层的折射率差为0.5％。
实施例27
接下来，参照图26对本发明的实施例27的光波导路型光耦合器进行说明。图26是本发明的实施例27的光波导路型光合波器的概念的结构图，图26的(a)是概略的俯视图，图26的(b)是输入端侧的剖视图。另外，除了在本发明的实施例4的光波导路型光合波器中的光入射用光波导路24设置有弯曲部，并且在光入射用光波导路25也设置有弯曲部作为光耦合部33之外，其余与实施例4的光波导路型光耦合器相同。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。
如图26的(a)所示，将光出射侧光波导路29作为了光出射用光波导路，将光出射侧光波导路27、28作为了光废弃用光波导路。如图26的(b)所示，关于各光波导路，通过将设置在厚度为1mm的主面为(100)面的Si基板21上的厚度为20μm的SiO2层22作为下部包覆层，对设置在SiO2层22上的掺Ge的SiO2玻璃进行刻蚀而形成宽度×高度为2μm×2μm的芯部层，在芯部层上设置由芯部层上的厚度为9μm的SiO2层构成的上部包覆层26(SiO2层22上的厚度为11μm)，由此形成光入射用光波导路23～25和光出射侧光波导路27～29。该情况下的芯部层与包覆层的折射率差为0.5％。
实施例28
接下来，参照图27对本发明的实施例28的光波导路型光耦合器进行说明。图27是本发明的实施例28的光波导路型光合波器的概念的结构图，图27的(a)是概略的俯视图，图27的(b)是输入端侧的剖视图。这里也是，为了易于理解发明，添加了光源而图示为光源模块。该实施例28是除了在实施例8所示的光波导路型光耦合器的光入射用光波导路25中设置有弯曲部作为光耦合部33，并且光入射用光波导路24采用直线状的光波导路之外，其余与实施例8的光波导路型光耦合器基本相同。
如图27的(a)所示，将引导散射大的红色光的光入射用光波导路25设置于中间，使引导蓝色光的光入射用光波导路23在光耦合部34与光入射用光波导路25进行光耦合，使引导绿色光的光入射用光波导路24在后级的光耦合部35与光入射用光波导路25进行光耦合。引导红色光的光入射用光波导路25与光出射侧光波导路中的能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路28连接，将在光耦合部35的后级与入射用光波导路24连接的光出射侧光波导路29作为光出射用光波导路而输出光信号。在该情况下也能够获得与实施例8相同的特性。
标号说明
1：基板；2～4：光入射用光波导路；5：光合波部分；61、62、7：光耦合部；8、9、10：光出射侧光波导路；111、112、113：光源；12：屈曲部；131、132、133、134：光入射用光波导路；141～146：光耦合部；151、152、153、154：信号光；21：Si基板；22：下部包覆层；23～25：光入射用光波导路；26：上部包覆层；27～29：光出射侧光波导路；30：光合波部分；31～35、37：光耦合部；36：光废弃专用光波导路；38：屈曲光波导路；39：Y分歧型合波器；41：蓝色半导体激光器芯片；42：绿色半导体激光器芯片；43：红色半导体激光器芯片；44～46：透镜；47：黄色半导体激光器芯片；48：光入射用光波导路；50：光合波部分；51：光废弃专用光波导路；52～54：光耦合部；61～63：光纤；64～66：透镜端光纤；71：透镜；72：光纤；73：透镜端光纤；74：二维光扫描用MEMS反射镜；75：监视用光电二极管；81：蓝色LED芯片；82：绿色LED芯片；83：红色LED芯片；84：可动反射镜部；85：基板；86：电磁线圈；90：控制单元；91：控制部；92：操作部；93：外部接口(I/F)；94：R激光器驱动器；95：G激光器驱动器；96：B激光器驱动器；97：二维扫描驱动器；98：凹面反射镜；99：瞳孔；100：视网膜。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种光波导路型光合波器，其具有：
多个光入射用光波导路，其供来自波长不同的多个光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行合波后的光，
在驱动了所述多个光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够在全部的波长下分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路，
所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路不是直到出射端为止呈直线。
2.(修改后)一种光波导路型光合波器，其具有：
多个光入射用光波导路，其供来自波长不同的三个以上的光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行合波后的光，
在以同一输出驱动了所述三个以上的光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路以外的能够在至少一个波长获得最大输出光功率的光出射侧光波导路作为光出射用光波导路，
所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路不是直到出射端为止呈直线。
3.根据权利要求1或2所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射用光波导路至少在出射端附近以外的区域是直线状的光波导路，
所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路相对于所述光合波器部分的传播轴线倾斜。
4.根据权利要求3所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射用光波导路在出射端附近相对于所述直线状的光波导路以85°～95°的角度倾斜。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射用光波导路以外的光出射侧光波导路是光废弃用光波导路或者监视用光波导路。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射侧光波导路的数量与所述光入射用光波导路的数量相同。
7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射侧光波导路的数量少于所述光入射用光波导路的数量。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光合波器部分至少对红色光、蓝色光以及绿色光这三原色进行合波。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述多个光入射用光波导路的输入端附近的波导方向相对于所述光合波器部分的传播轴线以85°～95°的角度倾斜。
10.根据权利要求1至8中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述多个光入射用光波导路中的至少一个光入射用光波导路的输入端附近的波导方向相对于所述光合波器部分的传播轴线以85°～95°的角度倾斜，所述多个光入射用光波导路中的其余的光入射用光波导路的输入端附近的波导方向以与所述至少一个光入射用光波导路的输入端附近的波导方向对置的方式相对于所述光合波器部分的传播轴线以85°～95°的角度倾斜。
11.(修改后)一种光波导路型合波光源光学装置，其具有：
多个光源；
多个光入射用光波导路，其供来自所述多个光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行合波后的光，
在驱动了所述多个光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路，
所述光波导路型合波光源光学装置具有与来自所述光出射用光波导路的信号光进行了光学耦合的光学部件。
12.(修改后)一种光波导路型合波光源光学装置，其具有：
波长不同的三个以上的光源；
多个光入射用光波导路，其供来自所述波长不同的三个以上的光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行合波后的光，
在以同一输出驱动了所述三个以上的光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路以外的能够在至少一个波长获得最大输出光功率的光出射侧光波导路作为光出射用光波导路，
所述光波导路型合波光源光学装置还具有与来自所述光出射用光波导路的信号光进行了光学耦合的光学部件。
13.根据权利要求11或12所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光学部件是包含会聚透镜、光纤或者它们的组合的光学部件。
14.根据权利要求11或12所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光学部件是至少包含光扫描用光学部件的光学部件。
15.根据权利要求11至14中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述多个光源是半导体激光器或者发光二极管，
所述半导体激光器或者发光二极管直接或者隔着会聚透镜而与所述多个光入射用光波导路对置配置。
16.根据权利要求11至14中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
来自所述多个光源的光是从多个光纤射出的光。
17.根据权利要求11至16中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
从所述光入射用光波导路的输入功率至所述光出射用光波导路的输出功率的光衰减量为5dB～40dB。
18.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导绿色光的光波导路，其呈直线状；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在两处的光耦合部进行光耦合；以及
引导红色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在所述两处的光耦合部之间进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路或者所述引导红色光的光波导路中的任意光波导路与所述光出射用光波导路连接。
19.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导绿色光的光波导路，其具有弯曲部；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部的前后两处的光耦合部进行光耦合；
引导红色光的光波导路，其呈直线状，与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路或者所述引导红色光的光波导路中的任意光波导路与所述光出射用光波导路连接。
20.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导绿色光的光波导路，其具有弯曲部；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部的前后两处的光耦合部进行光耦合；以及
引导红色光的光波导路，其具有与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部进行光耦合的弯曲部，
所述引导蓝色光的光波导路或者所述引导红色光的光波导路中的任意光波导路与所述光出射用光波导路连接。
21.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导红色光的光波导路，其呈直线状；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导红色光的光波导路进行光耦合；以及
引导绿色光的光波导路，其与所述引导红色光的光波导路进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路和所述引导绿色光的光波导路中的在所述光合波器部分的光传播方向的后级进行光耦合的光波导路与光出射用光波导路连接。
22.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导红色光的光波导路，其具有弯曲部；
引导绿色光的光波导路，其呈直线状，与所述引导红色光的光波导路在所述弯曲部进行光耦合；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导红色光的光波导路在所述弯曲部以外的区域进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路和所述引导绿色光的光波导路中的在所述光合波器部分的光传播方向的后级进行光耦合的光波导路与光出射用光波导路连接。
23.根据权利要求11至22中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光出射侧光波导路设置在基板上，
所述光出射用光波导路以外的光出射侧光波导路的出射端位于所述基板的第1边，
所述光出射用光波导路的出射端位于与所述第1边交叉的第2边。
24.根据权利要求11至23中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光出射用光波导路的方向与所述光合波器部分的传播轴线在±10°以内一致。
25.一种图像投射装置，其具有：
权利要求14所述的光波导路型合波光源光学装置；以及
图像形成部，其将借助所述光波导路型合波光源光学装置的所述光扫描用光学部件而进行扫描的所述合波后的光投射到被投射面。
说明或声明(按照条约第19条的修改)
针对权利要求1、权利要求2、权利要求11、权利要求12，将“分配和合波”修正为了“合波”。
对比文件1(日本特开2018-180513号公报)涉及合波装置，在图3的情况下，光波导路101、103的前端部稍微倾斜。但是，参照图2等可知，光波导路101、103的前端部在出射端处并不倾斜的可能性很高。
但是，完全没有公开将合波输出弱的光波导路作为输出用光波导路的内容。
对比文件2(日本特愿2014-145889)涉及图像显示装置，是使用通知用激光的特殊的图像显示装置，使描绘用激光的强度比通知用激光弱，通知用激光使用了利用半反射镜将红色激光分歧而得到的激光，并不具备合波部。
在该对比文件2中也完全没有公开“在驱动了多个光源的情况下，将光出射侧光波导路中的除了能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路”这一点，即，完全没有公开比较合波输出来决定光出射用光波导路的内容。

Claims (25)

1.一种光波导路型光合波器，其具有：
多个光入射用光波导路，其供来自波长不同的多个光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，
在驱动了所述多个光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路，
所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路不是直到出射端为止呈直线。
2.一种光波导路型光合波器，其具有：
多个光入射用光波导路，其供来自波长不同的三个以上的光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，
在以同一输出驱动了所述三个以上的光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路以外的能够在至少一个波长获得最大输出光功率的光出射侧光波导路作为光出射用光波导路，
所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路不是直到出射端为止呈直线。
3.根据权利要求1或2所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射用光波导路至少在出射端附近以外的区域是直线状的光波导路，
所述光出射用光波导路以外的所述光出射侧光波导路相对于所述光合波器部分的传播轴线倾斜。
4.根据权利要求3所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射用光波导路在出射端附近相对于所述直线状的光波导路以85°～95°的角度倾斜。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射用光波导路以外的光出射侧光波导路是光废弃用光波导路或者监视用光波导路。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射侧光波导路的数量与所述光入射用光波导路的数量相同。
7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光出射侧光波导路的数量少于所述光入射用光波导路的数量。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述光合波器部分至少对红色光、蓝色光以及绿色光这三原色进行合波。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述多个光入射用光波导路的输入端附近的波导方向相对于所述光合波器部分的传播轴线以85°～95°的角度倾斜。
10.根据权利要求1至8中的任意一项所述的光波导路型光合波器，其中，
所述多个光入射用光波导路中的至少一个光入射用光波导路的输入端附近的波导方向相对于所述光合波器部分的传播轴线以85°～95°的角度倾斜，所述多个光入射用光波导路中的其余的光入射用光波导路的输入端附近的波导方向以与所述至少一个光入射用光波导路的输入端附近的波导方向对置的方式相对于所述光合波器部分的传播轴线以85°～95°的角度倾斜。
11.一种光波导路型合波光源光学装置，其具有：
多个光源；
多个光入射用光波导路，其供来自所述多个光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出对在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，
在驱动了所述多个光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够在全部的波长分别获得最大的输出光功率的光出射侧光波导路以外的光出射侧光波导路之一作为光出射用光波导路，
所述光波导路型合波光源光学装置具有与来自所述光出射用光波导路的信号光进行了光学耦合的光学部件。
12.一种光波导路型合波光源光学装置，其具有：
波长不同的三个以上的光源；
多个光入射用光波导路，其供来自所述波长不同的三个以上的光源的光入射；
光合波器部分，其对在所述光入射用光波导路中传播的光进行分配和合波；以及
多个光出射侧光波导路，其射出在所述光合波器部分进行分配和合波后的光，
在以同一输出驱动了所述三个以上的光源的情况下，将所述光出射侧光波导路中的除了能够获得最大的合波输出光功率的光出射侧光波导路以外的能够在至少一个波长获得最大输出光功率的光出射侧光波导路作为光出射用光波导路，
所述光波导路型合波光源光学装置具有与来自所述光出射用光波导路的信号光进行了光学耦合的光学部件。
13.根据权利要求11或12所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光学部件是包含会聚透镜、光纤或者它们的组合的光学部件。
14.根据权利要求11或12所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光学部件是至少包含光扫描用光学部件的光学部件。
15.根据权利要求11至14中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述多个光源是半导体激光器或者发光二极管，
所述半导体激光器或者发光二极管直接或者隔着会聚透镜而与所述多个光入射用光波导路对置配置。
16.根据权利要求11至14中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
来自所述多个光源的光是从多个光纤射出的光。
17.根据权利要求11至16中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
从所述光入射用光波导路的输入功率至所述光出射用光波导路的输出功率的光衰减量为5dB～40dB。
18.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导绿色光的光波导路，其呈直线状；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在两处的光耦合部进行光耦合；以及
引导红色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在所述两处的光耦合部之间进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路或者所述引导红色光的光波导路中的任意光波导路与所述光出射用光波导路连接。
19.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导绿色光的光波导路，其具有弯曲部；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部的前后两处的光耦合部进行光耦合；
引导红色光的光波导路，其呈直线状，与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路或者所述引导红色光的光波导路中的任意光波导路与所述光出射用光波导路连接。
20.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导绿色光的光波导路，其具有弯曲部；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部的前后两处的光耦合部进行光耦合；以及
引导红色光的光波导路，其具有与所述引导绿色光的光波导路在所述弯曲部进行光耦合的弯曲部，
所述引导蓝色光的光波导路或者所述引导红色光的光波导路中的任意光波导路与所述光出射用光波导路连接。
21.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导红色光的光波导路，其呈直线状；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导红色光的光波导路进行光耦合；以及
引导绿色光的光波导路，其与所述引导红色光的光波导路进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路和所述引导绿色光的光波导路中的在所述光合波器部分的光传播方向的后级进行光耦合的光波导路与光出射用光波导路连接。
22.根据权利要求11至17中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光合波器部分具有：
引导红色光的光波导路，其具有弯曲部；
引导绿色光的光波导路，其呈直线状，与所述引导红色光的光波导路在所述弯曲部进行光耦合；
引导蓝色光的光波导路，其与所述引导红色光的光波导路在所述弯曲部以外的区域进行光耦合，
所述引导蓝色光的光波导路和所述引导绿色光的光波导路中的在所述光合波器部分的光传播方向的后级进行光耦合的光波导路与光出射用光波导路连接。
23.根据权利要求11至22中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光出射侧光波导路设置在基板上，
所述光出射用光波导路以外的光出射侧光波导路的出射端位于所述基板的第1边，
所述光出射用光波导路的出射端位于与所述第1边交叉的第2边。
24.根据权利要求11至23中的任意一项所述的光波导路型合波光源光学装置，其中，
所述光出射用光波导路的方向与所述光合波器部分的传播轴线在±10°以内一致。
25.一种图像投射装置，其具有：
权利要求14所述的光波导路型合波光源光学装置；以及
图像形成部，其将借助所述光波导路型合波光源光学装置的所述光扫描用光学部件而进行扫描的所述合波后的光投射到被投射面。
CN202080004290.0A 2019-03-13 2020-02-19 光波导路型光合波器、光波导路型合波光源光学装置以及图像投射装置 Withdrawn CN112514184A (zh)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114280729A (zh) * 2022-02-10 2022-04-05 苏州龙马璞芯芯片科技有限公司 光波导路型合光器及使用该合光器的投影装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022169942A (ja) * 2021-04-28 2022-11-10 セーレンＫｓｔ株式会社 光合波器
JP2024060433A (ja) * 2022-10-19 2024-05-02 セーレンＫｓｔ株式会社 画像表示装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005077971A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Sony Corp ライトソースモジュールおよび表示装置
JP2005189385A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp 分岐型光導波路、光源モジュール、並びに光情報処理装置
US20110199582A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Light Source Unit, Optical Scanning Display, and Retinal Scanning Display
US20140211289A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Seiko Epson Corporation Head-mounted image display apparatus
US20150189245A1 (en) * 2010-08-12 2015-07-02 Octrolix Bv Scanning Laser Projector
CN106062600A (zh) * 2014-11-11 2016-10-26 光研公司 各种新型多波长合波器及使用合波器的新型多波长光源
CN106461862A (zh) * 2014-05-09 2017-02-22 国立大学法人福井大学 合波器、使用该合波器的图像投影装置和图像投影系统
WO2017065225A1 (ja) * 2015-10-14 2017-04-20 シャープ株式会社 光合波器及びこの光合波器を用いた画像投影装置
CN108700706A (zh) * 2016-02-18 2018-10-23 日本电信电话株式会社 光合波回路
JP2018180513A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 日本電信電話株式会社 モニタリング機能付き光源
JP2019035877A (ja) * 2017-08-17 2019-03-07 日本電信電話株式会社 光集積回路

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005077971A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Sony Corp ライトソースモジュールおよび表示装置
JP2005189385A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp 分岐型光導波路、光源モジュール、並びに光情報処理装置
US20110199582A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Light Source Unit, Optical Scanning Display, and Retinal Scanning Display
US20150189245A1 (en) * 2010-08-12 2015-07-02 Octrolix Bv Scanning Laser Projector
US20140211289A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Seiko Epson Corporation Head-mounted image display apparatus
CN106461862A (zh) * 2014-05-09 2017-02-22 国立大学法人福井大学 合波器、使用该合波器的图像投影装置和图像投影系统
CN106062600A (zh) * 2014-11-11 2016-10-26 光研公司 各种新型多波长合波器及使用合波器的新型多波长光源
WO2017065225A1 (ja) * 2015-10-14 2017-04-20 シャープ株式会社 光合波器及びこの光合波器を用いた画像投影装置
US20180306978A1 (en) * 2015-10-14 2018-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Optical multiplexer and image projection apparatus equipped with optical multiplexer
CN108700706A (zh) * 2016-02-18 2018-10-23 日本电信电话株式会社 光合波回路
JP2018180513A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 日本電信電話株式会社 モニタリング機能付き光源
JP2019035877A (ja) * 2017-08-17 2019-03-07 日本電信電話株式会社 光集積回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114280729A (zh) * 2022-02-10 2022-04-05 苏州龙马璞芯芯片科技有限公司 光波导路型合光器及使用该合光器的投影装置

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