CN112514085A - 发光装置和包括该发光装置的显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置可以包括：基底；至少一个发光元件，位于基底上并且发射光；第一电极和第二电极，彼此隔开预定距离且发光元件在第一电极与第二电极之间；颜色转换层，位于基底上并且将从发光元件发射的光转换为具有特定颜色的光；第一接触电极，将第一电极与发光元件的第一端电连接；以及第二接触电极，将第二电极与发光元件的第二端电连接。在平面图中，颜色转换层可以与发光元件隔开预定距离并且与第一接触电极和第二接触电极中的一个叠置。

Description

发光装置和包括该发光装置的显示装置
技术领域
本公开的各种实施例涉及一种发光装置和一种具有该发光装置的显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)即使在不良环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性，并且在寿命和亮度方面可以具有优异的性能。近来，对于将这样的LED应用于各种显示装置的技术的研究已经变得明显更加积极。
为了将LED应用于照明装置、显示装置等，需要将LED结合到电极，使得电源的电压可以施加到LED。关于LED的应用目的、减小电极所需空间的方法或制造LED的方法，已经进行了对于LED与电极之间的布置关系的各种研究。
另外，已经进行了通过在使用LED作为光源的显示装置中提高LED的光输出效率来提高显示质量的各种研究。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施例涉及一种其中可以增强超小型发光二极管的发光效率的发光装置以及具有该发光装置的显示装置。
技术方案
根据本公开的方面，一种发光装置可以包括：基底；至少一个发光元件，位于基底上并且被构造为发射光；第一电极和第二电极，彼此隔开预定距离且发光元件置于第一电极与第二电极之间；颜色转换层，位于基底上并且被构造为将从发光元件发射的光转换为具有特定颜色的光；第一接触电极，被构造为将第一电极与发光元件的第一端电结合；以及第二接触电极，被构造为将第二电极与发光元件的第二端电结合。在平面图中，颜色转换层可以与发光元件隔开预定距离并且与第一接触电极和第二接触电极中的任一个叠置。
在实施例中，颜色转换层可以包括量子点。颜色转换层可以与第二接触电极叠置。
在实施例中，颜色转换层可以位于第二电极上并且可以与第二电极叠置。第二接触电极可以位于颜色转换层上。
在实施例中，颜色转换层可以位于第二接触电极上。
在实施例中，发光装置还可以包括：第一连接线，沿一个方向延伸并且与第一电极电结合；以及第二连接线，平行于第一连接线延伸所沿的方向延伸并且与第二电极电结合。第二电极可以包括从第二连接线分支并且彼此隔开预定距离的第2-1电极和第2-2电极。颜色转换层可以在第2-1电极与第2-2电极之间位于基底上。
在实施例中，发光装置还可以包括位于基底与颜色转换层之间的虚设电极。
在实施例中，发光装置还可以包括：盖绝缘层，位于颜色转换层上；以及光阻挡图案，位于盖绝缘层上，光阻挡图案与发光元件对应。光阻挡图案可以包括黑矩阵，并且盖绝缘层可以包括无机绝缘层。
在实施例中，发光装置还可以包括辅助图案，该辅助图案位于盖绝缘层与光阻挡图案之间并且设置为与发光元件对应。
在实施例中，发光装置还可以包括辅助图案，该辅助图案设置在盖绝缘层与光阻挡图案之间并且设置为与发光元件对应。
在实施例中，发光装置还可以包括：第一绝缘层，设置在基底与发光元件之间；第二绝缘层，设置在发光元件上并且使发光元件的相对端暴露；以及第三绝缘层，设置在第二绝缘层上并且覆盖发光元件。
在实施例中，第一接触电极和第二接触电极可以位于第三绝缘层上并且彼此隔开预定距离。
在实施例中，第一接触电极和第二接触电极可以位于不同的层处。
在实施例中，发光元件可以包括具有圆柱或多棱柱的形状并且具有微米级或纳米级的尺寸的发光二极管。
根据本公开的方面，一种显示装置可以包括：基底，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，设置在基底的显示区域中，所述多个像素中的每个包括多个子像素。所述多个子像素中的每个可以包括包括：像素电路层，包括至少一个晶体管；以及显示元件层，包括通过其发射光的单元发射区域。
显示元件层可以包括：至少一个发光元件，设置在像素电路层上并且被构造为发射光；第一电极和第二电极，彼此隔开预定距离且发光元件置于第一电极与第二电极之间；颜色转换层，位于基底上并且被构造为将从发光元件发射的光转换为具有特定颜色的光；第一接触电极，被构造为将第一电极与发光元件的第一端电结合；以及第二接触电极，被构造为将第二电极与发光元件的第二端电结合。
在实施例中，在平面图中，颜色转换层可以与发光元件隔开预定距离，并且可以与第一接触电极和第二接触电极中的任一个叠置。
有益效果
本公开的实施例可以提供一种发光装置，在该发光装置中，颜色转换层设置在与超小型发光元件的基底相同的基底上，使得可以增强发光元件的光输出效率。
本公开的实施例可以提供一种包括该发光装置的显示装置。
附图说明
图1a和图1b是示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的各种类型的发光元件的透视图。
图2是示出包括图1a的发光元件的发光装置的单元发射区域的平面图。
图3a是沿图2的线I-I’截取的剖视图。
图3b和图3c示出了根据本公开的实施例的发光装置并且是对应于图2的线I-I’的剖视图。
图4是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。
图5是沿图4的线II-II’截取的剖视图。
图6是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。
图7是沿图6的线III-III’截取的剖视图。
图8是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。
图9是沿图8的线IV-IV’截取的剖视图。
图10是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。
图11是沿图10的线V-V’截取的剖视图。
图12示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且具体地，是示出使用图1a中所示的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。
图13a至图13c是示出根据各种实施例的图12的显示装置的单元发射区域的示例的电路图。
图14是示意性地示出包括在图12中所示的像素中的一个像素中的第一子像素至第三子像素的平面图。
图15a是沿图14的线VI-VI’截取的剖视图。
图15b和图15c示出了根据本公开的实施例的显示装置并且是对应于图14的线VI-VI’的剖视图。
图16a至图16h是顺序地示出制造图15a的显示装置的方法的剖视图。
图17示出了根据本公开的实施例的显示装置并且是对应于图14的线VI-VI’的剖视图。
图18示出了根据本公开的实施例的显示装置并且是对应于图14的线VI-VI’的剖视图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中详细描述特定实施例。然而，这不意图将本公开限制于特定的实践模式，并且将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物和替换物包含在本公开中。
在整个公开中，贯穿本公开的各个附图和实施例，同样的附图标记指同样的部件。为了说明的清楚，可以夸大附图中的元件的尺寸。将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。在本公开中，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也意图包括复数形式。
还将理解的是，当术语“包括”、“包含”、“具有”等用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部件设置在第二部件上时，第一部件不仅可以直接在第二部件上，而且第三部件可以置于它们之间。另外，当表述了诸如层、膜、区域或板的第一部件形成在第二部件上时，第二部件的其上形成有第一部件的表面不限于第二部件的上表面，而是可以包括诸如第二部件的侧表面或下表面的其它表面。相反，当诸如层、膜、区域或板的第一部件在第二部件下方时，第一部件可以不仅直接在第二部件下方，而且第三部件可以置于它们之间。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例实施例。
图1a和图1b是示出根据本公开的实施例的各种类型的发光元件的透视图。尽管图1a和图1b示出了圆柱的发光元件，但是本公开不限于此。
参照图1a和图1b，根据本公开的实施例的发光元件LD可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13以及置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。
例如，发光元件LD可以被实现为通过连续堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13而形成的堆叠体。
在本公开的实施例中，发光元件LD可以以在一个方向上延伸的棒的形式设置。如果发光元件LD延伸所沿的方向被定义为纵向方向，则发光元件LD可以在延伸方向上具有第一端和第二端。
第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在第一端上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在第二端上。
尽管发光元件LD可以以圆柱的形式设置，但是本公开不限于此。发光元件LD可以包括在纵向方向上延伸的棒状形状或条状形状(即，具有大于1的长宽比)。例如，发光元件LD在纵向方向上的长度L可以大于其直径。
发光元件LD可以包括以具有对应于例如微米级或纳米级尺寸的直径和/或长度的超小型尺寸制造的发光二极管。
然而，发光元件LD的尺寸不限于此，并且可以改变发光元件LD的尺寸，以满足应用发光元件LD的照明装置或自发射显示装置的要求。
第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括半导体层，该半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的任一种半导体材料，并且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂。
形成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11可以由各种其它材料形成。
活性层12可以形成在第一导电半导体层11上并且具有单量子阱或多量子阱结构。在本公开的实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12上和/或下方。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。另外，可以采用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层12。
如果将预定电压或更大的电场施加到发光元件LD的相对端，则发光元件LD通过活性层12中的电子-空穴对的结合而发光。
第二导电半导体层13可以设置在活性层12上并且可以包括具有与第一导电半导体层11的类型不同类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括半导体层，该半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的任何一种半导体材料，并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂。
形成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可以由各种其它材料形成。
在本公开的实施例中，如图1a中所示，除了包括第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13之外，发光元件LD还可以包括设置在第二导电半导体层13上的一个电极层15。此外，在实施例中，如图1b中所示，除了包括电极层15之外，发光元件LD还可以包括设置在第一导电半导体层11的一端上的另一电极层16。
尽管电极层15和16中的每个可以由欧姆接触电极形成，但是本公开不限于此。此外，电极层15和16中的每个可以包括金属或金属氧化物。例如，铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、ITO以及它们的氧化物或合金可以单独使用或彼此组合使用。然而，本公开不限于此。
包括在各个电极层15和16中的材料可以彼此相同或不同。
电极层15和16可以是透明的或半透明的。因此，从发光元件LD产生的光可以穿过电极层15和16，然后被发射到发光元件LD外部。
在本公开的实施例中，发光元件LD还可以包括绝缘膜14。在本公开的实施例中，绝缘膜14可以被省略，或者可以被设置为仅覆盖第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13中的一些。
如图1a中所示，绝缘膜14可以设置在发光元件LD的除了发光元件LD的相对端中的一端之外的一部分上。在这种情况下，绝缘膜14可以仅使设置在发光元件LD的第二导电半导体层13的一端上的一个电极层15暴露，并且包围除了电极层15之外的组件的全部侧表面。这里，绝缘膜14可以至少允许发光元件LD的相对端暴露于外部。例如，绝缘膜14可以不仅允许设置在第二导电半导体层13的一端上的电极层15暴露于外部，而且允许第一导电半导体层11的一端暴露于外部。
在实施例中，如图1b中所示，在电极层15和16设置在发光元件LD的相应的相对端上的情况下，绝缘膜14可以允许电极层15和16中的每个的至少一部分暴露于外部。可选地，在实施例中，可以不设置绝缘膜14。
在本公开的实施例中，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中选择的至少一种绝缘材料，但不限于此。换言之，可以采用具有绝缘性质的各种材料。
如果绝缘膜14设置在发光元件LD上，则可以防止活性层12与未示出的第一电极和/或第二电极短路。
此外，由于绝缘膜14，可以使发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，从而可以改善发光元件LD的寿命和效率。在多个发光元件LD被设置为彼此紧密接触的情况下，绝缘膜14可以防止在发光元件LD之间发生不期望的短路。
发光元件LD可以用作用于各种显示装置的光源。可以通过表面处理工艺来制造发光元件LD。
图2是示出包括图1a的发光元件的发光装置的单元发射区域的平面图。图3a是沿图2的线I-I’截取的剖视图。
尽管为了方便，图2示出了多个发光元件在水平方向上对准，但是发光元件的对准不限于此。
在图2中，单元发射区域可以是包括在发光装置中的一个子像素的像素区域。
参照图1a、图2和图3a，根据本公开的实施例的发光装置可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD，基底SUB上设置有具有单元发射区域100的至少一个子像素SP。
基底SUB可以包括诸如玻璃、有机聚合物或晶体的绝缘材料。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成以可弯曲或可折叠，并且具有单层或多层结构。
例如，基底SUB可以包括以下材料中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。然而，基底SUB的材料可以以各种方式改变。
用于防止杂质扩散到发光元件LD中的阻挡层BRL可以设置在基底SUB上。
在本公开的实施例中，发光元件LD中的每个可以由发光二极管形成，该发光二极管由具有无机晶体结构的材料制成并且具有例如对应于纳米级或微米级的超小型尺寸。
发光元件LD中的每个可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13以及置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。在一些实施例中，发光元件LD中的每个还可以包括设置在第二导电半导体层13的一侧上的电极层15。
发光元件LD中的每个可以包括第一端EP1和第二端EP2。第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在第一端EP1上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在第二端EP2上。
用于覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分的第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。因此，每个发光元件LD的相对端EP1和EP2可以暴露于外部。
第一绝缘层INS1可以设置在发光元件LD中的每个与基底SUB之间。第一绝缘层INS1可以填充在基底SUB与发光元件LD中的每个之间的空间中，以稳定地支撑发光元件LD并防止发光元件LD从基底SUB被移除。第一绝缘层INS1可以由包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层形成。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以形成和/或设置在子像素SP的单元发射区域100中。
第一连接线CNL1可以在第一方向DR1上从子像素SP延伸。第一连接线CNL1可以仅设置在子像素SP中，使得子像素SP可以和与其相邻的子像素电分离。因此，子像素SP可以独立于与其相邻的子像素而被驱动。
第二连接线CNL2可以在与第一连接线CNL1延伸所沿的方向平行的方向上延伸。第二连接线CNL2可以不仅延伸到子像素SP而且延伸到与子像素SP相邻的子像素。因此，子像素SP和与其相邻的子像素可以共同地结合到第二连接线CNL2。
第一电极REL1可以包括第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2，第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上从第一连接线CNL1分支。第1-1电极REL1_1、第1-2电极REL1_2和第一连接线CNL1可以一体地设置并且彼此电结合和/或物理结合。第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2中的每个在平面图中可以具有在第二方向DR2上延伸的条形。
在平面图中，第二电极REL2可以设置在第1-1电极REL1_1与第1-2电极REL1_2之间，并且可以与第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2中的每个隔开预定距离。第1-1电极REL1_1、第1-2电极REL1_2和第二电极REL2可以交替地设置在基底SUB上。
在发光元件LD在子像素SP中对准之前，可以通过第一连接线CNL1向第一电极REL1施加第一对准电压，并且可以通过第二连接线CNL2向第二电极REL2施加第二对准电压。第一对准电压和第二对准电压可以具有不同的电压电平。
随着将具有不同电压电平的预定的对准电压分别施加到第一电极REL1和第二电极REL2，可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场。发光元件LD可以通过电场在基底SUB上在第一电极REL1与第二电极REL2之间对准。
第一电极REL1和第二电极REL2可以在彼此隔开的位置处设置在基底SUB上，并且发光元件LD置于第一电极REL1与第二电极REL2之间。
在本公开的实施例中，第一电极REL1可以设置为与发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一端相邻，并且可以通过第一接触电极CNE1电结合到发光元件LD。第二电极REL2可以设置为与发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的另一端相邻，并且可以通过第二接触电极CNE2电结合到发光元件LD。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面处并且可以具有相同的高度。如果第一电极REL1和第二电极REL2具有相同的高度，则发光元件LD中的每个可以更可靠地结合到第一电极REL1和第二电极REL2。
第一电极REL1和第二电极REL2可以由导电材料形成。导电材料可以包括金属(诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr)或它们的合金、导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO))以及导电聚合物(诸如PEDOT)。
第一电极REL1和第二电极REL2中的每个可以具有单层结构，但是本公开不限于此，例如，其可以具有通过堆叠金属、合金、导电氧化物和导电聚合物中的两种或更多种材料形成的多层结构。
第一电极REL1和第二电极REL2的材料不限于上述材料。例如，第一电极REL1和第二电极REL2可以由具有预定反射率的导电材料制成，以允许从发光元件LD的相对端EP1和EP2发射的光沿显示图像的方向(例如，沿前向方向)行进。
在本公开的实施例中，第一电极REL1和第二电极REL2可以用作用于在发光元件LD已经在子像素SP中对准之后驱动每个发光元件LD的驱动电极。第一电极REL1和第二电极REL2可以用作用于在前向方向上反射从发光元件LD中的每个发射的光的反射电极。
尽管为了说明，第一电极REL1和第二电极REL2被示出为直接设置在基底SUB上，但是本公开不限于此。例如，用于使显示装置能够作为无源矩阵或有源矩阵驱动的组件可以进一步设置在基底SUB与第一电极REL1和第二电极REL2之间。
在发光装置作为有源矩阵驱动的情况下，例如，信号线、绝缘层和/或晶体管可以设置在基底SUB与第一电极REL1和第二电极REL2之间。
信号线可以包括扫描线、数据线、电力线等。晶体管可以结合到信号线并且可以包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。
第一电极REL1和第二电极REL2中的任一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。在本公开的一些实施例中，第一电极REL1可以是阳极电极，第二电极REL2可以是阴极电极。
在这种情况下，晶体管的源电极和漏电极中的一个电极可以结合到第一电极REL1和第二电极REL2中的任一电极。数据线的数据信号可以通过晶体管施加到所述任一电极。这里，信号线、绝缘层和/或晶体管的数量和形状可以以各种方式改变。
在本公开的实施例中，第一电极REL1可以通过接触孔(未示出)电结合到晶体管。因此，提供到晶体管的信号可以被施加到第一电极REL1。
此外，在发光装置作为有源矩阵驱动的情况下，第二电极REL2可以通过接触孔(未示出)电结合到信号线。因此，信号线的电压可以施加到第二电极REL2。
在本公开的实施例中，发光元件LD可以被划分为在第1-1电极REL1_1与第二电极REL2之间对准的多个第一发光元件LD1以及在第二电极REL2与第1-2电极REL1_2之间对准的多个第二发光元件LD2。
第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1可以通过第一接触电极CNE1电结合到第1-1电极REL1_1。因此，晶体管的信号可以被传输到第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1。第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2可以通过第二接触电极CNE2电结合到第二电极REL2。因此，信号线的电压可以被传输到第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2。
第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1可以通过第二接触电极CNE2电结合到第二电极REL2。因此，信号线的电压可以被传输到第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1。第二发光元件LD2中的每个的第二端EP2可以通过第一接触电极CNE1电结合到第1-2电极REL1_2。因此，晶体管的信号可以被传输到第二发光元件LD2中的每个的第二端EP2。
第一发光元件LD1和第二发光元件LD2可以构成子像素SP的光源。例如，如果驱动电流在每个帧周期期间流过子像素SP，则结合到子像素SP的第一电极REL1和第二电极REL2的发光元件LD可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1上，以将第一电极REL1与发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一端电可靠地和/或物理可靠地结合。
第一接触电极CNE1可以由透明导电材料形成，以允许从发光元件LD中的每个发射并被第一电极REL1反射的光在前向方向上行进而没有损失。例如，透明导电材料可以包括ITO、IZO、ITZO等。第一接触电极CNE1的材料不限于上述材料。
在平面图中，第一接触电极CNE1可以覆盖第一电极REL1并且与第一电极REL1叠置。此外，第一接触电极CNE1可以与发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一端部分地叠置。
在本公开的实施例中，第一接触电极CNE1可以包括设置在第1-1电极REL1_1上的第1-1接触电极CNE1_1以及设置在第1-2电极REL1_2上的第1-2接触电极CNE1_2。
在平面图中，第1-1接触电极CNE1_1可以与第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1和第1-1电极REL1_1叠置。在平面图中，第1-2接触电极CNE1_2可以与第二发光元件LD2中的每个的第二端EP2和第1-2电极REL1_2叠置。
第二接触电极CNE2可以设置在第二电极REL2上。在平面图中，第二接触电极CNE2可以覆盖第二电极REL2并且与第二电极REL2叠置。此外，第二接触电极CNE2可以与第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2和第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1叠置。
第二接触电极CNE2可以由与第一接触电极CNE1的材料相同的材料制成，但是本公开不限于此。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一平面处，并且可以设置在第三绝缘层INS3上且彼此隔开预定距离，使得第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2能够彼此电分离。在本公开的实施例中，第一接触电极CNE1可以与第三绝缘层INS3的一个侧表面叠置，第二接触电极CNE2可以与第三绝缘层INS3的另一侧表面叠置。
第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上并且可以覆盖发光元件LD中的每个的上表面的暴露部分，因此起到使第二绝缘层INS2与发光元件LD之间的台阶部平坦化的作用。尽管第三绝缘层INS3可以包括由有机材料形成的有机绝缘层，但是本公开不限于此。在实施例中，第三绝缘层INS3可以包括由无机材料形成的无机绝缘层。
第四绝缘层INS4可以设置在包括第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的基底SUB上。第四绝缘层INS4可以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2暴露于外部，因此防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2被腐蚀。尽管第四绝缘层INS4可以如图3a中所示由单层形成，但是本公开不限于此。在实施例中，第四绝缘层INS4可以由多层形成。
外覆层OC可以设置在第四绝缘层INS4上。
外覆层OC可以是用于减轻由设置在外覆层OC下的第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2等形成的台阶差的平坦化层。另外，外覆层OC可以是用于防止氧或水渗透到发光元件LD中的封装层。
在一些实施例中，可以省略外覆层OC。在省略外覆层OC的情况下，第四绝缘层INS4可以用作用于防止氧或水渗透到发光元件LD中的封装层。
如上所述，可以通过第1-1电极REL1_1和第二电极REL2将预定电压分别施加到每个第一发光元件LD1的相对端EP1和EP2。因此，每个第一发光元件LD1可以通过每个第一发光元件LD1的活性层12中的电子-空穴对的结合而发光。
此外，可以通过第二电极REL2和第1-2电极REL1_2将预定电压分别施加到第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2。因此，每个第二发光元件LD2可以通过每个第二发光元件LD2的活性层12中的电子-空穴对的结合而发光。
颜色转换层CCL可以设置在子像素SP的单元发射区域100中。
颜色转换层CCL可以将从每个发光元件LD发射的光转换为具有特定颜色的光，然后发射光。例如，如果发光元件LD发射蓝光，则颜色转换层CCL可以根据对应的子像素将蓝光转换为具有特定颜色的光。
为此，颜色转换层CCL可以以其中至少一种光转换颗粒分布在透明树脂中的形式构造。在本公开的实施例中，光转换颗粒可以是量子点QD。
例如，在子像素SP是红色子像素并且设置在子像素SP中的发光元件LD是被构造为发射具有除红色之外的颜色的光(例如，蓝光)的发光元件的情况下，颜色转换层CCL可以包括红色量子点QD作为光转换颗粒。
如果蓝光被引入到包括红色量子点QD的颜色转换层CCL中，则颜色转换层CCL可以吸收蓝光，通过能量跃迁使光的波长偏移，并且发射波长范围为约620nm至约680nm的红光。
此外，在子像素SP是绿色子像素并且设置在子像素SP中的发光元件LD是被构造为发射具有除绿色之外的颜色的光(例如，蓝光)的发光元件的情况下，颜色转换层CCL可以包括绿色量子点QD作为光转换颗粒。
如果蓝光被引入到包括绿色量子点QD的颜色转换层CCL中，则颜色转换层CCL可以吸收蓝光，通过能量跃迁使光的波长偏移，并且发射波长范围为约500nm至约560nm的绿光。
红色量子点QD和绿色量子点QD可以选自于II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合。
II-VI族化合物可以选自于由以下化合物组成的组：选自于由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组的二元化合物；选自于由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自于由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组的四元化合物。III-V族化合物可以选自于由以下化合物组成的组：选自于由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组的二元化合物；选自于由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自于由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组的四元化合物。IV-VI族化合物可以选自于由以下化合物组成的组：选自于由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组的二元化合物；选自于由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自于由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组的四元化合物。IV族元素可以选自于由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族化合物可以是选自于由SiC、SiGe及其混合物组成的组的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以基本均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以局部不同的浓度分布存在于相同的颗粒中。此外，红色量子点QD和绿色量子点QD均可以具有其中一个量子点被其它量子点围绕的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度沿着从颗粒的表面到颗粒的中心的方向降低的浓度梯度。
红色量子点QD和绿色量子点QD可以具有本领域中通常使用的任何形状，并且没有具体限制。具体地，可以使用球形、棱锥形、多臂形或立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米片颗粒。
为了方便，将描述子像素SP是红色子像素，颜色转换层CCL包括红色量子点QD，设置在子像素SP中的第一发光元件LD1和第二发光元件LD2发射蓝光的情况作为代表性示例。
颜色转换层CCL可以在子像素SP的单元发射区域100中的第一发光元件LD1与第二发光元件LD2之间设置在基底SUB上。
在本公开的实施例中，颜色转换层CCL可以设置在第二电极REL2上，但是本公开不限于此。在实施例中，颜色转换层CCL可以直接设置在基底SUB上。
在平面图中，颜色转换层CCL可以与第二电极REL2和第二接触电极CNE2叠置。在剖视图中，在颜色转换层CCL设置在第二接触电极CNE2下方的情况下，第二接触电极CNE2可以在颜色转换层CCL的相对端上与第二电极REL2叠置，并因此与第二电极REL2电结合和/或物理结合。
颜色转换层CCL可以通过曝光方法等形成和/或设置在子像素SP的单元发射区域100中。
如上所述，如果通过第一电极REL1和第二电极REL2将预定电压施加到第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2，则第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个可以发射蓝光。从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个发射的蓝光可以行进到颜色转换层CCL。
如果蓝光被引入到颜色转换层CCL中，则红色量子点QD可以被激发，使得可以吸收蓝光并且可以发射红光。从红色量子点QD发射的红光可以在所有方向上发射。
最终从颜色转换层CCL发射的红光可以通过设置在颜色转换层CCL下方的第二电极REL2在发光装置的前向方向上被反射。此外，从颜色转换层CCL发射的红光可以通过与颜色转换层CCL相邻设置的第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2在发光装置的前向方向上被反射。
在下文中，将参照图2和图3a以堆叠顺序来描述根据本公开的实施例的发光装置的构造。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在其上设置有阻挡层BRL的基底SUB上。第一电极REL1和第二电极REL2可以在彼此隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上。
第一绝缘层INS1可以设置在第一电极REL1和第二电极REL2上。第一绝缘层INS1可以由包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层形成。
在实施例中，盖电极(未示出)可以设置在第一电极REL1与第一绝缘层INS1之间以及第二电极REL2与第一绝缘层INS1之间。盖电极可以防止第一电极REL1和第二电极REL2由于在制造发光装置的工艺期间引起的缺陷等而被损坏。盖电极可以进一步加强基底SUB与第一电极REL1和第二电极REL2中的每个之间的粘合力。
发光元件LD可以在第一绝缘层INS1上对准。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上，使得发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2可以被暴露。第二绝缘层INS2可以由包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层形成。
第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可以起到使由第二绝缘层INS2和发光元件LD形成的台阶部平坦化的作用。
颜色转换层CCL2可以设置在包括第三绝缘层INS3的基底SUB上。颜色转换层CCL可以形成和/或设置在基底SUB上的第二电极REL2上。详细地，颜色转换层CCL可以在第一发光元件LD1与第二发光元件LD2之间设置在第二电极REL2上。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第三绝缘层INS3上。第一接触电极CNE1可以设置在第三绝缘层INS3的一个侧表面上并且与第三绝缘层INS3部分地叠置。第二接触电极CNE2可以设置在第三绝缘层INS3的另一侧表面上并且与第三绝缘层INS3部分地叠置。此外，第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL上并且与颜色转换层CCL和第二电极REL2叠置。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第三绝缘层INS3上并且可以彼此隔开预定距离，使得第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2能够彼此电分离和/或物理分离。
第四绝缘层INS4可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。外覆层OC可以设置在第四绝缘层INS4上。
如上所述，根据本公开的实施例的发光装置可以通过包括红色量子点QD的颜色转换层CCL发射具有优异颜色再现性的光，使得可以增强光输出效率。
此外，根据本公开的实施例的发光装置可以将包括红色量子点QD的颜色转换层CCL设置在与发光元件LD的基底SUB相同的基底SUB上，使得发光元件LD与颜色转换层CCL之间的距离可以最小化。因此，从发光元件LD发射的蓝光可以在没有光损失的情况下直接入射到颜色转换层CCL上，使得可以增加最终从颜色转换层CCL发射的光的量。因此，可以增强发光装置的光输出效率。
如果颜色转换层CCL不设置在其上设置有发光元件LD的基底SUB(在下文中，称为“第一基底”)上而是设置在面对第一基底SUB的单独的基底(在下文中，称为“第二基底”)上，则会增大设置在第一基底SUB上的发光元件LD与设置在第二基底上的颜色转换层CCL之间的距离。在这种情况下，从发光元件LD发射的蓝光可能会不仅入射到设置在子像素SP中的颜色转换层CCL上，而且入射到设置在与子像素SP相邻的子像素中的颜色转换层上。在这种情况下，可能会在设置在子像素SP中的颜色转换层CCL和设置在与子像素SP相邻的子像素中的颜色转换层之间引起颜色混合。
此外，在将第一基底SUB和第二基底结合的工艺期间，第一基底SUB的发光元件LD可能会与第二基底的颜色转换层CCL未对准。在这种情况下，也可能会在设置在子像素SP中的颜色转换层CCL和设置在与子像素SP相邻的子像素中的颜色转换层之间引起颜色混合。
鉴于此，在根据本公开的实施例的发光装置中，颜色转换层CCL和发光元件LD可以设置在相同的第一基底SUB上，以防止子像素SP和与其相邻的子像素之间的颜色混合并且防止未对准。
此外，在根据本公开的实施例的发光装置中，颜色转换层CCL和发光元件LD可以设置在相同的第一基底SUB上，使得可以跳过在第二基底上形成颜色转换层CCL的工艺。因此，可以简化根据本公开的实施例的制造发光装置的工艺。
图3b示出了根据本公开的实施例的发光装置并且是对应于图2的线I-I’的剖视图。
除了颜色转换层设置在第二接触电极上的事实之外，图3b中所示的发光装置可以具有与图2和图3a的发光装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图3b的发光装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图2和图3b，根据本公开的实施例的发光装置可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD，基底SUB上设置有具有单元发射区域100的至少一个子像素SP。
在本公开的实施例中，多个发光元件LD均可以是被制造为具有超小型尺寸并且发射在可见光区域中具有相对短的波长的蓝光的发光二极管。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及颜色转换层CCL可以设置在子像素SP的单元发射区域100中。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面处并且彼此隔开预定距离。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在对应的电极上并且可以电结合和/或物理结合到对应的电极。例如，第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1上并且可以与第一电极REL1电结合和/或物理结合。第二接触电极CNE2可以设置在第二电极REL2上并且可以与第二电极REL2电结合和/或物理结合。
尽管如图3b中所示，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置在同一平面处并且彼此隔开预定距离，但是本公开不限于此。在实施例中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在不同的层上。将参照图3c对第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置在不同的层上的实施例做出详细的描述。
颜色转换层CCL可以将蓝光转换为最终从子像素SP发射的特定颜色光。例如，在子像素SP是红色子像素的情况下，颜色转换层CCL可以将蓝光转换为红光并发射红光。为此，颜色转换层CCL可以包括红色量子点QD。红色量子点QD可以以其中红色量子点QD分布在透明树脂中的形式设置在颜色转换层CCL中。
颜色转换层CCL可以在子像素SP的单元发射区域100中设置在第二接触电极CNE2上，并且与第二电极REL2和第二接触电极CNE2叠置。
颜色转换层CCL可以在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2形成在基底SUB上之后通过曝光方法等形成在第二接触电极CNE2上。
最终从颜色转换层CCL发射的红光可以通过设置在颜色转换层CCL下方的第一电极REL1和第二电极REL2在发光装置的前向方向上被反射。
第四绝缘层INS4可以设置在颜色转换层CCL上。第四绝缘层INS4可以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及颜色转换层CCL暴露于外部，因此保护第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及颜色转换层CCL。第四绝缘层INS4可以由诸如氮化硅SiNx的无机绝缘层形成，以防止氧、水等从外部被引入发光元件LD和颜色转换层CCL中。
如上所述，在根据本公开的实施例的发光装置中，颜色转换层CCL可以设置在与发光元件LD的基底SUB相同的基底SUB上，使得可以增强最终从子像素SP发射的光的效率。
图3c示出了根据本公开的实施例的发光装置并且是对应于图2的线I-I’的剖视图。
除了第一接触电极和第二接触电极设置在不同的层上的事实之外，图3c中所示的发光装置可以具有与图2和图3a的发光装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图3c的发光装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图2和图3c，根据本公开的实施例的发光装置可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD，基底SUB上设置有具有单元发射区域100的至少一个子像素SP。
在本公开的实施例中，多个发光元件LD中的每个可以是被制造为具有超小型尺寸并且可以发射在可见光区域中具有相对短的波长的蓝光的发光二极管。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及颜色转换层CCL可以设置在子像素SP的单元发射区域100中。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面处并且可以彼此隔开预定距离。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1以及发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一端上。
第三绝缘层INS3可以设置在第一接触电极CNE1上。第三绝缘层INS3可以防止第一接触电极CNE1暴露于外部，因此防止第一接触电极CNE1被腐蚀。
颜色转换层CCL可以在其上设置有第一接触电极CNE1的基底SUB上通过曝光方法等形成在第二电极REL2上。在平面图中，颜色转换层CCL可以与第二电极REL2叠置。
颜色转换层CCL可以包括用于将从发光元件LD发射的蓝光转换为红光的红色量子点QD。最终从颜色转换层CCL发射的红光可以通过设置在颜色转换层CCL下方的第一电极REL1和第二电极REL2在发光装置的前向方向上被反射。
第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL上。第二接触电极CNE2还可以设置在第二电极REL2以及每个发光元件LD的相对端EP1和EP2中的另一端上。
在剖视图中，第二接触电极CNE2可以在颜色转换层CCL的相对端上与第二电极REL2叠置，并且颜色转换层CCL置于第二接触电极CNE2与第二电极REL2之间。第二接触电极CNE2可以设置在与第一接触电极CNE1的层不同的层上。
第四绝缘层INS4可以设置在第二接触电极CNE2上。外覆层OC可以设置在第四绝缘层INS4上。
如上所述，在根据本公开的实施例的发光装置中，颜色转换层CCL可以设置在与发光元件LD的基底SUB相同的基底SUB上，使得可以增强最终从子像素SP发射的光的效率。
图4是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。图5是沿图4的线II-II’截取的剖视图。
除了第二电极包括从第二连接线分支的第2-1电极和第2-2电极的事实之外，图4和图5中所示的发光装置可以具有与图2和图3a的发光装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图4和图5的发光装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图4和图5，根据本公开的实施例的发光装置可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD，基底SUB上设置有具有单元发射区域100的至少一个子像素SP。
在本公开的实施例中，多个发光元件LD均可以是被制造为具有超小型尺寸并且发射在可见光区域中具有相对短的波长的蓝光的发光二极管。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及颜色转换层CCL可以设置在子像素SP的单元发射区域100中。
第一连接线CNL1可以在第一方向DR1上延伸并且仅设置在子像素SP中，使得子像素SP可以和与其相邻的子像素电分离。
第二连接线CNL1可以在与第一连接线CNL1延伸所沿的方向平行的方向上延伸。第二连接线CNL2可以不仅延伸到子像素SP而且延伸到与子像素SP相邻的子像素。
第一电极REL1可以包括在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上从第一连接线CNL1分支的第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2。第1-1电极REL1_1、第1-2电极REL1_2和第一连接线CNL1可以一体地设置并且彼此电结合和/或物理结合。
第二电极REL2可以包括在第二方向DR2上从第二连接线CNL2分支的第2-1电极REL2_1和第2-2电极REL2_2。第2-1电极REL2_1、第2-2电极REL2_2和第二连接线CNL2可以一体地设置并且彼此电结合和/或物理结合。
第1-1电极REL1_1和第2-1电极REL2_1可以在彼此隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上，并且发光元件LD中的第一发光元件LD1置于第1-1电极REL1_1与第2-1电极REL2_1之间。
第1-1电极REL1_1可以通过第一接触电极CNE1电结合到第一发光元件LD1中的每个的相对端EP1和EP2中的一端。第2-1电极REL2_1可以通过第二接触电极CNE2电结合到第一发光元件LD1中的每个的另一端。
第1-2电极REL1_2可以通过第一接触电极CNE1电结合到第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2中的一端。第2-2电极REL2_2可以通过第二接触电极CNE2电结合到第二发光元件LD2中的每个的另一端。
第一电极REL1和第二电极REL2可以由具有预定反射率的导电材料形成，使得从颜色转换层CCL发射的光可以在显示发光装置的图像的方向上行进。
颜色转换层CCL可以将从发光元件LD中的每个发射的蓝光转换为具有特定颜色的光，然后发射光。颜色转换层CCL可以包括红色量子点QD，红色量子点QD是用于将蓝光转换为红光的光转换颗粒。
在本公开的实施例中，颜色转换层CCL可以在子像素SP的单元发射区域100中的第一发光元件LD1与第二发光元件LD2之间设置在基底SUB上。
在平面图中，颜色转换层CCL可以在第2-1电极REL2_1与第2-2电极REL2_2之间设置在基底SUB上，并且可以与第二接触电极CNE2叠置。第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL上，但是本公开不限于此。在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL下方。
颜色转换层CCL可以在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2形成在子像素SP的单元发射区域100中之前通过曝光方法等形成和/或设置在第2-1电极REL2_1与第2-2电极REL2_2之间。
如上所述，如果通过第一电极REL1和第二电极REL2将预定电压施加到第一发光元件LD1和第二发光元件DL2中的每个的相对端EP1和EP2，则第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个可以发射蓝光。从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个发射的蓝光可以行进到颜色转换层CCL。
如果蓝光被引入到颜色转换层CCL中，则红色量子点QD可以被激发，使得可以吸收蓝光并且可以发射红光。从红色量子点QD发射的红光可以在所有方向上发射。
最终从颜色转换层CCL发射的红光可以通过设置在颜色转换层CCL下方的第一电极REL1和第二电极REL2在发光装置的前向方向上被反射。
如上所述，在根据本公开的实施例的发光装置中，颜色转换层CCL可以设置在与发光元件LD的基底SUB相同的基底SUB上，使得可以增强最终从子像素SP发射的光的效率。
图6是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。图7是沿图6的线III-III’截取的剖视图。
除了虚设电极设置在基底与颜色转换层之间的事实之外，图6和图7中所示的发光装置可以具有与图4和图5的发光装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图6和图7的发光装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图6和图7，根据本公开的实施例的发光装置可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD，基底SUB上设置有具有单元发射区域100的至少一个子像素SP。
在本公开的实施例中，多个发光元件LD中的每个可以是被制造为具有超小型尺寸并且可以发射在可见光区域中具有相对短的波长的蓝光的发光二极管。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2、颜色转换层CCL以及虚设电极DRE可以设置在子像素SP的单元发射区域100中。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面处并且可以彼此隔开预定距离。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第三绝缘层INS3上并且可以彼此隔开预定距离以彼此电分离。
颜色转换层CCL可以包括用于将从发光元件LD中的每个发射的蓝光转换为红光的红色量子点QD。
颜色转换层CCL可以在子像素SP的单元发射区域100中的发光元件LD中的第一发光元件LD1与发光元件LD中的第二发光元件LD2之间设置在基底SUB上。
在平面图中，颜色转换层CCL可以在第2-1电极REL2_1与第2-2电极REL2_1之间设置在基底SUB上，并且可以与第二接触电极CNE2叠置。第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL上，但是本公开不限于此。在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL下方。
虚设电极DRE可以设置在颜色转换层CCL与基底SUB之间。虚设电极DRE可以是虚设反射组件，该虚设反射组件被构造为在显示发光装置的图像的方向上反射从颜色转换层CCL发射并从颜色转换层CCL向下行进的红光。为此，虚设电极DRE可以由具有预定反射率的导电材料形成。
导电材料可以包括例如金属(诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr)或它们的合金、导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO))以及导电聚合物(诸如PEDOT)。
第一电极REL1和第二电极REL2可以包括与虚设电极DRE的材料相同的材料，但是本公开不限于此。
在发光装置中，虚设电极DRE设置在颜色转换层CCL下方，使得从颜色转换层CCL向下行进的红光也可以在显示图像的方向上被反射，由此可以进一步增强最终从子像素SP发射的光的效率。
图8是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。图9是沿图8的线IV-IV’截取的剖视图。
除了盖绝缘层设置在第一接触电极和第二接触电极上并且光阻挡图案设置在第四绝缘层上的事实之外，图8和图9中所示的发光装置可以具有与图4和图5的发光装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图8和图9的发光装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图8和图9，根据本公开的实施例的发光装置可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD，基底SUB上设置有具有单元发射区域100的至少一个子像素SP。
在本公开的实施例中，多个发光元件LD均可以是被制造为具有超小型尺寸并且发射在可见光区域中具有相对短的波长的蓝光的发光二极管。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2、颜色转换层CCL以及光阻挡图案BLP可以设置在子像素SP的单元发射区域100中。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面处并且可以彼此隔开预定距离。
第一电极REL1可以包括第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2，第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2在彼此隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上，并且因此彼此电分离和/或物理分离。第二电极REL2可以包括第2-1电极REL2_1和第2-2电极REL2_2，第2-1电极REL2_1和第2-2电极REL2_2在彼此隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上，但是彼此电结合和/或物理结合。
颜色转换层CCL可以在第2-1电极REL2_1与第2-2电极REL2_2之间设置在基底SUB上。颜色转换层CCL可以包括用于将从发光元件LD中的每个发射的蓝光转换为红光的红色量子点QD。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一平面处并且彼此隔开预定距离。详细地，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第三绝缘层INS3上并且可以彼此隔开预定距离，以彼此电分离。
第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL上并且可以与颜色转换层CCL叠置。此外，第二接触电极CNE2可以设置在第2-1电极REL2_1和第2-2电极REL2_2上，并且可以与第2-1电极REL2_1和第2-2电极REL2_2叠置。
盖绝缘层CPL可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。盖绝缘层CPL可以防止颜色转换层CCL以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2暴露于外部，因此保护第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及颜色转换层CCL。特别地，盖绝缘层CPL可以包括由无机材料形成的无机绝缘层，以防止氧、水等从外部被引入到发光元件LD和颜色转换层CCL中。
光阻挡图案BLP可以设置在盖绝缘层CPL上。
光阻挡图案BLP可以设置在盖绝缘层CPL上以与发光元件LD的上表面对应。
光阻挡图案BLP可以吸收从发光元件LD发射的光线之中朝向发光元件LD的上表面行进的蓝光，因此防止发光装置的色纯度劣化。为此，光阻挡图案BLP可以包括能够吸收朝向发光元件LD的上表面行进的蓝光的材料。例如，光阻挡图案BLP可以包括黑矩阵，但是本公开不限于此。
此外，光阻挡图案BLP可以通过吸收从外部入射到发光装置上的光来减少外部光的反射。
第四绝缘层INS4可以设置在光阻挡图案BLP上。外覆层OC可以设置在第四绝缘层INS4上。
如上所述，在根据本公开的实施例的发光装置中，颜色转换层CCL可以设置在与发光元件LD的基底SUB相同的基底SUB上，并且光阻挡图案BLP可以设置在发光元件LD的上表面上，从而可以增强最终从子像素SP发射的光的效率并且可以防止子像素SP的色纯度劣化。
图10是示出根据本公开的实施例的发光装置的单元发射区域的平面图。图11是沿图10的线V-V’截取的剖视图。
除了辅助图案设置在光阻挡图案与盖层之间的事实之外，图10和图11中所示的发光装置可以具有与图8和图9的发光装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图10和图11的发光装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图10和图11，根据本公开的实施例的发光装置可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个发光元件LD，基底SUB上设置有具有单元发射区域100的至少一个子像素SP。
在本公开的实施例中，多个发光元件LD均可以是被制造为具有超小型尺寸并且可以发射在可见光区域中具有相对短的波长的蓝光的发光二极管。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2、颜色转换层CCL、光阻挡图案BLP以及辅助图案ARP可以设置在子像素SP的单元发射区域100中。
第一电极REL1可以包括第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2，第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2在彼此隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上，并且因此彼此电分离和/或物理分离。第二电极REL2可以包括第2-1电极REL2_1和第2-2电极REL2_2，第2-1电极REL2_1和第2-2电极REL2_2在彼此隔开预定距离的位置处设置在基底SUB上，但彼此电结合和/或物理结合。
颜色转换层CCL可以在第2-1电极REL2_1与第2-2电极REL2_2之间设置在基底SUB上。第二接触电极CNE2可以设置在颜色转换层CCL上并且可以与颜色转换层CCL叠置。
盖绝缘层CPL可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。
辅助图案ARP可以设置在盖绝缘层CPL上。辅助图案ARP可以设置在盖绝缘层CPL上以与发光元件LD的上表面对应。
辅助图案ARP可以朝向颜色转换层CCL反射朝向发光元件LD的上表面行进的蓝光，并且因此增加设置在颜色转换层CCL中的量子点QD的激发光。为此，辅助图案ARP可以由具有预定反射率的导电材料形成。
辅助图案ARP可以包括与第一电极REL1和第二电极REL2的材料相同的材料，但是本公开不限于此。
光阻挡图案BLP可以设置在辅助图案ARP上。光阻挡图案BLP可以由黑矩阵形成，并且可以吸收从发光元件LD发射的蓝色光线之中朝向发光元件LD的上表面行进而未被辅助图案ARP朝向颜色转换层CCL反射的蓝色光线，因此防止发光装置的色纯度劣化。
此外，光阻挡图案BLP可以吸收从外部入射在发光装置上的光线，并且可以吸收入射在发光装置上的光线之中在显示发光装置的图像的方向上由辅助图案ARP反射的光线，因此减少来自发光装置的外部光的反射。
如上所述，在根据本公开的实施例的发光装置中，颜色转换层CCL可以设置在与发光元件LD的基底SUB相同的基底SUB上，并且辅助图案ARP和光阻挡图案BLP可以设置在发光元件LD的上表面上，使得可以增强最终从子像素SP发射的光的效率并且可以防止子像素SP的色纯度劣化。
图12示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且具体地，是示出使用图1a中所示的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。
为了说明，图12示意性地示出了显示装置的结构，集中于其上显示图像的显示区域。在一些实施例中，尽管未示出，但是还可以在显示装置中设置至少一个驱动电路(例如，扫描驱动器和数据驱动器)和/或多条线。
参照图1a和图12，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基底SUB、设置在基底SUB上并且均包括至少一个发光元件LD的像素PXL、设置在基底SUB上并且被构造为驱动像素PXL的驱动器(未示出)以及设置为将像素PXL与驱动器结合的线组件(未示出)。
根据驱动发光元件LD的方法，显示装置可以被分类为无源矩阵型显示装置和有源矩阵型显示装置。例如，在显示装置被实现为有源矩阵型的情况下，像素PXL中的每个可以包括被构造为控制将被供应到发光元件LD的电流量的驱动晶体管以及被构造为将数据信号传输到驱动晶体管的开关晶体管。
近来，已经开发出能够在考虑到分辨率、对比度和工作速度的同时选择性地使每个像素PXL导通的有源矩阵型显示装置。然而，本公开不限于此。例如，其中像素PXL可以按组导通的无源矩阵型显示装置也可以采用用于驱动发光元件LD的组件(例如，第一电极和第二电极)。
基底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
在实施例中，显示区域DA可以设置在显示装置的中心部分中，非显示区域NDA可以以包围显示区域DA的方式设置在显示装置的外周部分中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，并且其位置可以改变。
显示区域DA可以是其中设置有用于显示图像的像素PXL的区域。非显示区域NDA可以是其中设置有用于驱动像素PXL的驱动器以及用于将像素PXL结合到驱动器的一些线组件的区域。
显示区域DA可以具有各种形状。例如，显示区域DA可以以各种形式设置，各种形式诸如包括由直线形成的边的闭合多边形、包括由曲线形成的边的圆形、椭圆形等以及包括由直线形成的边和由曲线形成的边的半圆形、半椭圆形等。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧上。在本公开的实施例中，非显示区域NDA可以包围显示区域DA的外周。
像素PXL可以在基底SUB上设置在显示区域DA中。像素PXL中的每个指用于显示图像的最小单元，并且可以设置多个像素。
像素PXL中的每个可以包括被构造为响应于对应的扫描信号和对应的数据信号而被驱动的发光元件LD。发光元件LD可以具有与纳米级或微米级对应的小尺寸，并且并联结合到与其相邻设置的发光元件。发光元件LD可以形成对应的像素PXL的光源。
像素PXL可以沿在第一方向DR1上延伸的行和在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，像素PXL的布置不限于特定布置。换言之，像素PXL可以以各种形式布置。
驱动器可以通过线组件向每个像素PXL提供信号并且因此可以控制像素PXL的操作。在图12中，为了说明，省略了线组件。
驱动器可以包括被构造为通过扫描线向像素PXL提供扫描信号的扫描驱动器、被构造为通过发射控制线向像素PXL提供发射控制信号的发射驱动器、被构造为通过数据线向像素PXL提供数据信号的数据驱动器以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器、发射驱动器和数据驱动器。
图13a至图13c是示出根据各种实施例的图12的显示装置的单元发射区域的示例的电路图。
参照图13a至图13c，第一子像素至第三子像素中的每个可以由有源像素构造。然而，第一子像素至第三子像素中的每个的类型、构造和/或驱动方法没有特别限制。例如，第一子像素至第三子像素中的每个可以由可以具有各种已知结构的无源或有源显示装置的像素构造。
此外，参照图13a至图13c，第一子像素至第三子像素可以具有基本相同的结构或相似的结构。在下文中，为了方便，将描述第一子像素至第三子像素中的第一子像素作为代表性示例。
参照图1a、图12和图13a，第一子像素SP1可以包括在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VDD之间彼此并联结合的多个发光元件LD以及被构造为驱动发光元件LD的像素驱动电路144。
发光元件LD中的每个的第一电极(例如，阳极电极)可以经由像素驱动电路144结合到第一驱动电源VDD。发光元件LD中的每个的第二电极(例如，阴极电极)可以结合到第二驱动电源VSS。
第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电势。例如，第二驱动电源VSS可以具有比第一驱动电源VDD的电势低的电势，低等于或大于发光元件LD的阈值电压的值。
发光元件LD中的每个可以以对应于由像素驱动电路144控制的驱动电流的亮度发光。
尽管图13a至图13c示出了其中发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间在同一方向(例如，前向方向)上彼此并联结合的实施例，但本公开不限于此。例如，在实施例中，发光元件LD中的一些可以在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间在前向方向上结合，并且其它发光元件LD可以在反向方向上结合。第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS中的一个可以以交流电压的形式供应。在这种情况下，发光元件LD可以按相同连接方向的组交替地发光。可选地，在实施例中，第一子像素SP1可以包括单个发光元件LD。
在本公开的实施例中，像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。然而，像素驱动电路144的结构不限于图13a中所示的实施例。
第一晶体管(T1；开关晶体管)的第一电极结合到数据线Dj，并且其第二电极结合到第一节点N1。这里，第一晶体管T1的第一电极和第二电极可以是不同的电极。例如，如果第一电极为源电极，则第二电极为漏电极。第一晶体管T1的栅电极结合到扫描线Si。
当从扫描线Si供应具有能够使第一晶体管T1导通的电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第一晶体管T1被导通以将数据线Dj与第一节点N1电结合。这里，对应帧的数据信号被供应到数据线Dj，由此数据信号被传输到第一节点N1。传输到第一节点N1的数据信号被充入到存储电容器Cst。
第二晶体管(T2；驱动晶体管)的第一电极结合到第一驱动电源VDD，并且其第二电极电结合到每个发光元件LD的第一电极。第二晶体管T2的栅电极结合到第一节点N1。第二晶体管T2可以响应于第一节点N1的电压来控制将供应到发光元件LD的驱动电流的量。
存储电容器Cst的一个电极结合到第一驱动电源VDD，并且其另一电极结合到第一节点N1。存储电容器Cst可以充入与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压，并且可以保持充入的电压直到供应后一帧的数据信号。
为了说明，图13a示出了具有相对简单的结构的像素驱动电路144，该相对简单的结构包括被构造为将数据信号传输到第一子像素SP1的第一晶体管T1、被构造为存储数据信号的存储电容器Cst以及被构造为将与数据信号对应的驱动电流供应到发光元件LD的第二晶体管T2。
然而，本公开不限于前述结构，并且像素驱动电路144的结构可以以各种方式改变。例如，像素驱动电路144还可以包括诸如被构造为补偿第二晶体管T2的阈值电压的晶体管元件、被构造为使第一节点N1初始化的晶体管元件以及/或者被构造为控制发光元件LD的发射时间的晶体管元件的至少一个晶体管元件或者诸如用于升高第一节点N1的电压的升压电容器的其它电路元件。
此外，尽管在图13a中，包括在像素驱动电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换言之，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以由N型晶体管形成。
参照图1a、图12和图13b，根据本公开的实施例的第一晶体管T1和第二晶体管T2可以由N型晶体管形成。除了由于晶体管类型的改变而导致的一些组件的连接位置的改变之外，图13b中所示的像素驱动电路144的构造和操作与图13a的像素驱动电路144的构造和操作类似。因此，将省略与此相关的详细描述。
在本公开的实施例中，像素驱动电路144的构造不限于图13a和图13b中所示的实施例。例如，像素驱动电路144可以以与图13c中所示的实施例的方式相同的方式构造。
参照图1a、图12和图13c，像素驱动电路144可以结合到第一子像素SP1的扫描线Si和数据线Dj。例如，如果第一子像素SP1设置在显示区域DA的第i行第j列上，则第一子像素SP1的像素驱动电路144可以结合到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。
在实施例中，像素驱动电路144还可以结合到至少一条扫描线。例如，设置在显示区域DA的第i行上的子像素SP1还可以结合到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。
在实施例中，像素驱动电路144可以不仅结合到第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS，而且结合到第三电源。例如，像素驱动电路144还可以结合到初始化电源Vint。
这里，像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。
第一晶体管(例如，驱动晶体管)T1的第一电极(例如，源电极)可以经由第五晶体管T5结合到第一驱动电源VDD，并且其第二电极(例如，漏电极)可以经由第六晶体管T6结合到发光元件LD的一端。第一晶体管T1的栅电极可以结合到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压控制经由发光元件LD在第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS之间流动的驱动电流。
第二晶体管(例如，开关晶体管)T2可以结合在结合到第一子像素SP1的第j数据线Dj与第一晶体管T1的源电极之间。第二晶体管T2的栅电极结合到与第一子像素SP1结合的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si提供具有栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第j数据线Dj电结合到第一晶体管T1的源电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从第j数据线Dj供应的数据信号可以被传输到第一晶体管T1。
第三晶体管T3结合在第一晶体管T1的漏电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极可以结合到第i扫描线Si。当从扫描线Si供应具有栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3可以导通以将第一晶体管T1的漏电极电结合到第一节点N1。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以以二极管的形式连接。
第四晶体管T4结合在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极结合到前一扫描线，例如，第i-1扫描线Si-1。当栅极导通电压的扫描信号被供应到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以被传输到第一节点N1。这里，初始化电源Vint可以具有等于或小于数据信号的最小电压的电压。
第五晶体管T5结合在第一驱动电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极可以结合到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第五晶体管T5可以在具有栅极截止电压的发射控制信号被供应到第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。
第六晶体管T6结合在第一晶体管T1与发光元件LD的第一端之间。第六晶体管T6的栅电极结合到第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在具有栅极截止电压的发射控制信号被供应到第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。
第七晶体管T7结合在发光元件LD的第一端与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极结合到后一级的扫描线中的任一条，例如，结合到第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号被供应到第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以被供应到发光元件LD的第一端。
存储电容器Cst可以结合在第一驱动电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与在每个帧周期期间施加到第一节点N1的数据信号以及与第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。
为了方便，图13c示出了第一晶体管T1至第七晶体管T7中的全部由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以由N型晶体管形成，或者第一晶体管T1至第七晶体管T7中的全部可以由N型晶体管形成。
图14是示意性地示出包括在图12中所示的像素中的一个像素的第一子像素至第三子像素的平面图。图15a是沿图14的线VI-VI’截取的剖视图。
在本公开的实施例中，以下描述将集中于与前述实施例的不同之处，以避免重复说明。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
在图14中，为了说明，设置在每个子像素中的多个发光元件被示出为水平布置。然而，发光元件的布置不限于此。例如，发光元件中的至少一些可以在与水平方向相交的方向上布置。
此外，为了说明，已经在图14中省略了结合到发光元件的晶体管以及结合到晶体管的信号线的图示。
此外，尽管图14和图15示出了所述一个像素的简化结构(例如，示出了每个电极仅具有单个电极层)，但是本公开不限于此。
参照图1a、图12、图14和图15，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有多个像素PXL的基底SUB。像素PXL中的每个可以包括设置在基底SUB上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。在本公开的实施例中，第一子像素SP1可以是红色子像素，第二子像素SP2可以是绿色子像素，并且第三子像素SP3可以是蓝色子像素。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的单元发射区域100可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路层PCL以及设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。
在本公开的实施例中，单元发射区域100可以包括对应的子像素的像素区域。例如，第一子像素SP1的单元发射区域100可以包括第一子像素SP1的像素区域。第二子像素SP2的单元发射区域100可以包括第二子像素SP2的像素区域。第三子像素SP3的单元发射区域100可以包括第三子像素SP3的像素区域。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的像素电路层PCL可以包括设置在基底SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL。此外，第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的像素电路层PCL还可以包括设置在第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL上的钝化层PSV。
基底SUB可以包括诸如玻璃、有机聚合物或晶体的绝缘材料。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成以可弯曲或可折叠，并且可以具有单层或多层结构。
缓冲层BFL可以设置在基底SUB上并且可以防止杂质扩散到第一晶体管T1和第二晶体管T2中。根据基底SUB的材料或工艺条件，可以省略缓冲层BFL。
第一晶体管T1可以是驱动晶体管，该驱动晶体管电结合到设置在对应的子像素的显示元件层DPL中的一些发光元件LD以驱动发光元件LD。第二晶体管T2可以是被构造为开关第一晶体管T1的开关晶体管。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括半导体层SCL、栅电极GE以及源电极SE和漏电极DE。
半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。半导体层SCL可以包括与源电极SE接触的源区和与漏电极DE接触的漏区。源区与漏区之间的区域可以是沟道区。
半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区可以是本征半导体，其是未掺杂的半导体图案。源区和漏区中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。
栅电极GE可以设置在半导体层SCL上且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体层SCL之间。
源电极SE和漏电极DE可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的对应的接触孔分别与半导体层SCL的源区和漏区接触。
驱动电压线DVL可以设置在层间绝缘层ILD上，但是本公开不限于此。在一些实施例中，驱动电压线DVL可以设置在包括在像素电路层PCL中的绝缘层中的任一个上。第二驱动电源(图13a的VSS)可以被施加到驱动电压线DVL。
钝化层PSV可以包括使第一晶体管T1的漏电极DE的一部分暴露的第一接触孔CH1以及使驱动电压线DVL的一部分暴露的第二接触孔CH2。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的显示元件层DPL可以包括设置在钝化层PSV上的第一电极REL1和第二电极REL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、多个发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
每个发光元件LD可以由发光二极管形成，该发光二极管由具有无机晶体结构的材料制成并且具有例如对应于纳米级或微米级的超小型尺寸。
用于覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分的第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。第一绝缘层INS1可以设置在发光元件LD中的每个与钝化层PSV之间。
第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2和发光元件LD中的每个上。第三绝缘层INS3可以使由第二绝缘层INS2和发光元件LD形成的台阶部平坦化，并且可以覆盖发光元件LD中的每个的暴露在第二绝缘层INS2外的相对端EP1和EP2。
第一连接线CNL1可以在第一方向DR1上从第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个延伸。第一连接线CNL1可以仅设置在一个对应的子像素中，以独立地驱动第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个。
第二连接线CNL2可以在与第一连接线CNL1延伸所沿的方向平行的方向上延伸。第二连接线CNL2可以对于第一子像素SP至第三子像素SP3共同地设置。因此，第一子像素SP1至第三子像素SP3可以共同地结合到第二连接线CNL2。
第一电极REL1可以包括第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2，第1-1电极REL1_1和第1-2电极REL1_2在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上从第一连接线CNL1分支。第二电极REL2可以在第二方向DR2上从第二连接线CNL2延伸。
在本公开的实施例中，发光元件LD可以被划分为在第1-1电极REL1_1与第二电极REL2之间对准的多个第一发光元件LD1以及在第二电极REL2与第1-2电极REL1_2之间对准的多个第二发光元件LD2。在本公开的实施例中，第一发光元件LD1和第二发光元件LD2可以发射在可见光线区域中具有相对短的波长的蓝光。
在平面图中，第一电极REL1和第二电极REL2可以在彼此隔开的位置处设置在基底SUB上且发光元件LD置于第一电极REL1与第二电极REL2之间，并且因此彼此电分离和/或物理分离。
在本公开的实施例中，第一电极REL1可以通过钝化层PSV的第一接触孔CH1电结合到第一晶体管T1的漏电极DE。因此，施加到第一晶体管T1的信号可以被传输到第一电极REL1。第一电极REL1可以设置为与发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一端相邻，并且可以通过第一接触电极CNE1电结合到发光元件LD中的每个。因此，施加到第一电极REL1的第一晶体管T1的信号可以通过第一接触电极CNE1传输到发光元件LD中的每个。
第二电极REL2可以通过钝化层PSV的第二接触孔CH2电结合到驱动电压线DVL。因此，施加到驱动电压线DVL的第二驱动电源VSS可以被传输到第二电极REL2。第二电极REL2可以设置为与发光元件LD中的每个的相对端中的另一端相邻，并且可以通过第二接触电极CNE2电结合到发光元件LD中的每个。因此，施加到第二电极REL2的第二驱动电源VSS可以被传输到发光元件LD中的每个。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一平面处并且可以在彼此隔开预定距离的位置处设置在第三绝缘层INS3上。因此，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以彼此电分离和/或物理分离。
第四绝缘层INS4可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。外覆层OC可以设置在第四绝缘层INS4上。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的显示元件层DPL可以包括颜色转换层。例如，第一子像素SP1的显示元件层DPL可以包括第一颜色转换层CCL1。第二子像素SP2的显示元件层DPL可以包括第二颜色转换层CCL2。第三子像素SP3的显示元件层DPL可以包括第三颜色转换层CCL3。
在本公开的实施例中，第一颜色转换层CCL1可以包括红色量子点QDr作为用于将从发光元件LD发射的蓝光转换为红光的光转换颗粒。
第二颜色转换层CCL2可以包括绿色量子点(未示出)作为用于将从发光元件LD发射的蓝光转换为绿光的光转换颗粒。
第三颜色转换层CCL3可以包括透明层，该透明层用于允许从发光元件LD发射的蓝光在显示显示装置的图像的方向(例如，前向方向)上直接穿过其中。透明层可以由透明聚合物形成，并且可以直接在前向方向上发射从设置在第三子像素SP3中的发光元件LD发射的蓝光。包括透明层的第三颜色转换层CCL3可以直接发射入射在其上的蓝光，而不具有单独的量子点。在实施例中，第三颜色转换层CCL3可以包括蓝色滤色器来代替透明层。
第一子像素SP1至第三子像素SP3可以具有基本相同或相似的结构。在下文中，为了方便，将描述第一子像素SP1至第三子像素SP3中的第一子像素SP1作为代表性示例。
第一颜色转换层CCL1可以在第一子像素SP1的单元发射区域100中的第一发光元件LD1与第二发光元件LD2之间设置在第二电极REL2上。第二接触电极CNE2可以设置在第一颜色转换层CCL1上。
在平面图中，第一颜色转换层CCL1可以与第二电极REL2和第二接触电极CNE2叠置。在剖视图中，在第一颜色转换层CCL1设置在第二接触电极CNE2下方的情况下，第二接触电极CNE2可以在第一颜色转换层CCL1的相对端上与第二电极REL2叠置并且因此与第二电极REL2电结合和/或物理结合。
如上所述，预定电压可以通过第一电极REL1和第二电极REL2分别施加到第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2。因此，每个发光元件LD可以发射蓝光。从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2发射的蓝光可以行进到第一颜色转换层CCL1。
红色量子点QDr被入射在第一颜色转换层CCL1上的蓝光激发，使得可以吸收蓝光并且可以发射红光。从红色量子点QDr发射的红光可以在所有方向上发射。最终从第一颜色转换层CCL1发射的红光可以通过设置在第一颜色转换层CCL1下方的第一电极REL1和第二电极REL2在显示装置的前向方向上被反射。
从设置在第二子像素SP2中的每个发光元件LD发射的蓝光可以行进到第二颜色转换层CCL2。绿色量子点被入射在第二颜色转换层CCL2上的蓝光激发，使得可以吸收蓝光并且可以发射绿光。从绿色量子点发射的绿光可以在所有方向上发射。最终从第二颜色转换层CCL2发射的绿光可以通过设置在第二颜色转换层CCL1下方的第一电极REL1和第二电极REL2在显示装置的前向方向上被反射。
从设置在第三子像素SP3中的每个发光元件LD发射的蓝光可以穿过透明层，并且通过设置在第三子像素SP3中的第一电极REL1和第二电极REL2在显示装置的前向方向上被反射。
因此，显示装置可以显示与分别从第一子像素SP1至第三子像素SP3发射的红光、绿光和蓝光对应的图像。
如上所述，根据本公开的实施例的显示装置可以通过第一颜色转换层CCL1至第三颜色转换层CCL3发射具有优异颜色再现性的光，使得可以增强光输出效率。
如上所述，在根据本公开的实施例的显示装置中，第一颜色转换层CCL1至第三颜色转换层CCL3可以设置在与发光元件LD的基底SUB相同的基底SUB上，使得可以增强最终从第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个发射的光的效率。
图15b示出了根据本公开的实施例的显示装置并且是对应于图14的线VI-VI’的剖视图。
除了第一颜色转换层设置在第二接触电极上的事实之外，图15b中所示的显示装置可以具有与图14和图15a的显示装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图15b的显示装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图12、图14和图15b，第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及第一颜色转换层CCL1可以设置在第一子像素SP1的单元发射区域100中。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面处并且彼此隔开预定距离。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1上并且可以与第一电极REL1电结合和/或物理结合。第二接触电极CNE2可以设置在第二电极REL2上并且可以与第二电极REL2电结合和/或物理结合。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一平面处并且彼此隔开预定距离。
第一颜色转换层CCL1可以包括用于将从发光元件LD发射的蓝光转换为红光的红色量子点QDr。第一颜色转换层CCL1可以在第一子像素SP1的单元发射区域100中设置在第二接触电极CNE2上，并且可以与第二电极REL2和第二接触电极CNE2叠置。第一颜色转换层CCL1可以在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2形成在第一子像素SP1的像素电路层PCL上之后通过曝光方法等形成和/或设置在第二接触电极CNE2上。
最终从第一颜色转换层CCL1发射的红光可以通过设置在第一颜色转换层CCL1下方的第一电极REL1和第二电极REL2在显示装置的前向方向上被反射。
图15c示出了根据本公开的实施例的显示装置并且是对应于图14的线VI-VI’的剖视图。
除了第一接触电极和第二接触电极设置在不同的层上的事实之外，图15c中所示的显示装置可以具有与图14和15a的显示装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图15c的显示装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图12、图14和图15c，第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一电极REL1和第二电极REL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及第一颜色转换层CCL1可以设置在第一子像素SP1的单元发射区域100中。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面处并且可以彼此隔开预定距离。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1以及发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一端上。
第三绝缘层INS3可以设置在第一接触电极CNE1上。第三绝缘层INS3可以防止第一接触电极CNE1暴露于外部，因此防止第一接触电极CNE1被腐蚀。
第一颜色转换层CCL1可以在设置有第一接触电极CNE1的基底SUB上通过曝光法等形成和/或设置在第二电极REL2上。在平面图中，第一颜色转换层CCL1可以与第二电极REL2叠置。
第一颜色转换层CCL1可以包括用于将从发光元件LD发射的蓝光转换为红光的红色量子点QDr。最终从第一颜色转换层CCL1发射的红光可以通过设置在第一颜色转换层CCL1下方的第一电极REL1和第二电极REL2在显示装置的前向方向上被反射。
第二接触电极CNE2可以设置在第一颜色转换层CCL1上。第二接触电极CNE2可以设置在第二电极REL2以及每个发光元件LD的相对端EP1和EP2中的另一端上。发光元件LD中的每个的另一端和第二电极REL2可以通过第二接触电极CNE2彼此电结合。
在剖视图中，第二接触电极CNE2可以在第一颜色转换层CCL1的相对端上与第二电极REL2叠置，并且第一颜色转换层CCL1置于第二接触电极CNE2与第二电极REL2之间。第二接触电极CNE2可以设置在与第一接触电极CNE1的层不同的层上。
图16a至图16h是顺序地示出制造图15a的显示装置的方法的剖视图。
参照图1a、图12、图14、图15a和图16a，在基底SUB上形成像素电路层PCL。像素电路层PCL还可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2、驱动电压线DVL以及钝化层PSV。
钝化层PSV包括使第一晶体管T1的漏电极DE的一部分暴露的第一接触孔CH1以及使驱动电压线DVL的一部分暴露的第二接触孔CH2。
参照图1a、图12、图14、图15a、图16a和图16b，在钝化层PSV上形成包括具有高反射率的导电材料的第一电极REL1和第二电极REL2以及第一连接线CNL1和第二连接线CNL2。
第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在钝化层PSV上并且可以彼此隔开预定距离。
第一电极REL1可以与第一连接线CNL1一体地设置，并且可以与第一连接线CNL1电结合和/或物理结合。第一电极REL1可以通过钝化层PSV的第一接触孔CH1结合到第一晶体管T1的漏电极DE。
第二电极REL2可以与第二连接线CNL2一体地设置，并且与第二连接线CNL2电结合和/或物理结合。第二连接线CNL2可以通过钝化层PSV的第二接触孔CH2结合到驱动电压线DVL。因为第二连接线CNL2与第二电极REL2电结合，所以第二电极REL2可以结合到驱动电压线DVL。
参照图1a、图12、图14、图15a和图16a至图16c，在其上设置有第一电极REL1和第二电极REL2等的基底SUB上形成第一绝缘材料层INSM1。第一绝缘材料层INSM1可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。
此后，通过第一连接线CNL1和第二连接线CNL2分别将对应的对准电压施加到第一电极REL1和第二电极REL2，在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场。在通过第一连接线CNL1和第二连接线CNL2将具有预定电压和周期的交流电力或直流电力重复地施加到第一电极REL1和第二电极REL2中的每个数次的情况下，可以通过第一电极REL1与第二电极REL2之间的电势差在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场。
在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场的同时，通过喷墨印刷方法等将多个发光元件LD供应到钝化层PSV上。例如，可以通过在钝化层PSV之上设置喷嘴并且通过喷嘴将包括发光元件LD的溶剂滴到钝化层PSV上来将发光元件LD供应到单元发射区域100的基底SUB上。溶剂可以是丙酮、水、醇和甲苯中的任一种，但是本公开不限于此。例如，溶剂可以包括可以在室温下或通过加热蒸发的材料。此外，溶剂可以具有墨水或浆糊的形式。
将发光元件LD供应到基底SUB上的方法不限于前述方法。可以改变供应发光元件LD的方法。随后，可以除去溶剂。
如果发光元件LD被供应到钝化层PSV上，则形成在第一电极REL1与第二电极REL2之间的电场可以引起发光元件LD的自对准。因此，发光元件LD可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间对准。
发光元件LD可以包括在第1-1电极REL1与第二电极REL2之间对准的多个第一发光元件LD1以及在第二电极REL2与第1-2电极REL1_2之间对准的多个第二发光元件LD2。
参照图1a、图12、图14、图15a和图16a至图16d，在已经完成第一发光元件LD1和第二发光元件LD2的对准之后，在基底SUB上形成第二绝缘材料层(未示出)。
通过使用掩模使第二绝缘材料层图案化来形成第二绝缘层INS2，使得第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2以及第一电极REL1和第二电极REL2被暴露。
可以通过经由前述掩模工艺使第一绝缘材料层INSM1一起图案化来形成第一绝缘层INS1，使得第一绝缘层INS1仅设置在第一发光元件LD1与钝化层PSV之间以及第二发光元件LD2与钝化层PSV之间。
第一绝缘层INS1可以设置在第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个下方，以支撑第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个并且防止第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个从钝化层PSV被去除。
参照图1a、图12、图14、图15a和图16a至图16e，将第三绝缘材料层(未示出)施加到其上设置有第二绝缘层INS2的钝化层PSV上。通过使用掩模使第三绝缘材料层图案化来形成用于覆盖第一发光元件LD1和第二发光元件LD2以及第二绝缘层INS2的第三绝缘层INS3。
第三绝缘层INS3可以使由第二绝缘层INS2以及第一发光元件LD1和第二发光元件LD2形成的台阶部平坦化。第三绝缘层INS3可以包括由有机材料形成的有机绝缘层。
参照图1a、图12、图14、图15a和图16a至图16f，在其上设置有第三绝缘层INS3的钝化层PSV上形成第一颜色转换层CCL1。可以在钝化层PSV上通过使用掩模的曝光方法形成第一颜色转换层CCL1。
可以在第一发光元件LD1与第二发光元件LD2之间在第二电极REL2上形成第一颜色转换层CCL1。因此，第一颜色转换层CCL1和第二电极REL2可以彼此叠置。
第一颜色转换层CCL1可以包括用于将从第一发光元件LD1和第二发光元件LD2发射的光转换为红光的红色量子点QDr。
在钝化层PSV上形成第一颜色转换层CCL1的方法不限于前述方法。形成第一颜色转换层CCL1的方法可以以各种方式改变。在实施例中，第一颜色转换层CCL1可以通过在喷墨印刷方案中滴落包括红色量子点QDr的可流动物质而在第一发光元件LD1与第二发光元件LD2之间形成在第二电极REL2上。
参照图1a、图12、图14、图15a和图16a至图16g，通过将导电层(未示出)施加到其上设置有第一颜色转换层CCL1的钝化层PSV的整个表面，然后使用掩模使导电层图案化，在彼此隔开预定距离的位置处在第三绝缘层INS3上形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极REL1以及第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2中的一端上。
第二接触电极CNE2可以设置在第二电极REL2以及第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每个的相对端EP1和EP2中的另一端上。第二接触电极CNE2可以设置在第一颜色转换层CCL1上。
参照图1a、图12、图14、图15a和图16a至图16h，在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上形成第四绝缘层INS4。
第四绝缘层INS4可以包括由无机材料形成的无机绝缘层，以防止氧、水等被引入到第一颜色转换层CCL1以及第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中。
可以在第四绝缘层INS4上形成外覆层OC。
图17示出了根据本公开的实施例的显示装置并且是对应于图14的线VI-VI’的剖视图。
除了滤色器设置在第一子像素的单元发射区域上的事实之外，图17中所示的显示装置可以具有与图14和图15a的显示装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图17的显示装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图12、图14和图17，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有多个像素PXL的基底SUB。像素PXL中的每个可以包括设置在基底SUB上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。在本公开的实施例中，第一子像素SP1可以是红色子像素，第二子像素SP2可以是绿色子像素，并且第三子像素SP3可以是蓝色子像素。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的单元发射区域100可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路层PCL以及设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的像素电路层PCL可以包括设置在基底SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的晶体管T1和T2、驱动电压线DVL以及设置在晶体管T1和T2及驱动电压线DVL上的钝化层PSV。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的显示元件层DPL可以包括多个发光元件LD、第一电极REL1和第二电极REL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及颜色转换层CCL1、CCL2或CCL3。
在本公开的实施例中，滤色器层CF可以设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的显示元件层DPL上。例如，第一滤色器层CF可以设置在第一子像素SP1的显示元件层DPL上。第二滤色器层(未示出)可以设置在第二子像素SP2的显示元件层DPL上。第三滤色器层(未示出)可以设置在第三子像素SP3的显示元件层DPL上。
在本公开的实施例中，第一滤色器层CF可以覆盖设置在第一子像素SP1的显示元件层DPL上的第一颜色转换层CCL1。第一滤色器层CF可以包括仅允许最终从第一颜色转换层CCL1发射的红光穿过其中的红色滤色器。
在本公开的实施例中，第二滤色器层可以覆盖设置在第二子像素SP2的显示元件层DPL上的第二颜色转换层CCL2。第二滤色器层可以包括仅允许最终从第二颜色转换层CCL2发射的绿光穿过其中的绿色滤色器。
在本公开的实施例中，第三滤色器层可以覆盖设置在第三子像素SP3的显示元件层DPL上的第三颜色转换层CCL3。第三滤色器层可以包括仅允许最终从第三颜色转换层CCL3发射的蓝光穿过其中的蓝色滤色器。
因为对应的滤色器层分别形成和/或设置在第一颜色转换层CCL1至第三颜色转换层CCL3上，所以可以增强最终从第一颜色转换层CCL1至第三颜色转换层CCL3中的每个发射的光的效率，并且可以更清楚地表现颜色。
此外，设置在第一颜色转换层CCL1至第三颜色转换层CCL3中的每个上的对应的滤色器层仅允许具有预设波长的光穿过其中，并且阻挡其它波长范围内的光，因此减少了入射在第一子像素SP1至第三子像素SP3上的外部光的反射。
此外，对应的滤色器层可以用作用于减轻由显示元件层DPL形成的台阶部的平坦化层。在这种情况下，可以从显示装置省略外覆层OC。
图18示出了根据本公开的实施例的显示装置并且是对应于图14的线VI-VI’的剖视图。
除了滤色器层和位于滤色器层下方的屏蔽层设置在第一子像素的单元发射区域上的事实之外，图18中示出的显示装置可以具有与图14和图17的显示装置的构造基本相同或相似的构造。
因此，为了避免冗余的说明，图18的显示装置的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独说明的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且相似的附图标记将用于表示相似的组件。
参照图1a、图12、图14和图18，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有多个像素PXL的基底SUB。像素PXL中的每个可以包括设置在基底SUB上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的单元发射区域100可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素电路层PCL以及设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。
在本公开的实施例中，屏蔽层SDL和滤色器层CF可以设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的显示元件层DPL上。
屏蔽层SDL可以设置在第四绝缘层INS4上，使得屏蔽层SDL在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的单元发射区域100中与每个发光元件LD的上表面对应。屏蔽层SDL可以包括黑矩阵，并且可以吸收从发光元件LD发射的光线之中朝向发光元件LD的上表面行进的光线，因此防止最终从第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个发射的光的色纯度劣化。
此外，屏蔽层SDL可以吸收从外部入射在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个上的光，因此减少显示装置的外部光的反射。
滤色器层CF可以设置在屏蔽层SDL和第四绝缘层INS4上，使得滤色器层CF与在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的颜色转换层CCL1、CCL2或CCL3之上的位置对应。
如果对应的滤色器层设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的颜色转换层CCL1至CCL3之上，则可以增强最终从第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的颜色转换层CCL1至CCL3发射的光的效率，并且可以更清楚地表现颜色。
尽管上面已经描述了各种示例性实施例，但本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、添加和替换。
因此，本说明书中公开的实施例仅用于说明性目的，而不是限制本公开的技术精神。本公开的范围必须由所附权利要求限定。

Claims (20)

1.一种发光装置，所述发光装置包括：
基底；
至少一个发光元件，位于所述基底上并且被构造为发射光；
第一电极和第二电极，彼此隔开预定距离且所述发光元件置于所述第一电极与所述第二电极之间；
颜色转换层，位于所述基底上并且被构造为将从所述发光元件发射的光转换为具有特定颜色的光；
第一接触电极，被构造为将所述第一电极与所述发光元件的第一端电结合；以及
第二接触电极，被构造为将所述第二电极与所述发光元件的第二端电结合，
其中，在平面图中，所述颜色转换层与所述发光元件隔开预定距离并且与所述第一接触电极和所述第二接触电极中的任一个叠置。
2.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述颜色转换层包括量子点，并且
其中，所述颜色转换层与所述第二接触电极叠置。
3.根据权利要求2所述的发光装置，
其中，所述颜色转换层位于所述第二电极上并且与所述第二电极叠置，并且
其中，所述第二接触电极位于所述颜色转换层上。
4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述颜色转换层位于所述第二接触电极上。
5.根据权利要求2所述的发光装置，所述发光装置还包括：
第一连接线，沿一个方向延伸并且与所述第一电极电结合；以及
第二连接线，平行于所述第一连接线延伸所沿的所述方向延伸并且与所述第二电极电结合，
其中，所述第二电极包括从所述第二连接线分支并且彼此隔开预定距离的第2-1电极和第2-2电极，并且
其中，所述颜色转换层在所述第2-1电极与所述第2-2电极之间位于所述基底上。
6.根据权利要求2所述的发光装置，所述发光装置还包括设置在所述基底与所述颜色转换层之间的虚设电极。
7.根据权利要求2所述的发光装置，所述发光装置还包括：
盖绝缘层，位于所述颜色转换层上；以及
光阻挡图案，位于所述盖绝缘层上，所述光阻挡图案与所述发光元件对应。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述光阻挡图案包括黑矩阵，并且所述盖绝缘层包括无机绝缘层。
9.根据权利要求7所述的发光装置，所述发光装置还包括辅助图案，所述辅助图案位于所述盖绝缘层与所述光阻挡图案之间，所述辅助图案与所述发光元件对应。
10.根据权利要求2所述的发光装置，所述发光装置还包括：
第一绝缘层，设置在所述基底与所述发光元件之间；
第二绝缘层，设置在所述发光元件上并且使所述发光元件的相对端暴露；以及
第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层上并且覆盖所述发光元件。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极位于所述第三绝缘层上并且彼此隔开预定距离。
12.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极位于不同的层处。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光元件包括具有圆柱或多棱柱的形状并且具有微米级或纳米级的尺寸的发光二极管。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；以及
多个像素，设置在所述基底的所述显示区域中，所述多个像素中的每个包括多个子像素，
其中，所述多个子像素中的每个包括：像素电路层，包括至少一个晶体管；以及显示元件层，包括通过其发射光的单元发射区域，
其中，所述显示元件层包括：
至少一个发光元件，设置在所述像素电路层上并且被构造为发射光；
第一电极和第二电极，彼此隔开预定距离且所述发光元件置于所述第一电极与所述第二电极之间；
颜色转换层，位于所述基底上并且被构造为将从所述发光元件发射的光转换为具有特定颜色的光；
第一接触电极，被构造为将所述第一电极与所述发光元件的第一端电结合；以及
第二接触电极，被构造为将所述第二电极与所述发光元件的第二端电结合，并且
其中，在平面图中，所述颜色转换层与所述发光元件隔开预定距离并且与所述第一接触电极和所述第二接触电极中的任一个叠置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，
其中，所述颜色转换层包括量子点，并且
其中，所述颜色转换层与所述第二接触电极叠置。
16.根据权利要求15所述的显示装置，
其中，所述颜色转换层位于所述第二电极上并且与所述第二电极叠置，并且
其中，所述第二接触电极位于所述颜色转换层上。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述颜色转换层位于所述第二接触电极上。
18.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一绝缘层，设置在所述像素电路层与所述发光元件之间；
第二绝缘层，设置在所述发光元件上并且使所述发光元件的相对端暴露；
第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层上并且覆盖所述发光元件；以及
第四绝缘层，设置在所述第三绝缘层上，
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极位于所述第三绝缘层上并且彼此隔开预定距离。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示元件层还包括位于所述颜色转换层上的滤色器层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述显示元件层还包括光阻挡图案，所述光阻挡图案位于所述第四绝缘层与所述滤色器层之间，所述光阻挡图案与所述发光元件对应。
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