CN112490370B - 一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法及设备 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000009736 wetting Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- -1 amidine compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N DMF Natural products CC1=CC=C(C)O1 GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N N-methyl-pyrrolidine Natural products CN1CC=CC1 AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法及设备，属于材料科学技术和薄膜制备技术领域。该方法包括以下步骤：1)将太阳电池基体置于1000Pa～50000Pa的密闭腔室内；2)将涂覆物质涂覆于太能电池基体表面，并利用频率为20KHz～200KHz、振幅为10nm‑100nm的振动源对太阳能基体进行法向方向的振动，在太阳电池基体表面形成液膜；3)将太阳电池基体表面的液膜进行干燥、退火处理，在太阳电池基体表面形成润湿涂膜。本方法中在高频微振作用下，钙钛矿溶液或溶胶对太阳电池基体凹坑起伏的界面具有动态润湿作用，有效排出凹坑处的气泡并浸润凹坑内部，大大减少了钙钛矿薄膜与太阳电池基体间的未覆盖孔洞，可以大幅提高钙钛矿溶液的涂覆速度和涂覆质量。
Description
技术领域
本发明属于材料科学技术和薄膜制备技术领域，涉及溶液法制备大面积薄膜及其在钙钛矿太阳电池中的应用，具体涉及一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法及设备。
背景技术
随着人们对于能源和环境问题的重视，太阳能成为清洁能源利用和发展的一个重要方向。近年来，在光伏领域中，具有钙钛矿结构的光吸收材料，由于具有便捷的溶液制备方法、合适可调节的禁带宽度、优异的载流子输运性能获得了人们的广泛关注。近十年来，钙钛矿太阳电池转换效率自2009年首次发现获得3.9％的效率后突飞猛进，目前单节钙钛矿太阳电池已经获得25.2％的效率，大面积钙钛矿太阳电池也已实现＞20％。
钙钛矿薄膜作为钙钛矿太阳电池中光电转换基本材料，是太阳电池的关键与核心。目前，实验室制备钙钛矿液膜的方法主要是旋涂法，具有较高的可控性和可重复性，受限于匀胶机尺寸和薄膜均匀性，最大尺寸不超过15cm×15cm。大面积钙钛矿液膜的制备方法主要包括涂布法、刮涂法、喷涂法等方法。由于太阳电池基体表面起伏情况，在钙钛矿液膜快速涂覆过程中，液膜与基体界面极易引入气泡，甚至部分液膜缺失，严重影响了大面积钙钛矿太阳电池的器件性能以及连续生产。
为了获得快速涂覆及高质量界面的大面积钙钛矿太阳电池，人们对钙钛矿溶液涂覆过程(涂覆方法、涂覆条件、表面添加剂等)展开了广泛的研究。有研究表明，通过引入多种表面活性剂可以改善基体的润湿性、抑制溶液的非均匀流动，减小溶液在疏水基体表面的收缩范围，起到表面活性剂的钉扎效应，从而实现钙钛矿溶液的快速刮涂。然而，大多数上述方法未能获得良好的太阳电池器件性能，或者并不适用于大规模便捷的工业化涂膜过程，难以实现高质量、大面积的太阳电池液膜的制备。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法及设备，以解决目前制备工艺在快速制备大面积钙钛矿太阳电池薄膜中，由于界面气泡引入夹杂造成膜层界面缺陷的技术问题。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，包括以下步骤：
1)将太阳电池基体置于1000Pa～50000Pa的密闭腔室内；
2)将涂覆物质涂覆于太能电池基体表面，并利用频率为20KHz～200KHz、振幅为大于当前密闭腔室压力分子平均间距1.2倍的振动源对太阳能基体进行法向方向的振动，在太阳电池基体表面形成液膜；
3)将太阳电池基体表面的液膜进行干燥、退火处理，在太阳电池基体表面形成润湿涂膜。
进一步地，振动过程中的振幅为10nm-100nm。
进一步地，涂覆物质体系为空穴传输层材料、钙钛矿光吸收层材料和电子传输层材料中的一种或几种。
进一步地，空穴传输层材料为金属氧化物、CuI、CuI2、导电碳浆、聚噻吩衍生物和spiro-OMeTAD中的一种或几种。
进一步地，钙钛矿光吸收层材料为钙钛矿前驱体溶胶或溶液，其中溶剂为DMF、DMSO、NMP或γ-丁内脂中的一种或几种；溶质为ABX3，A为烷基胺、烷基脒、碱金属或三者的组合，B为铅、锡或二者的组合，X为Br、Cl、I中的一种或几种。
进一步地，电子传输层材料为金属氧化物、富勒烯和富勒烯衍生物中的一种或几种。
进一步地，步骤2)中，太能电池基体表面起伏为50nm-2000nm。
进一步地，步骤2)中，涂覆方法为刮涂法、喷雾沉积法、喷墨打印法或狭缝涂布法。
进一步地，步骤2)中，钙钛矿溶液或溶胶涂覆速度为20mm/s-100mm/s。
进一步地，步骤2)中，液膜的厚度≤10μm。更进一步地，为1～5μm。
进一步地，步骤3)中，干燥的方法为抽气法、气刀法、溶剂自挥发法或反溶剂法。
进一步地，步骤3)中，退火的温度为50℃-600℃，时间为3min-15min。
一种低压腔室高频微振润湿涂膜设备，包括密闭腔室、低压仓、以及位于密闭腔室的高频微振装置、涂布装置、太阳电池基体、基板，其中密闭腔室与低压仓之间管道连接，基板位于高频微振装置的上方，太阳电池基体位于涂布装置和基板之间。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，将太阳电池基体放置于1000Pa～50000Pa密闭腔室内，将钙钛矿溶液或溶胶涂覆于太能电池基体表面，并利用频率为20KHz～200KHz、且振幅大于当前密闭腔室压力分子平均间距1.2倍的振动源对太阳能基体进行法向方向的振动，在太阳电池基体表面形成一层液膜，将液膜进行干燥退火处理，在太阳电池表面形成一层润湿涂膜。在高频微振作用下，钙钛矿溶液或溶胶对太阳电池基体凹坑起伏的界面具有动态润湿作用，有效排出凹坑处的气泡并浸润凹坑内部，大大减少了钙钛矿薄膜与太阳电池基体间的未覆盖孔洞，可以大幅提高钙钛矿溶液的涂覆速度和涂覆质量，且将振幅限制在上述特殊范围内，是为了满高坑内液相分子的强制振动浸润，但又不会过大产生超声空泡，引入气体夹杂。为快速制备高效大面积钙钛矿太阳电池打下了基础。本申请中通过调节振动频率、振动幅度、涂覆角度、涂覆速度、涂覆方式、涂覆物质等参数，抑制液膜中气泡的卷入和夹杂，在太阳电池基体上得到均匀、无气泡、全覆盖的薄膜。
进一步地，本发明限定钙钛矿溶液或溶胶涂覆速度为20mm/s-100mm/s，涂膜速度过快时，会裹挟气体，导致干燥后薄膜内部出现气孔，涂膜速度过慢时，影响薄膜的干燥情况。
本发明公开了一种低压腔室高频微振润湿涂膜设备，高频微振装置是类似于超声机的超声波发生器或换能器，通过在基板下方的排布安装与基板连接，使基板与上方液膜产生振动，设置基板能够均化振动传递。该设备简单、易操作，适用于大面积、快速涂膜的工业化应用。
附图说明
图1为本发明低压腔室高频微振润湿涂膜装备示意图。
其中：1-密闭腔室；2-低压仓；3-高频微振装置；4-涂布装置；5-太阳电池基体；6-基板。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
本发明一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，包含以下步骤：
1)在1000Pa～50000Pa的腔室压强下，涂覆涂层材料的溶液或固液混合物于太阳电池基体表面，同时，利用振动源使太阳电池基体产生垂直于基体法向方向的振动，频率20KHz～200KHz，振幅大于当前腔室压力分子平均间距的1.2倍，小于凹坑高度十分之一的高频微振；
2)经低压腔室高频微振处理后，在5s内快速干燥液膜；
3)在50℃～600℃下进行退火处理小于300min，得到全覆盖、无气泡、均匀的薄膜。
本发明中通过控制润湿条件(振动频率、振动幅度、涂覆角度、涂覆速度)使液膜与太阳电池基体或薄膜界面良好接触，以及涂覆方式、涂覆物质体系、热量补偿等辅助参数的调节，抑制液膜中气泡的卷入和夹杂，在太阳电池基体或薄膜上得到均匀、无气泡、全覆盖的薄膜。
本申请中高频微振的振动来源可以为超声、电、磁、热、机械等能量形式所转化的高频微振。
本申请中液膜在涂覆过程中可以进行热量补偿，补偿形式包括对基体预热或加热、液膜预热或加热、或者非接触式辐射加热的方式对液膜或基体进行即时热量补偿。
参见图1，一种低压腔室高频微振润湿涂膜设备，包括密闭腔室1、低压仓2，密闭腔室1与低压仓2之间用管道连接，实现密闭腔室在10Pa～0.1MPa之间的压力调节，低压仓2可以在密闭腔室1的内部或外部；在密闭腔室2内从上到下依次为涂布装置4、太阳电池基体6、基板7、高频微振装置3；钙钛矿液膜5位于涂布装置4与太阳电池基体6之间，涂布装置4包括狭缝涂布、气刀涂布、刮刀涂布、喷涂等在内的一种或几种装置。
下面结合对比例与实施例作进一步详细说明。
实施例中，MA代表CH3NH3，FA代表CH(NH2)2。
对比例
1)在FTO基体上，30mm/s刮涂0.5mol/L的CH3NH3PbI3前驱体溶液；
2)采用抽气法制备小晶粒MAPbI3薄膜；
3)在空气中，120℃热处理退火10min，在FTO基体表面获得钙钛矿薄膜存在一定区域的不均匀与缺失。
实施例1
1)以DMF为溶剂，配制质量百分浓度为50％的CH3NH3PbI3溶液，在腔室压强1000Pa下，振动频率为100kHz，振幅为20nm，通过狭缝涂布方法在基体起伏为250nm的玻璃导电基体FTO上以45mm/s的速度制备一层厚度约1000nm的液膜；
2)采用抽气法，使液膜在10℃下快速干燥；
3)将干燥的薄膜置于70℃的热板上加热15min，在玻璃导电基体FTO上获得一层透明的黑褐色钙钛矿薄膜。
实施例2
1)以DMSO为溶剂，配制质量百分浓度为40％的CH(NH2)2PbI3溶液，在腔室压强5000Pa下，振动频率为150kHz，振幅为15nm，通过喷雾沉积方法在基体起伏为200nm的玻璃导电基体ITO上以35mm/s的速度制备一层厚度约2000nm的液膜；
2)采用气刀法，使液膜在30℃下快速干燥；
3)将干燥的薄膜置于100℃的热板上加热10min，玻璃导电基体ITO上获得一层透明的黑褐色钙钛矿薄膜。
实施例3
1)以氯苯为溶剂，配制质量百分浓度为5％的PCBM溶液，在腔室压强10000Pa下，振动频率为200kHz，振幅为40nm，通过刮涂方法在基体起伏为500nm的钙钛矿薄膜上以50mm/s的速度制备一层厚度约3000nm的液膜；
2)采用抽气法，使液膜在50℃下快速干燥；
3)将干燥的薄膜置于120℃的热板上加热8min，在钙钛矿薄膜上获得一层透明光亮的黑褐色薄膜。
实施例4
1)以γ-丁内酯为溶剂，配制质量百分浓度为20％的CsSnI3溶液，在腔室压强20000Pa下，振动频率为50kHz，振幅为10nm，通过喷墨打印方法在基体起伏为100nm的柔性导电基体ITO上以30mm/s的速度制备一层厚度约4000nm的液膜；
2)采用气刀法，使液膜在70℃快速干燥；
3)将干燥的薄膜置于150℃的热板上加热5min，在柔性导电基体ITO上获得一层透明的黑褐色钙钛矿薄膜。
实施例5
1)以DMF和DMSO的混合溶剂为溶剂，配制质量百分浓度为10％的FA0.8MA0.15Cs0.05PbI3溶液，在腔室压强50000Pa下，振动频率为50kHz，振幅为100nm，通过狭缝涂布方法在基体起伏为2000nm的玻璃导电基体FTO上以40mm/s的速度制备一层厚度约5000nm的液膜；
2)采用反溶剂法，使液膜快速干燥；
3)将干燥的薄膜置于200℃的热板上加热3min，在玻璃导电基体FTO上获得一层透明的黑褐色钙钛矿薄膜。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将太阳电池基体置于1000Pa～50000Pa的密闭腔室内；
2)将涂覆物质涂覆于太能电池基体表面，并利用频率为20KHz～200KHz、振幅为大于当前密闭腔室压力分子平均间距1.2倍的振动源对太阳能基体进行法向方向的振动，在太阳电池基体表面形成液膜，液膜的厚度≤10μm；
其中，涂覆物质为空穴传输层材料、钙钛矿光吸收层材料和电子传输层材料中的一种或几种；
3)将太阳电池基体表面的液膜进行干燥、退火处理，在太阳电池基体表面形成润湿涂膜。
2.根据权利要求1所述的一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，其特征在于，空穴传输层材料为金属氧化物、CuI、CuI2、导电碳浆、聚噻吩衍生物和spiro-OMeTAD中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，其特征在于，钙钛矿光吸收层材料为钙钛矿前驱体溶胶或溶液，钙钛矿前驱体溶胶或溶液的溶剂为DMF、DMSO、NMP或γ-丁内脂中的一种或几种；钙钛矿前驱体溶胶或溶液的溶质为ABX3，A为烷基胺、脒类化合物、碱金属或三者的组合，B为铅、锡或二者的组合，X为Br、Cl、I中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，其特征在于，电子传输层材料为金属氧化物、富勒烯和富勒烯衍生物中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，其特征在于，步骤2)中，太能电池基体表面起伏为50nm-2000nm。
6.根据权利要求1所述的一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，其特征在于，步骤2)中，钙钛矿溶液或溶胶涂覆速度为20mm/s-100mm/s。
7.根据权利要求1所述的一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法，其特征在于，步骤3)中，退火温度为50℃-600℃，时间为3min-15min。
8.基于权利要求1-7中任意一项所述方法的低压腔室高频微振润湿涂膜设备，其特征在于，包括密闭腔室(1)、低压仓(2)、以及位于密闭腔室(1)内的高频微振装置(3)、涂布装置(4)、太阳电池基体(5)和基板(6)，其中密闭腔室(1)与低压仓(2)之间通过管道连接，基板(6)位于高频微振装置(3)的上方，太阳电池基体(5)位于涂布装置(4)和基板(6)之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112490370A CN112490370A (zh) | 2021-03-12 |
| CN112490370B true CN112490370B (zh) | 2023-09-29 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202011192675.2A Active CN112490370B (zh) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 一种低压腔室高频微振润湿涂膜方法及设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112490370B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012114424A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-06-14 | Susumu Yoshikawa | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| CN104617220A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-05-13 | 西安电子科技大学 | 基于石墨烯ZnO阴极的平面钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
| CN109524551A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-26 | 西安交通大学 | 绒面均匀钙钛矿膜的液膜速涂气刀速干法抑爬原位析晶连续制备方法 |
| CN109755394A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 中国科学院化学研究所 | 一种应用风刀涂布制备钙钛矿太阳能电池的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100839371B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료감응 태양전지 |
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2020
- 2020-10-30 CN CN202011192675.2A patent/CN112490370B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012114424A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-06-14 | Susumu Yoshikawa | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| CN104617220A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-05-13 | 西安电子科技大学 | 基于石墨烯ZnO阴极的平面钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
| CN109755394A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 中国科学院化学研究所 | 一种应用风刀涂布制备钙钛矿太阳能电池的方法 |
| CN109524551A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-26 | 西安交通大学 | 绒面均匀钙钛矿膜的液膜速涂气刀速干法抑爬原位析晶连续制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Wettability of a surface subjected to high frequency mechanical vibrations";R. Galleguillos-Silva等;《Ultrasonics Sonochemistry》;第35卷;134-141页 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112490370A (zh) | 2021-03-12 |
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